JP2000261085A - レーザダイオード装置及びその製造方法 - Google Patents
レーザダイオード装置及びその製造方法Info
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- JP2000261085A JP2000261085A JP11061701A JP6170199A JP2000261085A JP 2000261085 A JP2000261085 A JP 2000261085A JP 11061701 A JP11061701 A JP 11061701A JP 6170199 A JP6170199 A JP 6170199A JP 2000261085 A JP2000261085 A JP 2000261085A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオード装置の組立技術で、特に放
熱性を要求される赤色より波長の短いレーザダイオード
装置を低コストで行なうの組立技術。 【解決手段】 レーザダイオード装置を構成するレーザ
ダイオード４とサブマウント１は、半田接合以前に予め
それぞれ半田層３を形成させておく。
熱性を要求される赤色より波長の短いレーザダイオード
装置を低コストで行なうの組立技術。 【解決手段】 レーザダイオード装置を構成するレーザ
ダイオード４とサブマウント１は、半田接合以前に予め
それぞれ半田層３を形成させておく。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
装置の組立技術に関するもので、特に放熱性を要求され
る赤色より波長の短いレーザダイオード装置の組立技術
に関する。
装置の組立技術に関するもので、特に放熱性を要求され
る赤色より波長の短いレーザダイオード装置の組立技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザダイオード装置（ＬＤ装
置）の各種装置への応用例としては、コンパクトディス
ク等の光情報機器用への応用に使用されている、波長が
０．７８μｍのＡｌＧａＡｓレーザと、光通信用の装置
に応用されている際に用いられている、波長が１．３μ
ｍの光通信用のＩｎＧａＡｓＰレーザが広く知られてい
る。
置）の各種装置への応用例としては、コンパクトディス
ク等の光情報機器用への応用に使用されている、波長が
０．７８μｍのＡｌＧａＡｓレーザと、光通信用の装置
に応用されている際に用いられている、波長が１．３μ
ｍの光通信用のＩｎＧａＡｓＰレーザが広く知られてい
る。
【０００３】また、光ディスクや光カードへの応用とし
ては、光出力が３０〜５０ｍＷの高出力レーザが用いら
れている。一方、光通信用としては中距離から２５Ｋｍ
で電送容量が５００Ｍｂ／ｓまでの光通信用の光源とし
て実用化されている。
ては、光出力が３０〜５０ｍＷの高出力レーザが用いら
れている。一方、光通信用としては中距離から２５Ｋｍ
で電送容量が５００Ｍｂ／ｓまでの光通信用の光源とし
て実用化されている。
【０００４】これらに用いられているＬＤ装置の組立と
構造を以下に図面を参照して説明すると、図５はＬＤ装
置の接合状況を示す模式側面図で、図６はＬＤ装置の組
立構造を示す側面図である。
構造を以下に図面を参照して説明すると、図５はＬＤ装
置の接合状況を示す模式側面図で、図６はＬＤ装置の組
立構造を示す側面図である。
【０００５】一般に、赤色のＬＤ１４では放熱性を良く
するため、成長層（Ｐ面が多い）を下にしてマウントす
るいわゆるアップサイドダウン方式が主流である。
するため、成長層（Ｐ面が多い）を下にしてマウントす
るいわゆるアップサイドダウン方式が主流である。
【０００６】すなわち、ＬＤ１４とサブマウント１１と
ステム（外囲器）１２との接合は、リボン半田等の半田
材１３を相互のマウント直前に、それぞれステム１２や
サブマウント１１等に供給し、その状態で相手部品をダ
イボンダ等によりそれぞれ実装してマウントを行い、そ
の後にリフロー炉を通過させてはんだ付による固定を行
なっている。
ステム（外囲器）１２との接合は、リボン半田等の半田
材１３を相互のマウント直前に、それぞれステム１２や
サブマウント１１等に供給し、その状態で相手部品をダ
イボンダ等によりそれぞれ実装してマウントを行い、そ
の後にリフロー炉を通過させてはんだ付による固定を行
なっている。
【０００７】また、別の方法としては、まず、サブマウ
ント１１に半田材１３を蒸着法により形成しておき、そ
れにＬＤ１４のマウントを行つた後、ステム１２に半田
を供給してＬＤ１４がマウントされたサブマウント１１
をステム１２にマウントし、その後、同様にリフロー炉
を通過させて半田付による固定を行なっている。
ント１１に半田材１３を蒸着法により形成しておき、そ
れにＬＤ１４のマウントを行つた後、ステム１２に半田
を供給してＬＤ１４がマウントされたサブマウント１１
をステム１２にマウントし、その後、同様にリフロー炉
を通過させて半田付による固定を行なっている。
【０００８】そして、固定が終了後、ＬＤ１４の配線を
ワイヤーボンダでワイヤ１５配線を行なってい、その際
のＬＤ１４とステム１２との配線は、サブマウント１１
に設けられたスルホール１６を介してサブマウント１１
のの両面に設けられた電極１７ａ、１７ｂを用いて行な
っている。
ワイヤーボンダでワイヤ１５配線を行なってい、その際
のＬＤ１４とステム１２との配線は、サブマウント１１
に設けられたスルホール１６を介してサブマウント１１
のの両面に設けられた電極１７ａ、１７ｂを用いて行な
っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、ＤＶＤ等のディスク用に使用した場合は、特性面か
らＮ極（Ｎ面）側をステムグランドにすることが多い。
ば、ＤＶＤ等のディスク用に使用した場合は、特性面か
らＮ極（Ｎ面）側をステムグランドにすることが多い。
【００１０】この場合、ステムの素子付け面は、両側リ
ードが標準規格で規定されているため、通常の場合は自
由度がなく変更ができないので、標準規格より領域を広
く取ることが出来ない。そのため、従来の半田供給方法
では半田量が多いため、ＬＤのＮ電極のワイヤーをダイ
レクトにステムに落とすことは極めて困難であった。
ードが標準規格で規定されているため、通常の場合は自
由度がなく変更ができないので、標準規格より領域を広
く取ることが出来ない。そのため、従来の半田供給方法
では半田量が多いため、ＬＤのＮ電極のワイヤーをダイ
レクトにステムに落とすことは極めて困難であった。
【００１１】そのため、上述の方法ではＮ面をグランド
にするため、ＳｉあるいはＡｌＮ等のサブマウントに加
工を施して極性を逆転させていたが、サブマウントがＳ
ｉであれば不純物拡散による導通領域の作成が必要にな
り、また、ＡｌＮ等の焼結材料であればスルーホール加
工等の加工が必要となる。さらに、Ｐ面側の配線領域を
確保する必要もあり、煩雑なサブマウントの製作を行な
わなければならずコストアップが避けられなかった。
にするため、ＳｉあるいはＡｌＮ等のサブマウントに加
工を施して極性を逆転させていたが、サブマウントがＳ
ｉであれば不純物拡散による導通領域の作成が必要にな
り、また、ＡｌＮ等の焼結材料であればスルーホール加
工等の加工が必要となる。さらに、Ｐ面側の配線領域を
確保する必要もあり、煩雑なサブマウントの製作を行な
わなければならずコストアップが避けられなかった。
【００１２】本発明はそれらの事情でなされたもので、
ＬＤ装置とその製造方法において、コストアップになら
ないで、かつ、熱対策が十分に配慮された組立性のよい
ＬＤ装置とその製造方法を提供するものである。
ＬＤ装置とその製造方法において、コストアップになら
ないで、かつ、熱対策が十分に配慮された組立性のよい
ＬＤ装置とその製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
ダイオードがサブマウントに半田接合され、このサブマ
ウントがステムに半田接合されたレーザダイオード装置
において、前記レーザダイオードとサブマウントは、半
田接合以前に予めそれぞれ半田層が形成されていること
を特徴とするレーザダイオード装置にある。
ダイオードがサブマウントに半田接合され、このサブマ
ウントがステムに半田接合されたレーザダイオード装置
において、前記レーザダイオードとサブマウントは、半
田接合以前に予めそれぞれ半田層が形成されていること
を特徴とするレーザダイオード装置にある。
【００１４】また、本発明によれば、前記サブマウント
に半田接合以前に予め形成された半田層は、電子銃か蒸
着によって形成されていることを特徴とするレーザダイ
オード装置にある。
に半田接合以前に予め形成された半田層は、電子銃か蒸
着によって形成されていることを特徴とするレーザダイ
オード装置にある。
【００１５】また、本発明によれば、前記サブマウント
に半田接合以前に予め形成された半田層は、膜厚が数μ
ｍであることを特徴とするレーザダイオード装置にあ
る。
に半田接合以前に予め形成された半田層は、膜厚が数μ
ｍであることを特徴とするレーザダイオード装置にあ
る。
【００１６】また、本発明によれば、レーザダイオード
をサブマウント１に半田接合し、このサブマウントにス
テムを半田接合するレーザダイオード装置の製造方法に
おいて、前記レーザダイオードとサブマウントは、半田
接合以前に予めそれぞれ半田層が形成されているものを
用いて半田接合することを特徴とするレーザダイオード
装置の製造方法にある。
をサブマウント１に半田接合し、このサブマウントにス
テムを半田接合するレーザダイオード装置の製造方法に
おいて、前記レーザダイオードとサブマウントは、半田
接合以前に予めそれぞれ半田層が形成されているものを
用いて半田接合することを特徴とするレーザダイオード
装置の製造方法にある。
【００１７】また、本発明によれば、前記サブマウント
は、ウエハの両面に電極を形成後に前記ステムとの接合
面に半田層を形成することを特徴とするレーザダイオー
ド装置の製造方法にある。
は、ウエハの両面に電極を形成後に前記ステムとの接合
面に半田層を形成することを特徴とするレーザダイオー
ド装置の製造方法にある。
【００１８】また、本発明によれば、前記サブマウント
に半田接合以前に予め形成された半田層は、電子銃か蒸
着によって形成することを特徴とするレーザダイオード
装置の製造方法にある。
に半田接合以前に予め形成された半田層は、電子銃か蒸
着によって形成することを特徴とするレーザダイオード
装置の製造方法にある。
【００１９】また、本発明によれば、前記ステムに半田
接合されたレーザダイオードは、前記サブマウントとの
接合面と逆方向の電極を直接に前記ステムに配線するこ
とを特徴とするレーザダイオード装置の製造方法にあ
る。
接合されたレーザダイオードは、前記サブマウントとの
接合面と逆方向の電極を直接に前記ステムに配線するこ
とを特徴とするレーザダイオード装置の製造方法にあ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】ＬＤの高出力化で問題となるの
は、光出力密度がある限界値に達すると、光共振器の端
面破壊を生ずることである。通常のＬＤでは、レーザ光
が端面と垂直なｐｎ接合に沿って外部に放出されるが、
注入キャリアの端面での表面再結合のために、端面付近
の反転分布が不十分でレーザ光を吸収するようになって
いる。
は、光出力密度がある限界値に達すると、光共振器の端
面破壊を生ずることである。通常のＬＤでは、レーザ光
が端面と垂直なｐｎ接合に沿って外部に放出されるが、
注入キャリアの端面での表面再結合のために、端面付近
の反転分布が不十分でレーザ光を吸収するようになって
いる。
【００２１】このため、レーザ光の光出力密度がある限
界値に達すると、吸収・発熱効果でレーザ光をとり出す
端面部の温度が結晶の融点に達し、熔融・破壊する。こ
の端面破壊を生ずる光出力密度は材料によって異なり、
特に、ＡｌＧａＡｓでは数ＭＷ／ｃｍ２と低く問題とな
る。このためＬＤ装置では放熱に関する対策を講じてい
るが、それらがコストアップにならないことが重要であ
る。
界値に達すると、吸収・発熱効果でレーザ光をとり出す
端面部の温度が結晶の融点に達し、熔融・破壊する。こ
の端面破壊を生ずる光出力密度は材料によって異なり、
特に、ＡｌＧａＡｓでは数ＭＷ／ｃｍ２と低く問題とな
る。このためＬＤ装置では放熱に関する対策を講じてい
るが、それらがコストアップにならないことが重要であ
る。
【００２２】すなわち、本発明は予めサブマウント、Ｌ
Ｄともに蒸着あるいは電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）により半田
材を形成して、ステムにサブマウント、ＬＤの順にマウ
ントするものである。
Ｄともに蒸着あるいは電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）により半田
材を形成して、ステムにサブマウント、ＬＤの順にマウ
ントするものである。
【００２３】さらに、蒸着法にて半田を供給しているた
め、半田材のはみ出しを極力押さえることが可能であ
り、従来のようにサブマウントに一部導通を取るための
配線領域を確保する等の特殊な加工を施さなくてもワイ
ヤー配線を行なうことが可能である。
め、半田材のはみ出しを極力押さえることが可能であ
り、従来のようにサブマウントに一部導通を取るための
配線領域を確保する等の特殊な加工を施さなくてもワイ
ヤー配線を行なうことが可能である。
【００２４】また、Ｓｉより熱伝導の良いＡｌＮ等を使
用してもコスト増にならず、放熱性が必要な赤色ＬＤに
適用すると特に有効である。
用してもコスト増にならず、放熱性が必要な赤色ＬＤに
適用すると特に有効である。
【００２５】以下本発明の実施の形態を図面を参照して
説明する。
説明する。
【００２６】図１は本発明のＬＤ装置の組立状況を示す
側面図で、図２は本発明のＬＤ装置の側面図で、図３は
本発明のＬＤ装置の組立順序を示すフロー図である。
側面図で、図２は本発明のＬＤ装置の側面図で、図３は
本発明のＬＤ装置の組立順序を示すフロー図である。
【００２７】すなわち、まず、サブマウント１はステム
２との熱膨張係数差を吸収する（あるいは極性を逆転さ
せる）機能が要求されるので、図示しないＡｌＮウエハ
の両面に電極を形成する（Ｓ１）。この電極が形成され
たＡｌＮウエハのステム２との接触面になる側にＡｕＧ
ｅ、ＡｕＳｎ等の半田材を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるい
は蒸着により数μｍの半田層３を形成する（Ｓ２）。
２との熱膨張係数差を吸収する（あるいは極性を逆転さ
せる）機能が要求されるので、図示しないＡｌＮウエハ
の両面に電極を形成する（Ｓ１）。この電極が形成され
たＡｌＮウエハのステム２との接触面になる側にＡｕＧ
ｅ、ＡｕＳｎ等の半田材を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるい
は蒸着により数μｍの半田層３を形成する（Ｓ２）。
【００２８】次に、この半田層３の形成されたＡｌＮウ
エハをブレードダイシングによりチップ状に切断しチッ
プを形成する（Ｓ３）。さらに、この形成されたチップ
を加熱してステム２の所定箇所に接合する（Ｓ４）。
エハをブレードダイシングによりチップ状に切断しチッ
プを形成する（Ｓ３）。さらに、この形成されたチップ
を加熱してステム２の所定箇所に接合する（Ｓ４）。
【００２９】一方、ＬＤ４にも同様に電極を形成する
（Ｓ５）。この電極形成後、端面へスパッタリングを施
しスパッタ膜を形成する（Ｓ６）。さらにＬＤ４の諸性
能に関する特性試験等行う（Ｓ７）。この特性試験の項
目は出力、順電流、順電圧、波長、ビーム広がり角等で
ある。
（Ｓ５）。この電極形成後、端面へスパッタリングを施
しスパッタ膜を形成する（Ｓ６）。さらにＬＤ４の諸性
能に関する特性試験等行う（Ｓ７）。この特性試験の項
目は出力、順電流、順電圧、波長、ビーム広がり角等で
ある。
【００３０】この特性試験で所定の特性が得られたＬＤ
４をステム２に接合されたサブマウント１のチップの上
に接合する（Ｓ８）。これらの接合により各部品が固定
された後に、所定箇所をワイヤボンダを用いてワイヤ５
の配線を行なう（Ｓ９）。
４をステム２に接合されたサブマウント１のチップの上
に接合する（Ｓ８）。これらの接合により各部品が固定
された後に、所定箇所をワイヤボンダを用いてワイヤ５
の配線を行なう（Ｓ９）。
【００３１】図４は、本発明の別の組立順序を示すフロ
ー図である。
ー図である。
【００３２】すなわち、まず、サブマウント１はステム
２との熱膨張係数差を吸収する（あるいは極性を逆転さ
せる）機能が要求されるので、ＡｌＮウエハの両面に電
極を形成する（Ｓ１１）。この電極が形成されたＡｌＮ
ウエハのステム２との接触面になる側にＡｕＧｅ、Ａｕ
Ｓｎ等の半田材を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるいは蒸着に
より数μｍの半田層３を形成する（Ｓ１２）。
２との熱膨張係数差を吸収する（あるいは極性を逆転さ
せる）機能が要求されるので、ＡｌＮウエハの両面に電
極を形成する（Ｓ１１）。この電極が形成されたＡｌＮ
ウエハのステム２との接触面になる側にＡｕＧｅ、Ａｕ
Ｓｎ等の半田材を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるいは蒸着に
より数μｍの半田層３を形成する（Ｓ１２）。
【００３３】次に、この半田層３の形成されたＡｌＮウ
エハをブレードダイシングによりチップ状に切断しチッ
プを形成する（Ｓ１３）。
エハをブレードダイシングによりチップ状に切断しチッ
プを形成する（Ｓ１３）。
【００３４】一方、ＬＤ４にも同様に電極を形成する
（Ｓ１５）。この電極形成後、端面へスパッタリングを
施しスパッタ膜を形成する（Ｓ１６）。さらにＬＤ４の
緒性能に関する特性試験等行う（Ｓ１７）。この特性試
験の項目は出力、順電流、順電圧、波長、ビーム広がり
角等である。
（Ｓ１５）。この電極形成後、端面へスパッタリングを
施しスパッタ膜を形成する（Ｓ１６）。さらにＬＤ４の
緒性能に関する特性試験等行う（Ｓ１７）。この特性試
験の項目は出力、順電流、順電圧、波長、ビーム広がり
角等である。
【００３５】この特性試験で所定の特性が得られたＬＤ
４をステム２に接合されたサブマウント１のチップの上
に接合する（Ｓ１８）。さらに、この接合されたチップ
を加熱してステム２の所定箇所に接合する（Ｓ１４）。
４をステム２に接合されたサブマウント１のチップの上
に接合する（Ｓ１８）。さらに、この接合されたチップ
を加熱してステム２の所定箇所に接合する（Ｓ１４）。
【００３６】これらの接合により各部品が固定された後
に、所定箇所をワイヤボンダを用いてワイヤ５の配線を
行なう（Ｓ１９）。
に、所定箇所をワイヤボンダを用いてワイヤ５の配線を
行なう（Ｓ１９）。
【００３７】上述の各実施の形態では、サブマウント１
の半田層３の形成を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるいは蒸着
により数μｍの半田層３を形成し、その後、蒸着原子の
表面拡散を促進させることでも改良することができる。
例えば、Ａｌの場合は３００℃以上でステップカバレー
ジを改良できる。
の半田層３の形成を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるいは蒸着
により数μｍの半田層３を形成し、その後、蒸着原子の
表面拡散を促進させることでも改良することができる。
例えば、Ａｌの場合は３００℃以上でステップカバレー
ジを改良できる。
【００３８】さらに、蒸着時にＡｒガスを導入して（４
〜６×１０−３Ｔｏｒｒ）、蒸着原子の平均自由工程を
小さくする方法もステップカバレージの改良に効果があ
る。
〜６×１０−３Ｔｏｒｒ）、蒸着原子の平均自由工程を
小さくする方法もステップカバレージの改良に効果があ
る。
【００３９】また、上述の各実施の形態では、サブマウ
ント１の半田層３の形成を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるい
は蒸着により数μｍの半田層３を形成しているので、い
ずれの場合でもサブマウント１の半田のはみ出しが、従
来のプリフオーム半田供給方式に比べ極力押さえられ
る。そのため、第４図に示すようにステム２に直接に配
線することが可能になる。
ント１の半田層３の形成を電子銃（Ｅ−ＧＵＮ）あるい
は蒸着により数μｍの半田層３を形成しているので、い
ずれの場合でもサブマウント１の半田のはみ出しが、従
来のプリフオーム半田供給方式に比べ極力押さえられ
る。そのため、第４図に示すようにステム２に直接に配
線することが可能になる。
【００４０】また、従来の技術ではＬＤ４、サブマウン
ト１、ステム２を各々マウント直前に半田をリボン／ワ
イヤ５等で供給するため、供給動作分だけ時間が必要で
あつたが、一方、上述の技術では半田は各々素子につけ
られた状態で供給されるため、マウント時間の短縮が図
れる。
ト１、ステム２を各々マウント直前に半田をリボン／ワ
イヤ５等で供給するため、供給動作分だけ時間が必要で
あつたが、一方、上述の技術では半田は各々素子につけ
られた状態で供給されるため、マウント時間の短縮が図
れる。
【００４１】また、リボン／ワイヤ５等の半田供給方式
と異なり、半田量を極力少なく出来るため素子が半田の
影響で動くこともなく、高精度で接合可能である。
と異なり、半田量を極力少なく出来るため素子が半田の
影響で動くこともなく、高精度で接合可能である。
【００４２】また、半田量を少なく出来ることにより、
ステム２との接合部での半田はみ出しが１００μｍ以下
に出来る。その結果、ステム２に直接に配線する配線方
法が可能になる。
ステム２との接合部での半田はみ出しが１００μｍ以下
に出来る。その結果、ステム２に直接に配線する配線方
法が可能になる。
【００４３】また、ＬＤ４等の放熱性を要求される光半
導体素子では、Ｓｉより放熱特性の良いＡＩＮ等の焼結
材料が用いられることが多いが、従来の技術ではＡ１Ｎ
等にスルーホール加工する必要があったが、上述の技術
ではワイヤ５をダイレクトにステム２に落とすことが可
能であるので、サブマウント１に特に加工を施す必要が
なく、非常に安価なコストでサブマウント１を作成でき
る。
導体素子では、Ｓｉより放熱特性の良いＡＩＮ等の焼結
材料が用いられることが多いが、従来の技術ではＡ１Ｎ
等にスルーホール加工する必要があったが、上述の技術
ではワイヤ５をダイレクトにステム２に落とすことが可
能であるので、サブマウント１に特に加工を施す必要が
なく、非常に安価なコストでサブマウント１を作成でき
る。
【００４４】さらに、最近は成長面を下にしたアップサ
イドマウント方式が赤色のＬＤ４では主流であり、客先
要求で外囲器グランドになる極性を逆にする必要がある
場合にも適応することができる。
イドマウント方式が赤色のＬＤ４では主流であり、客先
要求で外囲器グランドになる極性を逆にする必要がある
場合にも適応することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、熱
対策が十分に配慮され、かつ、組立性がよくコストダウ
ンしたＬＤ装置とその製造方法が得られる。
対策が十分に配慮され、かつ、組立性がよくコストダウ
ンしたＬＤ装置とその製造方法が得られる。
【図１】本発明の実施の形態を示すＬＤ装置の組立状況
を示す側面図。
を示す側面図。
【図２】本発明の実施の形態を示すＬＤ装置の側面図。
【図３】本発明のＬＤ装置の組立順序を示すフロー図。
【図４】本発明の別の実施の形態を示す組立順序を示す
フロー図。
フロー図。
【図５】従来のＬＤ装置の接合状況を示す側面図。
【図６】従来のＬＤ装置の組立構造を示す側面図。
１、１１…サブマウント、２、１２…ステム、３…半田
層、４、１４…ＬＤ、５、１５…ワイヤ、１３…半田
材、１６…スルホール、１７ａ、１７ｂ…電極
層、４、１４…ＬＤ、５、１５…ワイヤ、１３…半田
材、１６…スルホール、１７ａ、１７ｂ…電極
Claims (7)
- 【請求項１】 レーザダイオードがサブマウントに半田
接合され、このサブマウントがステムに半田接合された
レーザダイオード装置において、 前記レーザダイオードとサブマウントは、半田接合以前
に予めそれぞれ半田層が形成されていることを特徴とす
るレーザダイオード装置。 - 【請求項２】 前記サブマウントに半田接合以前に予め
形成された半田層は、電子銃か蒸着によって形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード
装置。 - 【請求項３】 前記サブマウントに半田接合以前に予め
形成された半田層は、膜厚が数μｍであることを特徴と
する請求項１記載のレーザダイオード装置。 - 【請求項４】 レーザダイオードをサブマウントに半田
接合し、このサブマウントにステムを半田接合するレー
ザダイオード装置の製造方法において、 前記レーザダイオードとサブマウントは、半田接合以前
に予めそれぞれ半田層が形成されているものを用いて半
田接合することを特徴とするレーザダイオード装置の製
造方法。 - 【請求項５】 前記サブマウントは、ウエハの両面に電
極を形成後に前記ステムとの接合面に半田層を形成する
ことを特徴とする請求項４記載のレーザダイオード装置
の製造方法。 - 【請求項６】 前記サブマウントに半田接合以前に予め
形成された半田層は、電子銃か蒸着によって形成するこ
とを特徴とする請求項４記載のレーザダイオード装置の
製造方法。 - 【請求項７】 前記ステムに半田接合されたレーザダイ
オードは、前記サブマウントとの接合面と逆方向の電極
を直接に前記ステムに配線することを特徴とする請求項
４記載のレーザダイオード装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061701A JP2000261085A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | レーザダイオード装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
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