JP2000260727A - Wafer holder - Google Patents
Wafer holderInfo
- Publication number
- JP2000260727A JP2000260727A JP11058997A JP5899799A JP2000260727A JP 2000260727 A JP2000260727 A JP 2000260727A JP 11058997 A JP11058997 A JP 11058997A JP 5899799 A JP5899799 A JP 5899799A JP 2000260727 A JP2000260727 A JP 2000260727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- platen
- conductive
- rubber
- conductive tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置、
イオンビームエッチング装置などのように、ウェーハに
イオンを照射してその物性を制御する装置に使用される
ものであって、処理対象のウェーハを保持するウェーハ
保持装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ion implantation apparatus,
The present invention relates to a wafer holding device that holds a wafer to be processed, such as an ion beam etching device, which is used in a device that irradiates a wafer with ions to control physical properties thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５および図６は、イオン注入装置に使
用されるウェーハ保持装置の従来例を示す。このウェー
ハ保持装置は、図示しない真空容器内に設けられてい
て、処理対象であるウェーハａを支持するプラテン（支
持台）１と、このプラテン１のウェーハ支持領域の表面
に設けたプラテンラバー２と、ウェーハａの周縁部をプ
ラテン１に向けて押さえ付ける環状のクランパ３とを備
えている。2. Description of the Related Art FIGS. 5 and 6 show a conventional example of a wafer holding apparatus used in an ion implantation apparatus. The wafer holding device is provided in a vacuum vessel (not shown), and supports a platen (support table) 1 for supporting a wafer a to be processed, and a platen rubber 2 provided on a surface of a wafer support area of the platen 1. And an annular clamper 3 for pressing the peripheral portion of the wafer a toward the platen 1.
【０００３】プラテン１とクランパ３とは、例えばアル
ミニウムからなる。プラテンラバー２は、ウェーハａを
プラテン１に支持する際にウェーハａとプラテン１との
密着性を高めるためのものであり、例えばシリコーンゴ
ムなどの絶縁性の弾性体からなる。プラテン１内には、
図示しない冷媒通路が形成され、そこにウェーハａを冷
却するための冷却水などの冷媒が流される。The platen 1 and the clamper 3 are made of, for example, aluminum. The platen rubber 2 is used to increase the adhesion between the wafer a and the platen 1 when supporting the wafer a on the platen 1, and is made of, for example, an insulating elastic material such as silicone rubber. In the platen 1,
A coolant passage (not shown) is formed, through which a coolant such as cooling water for cooling the wafer a flows.
【０００４】このウェーハ保持装置は、ウェーハａをプ
ラテン１上に搬送アームによって搬出入するタイプの装
置に使用されるものであり、その搬出入のために３本の
ウェーハ受け棒４が、プラテン１の厚さ方向に貫通する
とともに、上下動できるようになっている。各ウエーハ
受け棒４の上部には、ウェーハａを受けるためのウェー
ハ受け部５が形成されている。クランパ３は２本のクラ
ンパ軸６の上部に取付けられ、各クランパ軸６はプラテ
ン１の厚さ方向に貫通するとともに、上下動できるよう
になっている。This wafer holding apparatus is used for an apparatus of a type in which a wafer a is carried in and out of a platen 1 by a transfer arm, and three wafer receiving rods 4 are used for carrying in and out the wafer a. And it can move up and down. Above each wafer receiving rod 4, a wafer receiving portion 5 for receiving a wafer a is formed. The clamper 3 is attached to the upper part of two clamper shafts 6, and each clamper shaft 6 penetrates in the thickness direction of the platen 1 and can move up and down.
【０００５】このような構成の従来のウェーハ保持装置
では、ウェーハａにイオンを照射する場合には、クラン
パ３は図５の実線の位置にあり、２本のクランパ軸６は
適宜な手段により下方に引っ張られた状態となるので、
クランパ３は、ウェーハａの周縁部をプラテン１に向け
て押さえ付けた状態となる。一方、ウェーハａをプラテ
ン１上に搬送アームによって搬出入する場合には、２本
のクランパ軸５と３本のウェーハ受け棒４とが図５の２
点鎖線の位置までそれぞれ上昇するので、ウェーハａ
は、２点鎖線で示すようにプラテンラバー２から離れて
その裏面が各ウェーハ受け棒４の各ウェーハ受け部５で
支持された状態となる。In the conventional wafer holding apparatus having such a configuration, when irradiating the wafer a with ions, the clamper 3 is at the position indicated by the solid line in FIG. 5 and the two clamper shafts 6 are moved downward by appropriate means. Because it will be pulled by
The clamper 3 is in a state where the periphery of the wafer a is pressed toward the platen 1. On the other hand, when the wafer a is carried in and out of the platen 1 by the transfer arm, the two clamper shafts 5 and the three wafer receiving rods 4 are connected to each other in FIG.
Since each of them rises to the position indicated by the chain line, the wafer a
As shown by a two-dot chain line, the wafer is separated from the platen rubber 2 and its back surface is supported by each wafer receiving portion 5 of each wafer receiving rod 4.
【０００６】ところで、イオン注入装置では、イオン源
で発生する不純物イオンを加速してウェーハａの表面に
衝突させることにより、イオンを上述のウェーハａの中
に打ち込ませる。このウェーハａへのイオンの打ち込み
により、ウェーハａの表面に発生するイオンの正電荷を
中和するようにプラテン１に電流を流す必要がある上
に、同時にイオンの注入量をカウントしている。Meanwhile, in the ion implantation apparatus, the ions are implanted into the wafer a by accelerating the impurity ions generated in the ion source and causing them to collide with the surface of the wafer a. Due to the ion implantation into the wafer a, it is necessary to supply a current to the platen 1 so as to neutralize the positive charge of the ions generated on the surface of the wafer a, and simultaneously, the amount of ion implantation is counted.
【０００７】このため、ウェーハａとプラテン１との間
に電荷の通路を形成する必要があり、従来は、クランプ
３とクランプ棒６とをアルミニウムのような導電性材料
で構成するとともに、図５の実線で示すように、ウェー
ハａのプラテン１への支持時には、クランプ棒６が適宜
手段によりプラテン１と電気的に接続されるようになっ
ていた。For this reason, it is necessary to form a charge passage between the wafer a and the platen 1. Conventionally, the clamp 3 and the clamp rod 6 are made of a conductive material such as aluminum, As shown by the solid line, when the wafer a is supported on the platen 1, the clamp bar 6 is electrically connected to the platen 1 by appropriate means.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、ウェーハａとプラテン１との電気的な接続が
不十分な場合があり、この場合には、ウェーハａ上に局
部的に溜まる正電気をプラテン１に十分に逃がすことが
できない。このため、ウェーハａ上の正電気とプラテン
１中に生起する負電荷により、ウェーハａとプラテン１
とが静電的に強固に結合されるので、イオンが注入済み
のウェーハａをプラテン１から離して搬出することがで
きないという不都合が発生していた。However, in the conventional method, the electrical connection between the wafer a and the platen 1 may be insufficient. In this case, the positive electric charges locally accumulated on the wafer a Cannot be sufficiently released to the platen 1. For this reason, the positive electricity on the wafer a and the negative charge generated in the platen 1 cause the wafer a and the platen 1
Is strongly coupled electrostatically, so that there is a disadvantage that the wafer a into which the ions have been implanted cannot be carried away from the platen 1.
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑
み、ウェーハとプラテンとの間に発生する静電的に強固
な結合を防止し、ウェーハをプラテンから離して円滑に
搬出ができるようにしたウェーハ支持装置を提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to prevent an electrostatically strong bond generated between a wafer and a platen so that the wafer can be smoothly removed from the platen. It is an object of the present invention to provide a wafer support device which has been developed.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、本発
明の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、
ウェーハを支持するプラテンと、このプラテンのウェー
ハ支持領域の表面に設けたプラテンラバーと、ウェーハ
の周縁部を前記プラテンに向けて押さえ付ける環状のク
ランパとを備えたウェーハ保持装置において、前記ウェ
ーハの裏面と前記プラテンとの間を、帯状の薄い導電性
材で電気的に接続するようにしたことを特徴とするもの
である。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems and achieve the object of the present invention, the invention according to claim 1 is
In a wafer holding device including a platen for supporting a wafer, a platen rubber provided on a surface of a wafer supporting region of the platen, and an annular clamper for pressing a peripheral portion of the wafer toward the platen, a back surface of the wafer And the platen is electrically connected by a strip-shaped thin conductive material.
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のウェーハ支持装置において、前記帯状の薄い導電性材
は導電性テープとし、この導電性テープを、前記プラテ
ンラバーの表面の所要箇所、および前記プラテンの表面
に少なくとも貼り付けたことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、ウェーハを支持するプラテン
と、このプラテンのウェーハ支持領域の表面に設けたプ
ラテンラバーと、ウェーハの周縁部を前記プラテンに向
けて押さえ付ける環状のクランパとを備えたウェーハ保
持装置において、前記プラテンラバーの表面の所要箇
所、その側面、およびその裏面に、導電性の放電経路用
膜を形成するようにしたことを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the wafer supporting apparatus according to the first aspect, the strip-shaped thin conductive material is a conductive tape, and the conductive tape is provided at a required portion on the surface of the platen rubber. , And at least affixed to the surface of the platen.
The invention according to claim 3 includes a platen for supporting a wafer, a platen rubber provided on a surface of a wafer support area of the platen, and an annular clamper for pressing a peripheral portion of the wafer toward the platen. In the wafer holding device, a conductive discharge path film is formed on a required portion of a surface of the platen rubber, a side surface thereof, and a back surface thereof.
【００１２】このように構成からなる本発明では、ウェ
ーハの表面に生ずる電荷をプラテンに確実に逃がすこと
ができるので、ウェーハとプラテンとの間に発生する静
電的に強固な結合を防止でき、もって、ウェーハをプラ
テンから容易に離してそのウェーハの搬出が円滑にでき
る。According to the present invention having the above-described structure, the electric charge generated on the surface of the wafer can be reliably released to the platen. Therefore, it is possible to prevent the strong electrostatic coupling between the wafer and the platen. Therefore, the wafer can be easily separated from the platen, and the wafer can be smoothly carried out.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明のウェーハ支持装置
の第１実施形態の構成を示す中央の縦断面図である。図
２は、同第１実施形態の概略平面図であり、ウェーハは
省略されている。図３は、同第１実施形態の要部の断面
図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a central longitudinal sectional view showing the configuration of the first embodiment of the wafer support device of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view of the first embodiment, in which a wafer is omitted. FIG. 3 is a sectional view of a main part of the first embodiment.
【００１４】この第１実施形態は、図１および図２に示
すように、ウェーハａにイオンの打ち込み中に、その表
面に溜まる正電荷を確実にプラテン１に逃がす経路とし
て、ウェーハａの裏面とプラテン１との間を帯状の薄い
導電性材である導電性テープ１１、１１によって電気的
に接続するようにしたものである。導電性テープ１１
は、例えばアルミニウムからなるシールテープなどが好
適である。In the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, a positive charge accumulated on the front surface of the wafer a is reliably released to the platen 1 during ion implantation into the wafer a, and a path between the back surface of the wafer a The platen 1 is electrically connected to the platen 1 by conductive tapes 11, 11 which are strip-shaped thin conductive materials. Conductive tape 11
Is preferably a seal tape made of, for example, aluminum.
【００１５】導電性テープ１１、１１は、図示のよう
に、クランパ軸６、６の近傍であって、対向する位置に
設けられている。すなわち、各導電性テープ１１は、プ
ラテンラバー２の表面、プラテンラバー２の側面、およ
びプラテン１の表面に一体に貼り付けられている。そし
て、導電性テープ１１のプラテンラバー２の表面の先端
側は、図示のように、ウェーハａがプラテンラバー２を
介してプラテン１に支持された際に、ウェーハａの周縁
部の裏面と接触状態になるように、プラテンラバー２の
中心に向かって延びている。As shown, the conductive tapes 11, 11 are provided near the clamper shafts 6, 6 at opposing positions. That is, each conductive tape 11 is integrally attached to the surface of the platen rubber 2, the side surface of the platen rubber 2, and the surface of the platen 1. When the wafer a is supported by the platen 1 via the platen rubber 2 as shown in the figure, the front end side of the surface of the platen rubber 2 of the conductive tape 11 is in contact with the back surface of the peripheral portion of the wafer a. So as to extend toward the center of the platen rubber 2.
【００１６】ここで、この導電性テープ１１を設ける位
置は、ウェーハａとプラテン１との静電的な結合度が大
きな所要箇所に設けるのが好ましく、この例では２ヶ所
としたが、少なくとも１ヶ所以上であれば良い。なお、
この第１実施形態の他の部分の構成は、図５および図６
の従来装置と同様であるので、同一の構成要素には同一
符号を付してその説明は省略する。Here, the conductive tape 11 is preferably provided at a required position where the degree of electrostatic coupling between the wafer a and the platen 1 is large. In this example, the conductive tape 11 is provided at two positions. It is good if it is more than three places. In addition,
The configuration of other parts of the first embodiment is shown in FIGS.
Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【００１７】このような構成からなる第１実施形態で
は、ウェーハａの裏面とプラテン１の表面とが、導電性
シール１１、１１を介して電気的に確実に接続され、こ
れによりウェーハａの表面の電荷をプラテン１に逃がす
経路が形成される。このため、ウェーハａ上に溜まる正
電気をプラテン１に十分かつ確実に逃がすことができ、
ウェーハａとプラテン１との静電的な結合力が極めて小
さくなってウェーハａをプラテン１から容易に離すこと
ができるので、イオンが注入済みのウェーハａの搬出を
円滑に行える。In the first embodiment having such a configuration, the back surface of the wafer a and the front surface of the platen 1 are electrically connected to each other via the conductive seals 11 and 11 reliably. A path is formed to allow the electric charges of the platen to escape to the platen 1. Therefore, positive electricity accumulated on the wafer a can be sufficiently and reliably released to the platen 1,
Since the electrostatic coupling force between the wafer a and the platen 1 becomes extremely small and the wafer a can be easily separated from the platen 1, the wafer a into which ions have been implanted can be carried out smoothly.
【００１８】また、この第１実施形態は、ウェーハａの
裏面とプラテン１の表面とを導電性シール１１、１１を
使用して電気的に接続するようにしたので、その構成が
簡単であるとともに、既存のウェーハ支持装置にも容易
に適用できる。次に、本発明の第２実施形態について、
図４を参照して説明する。この第２実施形態は、図１の
導電性シール１１に代えて、図４に示すように、プラテ
ンラバー２の対向する位置の表面、側面、裏面に、それ
ぞれ導電性の放電経路用膜１２、１２を形成するように
したものである。そして、各放電経路用膜１２のうち、
プラテンラバー２の表面側は、図示のように、ウェーハ
ａがプラテンラバー２を介してプラテン１に支持された
際に、ウェーハａの裏面の周縁部と接触状態になるよう
に、プラテンラバー２の中心に向かって延びている。In the first embodiment, the back surface of the wafer a and the front surface of the platen 1 are electrically connected to each other by using the conductive seals 11, 11, so that the structure is simple and It can be easily applied to existing wafer supporting devices. Next, regarding a second embodiment of the present invention,
This will be described with reference to FIG. In the second embodiment, instead of the conductive seal 11 shown in FIG. 1, as shown in FIG. 4, a conductive discharge path film 12 is provided on the surface, side surface, and back surface of the opposing position of the platen rubber 2, respectively. 12 are formed. Then, among the discharge path films 12,
As shown in the figure, the front side of the platen rubber 2 has a platen rubber 2 so that when the wafer a is supported by the platen 1 via the platen rubber 2, the front side of the platen rubber 2 comes into contact with the peripheral edge of the back surface of the wafer a. Extending towards the center.
【００１９】ここで、放電経路用膜１２は、図４では２
ヶ所としたが、少なくとも１ヶ所以上であれば良い。ま
た、放電経路用膜１２は、プラテンラバー２の表面側の
周縁全体、その側面全体、およびその裏面側の周縁全体
に形成しても良い。なお、この第２実施形態の他の部分
の構成は、上記の第１実施形態の構成と同一であるの
で、その説明は省略する。Here, the discharge path film 12 has a thickness of 2 in FIG.
Although the number is set to be at least one, it is sufficient that the number is at least one. In addition, the discharge path film 12 may be formed on the entire peripheral edge of the platen rubber 2 on the front side, the entire side surface, and the entire peripheral edge on the back side. Note that the configuration of the other parts of the second embodiment is the same as the configuration of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【００２０】このような構成からなる第２実施形態で
は、放電経路用膜１２が第１実施形態の導電性シール１
１と同様の機能を果たすので、第１実施形態と同様な効
果が得られる。In the second embodiment having such a configuration, the discharge path film 12 is formed of the conductive seal 1 of the first embodiment.
Since the same function as that of the first embodiment is performed, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、ウェー
ハの表面に生ずる電荷をプラテンに確実に逃がすことが
できるので、ウェーハとプラテンとの間に発生する静電
的に強固な結合を防止でき、もって、ウェーハをプラテ
ンから容易に離してそのウェーハの搬出が円滑にでき
る。As described above, according to the present invention, since the charge generated on the surface of the wafer can be reliably released to the platen, the strong electrostatic coupling between the wafer and the platen can be prevented. As a result, the wafer can be easily separated from the platen and the wafer can be smoothly carried out.
【図１】本発明の第１実施形態の構成を示す中央の縦断
面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view at the center showing the configuration of a first embodiment of the present invention.
【図２】同第１実施形態の概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the first embodiment.
【図３】同第１実施形態の要部の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a main part of the first embodiment.
【図４】本発明の第２実施形態の構成を示す要部の断面
図である。FIG. 4 is a sectional view of a main part showing a configuration of a second embodiment of the present invention.
【図５】従来装置の構成を示す中央の縦断面図である。FIG. 5 is a central longitudinal sectional view showing the configuration of a conventional device.
【図６】同従来装置の概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of the conventional device.
ａ ウェーハ １ プラテン ２ プラテンラバー ３ クランパ １１ 導電性シール １２ 放電経路用膜 a Wafer 1 Platen 2 Platen rubber 3 Clamp 11 Conductive seal 12 Discharge path film
Claims (3)
ラテンのウェーハ支持領域の表面に設けたプラテンラバ
ーと、ウェーハの周縁部を前記プラテンに向けて押さえ
付ける環状のクランパとを備えたウェーハ保持装置にお
いて、 前記ウェーハの裏面と前記プラテンとの間を、帯状の薄
い導電性材で電気的に接続するようにしたことを特徴と
するウェーハ保持装置。1. A wafer holding apparatus comprising: a platen for supporting a wafer; a platen rubber provided on a surface of a wafer support area of the platen; and an annular clamper for pressing a peripheral portion of the wafer toward the platen. A wafer holding device, wherein a back surface of the wafer and the platen are electrically connected by a strip-shaped thin conductive material.
とし、この導電性テープを、前記プラテンラバーの表面
の所要箇所、および前記プラテンの表面に少なくとも貼
り付けたことを特徴とする請求項１に記載のウェーハ保
持装置。2. The method according to claim 1, wherein the strip-shaped thin conductive material is a conductive tape, and the conductive tape is affixed at least to a required portion of the surface of the platen rubber and to a surface of the platen. 2. The wafer holding device according to 1.
ラテンのウェーハ支持領域の表面に設けたプラテンラバ
ーと、ウェーハの周縁部を前記プラテンに向けて押さえ
付ける環状のクランパとを備えたウェーハ保持装置にお
いて、 前記プラテンラバーの表面の所要箇所、その側面、およ
びその裏面に、導電性の放電経路用膜を形成するように
したことを特徴とするウェーハ保持装置。3. A wafer holding apparatus comprising: a platen for supporting a wafer; a platen rubber provided on a surface of a wafer support area of the platen; and an annular clamper for pressing a peripheral portion of the wafer toward the platen. A wafer holding device, wherein a conductive discharge path film is formed on a required portion of a front surface of the platen rubber, a side surface thereof, and a back surface thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058997A JP2000260727A (en) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | Wafer holder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058997A JP2000260727A (en) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | Wafer holder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260727A true JP2000260727A (en) | 2000-09-22 |
Family
ID=13100508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058997A Withdrawn JP2000260727A (en) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | Wafer holder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260727A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051487A (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Tokuyama Corp | Ion milling device |
| EP1876641A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | Alcatel Lucent | Plasma reactor with mechanical substrate holder |
| CN103165503A (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 上海微电子装备有限公司 | Warping sheet tool and warping sheet tool using method and warping sheet connection device of warping sheet tool |
| JP2013171637A (en) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | Ion implantation device |
| CN110277328A (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | The method, apparatus and semiconductor processing equipment of chip desorption |
| WO2019185012A1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | Substrate edge protection device, lithography apparatus and substrate edge protection method |
| KR20230046804A (en) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 주식회사 나이스플라즈마 | Clamp chunk having clmap ring |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP11058997A patent/JP2000260727A/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051487A (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Tokuyama Corp | Ion milling device |
| EP1876641A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | Alcatel Lucent | Plasma reactor with mechanical substrate holder |
| FR2903525A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-11 | Alcatel Sa | MECHANICAL SUBSTRATE HOLDER |
| CN103165503A (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 上海微电子装备有限公司 | Warping sheet tool and warping sheet tool using method and warping sheet connection device of warping sheet tool |
| JP2013171637A (en) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Ulvac Japan Ltd | Ion implantation device |
| CN110277328A (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | The method, apparatus and semiconductor processing equipment of chip desorption |
| WO2019185012A1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | Substrate edge protection device, lithography apparatus and substrate edge protection method |
| KR20230046804A (en) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 주식회사 나이스플라즈마 | Clamp chunk having clmap ring |
| KR102637744B1 (en) | 2021-09-30 | 2024-02-19 | 주식회사 나이스플라즈마 | Clamp chunk having clmap ring |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3993509A (en) | Semiconductor device manufacture | |
| US4665463A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2867526B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JP2001298072A (en) | Electrostatic chucking device and vacuum processing device using the same | |
| TW201017809A (en) | Electrostatic chuck and vacuum processing apparatus | |
| JP2000260727A (en) | Wafer holder | |
| JP3191139B2 (en) | Sample holding device | |
| CN114762097A (en) | Adsorption gripping device and object surface processing method | |
| TWI304643B (en) | Bonding apparatus, bonding method, and method for manufacturing semiconductor device | |
| EP0138254B1 (en) | Electrostatic chuck and loading method | |
| JP3464177B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and static electricity removing method | |
| KR20180083259A (en) | Substrate holder, vertical type apparatus for transferring substrate and apparatus for processing substrate | |
| TWI257913B (en) | Vacuum chuck | |
| JPH07176603A (en) | Board holder | |
| JPH07180053A (en) | Wafer holder | |
| JP2000113850A (en) | Substrate holding device | |
| CN109068467A (en) | A kind of Destaticizing device and neutralizing method | |
| JPH04264751A (en) | Chip holding jig | |
| KR0179156B1 (en) | Wafer fixing apparatus | |
| JP4005412B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2007005421A (en) | Wafer carrier | |
| JPH1131737A (en) | Method for controlling voltage of electrostatic attraction stage | |
| JPH01142636A (en) | Exposing method and photomask blank used in this exposing method and holder for photomask blank | |
| JPH1140653A (en) | Manufacture of semiconductor device and semiconductor substrate suction holding device | |
| JP2001140072A (en) | Substrate holding device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |