JP2000252581A - Distortion compensator - Google Patents

Distortion compensator

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JP2000252581A
JP2000252581A JP5094099A JP5094099A JP2000252581A JP 2000252581 A JP2000252581 A JP 2000252581A JP 5094099 A JP5094099 A JP 5094099A JP 5094099 A JP5094099 A JP 5094099A JP 2000252581 A JP2000252581 A JP 2000252581A
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Japan
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distortion
circuit
diode
signal
linear
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JP5094099A
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Japanese (ja)
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Koichi Masuda
浩一 増田
Satoshi Furusawa
佐登志 古澤
Kazuki Maeda
和貴 前田
Hiroshi Kitahara
浩 北原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To sufficiently offset a distortion caused in a non-linear device in all bands by a method to generate a distortion of a frequency characteristic coincident with the frequency characteristic of the distortion caused in the non-linear device. SOLUTION: In a distortion compensator, a resistor 21 is connected between an input end 100 and an output end 200, and a distortion generation circuit 20 parallel-connecting a diode 11 to a capacitor 12 is parallel-connected to the resistor 21 via DC cut-off capacitors 50a, 50b, and a bias voltage is applied on the diode 11 by a bias circuit 40. A signal supplied to the input end 100 is distributed to the resistor 21 and the distortion generation circuit 20, and a non-linear distortion is caused by the diode 11. A signal containing this distortion is combined with a signal passed through the resistor 21 to output. A capacity value of the capacitor 12 is set so that a frequency characteristic of a distortion contained in this output signal is coincident with the frequency characteristic of the distortion to be offset, and a distortion level (an absolute value of a distortion amount) of the output signal is adjusted by a bias voltage Vb.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザなど
の非線形デバイスの出力信号に生じる歪成分を相殺して
除去するために用いる歪補償装置に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a distortion compensator used to cancel and remove a distortion component generated in an output signal of a nonlinear device such as a semiconductor laser.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば、光通信を行う場合には、入力さ
れる電気信号の強度に応じて光の強度を変調することに
より得られる変調光信号を伝送し、受信側においてこれ
を復調して元の信号を得る方式が用いられている。この
ような方式に基づく光伝送装置においては、電気信号を
光信号に変換する半導体レーザの特性の非直線性によっ
て歪が発生し、この歪は、アナログ信号を光伝送する場
合には、伝送特性を劣化させる原因となる。特に、光通
信が利用されているケーブルテレビ等のシステムにおい
ては、複数の映像信号を周波数軸上で多重し一括して伝
送する方式が一般的に用いられており、このような場合
には、色々な周波数の組み合わせで生じる各々の歪が同
一の周波数帯に生じる。この歪は、総称して複合相互変
調歪と呼ばれている。2. Description of the Related Art For example, when performing optical communication, a modulated optical signal obtained by modulating the intensity of light in accordance with the intensity of an input electric signal is transmitted and demodulated on the receiving side. A method of obtaining an original signal is used. In an optical transmission device based on such a method, distortion occurs due to the non-linearity of the characteristic of a semiconductor laser that converts an electric signal into an optical signal. Causes deterioration. Particularly, in a system such as a cable television in which optical communication is used, a method of multiplexing a plurality of video signals on the frequency axis and transmitting them collectively is generally used. In such a case, Each distortion caused by various combinations of frequencies occurs in the same frequency band. This distortion is generally called composite intermodulation distortion.

【０００３】半導体レーザから生じる複合２次歪（２つ
の信号の周波数の和もしくは差の周波数帯に生じる歪を
総称して「複合２次歪」という。以下、これを単に
「歪」と記す。）の歪量は、低域および高域で大きく中
域で小さくかつ半導体レーザ固有の現象により高域に生
じる歪の方が低域に生じる歪よりも大きくなる特性を示
す（以下、周波数対歪量特性、すなわち周波数に対する
歪量の分布特性を「歪の周波数特性」という）。一方、
従来の歪補償回路に用いられているダイオードやＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）などの電気素子から生じる歪
の周波数特性は、周波数の和または差が同一周波数とな
る２つの信号の組み合わせ数（これは「コンポジット
数」と呼ばれる）の周波数特性にほぼ一致し、その歪量
は低域および高域で大きくかつ低域に生じる歪量が高域
に生じる歪量よりも大きくなる。これは、半導体レーザ
から生じる歪の周波数特性とは異なっている。そのた
め、歪補償回路から生じる歪量を高域で調整すると、図
１０（ａ）に示すように低域では半導体レーザから生じ
る歪量よりも歪補償回路から生じる歪量の方が大きくな
り、その結果、十分な改善効果が得られない。逆に歪補
償回路から生じる歪量を低域で調整をした場合には、図
１０（ｂ）に示すように高域では半導体レーザから生じ
る歪量よりも歪補償回路から生じる歪量の方が小さくな
り、その結果、十分な改善効果が得られない。なお、図
１０において、実線は半導体レーザにより生じる歪を示
し、破線は歪補償回路により生じる歪を示している。[0003] Complex secondary distortion generated by a semiconductor laser (distortion occurring in the frequency band of the sum or difference of the frequencies of two signals is collectively referred to as "composite secondary distortion". Hereinafter, this is simply referred to as "distortion." The amount of distortion is large in the low band and high band, small in the middle band, and shows a characteristic that the distortion generated in the high band due to the phenomenon inherent to the semiconductor laser is larger than the distortion generated in the low band (hereinafter, frequency versus distortion). The quantity characteristic, that is, the distribution characteristic of the amount of distortion with respect to frequency is referred to as “distortion frequency characteristic”. on the other hand,
Diodes and FETs used in conventional distortion compensation circuits
The frequency characteristic of the distortion generated from an electric element such as a (field effect transistor) almost coincides with the frequency characteristic of the number of combinations of two signals in which the sum or difference of the frequencies is the same frequency (this is called the “composite number”). The distortion amount is large in the low band and the high band, and the distortion amount generated in the low band is larger than the distortion amount generated in the high band. This is different from the frequency characteristic of the distortion generated from the semiconductor laser. Therefore, when the amount of distortion generated from the distortion compensation circuit is adjusted in a high frequency range, the amount of distortion generated from the distortion compensation circuit becomes larger than the amount of distortion generated from the semiconductor laser in the low frequency range, as shown in FIG. As a result, a sufficient improvement effect cannot be obtained. Conversely, when the amount of distortion generated by the distortion compensation circuit is adjusted in a low range, the amount of distortion generated by the distortion compensation circuit is higher than the amount of distortion generated by the semiconductor laser in the high range as shown in FIG. As a result, a sufficient improvement effect cannot be obtained. In FIG. 10, a solid line indicates distortion generated by the semiconductor laser, and a broken line indicates distortion generated by the distortion compensation circuit.

【０００４】従来の歪補償回路では、上述の問題を解決
するための方法が幾つか試みられている。In the conventional distortion compensating circuit, several methods for solving the above-mentioned problem have been tried.

【０００５】第１の方法は、半導体レーザで生じる歪と
歪補償回路から生じる歪につき、それらの歪量を高域も
しくは低域のどちらかにおいて最適に調整するのではな
く、バランスを取った調整を行うという方法である。こ
の方法によれば、図１０（ｃ）に示すように、半導体レ
ーザから生じる歪量と歪補償回路から生じる歪量とのず
れが両帯域において同程度になるように調整を行うこと
によって両帯域において歪を改善することが可能とな
る。The first method is to adjust the amount of the distortion caused by the semiconductor laser and the distortion caused by the distortion compensation circuit in a balanced manner, instead of adjusting the amount of the distortion optimally in either the high band or the low band. It is a method of doing. According to this method, as shown in FIG. 10 (c), adjustment is performed so that the difference between the amount of distortion generated by the semiconductor laser and the amount of distortion generated by the distortion compensating circuit is substantially equal in both bands. It is possible to improve the distortion.

【０００６】第２の方法は、歪補償回路から生じる歪の
周波数特性を補正する補正回路を導入するという方法で
ある。この補正回路は歪補償回路から生じる低域の歪を
抑圧する特性を有し、これにより、歪補償回路から生じ
る歪の周波数特性を半導体レーザから生じる歪の周波数
特性と一致させることが可能となる。A second method is to introduce a correction circuit for correcting the frequency characteristic of the distortion generated from the distortion compensation circuit. This correction circuit has a characteristic of suppressing low-frequency distortion generated by the distortion compensation circuit, thereby making it possible to match the frequency characteristic of the distortion generated by the distortion compensation circuit with the frequency characteristic of the distortion generated by the semiconductor laser. .

【０００７】第３の方法は、特開平７−１９３４５３号
公報に開示されている歪補償回路において用いられてい
る方法である。この方法は、図９に示すようにショット
キ型ダイオードとｐｉｎ型ダイオードを併用する回路構
成とすることで、歪補償回路から生じる歪の周波数特性
を半導体レーザから生じる歪の周波数特性に一致させる
という方法である。上記公報の記述によれば、ショット
キ型ダイオードを用いた歪補償回路から生じる歪量は全
帯域に渡ってほぼ同等であり、ｐｉｎ型ダイオードを用
いた歪補償回路からは生じる歪量は周波数の高い領域で
非常に大きくなる。性質の異なるこれら２つのダイオー
ドを用いることで、歪補償回路から生じる歪の周波数特
性を半導体レーザから生じる歪の周波数特性に一致させ
ることが可能となる。A third method is a method used in a distortion compensation circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-193453. In this method, as shown in FIG. 9, by using a circuit configuration using both a Schottky diode and a pin diode, the frequency characteristic of the distortion generated by the distortion compensation circuit matches the frequency characteristic of the distortion generated by the semiconductor laser. It is. According to the description in the above publication, the amount of distortion generated from the distortion compensation circuit using the Schottky diode is substantially equal over the entire band, and the amount of distortion generated from the distortion compensation circuit using the pin diode is high in frequency. Very large in the area. By using these two diodes having different properties, it becomes possible to make the frequency characteristic of the distortion generated by the distortion compensation circuit coincide with the frequency characteristic of the distortion generated by the semiconductor laser.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記第１ない
し第３の方法は、それぞれ以下のような問題を抱えてい
る。However, each of the first to third methods has the following problems.

【０００９】第１の方法では、半導体レーザで生じる歪
量と歪補償回路から生じる歪量が高域もしくは低域のど
ちらかにおいて最適に調整されるのではなくバランスを
取った調整が行われるが、両帯域とも歪量にずれが生じ
ているため充分な改善効果が得られない場合や、高域と
低域に生じる歪量が大きな差を持つような半導体レーザ
において逆に歪が劣化する場合が生じる。In the first method, the amount of distortion generated by the semiconductor laser and the amount of distortion generated by the distortion compensation circuit are not adjusted optimally in either the high band or the low band, but are adjusted in a balanced manner. In the case where a sufficient improvement effect cannot be obtained due to a shift in the distortion amount in both bands, or when the distortion is deteriorated in a semiconductor laser in which the distortion amount generated in the high band and the low band has a large difference. Occurs.

【００１０】第２の方法では、歪補償回路から生じる歪
の周波数特性を補正する補正回路が導入されるが、補正
回路は一種のローパスフィルターであって位相（ディレ
イ量）が周波数によって変わるため改善効果が減少して
しまうという問題がある。In the second method, a correction circuit for correcting the frequency characteristic of the distortion generated from the distortion compensation circuit is introduced. However, the correction circuit is a kind of low-pass filter, and the phase (delay amount) varies depending on the frequency. There is a problem that the effect is reduced.

【００１１】第３の方法では、歪補償回路においてショ
ットキ型ダイオードとｐｉｎ型ダイオードが併用される
が、半導体レーザには個体差があるため、この個体差に
対する調整は難しく時間を要するという問題がある。In the third method, a Schottky diode and a pin diode are used together in a distortion compensating circuit. However, since there are individual differences in semiconductor lasers, there is a problem that it is difficult to adjust the individual differences and it takes time. .

【００１２】本発明は、以上の問題を解決するためにな
されたものであって、調整の煩雑化を招くことなく、半
導体レーザ等の非線形デバイスで生じる歪の周波数特性
に一致する周波数特性の歪を発生させることにより、非
線形デバイスから生じる歪を全帯域で十分に相殺するこ
とができる歪補償回路を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has a frequency characteristic having a frequency characteristic corresponding to that of a nonlinear device such as a semiconductor laser without complicating the adjustment. It is therefore an object of the present invention to provide a distortion compensating circuit that can sufficiently cancel the distortion generated from the non-linear device in all bands by generating.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明は、非線形デバイスの出力信号に含まれる非線形歪
を相殺するための歪補償装置であって、前記非線形デバ
イスに入力すべき信号が通過する線形素子である抵抗素
子を含む抵抗回路と、非線形素子と、該非線形素子に並
列に接続されたリアクタンス性素子とを含む歪発生回路
と、前記非線形素子にバイアス電圧を与えるバイアス回
路と、を備え、前記抵抗回路と前記歪発生回路とがコン
デンサを介して並列に接続されていることを特徴とす
る。このような第１の発明によれば、非線形デバイスに
入力すべき信号に歪発生回路により非線形歪が付加さ
れ、その非線形歪の周波数特性はリアクタンス性素子の
リアクタンス値の設定により調整可能であり、その非線
形歪のレベルは歪発生回路における非線形素子に与えら
れるバイアス電圧により調整可能であるため、非線形デ
バイスの出力信号に含まれる非線形歪を全帯域で十分に
相殺することができる。A first aspect of the present invention is a distortion compensating apparatus for canceling nonlinear distortion included in an output signal of a nonlinear device, wherein a signal to be input to the nonlinear device is provided. A resistance circuit including a resistance element that is a linear element passing therethrough, a non-linear element, a distortion generating circuit including a reactive element connected in parallel to the non-linear element, a bias circuit for applying a bias voltage to the non-linear element, And the resistance circuit and the distortion generation circuit are connected in parallel via a capacitor. According to the first aspect, a distortion generating circuit adds nonlinear distortion to a signal to be input to the nonlinear device, and the frequency characteristic of the nonlinear distortion can be adjusted by setting the reactance value of the reactive element. Since the level of the nonlinear distortion can be adjusted by the bias voltage applied to the nonlinear element in the distortion generating circuit, the nonlinear distortion included in the output signal of the nonlinear device can be sufficiently canceled in the entire band.

【００１４】第２の発明は、第１の発明において、前記
非線形素子はダイオードであることを特徴とする。この
ような第２の発明によれば、非線形デバイスに入力すべ
き信号に非線形歪がダイオードにより付加され、その非
線形歪のレベルをそのダイオードに与えられるバイアス
電圧により調整することができる。In a second aspect based on the first aspect, the nonlinear element is a diode. According to the second aspect, nonlinear distortion is added to the signal to be input to the nonlinear device by the diode, and the level of the nonlinear distortion can be adjusted by the bias voltage applied to the diode.

【００１５】第３の発明は、第１の発明において、前記
リアクタンス性素子はコンデンサであることを特徴とす
る。このような第３の発明によれば、非線形デバイスに
入力すべき信号に付加される非線形歪の周波数特性を、
コンデンサの容量値の設定により調整することができ
る。In a third aspect based on the first aspect, the reactive element is a capacitor. According to the third aspect, the frequency characteristic of the nonlinear distortion added to the signal to be input to the nonlinear device is
It can be adjusted by setting the capacitance value of the capacitor.

【００１６】第４の発明は、第３の発明において、前記
歪発生回路において前記非線形素子と前記リアクタンス
性素子としてのコンデンサとが一つの可変容量ダイオー
ドにより実現されていることを特徴とする。このような
第４の発明によれば、非線形デバイスに入力すべき信号
に非線形歪が可変容量ダイオードにより付加され、その
非線形歪の周波数特性およびレベルをその可変容量ダイ
オードに与えられるバイアス電圧により調整することが
できる。According to a fourth aspect, in the third aspect, the non-linear element and the capacitor as the reactive element in the distortion generating circuit are realized by one variable capacitance diode. According to the fourth aspect, the nonlinear distortion is added to the signal to be input to the nonlinear device by the variable capacitance diode, and the frequency characteristic and level of the nonlinear distortion are adjusted by the bias voltage applied to the variable capacitance diode. be able to.

【００１７】第５の発明は、非線形デバイスの出力信号
に含まれる非線形歪を相殺するための歪補償装置であっ
て、前記非線形デバイスに入力すべき信号が通過する線
形素子である抵抗素子を含む抵抗回路と、可変容量ダイ
オードを含む歪発生回路と、前記可変容量ダイオードに
バイアス電圧を与えるバイアス回路と、を備え、前記抵
抗回路と前記歪発生回路とがコンデンサを介して並列に
接続されていることを特徴とする。このような第５の発
明によれば、非線形デバイスに入力すべき信号に可変容
量ダイオードにより非線形歪が付加され、その非線形歪
の周波数特性およびレベルは、その可変容量ダイオード
に与えられるバイアス電圧により調整可能であるため、
非線形デバイスの出力信号に含まれる非線形歪を全帯域
で十分に相殺することができる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a distortion compensator for canceling nonlinear distortion contained in an output signal of a nonlinear device, including a resistance element which is a linear element through which a signal to be input to the nonlinear device passes. A resistance circuit, a distortion generation circuit including a variable capacitance diode, and a bias circuit for applying a bias voltage to the variable capacitance diode, wherein the resistance circuit and the distortion generation circuit are connected in parallel via a capacitor. It is characterized by the following. According to the fifth aspect, a nonlinear distortion is added to the signal to be input to the nonlinear device by the variable capacitance diode, and the frequency characteristic and level of the nonlinear distortion are adjusted by the bias voltage applied to the variable capacitance diode. Because it is possible,
The nonlinear distortion included in the output signal of the nonlinear device can be sufficiently canceled in all bands.

【００１８】第６の発明は、第１または第５の発明にお
いて、前記非線形デバイスに入力すべき信号のうち前記
歪発生回路を通過する信号の振幅を調整するための調整
回路を更に備えることを特徴とする。このような第６の
発明によれば、非線形デバイスに入力すべき信号に付加
される非線形歪のレベルを、非線形素子に与えられるバ
イアス電圧による調整とは独立に、調整回路により調整
できるため、非線形デバイスの出力信号に含まれる非線
形歪を全帯域でより十分に相殺することができる。According to a sixth aspect, in the first or fifth aspect, an adjustment circuit for adjusting the amplitude of a signal passing through the distortion generating circuit among signals to be input to the nonlinear device is further provided. Features. According to the sixth aspect, the level of the nonlinear distortion added to the signal to be input to the nonlinear device can be adjusted by the adjusting circuit independently of the adjustment by the bias voltage applied to the nonlinear element. Non-linear distortion included in the output signal of the device can be more sufficiently canceled in all bands.

【００１９】第７の発明は、第６の発明において、前記
調整回路は、前記歪発生回路を通過する前記信号の振幅
を調整するための可変抵抗器を含むことを特徴とする。
このような第７の発明によれば、非線形デバイスに入力
すべき信号に付加される非線形歪のレベルを、非線形素
子に与えられるバイアス電圧による調整とは独立に、可
変抵抗器により調整することができる。In a seventh aspect based on the sixth aspect, the adjusting circuit includes a variable resistor for adjusting the amplitude of the signal passing through the distortion generating circuit.
According to the seventh aspect, the level of the nonlinear distortion added to the signal to be input to the nonlinear device can be adjusted by the variable resistor independently of the adjustment by the bias voltage applied to the nonlinear element. it can.

【００２０】第８の発明は、第６の発明において、前記
調整回路は、ｐｉｎ型ダイオードを含み、該ｐｉｎ型ダ
イオードに与えられるバイアス電圧により前記歪発生回
路を通過する前記信号の振幅を調整することを特徴とす
る。このような第８の発明によれば、非線形デバイスに
入力すべき信号に付加される非線形歪のレベルを、ｐｉ
ｎ型ダイオードに与えられるバイアス電圧により、非線
形素子に与えられるバイアス電圧による調整とは独立に
かつ容易に調整することできる。In an eighth aspect based on the sixth aspect, the adjusting circuit includes a pin diode, and adjusts the amplitude of the signal passing through the distortion generating circuit by a bias voltage applied to the pin diode. It is characterized by the following. According to the eighth aspect, the level of the nonlinear distortion added to the signal to be input to the nonlinear device is set to pi
The adjustment by the bias voltage applied to the n-type diode can be performed easily and independently of the adjustment by the bias voltage applied to the nonlinear element.

【００２１】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
添付図面を参照して説明する。 ＜第１の実施形態＞図１は、本発明の第１の実施形態で
ある歪補償回路の構成を示す回路図である。この歪補償
回路は、半導体レーザなどの非線形デバイスの出力信号
に含まれる非線形歪を相殺するために使用され、例え
ば、半導体レーザとその駆動電流を供給する回路との間
に挿入されて、半導体レーザの出力における非線形歪と
逆位相の歪を駆動電流に与える。図１に示すように、こ
の歪補償回路は、一端が入力端１００に接続され他端が
出力端２００に接続された抵抗器２１からなる線形回路
である抵抗回路１０と、非線形素子としてのダイオード
１１とリアクタンス性素子としてのコンデンサ１２とが
並列に接続されてなる歪発生回路２０と、抵抗器４１
ａ，４１ｂおよびコンデンサ４２からなるバイアス回路
４０とを備えている。歪発生回路２０は、直流遮断用の
コンデンサ５０ａ，５０ｂを介して抵抗回路１０と並列
に接続されている。またバイアス回路４０において、抵
抗器４１ａの一端はダイオード１１のカソードに接続さ
れ他端は接地されており、抵抗器４１ｂの一端はダイオ
ード１１のアノードに接続され他端はコンデンサ４２を
介して接地され、抵抗器４１ｂとコンデンサ４２との接
続点にはバイアス電圧Ｖｂが供給される。このバイアス
回路４０によりダイオード１１は逆方向にバイアスされ
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a first embodiment of the present invention. This distortion compensation circuit is used to cancel nonlinear distortion included in an output signal of a nonlinear device such as a semiconductor laser. For example, the distortion compensation circuit is inserted between a semiconductor laser and a circuit that supplies a driving current thereof, and To the driving current. As shown in FIG. 1, the distortion compensation circuit includes a resistor circuit 10 which is a linear circuit including a resistor 21 having one end connected to an input terminal 100 and the other end connected to an output terminal 200, and a diode as a non-linear element. A distortion generating circuit 20 in which a capacitor 11 as a reactive element and a capacitor 12 as a reactive element are connected in parallel;
a, 41b and a bias circuit 40 composed of a capacitor 42. The distortion generation circuit 20 is connected in parallel with the resistance circuit 10 via DC blocking capacitors 50a and 50b. In the bias circuit 40, one end of the resistor 41a is connected to the cathode of the diode 11 and the other end is grounded. One end of the resistor 41b is connected to the anode of the diode 11 and the other end is grounded via the capacitor 42. The connection point between the resistor 41b and the capacitor 42 is supplied with the bias voltage Vb. The diode 11 is biased in the reverse direction by the bias circuit 40.

【００２２】以下、上記のように構成された歪補償回路
の動作について説明する。なお以下の説明では、この歪
補償回路は、複数の映像信号が周波数軸上で多重されて
一括して伝送される光通信システムにおいて、半導体レ
ーザの出力に含まれる非線形歪を相殺するために使用さ
れるものとする。The operation of the distortion compensating circuit configured as described above will be described below. In the following description, this distortion compensation circuit is used to cancel nonlinear distortion included in the output of a semiconductor laser in an optical communication system in which a plurality of video signals are multiplexed on the frequency axis and transmitted collectively. Shall be performed.

【００２３】複数の映像信号を一括して伝送するため
に、周波数軸上で多重化されたその複数の映像信号（以
下「周波数多重信号」という）が入力信号として半導体
レーザの駆動電流に重畳される。この周波数多重信号の
重畳された駆動電流は、歪補償回路の入力端１００に供
給され、抵抗回路１０と歪発生回路２０とに分配され
る。抵抗回路１０に供給された周波数多重信号は抵抗器
２１により減衰する。一方、歪発生回路２０に供給され
た周波数多重信号はダイオード１１とコンデンサ１２と
に分配され、ダイオード１１により非線形歪が生じる。
そして、抵抗回路１０からの減衰された信号と、歪発生
回路２０からの歪を含む信号とが合波されて、出力端２
００から出力される。In order to collectively transmit a plurality of video signals, the plurality of video signals multiplexed on the frequency axis (hereinafter referred to as "frequency multiplexed signals") are superimposed on the drive current of the semiconductor laser as input signals. You. The drive current on which the frequency multiplexed signal is superimposed is supplied to the input terminal 100 of the distortion compensation circuit, and is distributed to the resistance circuit 10 and the distortion generation circuit 20. The frequency multiplexed signal supplied to the resistance circuit 10 is attenuated by the resistor 21. On the other hand, the frequency multiplexed signal supplied to the distortion generating circuit 20 is distributed to the diode 11 and the capacitor 12, and the diode 11 causes nonlinear distortion.
Then, the attenuated signal from the resistor circuit 10 and the signal including the distortion from the distortion generating circuit 20 are multiplexed, and the output terminal 2
Output from 00.

【００２４】上記のようにして周波数多重信号が歪発生
回路２０におけるダイオード１１を通過すると、その周
波数多重信号に対応する各周波数の和や差の周波数の信
号が非線形歪として発生する。この歪のうち高周波歪は
低い周波数の和の信号に相当し、低周波歪は各種周波数
の差の信号に相当する。なお、高い周波数の和の信号に
相当する歪成分は、伝送の帯域を外れるため問題となら
ない。When the frequency multiplexed signal passes through the diode 11 in the distortion generating circuit 20 as described above, a signal having the sum or difference of the frequencies corresponding to the frequency multiplexed signal is generated as nonlinear distortion. Among these distortions, high-frequency distortion corresponds to a signal of a sum of low frequencies, and low-frequency distortion corresponds to a signal of a difference between various frequencies. Note that the distortion component corresponding to the signal of the sum of the high frequencies is out of the transmission band and poses no problem.

【００２５】本実施形態の歪発生回路２０では、非線形
素子であるダイオード１１にリアクタンス性素子である
コンデンサ１２が並列に接続されており、歪発生回路２
０を通過する信号のうちコンデンサ１２を通過する信号
の割合は、信号の周波数が高くなるにしたがって大きく
なり、また、コンデンサ１２の容量値を大きくすると大
きくなる。よって、コンデンサ１２の容量値に応じて、
ダイオード１１を通過する周波数多重信号における高い
周波数の信号と低い周波数の信号との比が変化し、その
結果、ダイオード１１によって生じる歪の周波数特性が
変化する。したがって、コンデンサ１２の容量値によ
り、ダイオード１１で発生する歪の周波数特性を調整す
ることができる。例えばコンデンサ１２の容量値を大き
くすると、コンデンサ１２を通過する周波数多重信号に
おける高い周波数の信号の割合が増大する。その結果、
ダイオード１１を通過する周波数多重信号における低い
周波数の信号の割合が増大し、それらの低い周波数の和
に相当する周波数の歪がダイオード１１で発生するた
め、高周波歪の量が多くなる。In the distortion generating circuit 20 of the present embodiment, a capacitor 12 which is a reactive element is connected in parallel to a diode 11 which is a non-linear element.
The ratio of the signal passing through the capacitor 12 to the signal passing through 0 increases as the frequency of the signal increases, and increases as the capacitance value of the capacitor 12 increases. Therefore, according to the capacitance value of the capacitor 12,
The ratio between the high frequency signal and the low frequency signal in the frequency multiplexed signal passing through the diode 11 changes, and as a result, the frequency characteristic of the distortion caused by the diode 11 changes. Therefore, the frequency characteristics of the distortion generated in the diode 11 can be adjusted by the capacitance value of the capacitor 12. For example, when the capacitance value of the capacitor 12 is increased, the ratio of the high frequency signal in the frequency multiplexed signal passing through the capacitor 12 increases. as a result,
The proportion of low-frequency signals in the frequency multiplexed signal passing through the diode 11 increases, and distortion of a frequency corresponding to the sum of those low frequencies is generated in the diode 11, so that the amount of high-frequency distortion increases.

【００２６】一方、ダイオード１１で発生する歪の周波
数全体にわたる平均的な歪量（以下「歪レベル」とい
う）は、ダイオード１１の動作点によって変化する。し
たがって、バイアス電圧Ｖｂによりダイオード１１で発
生する歪レベルを制御することができる。On the other hand, the average amount of distortion generated in the diode 11 over the entire frequency (hereinafter referred to as “distortion level”) varies depending on the operating point of the diode 11. Therefore, the level of distortion generated in the diode 11 can be controlled by the bias voltage Vb.

【００２７】以上のように本実施形態では、ダイオード
１１で発生する非線形歪の周波数特性はコンデンサ１２
の容量値で調整可能であり、その歪レベルはバイアス電
圧Ｖｂで調整可能である。したがって、本実施形態の歪
補償回路により半導体レーザの駆動電流に非線形歪を付
加することで、非線形デバイスである半導体レーザの出
力に含まれる非線形歪を全帯域で十分に相殺することが
できる。As described above, in the present embodiment, the frequency characteristic of the nonlinear distortion generated in the diode 11 is
The distortion level can be adjusted by the bias voltage Vb. Therefore, by adding the nonlinear distortion to the drive current of the semiconductor laser by the distortion compensation circuit of the present embodiment, the nonlinear distortion included in the output of the semiconductor laser, which is a nonlinear device, can be sufficiently canceled in all bands.

【００２８】＜第２の実施形態＞図２は、本発明の第２
の実施形態である歪補償回路の構成を示す回路図であ
る。本実施形態では歪発生回路３０が可変容量ダイオー
ド３１で構成されており、この点で、歪発生回路２０が
ダイオード１１とコンデンサ１２により構成されていた
第１の実施形態と相違する。その他の構成については、
第１の実施形態と同様であるので同一の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。<Second Embodiment> FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to the embodiment. In the present embodiment, the distortion generating circuit 30 is constituted by a variable capacitance diode 31, and this is different from the first embodiment in which the distortion generating circuit 20 is constituted by a diode 11 and a capacitor 12. For other configurations,
Since the configuration is the same as that of the first embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【００２９】以下、本実施形態の歪補償回路の動作につ
いて説明する。なお以下の説明では、この歪補償回路
は、第１の実施形態の場合と同様、複数の映像信号が周
波数上で多重されて一括して伝送される光通信システム
において、半導体レーザの出力に含まれる非線形歪を相
殺するために使用されるものとする。Hereinafter, the operation of the distortion compensation circuit of the present embodiment will be described. In the following description, this distortion compensation circuit is included in the output of the semiconductor laser in an optical communication system in which a plurality of video signals are multiplexed on a frequency and transmitted collectively, as in the first embodiment. Used to cancel nonlinear distortion.

【００３０】本実施形態では、可変容量ダイオード３１
の容量値がバイアス電圧Ｖｂおよび入力信号に応じて変
化することを利用することにより、歪発生回路３０にお
いて発生する歪の周波数特性を可変にすることを実現し
ている。In this embodiment, the variable capacitance diode 31
By using the fact that the capacitance value changes according to the bias voltage Vb and the input signal, the frequency characteristic of the distortion generated in the distortion generating circuit 30 can be made variable.

【００３１】本実施形態の可変容量ダイオード３１は、
第１の実施形態の歪発生回路２０のようにダイオード１
１とコンデンサ１２とが並列に接続された構成とみなす
ことができる。しかし、本実施形態では、第１の実施形
態とは異なり、バイアス電圧Ｖｂを変えると、可変容量
ダイオード３１の動作点のみならず、コンデンサ１２の
容量値に対応する可変容量ダイオード３１の容量値も変
化する。したがって、歪発生回路３０で発生する非線形
歪の周波数特性をバイアス電圧Ｖｂにより変化させるこ
とができる。この歪の周波数特性についての測定結果を
図７に示す。また、比較のために特開平７−１９３４５
３号公報に記載されているショットキ型ダイオードを用
いた歪補償回路で発生する歪の周波数特性の測定結果を
図８に示す。図７および図８は、歪発生回路において生
じる複合２次歪（ＣＳＯ(Composite Second order Dist
ortion)）の周波数特性をＶｂ＝0.1Ｖ，0.5Ｖ，0.7Ｖの
３種類のバイアス電圧について示したグラフである。図
７の結果を得るための測定には、松下電器産業株式会社
より販売されている型番ＭＡ３９３の可変容量ダイオー
ドを用いており、図８の結果を得るための測定には、松
下電器産業株式会社より販売されている型番ＭＡ７０７
のダイオードを用いている。また、両測定とも、入力さ
れる周波数多重信号のチャネル数は６０であり、入力信
号レベルは同一であって例えば７５dBμＶである。The variable capacitance diode 31 of this embodiment is
As in the distortion generating circuit 20 of the first embodiment, the diode 1
1 and the capacitor 12 can be regarded as a configuration in which they are connected in parallel. However, in the present embodiment, unlike the first embodiment, when the bias voltage Vb is changed, not only the operating point of the variable capacitance diode 31 but also the capacitance value of the variable capacitance diode 31 corresponding to the capacitance value of the capacitor 12 is changed. Change. Therefore, the frequency characteristic of the nonlinear distortion generated in the distortion generating circuit 30 can be changed by the bias voltage Vb. FIG. 7 shows a measurement result of the frequency characteristics of the distortion. For comparison, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-19345
FIG. 8 shows a measurement result of a frequency characteristic of a distortion generated in a distortion compensation circuit using a Schottky diode described in Japanese Patent No. 7 and 8 show a composite second order distortion (CSO (Composite Second order Dist) generated in the distortion generation circuit.
6 is a graph showing frequency characteristics of three types of bias voltages Vb = 0.1 V, 0.5 V, and 0.7 V. The measurement for obtaining the result of FIG. 7 uses a variable capacitance diode of model number MA393 sold by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., and the measurement for obtaining the result of FIG. Model number MA707 sold by
Is used. In both measurements, the number of channels of the input frequency multiplexed signal is 60, and the input signal level is the same, for example, 75 dBμV.

【００３２】ショットキ型ダイオードを用いた歪補償回
路から出力される歪の周波数特性は、図８に示すよう
に、バイアス電圧Ｖｂに拘わらず一定の特性を示してい
る。これに対し、可変容量ダイオード３１を用いた歪補
償回路から出力される歪の周波数特性は、図７から明ら
かなように、バイアス電圧Ｖｂに対して依存性を有して
いる。したがって本実施形態によれば、バイアス電圧Ｖ
ｂにより、歪補償回路３０から出力される歪の周波数特
性を簡単に変えることができる。このため、歪補償回路
から生じる歪の周波数特性を半導体レーザの出力に含ま
れる非線形歪の周波数特性に簡単に一致させることが可
能となる。よって、バイアス電圧Ｖｂを適切に設定する
ことにより、非線形デバイスである半導体レーザの出力
に含まれる非線形歪を全帯域で十分に相殺することがで
きる。The frequency characteristic of the distortion output from the distortion compensation circuit using the Schottky diode shows a constant characteristic irrespective of the bias voltage Vb, as shown in FIG. On the other hand, the frequency characteristic of the distortion output from the distortion compensation circuit using the variable capacitance diode 31 has dependency on the bias voltage Vb, as is apparent from FIG. Therefore, according to the present embodiment, the bias voltage V
With b, the frequency characteristic of the distortion output from the distortion compensation circuit 30 can be easily changed. Therefore, it is possible to easily match the frequency characteristic of the distortion generated from the distortion compensation circuit to the frequency characteristic of the nonlinear distortion included in the output of the semiconductor laser. Therefore, by appropriately setting the bias voltage Vb, the nonlinear distortion included in the output of the semiconductor laser, which is a nonlinear device, can be sufficiently canceled in all bands.

【００３３】＜第３および第４の実施形態＞第２の実施
形態では、歪発生回路３０で発生する歪の周波数特性を
半導体レーザの出力に含まれる歪の周波数特性に一致さ
せるためにバイアス電圧Ｖｂが調整される。しかし、図
７に示されているように、第２の実施形態においてバイ
アス電圧Ｖｂを変化させると、歪レベル（図７では周波
数全体にわたる平均的なＣＳＯの値に相当する）が変化
し、例えばバイアス電圧Ｖｂを増大させると歪レベルが
大きくなる。<Third and Fourth Embodiments> In the second embodiment, the bias voltage is adjusted so that the frequency characteristics of the distortion generated by the distortion generating circuit 30 match the frequency characteristics of the distortion included in the output of the semiconductor laser. Vb is adjusted. However, as shown in FIG. 7, when the bias voltage Vb is changed in the second embodiment, the distortion level (corresponding to the average CSO value over the entire frequency in FIG. 7) changes. Increasing the bias voltage Vb increases the distortion level.

【００３４】これに対し第１の実施形態では、歪発生回
路３０で発生する歪の周波数特性をコンデンサ１２の容
量値により制御することができ、歪レベルについては、
歪の周波数特性の調整とは独立にバイアス電圧Ｖｂによ
り調整することができる。しかし、歪レベルの調整のた
めのバイアス電圧Ｖｂの変化量が大きくなると、ダイオ
ード１１の動作点が大きく移動して、半導体レーザの出
力に含まれる非線形歪を相殺するのに必要な歪以外の高
次歪も発生する。このため、バイアス電圧Ｖｂにより歪
レベルを調整するためのバイアス回路４０とは別個に、
歪レベルの調整手段を有することが好ましい。On the other hand, in the first embodiment, the frequency characteristic of the distortion generated in the distortion generating circuit 30 can be controlled by the capacitance value of the capacitor 12, and the distortion level is
It can be adjusted by the bias voltage Vb independently of the adjustment of the frequency characteristics of the distortion. However, when the amount of change in the bias voltage Vb for adjusting the distortion level increases, the operating point of the diode 11 shifts greatly, and a high level other than the distortion necessary to cancel the nonlinear distortion included in the output of the semiconductor laser. Secondary distortion also occurs. Therefore, separately from the bias circuit 40 for adjusting the distortion level by the bias voltage Vb,
It is preferable to have a means for adjusting the distortion level.

【００３５】よって、第１および第２の実施形態の双方
において、歪発生回路２０，３０で発生する非線形歪の
レベル（歪量の絶対値）を調整する調整手段を別途設け
ることが望まれる。この歪レベルの調整方法としては、
歪補償回路への入力信号レベルを小さくする方法と、歪
補償回路への入力信号レベルは変えずに、非線形素子で
あるダイオード１１または可変容量ダイオード３１に流
れる信号レベルを減少させる方法とがある。以下、後者
の方法による歪レベルの調整手段を設けた２つの歪補償
回路を、それぞれ本発明の第３および第４の実施形態と
して説明する。Therefore, in both the first and second embodiments, it is desirable to separately provide an adjusting means for adjusting the level (absolute value of the amount of distortion) of the nonlinear distortion generated in the distortion generating circuits 20 and 30. As a method of adjusting the distortion level,
There are a method of reducing the input signal level to the distortion compensation circuit and a method of reducing the signal level flowing through the diode 11 or the variable capacitance diode 31 which is a non-linear element without changing the input signal level to the distortion compensation circuit. Hereinafter, two distortion compensation circuits provided with distortion level adjusting means by the latter method will be described as third and fourth embodiments of the present invention, respectively.

【００３６】図３は、本発明の第３の実施形態としての
歪補償回路の構成を示す回路図である。この歪補償回路
は、図１に示した第１の実施形態の歪補償回路に歪レベ
ルの調整手段としての可変抵抗器４３を追加した構成を
有している。この可変抵抗器４３は、バイアス回路４０
ａ内に設けられており、その一端はコンデンサ５０ａと
ダイオード１１との接続点に直流遮断用のコンデンサ４
４を介して接続され、その他端は接地されている。この
ような構成によれば、可変抵抗器４３の抵抗値を変える
と、入力端１００から供給された信号電流のうちダイオ
ード１１に流れる信号電流の割合が変化する。したがっ
て、可変抵抗器４３により、歪発生回路２０において発
生する非線形歪のレベルを調整することができる。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a third embodiment of the present invention. This distortion compensation circuit has a configuration in which a variable resistor 43 as a distortion level adjusting means is added to the distortion compensation circuit of the first embodiment shown in FIG. The variable resistor 43 includes a bias circuit 40
a, one end of which is connected to the connection point between the capacitor 50a and the diode 11 by a DC blocking capacitor 4a.
4 and the other end is grounded. According to such a configuration, when the resistance value of the variable resistor 43 is changed, the ratio of the signal current flowing through the diode 11 to the signal current supplied from the input terminal 100 changes. Therefore, the level of the nonlinear distortion generated in the distortion generating circuit 20 can be adjusted by the variable resistor 43.

【００３７】図４は、本発明の第４の実施形態としての
歪補償回路を構成を示す回路図である。この歪補償回路
は、図２に示した第２の実施形態の歪補償回路に歪レベ
ルの調整手段としての可変抵抗器４３を追加した構成を
有している。この可変抵抗器４３は、バイアス回路４０
ａ内に設けられており、その一端はコンデンサ５０ａと
可変容量ダイオード３１との接続点に直流遮断用のコン
デンサ４４を介して接続され、その他端は接地されてい
る。このような構成によれば、可変抵抗器４３の抵抗値
を変えると、入力端１００から供給された信号電流のう
ち可変容量ダイオード３１に流れる信号電流の割合が変
化する。したがって、可変抵抗器４３により、歪発生回
路３０において発生する非線形歪のレベルを調整するこ
とができる。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a fourth embodiment of the present invention. This distortion compensation circuit has a configuration in which a variable resistor 43 as distortion level adjusting means is added to the distortion compensation circuit of the second embodiment shown in FIG. The variable resistor 43 includes a bias circuit 40
a, one end of which is connected to a connection point between the capacitor 50a and the variable capacitance diode 31 via a DC blocking capacitor 44, and the other end is grounded. According to such a configuration, when the resistance value of the variable resistor 43 is changed, the ratio of the signal current flowing through the variable capacitance diode 31 to the signal current supplied from the input terminal 100 changes. Therefore, the level of the nonlinear distortion generated in the distortion generating circuit 30 can be adjusted by the variable resistor 43.

【００３８】＜第３および第４の実施形態の変形例＞上
述の第３および第４の実施形態では、歪レベルの調整手
段として可変抵抗器４３を用いているが、これに代え
て、ｐｉｎ型ダイオードを使用してもよい。<Modifications of Third and Fourth Embodiments> In the above-described third and fourth embodiments, the variable resistor 43 is used as the distortion level adjusting means. Type diodes may be used.

【００３９】図５は、図３に示した第３の実施形態にお
いて可変抵抗器４３に代えてｐｉｎ型ダイオード４５を
使用した歪補償回路の構成を示す回路図である。この歪
補償回路では、バイアス回路４０ｂ内において、ｐｉｎ
型ダイオード４５のアノードがコンデンサ５０ａとダイ
オード１１との接続点に直流遮断用のコンデンサ４４を
介して接続され、そのカソードは接地されており、ｐｉ
ｎ型ダイオード４５のアノードにはバイアス電圧Ｖｂ２
が与えられる。このような構成によれば、バイアス電圧
Ｖｂ２を変えると、ｐｉｎ型ダイオード４５の抵抗値が
変化し、その結果、入力端１００から供給された信号電
流のうちダイオード１１に流れる信号電流の割合が変化
する。したがって、ｐｉｎ型ダイオード４５のバイアス
電圧Ｖｂ２により、歪発生回路２０において発生する非
線形歪のレベルを調整することができる。このように電
圧Ｖｂ２によって歪レベルを調整できるため、可変抵抗
器４３を用いた場合に比べ、歪レベルの調整が容易とな
る。FIG. 5 is a circuit diagram showing the configuration of a distortion compensation circuit using a pin type diode 45 instead of the variable resistor 43 in the third embodiment shown in FIG. In this distortion compensation circuit, the pin
The anode of the type diode 45 is connected to the connection point between the capacitor 50a and the diode 11 via the DC blocking capacitor 44, and the cathode thereof is grounded.
The bias voltage Vb2 is applied to the anode of the n-type diode 45.
Is given. According to such a configuration, when the bias voltage Vb2 is changed, the resistance value of the pin diode 45 changes, and as a result, the ratio of the signal current flowing through the diode 11 to the signal current supplied from the input terminal 100 changes. I do. Therefore, the level of the nonlinear distortion generated in the distortion generating circuit 20 can be adjusted by the bias voltage Vb2 of the pin diode 45. As described above, since the distortion level can be adjusted by the voltage Vb2, the adjustment of the distortion level is easier than in the case where the variable resistor 43 is used.

【００４０】図６は、図４に示した第４の実施形態にお
いて可変抵抗器４３に代えてｐｉｎ型ダイオード４５を
使用した歪補償回路を示す回路図である。この歪補償回
路では、バイアス回路４０ｂ内において、ｐｉｎ型ダイ
オード４５のアノードがコンデンサ５０ａと可変容量ダ
イオード３１との接続点に直流遮断用のコンデンサ４４
を介して接続され、そのカソードは接地されており、ｐ
ｉｎ型ダイオード４５のアノードにはバイアス電圧Ｖｂ
２が与えられる。このような構成によれば、バイアス電
圧Ｖｂ２を変えると、入力端１００から供給された信号
電流のうち可変容量ダイオード３１に流れる信号電流の
割合が変化する。このため、ｐｉｎ型ダイオード４５の
バイアス電圧Ｖｂ２により、歪発生回路３０において発
生する非線形歪のレベルを調整することができ、その結
果、可変抵抗器４３を用いた場合に比べ、歪レベルの調
整が容易となる。FIG. 6 is a circuit diagram showing a distortion compensation circuit using a pin type diode 45 instead of the variable resistor 43 in the fourth embodiment shown in FIG. In this distortion compensation circuit, in the bias circuit 40b, the anode of the pin type diode 45 is connected to the connection point between the capacitor 50a and the variable capacitance diode 31 by the DC blocking capacitor 44.
, The cathode of which is grounded and p
The bias voltage Vb is applied to the anode of the in-type diode 45.
2 is given. According to such a configuration, when the bias voltage Vb2 is changed, the ratio of the signal current flowing through the variable capacitance diode 31 to the signal current supplied from the input terminal 100 changes. Therefore, the level of the nonlinear distortion generated in the distortion generating circuit 30 can be adjusted by the bias voltage Vb2 of the pin diode 45. As a result, the distortion level can be adjusted as compared with the case where the variable resistor 43 is used. It will be easier.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施形態である歪補償回路の構
成を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の第２の実施形態である歪補償回路の構
成を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第３の実施形態である歪補償回路の構
成を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第４の実施形態である歪補償回路の構
成を示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第３の実施形態の変形例である歪補償
回路の構成を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a modification of the third embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第４の実施形態の変形例である歪補償
回路の構成を示す回路図。FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a distortion compensation circuit according to a modification of the fourth embodiment of the present invention.

【図７】第２の実施形態の歪補償回路から出力される歪
の周波数特性とバイアス電圧との関係を示す図。FIG. 7 is a diagram illustrating a relationship between a frequency characteristic of a distortion output from a distortion compensation circuit according to a second embodiment and a bias voltage.

【図８】ショットキ型ダイオードを用いた従来の歪補償
回路から出力される歪の周波数特性とバイアス電圧との
関係を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a frequency characteristic of a distortion output from a conventional distortion compensation circuit using a Schottky diode and a bias voltage.

【図９】ショットキ型ダイオードを用いた従来の歪補償
回路の構成を示す回路図。FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional distortion compensation circuit using a Schottky diode.

【図１０】従来の歪補償回路から出力される歪量と半導
体レーザの出力に含まれる歪量とのずれを示す図。FIG. 10 is a diagram showing a difference between a distortion amount output from a conventional distortion compensation circuit and a distortion amount included in an output of a semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ …抵抗回路 １１ …ダイオード １２ …コンデンサ ２０，３０ …歪発生回路 ２１ …抵抗器 ３１ …可変容量ダイオード ４０，４０ａ，４０ｂ…バイアス回路 ４１ａ，４１ｂ…抵抗器 ４２ …コンデンサ ４３ …可変抵抗器 ４４ …直流遮断用コンデンサ ４５ …ｐｉｎ型ダイオード ５０ａ，５０ｂ…直流遮断用コンデンサ １００ …入力端 ２００ …出力端 Ｖｂ，Ｖｂ２…バイアス電圧 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Resistance circuit 11 ... Diode 12 ... Capacitors 20 and 30 ... Distortion generating circuit 21 ... Resistor 31 ... Variable capacitance diode 40,40a, 40b ... Bias circuit 41a, 41b ... Resistance 42 ... Capacitor 43 ... Variable resistor 44 ... DC cut-off capacitor 45 ... pin type diode 50a, 50b ... DC cut-off capacitor 100 ... input terminal 200 ... output terminal Vb, Vb2 ... bias voltage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 和貴 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 北原 浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C021 PA94 PA95 PA96 PA99 XA31 XA66 5F073 BA01 EA29 GA38 5J090 AA01 AA41 CA25 CA27 FA08 GN03 GN11 HA19 HA21 HA25 HA26 HA29 HN13 KA13 SA14 TA01 TA03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazuki Maeda 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Terms (reference) 5C021 PA94 PA95 PA96 PA99 XA31 XA66 5F073 BA01 EA29 GA38 5J090 AA01 AA41 CA25 CA27 FA08 GN03 GN11 HA19 HA21 HA25 HA26 HA29 HN13 KA13 SA14 TA01 TA03

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 非線形デバイスの出力信号に含まれる非
線形歪を相殺するための歪補償装置であって、 前記非線形デバイスに入力すべき信号が通過する線形素
子である抵抗素子を含む抵抗回路と、 非線形素子と、該非線形素子に並列に接続されたリアク
タンス性素子とを含む歪発生回路と、 前記非線形素子にバイアス電圧を与えるバイアス回路
と、を備え、 前記抵抗回路と前記歪発生回路とがコンデンサを介して
並列に接続されていることを特徴とする歪補償装置。1. A distortion compensator for canceling non-linear distortion included in an output signal of a non-linear device, comprising: a resistance circuit including a resistance element that is a linear element through which a signal to be input to the non-linear device passes; A distortion generating circuit including a non-linear element and a reactive element connected in parallel to the non-linear element; and a bias circuit for applying a bias voltage to the non-linear element, wherein the resistance circuit and the distortion generating circuit are capacitors. A distortion compensating device, which is connected in parallel via a. 【請求項２】 前記非線形素子はダイオードであること
を特徴とする、請求項１に記載の歪補償装置。2. The distortion compensator according to claim 1, wherein the non-linear element is a diode. 【請求項３】 前記リアクタンス性素子はコンデンサで
あることを特徴とする、請求項１に記載の歪補償装置。3. The distortion compensating device according to claim 1, wherein said reactive element is a capacitor. 【請求項４】 前記歪発生回路において前記非線形素子
と前記リアクタンス性素子としてのコンデンサとが一つ
の可変容量ダイオードにより実現されていることを特徴
とする、請求項３に記載の歪補償装置。4. The distortion compensating apparatus according to claim 3, wherein in the distortion generating circuit, the nonlinear element and the capacitor as the reactive element are realized by one variable capacitance diode. 【請求項５】 非線形デバイスの出力信号に含まれる非
線形歪を相殺するための歪補償装置であって、 前記非線形デバイスに入力すべき信号が通過する線形素
子である抵抗素子を含む抵抗回路と、 可変容量ダイオードを含む歪発生回路と、 前記可変容量ダイオードにバイアス電圧を与えるバイア
ス回路と、を備え、 前記抵抗回路と前記歪発生回路とがコンデンサを介して
並列に接続されていることを特徴とする歪補償装置。5. A distortion compensator for canceling non-linear distortion included in an output signal of a non-linear device, comprising: a resistance circuit including a resistance element which is a linear element through which a signal to be input to the non-linear device passes; A distortion generating circuit including a variable capacitance diode; and a bias circuit for applying a bias voltage to the variable capacitance diode, wherein the resistance circuit and the distortion generation circuit are connected in parallel via a capacitor. Distortion compensator. 【請求項６】 前記非線形デバイスに入力すべき信号の
うち前記歪発生回路を通過する信号の振幅を調整するた
めの調整回路を更に備えることを特徴とする、請求項１
または５に記載の歪補償装置。6. The apparatus according to claim 1, further comprising an adjustment circuit for adjusting an amplitude of a signal passing through the distortion generation circuit among signals to be input to the nonlinear device.
Or the distortion compensator according to 5. 【請求項７】 前記調整回路は、前記歪発生回路を通過
する前記信号の振幅を調整するための可変抵抗器を含む
ことを特徴とする、請求項６に記載の歪補償装置。7. The distortion compensation device according to claim 6, wherein the adjustment circuit includes a variable resistor for adjusting the amplitude of the signal passing through the distortion generation circuit. 【請求項８】 前記調整回路は、ｐｉｎ型ダイオードを
含み、該ｐｉｎ型ダイオードに与えられるバイアス電圧
により前記歪発生回路を通過する前記信号の振幅を調整
することを特徴とする、請求項６に記載の歪補償装置。8. The adjustment circuit according to claim 6, wherein the adjustment circuit includes a pin diode, and adjusts the amplitude of the signal passing through the distortion generation circuit by a bias voltage applied to the pin diode. The distortion compensator according to the above.
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