JP2000252335A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チッピングウェーハによるプロセス異常や処
理への障害を防止し、信頼性の高い半導体製品を製造し
歩留りを向上させた半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 処理室６に隣接するウェーハ２の搬入／
搬出部８に、ウェーハ２のチッピング検出手段４，１０
を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
する。より詳しくは、ウェーハのチッピング検出に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体ウ
ェーハに対し、不純物の拡散処理や、薄膜形成のための
スパッタやＣＶＤ処理およびエッチング処理等の各種処
理が施される。ウェーハは１ロット（通常２５枚）ごと
にカセットに収容されて持ち運ばれる。持ち運ばれたカ
セットはＣＶＤやエッチング等の各処理装置の搬入／搬
出部にセットされる。搬入／搬出部ではロボット等の搬
送手段がカセットからウェーハを１枚ずつ取り出して処
理室に搬入し、処理が終了したウェーハをカセットに戻
す。このような半導体製造装置は、クリーンルーム内に
設置されてダスト等が排除された環境で充分な管理の元
に稼動され、ウェーハ処理の信頼性の向上を図ってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェー
ハがチッピング等の欠陥を有する場合がある。このチッ
ピングは、図２に示すように、ウェーハ２の周縁部に生
じた欠け等の欠陥である。このようなチッピング７を有
するウェーハがカセット内に含まれていると以下のよう
な問題を生じる。

【０００４】（１） 各処理装置内でウェーハを高熱や
真空雰囲気で処理した際あるいは搬送の際、チッピング
部分からウェーハが割れる。

【０００５】（２） 割れたウェーハの破片等がダスト
となって装置の汚染や破損の原因となり、また、後続の
ウェーハに対し割れ、傷、破片付着等の悪影響を及ぼし
プロセス異常の原因となる。

【０００６】（３） 割れたウェーハを始末するために
装置を長時間停止させなければならず、装置のダウンタ
イムを生じて稼動率を低下させる。

【０００７】（４） チッピングウェーハがそのまま処
理されて後の工程に搬送されると、この後工程で上記
（１）〜（３）の障害を発生するおそれがある。

【０００８】本発明は、上記従来技術の問題点を考慮し
たものであって、チッピングウェーハによるプロセス異
常や処理への障害を防止し、信頼性の高い半導体製品を
製造し歩留りを向上させた半導体製造装置の提供を目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、処理室に隣接するウェーハの搬入／搬
出部に、ウェーハのチッピング検出手段を設けたことを
特徴とする半導体製造装置を提供する。

【００１０】この構成によれば、ウェーハを処理室に搬
入する前にウェーハのチッピングが検出されるため、チ
ッピングが検出されたウェーハを排除する等の処置をと
ることができプロセス障害を未然に防止できる。また、
処理室から搬出されるウェーハのチッピングを検出する
ことにより、処理室でのチッピング発生原因に対処する
とともに次の工程におけるチッピングウェーハによるプ
ロセス障害を未然に防止できる。

【００１１】好ましい構成例では、前記チッピング検出
手段は、ＣＣＤカメラを用いた画像処理装置からなるこ
とを特徴としている。

【００１２】この構成によれば、ＣＣＤカメラによりウ
ェーハを撮像し、その撮像データの画像処理によりチッ
ピングが検出される。

【００１３】別の好ましい構成例では、前記チッピング
検出手段は、光学的センサーからなることを特徴として
いる。

【００１４】この構成によれば、透過型あるいは反射型
等の光学的センサーにより、ウェーハのチッピングが検
出される。

【００１５】さらに好ましい構成例では、ウェーハ搬出
時にチッピングが検出された場合に、前記処理室でのウ
ェーハ処理を停止するように制御されることを特徴とし
ている。

【００１６】この構成によれば、処理が終了して処理室
から搬出されるウェーハにチッピングが検出された場合
に、この処理室内にチッピングを発生させる要因あるい
はチッピングによる汚染等の弊害が生じていると判断し
てその処理室での処理を停止して対策を講じることがで
きる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図１は本発明の実施の形態に
係る半導体製造装置の構成図である。処理すべき１ロッ
ト分の２５枚のウェーハ２が上下に間隔を隔てて水平に
重ねてカセット１内にスライド式に収容される。このカ
セット１は半導体製造装置９の搬入／搬出部８にセット
される。搬入／搬出部８にはロボット（図示しない）が
備わり、カセット１内のウェーハ２を１枚ずつ取り出し
て矢印Ａ方向に移送して位置合わせ装置３上に搭載す
る。ウェーハ２は、この位置合わせ装置３上でウェーハ
２のオリエンテーションフラット２ａ（図２参照）を基
準として所定の位置にセットされる。

【００１８】本実施形態では、この位置合わせ装置３の
上方位置にＣＣＤカメラ４が設置され、ウェーハ２を撮
像する。撮像データは画像処理装置１０により画像処理
されウェーハ２のチッピングの有無を判別する。チッピ
ングが検出された場合には、このウェーハを欠陥ウェー
ハとしてロボットにより排除して次のウェーハをカセッ
ト１から取り出して同様に位置合せ装置３上に搭載す
る。

【００１９】画像処理によりチッピングがないものと判
別されたウェーハ２は、ロボットにより矢印Ｂのように
搬送され処理室６内に搬入される。処理室６内で所定の
処理を施されたウェーハ２は、ロボットにより処理室６
から矢印Ｃのように搬出され、再び位置合わせ装置３上
に搭載される。ここで再びＣＣＤカメラ４により撮像さ
れチッピングの有無が判別される。この搬出時のチッピ
ング検出によりウェーハ２にチッピングが検出された場
合には、このチッピングは処理室６内でのウェーハ処理
中に発生したものであるため、この処理室６での処理を
一旦停止して発生原因を調べてこれに対処し、また、チ
ッピングの破片等による汚染を除去する。

【００２０】搬出時に位置合わせ装置３上に搭載されチ
ッピングが検出されなかったウェーハ２は、ロボットに
より矢印Ｄのように搬送されカセット１内に戻される
（または新たなカセット内に収納される）。

【００２１】処理室６におけるウェーハ処理は、例えば
ＣＶＤ処理、ドライエッチング処理、スパッタ処理、不
純物拡散処理、イオン注入処理等の各種半導体製造プロ
セスでの処理であり、処理室６は真空チャンバーとして
構成される。処理室６は、ウェーハの出し入れ時にこの
処理室６内の真空度を保持するために真空予備室を備え
ていてもよい。この場合、位置合わせ装置はこの真空予
備室内またはその外に設けられる。

【００２２】ウェーハのチッピング検出手段として、上
記ＣＣＤカメラ４と画像処理装置１０による構成に代え
て、発光素子からのレーザ光および光電変換用の受光素
子の組合せによる反射型センサーあるいは透過型センサ
ー等の光学的センサーを用いてもよい。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ウェ
ーハを処理室に搬入する前にウェーハのチッピングが検
出されるため、チッピングが検出されたウェーハを排除
する等の処置をとることができ処理室内でのプロセス障
害を未然に防止できる。また、処理室から搬出されるウ
ェーハのチッピングを検出することにより、この処理室
でのチッピング発生原因に対処するとともに次の工程に
おけるチッピングウェーハによるプロセス障害を未然に
防止できる。これにより、各プロセスでのウェーハ処理
の信頼性を高め、ダウンタイムを減少させて生産性を高
め、歩留りの向上を図るとともに信頼性の高い半導体装
置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の
構成図。

【図２】 チッピングウェーハの説明図。

【符号の説明】

１：カセット、２：ウェーハ、３：位置合わせ装置、
４：ＣＣＤカメラ、６：処理室、７：チッピング、８：
搬入／搬出部、９：半導体製造装置、１０：画像処理装
置。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】処理室に隣接するウェーハの搬入／搬出部
   に、ウェーハのチッピング検出手段を設けたことを特徴
   とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】前記チッピング検出手段は、ＣＣＤカメラ
   を用いた画像処理装置からなることを特徴とする請求項
   １に記載の半導体製造装置。
3. 【請求項３】前記チッピング検出手段は、光学的センサ
   ーからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体製
   造装置。
4. 【請求項４】ウェーハ搬出時にチッピングが検出された
   場合に、前記処理室でのウェーハ処理を停止するように
   制御されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製
   造装置。