JP2000249828A - フォトニック結晶構造 - Google Patents
フォトニック結晶構造Info
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｚ軸方向に電場成分をもたない偏光及び磁場成
分をもたない偏光に対して共通する周波数領域で幅広い
フォトニック・バンドギャップを得る。 【解決手段】フォトニック結晶構造は、Ｚ軸方向に一様
な光波長に相当する辺長を有する複数の長方形ロッド２
が相互に９０度回転されて配置され、この長方形ロッド
の誘電率と大きく異なる誘電率を有し長方形ロッドの周
囲に設けられるＺ軸方向に一様な周囲誘電体１によって
構成される。このため、Ｚ軸方向に電場成分を持たない
偏光及び磁場成分を持たない偏光に対して共通な周波数
領域で光波の伝播を抑制する特性を有するものとするこ
とができる。
分をもたない偏光に対して共通する周波数領域で幅広い
フォトニック・バンドギャップを得る。 【解決手段】フォトニック結晶構造は、Ｚ軸方向に一様
な光波長に相当する辺長を有する複数の長方形ロッド２
が相互に９０度回転されて配置され、この長方形ロッド
の誘電率と大きく異なる誘電率を有し長方形ロッドの周
囲に設けられるＺ軸方向に一様な周囲誘電体１によって
構成される。このため、Ｚ軸方向に電場成分を持たない
偏光及び磁場成分を持たない偏光に対して共通な周波数
領域で光波の伝播を抑制する特性を有するものとするこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の波長領域の
光波の伝播を禁じるフォトニックバンドギャップを形成
するフォトニック結晶構造に関する。
光波の伝播を禁じるフォトニックバンドギャップを形成
するフォトニック結晶構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、誘電率を波長単位で周期的に
大きく変化させると、電磁波が固有のモードを持てない
周波数領域、即ちフォトニック・バンドギャップが形成
され、フォトニック・バンドギャップに相当する光子エ
ネルギーを持つ光の伝播が抑制されるフォトニック結晶
構造が知られている。このようなフォトニック結晶構造
に、人為的に誘電率を変化させた欠陥を導入すると、フ
ォトニック・バンドギャップ中に許容準位が形成され、
その準位に相当する光子エネルギーをもつ光のみの放射
が可能となる。フォトニック結晶構造は、電磁波を制御
するための最も有望な材料であり、単一波長発光ダイオ
−ドや無閾値レ−ザ、フィルタ−及び高密度光集積回路
などの応用面での実用化が期待されるものである。
大きく変化させると、電磁波が固有のモードを持てない
周波数領域、即ちフォトニック・バンドギャップが形成
され、フォトニック・バンドギャップに相当する光子エ
ネルギーを持つ光の伝播が抑制されるフォトニック結晶
構造が知られている。このようなフォトニック結晶構造
に、人為的に誘電率を変化させた欠陥を導入すると、フ
ォトニック・バンドギャップ中に許容準位が形成され、
その準位に相当する光子エネルギーをもつ光のみの放射
が可能となる。フォトニック結晶構造は、電磁波を制御
するための最も有望な材料であり、単一波長発光ダイオ
−ドや無閾値レ−ザ、フィルタ−及び高密度光集積回路
などの応用面での実用化が期待されるものである。
【０００３】このようなフォトニック結晶としては、２
次元的には、図５に示すように、誘電率εａをもつ円形
ロッド１１を、誘電率εａと大きく異なる誘電率εbを
もつ周囲誘電体１０に正方格子状に周期的に配置した周
期面に垂直な方向（以下、Ｚ軸方向と称す）に一様な構
造のもの、あるいは、図６に示すように、誘電率εａを
もつ正方形ロッド２１を、誘電率εａと大きく異なる誘
電率εbをもつ周囲誘電体２０に正方格子状に周期的に
配置されたＺ軸に一様な構造のもの等があった。
次元的には、図５に示すように、誘電率εａをもつ円形
ロッド１１を、誘電率εａと大きく異なる誘電率εbを
もつ周囲誘電体１０に正方格子状に周期的に配置した周
期面に垂直な方向（以下、Ｚ軸方向と称す）に一様な構
造のもの、あるいは、図６に示すように、誘電率εａを
もつ正方形ロッド２１を、誘電率εａと大きく異なる誘
電率εbをもつ周囲誘電体２０に正方格子状に周期的に
配置されたＺ軸に一様な構造のもの等があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな２次元フォトニック結晶においては、図５のよう
に、円形ロッド１１を正方格子状に周期的に配置した場
合、Ｚ軸方向に磁場成分を持たない偏光、所謂ＴＭモ−
ドでは、広いフォトニック・バンドギャップが存在する
が、Ｚ軸方向に電場成分を持たない偏光、所謂ＴＥモ−
ドでは、フォトニック・バンドギャップは円形ロッド１
１と周囲誘電体１０との誘電率比や充填率（誘電率の高
い領域が占める割合。）等の条件により、フォトニック
・バンドギャップは僅かに存在するに過ぎないものであ
った。
うな２次元フォトニック結晶においては、図５のよう
に、円形ロッド１１を正方格子状に周期的に配置した場
合、Ｚ軸方向に磁場成分を持たない偏光、所謂ＴＭモ−
ドでは、広いフォトニック・バンドギャップが存在する
が、Ｚ軸方向に電場成分を持たない偏光、所謂ＴＥモ−
ドでは、フォトニック・バンドギャップは円形ロッド１
１と周囲誘電体１０との誘電率比や充填率（誘電率の高
い領域が占める割合。）等の条件により、フォトニック
・バンドギャップは僅かに存在するに過ぎないものであ
った。
【０００５】一方、図６のように、正方形ロッド２１を
正方格子状に周期的に配置した場合は、円形ロッド１１
の場合とは逆に、ＴＥモ−ドでは、広いフォトニック・
バンドギャップが存在するが、ＴＭモ−ドでは、誘電率
比や充填率等の条件により、フォトニック・バンドギャ
ップは狭いものであった。例えば、正方形ロッド２１を
エアーで構成し、周囲誘電体をエアーに対する誘電率比
８．９のもので構成し、即ちεａ＝１・０、εb＝８．
９とし、充填率を３０%、正方格子の格子定数をａとし
たときのＴＥ、ＴＭ両偏光の計算された光波の状態密度
は、図７に示すように、ＴＥモードとＴＭモードにおい
て光の状態密度が殆どの周波数領域で拮抗しており、フ
ォトニック・バンドギャップが一致する周波数領域は認
められなかった。
正方格子状に周期的に配置した場合は、円形ロッド１１
の場合とは逆に、ＴＥモ−ドでは、広いフォトニック・
バンドギャップが存在するが、ＴＭモ−ドでは、誘電率
比や充填率等の条件により、フォトニック・バンドギャ
ップは狭いものであった。例えば、正方形ロッド２１を
エアーで構成し、周囲誘電体をエアーに対する誘電率比
８．９のもので構成し、即ちεａ＝１・０、εb＝８．
９とし、充填率を３０%、正方格子の格子定数をａとし
たときのＴＥ、ＴＭ両偏光の計算された光波の状態密度
は、図７に示すように、ＴＥモードとＴＭモードにおい
て光の状態密度が殆どの周波数領域で拮抗しており、フ
ォトニック・バンドギャップが一致する周波数領域は認
められなかった。
【０００６】これは、４つの隣接する円形ロッド１１に
囲まれた周囲誘電体１０の誘電体スポット１２がある程
度の大きさで周期的に配置された構造においては、ＴＭ
偏光に対してフォトニック・バンドギャップのできる可
能性が高く、４つの隣接する正方形ロッド２１の間に囲
まれた周囲誘電体２０の狭い誘電体ベイン２２が周期的
に配置された構造においては、ＴＥ偏光に対してフォト
ニック・バンドギャップのできる可能性が高いためであ
ると考えられる。このことは、電磁波伝播の理論計算か
らも明らかにされていたが、ＴＥ、ＴＭ両偏光において
共通の周波数領域で幅広いフォトニック・バンドギャッ
プを有するフォトニック結晶構造は存在しなかった。
囲まれた周囲誘電体１０の誘電体スポット１２がある程
度の大きさで周期的に配置された構造においては、ＴＭ
偏光に対してフォトニック・バンドギャップのできる可
能性が高く、４つの隣接する正方形ロッド２１の間に囲
まれた周囲誘電体２０の狭い誘電体ベイン２２が周期的
に配置された構造においては、ＴＥ偏光に対してフォト
ニック・バンドギャップのできる可能性が高いためであ
ると考えられる。このことは、電磁波伝播の理論計算か
らも明らかにされていたが、ＴＥ、ＴＭ両偏光において
共通の周波数領域で幅広いフォトニック・バンドギャッ
プを有するフォトニック結晶構造は存在しなかった。
【０００７】本発明は上記欠点を解消するためになされ
たものであって、本発明の目的は、ＴＥ、ＴＭ両偏光に
対して共通の周波数領域で幅広いフォトニック・バンド
ギャップを持つ正方格子状の２次元フォトニック結晶構
造を提供するものである。
たものであって、本発明の目的は、ＴＥ、ＴＭ両偏光に
対して共通の周波数領域で幅広いフォトニック・バンド
ギャップを持つ正方格子状の２次元フォトニック結晶構
造を提供するものである。
【０００８】
【発明を解決するための手段】本発明のフォトニック結
晶構造は上記目的を達成するため、Ｚ軸方向に一様な誘
電率の異なる２種の誘電体で形成され、一方の誘電体は
光波長に相当する辺長を有する複数の長方形ロッドであ
って、隣接する当該長方形ロッドが相互に９０度回転さ
れて配置され、他方の誘電体は長方形ロッドの周囲に設
けられ、好ましくは、Ｚ軸方向に電場成分を持たない偏
光及び磁場成分を持たない偏光に対して共通な周波数領
域で光波の伝播を抑制する特性を有するものである。
晶構造は上記目的を達成するため、Ｚ軸方向に一様な誘
電率の異なる２種の誘電体で形成され、一方の誘電体は
光波長に相当する辺長を有する複数の長方形ロッドであ
って、隣接する当該長方形ロッドが相互に９０度回転さ
れて配置され、他方の誘電体は長方形ロッドの周囲に設
けられ、好ましくは、Ｚ軸方向に電場成分を持たない偏
光及び磁場成分を持たない偏光に対して共通な周波数領
域で光波の伝播を抑制する特性を有するものである。
【０００９】また、本発明のフォトニック結晶構造は、
Ｚ軸方向に一様な誘電率の異なる２種の誘電体で形成さ
れ、一方の誘電体は光波長に相当する軸長を有する複数
の楕円形ロッドであって、隣接する当該楕円形ロッドが
相互に９０度回転されて配置され、他方の誘電体は楕円
形ロッドの周囲に設けられ、好ましくは、Ｚ軸方向に電
場成分を持たない偏光及び磁場成分を持たない偏光に対
して共通な周波数領域で光波の伝播を抑制する特性を有
するものである。
Ｚ軸方向に一様な誘電率の異なる２種の誘電体で形成さ
れ、一方の誘電体は光波長に相当する軸長を有する複数
の楕円形ロッドであって、隣接する当該楕円形ロッドが
相互に９０度回転されて配置され、他方の誘電体は楕円
形ロッドの周囲に設けられ、好ましくは、Ｚ軸方向に電
場成分を持たない偏光及び磁場成分を持たない偏光に対
して共通な周波数領域で光波の伝播を抑制する特性を有
するものである。
【００１０】本願発明のフォトニック結晶構造は、光波
長に相当する辺長を有する複数の長方形ロッドを交互に
９０度回転させて配置し、これらと誘電率が大きく異な
りこれらの周囲に設けられる周囲誘電体とで構成したた
め、周囲誘電体は、長辺が短辺より長い部分によって形
成される大きい面積の部分（スポット）と、短辺と長辺
が隣接する部分で形成される狭い面積の部分（ベイン）
が交互に連続した形状となる。このため、Ｚ軸方向に電
場成分を持たない偏光及び磁場成分を持たない偏光に対
して共通な周波数領域で光波の伝播を抑制することがで
きる。
長に相当する辺長を有する複数の長方形ロッドを交互に
９０度回転させて配置し、これらと誘電率が大きく異な
りこれらの周囲に設けられる周囲誘電体とで構成したた
め、周囲誘電体は、長辺が短辺より長い部分によって形
成される大きい面積の部分（スポット）と、短辺と長辺
が隣接する部分で形成される狭い面積の部分（ベイン）
が交互に連続した形状となる。このため、Ｚ軸方向に電
場成分を持たない偏光及び磁場成分を持たない偏光に対
して共通な周波数領域で光波の伝播を抑制することがで
きる。
【００１１】また、同様に光波長に相当する軸長を有す
る楕円形ロッドを交互に９０度回転させて配置し、これ
らと誘電率が大きく異なりこれらの周囲に設けられる周
囲誘電体とで構成したため、周囲誘電体は、長軸が短軸
より長い部分によって形成される大きい面積の部分（ス
ポット）と、楕円の頂部（長軸方向の先端部分）と楕円
の腹部（短軸方向の先端部分）によって形成される狭い
面積の部分（ベイン）が交互に連続した形状となる。こ
のため、Ｚ軸方向に電場成分を持たない偏光及び磁場成
分を持たない偏光に対して共通な周波数領域で光波の伝
播を抑制することができる。
る楕円形ロッドを交互に９０度回転させて配置し、これ
らと誘電率が大きく異なりこれらの周囲に設けられる周
囲誘電体とで構成したため、周囲誘電体は、長軸が短軸
より長い部分によって形成される大きい面積の部分（ス
ポット）と、楕円の頂部（長軸方向の先端部分）と楕円
の腹部（短軸方向の先端部分）によって形成される狭い
面積の部分（ベイン）が交互に連続した形状となる。こ
のため、Ｚ軸方向に電場成分を持たない偏光及び磁場成
分を持たない偏光に対して共通な周波数領域で光波の伝
播を抑制することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のフォトニック結晶構造を
適用した好ましい実施形態について図面を参照して説明
する。本発明のフォトニック結晶構造は、図１に示すよ
うに、誘電率εａを有する複数の長方形ロッド２と、長
方形ロッド２の周囲に設けられ誘電率εｂを有する周囲
誘電体１で構成される。
適用した好ましい実施形態について図面を参照して説明
する。本発明のフォトニック結晶構造は、図１に示すよ
うに、誘電率εａを有する複数の長方形ロッド２と、長
方形ロッド２の周囲に設けられ誘電率εｂを有する周囲
誘電体１で構成される。
【００１３】長方形ロッド２は隣接する４つの長方形ロ
ッド２と相互に９０度回転されて配置される。即ち、長
方形ロッド２を９０度回転させたものを１つおきに配置
したものである。長方形ロッド２の長辺、短辺は光波長
と近似した長さを有し、且つ、長方形ロッド２は従来の
正方形ロッド１２の断面積とほぼ同一の断面積を有す
る。
ッド２と相互に９０度回転されて配置される。即ち、長
方形ロッド２を９０度回転させたものを１つおきに配置
したものである。長方形ロッド２の長辺、短辺は光波長
と近似した長さを有し、且つ、長方形ロッド２は従来の
正方形ロッド１２の断面積とほぼ同一の断面積を有す
る。
【００１４】周囲誘電体１は、このような長方形ロッド
２の周囲に設けられるため、図１に示すように、長方形
ロッド２の長辺が短辺より長い部分によって形成される
誘電体スポット３と、短辺と長辺によって挟まれた狭い
部分の誘電体ベイン４が交互に連続的につながったハイ
ブリッド構造を有する形状となっている。このようなフ
ォトニック結晶構造の長方形ロッド２の長辺と短辺との
長さは所定の割合、長辺に対する短辺の比が０．５を中
心とした割合であることが好ましい。
２の周囲に設けられるため、図１に示すように、長方形
ロッド２の長辺が短辺より長い部分によって形成される
誘電体スポット３と、短辺と長辺によって挟まれた狭い
部分の誘電体ベイン４が交互に連続的につながったハイ
ブリッド構造を有する形状となっている。このようなフ
ォトニック結晶構造の長方形ロッド２の長辺と短辺との
長さは所定の割合、長辺に対する短辺の比が０．５を中
心とした割合であることが好ましい。
【００１５】また、他のフォトニック結晶構造として、
図２に示すように、誘電率εａを有する複数の楕円形ロ
ッド６と、楕円形ロッド６の周囲に設けられ誘電率εｂ
を有する周囲誘電体５で構成される。楕円形ロッド６は
隣接する４つの楕円形ロッド６と相互に９０度回転され
て配置される。即ち、楕円形ロッド６を９０度回転させ
たものを１つおきに配置したものである。楕円形ロッド
６の長軸、短軸は光波長と近似した長さを有し、且つ、
楕円形ロッド６は従来の円形ロッド１１の断面積とほぼ
同一の断面積を有する。
図２に示すように、誘電率εａを有する複数の楕円形ロ
ッド６と、楕円形ロッド６の周囲に設けられ誘電率εｂ
を有する周囲誘電体５で構成される。楕円形ロッド６は
隣接する４つの楕円形ロッド６と相互に９０度回転され
て配置される。即ち、楕円形ロッド６を９０度回転させ
たものを１つおきに配置したものである。楕円形ロッド
６の長軸、短軸は光波長と近似した長さを有し、且つ、
楕円形ロッド６は従来の円形ロッド１１の断面積とほぼ
同一の断面積を有する。
【００１６】周囲誘電体５は、このような楕円形ロッド
６の周囲に設けられるため、図２に示すように、楕円形
ロッド６の長軸が短軸より長い部分によって形成される
誘電体スポット７と、楕円の頂部と復部によって挟まれ
た狭い部分の誘電体ベイン８が交互に連続的につながっ
たハイブリッド構造を有する形状となっている。また、
楕円形ロッド６においても、長軸に対する短軸の比は同
様に０．５を中心としたものであることが好ましい。
６の周囲に設けられるため、図２に示すように、楕円形
ロッド６の長軸が短軸より長い部分によって形成される
誘電体スポット７と、楕円の頂部と復部によって挟まれ
た狭い部分の誘電体ベイン８が交互に連続的につながっ
たハイブリッド構造を有する形状となっている。また、
楕円形ロッド６においても、長軸に対する短軸の比は同
様に０．５を中心としたものであることが好ましい。
【００１７】このようなハイブリッド構造を有するフォ
トニック結晶構造を製造するには、半導体成膜方法を用
いることができる。Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ、ＳｉＯ2等の基板
にＣｒ等のマスクをして長方形あるいは楕円形のパター
ンを転写し、エッチングにより基板にエアーパターンを
形成することにより製造することができる。また、長方
形ロッド等も空乏（エアー）とせず所望の材質のものと
することもできる。
トニック結晶構造を製造するには、半導体成膜方法を用
いることができる。Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ、ＳｉＯ2等の基板
にＣｒ等のマスクをして長方形あるいは楕円形のパター
ンを転写し、エッチングにより基板にエアーパターンを
形成することにより製造することができる。また、長方
形ロッド等も空乏（エアー）とせず所望の材質のものと
することもできる。
【００１８】このようなハイブリッド構造を有するフォ
トニック結晶構造においては、ＴＥ偏光に対するフォト
ニック・バンドギャップと、ＴＭ偏光に対するフォトニ
ック・バンドギャップを共通する周波数領域において有
するものである。長方形ロッド２または楕円形ロッド６
と周囲誘電体１、５との誘電率比や充填率などの条件に
より、ＴＥ偏光とＴＭ偏光に共通する周波数領域で完全
なバンドギャップを生成することができる。
トニック結晶構造においては、ＴＥ偏光に対するフォト
ニック・バンドギャップと、ＴＭ偏光に対するフォトニ
ック・バンドギャップを共通する周波数領域において有
するものである。長方形ロッド２または楕円形ロッド６
と周囲誘電体１、５との誘電率比や充填率などの条件に
より、ＴＥ偏光とＴＭ偏光に共通する周波数領域で完全
なバンドギャップを生成することができる。
【００１９】本発明の実施例として、長方形ロッド２の
短辺と長辺との比を０．５とし、長方形エアーロッド２
の誘電率εａ＝１．０、周囲誘電体Ａｌ2Ｏ3の誘電率ε
ｂ＝８．９、周囲誘電体が占める割合、即ち充填率を３
０％、格子定数ａとしたときのＴＥ偏光とＴＭ偏光に対
する光波の状態密度を理論計算した結果は、図３に示す
ものとなった。図３から明らかなように、規格化周波数
０．３２〜０．３４付近に光波の状態密度がゼロ、即ち
両モードに共通のフォトニック・バンドギャップが生成
されていることがわかる。
短辺と長辺との比を０．５とし、長方形エアーロッド２
の誘電率εａ＝１．０、周囲誘電体Ａｌ2Ｏ3の誘電率ε
ｂ＝８．９、周囲誘電体が占める割合、即ち充填率を３
０％、格子定数ａとしたときのＴＥ偏光とＴＭ偏光に対
する光波の状態密度を理論計算した結果は、図３に示す
ものとなった。図３から明らかなように、規格化周波数
０．３２〜０．３４付近に光波の状態密度がゼロ、即ち
両モードに共通のフォトニック・バンドギャップが生成
されていることがわかる。
【００２０】また、長方形エアーロッド２の格子定数ａ
を０．５μｍとして、長方形エアーロッド２の断面積を
一定として、短辺と長辺の比を変化させたときのバンド
ギャップ幅の変化は、図４に示すとおりである。図４か
らも明らかなように、長方形エアーロッド２の断面積が
一定のとき、長辺に対する短辺の比が０．５に対して、
ＴＥ偏光とＴＭ偏光に共通な周波数領域のバンドギャッ
プの幅が最大であることがわかる。
を０．５μｍとして、長方形エアーロッド２の断面積を
一定として、短辺と長辺の比を変化させたときのバンド
ギャップ幅の変化は、図４に示すとおりである。図４か
らも明らかなように、長方形エアーロッド２の断面積が
一定のとき、長辺に対する短辺の比が０．５に対して、
ＴＥ偏光とＴＭ偏光に共通な周波数領域のバンドギャッ
プの幅が最大であることがわかる。
【００２１】以上の説明は本願発明の一実施例について
であり、本願発明はこれに限定されず、種々の誘電率を
有する公知の材質のものを好適に適用することができ
る。また、２次元構造に限らず、この２次元構造を所定
の厚さのものとすることもできる。
であり、本願発明はこれに限定されず、種々の誘電率を
有する公知の材質のものを好適に適用することができ
る。また、２次元構造に限らず、この２次元構造を所定
の厚さのものとすることもできる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のフォトニック結晶構造によれば、長方形ロッドある
いは楕円形ロッドを交互に９０度回転させた配置とし、
これらと誘電率が大きく異なる誘電率を有する周囲誘電
体で構成したため、ＴＥ偏光、ＴＭ偏光に対して共通す
る周波数領域において幅広いフォトニック・バンドギャ
ップを得ることができる。このため、半導体レーザ、フ
ィルター等に好適に用いることができる。
明のフォトニック結晶構造によれば、長方形ロッドある
いは楕円形ロッドを交互に９０度回転させた配置とし、
これらと誘電率が大きく異なる誘電率を有する周囲誘電
体で構成したため、ＴＥ偏光、ＴＭ偏光に対して共通す
る周波数領域において幅広いフォトニック・バンドギャ
ップを得ることができる。このため、半導体レーザ、フ
ィルター等に好適に用いることができる。
【図１】本発明のフォトニック結晶構造の一実施形態を
示す説明図。
示す説明図。
【図２】本発明の他の実施形態を示す説明図。
【図３】本発明のフォトニック結晶構造の特性の説明
図。
図。
【図４】本発明のフォトニック結晶構造の特性の説明
図。
図。
【図５】従来例の説明図。
【図６】従来例の説明図。
【図７】従来例の特性の説明図。
１、５・・・・・周囲誘電体 ２・・・・・長方形ロッド ６・・・・・楕円形ロッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 PA21 PA24 QA01 RA00 TA00 2H048 AA07 AA09 AA11 GA03 GA11 GA51 GA60
Claims (4)
- 【請求項１】周期面に垂直な方向に一様な誘電率の異な
る２種の誘電体で形成され、一方の誘電体は光波長に相
当する辺長を有する複数の長方形ロッドであって、隣接
する当該長方形ロッドが相互に９０度回転されて配置さ
れ、他方の誘電体は前記長方形ロッドの周囲に設けられ
ることを特徴とするフォトニック結晶構造。 - 【請求項２】周期面に垂直な方向に電場成分を持たない
偏光及び磁場成分を持たない偏光に対して共通な周波数
領域で光波の伝播を抑制する特性を有することを特徴と
する請求項１記載のフォトニック結晶構造。 - 【請求項３】周期面に垂直な方向に一様な誘電率の異な
る２種の誘電体で形成され、一方の誘電体は光波長に相
当する軸長を有する複数の楕円形ロッドであって、隣接
する当該楕円形ロッドが相互に９０度回転されて配置さ
れ、他方の誘電体は前記楕円形ロッドの周囲に設けられ
ることを特徴とするフォトニック結晶構造。 - 【請求項４】周期面に垂直な方向に電場成分を持たない
偏光及び磁場成分を持たない偏光に対して共通な周波数
領域で光波の伝播を抑制する特性を有することを特徴と
する請求項３記載のフォトニック結晶構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5384399A JP2000249828A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | フォトニック結晶構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5384399A JP2000249828A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | フォトニック結晶構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000249828A true JP2000249828A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12954071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5384399A Withdrawn JP2000249828A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | フォトニック結晶構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000249828A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005085911A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Kyoto University | ２次元フォトニック結晶およびこれを用いた光合分波器 |
| US7136561B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Two-dimensional photonic crystal, and waveguide and resonator using the same |
| CN1332239C (zh) * | 2004-02-03 | 2007-08-15 | 复旦大学 | 一种调节二维光子晶体禁带的方法 |
| US7317860B2 (en) | 2005-10-04 | 2008-01-08 | Fujitsu Limited | Optical device having photonic crystal structure |
-
1999
- 1999-03-02 JP JP5384399A patent/JP2000249828A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
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| US7136561B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Two-dimensional photonic crystal, and waveguide and resonator using the same |
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| CN100456050C (zh) * | 2004-03-05 | 2009-01-28 | 国立大学法人京都大学 | 二维光子晶体以及使用此的光合分波器 |
| US7853111B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-12-14 | Kyoto University | Two-dimensional photonic crystal |
| US7317860B2 (en) | 2005-10-04 | 2008-01-08 | Fujitsu Limited | Optical device having photonic crystal structure |
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