JP2000246091A - Method and apparatus for surface treatment of substrate and surface-treated substrate - Google Patents

Method and apparatus for surface treatment of substrate and surface-treated substrate

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JP2000246091A
JP2000246091A JP11374256A JP37425699A JP2000246091A JP 2000246091 A JP2000246091 A JP 2000246091A JP 11374256 A JP11374256 A JP 11374256A JP 37425699 A JP37425699 A JP 37425699A JP 2000246091 A JP2000246091 A JP 2000246091A
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JP
Japan
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substrate
surface treatment
processing chamber
pressure
chamber
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Japanese (ja)
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Yoshikazu Kondo
慶和 近藤
Kazuhiro Fukuda
和浩 福田
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Konica Minolta Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable efficient, uniform surface treatment at a high efficiency of giving a polar functional group a substrate and improve the adhesivity of the substrate, even when the substrate is conveyed at a high speed. SOLUTION: In a surface treatment method of a lengthy substrate 1, a treatment part 2 for plasma-treating the substrate 1 continuously conveyed continuously under the atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure is provided. The treatment part 2 is a treatment chamber having the inlet and outlet of the substrate 1. In the surface treatment of the substrate 1 by plasma generated by forming a pulsing electric field in the substrate 1 in the treatment chamber, the percentage of reaction gas in treatment gas to be seal in the treatment chamber is at least 30%, and the pressure of the treatment chamber is set up to be higher than the atmospheric pressure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン化銀写真
感光材料、磁気記録媒体や画像形成用材料等に有用な連
続搬送される基体を大気圧もしくはその近傍の圧力下で
パルス化された電界を用いて放電プラズマ処理を施す基
体の表面処理方法及びその装置並びに表面処理した基体
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a continuously transported substrate useful for a silver halide photographic light-sensitive material, a magnetic recording medium, an image-forming material, and the like. The present invention relates to a method and an apparatus for treating a surface of a substrate to be subjected to a discharge plasma treatment using the same and a substrate subjected to a surface treatment.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、構成層の基体への接着性を助長さ
せ得る技術として、真空グロー放電処理や火炎処理等が
提案されて来た。しかし火炎処理は基体に与えるダメー
ジ、炎の揺らぎによる処理面の不均一さ、処理の強弱の
コントロールの難しさ、危険性などがあり、課題も多
い。真空グロー放電処理は処理する設備自体を真空にす
ることにより容量に自ずと限界があり、生産性とコスト
の面から好ましい方法ではない。2. Description of the Related Art In recent years, vacuum glow discharge treatment, flame treatment and the like have been proposed as techniques which can promote the adhesion of a constituent layer to a substrate. However, the flame treatment has many problems, such as damage to the substrate, unevenness of the treated surface due to fluctuation of the flame, difficulty in controlling the intensity of the treatment, and danger. The vacuum glow discharge treatment is naturally not limited in terms of productivity and cost because the capacity of the treatment equipment itself is limited by evacuating the equipment itself.

【０００３】これに対して、最近、大気圧あるいはその
近傍の圧力下でヘリウムガスを使用して放電し処理する
方法が特開平３−１４３９３０号、同４−７４５２５
号、特公平２−４８６２６号、同６−７２３０８号、同
７−４８４８０号公報等により提案された。これらの多
くは、外気から遮断された処理室を設け、この処理室内
に処理ガスを封入し、処理室内に配置した電極間で放電
を行うことにより、プラズマを発生させるものである。On the other hand, recently, a method of discharging and treating by using helium gas at or near atmospheric pressure is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 3-143930 and 4-74525.
And Japanese Patent Publication Nos. 2-48626, 6-72308, and 7-48480. In many of these, plasma is generated by providing a processing chamber shielded from the outside air, sealing a processing gas in the processing chamber, and performing discharge between electrodes arranged in the processing chamber.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公報に記
載されている表面処理方法においては、処理する電極間
に供給するガスのヘリウムガスが非常に高価なため、工
業生産には適し難い。このため基体を連続搬送しながら
処理が出来て、ハロゲン化銀写真感光材料の構成層等の
如き非接着物質の基体への接着性を助長し得る、しかも
コストが安く、生産性に優れた処理方法が求められてい
た。However, in the surface treatment method described in the above publication, helium gas supplied between the electrodes to be treated is very expensive, so that it is difficult to be suitable for industrial production. For this reason, processing can be performed while the substrate is continuously transported, which can promote the adhesion of non-adhesive substances such as constituent layers of a silver halide photographic light-sensitive material to the substrate, and can be performed at low cost and with excellent productivity. A way was sought.

【０００５】また、従来の方法では、基体の搬送速度が
３m/minを越えると、外部空気の巻き込みにより、放電
プラズマ中に空気が混入し、表面処理性能に悪影響を及
ぼす欠点があった。これは搬送される基体に同伴する空
気、いわゆる同伴エアが処理室内に巻き込まれることに
よって、処理ガスが不均一になり、処理室内で放電によ
り発生しているプラズマが不安定になることに起因して
いる。これを解決すべく、特開平１０−１３０８５１号
公報に記載の技術では、走行速度を上げても基体の表面
処理を可能にするために、基体の搬送方向とは逆の方向
から連続的に処理ガスを接触させ、パルス化された電界
を印加する処理方法を開示している。しかし、基体の搬
送方向とは逆の方向から連続的に処理ガスを接触させる
という方法では、基体の搬入及び搬出時に空気の持ち込
みがさけられず、特に処理室と外部との圧バランスが逆
転した場合には、外部空気の量が多くなるか、あるいは
処理ガスの外部放出につながる。外部空気の進入が多く
なれば、基体の表面処理への極性官能基（例えばアミノ
基、カルボキシル基、水酸基、カルボニル基等）の付与
効率が悪くなり、効率的な且つ均一な処理ができなくな
り、特に基体表面に構成層との強固な接着性を必要とす
るハロゲン化銀写真感光材料、画像形成用材料や磁気記
録媒体等に対して品質上重大な欠陥となっており、それ
が超高速搬送になればなるほど、目立つようになった。
また処理ガスの外部放出は無駄にコストを浪費すること
になる。Further, in the conventional method, when the transport speed of the substrate exceeds 3 m / min, there is a drawback that air is mixed into the discharge plasma due to entrainment of external air, which adversely affects the surface treatment performance. This is because air entrained in the substrate being transported, so-called entrained air, is entrained in the processing chamber, causing the processing gas to become non-uniform and the plasma generated by discharge in the processing chamber to become unstable. ing. In order to solve this problem, according to the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-130851, in order to enable the surface treatment of the substrate even when the running speed is increased, the processing is continuously performed in a direction opposite to the transport direction of the substrate. Disclosed is a processing method of contacting a gas and applying a pulsed electric field. However, in the method of continuously contacting the processing gas from the direction opposite to the transport direction of the substrate, air was not brought in at the time of loading and unloading the substrate, and the pressure balance between the processing chamber and the outside was particularly reversed. In this case, the amount of external air is increased or leads to external discharge of the processing gas. If the invasion of external air increases, the efficiency of imparting polar functional groups (for example, amino group, carboxyl group, hydroxyl group, carbonyl group, etc.) to the surface treatment of the substrate becomes poor, and efficient and uniform treatment cannot be performed. In particular, it is a serious defect in quality for silver halide photographic materials, image forming materials, magnetic recording media, etc., which require strong adhesion to the constituent layers on the substrate surface. The more it became, the more noticeable it became.
Further, the external discharge of the processing gas wastes costs.

【０００６】またこの特開平１０−１３０８５１号公報
に記載の技術では、高速搬送と称しているが、実施例を
見てもせいぜい３０m/min程度である。近年では、設備
の効率化から数百m/minというような超高速の搬送速度
が要求されるように成ってきているが、かかる要請を満
足するまでには至っていない。In the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-130851, the speed is referred to as high-speed conveyance, but the speed is at most about 30 m / min in the embodiments. In recent years, ultra-high-speed transport speeds of several hundred m / min have been required in order to improve the efficiency of equipment, but such requirements have not yet been satisfied.

【０００７】そこで、本発明者は、前者の課題であるコ
ストが安く、生産性に優れた処理技術を開発すべく、鋭
意検討の結果、特別に処理ガスを封入した処理室を必ず
しも必要とせず、開放された大気中であっても基体表面
の接着性向上や、極性官能基の付与効率を向上させる方
法として、パルス化された電界を形成することにより発
生するプラズマ中で表面処理を行うことを見いだした。The inventor of the present invention has conducted intensive studies to develop a processing technique of low cost and excellent productivity, which is the former problem, and as a result, has not always required a processing chamber in which a processing gas is specially filled. As a method of improving the adhesiveness of the substrate surface even in the open air and improving the efficiency of imparting polar functional groups, surface treatment is performed in plasma generated by forming a pulsed electric field. Was found.

【０００８】また本発明者は、後者の課題である、超高
速搬送においても、基体表面の接着性を向上させ、極性
官能基の付与効率が高く、効率的な且つ均一な表面処理
ができる技術を開発すべく、鋭意検討を行った結果、処
理室内の基体にパルス化された電界を印加して表面処理
する際に、該処理部に封入する処理ガス中の反応ガスの
割合が３０％以上であり、該処理室内の気圧が外圧より
高いことにより、課題を解決できることを見出し、本発
明に至ったものである。The present inventor has also developed a technique for improving the adhesiveness of the surface of a substrate, providing a polar functional group with high efficiency, and enabling efficient and uniform surface treatment even in ultra-high-speed conveyance, which is the latter problem. As a result of diligent studies to develop a process, when a pulsed electric field is applied to a substrate in a processing chamber to perform a surface treatment, a ratio of a reaction gas in a processing gas sealed in the processing section is 30% or more. The present inventors have found that the problem can be solved by setting the atmospheric pressure in the processing chamber higher than the external pressure, and have reached the present invention.

【０００９】即ち、本発明の第１の課題は、コストが安
く、生産性に優れた基体の表面処理方法及びその装置並
びに表面処理した基体を提供することにある。That is, a first object of the present invention is to provide a method and an apparatus for treating a surface of a substrate which are inexpensive and have excellent productivity, and a substrate which has been subjected to a surface treatment.

【００１０】また本発明の第２の課題は、基体の超高速
搬送においても、基体表面の接着性を向上させ、基体へ
の極性官能基の付与効率が高く、効率的な且つ均一な表
面処理ができる基体の表面処理方法及びその装置並びに
表面処理した基体を提供することにある。なお、本明細
書中では「基体」という語は表面処理される対象物を示
すものとして、広く用いられる。そして具体的にはウェ
ブなどと呼ばれる長尺の支持体、シート状の支持体など
が挙げられる。A second object of the present invention is to improve the adhesiveness of the surface of a substrate, to provide a polar functional group to the substrate with high efficiency, and to provide an efficient and uniform surface treatment even in ultra-high-speed transport of the substrate. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for treating the surface of a substrate, and a substrate subjected to a surface treatment. In this specification, the term "substrate" is widely used to indicate an object to be surface-treated. Specific examples thereof include a long support called a web or the like, a sheet-like support, and the like.

【００１１】本発明の他の課題は、以下の記載によって
明らかになる。[0011] Other objects of the present invention will become apparent from the following description.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の上記第１の課題
は、任意の基体に対し、プラズマによる表面処理を行う
表面処理方法において、大気圧もしくはその近傍の圧力
下で、パルス化された電界中で発生させたプラズマを用
いることを特徴とする表面処理方法（以下、この方法を
第１の方法という）によって達成される。好ましい態様
は、基体が連続的に搬送される長尺物であること、ある
いは基体がシート状であることである。またさらに好ま
しい態様は、表面処理を行う前に、前記基体表面の帯電
量が±５００Ｖ以下になるまで、除電処理を行うこと、
更に除電処理を行った後に、前記基体表面の塵埃を除去
してから、表面処理を行うことである。SUMMARY OF THE INVENTION The first object of the present invention is to provide a method for surface-treating an arbitrary substrate by using a plasma, wherein the substrate is pulsed under atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure. This is achieved by a surface treatment method characterized by using plasma generated in an electric field (hereinafter, this method is referred to as a first method). In a preferred embodiment, the substrate is a long object that is continuously conveyed, or the substrate is a sheet. In a still more preferred embodiment, before performing the surface treatment, performing a charge removal treatment until the charge amount of the substrate surface becomes ± 500 V or less;
Further, after performing the static elimination treatment, the surface treatment is performed after removing dust on the substrate surface.

【００１３】また本発明の上記第１の課題は、上記の方
法により表面処理したことを特徴とする表面処理した基
体によって達成される。好ましい態様は、基体がポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポ
リエチレン及びポリプロピレンから選ばれるフィルム、
トリアセチルセルロースまたは樹脂被覆印画紙基体であ
ることであり、また写真感光材料用基体であることであ
る。[0013] The first object of the present invention is attained by a surface-treated substrate characterized by being surface-treated by the above-mentioned method. A preferred embodiment is a film wherein the substrate is selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene,
It is a substrate for photographic paper coated with triacetyl cellulose or resin, and a substrate for photographic light-sensitive materials.

【００１４】更に本発明の上記第１の課題は、連続搬送
される長尺状の基体を大気圧もしくはその近傍の圧力
下、連続的にプラズマ処理する処理部を有する基体の表
面処理装置において、該処理部を通過する基体にパルス
化された電界を印加する電極を有し、該処理部が大気開
放されていることを特徴とする基体の表面処理装置（以
下、この装置を第１の装置という）によって達成され
る。Further, the first object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus for a substrate having a processing unit for continuously plasma-treating a continuously transported long substrate under atmospheric pressure or a pressure close thereto. A substrate processing apparatus having an electrode for applying a pulsed electric field to a substrate passing through the processing section, wherein the processing section is open to the atmosphere (hereinafter referred to as a first apparatus) ).

【００１５】更に本発明の上記第１の課題は、上記の表
面処理装置を用いて表面処理したことを特徴とする表面
処理した基体によって達成される。好ましい態様は、基
体がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる
フィルム、トリアセチルセルロース又は樹脂被覆印画紙
基体であることであり、また写真感光材料用基体である
ことである。Further, the first object of the present invention is attained by a surface-treated substrate characterized by being subjected to a surface treatment using the above-mentioned surface treatment apparatus. In a preferred embodiment, the substrate is a film selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, triacetyl cellulose or a resin-coated photographic paper substrate, and is a substrate for a photographic light-sensitive material.

【００１６】更に本発明の上記第２課題は、任意の基体
に対し、プラズマによる表面処理を行う表面処理方法に
おいて、前記基体は連続的に搬送されるものであると共
に、該基体の入口と出口とをそなえた処理室内に、反応
ガスが３０体積％以上の処理ガスを、処理室外の気圧よ
りも高い気圧で封入しておき、該処理室内にパルス化さ
れた電界を形成することによって発生させたプラズマを
用いて、表面処理を行うことを特徴とする表面処理方法
（以下、この方法を第２の方法という）によって達成さ
れる。A second object of the present invention is to provide a surface treatment method for performing surface treatment on an arbitrary substrate by using a plasma, wherein the substrate is continuously transported, and an inlet and an outlet of the substrate are provided. A processing gas containing 30% by volume or more of a reaction gas is sealed in a processing chamber having a pressure higher than the pressure outside the processing chamber, and is generated by forming a pulsed electric field in the processing chamber. This is achieved by a surface treatment method characterized in that surface treatment is carried out using the plasma obtained (hereinafter, this method is referred to as a second method).

【００１７】好ましい態様は、処理室の気圧が外圧より
０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上高いこと、処理室内の酸素濃
度を６００ｐｐｍ以下に調整すること、表面処理前に、
予め基体表面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うこ
とである。It is preferable that the pressure in the processing chamber is higher than the external pressure by 0.03 mmAqHg or more, the oxygen concentration in the processing chamber is adjusted to 600 ppm or less,
This means that the surface of the base is subjected to a static elimination process in advance, and further dust is removed.

【００１８】更に本発明の上記第２課題は、上記の表面
処理方法により表面処理したことを特徴とする表面処理
した基体によって達成される。好ましい態様は、基体
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる
フィルム、トリアセチルセルロースまたは樹脂被覆印画
紙基体であることであり、また写真感光材料用基体であ
ることである。Further, the second object of the present invention is attained by a surface-treated substrate characterized by being subjected to a surface treatment by the above-mentioned surface treatment method. In a preferred embodiment, the substrate is a film selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, triacetyl cellulose or a resin-coated photographic paper substrate, and a substrate for a photographic material.

【００１９】更に本発明の上記第２課題は、連続搬送さ
れる長尺状の基体を大気圧もしくはその近傍の圧力下、
連続的にプラズマ処理する処理部を有する基体の表面処
理装置において、該処理部が前記基体の入口と出口を有
する処理室であり、該処理室内の基体にパルス化された
電界を印加する電極を有し、該処理室に封入する処理ガ
ス中の反応ガスの割合を３０％以上に調整する手段を有
すると共に該処理室内の気圧を外圧より高く調整する構
成を有することを特徴とする基体の表面処理装置（以
下、この装置を第２の装置という）によって達成され
る。Further, the second object of the present invention is to continuously elongate a long substrate under atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure.
In a substrate surface treatment apparatus having a processing unit for performing continuous plasma processing, the processing unit is a processing chamber having an inlet and an outlet of the substrate, and an electrode for applying a pulsed electric field to the substrate in the processing chamber is provided. A surface of the substrate, comprising means for adjusting the proportion of the reaction gas in the processing gas sealed in the processing chamber to 30% or more, and having a configuration for adjusting the pressure in the processing chamber to be higher than the external pressure. This is achieved by a processing device (hereinafter, this device is referred to as a second device).

【００２０】好ましい態様は、（１）前記処理室に隣接
して処理ガスの少なくとも１成分を有している予備室を
具有しており、該予備室は基体の入口側に一つ、または
出入口両側に一つづつ有し、該処理室の気圧が、該処理
室と隣接する予備室の気圧より０．０３ｍｍＡｑＨｇ以
上高いことであり、また（２）前記処理室に隣接して予
備室を具有しており、該予備室は該処理室の基体の入口
側に二つ以上、または出入口の両側にそれぞれ二つ以上
有し、少なくとも１つの予備室の気圧が、隣り合い且つ
処理室より遠い位置の次の予備室の気圧より０．０３ｍ
ｍＡｑＨｇ以上高いことであり、より好ましくは予備室
の少なくとも一つが、処理ガスの少なくとも一成分を有
することである。In a preferred embodiment, (1) a preliminary chamber having at least one component of the processing gas is provided adjacent to the processing chamber, and the preliminary chamber is provided at the inlet side of the substrate or at an entrance or exit. One is provided on each side, and the pressure in the processing chamber is higher than the pressure in the preliminary chamber adjacent to the processing chamber by 0.03 mmAqHg or more, and (2) a preliminary chamber is provided adjacent to the processing chamber. The preliminary chamber has two or more on the inlet side of the substrate of the processing chamber, or two or more on each side of the entrance and exit, and the pressure of at least one preliminary chamber is adjacent to and far from the processing chamber. 0.03m from the pressure in the next spare room
mAqHg or more, and more preferably at least one of the preliminary chambers has at least one component of the processing gas.

【００２１】更に他の好ましい態様は、（３）予備室の
少なくとも１つが、減圧手段を有することであり、
（４）隣接する室間の間仕切り手段が、基体に対して所
定の間隙を保ち、且つ非接触であるか、または隣接する
室間の間仕切り手段が、基体に対して接触する少なくと
も１対のロールであることであり、より好ましくは前記
ロールのうち少なくとも一つがゴムロールであることで
ある。Still another preferred embodiment is that (3) at least one of the preliminary chambers has a decompression means,
(4) At least one pair of rolls in which the partitioning means between adjacent chambers keeps a predetermined gap with respect to the substrate and is non-contact, or the partitioning means between adjacent chambers contacts the substrate. It is more preferable that at least one of the rolls is a rubber roll.

【００２２】更に他の好ましい態様は、（５）処理室内
の酸素濃度を６００ｐｐｍ以下に調整することであり、
（６）電極が、円筒型電極であるか、ロール型電極であ
るか、又はガスフロー型曲面電極であることである。In still another preferred embodiment, (5) the oxygen concentration in the processing chamber is adjusted to 600 ppm or less.
(6) The electrode is a cylindrical electrode, a roll electrode, or a gas flow type curved electrode.

【００２３】更に本発明の上記第２課題は、上記の表面
処理装置を用いて表面処理したことを特徴とする表面処
理した基体によって達成される。好ましい態様は、基体
が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる
フィルム、トリアセチルセルロース又は樹脂被覆印画紙
基体であることであり、また写真感光材料用基体である
ことである。Further, the second object of the present invention is achieved by a surface-treated substrate characterized in that the surface is treated using the above-mentioned surface treatment apparatus. In a preferred embodiment, the substrate is a film selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, triacetyl cellulose or a resin-coated photographic paper substrate, and a substrate for a photographic material.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【００２５】図１は本発明の第１の方法及び装置を説明
するための概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining a first method and apparatus of the present invention.

【００２６】図１において、１は連続搬送される長尺状
の基体であり、２は大気圧もしくはその近傍の圧力下、
連続的にプラズマ処理する処理部であり、３、４は一対
の電極である。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a long substrate which is continuously conveyed, and 2 denotes a substrate under atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure.
A processing unit for performing continuous plasma processing, and reference numerals 3 and 4 denote a pair of electrodes.

【００２７】処理部２は第１の方法を実施するために大
気開放状態になっており、処理室を構成しておらず、一
対の電極３，４の間に形成される間隙が処理部を構成す
る。すなわち処理ガスを封入しておくための処理室を設
けることなく、プラズマを発生させるための電極を大気
開放下に配置している。このような状態を大気開放状態
と呼ぶことにする。The processing section 2 is open to the atmosphere in order to carry out the first method, does not constitute a processing chamber, and a gap formed between the pair of electrodes 3 and 4 serves as a processing section. Constitute. That is, the electrodes for generating plasma are arranged under the open air without providing a processing chamber for enclosing the processing gas. Such a state will be referred to as an open-to-atmosphere state.

【００２８】処理部２には大気圧もしくはその近傍の圧
力下に自然に存在する空気があればよいが、空気の流れ
を付けたり、あるいはその流れを規制したり、整流する
ための遮蔽板やニップロールを付加することもできる。
また発生した副産物（例えばガス等）を排出、廃棄する
ための廃棄ダクトを設けることもできる。The processing section 2 only needs to have air that exists naturally under the atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure. However, a shielding plate for adding or regulating the flow of the air, or for rectifying the flow of the air may be used. A nip roll can be added.
Further, a disposal duct for discharging and discarding generated by-products (for example, gas) can be provided.

【００２９】処理部２において表面処理されると、基体
表面への塗布性及び塗膜の膜付き性が向上し、官能基の
付与性が向上し、更に光学的、電気的、機械的等の機能
を有する表面が形成され、塗布性の向上という点でみれ
ば、かかる表面処理後はすぐに塗布することが、処理面
の経時劣化を防ぐ点で好ましい。When the surface treatment is performed in the processing section 2, the coating property on the substrate surface and the coating property of the coating film are improved, the functional group imparting property is improved, and the optical, electrical, mechanical and other properties are improved. From the viewpoint of forming a functional surface and improving coatability, it is preferable to apply the coating immediately after the surface treatment in order to prevent deterioration of the treated surface with time.

【００３０】図示の例で、一対の電極３，４は金属電極
３Ａ,４Ａと固体誘電体3Ｂ、4Ｂで構成され、金属電極
３Ａ,４Ａは銀、金、銅、ステンレス、アルミニウム、
等の通電可能な材料を固体誘電体3Ｂ、4Ｂに貼り付ける
のが一般的であるが、固体誘電体3Ｂ、4Ｂにメッキ、蒸
着、コーティング、溶射等で付けることもできる。In the illustrated example, the pair of electrodes 3 and 4 are composed of metal electrodes 3A and 4A and solid dielectrics 3B and 4B, and the metal electrodes 3A and 4A are silver, gold, copper, stainless steel, aluminum,
In general, a material that can conduct electricity, such as, is attached to the solid dielectrics 3B, 4B, but may be attached to the solid dielectrics 3B, 4B by plating, vapor deposition, coating, thermal spraying, or the like.

【００３１】固体誘電体3Ｂ、4Ｂとしては、気密性の高
い高耐熱性のセラミックを焼結した焼結型セラミックス
を用いることが好ましい。焼結型セラミックスの材質と
しては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、
炭化珪素系のセラミックスである。焼結型セラミックス
の厚みは０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。また、
体積固有抵抗は１０8Ω・ｃｍ以上が好ましい。As the solid dielectrics 3B and 4B, it is preferable to use a sintered ceramic obtained by sintering a highly airtight and high heat resistant ceramic. As the material of the sintered ceramics, for example, alumina, zirconia, silicon nitride,
It is a silicon carbide ceramic. The thickness of the sintered ceramic is preferably 0.5 mm or more and 5 mm or less. Also,
The volume resistivity is preferably 10 8 Ω · cm or more.

【００３２】焼結型セラミックスとして、アルミナ系焼
結型セラミックスを用いる場合、純度９９．６％以上の
アルミナ系焼結型セラミックスを用いることが、電極の
耐久性を上げる点で好ましい。純度９９．６％以上のア
ルミナ系焼結型セラミックスに関しては、本出願人が先
に提案した発明（特願平９−３６７４１３号）を参考に
できる。When an alumina-based sintered ceramic is used as the sintered ceramic, it is preferable to use an alumina-based sintered ceramic having a purity of 99.6% or more from the viewpoint of increasing the durability of the electrode. Regarding the alumina-based sintered ceramics having a purity of 99.6% or more, the invention (Japanese Patent Application No. 9-369413) previously proposed by the present applicant can be referred to.

【００３３】この焼結型セラミックスを用いた電極の製
造方法は耐熱性の高いセラミックスを焼結させて焼結型
セラミックスを作り、その焼結型セラミックスにメッ
キ、蒸着、溶射またはコーティング等して金属電極を付
着させる。In the method of manufacturing an electrode using this sintered ceramic, a sintered ceramic having high heat resistance is sintered to produce a sintered ceramic, and the sintered ceramic is plated, vapor-deposited, sprayed or coated to form a metal. Attach electrodes.

【００３４】また固体誘電体3Ｂ、4Ｂとしては、特願平
１０−３００９８４号に記載の低温ガラスライニングを
用いることもできる。As the solid dielectrics 3B and 4B, a low-temperature glass lining described in Japanese Patent Application No. 10-300984 can be used.

【００３５】金属電極3Ａ、4Ａは固体誘電体3Ｂ、4Ｂに
よって全部が被覆されていてもよいし、一部が被覆され
るだけでもよい。The metal electrodes 3A, 4A may be entirely covered with the solid dielectrics 3B, 4B or may be only partially covered.

【００３６】電極間の間隙は、対向する固体誘電体3Ｂ
と4Ｂの表面間の距離で、０．３〜１０ｍｍの範囲が好
ましく、より好ましくは３〜７ｍｍの範囲である。ま
た、図１では一対の電極3、4のように平板電極を用いて
あるが、一方もしくは双方の電極を円筒電極、ロール状
電極としてもよく、あるいはガスフロー型の曲面電極を
用いてもよい。かかる電極の詳細は第２の方法及び装置
の説明で詳述する。The gap between the electrodes is the opposite solid dielectric 3B.
And the distance between the surfaces of 4B is preferably in the range of 0.3 to 10 mm, more preferably in the range of 3 to 7 mm. Further, in FIG. 1, a flat electrode is used like the pair of electrodes 3 and 4, but one or both electrodes may be a cylindrical electrode, a roll electrode, or a gas flow type curved surface electrode. . Details of such an electrode will be described in the description of the second method and apparatus.

【００３７】この一対の電極３、４のうち一方の電極３
に高周波電源５が接続され、他方の電極４はアース６に
より接地されており、一対の電極３、４間にパルス化さ
れた電界を印加できるように構成されている。One electrode 3 of the pair of electrodes 3 and 4
Is connected to a high-frequency power supply 5 and the other electrode 4 is grounded by an earth 6, so that a pulsed electric field can be applied between the pair of electrodes 3 and 4.

【００３８】第１の方法において、表面処理前に、予め
基体表面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うこと
は、表面処理の均一性が更に向上するので好ましい。除
電手段としては、通常のブロアー式、接触式以外に、複
数の正負イオン生成用除電電極と基体を挟むようにイオ
ン吸引電極を対向させた除電装置と、その後正負の直流
式除電装置を設けた高密度除電システム（特開平７−２
６３１７３号）を用いることも好ましい。またこのとき
の基体帯電量は±５００V以下が好ましい。また除電処
理後のゴミ除去手段としては、非接触式のジェット風式
減圧型ゴミ除去装置（特開平７−６０２１１号）等が好
ましいが、これに限定される訳ではない。表面処理を行
う前に基体表面の帯電量を減らし、かつ付着した塵埃な
どのゴミを除去することは、プラズマによる表面改質効
果を向上・安定させるのに好ましい。特に帯電量を減ら
すことを除電処理と呼び、塵埃などのゴミを除去するこ
とをゴミ除去と呼ぶこととする。In the first method, it is preferable that before the surface treatment, the surface of the substrate is subjected to a static elimination treatment in advance to further remove dust, since the uniformity of the surface treatment is further improved. As the static elimination means, in addition to a normal blower type and a contact type, a static eliminator in which a plurality of positive and negative ion generating static elimination electrodes and an ion suction electrode were opposed so as to sandwich a substrate, and thereafter a positive and negative DC type static eliminator were provided. High density static elimination system
63173) is also preferred. At this time, the charge amount of the substrate is preferably ± 500 V or less. As the dust removing means after the charge removal treatment, a non-contact type jet wind decompression type dust removing device (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-60211) is preferable, but not limited thereto. It is preferable to reduce the amount of charge on the surface of the substrate and remove dust such as dust before performing the surface treatment in order to improve and stabilize the surface modification effect by plasma. In particular, reducing the charge amount is referred to as static elimination processing, and removing dust and other dust is referred to as dust removal.

【００３９】本発明の第１の方法及び装置において、大
気圧近傍の圧力下とは、１００〜８００Torrの圧力下で
あり、好ましくは７００〜７８０Torrの範囲である。In the first method and apparatus according to the present invention, the pressure under the atmospheric pressure is a pressure of 100 to 800 Torr, preferably in a range of 700 to 780 Torr.

【００４０】この方法では、上記対向する電極間にパル
ス化された電界を形成することにより、プラズマを発生
させるが、パルス波形は例えば図２に示す例が挙げられ
るが、これに限定されず、特開平１０−１３０８５１号
公報の図１の（a）〜 （d）のパルス波形であってもよ
い。図２において、縦軸はパルス電圧、横軸は時間であ
る。In this method, a plasma is generated by forming a pulsed electric field between the opposing electrodes. The pulse waveform is, for example, an example shown in FIG. 2, but is not limited thereto. The pulse waveforms shown in FIGS. 1A to 1D of JP-A-10-130851 may be used. In FIG. 2, the vertical axis represents the pulse voltage, and the horizontal axis represents time.

【００４１】かかるパルス化された電界を印加すること
により発生した放電プラズマを表面処理に用いると、空
気中であっても十分表面処理機能があることを見出し、
本発発明に至ったものである。It has been found that when the discharge plasma generated by applying such a pulsed electric field is used for surface treatment, it has a sufficient surface treatment function even in air.
This has led to the present invention.

【００４２】パルス電界の周波数は、５k〜１００kHzの
範囲が好ましい。The frequency of the pulse electric field is preferably in the range of 5 kHz to 100 kHz.

【００４３】一つのパルス電界が印加される時間は１μ
s〜１０００μsであることが好ましい。一つのパルス電
界が印加される時間というのは、図２における一つのパ
ルス波形のパルスが印加される時間である。The time for applying one pulse electric field is 1 μm.
It is preferably s to 1000 μs. The time during which one pulse electric field is applied is the time during which a pulse having one pulse waveform in FIG. 2 is applied.

【００４４】対向電極に印加する電圧の大きさは、特に
限定されないが、電極に印加した時の電界強度が１〜１
００kV/cmとなる範囲になるようにすることが好まし
い。The magnitude of the voltage applied to the counter electrode is not particularly limited, but the electric field strength when applied to the electrode is 1 to 1
It is preferable to set the range to be 00 kV / cm.

【００４５】次に本発明の第２の方法及び装置について
説明する。Next, a second method and apparatus according to the present invention will be described.

【００４６】図３は本発明の第２の方法及び装置の一実
施の形態を示す概略構成図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an embodiment of the second method and apparatus according to the present invention.

【００４７】同図に示すように、連続搬送される長尺状
の基体１を大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的に
プラズマ処理するための処理部２が前記基体１の入口２
Ｂと出口２Ｂを有する間仕切りされた処理室によって構
成されている。以下、処理部を処理室として説明する。As shown in FIG. 1, a processing unit 2 for continuously plasma-treating a continuously transported long substrate 1 under atmospheric pressure or a pressure close thereto is provided with an inlet 2 of the substrate 1.
B and a partitioned processing chamber having an outlet 2B. Hereinafter, the processing unit will be described as a processing chamber.

【００４８】処理室２には対向する平板電極３，４が設
けられている。この平板電極の構成は第１の方法及び装
置で使用したものと同一でよい。The processing chamber 2 is provided with opposed plate electrodes 3 and 4. The configuration of the plate electrode may be the same as that used in the first method and apparatus.

【００４９】図示の例では、処理室２に隣接して基体の
入口側に予備室１０が設けられ、その予備室１０に隣接
して予備室１１が設けられている。基体の出口側にも処
理室２に隣接して予備室１２が設けられている。In the illustrated example, a preliminary chamber 10 is provided adjacent to the processing chamber 2 on the inlet side of the substrate, and a preliminary chamber 11 is provided adjacent to the preliminary chamber 10. A preliminary chamber 12 is also provided adjacent to the processing chamber 2 on the outlet side of the substrate.

【００５０】予備室を設ける場合、図示のように、基体
１の入口側に二つ、出口側に一つを設ける態様であって
もよいが、これに限定されず、基体１の出入口側に一つ
づつ設ける態様、入口側に二つ設け、出口側に設けない
態様、あるいは入口側に二つ以上、出口側に二つ以上設
ける態様でもよい。In the case where the preliminary chamber is provided, as shown in the drawing, an embodiment may be provided in which two are provided on the inlet side of the base 1 and one is provided on the outlet side. A mode in which one is provided one by one, a mode in which two are provided on the inlet side, and a mode in which two are not provided on the outlet side, or a mode in which two or more are provided on the inlet side and two or more on the outlet side may be used.

【００５１】いずれの態様であっても、処理室内の気圧
が、該処理室と隣接する予備室の気圧より高いことが必
要であり、好ましくは０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上高いこ
とであ る。このように処理室と予備室の間でも圧力差
を設けることによって、外部空気の混入を防止し、反応
ガスの有効使用が可能となり、表面処理効果も更に向上
する。In any case, the pressure in the processing chamber needs to be higher than the pressure in the preliminary chamber adjacent to the processing chamber, and is preferably 0.03 mmAqHg or more. By providing a pressure difference between the processing chamber and the spare chamber in this way, mixing of external air is prevented, the reactive gas can be used effectively, and the surface treatment effect is further improved.

【００５２】また処理室に隣接して入口側に二つ以上、
出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室と隣
り合う予備室の間の気圧は、処理室に近い側の予備室の
気圧が高く設定されることが好ましく、０．０３ｍｍＡ
ｑＨｇ以上高く設定されることが好ましい。このように
複数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによっ
て、外部空気の混入をより効果的に防止し、反応ガスの
有効使用がより可能となり、表面処理効果も更に向上す
る。Also, two or more at the entrance side adjacent to the processing chamber,
When two or more preparatory chambers are provided on the outlet side, the pressure between the preparatory chamber and the adjacent preparatory chamber is preferably set to be higher than that of the preparatory chamber close to the processing chamber, and is preferably 0.03 mmA.
It is preferable to set qHg or higher. By providing a pressure difference between the plurality of spare chambers as described above, the mixing of external air is more effectively prevented, the reactive gas can be used more effectively, and the surface treatment effect is further improved.

【００５３】予備室には、処理ガスの少なくとも１成分
を有していることが反応ガスの効率的な使用と表面処理
効果の向上の観点から好ましい。The preliminary chamber preferably contains at least one component of the processing gas from the viewpoint of efficient use of the reaction gas and improvement of the surface treatment effect.

【００５４】更に予備室を複数設けて圧力差を設けるに
は、減圧手段１５を設けることが好ましい。この減圧手
段としては吸引ファンあるいは真空ポンプ等が挙げられ
る。Further, in order to provide a plurality of spare chambers to provide a pressure difference, it is preferable to provide a pressure reducing means 15. Examples of the pressure reducing means include a suction fan and a vacuum pump.

【００５５】処理室と予備室、予備室同士の部屋には間
仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手
段としては、図示のように、入口側にニップロール７，
７、出口側にニップロール８，８を設ける態様も好まし
い。It is necessary that the processing chamber and the preparatory chamber, and between the preparatory chambers, be partitioned, and the partitioning means includes a nip roll 7,
7. An embodiment in which nip rolls 8, 8 are provided on the outlet side is also preferable.

【００５６】かかるニップロールは、基体に対して接触
しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋
同士を完全に間仕切りできないので、本発明の様な圧力
差を設ける手段が有効に機能するのである。Although such a nip roll has a function of closing or partitioning while being in contact with the substrate, since the rooms cannot be completely partitioned, the means for providing a pressure difference as in the present invention effectively functions.

【００５７】また間仕切り手段としては、基体に対して
所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であってもよ
い。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方式
等を採用できる。また後述する図１０及び図１１に示す
装置を用いることも好ましい。なお予備室を設けない場
合には、処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。Further, the partition means may be a mode in which a predetermined gap is maintained with respect to the substrate and non-contact is maintained. As such an embodiment, an air curtain system (not shown) or the like can be employed. It is also preferable to use the apparatus shown in FIGS. 10 and 11 described below. In the case where no spare chamber is provided, a partition may be provided between the processing chamber and the outside.

【００５８】図３において、図１と同一の符号の部位は
同一の構成であるので、その説明を省略する。 図３に
示す装置を用いて処理するには、先ず搬送される基体１
が処理室２内に入り、その処理室２内でパルス化された
電界が印加される。かかる印加によって基体の表面がプ
ラズマ処理され、表面処理される。In FIG. 3, the parts denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1 have the same configuration, and the description thereof will be omitted. In order to process using the apparatus shown in FIG.
Enters the processing chamber 2, and a pulsed electric field is applied in the processing chamber 2. By the application, the surface of the substrate is plasma-treated, and the surface is treated.

【００５９】第２の方法は、かかる表面処理の際に、処
理室２に封入する処理ガス中の反応ガスの割合が３０％
以上であること、及び処理室２内の気圧が処理室外の気
圧より高いことを特徴とするものである。In the second method, the ratio of the reactive gas in the processing gas sealed in the processing chamber 2 is 30% during the surface treatment.
That is, the air pressure in the processing chamber 2 is higher than the air pressure outside the processing chamber.

【００６０】処理室２内の気圧を外圧より高くすること
によって、外部からの気体が処理室２内に進入しないた
め、必要に応じ、特定の処理したい（基体に導入させた
い）元素を持つガスのみを該処理室内に高純度で封入さ
せることができ、より効率的な処理ができる。また、処
理ガス中の反応ガスの割合が３０％以上であることによ
って、不活性ガスの量を減らし、低コストで効率的な処
理を行うことができる。Since the gas from the outside does not enter the processing chamber 2 by setting the atmospheric pressure in the processing chamber 2 higher than the external pressure, if necessary, a gas containing a specific element to be processed (to be introduced into the substrate) may be used. Alone can be sealed in the processing chamber with high purity, and more efficient processing can be performed. Further, when the ratio of the reaction gas in the processing gas is 30% or more, the amount of the inert gas can be reduced, and efficient processing can be performed at low cost.

【００６１】本発明では、処理室２の気圧が外圧より
０．０３ｍｍＡｑ以上高い態様によって、更に最低限の
気密性で最大限の効果を上げることができる。According to the present invention, the maximum effect can be obtained with a further minimum airtightness by setting the pressure of the processing chamber 2 higher than the external pressure by 0.03 mmAq or more.

【００６２】更に表面処理前に、予め基体表面の除電処
理を行い、更にゴミ除去を行うことによって、表面処理
の均一性が更に向上するので好ましい。除電手段及び除
電処理後のゴミ除去手段としては、前述の第１の方法の
ところで説明した手段と同様の手段を採用できる。Further, before the surface treatment, the surface of the substrate is preferably subjected to a static elimination treatment and dust is further removed, so that the uniformity of the surface treatment is further improved. As the charge removing unit and the dust removing unit after the charge removing process, the same unit as the unit described in the first method can be employed.

【００６３】処理室２に封入する処理ガス中の反応ガス
の割合は３０％以上であるが、かかる反応ガスとして
は、窒素（Ｎ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス、アンモニア
（ＮＨ３）ガス、フッ素ガス、水蒸気等があり、例えば
アミノ基、カルボキシル基、水酸基、カルボニル基等の
極性官能基ないし化学的活性基を付与できるガスであれ
ばよい。また反応ガスとしては、酸素元素含有化合物
（酸素、オゾン、水、一酸化炭素、二酸化炭素の他、メ
タノール等のアルコール、アセトン等のケトン、アルデ
ヒド類等）、窒素元素含有化合物（窒素、アンモニア、
一酸化窒素、二酸化窒素等の窒素含有無機物、アミン系
化合物、その他窒素含有有機物等）、フッ素含有化合物
（フッ素、有機フルオロ化合物など）等を用いることも
できる。The ratio of the reaction gas in the processing gas sealed in the processing chamber 2 is 30% or more. Examples of the reaction gas include a nitrogen (N 2) gas, a hydrogen (H 2) gas, an ammonia (NH 3) gas and a fluorine (fluorine) gas. There are gases, water vapor, and the like, and any gas may be used as long as it can provide a polar functional group such as an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, or a chemically active group. Examples of the reaction gas include oxygen element-containing compounds (oxygen, ozone, water, carbon monoxide, carbon dioxide, alcohols such as methanol, ketones such as acetone, aldehydes, etc.), and nitrogen element-containing compounds (nitrogen, ammonia,
Nitrogen-containing inorganic substances such as nitric oxide and nitrogen dioxide, amine compounds, other nitrogen-containing organic substances, and the like, and fluorine-containing compounds (such as fluorine and organic fluoro compounds) can also be used.

【００６４】処理ガス中の反応ガス以外のガスとして、
不活性ガスを用いることができる。不活性ガスとして
は、アルゴン（Ａｒ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、ヘリ
ウム（Ｈｅ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン
（Ｘｅ）ガスなどがある。As a gas other than the reaction gas in the processing gas,
An inert gas can be used. Examples of the inert gas include argon (Ar) gas, neon (Ne) gas, helium (He) gas, krypton (Kr) gas, and xenon (Xe) gas.

【００６５】本発明において、処理室２内に導入するに
先立ち、予め不活性ガスと反応性ガスとを混合した処理
ガスを使用することが好ましいが、各ガスを独立して導
入しても、処理室２内の電極３と４の間の雰囲気が、上
述した反応ガスの割合になっていればよい。In the present invention, prior to introduction into the processing chamber 2, it is preferable to use a processing gas in which an inert gas and a reactive gas are mixed in advance. It is sufficient that the atmosphere between the electrodes 3 and 4 in the processing chamber 2 has the above-described ratio of the reaction gas.

【００６６】更に本発明によると、搬送して来る基体が
同伴して来る空気を遮断し、処理室内の酸素濃度を６０
０ｐｐｍ以下に調整することで本発明の表面処理を基体
表面に効果的に行うことができる。処理室内の酸素濃度
を更には２００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。Furthermore, according to the present invention, the air carried by the substrate being transported is shut off, and the oxygen concentration in the processing chamber is reduced to 60%.
By adjusting the concentration to 0 ppm or less, the surface treatment of the present invention can be effectively performed on the substrate surface. It is preferable that the oxygen concentration in the treatment chamber be 200 ppm or less.

【００６７】以上説明した態様に用いた電極は平板電極
であるが、これに代えて電極を円筒型電極、ロール型電
極、又はガスフロー型曲面電極とすることも好ましい。Although the electrodes used in the embodiments described above are plate electrodes, it is preferable that the electrodes are replaced with cylindrical electrodes, roll electrodes, or gas flow type curved electrodes.

【００６８】はじめに円筒型電極を用いた例を説明す
る。First, an example using a cylindrical electrode will be described.

【００６９】図４は、第２の装置の他の好ましい形態を
示す概略構成図であり、同図に示す形態は、図３に示す
形態で用いた平板電極に代えて、円筒型電極を用いた例
である。FIG. 4 is a schematic structural view showing another preferred embodiment of the second apparatus. In the embodiment shown in FIG. 4, a cylindrical electrode is used in place of the plate electrode used in the embodiment shown in FIG. This is an example.

【００７０】なお、図４に示す符号のうち、図３に示す
符号と同一の部位は同一の構成であるので、その説明を
省略する。Note that, among the reference numerals shown in FIG. 4, the same parts as those shown in FIG. 3 have the same configuration, and therefore description thereof will be omitted.

【００７１】本実施の形態では、複数の円筒の電極３を
基体１の両面側に併設している。併設の方法は図示のよ
うにチドリ状に配置してもよいが、対向させて配置する
こともできる。電極間間隙Ｌは基体１の上側の電極の最
下端と下側の電極の最上端との距離で表される。電極間
の間隔は均等でもよいし、そうでなくてもよい。In this embodiment, a plurality of cylindrical electrodes 3 are provided on both sides of the base 1. As shown in the drawing, the juxtaposition method may be such that the juxtaposition is made, but the juxtaposition method may be adopted. The inter-electrode gap L is represented by the distance between the lowermost end of the upper electrode of the base 1 and the uppermost end of the lower electrode. The spacing between the electrodes may or may not be uniform.

【００７２】円筒電極は内部に導電性金属が配置され、
外部に誘電体が配置された二重管構造であり、導電性金
属と誘電体の構成は前述の構成を採用できるし、また、
セラミックパイプの中に金属管や棒を挿入することもで
きる。The cylindrical electrode has a conductive metal disposed inside.
It has a double-tube structure in which a dielectric is disposed outside, and the configuration of the conductive metal and the dielectric can adopt the above-described configuration.
A metal tube or rod can be inserted into the ceramic pipe.

【００７３】なお、２０、２１，２２は搬送ロールであ
る。Reference numerals 20, 21, 22 denote transport rolls.

【００７４】かかる円筒電極を用いることにより、電極
間にガスを導入し易くなることによって、反応ガスと電
極との接触効率が上昇し、その結果、表面処理効果も向
上する。また構造的にも簡便で、互換性に優れ、低コス
トでの処理が可能となる。また基体の高速搬送において
も優れた効果を発揮する。By using such a cylindrical electrode, the gas can be easily introduced between the electrodes, so that the contact efficiency between the reaction gas and the electrode is increased, and as a result, the surface treatment effect is also improved. In addition, the structure is simple, the compatibility is excellent, and the processing can be performed at low cost. Also, excellent effects are exhibited in high-speed transport of the substrate.

【００７５】次にロール型電極を用いた例を説明する。Next, an example using a roll type electrode will be described.

【００７６】図５〜図８は、第２の装置の他の好ましい
形態を示す概略構成図であり、同図に示す形態は図３に
示す形態で用いた平板電極に代えて、ロール型電極を用
いた例である。FIGS. 5 to 8 are schematic structural views showing another preferred embodiment of the second device. The embodiment shown in FIG. 5 is a roll type electrode instead of the plate electrode used in the embodiment shown in FIG. This is an example using.

【００７７】なお、図５〜図８に示す符号のうち、図３
に示す符号と同一の部位は同一の構成であるので、その
説明を省略する。It should be noted that among the reference numerals shown in FIGS.
Since the same parts as those indicated by reference numerals have the same configuration, description thereof will be omitted.

【００７８】図５（a）,(b)に示す形態は、一方の電極
３は円筒状のロール型電極であり、自ら回転し、基体１
がその表面に接触しながら搬送される。この電極はロー
ル状の導電性金属の表面に誘電体が設けられている。In the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B, one electrode 3 is a cylindrical roll-type electrode, which rotates by itself and
Is transported while contacting the surface. This electrode is provided with a dielectric on the surface of a roll-shaped conductive metal.

【００７９】一方、電極４はロール型電極の曲面に平行
な曲面を有する曲面電極である。On the other hand, the electrode 4 is a curved electrode having a curved surface parallel to the curved surface of the roll type electrode.

【００８０】この電極３，４を図示のように配置し、曲
面電極４側から、図示しない供給口から供給されたガス
を矢符で示すように図示しない複数の孔から噴出する。
ガスの噴出方向は、図５（a）に示すようにロールの半
径方向でもよいが、図５(b)に示すようにロールの接線
方向でもよい。またガスの噴出孔は丸孔でもスリットで
もよい。The electrodes 3 and 4 are arranged as shown in the figure, and gas supplied from a supply port (not shown) is blown out from a plurality of holes (not shown) from the curved electrode 4 side as shown by arrows.
The gas ejection direction may be the radial direction of the roll as shown in FIG. 5A, or may be the tangential direction of the roll as shown in FIG. 5B. The gas ejection hole may be a round hole or a slit.

【００８１】複数の孔からガスが噴出されると、そのガ
スによって搬送されている基体１の表面に十分行き渡
り、安定した放電を可能にする。また一方のロール電極
で基体を接触支持しているので、曲面電極は基体により
近接でき、表面処理が安定し、処理効果が向上する。ま
たロール電極は回転しているので、基体の搬送の際に傷
をつけるこがない。図３に示す形態と比較するとニップ
ロールの数を減少できる効果もある。またこの形態は、
基体の高速搬送においても優れた効果を発揮する。When the gas is ejected from the plurality of holes, the gas sufficiently spreads over the surface of the substrate 1 being carried by the gas, thereby enabling a stable discharge. In addition, since the substrate is in contact with and supported by one roll electrode, the curved electrode can be brought closer to the substrate, the surface treatment is stabilized, and the treatment effect is improved. Further, since the roll electrode is rotating, no damage is caused when the substrate is transported. There is also an effect that the number of nip rolls can be reduced as compared with the embodiment shown in FIG. Also, this form
Excellent effect is exhibited also in high-speed transfer of the substrate.

【００８２】図６に示す形態は、複数のロール型電極と
曲面電極の組合せで、処理室を形成した例であり、実際
的な装置を提供するものである。またこの形態は基体の
高速搬送においても優れた効果を発揮する。The embodiment shown in FIG. 6 is an example in which a processing chamber is formed by a combination of a plurality of roll electrodes and a curved electrode, and provides a practical apparatus. In addition, this embodiment exhibits an excellent effect even in high-speed transport of the substrate.

【００８３】図７に示す形態は、ロール型電極と複数の
円筒型電極の組み合わせた例であり、図８に示す例は図
７に示す形態の装置を複数設けて実用的な装置を構成し
た例である。なお、図７、図８に示す符号のうち、図３
に示す符号と同一の部位は同一の構成であるので、その
説明を省略する。またこれらの形態は基体の高速搬送に
おいても優れた効果を発揮する。The embodiment shown in FIG. 7 is an example in which a roll-type electrode and a plurality of cylindrical electrodes are combined. In the example shown in FIG. 8, a plurality of devices having the configuration shown in FIG. It is an example. It should be noted that among the reference numerals shown in FIGS.
Since the same parts as those indicated by reference numerals have the same configuration, description thereof will be omitted. These forms also exhibit excellent effects in high-speed transport of the substrate.

【００８４】次にガスフロー型曲面電極を用いた例を説
明する。Next, an example using a gas flow type curved surface electrode will be described.

【００８５】図９は、第２の装置の他の好ましい形態を
示す概略構成図であり、同図に示す形態は図３に示す形
態で用いた平板電極に代えて、曲面電極を用いた例であ
る。なお、図９に示す符号のうち、図３に示す符号と同
一の部位は同一の構成であるので、その説明を省略す
る。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing another preferred embodiment of the second device. The embodiment shown in FIG. 9 is an example in which a curved electrode is used in place of the flat plate electrode used in the embodiment shown in FIG. It is. Note that, among the reference numerals shown in FIG. 9, the same components as those shown in FIG. 3 have the same configuration, and thus description thereof will be omitted.

【００８６】本実施の形態の電極３，４は基体１の表面
と平行であり、基体１の搬送方向と直行する方向から見
たときに、対向する面の断面形状が、曲面となっている
曲面電極である。The electrodes 3 and 4 of the present embodiment are parallel to the surface of the base 1, and when viewed from a direction perpendicular to the direction of transport of the base 1, the facing surfaces have a curved cross section. It is a curved electrode.

【００８７】この電極３，４を複数（図９においては、
３つ）搬送方向に並べることにより、搬送されている基
体１が蛇行するように構成されている。従って、図示し
ない供給口から供給されたガスを矢符で示すように図示
しない複数の孔から噴出される。噴出は均等に成される
ようにすることが好ましい。ガスの噴出孔は丸孔でもス
リットでもよい。A plurality of these electrodes 3 and 4 (in FIG. 9,
3) By arranging them in the transport direction, the substrate 1 being transported is configured to meander. Therefore, gas supplied from a supply port (not shown) is ejected from a plurality of holes (not shown) as indicated by arrows. Preferably, the jets are evenly distributed. The gas ejection holes may be round holes or slits.

【００８８】複数の孔からガスが噴出されると、そのガ
スによって搬送されている基体１はその間隙が約１０ｍ
ｍ以下に設定された一対の電極３，４に非接触で搬送さ
れる。かかる態様は一対の電極間に直接ガスを噴出する
のでガスの拡散を促進し、安定した放電を可能にする。
また基体１の両面を同時に処理することができ、処理効
率に優れる。When the gas is ejected from the plurality of holes, the gap of the substrate 1 carried by the gas is about 10 m.
It is conveyed in a non-contact manner to a pair of electrodes 3 and 4 set to be equal to or less than m. In such an embodiment, the gas is directly ejected between the pair of electrodes, so that the diffusion of the gas is promoted and a stable discharge is enabled.
Further, both surfaces of the base 1 can be processed simultaneously, and the processing efficiency is excellent.

【００８９】この形態では基体１を蛇行搬送することに
より、直線的な搬送（図３に示す搬送）に比較し、安定
した搬送ができ、そのため電極間隙をさらに狭めること
が可能で、放電効果も増加する。またこの形態は基体の
高速搬送においても優れた効果を発揮する。In this embodiment, the substrate 1 is conveyed in a meandering manner, so that the substrate can be transported more stably as compared with the linear transport (transportation shown in FIG. 3), so that the electrode gap can be further narrowed and the discharge effect can be obtained. To increase. In addition, this embodiment exhibits an excellent effect even in high-speed transport of the substrate.

【００９０】なお、図示の形態では蛇行搬送している
が、非接触搬送が可能な形態であれば、更に種々の改良
形態を採り得る。In the illustrated embodiment, the sheet is conveyed in a meandering manner. However, various other modified forms can be adopted as long as non-contact conveyance is possible.

【００９１】以上説明した装置において、基体が同伴し
て来る空気を遮断する効果を更に向上させるために図１
０及び図１１に示す装置を用いることも好ましいことで
ある。In the apparatus described above, in order to further improve the effect of blocking air entrained by the substrate, FIG.
It is also preferable to use the apparatus shown in FIG.

【００９２】図１０はガス流ブレード装置の拡大図であ
る。ガス流ブレード装置は搬送ロール３０の上を搬送し
ている基体１の表面とスリット部３１との間隙ｄを微調
整出来るようになっており、ガス流ブレード装置の内部
（図では右側）から放出ガス３２が加圧された状態でス
リット３１から基体表面に、放出角度を基体１の搬送方
向と逆方向に取って放出するが、好ましくはその角度は
６０〜９０゜が好ましい。ガスはスリットからの放出の
みでもよいが、放出されたガスが基体１の搬送方向と逆
方向に減圧吸引しガスの流れ３３とする方が一層効果的
に処理が出来る。スリット３１の幅は小さい方がよく、
２．０ｍｍ以下が好ましい。この態様は図１の装置にも
適用できる。処理室と予備室、予備室と他の予備室の間
仕切りに適用できる。FIG. 10 is an enlarged view of the gas flow blade device. The gas flow blade device is capable of finely adjusting the gap d between the surface of the substrate 1 being transported on the transport roll 30 and the slit portion 31 and is discharged from the inside (right side in the figure) of the gas flow blade device. When the gas 32 is pressurized, the gas 32 is emitted from the slit 31 to the surface of the substrate in a direction opposite to the transport direction of the substrate 1, and the angle is preferably 60 to 90 °. The gas may be released only from the slit, but the more effective treatment can be achieved by suctioning the released gas under reduced pressure in the direction opposite to the transport direction of the substrate 1 to form a gas flow 33. The smaller the width of the slit 31, the better
2.0 mm or less is preferable. This embodiment can also be applied to the device of FIG. It can be applied to the partition between the processing room and the spare room, and between the spare room and other spare rooms.

【００９３】図１１は、機密性を高めるフィルム状のブ
レードを設置した装置の一部の拡大図である。基体１の
通過する間隙以外の隙間の機密性を、フィルム状のブレ
ード４３を、間仕切りにロールを使用している箇所、例
えば搬送ロール４１、フリーロール４２の背側に擦らせ
てタッチさせることによって高められる。４１と４２が
対になってニップロールであってもよく、また基体１の
上側にロールがない場合には搬送ロール４１だけでもよ
い。FIG. 11 is an enlarged view of a part of an apparatus provided with a film-like blade for increasing the security. The confidentiality of the gaps other than the gaps through which the base body 1 passes is determined by touching the film-shaped blade 43 by rubbing it against a place where a roll is used as a partition, for example, the back side of the transport roll 41 and the free roll 42. Enhanced. The nip rolls 41 and 42 may be paired, or if there is no roll above the base 1, the transport roll 41 alone may be used.

【００９４】次に、本発明の表面処理された基体は、上
記の全ての方法及び装置によって処理された基体を含む
ものである。Next, the surface-treated substrate of the present invention includes a substrate treated by any of the above-described methods and apparatuses.

【００９５】本発明の表面処理の際のプラズマの発生
は、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ法（略してＯＥＳ）、あるいはＰｈｏｔｏ
ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ法（光
電子分光法）（略してＰＥＳ）の測定により知ることが
出来る。 本発明の放電プラズマ処理によりプラスティ
ック基体表面に発現する活性基については光電子分光法
（ＥＳＣＡ）により知ることが出来る。例えばＶＧ社製
ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒが使用できる。The generation of plasma during the surface treatment of the present invention is based on the Optical Emission Spectr.
oscopy method (OES for short) or Photo
Electron Spectroscopy (Photoelectron Spectroscopy) (PES) can be used for measurement. The active groups that appear on the surface of the plastic substrate by the discharge plasma treatment of the present invention can be known by photoelectron spectroscopy (ESCA). For example, VG ESCALAB-200R can be used.

【００９６】以下、本発明を適用できる基体について説
明する。Hereinafter, the substrate to which the present invention can be applied will be described.

【００９７】本発明においては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及び
ポリプロピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセ
ルロースまたは樹脂被覆印画紙基体であることが好まし
く、また写真感光材料用基体であることがより好ましい
ことである。In the present invention, a film selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, a triacetyl cellulose or resin-coated photographic paper base is preferable, and a photographic photosensitive material base is more preferable. That is.

【００９８】樹脂被覆印画紙基体には、用途に応じて、
白色顔料を混合させてもよい。この用途は印画紙基体で
あり、反射画像として見るために基体面が白色となって
いる。白色顔料としては、硫酸バリウム、酸化チタン、
炭酸マグネシウム、酸化亜鉛等が好ましく、これらの
内、酸化チタンが特に好ましい。酸化チタンはルチル型
とアナターゼ型の２種がよく用いられるが、その中でも
白さの安定性からアナターゼ型が好ましい。The resin-coated photographic paper substrate may be used according to the application.
A white pigment may be mixed. This application is a photographic paper substrate, and the substrate surface is white for viewing as a reflection image. Barium sulfate, titanium oxide,
Magnesium carbonate, zinc oxide and the like are preferred, and among them, titanium oxide is particularly preferred. Two types of titanium oxide, rutile type and anatase type, are often used, and among them, anatase type is preferable from the viewpoint of whiteness stability.

【００９９】本発明のパルス放電プラズマ処理した基体
には下引層はもとより、ゼラチン層、ハロゲン化銀写真
感光材料の構成層、磁気記録媒体の構成層、またその他
の樹脂層等を接着することが出来る。The substrate subjected to the pulse discharge plasma treatment according to the present invention is bonded with not only an undercoat layer but also a gelatin layer, a constituent layer of a silver halide photographic material, a constituent layer of a magnetic recording medium, and other resin layers. Can be done.

【０１００】本発明に適する下引層や他の層のポリマー
バインダーとしては、塩化ビニル、塩化ビニリデン、メ
タクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン
酸、ジオレフィン等の共重合体、ゼラチン、セルロース
ナイトレート等を挙げることが出来る。As the polymer binder for the undercoat layer or other layers suitable for the present invention, copolymers such as vinyl chloride, vinylidene chloride, methacrylic acid, acrylic acid, itaconic acid, maleic anhydride and diolefin, gelatin, cellulose And nitrite.

【０１０１】ゼラチンとしては、酸処理ゼラチン、アル
カリ処理ゼラチンの他ゼラチンの製造過程で酵素処理を
する酵素処理ゼラチン、及び、ゼラチン誘導体、即ち、
分子中に官能基としてのアミノ基、イミノ基、ヒドロキ
シ基、カルボキシ基を持ち、それらと反応し得る基を持
った試薬で処理し改質したものでもよい。ゼラチンの製
法に関しては、例えば、Ｔ．Ｈ．Ｊａｍｅｓ：Ｔｈｅ
Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆｔｈｅ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ
Ｐｒｏｃｅｓｓ ４ｔｈ．ｅｄ．１９７７（Ｍａｃｍ
ｉｌｌａｎ）５５頁、科学写真便覧（上）７２〜７５頁
（丸善）、写真工学の基礎−銀塩写真編１１９〜１２４
（コロナ社）等の記載を参考にすることが出来る。Examples of the gelatin include an acid-treated gelatin, an alkali-treated gelatin, an enzyme-treated gelatin which is subjected to an enzyme treatment in the production process of gelatin, and a gelatin derivative, ie, a gelatin derivative.
It may have an amino group, an imino group, a hydroxy group, or a carboxy group as a functional group in the molecule, and may be modified by treating with a reagent having a group capable of reacting therewith. Regarding the method for producing gelatin, for example, T.I. H. James: The
Theory of Photographic
Process 4th. ed. 1977 (Macm
Illan), p. 55, Handbook of Scientific Photography (above), p. 72-75 (Maruzen), Fundamentals of Photo Engineering-Silver halide photography, 119-124.
(Corona) etc. can be referred to.

【０１０２】ゼラチン中のカルシウムイオン（Ｃａ＋
＋）含有量は塗布液の安定性付与のため、乾燥ゼラチン
に対して２５００ｐｐｍ以下がよく、１０００ｐｐｍ以
下がより好ましく、更にこのましくは５００ｐｐｍ以下
である。ゼラチン中のカルシウムイオンを２５００ｐｐ
ｍ以下にするには、ゼラチンを水に溶解した後、脂肪不
純物を除去し、続いてゼラチン水溶液をカチオン交換樹
脂のカラムに通すか、またバッチ処理によりカチオン交
換樹脂と接触させることにより得ることが出来る。本発
明に用いられるゼラチンは、動物の骨や皮の主成分であ
るコラーゲンまたはオセインから製造工程で塩酸等によ
る処理を伴って製造された酸処理ゼラチン、石灰などに
よる処理を伴って製造された石灰処理ゼラチン、官能基
を置換したゼラチン誘導体及び変性ゼラチン、酵素処理
ゼラチンである。これらの製法、性質の詳細はアーサー
・ヴァイス（Ａｒｔｈｅｒ Ｖｅｉｓ）著、ザ・マクロ
モレキュラー・ケミストリー・オブ・ゼラチン（Ｔｈｅ
Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
ｏｆ Ｇｅｌａｔｉｎ）、（アカデミック・プレス、
Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ）、１９６４年、の１８
７〜２１７頁に記載されている。更に、ゼラチン下引層
塗布液の凝集防止や下引層塗布性のために、ノニオン性
界面活性剤を含有させることが好ましい。好ましいノニ
オン性界面活性剤としては、特公平３−２７０９９号公
報記載の化合物Ｉ−５、化合物Ｉ−６、化合物Ｉ−１
２、化合物Ｉ−１３、化合物Ｉ−２３、化合物Ｉ−３１
等が挙げられる。Calcium ion (Ca +
+) The content is preferably 2500 ppm or less, more preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, based on dry gelatin, for imparting stability to the coating solution. 2500 pp calcium ion in gelatin
In order to reduce the molecular weight to not more than m, the fatty acid impurities are removed after dissolving the gelatin in water, followed by passing the aqueous gelatin solution through a column of the cation exchange resin or by contacting the cation exchange resin with the cation exchange resin by batch processing. I can do it. The gelatin used in the present invention is an acid-treated gelatin produced from collagen or ossein, which is a main component of animal bones and skins, by a treatment with hydrochloric acid or the like in a production process, a lime produced by a treatment with lime or the like. These include treated gelatin, gelatin derivatives having substituted functional groups, modified gelatin, and enzyme-treated gelatin. Details of these manufacturing methods and properties are described in Arthur Weis's book, The Macromolecular Chemistry of Gelatin (The).
Macromolecular Chemistry
of Gelatin), (Academic Press,
Academic Press), 1964, 18
It is described on pages 7 to 217. Further, it is preferable to contain a nonionic surfactant for preventing aggregation of the coating solution for the gelatin undercoat layer and for coating the undercoat layer. Preferred nonionic surfactants include compounds I-5, compound I-6, and compound I-1 described in JP-B-3-27099.
2, compound I-13, compound I-23, compound I-31
And the like.

【０１０３】これらのゼラチン層に添加する硬膜剤とし
ては、ゼラチンと反応して硬膜する硬膜剤であれば制限
なく使用できるが、それら代表的な硬膜剤としては、ア
ルデヒド系、アジリジン系（例えば、ＰＢレポート、１
９９２１、米国特許第２，９５０，１９７号、同２，９
６４，４０４号、同２，９８３，６１１号及び同３，２
７１，１７５号の各明細書、特公昭４６−４０８９８号
及び特開昭５０−９１３１５号の各公報に記載のも
の）、イソオキサゾール系（例えば、米国特許第３，３
３１，６０９号明細書に記載あるもの）、エポキシ系
（例えば、米国特許第３，０４７，３９４号、***特許
第１，０８５，６６３号及び英国特許第１，０３３，５
１８号の各明細書、更に特公昭４８−３５４９５号公報
に記載のもの）、ビニルスルホン系（例えば、ＰＢレポ
ート１９，９２０、***特許第１，１００，９４２号、
同２，３３７，４１２号、同２，５４５，７２２号、同
２，６３５，５１８号、同２，７４２，３０８号、同
２，７４９，２６０号及び英国特許第１，２５１，０９
１号の各明細書、また特公昭４９−１３５６３号及び同
４８−１１０９９６号、更に、米国特許第３，５３９，
６４４号及び同３，４９１，９１１号の各明細書に記載
のもの）、アクリロイル系（例えば、特公昭５３−７７
８号公報及び米国特許第３，６４０，７２０号明細書に
記載のもの）、カルボジイミド系（例えば、米国特許第
２，９３８，８９２号、同４，０４３，８１８号及び同
４，０６１，４９９号各明細書に記載のもの）、トリア
ジン系（例えば、***特許第２，４１０，９７３号、同
２，５５３，９１５号及び米国特許第３，３２５，２８
７号の各明細書、更に特開昭５２−１２７２２号公報に
記載のもの）、オキサゾリン系（例えば、特開平５−２
９５２７５号公報に記載のもの）、高分子型（例えば、
英国特許第８２２，０６１号、米国特許第３，６２３，
８７８号、同３，３９６，０２９号及び同３，２２６，
２３４号の各明細書）、特公昭４７−１８５７８号、同
４７−１８５７９号及び同４７−４８８９６号の各公報
に記載のもの）、イソシアネート系、ポリアミド−エピ
クロルヒドリン樹脂（例えば、特開昭５１−３６１９号
記載のもの）、反応性のハロゲンを有する化合物、その
他マレイミド系、アセチレン系、メタンスルホン酸エス
テル系、Ｎ−メチロール系の硬膜剤を挙げることが出来
る。As the hardening agent to be added to these gelatin layers, any hardening agent capable of hardening by reacting with gelatin can be used without any limitation. Typical hardening agents include aldehydes and aziridines. System (eg, PB report, 1
9921, U.S. Pat. Nos. 2,950,197 and 2,9
Nos. 64,404, 2,983,611 and 3,2
71,175, those described in JP-B-46-40898 and JP-A-50-91315), isoxazole-based compounds (for example, U.S. Pat.
31,609), epoxy-based (for example, U.S. Pat. No. 3,047,394, West German Patent 1,085,663 and British Patent 1,033,5).
No. 18, each of which is described in JP-B-48-35495, vinyl sulfones (for example, PB Report 19,920, West German Patent No. 1,100,942,
No. 2,337,412, No. 2,545,722, No. 2,635,518, No. 2,742,308, No. 2,749,260 and British Patent No. 1,251,09
No. 1; JP-B-49-13563 and JP-B-48-110996; and U.S. Pat. No. 3,539,
644 and 3,491,911), acryloyl-based (for example, JP-B-53-77)
No. 8 and U.S. Pat. No. 3,640,720), carbodiimides (e.g., U.S. Pat. Nos. 2,938,892, 4,043,818 and 4,061,499). And triazines (eg, German Patent Nos. 2,410,973 and 2,553,915 and U.S. Pat. No. 3,325,28).
7, each of which is described in JP-A No. 52-12722, and oxazoline-based compounds (for example, JP-A No. 5-2).
95275), polymer type (for example,
UK Patent No. 822,061, US Patent No. 3,623,
Nos. 878, 3,396,029 and 3,226,
234), those described in JP-B-47-18578, JP-B-47-18579 and JP-B-47-48896), isocyanates, polyamide-epichlorohydrin resins (for example, JP-A-51-187). No. 3619), compounds having a reactive halogen, and other maleimide-based, acetylene-based, methanesulfonic acid ester-based, and N-methylol-based hardeners.

【０１０４】本発明の放電プラズマ処理した基体に塗布
し得るポリマーバインダー層の疎水性ポリマーとして
は、熱可塑性ポリマー、放射線硬化性ポリマー、熱硬化
性ポリマー、その他の反応性ポリマーなどを挙げること
が出来る。熱可塑性ポリマーとしては、塩化ビニル−酢
酸ビニルコポリマー、塩化ビニルポリマー、酢酸ビニル
ービニルアルコールコポリマー、塩化ビニル−塩化ビニ
リデンコポリマー、塩化ビニル−アクリロニトリルコポ
リマー、エチレンービニルアルコールコポリマー、塩素
化ポリ塩化ビニル、エチレン−塩化ビニルコポリマー、
エチレン−酢酸ビニルコポリマー、エチレン−酢酸ビニ
ル−ビニルアルコールターポリマー体等のビニル系ポリ
マーあるいはコポリマー、セルロースナイトレート、セ
ルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート、セルロースアセテート
プロピオネートなどのセルロース誘導体、、アクリロニ
トリル−スチレンコポリマー、塩素化ポリエチレン、ア
クリロニトリル−塩素化ポリエチレン−スチレンターポ
リマー、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン
ターポリマー、ポリアクリルエステル、ポリビニルアセ
タール、ポリビニルブチラール、ポリエステルポリウレ
タンコポリマー、ポリエーテルポリウレタンコポリマ
ー、ポリカーボネートポリウレタンコポリマー、ポリエ
ステル、ポリエーテル、ポリアミド、スチレンーブタジ
エンコポリマー、ブタジエンーアクリロニトリルコポリ
マーやシリコーン系ポリマー、フッ素系ポリマー等を挙
げることができる。これらは単独または２種類以上併用
して使用することが出来る。熱可塑性ポリマーのＴｇ
（絶対温度）は１７０〜４２０゜Ｋの範囲のものが好ま
しく、２１０〜４００゜Ｋの範囲のものがより好まし
い。Examples of the hydrophobic polymer of the polymer binder layer which can be applied to the substrate subjected to the discharge plasma treatment of the present invention include a thermoplastic polymer, a radiation-curable polymer, a thermosetting polymer, and other reactive polymers. . As the thermoplastic polymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride polymer, vinyl acetate-vinyl alcohol copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, ethylene-vinyl alcohol copolymer, chlorinated polyvinyl chloride, ethylene -Vinyl chloride copolymer,
Ethylene-vinyl acetate copolymers, vinyl polymers or copolymers such as ethylene-vinyl acetate-vinyl alcohol terpolymer, cellulose nitrate, cellulose triacetate, cellulose diacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose derivatives such as cellulose acetate propionate, , Acrylonitrile-styrene copolymer, chlorinated polyethylene, acrylonitrile-chlorinated polyethylene-styrene terpolymer, methyl methacrylate-butadiene-styrene terpolymer, polyacrylester, polyvinyl acetal, polyvinyl butyral, polyester polyurethane copolymer, polyether polyurethane copolymer, polycarbonate polyurethane Copolymers, polyesters, polyethers , Polyamide, styrene-butadiene copolymers, butadiene-acrylonitrile copolymers and silicone-based polymer, a fluorine-based polymer or the like. These can be used alone or in combination of two or more. Tg of thermoplastic polymer
(Absolute temperature) is preferably in the range of 170 to 420 ° K, more preferably in the range of 210 to 400 ° K.

【０１０５】放射線硬化ポリマーとしては、電子線、紫
外線などの放射線によって硬化するポリマーで、アクリ
ル型、無水マレイン酸型、ウレタンアクリル型、エーテ
ルアクリル型、エポキシアクリル型、エポキシ型等を挙
げることが出来る。The radiation-curable polymer is a polymer which is cured by radiation such as an electron beam or an ultraviolet ray, and includes acrylic type, maleic anhydride type, urethane acrylic type, ether acrylic type, epoxy acrylic type, epoxy type and the like. .

【０１０６】また熱硬化性ポリマー、その他の反応性ポ
リマーとしては、フェノールポリマー、アミノポリマ
ー、エポキシポリマー、ポリウレタン系硬化型ポリマ
ー、イソシアネート系硬化型ポリマー、メラミンポリマ
ー、尿素ポリマー、アルキッドポリマー、シリコーン系
硬化型ポリマー、オキサゾリン系硬化型ポリマーなどが
挙げられる。これら単独または２種類以上併用して使用
することが出来る。The thermosetting polymers and other reactive polymers include phenol polymers, amino polymers, epoxy polymers, polyurethane-based curing polymers, isocyanate-based curing polymers, melamine polymers, urea polymers, alkyd polymers, silicone-based curing polymers. Polymer, oxazoline-based curable polymer and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【０１０７】本発明の放電プラズマ処理した基体に塗布
し得るポリマーバインダー層の親水性ポリマーとして
は、本発明に使用できる親水性ポリマーとしては、例え
ば、リサーチ・ディスクロージャー（以降ＲＤと略す）
Ｎｏ．１７６４３（以降Ｎｏ．を略す）、２６頁、およ
び同１８７１６、６５１頁に記載されている水溶性ポリ
マーやラテックスポリマーを挙げることができる。Examples of the hydrophilic polymer of the polymer binder layer that can be applied to the discharge plasma-treated substrate of the present invention include hydrophilic polymers that can be used in the present invention, for example, Research Disclosure (hereinafter abbreviated as RD).
No. 17643 (hereinafter abbreviated as No.), p. 26, and pp. 18716, p. 651, water-soluble polymers and latex polymers.

【０１０８】ゼラチン以外の水溶性ポリマーとしては、
カゼイン、寒天、アルギン酸ソーダ、澱粉等の天然加工
物、ポリビニールアルコール、アクリル酸系コポリマ
ー、無水マレイン酸コポリマー等付加重合ポリマー類、
金属スルホ置換ジカルボン酸を含むジカルボン酸とエチ
レングリコールのようなジオールとの水溶性ポリエステ
ル類等を挙げることが出来る。また、ゼラチンの一部を
コロイド状アルブミン、カゼイン、カルボキシメチルセ
ルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプ
ロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース等のセ
ルロースエーテル類などのセルロース誘導体、寒天、ア
ルギン酸ソーダ、デンプン誘導体、デキストランなどの
糖誘導体、合成親水性コロイド、例えば、ポリビニルア
ルコール、ポリＮ−ビニルピロリドン、アクリル酸系コ
ポリマー体、ポリアクリルアミドまたはこれらの誘導
体、部分加水分解物、ゼラチン誘導体などで置き換えた
ものでもよい。水溶性ポリエステルも有用である。水溶
性ポリエステルは、ジカルボン酸成分としてテレフタル
酸、ナフタレジカルボン酸、フタル酸等と、ジオール成
分としてはエチレングリコール、１，４−シクロヘキサ
ンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジーオール等
との組み合わせによるポリエステルに水溶性成分とし
て、金属スルホフタル酸、ポリエチレングリコールを共
重合成分として組み込んだものが好ましい。The water-soluble polymers other than gelatin include:
Naturally processed products such as casein, agar, sodium alginate, and starch; addition-polymerized polymers such as polyvinyl alcohol, acrylic copolymers, and maleic anhydride copolymers;
Water-soluble polyesters of a dicarboxylic acid containing a metal sulfo-substituted dicarboxylic acid and a diol such as ethylene glycol can be exemplified. In addition, a part of gelatin is colloidal albumin, casein, carboxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxypropylcellulose, cellulose derivatives such as cellulose ethers such as carboxymethylcellulose, agar, sodium alginate, starch derivatives, sugar derivatives such as dextran, synthetic. It may be replaced by a hydrophilic colloid, for example, polyvinyl alcohol, poly N-vinylpyrrolidone, an acrylic acid-based copolymer, polyacrylamide or a derivative thereof, a partial hydrolyzate, or a gelatin derivative. Water-soluble polyesters are also useful. The water-soluble polyester is a polyester obtained by combining terephthalic acid, naphthalene carboxylic acid, phthalic acid and the like as a dicarboxylic acid component and ethylene glycol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 1,4-cyclohexanediol and the like as a diol component. It is preferable that metal sulfophthalic acid and polyethylene glycol are incorporated as copolymer components as water-soluble components.

【０１０９】ラテックスポリマーとしては、塩化ビニ
ル、塩化ビニリデン、アクリル酸エステル、酢酸ビニ
ル、ブタジエン、スチレンまたはスチレン誘導体等のモ
ノマーを適宜組み合わせて乳化重合したラテックスポリ
マーが挙げられる。Examples of the latex polymer include a latex polymer obtained by emulsion polymerization of a suitable combination of monomers such as vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylate, vinyl acetate, butadiene, styrene and styrene derivatives.

【０１１０】上記列挙の親水性ポリマーまたは疎水性ポ
リマーは、その分子中に極性基を有していてもよい。極
性基としては、エポキシ基、−ＣＯＯＭ、−ＯＨ、−Ｎ
Ｒ２、−ＮＲ３Ｘ、−ＳＯ３Ｍ、−ＯＳＯ３Ｍ、−ＰＯ
３Ｍ３、−ＯＰＯ３Ｍ（Ｍは各々、水素原子、アルカリ
金属又はアンモニウムを、Ｘはアミン塩を形成する酸
を、Ｒは各々、水素原子、アルキル基を表す）等が挙げ
られ、これにより該ポリマーバインダー層内の架橋を促
進したり、種々の添加剤の混合状態を安定化したり、ま
た上の層とのアフィニティーを増したりすることが出来
る。The hydrophilic polymers or hydrophobic polymers listed above may have a polar group in the molecule. As the polar group, an epoxy group, -COOM, -OH, -N
R2, -NR3X, -SO3M, -OSO3M, -PO
3M3, -OPO3M (M represents a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium, X represents an acid for forming an amine salt, and R represents a hydrogen atom or an alkyl group, respectively). It can promote cross-linking in the layer, stabilize the mixed state of various additives, and increase affinity with the upper layer.

【０１１１】[0111]

【実施例】以下に、本発明を実施例で具体的に説明する
が、これに限定されるものではない。 実施例１ 実施条件 図１に示す装置を用い、下記条件で、基体を搬送させて
処理を行いながら、続いてスライドビード塗布方式でゼ
ラチン水溶液を塗布し、乾燥後、サンプリングし、接着
試験を行った。EXAMPLES The present invention will be described below in more detail with reference to Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto. Example 1 Using the apparatus shown in FIG. 1, the substrate was transported and processed under the following conditions under the following conditions. Subsequently, an aqueous gelatin solution was applied by a slide bead coating method, dried, sampled, and an adhesion test was performed. Was.

【０１１２】＜表面処理条件＞ 大気圧下で空気雰囲気中：２５℃、５０％ＲＨ 放電面積：幅２５０mm、長さ５００mm 誘電体：厚み１mmのパイレックガラス 電極間ギャップ：５mm 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製） 周波数：１０kHz 出力：１kw 基体：幅２００mm、厚み１００μｍのＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート） 基体搬送速度：１０m/min ＜塗布条件＞ ゼラチン水溶液：５％（w/vol） 塗布膜厚：６０μｍ 比較例１ 図１３に示す放電装置に、ヘリウムガス１０リットル/m
in、窒素ガス０．５リットル/minを混合して処理ガスを
導入しながら、従来のサイン波高周波電源（神鋼電機社
製、周波数：１０kHz、出力：１kw）により印加し、プ
ラズマ処理を実施し、実施例１と同様にして試験を行っ
た。 比較例２ 表面処理装置として、図１４に示すコロナ放電処理装置
（春日電機社製、周波数：４０kHz、出力：１kw）を用
いて実施例１と同様にして試験を行った。 （接着性試験）塗膜試料に対し、剃刃で４５゜及び９０
゜の角度で入刀した後、ニチバン製セロテープ（幅２５
mm）を張り付け、ピール試験法により、塗膜の残り状況
を確認し、接着性を評価し、その結果を表１に示した。<Surface treatment conditions> Atmospheric pressure and air atmosphere: 25 ° C., 50% RH Discharge area: width 250 mm, length 500 mm Dielectric: 1 mm thick Pyrek glass Gap between electrodes: 5 mm Power supply: impulse type high frequency High voltage power supply PHF-6K (manufactured by Heiden Laboratory) Frequency: 10 kHz Output: 1 kw Base: 200 mm wide, 100 μm thick PEN (polyethylene naphthalate) Substrate transport speed: 10 m / min <Coating conditions> Gelatin aqueous solution: 5% (w / vol) Coating film thickness: 60 μm Comparative Example 1 Helium gas 10 liter / m was applied to the discharge device shown in FIG.
In, while applying a processing gas by mixing nitrogen gas at 0.5 liter / min, a conventional sine wave high-frequency power supply (manufactured by Shinko Electric Co., Ltd., frequency: 10 kHz, output: 1 kw) is applied to perform plasma processing. The test was performed in the same manner as in Example 1. Comparative Example 2 A test was performed in the same manner as in Example 1 using a corona discharge treatment device (manufactured by Kasuga Electric Co., Ltd., frequency: 40 kHz, output: 1 kw) shown in FIG. 14 as a surface treatment device. (Adhesion test) 45 ° and 90 ° with a razor blade against the coating film sample
After entering the sword at an angle of ニ, Nichiban scotch tape (width 25
mm), and the remaining state of the coating film was confirmed by a peel test method, and the adhesion was evaluated. The results are shown in Table 1.

【０１１３】評価基準：塗膜残存率により以下の基準で
評価した。Evaluation criteria: The following criteria were used to evaluate the residual ratio of the coating film.

【０１１４】 ◎：１００％（ハクリなし） ○：９０％以上 ○△：９０％未満７０％以上 △：７０％未満５０％以上 △×：５０％未満３０％以上 ×：３０％未満５％以上 ××：５％未満◎: 100% (no peeling) ：: 90% or more △: less than 90% 70% or more △: less than 70% 50% or more ×: less than 50% 30% or more ×: less than 30% 5% or more XX: less than 5%

【０１１５】[0115]

【表１】 実施例２ 実施例１において、基体を１８０μｍ厚のＰＥＴに代え
ても実施例１と同様の効果であった。 実施例３ 実施例１において、基体を１００μｍ厚のＰＥに代えて
も実施例１と同様の効果であった。 実施例４ 実施例１において、基体を１５０μｍ厚のＰＰに代えて
も実施例１と同様の効果であった。 実施例５ 実施例１において、基体を１２０μｍ厚のＴＡＣに代え
ても実施例１と同様の効果であった。 実施例６ 実施例１において、基体のゼラチン水溶液を写真用白黒
乳剤に代えた以外は、同様にして塗膜を形成し、以下の
試験方法によって評価を行った。[Table 1] Example 2 In Example 1, the same effect as in Example 1 was obtained even when the substrate was replaced with PET having a thickness of 180 μm. Example 3 In Example 1, the same effect as in Example 1 was obtained even when the substrate was replaced with PE having a thickness of 100 μm. Example 4 In Example 1, the same effect as in Example 1 was obtained even when the substrate was replaced with PP having a thickness of 150 μm. Example 5 In Example 1, the same effect as in Example 1 was obtained even when the substrate was replaced with TAC having a thickness of 120 μm. Example 6 A coating film was formed in the same manner as in Example 1 except that the gelatin aqueous solution of the substrate was changed to a black-and-white photographic emulsion, and evaluated by the following test methods.

【０１１６】＜液条件＞ゼラチン濃度５％の写真用白黒
乳剤に下記ジクロロ・Ｓ−トリアジン型架橋剤をゼラチ
ンに対して６％添加した塗布液を用い、付き量が３g/m2
になるように塗膜を形成した。<Liquid conditions> A coating solution obtained by adding 6% of the following dichloro / S-triazine type cross-linking agent to gelatin to a photographic black-and-white emulsion having a gelatin concentration of 5% was used, and the coating amount was 3 g / m2.
A coating film was formed such that

【０１１７】[0117]

【化１】 比較例３ 比較例１と同条件にて表面処理を行い、実施例６と同様
に塗膜を形成した。 比較例４ 比較例２と同条件にて表面処理を行い、実施例６と同様
に塗膜を形成した。 （接着性試験）実施例６，比較例３、４で作成した塗膜
を４０℃、８０％ＲＨの環境下で、１週間架橋反応を促
進させた後、ｐＨ１２で温度４２℃の現像液に１０min
間浸漬させた後、２ｍｍ間隔で、格子状に切り込みを入
れて、ゴム手袋を装着して手で強固に擦り剥がす操作を
実施し、剥離状況を観察した。Embedded image Comparative Example 3 A surface treatment was performed under the same conditions as in Comparative Example 1, and a coating film was formed in the same manner as in Example 6. Comparative Example 4 A surface treatment was performed under the same conditions as in Comparative Example 2, and a coating film was formed in the same manner as in Example 6. (Adhesion test) The coating films prepared in Example 6, Comparative Examples 3 and 4 were accelerated for one week under an environment of 40 ° C. and 80% RH, and then subjected to a developing solution at pH 12 and a temperature of 42 ° C. 10min
After being immersed for a while, cuts were made in a grid at intervals of 2 mm, and an operation of firmly rubbing off by hand with wearing rubber gloves was performed, and the state of peeling was observed.

【０１１８】以下の評価基準で評価し、その結果を表２
に示す。The evaluation was performed according to the following evaluation criteria.
Shown in

【０１１９】評価基準：塗膜残存率により以下の基準で
評価した。Evaluation criteria: The following criteria were used to evaluate the residual ratio of the coating film.

【０１２０】 ◎：１００％ ○：９０％以上 ○△：９０％未満７０％以上 △：７０％未満５０％以上 △×：５０％未満３０％以上 ×：３０％未満５％以上 ××：５％未満◎: 100% ：: 90% or more △: Less than 90% 70% or more ：: Less than 70% 50% or more ×: Less than 50% 30% or more ：: Less than 30% 5% or more XX: 5 %Less than

【０１２１】[0121]

【表２】 実施例７ 図３に示すプラズマ放電装置を用い、基体を搬送させて
処理を行いながら、続いて実施例１と同様の塗布方式で
ゼラチン水溶液を塗布し、乾燥後、サンプリングし、接
着試験を行った。ここで不活性ガスとしてはアルゴンガ
スを、反応ガスとしては窒素ガスを用い、表３に示す混
合比で放電試験を行った。[Table 2] Example 7 An aqueous gelatin solution was applied by the same coating method as in Example 1 while the substrate was being transported and processed using the plasma discharge device shown in FIG. 3, dried, sampled, and subjected to an adhesion test. Was. Here, an argon gas was used as an inert gas and a nitrogen gas was used as a reaction gas, and a discharge test was performed at a mixing ratio shown in Table 3.

【０１２２】＜表面処理条件＞ 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製） 周波数：１０kHz 出力：１．５kw 基体：幅２００mm、厚み１００μｍのＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート） 基体搬送速度：３０m/min ＜塗布条件＞ ゼラチン水溶液：５％（w/vol） 塗布膜厚：６０μｍ ＜処理室の内圧と外圧＞ 処理室の内圧と外圧の差：０．０５mmAq 比較例５ 実施例７において、印加する電源を従来のサイン波高周
波電源（神鋼電機社製）に代え、下記条件でプラズマ処
理を実施し、実施例７と同様にして試験を行った。<Surface treatment conditions> Power supply: Impulse high-frequency high-voltage power supply PHF-6K (manufactured by Heiden Laboratory) Frequency: 10 kHz Output: 1.5 kw Base: 200 mm wide and 100 μm thick PEN (polyethylene naphthalate) Substrate transfer speed: 30 m / min <Coating conditions> Aqueous gelatin solution: 5% (w / vol) Coating thickness: 60 μm <Internal pressure and external pressure of processing chamber> Difference between internal pressure and external pressure of processing chamber: 0.05 mmAq Comparative Example 5 In Example 7, The test was performed in the same manner as in Example 7, except that the power supply to be applied was changed to a conventional sine wave high frequency power supply (manufactured by Shinko Electric Co., Ltd.), and plasma treatment was performed under the following conditions.

【０１２３】周波数：１０kHz 出力：MAX１．５kw（但し、ガス混合比により異なる） （接着性試験）実施例１と同様の試験方法に従い、９０
゜の角度で入刀した時の結果の接着性を評価し、その結
果を表３に示した。評価基準は実施例１と同じにした。Frequency: 10 kHz Output: MAX 1.5 kw (depending on the gas mixture ratio) (Adhesion test) According to the same test method as in Example 1, 90
The adhesiveness of the result when the blade was inserted at an angle of ゜ was evaluated, and the results are shown in Table 3. The evaluation criteria were the same as in Example 1.

【０１２４】[0124]

【表３】 実施例８ 実施例７において、基体を１８０μｍ厚のＰＥＴに代え
ても実施例７と同様の効果であった。 実施例９ 実施例７において、基体を１００μｍ厚のＰＥに代えて
も実施例７と同様の効果であった。 実施例１０ 実施例７において、基体を１５０μｍ厚のＰＰに代えて
も実施例７と同様の効果であった。 実施例１１ 実施例７において、基体を１２０μｍ厚のＴＡＣに代え
ても実施例７と同様の効果であった。 実施例１２ 実施例７において、基体のゼラチン水溶液を写真用白黒
乳剤に代えた以外は同様にして塗膜を形成し、実施例６
と同様に接着性試験を行い評価した。その結果を表４に
示す。[Table 3] Example 8 In Example 7, the same effect as in Example 7 was obtained even when the substrate was replaced with PET having a thickness of 180 μm. Example 9 In Example 7, the same effect as in Example 7 was obtained even when the substrate was replaced with PE having a thickness of 100 μm. Example 10 In Example 7, the same effect as in Example 7 was obtained even when the substrate was replaced with PP having a thickness of 150 μm. Example 11 In Example 7, the same effect as in Example 7 was obtained even when the substrate was replaced with TAC having a thickness of 120 μm. Example 12 A coating film was formed in the same manner as in Example 7 except that the gelatin aqueous solution of the substrate was replaced with a black-and-white photographic emulsion.
An adhesion test was performed and evaluated in the same manner as described above. Table 4 shows the results.

【０１２５】＜液条件＞ 実施例６と同じ 比較例６ 比較例５と同条件にて表面処理を行い、実施例１２と同
様に塗膜を形成した。<Liquid conditions> Same as in Example 6 Comparative Example 6 Surface treatment was performed under the same conditions as in Comparative Example 5, and a coating film was formed in the same manner as in Example 12.

【０１２６】[0126]

【表４】 実施例１３〜１９、比較例７ 実施例７において、表５に示す条件変更を行って、同様
の処理試験を行い、同様の評価を行った。[Table 4] Examples 13 to 19 and Comparative Example 7 In Example 7, the conditions were changed as shown in Table 5, the same processing test was performed, and the same evaluation was performed.

【０１２７】予備室の数による条件変更 条件１：図１２（a）に示すように予備室を設けずに、
処理室内部と外部の差圧を表５に示すように設定した。Condition change according to the number of spare rooms Condition 1: As shown in FIG.
The differential pressure between the inside of the processing chamber and the outside was set as shown in Table 5.

【０１２８】条件２：図１２（b）に示すように予備室
を１つ儲けて、処理室内部と外部の差圧を表５に示すよ
うに設定した。Condition 2: As shown in FIG. 12B, one spare chamber was provided, and the pressure difference between the inside of the processing chamber and the outside was set as shown in Table 5.

【０１２９】条件３：図１２（c）に示すように予備室
を２つ設けて、処理室内部と外部の差圧を表５に示すよ
うに設定した。Condition 3: Two preparatory chambers were provided as shown in FIG. 12C, and the differential pressure between the inside of the processing chamber and the outside was set as shown in Table 5.

【０１３０】予備室へのガスの導入 表５に示すようにガスの導入のある場合とない場合につ
いて試験した。Introduction of Gas into Preliminary Chamber As shown in Table 5, tests were performed with and without gas introduction.

【０１３１】減圧手段の採用の有無 表５に示すように減圧手段を設けた場合と設けない場合
について評価した。Whether or not pressure reducing means was employed As shown in Table 5, the evaluation was made with and without the pressure reducing means.

【０１３２】処理室内の酸素濃度 基体の搬送速度を１８０mm/minと３００mm/minの分けて
試験し、各々の場合の濃度を測定し、表５に示した。Oxygen Concentration in Processing Chamber The transport speed of the substrate was tested separately at 180 mm / min and 300 mm / min, and the concentration in each case was measured.

【０１３３】接着試験結果 試験方法は実施例７と同様にし、基体の搬送速度を１８
０mm/minと３００mm/minの分けて試験し、各々の場合の
結果を表５に示した。Adhesion Test Results The test method was the same as in Example 7, and the transfer speed of the substrate was 18
The test was performed separately at 0 mm / min and 300 mm / min, and the results in each case are shown in Table 5.

【０１３４】[0134]

【表５】 実施例２０ 実施例１９と同一の条件で、放電電極部を以下の形式に
変更し、効果の確認を行った。[Table 5] Example 20 Under the same conditions as in Example 19, the discharge electrode portion was changed to the following format, and the effect was confirmed.

【０１３５】＜表面処理条件＞ 装置１ パイプ電極平行配置型プラズマ装置（図４に示す装置） パイプ径：１０mmφ 放電面積：２５０mm×５００mm 誘電体：アルミナセラミックスを１mm溶射 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製） 周波数：１０kHz 出力：１．５ｋｗ 装置２ ロール電極型プラズマ装置（図５に示す装置） パイプ電極：装置１と同じ ロール電極：１．５ｍφ,幅２５０ｍｍ(アルミナセラミ
ックスを１mm溶射) 放電面積：２５０mm×５００mm 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製） 周波数：１０kHz 出力：１．５ｋｗ 装置３ ガスフロー型曲面電極（図９に示す装置） 電極：曲率１ｍ,幅５００ｍｍ,長さ５００ｍｍ（パンチ
板）穴に内径５mmφ、外径８mmφのセラミックパイプを
埋め込み後、アルミナセラミックスを１mm溶射 放電面積：５００mm×５００mm×２ 電源：インパルス式高周波高圧電源PHF-6K（ハイデン研
究所製） 周波数：１０kHz 出力：３kw ＜基体＞ 装置１及び２：幅２００mm,厚さ１００μｍのＰＥＴ 装置３ ：幅４００mm,厚さ１００μｍのＰＥＴ ＜塗布条件＞ ゼラチン水溶液：５％（w/vol） 塗布膜厚：６０μｍ （接着性試験）実施例１と同様の試験方法に従い、45゜
の角度で入刀した時の接着力を確保できる限界処理速度
を評価し、その結果を表６に示した。<Surface treatment conditions> Apparatus 1 Pipe electrode parallel arrangement type plasma apparatus (apparatus shown in FIG. 4) Pipe diameter: 10 mm φ Discharge area: 250 mm × 500 mm Dielectric: Alumina ceramics sprayed 1 mm Power supply: Impulse high frequency high voltage power supply PHF -6K (manufactured by Heiden Laboratory) Frequency: 10 kHz Output: 1.5 kW Apparatus 2 Roll electrode type plasma apparatus (apparatus shown in FIG. 5) Pipe electrode: Same as apparatus 1 Roll electrode: 1.5 mφ, width 250 mm (alumina ceramics Discharge area: 250 mm x 500 mm Power supply: Impulse high-frequency high-voltage power supply PHF-6K (manufactured by Heiden Lab.) Frequency: 10 kHz Output: 1.5 kW Device 3 Gas flow type curved surface electrode (device shown in Fig. 9) Electrode: Curvature After embedding a ceramic pipe with an inner diameter of 5 mmφ and an outer diameter of 8 mmφ in a hole of 1 m, width of 500 mm and length of 500 mm (punch plate), Mina ceramics sprayed by 1 mm Discharge area: 500 mm x 500 mm x 2 Power supply: Impulse high-frequency high-voltage power supply PHF-6K (manufactured by Heiden Laboratory) Frequency: 10 kHz Output: 3 kw <Base> Devices 1 and 2: 200 mm wide and 100 µm thick PET device 3: PET having a width of 400 mm and a thickness of 100 μm <Coating conditions> Gelatin aqueous solution: 5% (w / vol) Coating film thickness: 60 μm (Adhesion test) According to the same test method as in Example 1, an angle of 45 ° The critical processing speed at which the adhesive force at the time of cutting was secured was evaluated, and the results are shown in Table 6.

【０１３６】[0136]

【表６】 [Table 6]

【発明の効果】本発明によれば、コストが安く、生産性
に優れた基体の表面処理方法及びその装置並びに表面処
理した基体を提供すること及び、基体の超高速搬送にお
いても、基体表面の接着性を向上させ、基体への極性官
能基の付与効率が高く、効率的な且つ均一な表面処理が
できる基体の表面処理方法及びその装置並びに表面処理
した基体を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide a method and an apparatus for treating the surface of a substrate which are inexpensive and excellent in productivity, and to provide a substrate which has been subjected to a surface treatment. It is possible to provide a method and an apparatus for treating a surface of a substrate, which can improve the adhesiveness, increase the efficiency of imparting a polar functional group to the substrate, and perform an efficient and uniform surface treatment, and provide a surface-treated substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の方法及び装置の一形態を示す概
略構成図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a first method and apparatus of the present invention.

【図２】パルス波の一形態を示す図FIG. 2 is a diagram showing one form of a pulse wave.

【図３】本発明の第１の方法及び装置の一形態を示す概
略構成図FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the first method and apparatus of the present invention.

【図４】円筒型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a cylindrical electrode.

【図５】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a roll-type electrode.

【図６】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a roll-type electrode.

【図７】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a roll-type electrode.

【図８】ロール型電極を用いた形態を示す概略構成図FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a mode using a roll-type electrode.

【図９】ガスフロー型曲面電極を用いた形態を示す概略
構成図FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing an embodiment using a gas flow type curved electrode.

【図１０】気密保持向上のための装置例を示す概略構成
図FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of an apparatus for improving airtightness.

【図１１】気密保持向上のための他の装置例を示す概略
構成図FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing another example of an apparatus for improving airtightness.

【図１２】本発明の実験条件を示した説明図FIG. 12 is an explanatory diagram showing experimental conditions of the present invention.

【図１３】比較例を示す図FIG. 13 shows a comparative example.

【図１４】比較例を示す図FIG. 14 shows a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ：基体 ２ ：処理部乃至処理室 ３、４：電極 ５ ：電源 ６ ：アース ７，８：ニップロール １５：減圧手段 １０、１１、１２：予備室 1: substrate 2: processing section to processing chamber 3, 4: electrode 5: power supply 6: ground 7, 8: nip roll 15: decompression means 10, 11, 12: spare chamber

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｃ 1/91 Ｇ０３Ｃ 1/91 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03C 1/91 G03C 1/91

Claims (34)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】任意の基体に対し、プラズマによる表面処
理を行う表面処理方法において、大気圧もしくはその近
傍の圧力下で、パルス化された電界中で発生させたプラ
ズマを用いることを特徴とする表面処理方法。1. A surface treatment method for subjecting an arbitrary substrate to surface treatment using plasma, characterized in that plasma generated in a pulsed electric field at atmospheric pressure or a pressure close thereto is used. Surface treatment method. 【請求項２】前記基体が連続的に搬送される長尺物であ
ることを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。2. The surface treatment method according to claim 1, wherein said substrate is a long object which is continuously conveyed. 【請求項３】前記基体がシート状であることを特徴とす
る請求項１記載の表面処理方法。3. The surface treatment method according to claim 1, wherein said substrate is in the form of a sheet. 【請求項４】表面処理を行う前に、前記基体表面の帯電
量が±５００Ｖ以下になるまで、除電処理を行うことを
特徴とする請求項１記載の表面処理方法。4. The surface treatment method according to claim 1, wherein a static elimination treatment is performed until the charge amount on the surface of the substrate becomes ± 500 V or less before performing the surface treatment. 【請求項５】前記除電処理を行った後に、前記基体表面
の塵埃を除去してから、表面処理を行うことを特徴とす
る請求項１記載の表面処理方法。5. The surface treatment method according to claim 1, wherein after performing the static elimination treatment, the surface treatment is performed after removing dust on the surface of the base. 【請求項６】請求項１乃至５に記載の方法により表面処
理したことを特徴とする表面処理した基体。6. A surface-treated substrate, which is surface-treated by the method according to claim 1. 【請求項７】基体が、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロピ
レンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロースま
たは樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求項
６に記載の表面処理した基体。7. The surface-treated substrate according to claim 6, wherein the substrate is a film selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, triacetyl cellulose or a resin-coated photographic paper substrate. 【請求項８】基体が、写真感光材料用基体であることを
特徴とする請求項７に記載の表面処理した基体。8. The surface-treated substrate according to claim 7, wherein the substrate is a substrate for a photographic light-sensitive material. 【請求項９】連続搬送される長尺状の基体を大気圧もし
くはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処理
部を有する基体の表面処理装置において、該処理部を通
過する基体にパルス化された電界を印加する電極を有
し、該処理部が大気開放されていることを特徴とする基
体の表面処理装置。9. A substrate surface treatment apparatus having a processing section for continuously plasma-treating a continuously transported long substrate under atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure, wherein a pulse is applied to the substrate passing through the processing section. A surface treatment apparatus for a substrate, comprising: an electrode for applying a converted electric field; and a processing unit that is open to the atmosphere. 【請求項１０】請求項９に記載の表面処理装置を用いて
表面処理したことを特徴とする表面処理した基体。10. A surface-treated substrate, which has been surface-treated using the surface treatment apparatus according to claim 9. 【請求項１１】基体が、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロ
ピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロース
または樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求
項１０に記載の表面処理した基体。11. A substrate comprising polyethylene terephthalate,
The surface-treated substrate according to claim 10, which is a film selected from polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, a triacetyl cellulose or a resin-coated photographic paper substrate. 【請求項１２】基体が、写真感光材料用基体であること
を特徴とする請求項１１に記載の表面処理した基体。12. The surface-treated substrate according to claim 11, wherein the substrate is a substrate for a photographic material. 【請求項１３】任意の基体に対し、プラズマによる表面
処理を行う表面処理方法において、前記基体は連続的に
搬送されるものであると共に、該基体の入口と出口とを
そなえた処理室内に、反応ガスが３０体積％以上の処理
ガスを、処理室外の気圧よりも高い気圧で封入してお
き、該処理室内にパルス化された電界を形成することに
よって発生させたプラズマを用いて、表面処理を行うこ
とを特徴とする表面処理方法。13. A surface treatment method for subjecting an arbitrary substrate to a surface treatment using plasma, wherein the substrate is continuously conveyed, and is provided in a processing chamber having an inlet and an outlet of the substrate. A processing gas containing 30% by volume or more of a reaction gas is sealed at a pressure higher than the pressure outside the processing chamber, and surface treatment is performed using plasma generated by forming a pulsed electric field in the processing chamber. Surface treatment method. 【請求項１４】処理室の気圧が外圧より０．０３ｍｍＡ
ｑＨｇ以上高いことを特徴とする請求項１３に記載の基
体の表面処理方法。14. The pressure in the processing chamber is 0.03 mmA higher than the external pressure.
14. The method for treating a surface of a substrate according to claim 13, wherein the method is higher than qHg. 【請求項１５】処理室内の酸素濃度を６００ｐｐｍ以下
に調整することを特徴とする請求項１３又は１４に記載
の基体の表面処理方法。15. The surface treatment method for a substrate according to claim 13, wherein the oxygen concentration in the processing chamber is adjusted to 600 ppm or less. 【請求項１６】表面処理前に、予め基体表面の除電処理
を行い、更にゴミ除去を行うことを特徴とする請求項１
３、１４又は１５に記載の基体の表面処理方法。16. The method according to claim 1, wherein before the surface treatment, the surface of the substrate is subjected to a static elimination treatment in advance, and further dust is removed.
16. The surface treatment method for a substrate according to 3, 14, or 15. 【請求項１７】請求項１３〜１６の何れかに記載の表面
処理方法により表面処理したことを特徴とする表面処理
した基体。17. A surface-treated substrate, which has been surface-treated by the surface treatment method according to claim 13. 【請求項１８】基体が、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロ
ピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロース
または樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求
項１７に記載の表面処理した基体。18. The method according to claim 18, wherein the substrate is polyethylene terephthalate,
18. The surface-treated substrate according to claim 17, wherein the substrate is a film selected from polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, a triacetyl cellulose or resin-coated photographic paper substrate. 【請求項１９】基体が、写真感光材料用基体であること
を特徴とする請求項１８に記載の表面処理した基体。19. The surface-treated substrate according to claim 18, wherein the substrate is a substrate for a photographic light-sensitive material. 【請求項２０】連続搬送される長尺状の基体を大気圧も
しくはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処
理部を有する基体の表面処理装置において、該処理部が
前記基体の入口と出口を有する処理室であり、該処理室
内の基体にパルス化された電界を印加する電極を有し、
該処理室に封入する処理ガス中の反応ガスの割合を３０
％以上に調整する手段を有すると共に該処理室内の気圧
を外圧より高く調整する構成を有することを特徴とする
基体の表面処理装置。20. A surface treatment apparatus for a substrate having a processing section for continuously performing a plasma treatment on a continuously transported long substrate under atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure, wherein the processing section is connected to an inlet of the substrate. A processing chamber having an outlet, comprising an electrode for applying a pulsed electric field to a substrate in the processing chamber;
The ratio of the reaction gas in the processing gas sealed in the processing chamber is 30
%, And a device for adjusting the pressure in the processing chamber to be higher than the external pressure. 【請求項２１】前記処理室に隣接して処理ガスの少なく
とも１成分を有している予備室を具有しており、該予備
室は基体の入口側に一つ、または出入口両側に一つづつ
有し、該処理室の気圧が、該処理室と隣接する予備室の
気圧より０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上高いことを特徴とす
る請求項２０に記載の基体の表面処理装置。21. A preliminary chamber having at least one component of a processing gas adjacent to the processing chamber, the preliminary chamber being one at the inlet side of the substrate or one at both sides of the inlet and outlet. 21. The substrate surface treatment apparatus according to claim 20, wherein the pressure of the processing chamber is higher than the pressure of a preliminary chamber adjacent to the processing chamber by 0.03 mmAqHg or more. 【請求項２２】前記処理室に隣接して予備室を具有して
おり、該予備室は該処理室の基体の入口側に二つ以上、
または出入口の両側にそれぞれ二つ以上有し、少なくと
も１つの予備室の気圧が、隣り合い且つ処理室より遠い
位置の次の予備室の気圧より０．０３ｍｍＡｑＨｇ以上
高いことを特徴とする請求項２０に記載の基体の表面処
理装置。22. A pre-chamber adjacent to the processing chamber, the pre-chamber having two or more pre-chambers at the inlet side of the substrate in the processing chamber.
21. The air conditioner according to claim 20, wherein two or more pressure chambers are provided on both sides of the entrance, and the pressure of at least one preparatory chamber is higher than the pressure of the next preparatory chamber adjacent to and farther from the processing chamber by 0.03 mmAqHg or more. The surface treatment apparatus for a substrate according to item 1. 【請求項２３】予備室の少なくとも一つが、処理ガスの
少なくとも一成分を有することを特徴とする請求項２２
に記載の基体の表面処理装置。23. The at least one spare chamber has at least one component of a processing gas.
The surface treatment apparatus for a substrate according to item 1. 【請求項２４】予備室の少なくとも１つが、減圧手段を
有することを特徴とする請求項２０、２１又は２２に記
載の基体の表面処理装置。24. The apparatus for treating a surface of a substrate according to claim 20, wherein at least one of the preliminary chambers has a decompression means. 【請求項２５】処理室と外部又は隣接する室間の間仕切
り手段が、基体に対して所定の間隙を保ち、且つ非接触
であることを特徴とする請求項２０〜２４の何れかに記
載の基体の表面処理装置。25. The method according to claim 20, wherein the partitioning means between the processing chamber and the outside or the adjacent chamber keeps a predetermined gap with respect to the substrate and is non-contact. Substrate surface treatment equipment. 【請求項２６】処理室と外部又は隣接する室間の間仕切
り手段が、基体に対して接触する少なくとも１対のロー
ルであることを特徴とする請求項２０〜２４の何れかに
記載の基体の表面処理装置。26. The substrate according to claim 20, wherein the partitioning means between the processing chamber and the outside or an adjacent chamber is at least one pair of rolls contacting the substrate. Surface treatment equipment. 【請求項２７】前記ロールのうち少なくとも一つがゴム
ロールであることを特徴とする請求項２６に記載の基体
の表面処理装置。27. The apparatus according to claim 26, wherein at least one of said rolls is a rubber roll. 【請求項２８】処理室内の酸素濃度を６００ｐｐｍ以下
に調整することを特徴とする請求項２０〜２７の何れか
に記載の基体の表面処理装置。28. The apparatus according to claim 20, wherein the oxygen concentration in the processing chamber is adjusted to 600 ppm or less. 【請求項２９】電極が、円筒型電極であることを特徴と
する請求項２０〜２８の何れかに記載の基体の表面処理
装置。29. The apparatus for treating a surface of a substrate according to claim 20, wherein the electrode is a cylindrical electrode. 【請求項３０】電極が、ロール型電極であることを特徴
とする請求項２０〜２８の何れかに記載の基体の表面処
理装置。30. The substrate surface treating apparatus according to claim 20, wherein the electrode is a roll type electrode. 【請求項３１】電極が、ガスフロー型曲面電極であるこ
とを特徴とする請求２０〜２８の何れかに記載の基体の
表面処理装置。31. The apparatus for treating a surface of a substrate according to claim 20, wherein the electrode is a gas flow type curved surface electrode. 【請求項３２】請求項２０〜３１の何れかに記載の表面
処理装置を用いて表面処理したことを特徴とする表面処
理した基体。32. A surface-treated substrate, which has been surface-treated using the surface treatment apparatus according to any one of claims 20 to 31. 【請求項３３】基体が、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン及びポリプロ
ピレンから選ばれるフィルム、トリアセチルセルロース
または樹脂被覆印画紙基体であることを特徴とする請求
項３２に記載の表面処理した基体。33. A substrate comprising polyethylene terephthalate,
33. The surface-treated substrate according to claim 32, wherein the substrate is a film selected from polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene, a triacetyl cellulose or a resin-coated photographic paper substrate. 【請求項３４】基体が、写真感光材料用基体であること
を特徴とする請求項３３に記載の表面処理した基体。34. The surface-treated substrate according to claim 33, wherein the substrate is a substrate for a photographic light-sensitive material.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008297416A (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Unitika Uji Products Kk Surface modified polyamide film and its manufacturing method
KR100908603B1 (en) 2008-04-22 2009-07-22 타포스주식회사 Multi processing apparatus by electron beam
WO2011111626A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 積水化学工業株式会社 Surface treatment device
KR20210108069A (en) * 2020-02-25 2021-09-02 연세대학교 산학협력단 Electric field shaping apparatus and target processing device using electric field

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008297416A (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Unitika Uji Products Kk Surface modified polyamide film and its manufacturing method
KR100908603B1 (en) 2008-04-22 2009-07-22 타포스주식회사 Multi processing apparatus by electron beam
WO2011111626A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 積水化学工業株式会社 Surface treatment device
JP5130413B2 (en) * 2010-03-08 2013-01-30 積水化学工業株式会社 Surface treatment equipment
KR101268242B1 (en) 2010-03-08 2013-05-31 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Surface treatment device
KR20210108069A (en) * 2020-02-25 2021-09-02 연세대학교 산학협력단 Electric field shaping apparatus and target processing device using electric field
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