JP2000243711A - Substrate treatment apparatus - Google Patents
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- JP2000243711A JP2000243711A JP11045919A JP4591999A JP2000243711A JP 2000243711 A JP2000243711 A JP 2000243711A JP 11045919 A JP11045919 A JP 11045919A JP 4591999 A JP4591999 A JP 4591999A JP 2000243711 A JP2000243711 A JP 2000243711A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、コールドウォール
方式の反応室を有する基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus having a cold-wall type reaction chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のホットプレートヒータ５０を用い
たコールドウォール方式の反応室５２の構造としては、
図２に示されるようなものがあり、これに示されるもの
は、密封された反応室５２内に、ステンレス系又はアル
ミ系のホットプレートヒータ５０と、ウェーハ５６を反
応室５２内に搬入及び搬出するための搬送口５８と、ガ
スを排気する排気口６０と、ホットプレートヒータ５０
の上部に生成ガスをシャワー状に供給可能なシャワーノ
ズル６２と、がそれぞれ設けられている。2. Description of the Related Art A cold wall type reaction chamber 52 using a conventional hot plate heater 50 has the following structure.
As shown in FIG. 2, a stainless steel or aluminum hot plate heater 50 and a wafer 56 are loaded into and unloaded from the reaction chamber 52 in a sealed reaction chamber 52. Port 58 for exhausting gas, an exhaust port 60 for exhausting gas, and a hot plate heater 50
And a shower nozzle 62 capable of supplying a generated gas in a shower shape.
【０００３】ホットプレートヒータ５０のヒータ５０ａ
はホットプレートヒータ５０内に埋め込まれており、ホ
ットプレートヒータ５０の基部は、図示していないＯリ
ング又は種々のミール材を使用して軸又は軸のフランジ
が図示してないボルトによって図示していないスライド
テーブルに固定されている。スライドテーブルは図示し
てない昇降用ロボットによって昇降可能であり、反応室
５２の上部には、反応室５２内に生成ガスを供給可能な
生成ガス供給部６４と、クリーニングガスを供給可能な
クリーニングガス供給部６６とがそれぞれ設けられてい
る。The heater 50a of the hot plate heater 50
Embedded in the hot plate heater 50, the base of the hot plate heater 50 is illustrated by an O-ring, not shown, or by bolts, not shown, of the shaft or shaft flange using various meal materials. Not fixed on the slide table. The slide table can be moved up and down by an elevating robot (not shown). Above the reaction chamber 52, a generated gas supply unit 64 that can supply a generated gas into the reaction chamber 52, and a cleaning gas that can supply a cleaning gas A supply unit 66 is provided.
【０００４】ウェーハ５６の処理方法は、図示してない
搬送アームによってウェーハ５６が搬送口５８から反応
室５２内に搬入されてホットプレートヒータ５０上に載
置され、ホットプレートヒータ５０によって加熱され
る。ウェーハ５６が所定温度に加熱されるとシャワーノ
ズル６２から生成ガスが供給されて成膜される。In the method of processing the wafer 56, the wafer 56 is carried into the reaction chamber 52 from the transfer port 58 by a transfer arm (not shown), placed on the hot plate heater 50, and heated by the hot plate heater 50. . When the wafer 56 is heated to a predetermined temperature, a generated gas is supplied from the shower nozzle 62 to form a film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のものでは、ホットプレートヒータ５０が反応室５２
内のガス雰囲気内にあるため、ホットプレートヒータ５
０の図示していないヒータから遠い低温部分や、コール
ドウォール方式のため反応室５２の内壁の温度がヒータ
の温度よりも低くなるため反応室５２の内壁などのウェ
ーハ５６の処理温度よりも低温部分に反応副生成物が付
着してしまう。However, in the above-mentioned conventional apparatus, the hot plate heater 50 is provided with the reaction chamber 52.
Because of the gas atmosphere inside, the hot plate heater 5
0, which is farther from the heater (not shown), or a lower temperature than the processing temperature of the wafer 56, such as the inner wall of the reaction chamber 52 because the temperature of the inner wall of the reaction chamber 52 is lower than the temperature of the heater because of the cold wall method. Reaction by-products adhere to the surface.
【０００６】この付着した副生成物は、反応室５２内の
パーティクル（ゴミ）汚染の原因となり、定期的な洗浄
が必要となるが、装置の中心であるホットプレートヒー
タ５０を外すには、著しく時間がかかる。また、ホット
プレートヒータ５０を含む反応室５２内全体に付着した
副生成物をクリーニングガスを供給することにより自動
的に洗浄する機能を有しているものの場合、クリーニン
グガスが供給されることにより反応室５２の内壁やホッ
トプレートヒータ５０を腐食させてしまう場合があり、
反応室５２内を金属汚染雰囲気にしてしまったり、ホッ
トプレートヒータ５０自体のライフタイムを縮めてしま
ったりする可能性がある。The attached by-products cause particle (dust) contamination in the reaction chamber 52 and require periodic cleaning. However, it is extremely difficult to remove the hot plate heater 50 which is the center of the apparatus. take time. When the cleaning gas is supplied to the reaction chamber 52 including the hot plate heater 50 to automatically clean the by-products attached to the entire reaction chamber 52 by supplying the cleaning gas, the reaction gas is supplied by the cleaning gas. The inner wall of the chamber 52 and the hot plate heater 50 may be corroded,
There is a possibility that the inside of the reaction chamber 52 may be made into a metal-contaminated atmosphere, or the lifetime of the hot plate heater 50 itself may be shortened.
【０００７】本発明は、このような課題を解決するため
のものであり、反応室の低温部に反応副生成物が付着す
るのを防止できると共に、基板処理装置のメンテナンス
を容易に行うことができ、また各部材のライフタイムを
向上させることができる基板処理装置を得ることを目的
としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and can prevent a reaction by-product from adhering to a low temperature portion of a reaction chamber and can easily perform maintenance of a substrate processing apparatus. It is an object of the present invention to obtain a substrate processing apparatus capable of improving the lifetime of each member.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明のうちで請求項１記載の発明は、ウェー
ハの処理を行う際に処理温度よりも低温になる反応室内
の部分に該部分を覆うカバーを着脱可能に設けるととも
に、前記低温になる部分にウェーハの生成ガスが回り込
むことを防止可能とするＮ2 パージラインを設けること
を特徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 of the present invention is directed to a part of a reaction chamber which becomes lower than a processing temperature when processing a wafer. A cover for covering the portion is provided detachably, and an N 2 purge line is provided for preventing the generated gas of the wafer from flowing around the portion where the temperature becomes low.
【０００９】これにより、生成ガスを吹きかけてウェー
ハを処理する際に、ウェーハの処理温度よりも低温にな
る反応室内の部分にはカバーが設けられているととも
に、Ｎ 2 パージガスをパージするため、前記低温部分に
生成ガスが回り込むことがないので、前記低温部分に生
成ガスが付着することはない。従って、直接生成ガスに
触れるカバーは、生成ガスが付着して成膜されるが、着
脱可能であるため、メンテナンス時にはカバーの交換を
行えばよいので、容易にメンテナンスを行うことができ
る。また、反応室内のクリーニングを行う回数が減るた
め、反応室内の各部材のライフタイムを向上させること
ができる。Thus, the generated gas is blown to
When processing c, the temperature may be lower than the processing temperature of the wafer.
The inside of the reaction chamber has a cover
And N TwoTo purge the purge gas,
Since the generated gas does not flow around,
No formation gas adheres. Therefore, directly to the product gas
When the cover is touched, the generated gas adheres and the film is formed.
Since the cover can be removed, replace the cover during maintenance.
Maintenance can be performed easily.
You. Also, the number of times of cleaning the reaction chamber is reduced.
To improve the lifetime of each member in the reaction chamber
Can be.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】図１に本発明の基板処理装置１０
の断面図を示す。密封された反応室１２内にハステロイ
製のホットプレートヒータ１６が設けられており、ホッ
トプレートヒータ１６の上部にはヒータ１８が埋め込ま
れた後溶接されて真空対応になっている。ホットプレー
トヒータ１６の上面には凹部１６ａが形成されており、
凹部１６ａには、下面に３点の突起２０ａを有するサセ
プタ２０が載置されている。従って、凹部１６ａとサセ
プタ２０とは、突起２０ａ部分では両者は密着している
が、他の部分は両者の間に空間が形成されている。FIG. 1 shows a substrate processing apparatus 10 according to the present invention.
FIG. A hot plate heater 16 made of Hastelloy is provided in the sealed reaction chamber 12, and a heater 18 is embedded in the upper portion of the hot plate heater 16 and then welded to be vacuum compatible. A concave portion 16a is formed on the upper surface of the hot plate heater 16,
A susceptor 20 having three projections 20a on the lower surface is placed in the recess 16a. Therefore, the recess 16a and the susceptor 20 are in close contact with each other at the projection 20a, but a space is formed between the other portions.
【００１１】ホットプレートヒータ１６の基部は、これ
のフランジ１６ｂが、Ｏリング２２を介してボルト２４
によってスライドテーブル２６に固定されており、スラ
イドテーブル２６は、図示してない昇降用ロボットによ
ってホットプレートヒータ１６と一体に昇降可能であ
る。反応室１２の底部とスライドテーブル２６との間は
ベローズ２８により連結されており、ベローズ２８で囲
まれた内部は真空になっている。従って、昇降用ロボッ
トによりスライドテーブル２６が昇降してもベローズ２
８が伸縮するため、スライドテーブル２６から反応室１
２内にかけての真空が保持される。The base of the hot plate heater 16 has its flange 16 b connected to a bolt 24 via an O-ring 22.
The slide table 26 can be moved up and down integrally with the hot plate heater 16 by an elevating robot (not shown). The bottom of the reaction chamber 12 and the slide table 26 are connected by a bellows 28, and the inside surrounded by the bellows 28 is evacuated. Therefore, even if the slide table 26 is moved up and down by the elevating robot, the bellows 2
8 expands and contracts, the slide table 26 moves the reaction chamber 1
2 is maintained.
【００１２】反応室１２の左側壁には、ウェーハ１４を
反応室１２内に搬入及び搬出するための搬送口１２ａが
形成されており、搬送口１２ａの端部には、これを開閉
するためのゲート３６が設けられている。A transfer port 12a for loading and unloading the wafer 14 into and from the reaction chamber 12 is formed on the left side wall of the reaction chamber 12, and an end of the transfer port 12a is provided for opening and closing the transfer port. A gate 36 is provided.
【００１３】反応室１２の側壁１２ｂ及び床面１２ｃと
ホットプレートヒータ１６の周りには、それぞれ側壁カ
バー３８、床面カバー４０、上部カバー４２及び下部カ
バー４４が設けられている。Around the side wall 12b and floor 12c of the reaction chamber 12 and the hot plate heater 16, a side wall cover 38, a floor surface cover 40, an upper cover 42 and a lower cover 44 are provided, respectively.
【００１４】側壁カバー３８は、反応室１２の側壁１２
ｂとの間で５ｍｍ程の隙間をあけて配置され、側壁カバ
ー３８の「Ｌ」字状に屈曲した上端部が反応室１２の側
壁１２ｂの上端部に形成された窪みに挿入されてボルト
２５により固定されている。側壁カバー３８の搬送口１
２ａに対応する位置には、搬送口１２ａと同じ大きさの
開口部３８ａが形成されている。The side wall cover 38 covers the side wall 12 of the reaction chamber 12.
The upper end of the side wall cover 38 bent in an "L" shape is inserted into a recess formed in the upper end of the side wall 12b of the reaction chamber 12, and the bolt 25 It is fixed by. Transport port 1 of side wall cover 38
An opening 38a having the same size as the transfer port 12a is formed at a position corresponding to 2a.
【００１５】床面カバー４０は、反応室１２の床面１２
ｃ全体に隙間をあけずに敷き詰められており、床面カバ
ー４０と側壁カバー３８の下端部との間には２ｍｍ程の
隙間が形成されている。The floor cover 40 is provided on the floor 12 of the reaction chamber 12.
c is laid without leaving a gap, and a gap of about 2 mm is formed between the floor cover 40 and the lower end of the side wall cover 38.
【００１６】上部カバー４２は、ホットプレートヒータ
１６の上部側面１６ｃにこれとの間に２ｍｍ程の隙間を
あけて配置されており、上部カバー４２の「Ｌ」字状に
屈曲した上端部がホットプレートヒータ１６の上面端部
に引っ掛けられることによりホットプレートヒータ１６
に取付けられている。The upper cover 42 is disposed on the upper side surface 16c of the hot plate heater 16 with a gap of about 2 mm between the upper side surface 16c and the upper end of the upper cover 42 bent in an "L" shape. The hot plate heater 16 is hooked on the upper end of the plate heater 16.
Mounted on
【００１７】下部カバー４４は、断面略「Ｌ」字状の形
状を有しており、ホットプレートヒータの下部底面１６
ｄから側面１６ｅにかけてこれらとの間に２ｍｍ程の隙
間をあけて配置されており、下部カバー４４の下端部が
側面１６ｅにビス４６によって固定されている。上部カ
バー４２の下端部と下部カバー４４の上端部との間には
１ｍｍ程の隙間が設けられている。The lower cover 44 has a substantially "L" -shaped cross section, and is provided with a lower bottom surface 16 of the hot plate heater.
From d to the side surface 16e, they are arranged with a gap of about 2 mm between them, and the lower end of the lower cover 44 is fixed to the side surface 16e with screws 46. A gap of about 1 mm is provided between the lower end of the upper cover 42 and the upper end of the lower cover 44.
【００１８】反応室１２とホットプレートヒータ１６に
は、反応室１２内にＮ2 パージガスを導入するための導
入路４８、４９、４７、４５、４３及び４１がそれぞれ
形成されている。The reaction chamber 12 and the hot plate heater 16 are formed with introduction paths 48, 49, 47, 45, 43 and 41 for introducing N 2 purge gas into the reaction chamber 12, respectively.
【００１９】すなわち、反応室１２の搬送口１２ａの壁
には、これを上下方向に貫通する導入路４８が、反応室
１２の右側壁１２ｂには、これを左右方向に貫通する導
入路４９が、また反応室１２の基部１２ｄには、これら
を左右方向に貫通する導入路４７及び４５がそれぞれ形
成されている。That is, an introduction passage 48 penetrating the transfer port 12a of the reaction chamber 12 in the up-down direction and an introduction passage 49 penetrating the right side wall 12b of the reaction chamber 12 in the left-right direction. In addition, introduction paths 47 and 45 penetrating these in the left-right direction are formed in the base 12d of the reaction chamber 12, respectively.
【００２０】また、ホットプレートヒータ１６内には、
これの下端部から側面１６ｅまで貫通する導入路４３
と、ホットプレートヒータ１６の下端部から凹部１６ａ
まで貫通する導入路４１がそれぞれ設けられており、導
入路４３及び４１の下端部は、それぞれ真空継手３０を
介してフレキシブルチューブ３２の一端と連結してい
る。フレキシブルチューブ３２の他端には真空継手３４
が連結しており、ここからＮ2 パージガスが導入され
る。In the hot plate heater 16,
An introduction path 43 penetrating from the lower end to the side surface 16e.
From the lower end of the hot plate heater 16 to the recess 16a.
An introduction path 41 penetrating to the flexible tube 32 is provided through the vacuum joint 30 at the lower end of each of the introduction paths 43 and 41. The other end of the flexible tube 32 has a vacuum joint 34
Are connected, and an N 2 purge gas is introduced from here.
【００２１】反応室１２の床面には、ホットプレートヒ
ータ１６を挟んで上方に向かって突出する一対又は二対
のリフトピン３９が設けられており、ホットプレートヒ
ータ１６、下部カバー４４及びサセプタ２０には、リフ
トピン３９が挿通可能な挿通孔１６ｆ、４４ａ、２０ｂ
がそれぞれ形成されている。On the floor of the reaction chamber 12, a pair or two pairs of lift pins 39 projecting upward with the hot plate heater 16 interposed therebetween are provided, and the hot plate heater 16, the lower cover 44 and the susceptor 20 are provided on the floor. Are insertion holes 16f, 44a, and 20b through which the lift pins 39 can be inserted.
Are formed respectively.
【００２２】反応室１２の天井には、ホットプレートヒ
ータ１６上に生成ガスをシャワー状に供給可能なシャワ
ーノズル３７が設けられており、反応室１２の上部に
は、シャワーノズル３７に生成ガスを供給可能な生成ガ
ス供給部３５が設けられている。On the ceiling of the reaction chamber 12, there is provided a shower nozzle 37 capable of supplying generated gas onto the hot plate heater 16 in the form of a shower. A supply gas 35 that can be supplied is provided.
【００２３】次に、実施の形態の動作について説明す
る。ウェーハ１４を反応室１２内に搬入する際、リフト
ピン３９が下部カバー４４の挿通孔４４ａ、ホットプレ
ートヒータ１６の挿通孔１６ｆ及びサセプタ２０の挿通
孔２０ｂを挿通してサセプタ２０の上方に突出する位置
まで、図示していない昇降用ロボットによりスライドテ
ーブル２６を下降させ、ゲート３６を開いて、図示して
いないアームで搬送口１２ａから反応室１２内にウェー
ハ１４を搬入し、リフトピン３９上に載置する。次に、
昇降用ロボットにより図１に示される位置までスライド
テーブル２６を上昇させて、ウェーハ１４をリフトピン
３９上からサセプタ２０上に載置させる。Next, the operation of the embodiment will be described. When the wafer 14 is loaded into the reaction chamber 12, the lift pins 39 project above the susceptor 20 through the insertion holes 44 a of the lower cover 44, the insertion holes 16 f of the hot plate heater 16, and the insertion holes 20 b of the susceptor 20. The slide table 26 is lowered by a lifting robot (not shown), the gate 36 is opened, the wafer 14 is loaded into the reaction chamber 12 from the transfer port 12 a by an arm (not shown), and placed on the lift pins 39. I do. next,
The slide table 26 is lifted by the lifting robot to the position shown in FIG. 1, and the wafer 14 is placed on the susceptor 20 from above the lift pins 39.
【００２４】次に、ホットプレートヒータ１６によりウ
ェーハ１４を加熱し、ウェーハ１４が所定温度に加熱さ
れると、生成ガス供給部３５からシャワーノズル３７を
介して生成ガスをウェーハ１４上に供給するとともに、
各導入路４１、４３、４５、４７、４８及び４９から反
応室１２内にＮ2 パージガスを導入する。Next, the wafer 14 is heated by the hot plate heater 16, and when the wafer 14 is heated to a predetermined temperature, the generated gas is supplied from the generated gas supply unit 35 onto the wafer 14 via the shower nozzle 37. ,
N 2 purge gas is introduced into the reaction chamber 12 from each of the introduction paths 41, 43, 45, 47, 48 and 49.
【００２５】Ｎ2 パージガスの流れは矢印で示すとおり
であり、導入路４８から導入されたＮ2 パージガスは、
側壁カバー３８の開口部３８ａいっぱいに広がって反応
室１２内に流出するとともに側壁１２ｂと側壁カバー３
８との間の隙間を塞ぐように下方に流れ、側壁カバー３
８と床面カバー４０との間のわずかな隙間から外部に流
出する。また、導入路４９から導入されたＮ2 パージガ
スは、側壁１２ｂと側壁カバー３８との間の隙間を塞ぐ
ように下方に流れ、側壁カバー３８と床面カバー４０と
の間のわずかな隙間から外部に流出する。従って、Ｎ2
パージガスが、陽圧として、搬送口１２ａ及び側壁１２
ｂと側壁カバー３８との間に生成ガスが回り込むことを
防ぐ。The flow of the N 2 purge gas is as shown by the arrow, and the N 2 purge gas introduced from the introduction path 48 is:
The side wall cover 38 spreads over the opening 38a of the side wall cover 38 and flows out into the reaction chamber 12, and the side wall 12b and the side wall cover 3
8 so as to close the gap between the side wall cover 3 and the side wall cover 3.
It flows out through a slight gap between the floor cover 8 and the floor cover 40. Further, the N 2 purge gas introduced from the introduction passage 49 flows downward so as to close the gap between the side wall 12 b and the side wall cover 38, and from the slight gap between the side wall cover 38 and the floor cover 40 to the outside. Leaked to Therefore, N 2
The purge gas is supplied as positive pressure to the transfer port 12a and the side wall 12a.
The generated gas is prevented from flowing around between b and the side wall cover 38.
【００２６】次に、導入路４１から導入されたＮ2 パー
ジガスは、ホットプレートヒータ１６の凹部１６ａ上ま
で流れた後、凹部１６ａとサセプタ２０の下面との間を
流れてサセプタ２０の端部から外部に流出する。このよ
うに、ホットプレートヒータ１６の上面では、サセプタ
２０の端部方向に向かって常にＮ2 パージガスが流れる
ため、陽圧として生成ガスの回り込みを防ぐことができ
る。Next, the N 2 purge gas introduced from the introduction passage 41 flows over the concave portion 16 a of the hot plate heater 16, and then flows between the concave portion 16 a and the lower surface of the susceptor 20, and from the end of the susceptor 20. Outflow to the outside. Thus, on the upper surface of the hot plate heater 16, the N 2 purge gas always flows toward the end of the susceptor 20, so that the generated gas can be prevented from flowing around as a positive pressure.
【００２７】また、導入路４３から導入されたＮ2 パー
ジガスは、下部カバー４４とホットプレートヒータ１６
の側面１６ｅ及び下部底面１６ｄとの間の隙間を塞ぐよ
うにを流れ、上部カバー４２と下部カバー４４との間の
わずかな隙間から外部に流出する。従って、下部カバー
４４と側面１６ｅ及び下部底面１６ｄとの間の隙間はＮ
2 パージガスにより塞がれているとともに、上部カバー
４２と下部カバー４４との間の隙間は、ここから流出す
るＮ2 パージガスによって塞がれているため、Ｎ2 パー
ジガスが陽圧として、上部カバー４２及び下部カバー４
４とホットプレートヒータ１６との間の隙間への生成ガ
スの回り込みを防止している。The N 2 purge gas introduced from the introduction passage 43 is supplied to the lower cover 44 and the hot plate heater 16.
Flows so as to close the gap between the side surface 16e and the lower bottom surface 16d, and flows out through a slight gap between the upper cover 42 and the lower cover 44. Therefore, the gap between the lower cover 44 and the side surface 16e and the lower bottom surface 16d is N
Together are closed by 2 purge gas, the gap between the upper cover 42 and lower cover 44, because it is blocked by the N 2 purge gas flowing from here, N 2 purge gas as positive pressure, the upper cover 42 And lower cover 4
The generated gas is prevented from flowing into the gap between the hot plate heater 4 and the hot plate heater 16.
【００２８】次に、導入路４５及び４７から導入された
Ｎ2 パージガスは、ホットプレートヒータ１６の側面に
沿って上方に流れていくため、ホットプレートヒータ１
６のカバー設置不可能な部分もＮ2 パージガスで覆われ
ることになり、生成ガスの付着を防ぐことができる。Next, the N 2 purge gas introduced from the introduction passages 45 and 47 flows upward along the side surface of the hot plate heater 16, so that the hot plate heater 1
The portion where the cover 6 cannot be installed is also covered with the N 2 purge gas, so that the generated gas can be prevented from adhering.
【００２９】基板処理装置１０をメンテナンスする際に
は、反応室１２の上蓋１２ｅを開いて、ボルト２５を外
して側壁カバー３８、及び床面カバー４０を取外すとと
もに、ホットプレートヒータ１６から上部カバー４２を
取外し、ビス４６を外して下部カバー４４を取外すこと
により、全てのカバーを外すことができる。また、カバ
ーの取付けは、反応室１２の床面１２ｃに床面カバー４
０を敷いた後、側壁１２ｂに側壁カバー３８をボルト２
５により固定し、下部カバー４４をビス４６によりホッ
トプレートヒータ１６に取付け、上部カバー４２をホッ
トプレートヒータ１６の上面端部に引っ掛けることによ
り行うことができる。なお、メンテナンスは、反応室１
２の底を開いて行うこともできる。When the substrate processing apparatus 10 is maintained, the upper cover 12e of the reaction chamber 12 is opened, the bolt 25 is removed, the side wall cover 38 and the floor cover 40 are removed, and the hot plate heater 16 is removed from the upper cover 42. By removing the screws 46 and the lower cover 44, all the covers can be removed. The cover is attached to the floor 12c of the reaction chamber 12 by the floor cover 4
0, lay the side wall cover 38 on the side wall 12b with bolts 2
5, the lower cover 44 is attached to the hot plate heater 16 with screws 46, and the upper cover 42 is hooked on the upper surface end of the hot plate heater 16. The maintenance is performed in the reaction chamber 1
Opening the bottom of 2 is also possible.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、生成ガ
スを吹きかけてウェーハを処理する際に、ウェーハの処
理温度よりも低温になる反応室内の部分にカバーを設け
るとともに、Ｎ2 パージガスをパージするため、前記低
温部分に生成ガスが回り込むことがないので、前記低温
部分に生成ガスが付着することがない。従って、カバー
には生成ガスが付着するが、着脱可能であるため、メン
テナンス時にはカバーの交換を行えばよく、容易にメン
テナンスを行うことができる。また、反応室内のクリー
ニングを行う回数が減るため、反応室内の各部材のライ
フタイムを向上させることができる。As described above, according to the present invention, when processing a wafer by spraying a generated gas, a cover is provided at a portion in the reaction chamber where the temperature is lower than the processing temperature of the wafer, and N 2 purge gas is supplied. Since the purge is performed, the generated gas does not flow around the low-temperature portion, so that the generated gas does not adhere to the low-temperature portion. Therefore, the generated gas adheres to the cover, but is detachable, so that the cover may be replaced at the time of maintenance, and maintenance can be easily performed. Further, since the number of times of cleaning the inside of the reaction chamber is reduced, the life time of each member in the reaction chamber can be improved.
【図１】本発明の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus of the present invention.
【図２】従来の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a conventional substrate processing apparatus.
１０ 基板処理装置 １２ 反応室 １４ ウェーハ ３８ 側壁カバー（カバー） ４０ 床面カバー（カバー） ４２ 上部カバー（カバー） ４４ 下部カバー（カバー） DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 12 Reaction chamber 14 Wafer 38 Side wall cover (cover) 40 Floor surface cover (cover) 42 Upper cover (cover) 44 Lower cover (cover)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井ノ口 泰啓 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 CA12 GA02 KA08 KA12 KA17 KA23 KA45 5F045 BB10 DP04 EC05 EC10 EF13 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yasuhiro Inoguchi 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Denki Co., Ltd. F term (reference) 4K030 CA12 GA02 KA08 KA12 KA17 KA23 KA45 5F045 BB10 DP04 EC05 EC10 EF13
Claims (1)
も低温になる反応室内の部分に該部分を覆うカバーを設
けるとともに、前記低温になる部分にウェーハの生成ガ
スが回り込むことを防止するＮ2 パージラインを設けて
なる基板処理装置。1. A cover for covering a portion in a reaction chamber where the temperature is lower than a processing temperature when processing a wafer, and a gas for preventing the generated gas of the wafer from flowing around the portion where the temperature is low. Substrate processing equipment with two purge lines.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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Family
ID=12732668
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11045919A Withdrawn JP2000243711A (en) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | Substrate treatment apparatus |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243711A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10508338B2 (en) | 2015-05-26 | 2019-12-17 | The Japan Steel Works, Ltd. | Device for atomic layer deposition |
| US10519549B2 (en) | 2015-05-26 | 2019-12-31 | The Japan Steel Works, Ltd. | Apparatus for plasma atomic layer deposition |
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-
1999
- 1999-02-24 JP JP11045919A patent/JP2000243711A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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