JP2000241494A - 恒温槽付半導体試験装置 - Google Patents

恒温槽付半導体試験装置

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JP2000241494A
JP2000241494A JP11048766A JP4876699A JP2000241494A JP 2000241494 A JP2000241494 A JP 2000241494A JP 11048766 A JP11048766 A JP 11048766A JP 4876699 A JP4876699 A JP 4876699A JP 2000241494 A JP2000241494 A JP 2000241494A
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JP
Japan
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thermostat
signal
semiconductor
signal unit
test apparatus
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JP11048766A
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English (en)
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Tokuyuki Suzuki
徳之 鈴木
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Ando Electric Co Ltd
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Ando Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数の信号のやり取りをしつつ、高速に試験
を行う安価な恒温槽付半導体試験装置を提供する。 【解決手段】 恒温槽10と信号ユニット20の間に、
遮断板51を用いて2つのブロック52,53に分割さ
れ、かつ、乾燥空気54,55を流す断熱層50を設け
る。恒温槽10から信号中継ボード40に伝わった熱
は、乾燥空気31に放熱されるため、信号中継ボード4
0を従来より短くできる。このため、信号の正確さを維
持したまま周波数を高くできる。また、筐体12からの
放射熱は遮断板51によって遮断されて筐体22には届
かないため、恒温槽10からの熱はさらに信号ユニット
20に伝わりにくくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被試験半導体を一
定温度に保ちつつ試験する、或いは温度負荷を加えなが
ら試験する恒温槽付半導体試験装置に係わり、特に、多
数の信号のやり取りをしつつ、高速に試験を行う安価な
恒温槽付半導体試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の使用環境の広がりに伴って、半
導体試験装置も様々な環境を作り出して試験を行ってい
る。この一例として、高温下での半導体の信頼性あるい
は温度変化の大きな環境下での半導体の信頼性を調べ
る、恒温槽付半導体試験装置がある。
【0003】ここで、従来例である恒温槽付半導体試験
装置100について、図3,図4,図5を用いて説明す
る。図3は恒温槽付半導体試験装置100の構成の概略
を説明する図であり、図4は恒温槽付半導体試験装置1
00の一構成部である信号中継ボード140の構成を説
明する概略図であり、図5は恒温槽付半導体試験装置1
00内部の熱伝達状況を説明する概略図である。
【0004】恒温槽付半導体試験装置100は、図3に
示すように、被試験半導体3を内部に保持する恒温槽1
10と、試験用信号を発生すると共に被試験半導体3の
分析を行う信号ユニット120と、恒温槽110と信号
ユニット120とを断熱する断熱材130と、恒温槽1
10と信号ユニット120とを電気的に接続する信号中
継ボード140と、によって概略構成されている。
【0005】すなわち、恒温槽付半導体試験装置100
には、恒温槽110からの熱が信号ユニット120に伝
わって信号ユニット120の信頼性を低下させたり信号
ユニット120が故障することを防ぐために、断熱材1
30が、十分な断熱効果を得る厚さほど設けてある。
【0006】また、図4に示すように、信号中継ボード
140は両端にコネクタ141を備えており、図5に示
すように、一方のコネクタ141を恒温槽110内部の
実装ボード111に接続し、他方のコネクタ141を信
号ユニット120内部の信号処理ボード121とを接続
することにより、実装ボード111と信号処理ボード1
21とを電気的に接続する。従って、信号中継ボード1
40の長さは断熱材130の厚みと概略等しくなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】被試験半導体3の試験
をより高速に行うためには、信号の周波数をより高くす
ればよい。ここで、高い周波数の信号を正確に伝達する
には、高周波の特性により、信号中継ボード140を短
くする必要性が出てくる。しかし、恒温槽110と信号
ユニット120との間の断熱性を維持するために、断熱
材130の厚さ、すなわち信号中継ボード140の長さ
を一定値以下にはできなかった。従って、恒温槽付半導
体試験装置100の試験速度の高速化には限界があっ
た。
【0008】また、信号の正確さを保ったまま信号の周
波数をあげる方法として、信号中継ボード140の代わ
りに高周波ケーブルを用いることも考えられる。しか
し、被試験半導体3の複雑化に伴って恒温槽110と信
号ユニット120との間でやり取りする信号数が多くな
った現在において、この方法は、制作コストが大幅に向
上するために実用的ではなかった。
【0009】上記事情に鑑み、本発明は、多数の信号の
やり取りを、高速で行う安価な恒温槽付半導体試験装置
を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項1記載の発明は、恒温槽内に保持した被試験
半導体に電気信号を入出力することにより、前記被試験
半導体の試験を行う恒温槽付半動体試験装置において、
前記恒温槽と、前記電気信号の入出力を行う信号ユニッ
トと、の間に、気体が流れる断熱部を備えることを特徴
とする。
【0011】この請求項1に記載の発明によれば、前記
恒温槽と前記信号ユニットの間に設けた断熱部に、気体
を流したので、前記恒温槽と前記信号ユニットとの信号
伝達を確保する接続手段に前記恒温槽から伝わった熱
は、この接続手段から前記気体に放熱される。また、前
記恒温槽からの放射熱によって前記信号ユニットに熱が
伝わっても、この熱は前記気体に吸熱される。従って、
従来と比べて前記恒温槽の熱は前記信号ユニットに伝わ
りにくい恒温槽付半導体試験装置を作製できる。
【0012】従って、請求項2に記載の発明のように、
前記恒温槽と前記信号ユニットとを電気的に接続するた
めに前記断熱部内に設けられる接続手段として、プリン
ト基板を用いる構成としても、前記恒温槽と前記信号ユ
ニットとの間を従来より短くすることができる。この場
合は、より高速に被試験半導体の試験を行う恒温槽付半
導体試験装置を、低コストのまま作製できる。
【0013】また、請求項3に記載の発明は、請求項2
に記載の恒温槽付半導体試験装置において、前記プリン
ト基板は、前記気体と前記プリント基板との熱伝達効率
を向上させる放熱体を備えることを特徴とする。
【0014】この請求項3に記載の発明によれば、前記
プリント基板は、前記気体と前記プリント基板との熱伝
達効率を向上させる放熱体を備えたので、さらに短くで
きる。従って、信号の正確性を維持したまま信号の周波
数をさらに高くできるため、さらに高速に被試験半導体
の試験を行う恒温槽付半導体試験装置を、大幅なコスト
アップを伴わずに作製できる。
【0015】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
〜請求項3のいずれかに記載の恒温槽付半導体試験装置
において、前記気体として乾燥空気を用いることを特徴
とする。
【0016】この請求項4に記載の発明によれば、前記
恒温槽内部の温度が周囲より低く設定されている場合で
も、前記気体として乾燥空気を用いているため、前記断
熱部内部は結露しにくい。従って、水滴に起因した故障
や誤動作を起こしにくい恒温槽付半導体試験装置を作製
できる。
【0017】また、請求項5に記載の発明は、請求項1
〜請求項4のいずれかに記載の恒温槽付半導体試験装置
において、前記断熱部の内部は、前記恒温槽と前記信号
ユニットとを接続する方向に、複数のブロックに区切ら
れていることを特徴とする。
【0018】この請求項5に記載の発明によれば、前記
恒温槽と前記信号ユニットの間に位置する前記断熱層
を、複数のブロックに区切ったので、前記恒温槽からの
放射熱は直接前記信号ユニットには伝わらない。従っ
て、前記恒温槽からの熱はさらに前記信号ユニットに伝
わりにくくなる。
【0019】また、請求項6に記載の発明は、請求項5
に記載の恒温槽付半導体試験装置において、前記恒温槽
に隣接する前記ブロックを流れる前記気体の温度は、前
記恒温槽の温度にほぼ等しく、また、前記信号ユニット
に隣接する前記ブロックを流れる前記気体の温度は、前
記信号ユニット内部の温度にほぼ等しいことを特徴とす
る。
【0020】この請求項6に記載の発明によれば、前記
恒温槽に隣接する前記ブロックを流れる前記気体の温度
は、前記恒温槽の温度にほぼ等しく、また、前記信号ユ
ニットに隣接する前記ブロックを流れる前記気体の温度
は、前記信号ユニット内部の温度にほぼ等しいので、前
記恒温槽の外壁および前記信号ユニットの外壁の温度は
それぞれの内部の温度とほとんど変わらない。このた
め、前記恒温槽の内部および前記信号ユニットの内部に
結露はほとんど生じない。従って、前記恒温槽および信
号ユニットは水滴に起因した誤動作及び故障をほとんど
起こさなくなる。
【0021】上述した請求項5または請求項6の効果を
得るには、最低、請求項7に記載するように、前記断熱
部の内部は2つのブロックに区切る構成とすればよい
が、さらに区切りの数を増やすと、その効果はさらに増
大する。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
図を用いて詳細に説明する。
【0023】<第1の実施例>図1は、本発明の第1の
実施例である恒温槽付半導体試験装置1を説明する斜視
概略図である。恒温槽付半導体試験装置1は、被試験半
導体3を内部に保持する恒温槽10と、試験用信号を発
生すると共に被試験半導体3の分析を行う信号ユニット
20と、恒温槽10と信号ユニット20とを断熱する断
熱部30と、恒温槽10と信号ユニット20とを電気的
に接続する信号中継ボード40(プリント基板)と、に
よって概略構成されている。
【0024】恒温槽10は、実装ボード11と、実装ボ
ード11を内部に保持する筐体12と、筐体12内部の
温度を所定の範囲内で任意の値、例えば−10℃〜+1
50℃の間で任意の値に保つ温度保持手段13(図示省
略)と、により概略構成されている。
【0025】実装ボード11は、周知の実装ボードと概
略同じ構成であり、複数の被試験半導体3を保持すると
共に、被試験半導体3と信号中継ボード40とを電気的
に接続する。すなわち、実装ボード11は、信号中継ボ
ード40を介して入力される信号ユニット20からの試
験信号を、被試験半導体3の所定箇所に加えると共に、
試験信号に応答して被試験半導体3が発した応答信号
を、信号中継ボード40を介して信号ユニット20に出
力する。また、単位時間あたりに試験を行う被試験半導
体3の数、すなわち被試験半導体3のスループットを向
上させるため、実装ボード11は筐体12内部に複数並
列に設けらている。
【0026】筐体12は、通常の恒温槽付半導体試験装
置の恒温槽に用いられる周知の筐体であるため、詳細は
省略する。また、温度保持手段13も周知の温度保持手
段であるため、詳細は省略する。
【0027】信号ユニット20は、複数並列に並べられ
ている信号処理ボード21と、信号処理ボードを内部に
保持する筐体22と、により概略構成されている。
【0028】信号処理ボード21は周知の信号処理ボー
ドであり、信号中継ボード40に接続されている。すな
わち、信号処理ボード21は、被試験半導体3に加える
試験信号を発生すると共に、被試験半導体3が発した応
答信号を解析してこの被試験半導体3の合否を判断す
る。
【0029】筐体22は、通常の半導体試験装置の信号
ユニットに用いられる筐体であるため、詳細は省略す
る。
【0030】断熱部30は、恒温槽10と信号ユニット
20との間に設けられた空間であり、その幅は従来例の
恒温槽付半導体試験装置100の断熱材130より狭
い。また、断熱部30の中は乾燥空気31が一方向に流
されている。乾燥空気31の温度は信号ユニット20内
部の温度とほぼ等しくなっている。
【0031】信号中継ボード40は、試験信号や応答信
号を伝達するように所定の配線を施されたプリント基板
41と、プリント基板41の両端に設けられる接続用の
コネクター42と、プリント基板41の表面に設けられ
た放熱体43と、により概略構成されている。また、信
号中継ボード40の長さは断熱部30の幅を所定の値に
するように設計されている。
【0032】プリント基板41は周知のプリント基板で
あるため、詳細は省略する。また、コネクター42は周
知のコネクターであり、実装ボード11または信号処理
ボード21の端部に接続される。
【0033】放熱体43は、プリント基板41と効率よ
く熱交換を行うように、かつ、プリント基板41とプリ
ント基板41に固定されており、また、乾燥空気31と
接する面積を広くするために表面には凹凸を設けられて
いる。
【0034】次に、恒温槽付半導体試験装置1の動作に
ついて説明する。断熱部30以外の動作は従来の恒温槽
付半導体試験装置の動作と同様であるので、ここでは断
熱部30の動作についてのみ説明する。なお、信号ユニ
ット20の内部は、周知のファンにより外気が入ってく
るため、外部とほぼ同じ温度となっている。
【0035】恒温槽10内部の温度は、通常、他の場所
の温度とは異なった値に保たれている。従って、信号中
継ボード40には、恒温槽10内部の熱が伝達する。
【0036】ここで、断熱部30には乾燥空気31を流
しているため、信号中継ボード40に伝達した熱は乾燥
空気31によって奪われる。従って、断熱部30の幅は
従来例より狭いにも係わらず、恒温槽10内部の熱は信
号ユニット20に伝わりにくい。
【0037】また、信号中継ボード40に放熱体43を
設けたため、信号中継ボード40の熱は、さらに効率よ
く乾燥空気31に放熱される。従って、さらに、恒温槽
10内部の熱は信号ユニット20に伝わりにくい。
【0038】また、放射により、恒温槽10から信号ユ
ニット20の筐体22に直接熱が伝わる場合もあるが、
筐体22は乾燥空気31に直接さらされるため、この熱
も信号ユニット20の内部には伝わらずに乾燥空気31
に放熱される。
【0039】また、恒温槽10内部の温度が周囲より低
く設定されている場合は、恒温槽10からの熱によって
断熱部30内部は冷却されるため、断熱部30内部に結
露する可能性があるが、断熱部30に乾燥空気31を流
しているため、断熱部30内部は結露しにくい。従っ
て、信号中継ボード40は従来より腐食しにくい。
【0040】以上より、本発明の第1の実施例である恒
温槽付半導体試験装置1によれば、恒温槽10と信号ユ
ニット20の間に設けた断熱部30に、恒温槽10外部
と概略同じ温度の乾燥空気31を流したので、恒温槽1
0から信号中継ボード40に伝わった熱は、乾燥空気3
1に放熱される。従って、断熱部30の幅は従来例にお
ける断熱材130の厚さより狭いにも係わらず、恒温槽
10内部の熱は信号ユニット20に伝わりにくい。従っ
て、断熱部30の幅、すなわち信号中継ボード40の長
さを従来例より短くしても、恒温槽10の熱は信号ユニ
ット20に伝わりにくい。すなわち、信号中継ボード4
0を従来より短くできる為、信号の正確性を維持したま
ま信号の周波数をさらに高くできる。従って、恒温槽付
半導体試験装置1の試験速度すなわち被試験半導体3の
スループットは向上する。
【0041】また、信号中継ボード40に放熱体43を
設け、信号中継ボード40と乾燥空気31との熱交換効
率を向上させたので、さらに信号中継ボード40を短く
できる。従って、信号の正確性を維持したまま信号の周
波数をさらに高くできるため、恒温槽付半導体試験装置
1の試験速度はさらに向上する。また、放射により、恒
温槽10から信号ユニット20の筐体22に直接熱が伝
わっても、この熱も信号ユニット20の内部には伝わら
ずに乾燥空気31に放熱される。
【0042】また、恒温槽10内部の温度が周囲より低
く設定されている場合でも、断熱部30に乾燥空気31
を流しているため、断熱部30内部は結露しにくい。従
って、信号中継ボード40は従来より腐食しにくい。
【0043】<第2の実施例>図2は、本発明の第2の
実施例である恒温槽付半導体試験装置2を説明する斜視
概略図である。恒温槽付半導体試験装置2は、恒温槽付
半導体試験装置1と概略同じ構成をとるが、断熱部30
の代わりに断熱部50を用いた構成である。なお、図2
においては、被試験半導体3と放熱体43を省略してあ
り、また、実装ボード11,信号処理ボード21,信号
中継ボード40もそれぞれ1つのみ図示してある。
【0044】断熱部50は、遮断板51を用いて断熱部
30の内部を2つのブロック52,53に区切った構成
をしている。さらに、恒温槽10に近いほうのブロック
52の内部には乾燥空気54が、また、信号ユニット2
0に近いほうのブロック53の内部には乾燥空気55
が、それぞれ別個に流されている。乾燥空気54の温度
は恒温槽10内部の温度にほぼ等しく設定されており、
また、乾燥空気55の温度は信号ユニット20内部の温
度にほぼ等しく設定されている。
【0045】このため、恒温槽付半導体試験装置2にお
いては、恒温槽10から信号中継ボード40に逃げ出し
た熱は、ブロック53にて乾燥空気55に吸熱されるた
め、信号ユニット20には伝わりにくい。また、筐体1
2からの放射熱は、遮断板51によって遮断されて筐体
22には届かない。従って、恒温槽付半導体試験装置2
によれば、恒温槽10からの熱はさらに信号ユニット2
0に伝わりにくくなる。
【0046】また、恒温槽10の筐体12は乾燥空気5
4に接しているため、筐体12の温度は恒温槽10内部
の気温とほぼ等しいままである。また、信号ユニット2
0の筐体22は乾燥空気55に接しているため、筐体2
2の温度は信号ユニット20内部の気温とほぼ等しいま
まである。従って、筐体12の内部および筐体22の内
部に結露はほとんど生じない。この結果、恒温槽10お
よび信号ユニット20は結露による誤動作及び故障をほ
とんど起こさない。
【0047】以上より、本発明の第2の実施例である恒
温槽付半導体試験装置2によれば、恒温槽10と信号ユ
ニット20の間に位置する断熱層50を、遮断板51を
用いて2つのブロック52,53に分割したので、恒温
槽付半導体試験装置1と同様の効果を得るほか、筐体1
2からの放射熱は遮断板51によって遮断されて筐体2
2には届かないため、恒温槽10からの熱はさらに信号
ユニット20に伝わりにくい。また、ブロック52,5
3内部を流れる空気54,55の温度はそれぞれ恒温槽
10内部の温度および信号ユニット20内部の温度にほ
ぼ等しいので、筐体12の内部および筐体22の内部に
結露はほとんど生じず、恒温槽10および信号ユニット
20は結露による誤動作及び故障をほとんど起こさな
い。
【0048】なお、本発明は本実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形
可能である。例えば、断熱層50に設ける遮断板の数を
さらに増やしてブロック数を増やしてもよい。この場合
は恒温槽10からの熱はさらに信号ユニット20に伝わ
りにくくなる。
【0049】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、前記恒
温槽と前記信号ユニットとの信号伝達を確保する接続手
段に前記恒温槽から伝わった熱は、前記気体に吸熱され
るため、従来と比べて前記恒温槽の熱は前記信号ユニッ
トに伝わりにくい恒温槽付半導体試験装置を作製でき
る。
【0050】また、請求項2に記載の発明によれば、よ
り高速に被試験半導体の試験を行う恒温槽付半導体試験
装置を、低コストのまま作製できる。
【0051】また、請求項3に記載の発明によれば、前
記プリント基板をさらに短くできるため、信号の正確性
を維持したまま信号の周波数をさらに高くできる。従っ
て、さらに高速に被試験半導体の試験を行う恒温槽付半
導体試験装置を、大幅なコストアップを伴わずに作製で
きる。
【0052】また、請求項4に記載の発明によれば、前
記恒温槽内部の温度が周囲より低く設定されている場合
でも、前記断熱部内部は結露しにくいため、故障を起こ
しにくい恒温槽付半導体試験装置を作製できる。
【0053】また、請求項5に記載の発明によれば、前
記恒温槽からの放射熱は、直接前記信号ユニットには伝
わらないため、前記恒温槽からの熱はさらに前記信号ユ
ニットに伝わりにくくなる。
【0054】また、請求項6に記載の発明によれば、前
記恒温槽の内部および前記信号ユニットの内部に結露は
ほとんど生じないので、前記恒温槽および信号ユニット
は結露による誤動作及び故障をほとんど起こさなくな
る。
【0055】また、請求項7に記載の発明によれば、最
も簡単な構成で請求項5または請求項6に記載の発明の
効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例である恒温槽付半導体試
験装置1を説明する斜視概略図である。
【図2】本発明の第2の実施例である恒温槽付半導体試
験装置2を説明する斜視概略図である。
【図3】従来例である恒温槽付半導体試験装置100の
構成を説明する概略図である。
【図4】恒温槽付半導体試験装置100の一構成部であ
る信号中継ボード140の構成を説明する概略図であ
る。
【図5】恒温槽付半導体試験装置100内部の熱伝達状
況を説明する概略図である。
【符号の説明】
1,2 恒温槽付半導体試験装置 3 被試験半導体 10 恒温槽 11 実装ボード 12 筐体 20 信号ユニット 21 信号処理ボード 22 筐体 30 断熱部 31 乾燥空気 40 信号中継ボード(プリント基板) 41 プリント基板 42 コネクター 43 放熱体 50 断熱部 51 遮断板 52 ブロック 53 ブロック 54 乾燥空気 55 乾燥空気 100 恒温槽付半導体試験装置
【手続補正書】
【提出日】平成11年3月5日(1999.3.5)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0033
【補正方法】変更
【補正内容】
【0033】放熱体43は、プリント基板41と効率よ
く熱交換を行うようにプリント基板41に固定されてお
り、また、乾燥空気31と接する面積を広くするために
表面には凹凸を設けられている。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】恒温槽内に保持した被試験半導体に電気信
    号を入出力することにより、前記被試験半導体の試験を
    行う恒温槽付半動体試験装置において、 前記恒温槽と、前記電気信号の入出力を行う信号ユニッ
    トと、の間に、気体が流れる断熱部を備えることを特徴
    とする恒温槽付半導体試験装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の恒温槽付半導体試験装置
    において、 前記恒温槽と前記信号ユニットとを電気的に接続するた
    めに前記断熱部内に設けられる接続手段として、プリン
    ト基板を用いることを特徴とする恒温槽付半導体試験装
    置。
  3. 【請求項3】請求項2に記載の恒温槽付半導体試験装置
    において、 前記プリント基板は、前記気体と前記プリント基板との
    熱伝達効率を向上させる放熱体を備えることを特徴とす
    る恒温槽付半導体試験装置。
  4. 【請求項4】請求項1〜請求項3のいずれかに記載の恒
    温槽付半導体試験装置において、 前記気体として乾燥空気を用いることを特徴とする恒温
    槽付半導体試験装置。
  5. 【請求項5】請求項1〜請求項4のいずれかに記載の恒
    温槽付半導体試験装置において、 前記断熱部の内部は、前記恒温槽と前記信号ユニットと
    を接続する方向に、複数のブロックに区切られているこ
    とを特徴とする恒温槽付半導体試験装置。
  6. 【請求項6】請求項5に記載の恒温槽付半導体試験装置
    において、 前記恒温槽に隣接する前記ブロックを流れる前記気体の
    温度は、前記恒温槽の温度にほぼ等しく、 また、前記信号ユニットに隣接する前記ブロックを流れ
    る前記気体の温度は、前記信号ユニット内部の温度にほ
    ぼ等しいこと、 を特徴とする恒温槽付半導体装置。
  7. 【請求項7】請求項5または請求項6に記載の恒温槽付
    半導体試験装置において、 前記断熱部の内部は2つのブロックに区切られているこ
    とを特徴とする恒温槽付半導体試験装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006284001A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sumitomo Heavy Ind Ltd 温度制御装置
CN106033103A (zh) * 2015-03-13 2016-10-19 南京南瑞继保工程技术有限公司 基于信息自描述的电力二次设备智能测试方法

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