JP2000235966A - Method for cleaning silicon wafer storage container - Google Patents
Method for cleaning silicon wafer storage containerInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、シリコンウェー
ハのユーザーへの出荷までの保管に使用されているシリ
コンウェーハ保管容器の洗浄方法に関する。The present invention relates to a method for cleaning a silicon wafer storage container used for storing silicon wafers before shipment to a user.
【０００２】[0002]
【従来の技術】 デバイスメーカーへの出荷に際し、製
造したシリコンウェーハを一時的に保管する容器とし
て、金属汚染の可能性の実質的にないポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリブチレンテレフタレート等のプラス
チック製の容器が使用されている。通常、これら容器の
洗浄の際には、仕上げ洗浄として、超純水によるいわゆ
る仕上げ洗浄が行われている。ところが、超純水での洗
浄によっても、保管中におけるパーティクルによる汚染
を完全には防止できないことが判明している。その原因
について種々検討したところ、最終仕上げの際の超純水
での洗浄により、保管用の容器表面が帯電して、容器の
洗浄残さ等に起因する各種パーティクルを吸着して、こ
のようにして吸着されてパーティクルが保管中のシリコ
ンウェーハを汚染してしまうことを見いだした。2. Description of the Related Art A container made of polyethylene, polypropylene, polybutylene terephthalate or the like, which is substantially free from metal contamination, is used as a container for temporarily storing manufactured silicon wafers when shipping to a device manufacturer. Have been. Usually, when cleaning these containers, so-called finish cleaning using ultrapure water is performed as finish cleaning. However, it has been found that contamination with particles during storage cannot be completely prevented even by washing with ultrapure water. After various investigations on the cause, the surface of the storage container was charged by washing with ultrapure water at the time of final finishing, and various particles caused by the residue of washing of the container were adsorbed. It has been found that particles are adsorbed and contaminate the stored silicon wafer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】 一般に、シリコンウ
ェーハ保管用のプラスチック容器の洗浄には、同容器を
金属イオンを含まない特定の界面活性剤等で洗浄し、つ
いで、超純水で仕上げ洗浄する方法が採られている。と
ころで、超純水は、１８メガオーム−ｃｍの比抵抗用を
有しており、それ自体は、絶縁体である。しかし、その
原因は必ずしも定かではないが、超純水で仕上げ洗浄す
ると、シリコンウェーハ保管用のプラスチック容器が帯
電して、各種パーティクルを吸着してしまうという問題
がある。Generally, in cleaning a silicon wafer storage plastic container, the container is cleaned with a specific surfactant or the like that does not contain metal ions, and then subjected to finish cleaning with ultrapure water. The method has been adopted. By the way, ultrapure water has a specific resistance of 18 megaohm-cm and is itself an insulator. However, although the cause is not necessarily clear, there is a problem in that the final cleaning with ultrapure water causes the plastic container for storing the silicon wafer to be charged and various particles to be adsorbed.
【０００４】 上述のように、シリコンウェーハ保管用
のプラスチック容器の洗浄には、同容器を金属イオンを
含まない特定の界面活性剤で洗浄し、ついで、超純水に
よる仕上げ洗浄をする方法が採られている。超純水は１
８メガオーム−ｃｍの比抵抗用を有しており、それ自体
は、絶縁体であにも拘わらず、超純水で仕上げ洗浄する
と、シリコンウェーハ保管用のプラスチック容器が帯電
して、各種パーティクルを吸着してしまうという現象が
発生する。本発明は、超純水の仕上げ洗浄によってもプ
ラスチック製の保管容器が帯電し、各種パーティクルを
吸着することのないシリコンウェーハ保管用のプラスチ
ック容器の洗浄方法の提供を目的とするものである。As described above, a method of cleaning a plastic container for storing silicon wafers is to clean the container with a specific surfactant containing no metal ions, and then perform a finish cleaning with ultrapure water. Have been. Ultrapure water is 1
It has a specific resistance of 8 megohm-cm. Although it is an insulator itself, when it is finished washed with ultrapure water, the plastic container for storing silicon wafers is charged and various particles are collected. The phenomenon of being adsorbed occurs. An object of the present invention is to provide a method for cleaning a plastic container for storing silicon wafers, in which a plastic storage container is charged even by the final cleaning of ultrapure water and does not adsorb various particles.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】 本発明者等は、上記の
様な現状に鑑みて種々検討した結果、本発明を完成させ
たものである。シリコンウェーハ保管用プラスチック製
容器の仕上げ洗浄工程である、超純水による洗浄の際
に、炭酸イオンを含む超純水を使用することにより容器
表面の帯電を防止することができることを見いだして、
本発明を完成させてものである。即ち、本発明によれ
ば、シリコンウェーハ保管容器の洗浄の仕上げ工程であ
る超純水による仕上げ洗浄の際に、超純水に炭酸イオン
を含む超純水を使用して洗浄することにより、保管中に
シリコンウェーハをパーティクルにより実質的に汚染す
ることがないシリコンウェーハ保管用のプラスチック容
器の洗浄方法が提供される。Means for Solving the Problems The present inventors have made various studies in view of the above-mentioned current situation, and as a result, completed the present invention. In the case of cleaning with ultrapure water, which is the final cleaning step of the plastic container for storing silicon wafers, it was found that the use of ultrapure water containing carbonate ions can prevent charging of the container surface,
The present invention has been completed. That is, according to the present invention, at the time of finishing cleaning with ultrapure water, which is a finishing step of cleaning the silicon wafer storage container, the silicon wafer storage container is stored by cleaning using ultrapure water containing carbonate ions in ultrapure water. Provided is a method for cleaning a plastic container for storing a silicon wafer without substantially contaminating the silicon wafer with particles therein.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】 本発明に係るシリコンウェーハ
保管容器の洗浄方法は、同容器の洗浄工程における超純
水による仕上げ洗浄の際に、超純水に炭酸イオンを含む
超純水を使用することを特徴とするシリコンウェーハ保
管容器の洗浄方法である。当然のことながら、界面活性
剤等による洗浄は、従前通り行う。炭酸イオンを超純水
に含有させるには、通常は、炭酸ガスを加圧下で超純水
に吹き込むか、あるいは、浮遊物などを除去した圧縮空
気を超純水に吹き込んで調製すればよい。超純水に炭酸
ガスを含ませる際には、超純水中に炭酸イオンが含ませ
ることができる方法であれば、その方法が超純水の品質
を損なわない限り、いかなる種類のものであってもよ
い。即ち、超純水の品質を損なわず、超純水中に少なく
とも５ｐｐｂ、好ましくは７ｐｐｂの炭酸イオンを含ま
せることができる方法であれば、いかなる方法でも採用
できることはいうまでもない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for cleaning a silicon wafer storage container according to the present invention uses ultrapure water containing carbonate ions in ultrapure water at the time of final cleaning with ultrapure water in the cleaning step of the container. A method for cleaning a silicon wafer storage container, the method comprising: As a matter of course, washing with a surfactant or the like is performed as before. In order to make carbonate ions contained in ultrapure water, carbon dioxide gas is usually blown into ultrapure water under pressure, or compressed air from which suspended matter is removed is blown into ultrapure water. When carbon dioxide gas is contained in ultrapure water, any method can be used as long as carbonate ion can be contained in ultrapure water, as long as the method does not impair the quality of ultrapure water. You may. That is, it is needless to say that any method can be adopted as long as it can contain at least 5 ppb, preferably 7 ppb, of carbonate ions in the ultrapure water without deteriorating the quality of the ultrapure water.
【０００７】 例えば、超純水をスプレすることにより
仕上げ洗浄を行う場合には、仕上げ洗浄工程において、
仕上げ洗浄用の超純水を供給する配管の一部に炭酸ガス
溶解用のモジュール、または、炭酸ガスインジェクショ
ン部を設けることにより炭酸ガスを超純水に含有させれ
ばよい。炭酸ガスに代えて、浮遊物などを除去した圧縮
空気を、超純水に吹き込んでもよい。炭酸イオンが超純
水中に少なくとも５ｐｐｂ、好ましくは７ｐｐｂ含まれ
ることにより、超純水は弱酸性となり、この弱酸性の超
純水で仕上げ洗浄された保管用のプラスチック容器の表
面は、導電性が低下することとなる。かくして、保管用
のプラスチック容器の表面には、パーティクルが付着し
にくくなる。For example, in the case of performing the final cleaning by spraying ultrapure water, in the final cleaning step,
The carbon dioxide gas may be contained in the ultrapure water by providing a carbon dioxide gas dissolving module or a carbon dioxide gas injection unit in a part of the pipe for supplying the ultrapure water for finish cleaning. Instead of carbon dioxide gas, compressed air from which suspended matter has been removed may be blown into ultrapure water. By containing at least 5 ppb, and preferably 7 ppb, of carbonate ions in ultrapure water, the ultrapure water becomes weakly acidic. Will decrease. Thus, particles hardly adhere to the surface of the plastic container for storage.
【０００８】 仕上げ洗浄は、界面活性剤のよる洗浄完
了後のシリコンウェーハ保管用のプラスチック容器を炭
酸イオンを含む超純水中に浸漬しても、あるいは同容器
に炭酸イオンを含む超純水をスプレして洗浄してもよ
い。超純水の使用量などを含め、作業性の点で、スプレ
による仕上げ洗浄の法が好ましい。仕上げ洗浄後は、常
法に従い、乾燥工程に供することにより、シリコンウェ
ーハ保管用のプラスチック容器の洗浄は完了する。In the final cleaning, the plastic container for storing the silicon wafer after the cleaning with the surfactant is immersed in ultrapure water containing carbonate ions, or ultrapure water containing carbonate ions is placed in the container. You may spray and wash. From the viewpoint of workability, including the amount of ultrapure water used, the method of finish cleaning by spraying is preferred. After the final cleaning, the plastic container for storing the silicon wafer is completed by subjecting it to a drying process according to a conventional method.
【０００９】[0009]
【実施例】 以下、本発明に係るシリコンウェーハ保管
用のプラスチック容器の洗浄方法について実施例をあげ
て説明するが、勿論、本発明は、これらの例により何等
制限されるものではないことはいうまでもない。EXAMPLES Hereinafter, the method for cleaning a plastic container for storing silicon wafers according to the present invention will be described with reference to examples, but it is needless to say that the present invention is not limited to these examples. Not even.
【００１０】（実施例）界面活性剤を用いてシリコンウ
ェーハ保管用のプラスチック容器を洗浄した後、炭酸ガ
スインジェクション部により超純水中に炭酸ガスを吹き
込んだ超純水を使用してスプレ洗浄した。この超純水中
の炭酸イオン濃度をイオンクロマトグラフ法により測定
したところ、炭酸イオンは７ｐｐｂ含まれていた。この
ようにして洗浄したシリコンウェーハ保管用のプラスチ
ック容器を常法により乾燥した後、シリコンウェーハを
約４週間保管して、シリコンウェーハ上のパーティクル
の付着状況をレーザー散乱式パーティクルカウンターで
検査した。保管後に容器に付着しているパーティクル数
を保管開始前と比較したが、約４週間保管しても、有意
なパーティクルの増加は認められなかった。よって、本
発明に係るシリコンウェーハ保管用のプラスチック容器
の洗浄方法は、優れた効果を示すことが判明した。(Example) After cleaning a plastic container for storing silicon wafers using a surfactant, spray cleaning was performed using ultrapure water in which carbon dioxide gas was blown into ultrapure water by a carbon dioxide gas injection unit. . When the concentration of carbonate ions in the ultrapure water was measured by ion chromatography, 7 ppb of carbonate ions were contained. After the plastic container for storing the silicon wafer thus washed was dried by a conventional method, the silicon wafer was stored for about 4 weeks, and the adhesion state of the particles on the silicon wafer was inspected by a laser scattering type particle counter. The number of particles adhering to the container after storage was compared with that before the start of storage, but no significant increase in particles was observed even after storage for about 4 weeks. Therefore, it was found that the method of cleaning a plastic container for storing silicon wafers according to the present invention exhibited excellent effects.
【００１１】（試験例１）炭酸イオンを７ｐｐｂ含む超
純水と、比較例として炭酸イオンを含まない超純水とを
使用して、実施例と同様の条件下でそれぞれシリコンウ
ェーハ保管用のプラスチック容器の洗浄を行った。乾燥
後、シリコンウェーハ保管用のプラスチック容器を所定
量の超純水中に浸漬し、充分振盪して、シリコンウェー
ハ保管用のプラスチック容器の表面に付着している可能
性のあるパーティクルを振り落とし、超純水を回収後、
同超純水中に含まれているパーティクルをレーザー散乱
式パーティクルカウンターで検査した。炭酸イオンを含
む超純水中で洗浄したものは、比較例と比較して、遊離
してきたパーティクルの数は４０％に減少していた。こ
のことから、仕上げ洗浄前にシリコンウェーハ保管用の
プラスチック容器の表面に付着し残留していたパーティ
クルも効率よく除去できることが分かる。(Test Example 1) Using ultrapure water containing 7 ppb of carbonate ions and ultrapure water containing no carbonate ions as a comparative example, a plastic for storing silicon wafers under the same conditions as in the examples. The container was washed. After drying, immerse the plastic container for storing silicon wafers in a predetermined amount of ultrapure water, shake sufficiently, and shake off particles that may have adhered to the surface of the plastic container for storing silicon wafers. After collecting ultrapure water,
Particles contained in the ultrapure water were inspected with a laser scattering particle counter. In the case of washing in ultrapure water containing carbonate ions, the number of released particles was reduced to 40% as compared with the comparative example. From this, it is understood that particles remaining on the surface of the plastic container for storing silicon wafers before the final cleaning can be efficiently removed.
【００１２】（試験例２）炭酸イオンを７ｐｐｂ含む超
純水と、比較例として炭酸イオンを含まない超純水とを
使用して、実施例と同様の条件下でそれぞれシリコンウ
ェーハ保管用のプラスチック容器の洗浄を行った。乾燥
後、シリコンウェーハ保管用のプラスチック容器に所定
の大きさのパーティクルを所定量付着させて、４週間保
管後、通常の出荷と同じ条件で輸送試験に供し、輸送後
シリコンウェーハへのパーティクルの付着量をレーザー
散乱式パーティクルカウンターで検査した。炭酸イオン
を含む超純水中で洗浄したものは、比較例と比較して、
シリコンウェーハに移行したパーティクルの数は６０％
であった。このことから、保管、輸送によるシリコンウ
ェーハ保管用のプラスチック容器の表面に付着し残留し
ていたパーティクルのシリコンウェーハへの移行も少な
いことが分かる。(Test Example 2) Using ultrapure water containing 7 ppb of carbonate ions and ultrapure water containing no carbonate ions as a comparative example, a plastic for storing silicon wafers was prepared under the same conditions as in the examples. The container was washed. After drying, a predetermined amount of particles of a predetermined size are attached to a plastic container for storing silicon wafers, and after storage for 4 weeks, subjected to a transport test under the same conditions as normal shipping, and after transport, adhesion of particles to the silicon wafers The amount was checked with a laser scattering particle counter. What was washed in ultrapure water containing carbonate ions, compared with the comparative example,
60% of particles migrated to silicon wafer
Met. From this, it can be seen that particles that adhered and remained on the surface of the plastic container for storing silicon wafers due to storage and transportation were less transferred to the silicon wafer.
【００１３】[0013]
【発明の効果】 本発明に係るシリコンウェーハ保管用
のプラスチック容器の洗浄方法は、特に特殊な工程を新
たに導入することもなく、仕上げ洗浄に使用する超純水
に炭酸イオンが一定以上含まれるものを使用することに
より、界面活性剤等よる洗浄後においてもシリコンウェ
ーハ保管用のプラスチック容器に付着残留しているパー
ティクルをも効率よく除去することができ、洗浄後のシ
リコンウェーハ保管用のプラスチック容器へのパーティ
クルの付着も低く抑え、また、仮に予測外の事故などに
よりシリコンウェーハ保管用のプラスチック容器がパー
ティクルで付着、汚染されてもシリコンウェーハへの移
行を低く押さえることができ、結果として、保管中にシ
リコンウェーハをパーティクルで汚染することが実質的
にないと言う優れた効果を発揮するものである。According to the method for cleaning a plastic container for storing silicon wafers according to the present invention, a certain amount of carbonate ion is contained in ultrapure water used for finish cleaning without introducing a special process. By using a plastic container, even after cleaning with a surfactant or the like, particles remaining on the plastic container for storing silicon wafers can be efficiently removed, and the plastic container for storing silicon wafers after cleaning. The adhesion of particles to the silicon wafer is also kept low, and even if the plastic container for silicon wafer storage adheres to and becomes contaminated with particles due to an unexpected accident, the migration to the silicon wafer can be kept low. Excellent that there is virtually no contamination of silicon wafers with particles inside It is effective.
Claims (3)
げ洗浄工程である超純水による洗浄の際に、超純水に炭
酸イオンを含む超純水を使用することを特徴とするシリ
コンウェーハ保管容器の洗浄方法。1. A silicon wafer storage container characterized by using ultrapure water containing carbonate ions in the ultrapure water during the cleaning with ultrapure water as a final cleaning step of cleaning the silicon wafer storage container. Cleaning method.
たは圧縮空気を超純水に強制的に吹き込み調製したもの
であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。2. The cleaning method according to claim 1, wherein the ultrapure water containing carbonate ions is prepared by forcibly blowing carbon dioxide gas or compressed air into the ultrapure water.
浄がスプレ洗浄によることを特徴とする請求項１または
２に記載の洗浄方法。3. The cleaning method according to claim 1, wherein the finish cleaning using ultrapure water containing carbonate ions is performed by spray cleaning.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036451A JP2000235966A (en) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | Method for cleaning silicon wafer storage container |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036451A JP2000235966A (en) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | Method for cleaning silicon wafer storage container |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235966A true JP2000235966A (en) | 2000-08-29 |
Family
ID=12470193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11036451A Withdrawn JP2000235966A (en) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | Method for cleaning silicon wafer storage container |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000235966A (en) |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP11036451A patent/JP2000235966A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |