JP2000229201A - 多物質混合物および多物質系から特定成分を蒸発させるための方法および装置 - Google Patents
多物質混合物および多物質系から特定成分を蒸発させるための方法および装置Info
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
- B01D3/10—Vacuum distillation
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 拡散距離を短くし、半径方向と軸方向との温
度分布の均等性を大きくすることによって、高い純度の
製品を得ることができるような方法を提供する。 【解決手段】 交換電磁界に対してサスセプターとして
働く材料から成るリング坩堝17を使用し、最下位のリ
ング坩堝17の下側と最上位のリング坩堝17の上側と
に、同様に交換電磁界に対してサスセプターとして働く
材料から成る少なくともそれぞれ1つの加熱体16,2
1を配置し、前記リング坩堝17と前記加熱体16,2
1とを少なくとも1つの誘導コイル8内に収容し、最下
位のリング坩堝17と最上位のリング坩堝17とを付加
的に前記加熱体16,21によって加熱するように、誘
導結合によって前記リング坩堝17と前記加熱体16,
21とを昇熱し、多物質混合物または多物質系の少なく
とも1つの特定成分を可能な限り高い純度で採取できる
ような設定時間でリング坩堝17を加熱する。
度分布の均等性を大きくすることによって、高い純度の
製品を得ることができるような方法を提供する。 【解決手段】 交換電磁界に対してサスセプターとして
働く材料から成るリング坩堝17を使用し、最下位のリ
ング坩堝17の下側と最上位のリング坩堝17の上側と
に、同様に交換電磁界に対してサスセプターとして働く
材料から成る少なくともそれぞれ1つの加熱体16,2
1を配置し、前記リング坩堝17と前記加熱体16,2
1とを少なくとも1つの誘導コイル8内に収容し、最下
位のリング坩堝17と最上位のリング坩堝17とを付加
的に前記加熱体16,21によって加熱するように、誘
導結合によって前記リング坩堝17と前記加熱体16,
21とを昇熱し、多物質混合物または多物質系の少なく
とも1つの特定成分を可能な限り高い純度で採取できる
ような設定時間でリング坩堝17を加熱する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空室内において
大気圧以下の圧力で初源の多物質混合物および多物質系
から特定成分を蒸発させるための方法であって、前記真
空室内において多物質混合物または多物質系の個別配分
量を多段のリング坩堝内に配置し、該リング坩堝からそ
れぞれ低沸点成分の蒸気を少なくともそれぞれ1つの蒸
気抽出口によって抽出し、該蒸気抽出口を除いて最上位
のリング坩堝を閉鎖しておく形式の、多物質混合物およ
び多物質系から特定成分を蒸発させるための方法に関す
る。
大気圧以下の圧力で初源の多物質混合物および多物質系
から特定成分を蒸発させるための方法であって、前記真
空室内において多物質混合物または多物質系の個別配分
量を多段のリング坩堝内に配置し、該リング坩堝からそ
れぞれ低沸点成分の蒸気を少なくともそれぞれ1つの蒸
気抽出口によって抽出し、該蒸気抽出口を除いて最上位
のリング坩堝を閉鎖しておく形式の、多物質混合物およ
び多物質系から特定成分を蒸発させるための方法に関す
る。
【0002】更にまた本発明は、炉套壁によって包囲さ
れた真空室内において大気圧以下の圧力で初源の多物質
混合物および多物質系から特定成分を蒸発させるための
装置であって、前記炉套壁内に、少なくともそれぞれ1
つの蒸気抽出通路を有する多段のリング坩堝が配置され
ており、最上位のリング坩堝が前記蒸気抽出通路を除い
て閉鎖されている形式の、多物質混合物および多物質系
から特定成分を蒸発させるための装置に関する。
れた真空室内において大気圧以下の圧力で初源の多物質
混合物および多物質系から特定成分を蒸発させるための
装置であって、前記炉套壁内に、少なくともそれぞれ1
つの蒸気抽出通路を有する多段のリング坩堝が配置され
ており、最上位のリング坩堝が前記蒸気抽出通路を除い
て閉鎖されている形式の、多物質混合物および多物質系
から特定成分を蒸発させるための装置に関する。
【0003】
【従来の技術】真空内で加熱して比較的低沸点の成分を
蒸発させることによって、ペースト状、粉粒状、液状
の、或いは溶融によって液化された多物質混合物または
多物質系を浄化または純化することは、所定の圧力(個
々の成分の固有の蒸気圧曲線)において沸点が互いに接
近していればいるほど、それだけ困難になる。蒸発させ
るべき成分の含有残分を微量にしようとする要求、要す
るに例えば浄化された物質の使用目的を左右することに
なる痕跡元素および/または痕跡化合物が問題である場
合には、前記の困難は更に増大する。使用目的は、電子
工学(半導体技術)分野および光学(レンズ素材)分野
において特に顕著であり、その場合、多物質混合物およ
び多物質系という概念には、合金、ガラス、スラッジな
ども含まれ、要するに、固相/固相、固相/液相および
液相/液相の多物質混合物も含まれる。
蒸発させることによって、ペースト状、粉粒状、液状
の、或いは溶融によって液化された多物質混合物または
多物質系を浄化または純化することは、所定の圧力(個
々の成分の固有の蒸気圧曲線)において沸点が互いに接
近していればいるほど、それだけ困難になる。蒸発させ
るべき成分の含有残分を微量にしようとする要求、要す
るに例えば浄化された物質の使用目的を左右することに
なる痕跡元素および/または痕跡化合物が問題である場
合には、前記の困難は更に増大する。使用目的は、電子
工学(半導体技術)分野および光学(レンズ素材)分野
において特に顕著であり、その場合、多物質混合物およ
び多物質系という概念には、合金、ガラス、スラッジな
ども含まれ、要するに、固相/固相、固相/液相および
液相/液相の多物質混合物も含まれる。
【0004】このような多物質混合物および多物質系
は、水、炭化水素、水銀、硫黄、亜鉛、カドミウム、ナ
トリウム、リチウム、カルシウム、アンチモン、鉛、マ
ンガン、セレンおよびテルルも含むことができる。
は、水、炭化水素、水銀、硫黄、亜鉛、カドミウム、ナ
トリウム、リチウム、カルシウム、アンチモン、鉛、マ
ンガン、セレンおよびテルルも含むことができる。
【0005】完全液状または部分液状の多物質混合物お
よび多物質系において相間境界面(例えば液体/蒸気間
境界面)への短い拡散距離を得るために、回分装入物を
多段式に僅かな装填レベルでかつ表面積と容積との好ま
しい比率で個別配分量に分割するのが望ましいことは公
知であり、このことは抵抗加熱処理に関連してドイツ連
邦共和国特許第3144284号明細書に開示されてい
るが、当該特許明細書に記載されている発明は、別のテ
ーマ、つまり切削技術に基づく硬質金属の脆性化に関わ
るものである。しかしながら多段式配置構成の場合に
は、対流および/または誘導的な強制循環流による個別
配分量間の温度補償は得られない。その結果、個別配分
量間もしくは処理段間に顕著な軸方向および半径方向の
温度差が生じ、ひいては個別配分量における不純物含有
残分が半径方向でも相異することになる。
よび多物質系において相間境界面(例えば液体/蒸気間
境界面)への短い拡散距離を得るために、回分装入物を
多段式に僅かな装填レベルでかつ表面積と容積との好ま
しい比率で個別配分量に分割するのが望ましいことは公
知であり、このことは抵抗加熱処理に関連してドイツ連
邦共和国特許第3144284号明細書に開示されてい
るが、当該特許明細書に記載されている発明は、別のテ
ーマ、つまり切削技術に基づく硬質金属の脆性化に関わ
るものである。しかしながら多段式配置構成の場合に
は、対流および/または誘導的な強制循環流による個別
配分量間の温度補償は得られない。その結果、個別配分
量間もしくは処理段間に顕著な軸方向および半径方向の
温度差が生じ、ひいては個別配分量における不純物含有
残分が半径方向でも相異することになる。
【0006】単一の坩堝に全装入物を収容する場合に
は、対流および/または誘導的な強制循環流によって、
軸方向および半径方向で装入物の温度均等化および組成
の均質化をある程度得ることができるが、対流は先ず第
1に温度差の前提となり、何れの場合も所定のトーラス
状の流動パターンが生じ、液体の個々の容積要素が常に
短時間しか相間境界面(蒸発表面)の近傍に位置しない
ので、装入量に関して平均して著しく長い拡散距離が生
じ、これによって生産力が劣化する。冷却の場合、溶融
物は徐々にフリージング(凍結)し、かつ固相と液相と
の相間境界は特定の不純物を液相部内へ、いわゆる残留
溶融物内へ押しずらし、これによって、最終的に凝固す
るブロック内に不純物勾配を生ぜしめる。これは有効分
配係数の作用の結果である。
は、対流および/または誘導的な強制循環流によって、
軸方向および半径方向で装入物の温度均等化および組成
の均質化をある程度得ることができるが、対流は先ず第
1に温度差の前提となり、何れの場合も所定のトーラス
状の流動パターンが生じ、液体の個々の容積要素が常に
短時間しか相間境界面(蒸発表面)の近傍に位置しない
ので、装入量に関して平均して著しく長い拡散距離が生
じ、これによって生産力が劣化する。冷却の場合、溶融
物は徐々にフリージング(凍結)し、かつ固相と液相と
の相間境界は特定の不純物を液相部内へ、いわゆる残留
溶融物内へ押しずらし、これによって、最終的に凝固す
るブロック内に不純物勾配を生ぜしめる。これは有効分
配係数の作用の結果である。
【0007】keff=Cfest/Cfluessig この場合、大きな距離にわたる凝固熱の導出が障害とな
る。更にまた相間境界の移動も温度差の前提となる。
る。更にまた相間境界の移動も温度差の前提となる。
【0008】ところで、このようなプロセスを真空炉内
で実施するのは慣用技術であり、該真空炉は、石英また
はガラス繊維補強プラスチックのような磁界透過性の材
料から成る円筒形の炉套壁と、該炉套壁の外部に配置さ
れた誘導コイルとを有している。
で実施するのは慣用技術であり、該真空炉は、石英また
はガラス繊維補強プラスチックのような磁界透過性の材
料から成る円筒形の炉套壁と、該炉套壁の外部に配置さ
れた誘導コイルとを有している。
【0009】ところで材料特有の平衡蒸気圧曲線の孤立
的考察に基づいて分溜のための温度を選択することは、
どんな場合にも可能という訳ではない。それというの
は、このような蒸発処理は「非平衡条件」下で行なわれ
るからである。このような条件下での蒸発処理は、実際
になさねばならない典型的な実際例である。全行程とし
ての蒸発プロセスは、特定の部分段階では蒸気相内へ
の、場合によっては真空内への容量成分の搬送と見做さ
れ、その場合、全行程も個々の各部分段階も、特定の運
動パラメータによって特性づけることができる。第1の
部分段階は、拡散境界層による成分の搬送であり、この
搬送は拡散境界層における濃度勾配に比例している。第
2の部分段階は、表面における各成分の自由蒸発であ
り、この自由蒸発は表面における成分濃度に比例してい
る。
的考察に基づいて分溜のための温度を選択することは、
どんな場合にも可能という訳ではない。それというの
は、このような蒸発処理は「非平衡条件」下で行なわれ
るからである。このような条件下での蒸発処理は、実際
になさねばならない典型的な実際例である。全行程とし
ての蒸発プロセスは、特定の部分段階では蒸気相内へ
の、場合によっては真空内への容量成分の搬送と見做さ
れ、その場合、全行程も個々の各部分段階も、特定の運
動パラメータによって特性づけることができる。第1の
部分段階は、拡散境界層による成分の搬送であり、この
搬送は拡散境界層における濃度勾配に比例している。第
2の部分段階は、表面における各成分の自由蒸発であ
り、この自由蒸発は表面における成分濃度に比例してい
る。
【0010】しかしその場合、個々の成分は異なった相
互作用を及ぼし合い、該相互作用は平衡蒸気圧曲線から
の値を相互にシフトする。合金の場合、これは例えば金
属間相の形成によって行なわれる。この相互作用は、し
かしながら実験的に決定されねばならずかつ決定するこ
とができる。
互作用を及ぼし合い、該相互作用は平衡蒸気圧曲線から
の値を相互にシフトする。合金の場合、これは例えば金
属間相の形成によって行なわれる。この相互作用は、し
かしながら実験的に決定されねばならずかつ決定するこ
とができる。
【0011】これに関しては、Kubaschewski/Evans共
著:”Metallurgische Thermochemie”,1959年
刊,VEB Verlag Technik Berlin,P.53~55を参照された
い。同書において著者は、1つの溶液中の物質もしくは
成分の「活性」という概念に関与しており、克服すべき
分子間の結合力または引力もしくは活用できる斥力を示
唆している。
著:”Metallurgische Thermochemie”,1959年
刊,VEB Verlag Technik Berlin,P.53~55を参照された
い。同書において著者は、1つの溶液中の物質もしくは
成分の「活性」という概念に関与しており、克服すべき
分子間の結合力または引力もしくは活用できる斥力を示
唆している。
【0012】従って個々の問題とその解決手段および作
用は真向から対立している。
用は真向から対立している。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、拡散距離を短くし、半径方向と軸方向との温度分
布の均等性を大きくすることによって、高い純度の製品
を得ることができるような方法および装置を提供するこ
とである。
題は、拡散距離を短くし、半径方向と軸方向との温度分
布の均等性を大きくすることによって、高い純度の製品
を得ることができるような方法および装置を提供するこ
とである。
【0014】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の方法では、冒頭で述べた形式の方法におい
て、 a)交換電磁界に対してサスセプターとして働く材料か
ら成るリング坩堝を使用し、 b)最下位のリング坩堝の下側と最上位のリング坩堝の
上側とに、同様に交換電磁界に対してサスセプターとし
て働く材料から成る少なくともそれぞれ1つの加熱体を
配置し、 c)前記リング坩堝と前記加熱体とを少なくとも1つの
誘導コイル内に収容し、最下位のリング坩堝と最上位の
リング坩堝とを付加的に前記加熱体によって加熱するよ
うに、誘導結合によって前記リング坩堝と前記加熱体と
を昇熱し、 d)多物質混合物または多物質系の少なくとも1つの特
定成分を可能な限り高い純度で採取できるような設定時
間でリング坩堝を加熱するようにした。
に本発明の方法では、冒頭で述べた形式の方法におい
て、 a)交換電磁界に対してサスセプターとして働く材料か
ら成るリング坩堝を使用し、 b)最下位のリング坩堝の下側と最上位のリング坩堝の
上側とに、同様に交換電磁界に対してサスセプターとし
て働く材料から成る少なくともそれぞれ1つの加熱体を
配置し、 c)前記リング坩堝と前記加熱体とを少なくとも1つの
誘導コイル内に収容し、最下位のリング坩堝と最上位の
リング坩堝とを付加的に前記加熱体によって加熱するよ
うに、誘導結合によって前記リング坩堝と前記加熱体と
を昇熱し、 d)多物質混合物または多物質系の少なくとも1つの特
定成分を可能な限り高い純度で採取できるような設定時
間でリング坩堝を加熱するようにした。
【0015】さらに上記課題を解決するために本発明の
構成では、冒頭で述べた形式の装置において、 a)リング坩堝が、交換電磁界に対してサスセプターと
して働く材料から成っており、 b)最下位のリング坩堝の下側と最上位のリング坩堝の
上側とに、同様に交換電磁界に対してサスセプターとし
て働く材料から成る少なくともそれぞれ1つの加熱体が
配置されており、 c)炉套壁とリング坩堝と加熱体とが少なくとも1つの
誘導コイルによって包囲されており、 d)最下位のリング坩堝と最上位のリング坩堝とが加熱
体と熱交換関係にあるようにした。
構成では、冒頭で述べた形式の装置において、 a)リング坩堝が、交換電磁界に対してサスセプターと
して働く材料から成っており、 b)最下位のリング坩堝の下側と最上位のリング坩堝の
上側とに、同様に交換電磁界に対してサスセプターとし
て働く材料から成る少なくともそれぞれ1つの加熱体が
配置されており、 c)炉套壁とリング坩堝と加熱体とが少なくとも1つの
誘導コイルによって包囲されており、 d)最下位のリング坩堝と最上位のリング坩堝とが加熱
体と熱交換関係にあるようにした。
【0016】
【発明の効果】このような方法によって、短い拡散距離
ならびに半径方向および軸方向における温度分布の大き
な均等性が可能になるという利点、特に個別配分量間も
しくは処理段間の軸方向および半径方向の温度差が極め
て小さくなり、これによって個別配分量における不純物
の含有残分が、半径方向でも最小限に抑えられるという
利点が得られる。
ならびに半径方向および軸方向における温度分布の大き
な均等性が可能になるという利点、特に個別配分量間も
しくは処理段間の軸方向および半径方向の温度差が極め
て小さくなり、これによって個別配分量における不純物
の含有残分が、半径方向でも最小限に抑えられるという
利点が得られる。
【0017】高純度成分の採取はその場合、次の択一的
な2つの方法で行なうことができる。すなわち: 1.特定成分をリング坩堝内に抑留するか、または 2.特定成分をその他の成分と無関係に凝縮器内で捕集
する。この場合、別の物質ですでに「占有」されない凝
縮器を使用する。
な2つの方法で行なうことができる。すなわち: 1.特定成分をリング坩堝内に抑留するか、または 2.特定成分をその他の成分と無関係に凝縮器内で捕集
する。この場合、別の物質ですでに「占有」されない凝
縮器を使用する。
【0018】また本発明による装置の特に有利な構成で
は、次に列記の構成手段をそれぞれ単独にまたは組合わ
せて設けることができる。すなわち: 1.加熱体が中空体として形成されており、前記加熱体
の内面が、最上位のリング坩堝の坩堝カバーと最下位の
リング坩堝の下面とに視界結合している; 2.下部加熱体の高さと坩堝堆積体の高さと上部加熱体
の高さとの比が1:0.8〜2.0:1である; 3.坩堝堆積体の高さと該坩堝堆積体の外径との比が
1:0.2〜1.5である; 4.加熱体が中空円筒体として形成されている; 5.上部加熱体が上方で蓄熱装置によって封鎖されてい
る; 6.下部加熱体が、サスセプター材料から成るリング円
板上に載置しており、該リング円板自体が中空円筒形の
蓄熱装置上に配置されている; 7.誘導コイルが螺旋形の金属ベルトから成っており、
誘導コイルの軸方向長さの中央部における金属ベルトの
横断面が、誘導コイルの両端部における横断面よりも大
きい; 8.誘導コイルの横断面が長方形であり、ワインディン
グの間隙が、金属ベルトの全長にわたって少なくともほ
ぼ同じ大きさであり、前記長方形の最長軸線が軸平行に
延びておりかつコイル中央部に最大高さ寸法を有してお
り、コイル両端部にそれぞれ最小高さ寸法を有してい
る; 9.誘導コイルが中空成形材から成っている; 10.最大高さ寸法と最小高さ寸法との比が1.1〜
4.0である; 11.蒸気抽出導管が最下位のリング坩堝の下面からリ
ング円板と蓄熱装置とを貫通して凝縮器にまで達してい
る;かつ/または 12.炉套壁が石英管から成っており、該石英管の内面
が、軟質フェルトから成る蓄熱材で被覆されている。
は、次に列記の構成手段をそれぞれ単独にまたは組合わ
せて設けることができる。すなわち: 1.加熱体が中空体として形成されており、前記加熱体
の内面が、最上位のリング坩堝の坩堝カバーと最下位の
リング坩堝の下面とに視界結合している; 2.下部加熱体の高さと坩堝堆積体の高さと上部加熱体
の高さとの比が1:0.8〜2.0:1である; 3.坩堝堆積体の高さと該坩堝堆積体の外径との比が
1:0.2〜1.5である; 4.加熱体が中空円筒体として形成されている; 5.上部加熱体が上方で蓄熱装置によって封鎖されてい
る; 6.下部加熱体が、サスセプター材料から成るリング円
板上に載置しており、該リング円板自体が中空円筒形の
蓄熱装置上に配置されている; 7.誘導コイルが螺旋形の金属ベルトから成っており、
誘導コイルの軸方向長さの中央部における金属ベルトの
横断面が、誘導コイルの両端部における横断面よりも大
きい; 8.誘導コイルの横断面が長方形であり、ワインディン
グの間隙が、金属ベルトの全長にわたって少なくともほ
ぼ同じ大きさであり、前記長方形の最長軸線が軸平行に
延びておりかつコイル中央部に最大高さ寸法を有してお
り、コイル両端部にそれぞれ最小高さ寸法を有してい
る; 9.誘導コイルが中空成形材から成っている; 10.最大高さ寸法と最小高さ寸法との比が1.1〜
4.0である; 11.蒸気抽出導管が最下位のリング坩堝の下面からリ
ング円板と蓄熱装置とを貫通して凝縮器にまで達してい
る;かつ/または 12.炉套壁が石英管から成っており、該石英管の内面
が、軟質フェルトから成る蓄熱材で被覆されている。
【0019】
【発明の実施の形態】次に図面に基づいて本発明の実施
例を詳説する。
例を詳説する。
【0020】図1に示した石英管炉1は、鉛直な炉軸線
A−Aを有する真空室2を包囲している。装入蓋3と上
部リングフランジ4と下部リングフランジ(図示せず)
との間には、外径700mmの石英管から成る炉套壁6
が複数本の抗張アンカー7によって真空密に緊締されて
いる。炉套壁6は外周で螺旋状の誘導コイル8によって
共軸に包囲されており、該誘導コイルは、方形横断面の
銅製の金属ベルトから成っていて、該金属ベルトの最長
横断面軸線は、炉軸線A−Aに対して平行に延びてい
る。
A−Aを有する真空室2を包囲している。装入蓋3と上
部リングフランジ4と下部リングフランジ(図示せず)
との間には、外径700mmの石英管から成る炉套壁6
が複数本の抗張アンカー7によって真空密に緊締されて
いる。炉套壁6は外周で螺旋状の誘導コイル8によって
共軸に包囲されており、該誘導コイルは、方形横断面の
銅製の金属ベルトから成っていて、該金属ベルトの最長
横断面軸線は、炉軸線A−Aに対して平行に延びてい
る。
【0021】個々のワインディング10間の間隙9は全
長にわたって少なくとも軸線方向でほぼ等しい高さを有
している。しかしながら方形の高さ寸法は異なってお
り、しかも該高さ寸法は、コイル中央部(内寄り部)で
は最大高さ寸法hiを有し、またコイル両端部(外寄り
部)ではそれぞれ最小高さ寸法haを有している。最大
高さ寸法hiと最小高さ寸法haとの比率は例えば約
1.6である。これに基づいて、さもなければ不利なコ
イル両端部の領域における電磁界およびエネルギの補償
が得られる。稼働時に誘導コイル8は、例えば周波数約
4000Hzの発電機に接続されている。金属ベルトの
外面には、冷却蛇管11が鑞接されている。
長にわたって少なくとも軸線方向でほぼ等しい高さを有
している。しかしながら方形の高さ寸法は異なってお
り、しかも該高さ寸法は、コイル中央部(内寄り部)で
は最大高さ寸法hiを有し、またコイル両端部(外寄り
部)ではそれぞれ最小高さ寸法haを有している。最大
高さ寸法hiと最小高さ寸法haとの比率は例えば約
1.6である。これに基づいて、さもなければ不利なコ
イル両端部の領域における電磁界およびエネルギの補償
が得られる。稼働時に誘導コイル8は、例えば周波数約
4000Hzの発電機に接続されている。金属ベルトの
外面には、冷却蛇管11が鑞接されている。
【0022】このコイルの寸法決めは、本発明の特に有
利な実施形態を得るに当たって著しく貢献する。慣用の
誘導コイルは、コイル両端部に変更部、いわゆるリード
補償を有していようと有していまいと、コイル中央部の
領域に最大出力密度を有している。それというのは電磁
界の約30%が、端部ワインディング間の間隙によって
コイル内室から散逸するからである。従って特別の手段
を講じない限り、最大出力密度、ひいては軸方向温度プ
ロフィールの最大値がコイル中央部に位置しているの
で、端部ワインディング領域の温度は、コイル中央部と
は著しく相異することになる。
利な実施形態を得るに当たって著しく貢献する。慣用の
誘導コイルは、コイル両端部に変更部、いわゆるリード
補償を有していようと有していまいと、コイル中央部の
領域に最大出力密度を有している。それというのは電磁
界の約30%が、端部ワインディング間の間隙によって
コイル内室から散逸するからである。従って特別の手段
を講じない限り、最大出力密度、ひいては軸方向温度プ
ロフィールの最大値がコイル中央部に位置しているの
で、端部ワインディング領域の温度は、コイル中央部と
は著しく相異することになる。
【0023】その結果、加熱された固体、例えばサスセ
プター(Susceptors)および装入支持体における温度分
布も不均等になる。但しこの場合、「サスセプター」と
いう表現は、作用結合がいわゆるスキン効果を介して行
なわれる場合であっても、電磁界に作用結合する各固体
もしくは各材料、特に黒鉛(Grafit)を意味するものと
する。
プター(Susceptors)および装入支持体における温度分
布も不均等になる。但しこの場合、「サスセプター」と
いう表現は、作用結合がいわゆるスキン効果を介して行
なわれる場合であっても、電磁界に作用結合する各固体
もしくは各材料、特に黒鉛(Grafit)を意味するものと
する。
【0024】従ってコイル両端部で発生する温度勾配
は、軸方向および半径方向での均質な精密温度フィール
ドの形成に対抗するが、この均質な精密温度フィールド
は、冒頭で述べた形式の敏感な加熱プロセスにおいて必
要であり、つまりこの加熱プロセスでは回分装入物は、
軸方向に堆積された装入支持体において複数の個別配分
量に分割されており、前記の装入支持体において物理的
−化学的処理を施そうとする以上、この物理的−化学的
処理の成績は、再現可能なかつ回分効果に煩わされるこ
とのない最終製品品質でなければならない。全ての装入
支持体(リング坩堝)の領域において最終的に±5Kよ
り少ない偏差にしようとする目的達成は、前記のコイル
幾何学形状によって著しく助成される。
は、軸方向および半径方向での均質な精密温度フィール
ドの形成に対抗するが、この均質な精密温度フィールド
は、冒頭で述べた形式の敏感な加熱プロセスにおいて必
要であり、つまりこの加熱プロセスでは回分装入物は、
軸方向に堆積された装入支持体において複数の個別配分
量に分割されており、前記の装入支持体において物理的
−化学的処理を施そうとする以上、この物理的−化学的
処理の成績は、再現可能なかつ回分効果に煩わされるこ
とのない最終製品品質でなければならない。全ての装入
支持体(リング坩堝)の領域において最終的に±5Kよ
り少ない偏差にしようとする目的達成は、前記のコイル
幾何学形状によって著しく助成される。
【0025】炉套壁6の内面は蓄熱材12によってコー
ティングされており、該蓄熱材は、複数層の軟質フェル
ト、例えば黒鉛繊維から成っており、少なくともそれほ
ど誘導コイル8には作用結合していない。
ティングされており、該蓄熱材は、複数層の軟質フェル
ト、例えば黒鉛繊維から成っており、少なくともそれほ
ど誘導コイル8には作用結合していない。
【0026】図1に図示したように、真空室2内には、
炉軸線A−Aに対して同心的に、下から上へ向かって次
の構成部分が配置されている。支持管13が、巻成され
た黒鉛フェルトから成る蓄熱装置14によって包囲され
ている。前記支持管13および蓄熱装置14の上には、
黒鉛から成るリング円板15が座着しており、かつ該リ
ング円板上には、同じく黒鉛から成る中空円筒形の加熱
体16が装着されている。この加熱体の上に、5つのリ
ング坩堝17から成る堆積体が座着しかつほぼ500m
mの外径を有している。該リング坩堝については、図2
に基づいて追って詳説する。
炉軸線A−Aに対して同心的に、下から上へ向かって次
の構成部分が配置されている。支持管13が、巻成され
た黒鉛フェルトから成る蓄熱装置14によって包囲され
ている。前記支持管13および蓄熱装置14の上には、
黒鉛から成るリング円板15が座着しており、かつ該リ
ング円板上には、同じく黒鉛から成る中空円筒形の加熱
体16が装着されている。この加熱体の上に、5つのリ
ング坩堝17から成る堆積体が座着しかつほぼ500m
mの外径を有している。該リング坩堝については、図2
に基づいて追って詳説する。
【0027】坩堝堆積体の個々のリング坩堝17内に
は、初源の多物質混合物または多物質系の5つの個別配
分量P1,P2,P3,P4,P5が収容されている。
しかしリング坩堝17の個数は可変であり、2個〜10
個であるのが有利であるが、リング坩堝の個数の上限は
規制されていない。
は、初源の多物質混合物または多物質系の5つの個別配
分量P1,P2,P3,P4,P5が収容されている。
しかしリング坩堝17の個数は可変であり、2個〜10
個であるのが有利であるが、リング坩堝の個数の上限は
規制されていない。
【0028】最下位のリング坩堝17から、やはり黒鉛
から成る蒸気抽出導管18が、図1では図示を省いた凝
縮器へ通じているが、該凝縮器は、明細書冒頭で挙げた
ドイツ連邦共和国特許第3144284号明細書に記載
の凝縮器に相当することができる。
から成る蒸気抽出導管18が、図1では図示を省いた凝
縮器へ通じているが、該凝縮器は、明細書冒頭で挙げた
ドイツ連邦共和国特許第3144284号明細書に記載
の凝縮器に相当することができる。
【0029】最上位のリング坩堝17は、やはり黒鉛か
ら成る合同の坩堝カバー20によって閉鎖されている。
該坩堝カバーの上には、やはり黒鉛から成る中空円筒形
の加熱体21が載設されており、該加熱体の上には、巻
成された黒鉛フェルトから成る円筒形の蓄熱装置22が
支持されており、該蓄熱装置の上には、硬質黒鉛フェル
トから成る円板23が載設されている。
ら成る合同の坩堝カバー20によって閉鎖されている。
該坩堝カバーの上には、やはり黒鉛から成る中空円筒形
の加熱体21が載設されており、該加熱体の上には、巻
成された黒鉛フェルトから成る円筒形の蓄熱装置22が
支持されており、該蓄熱装置の上には、硬質黒鉛フェル
トから成る円板23が載設されている。
【0030】下部加熱体16の高さ(HZU)と上部加
熱体21の高さ(HZO)と坩堝堆積体の高さ
(HTS)との比はほぼHZU : HTS : HZO
=1:1.2:1であり、しかも坩堝堆積体の外径はほ
ぼ該坩堝堆積体の高さHTSに等しい。要するに図示の
縦断面図で見れば、ほぼ正方形の関係が生じる。稼働状
態では下部加熱体16および上部加熱体21の円筒形内
面は、いわゆる「ランバートの放熱体」として最下位の
リング坩堝17の下面および坩堝カバー20に対して作
用する。それというのは最下位のリング坩堝17の下面
および坩堝カバー20は、前記下部加熱体16および上
部加熱体21の円筒形内面と視界結合関係にあり、或い
はその逆も同様の関係にあるからである。その場合すべ
ての面のエネルギ輻射が偏差を伴ってしかランバートの
余弦法則に従わないことは問題ではない。それというの
は持続状態において温度平衡が生じ、該温度平衡は蓄熱
装置14,22の作用によって助成されるからである。
熱体21の高さ(HZO)と坩堝堆積体の高さ
(HTS)との比はほぼHZU : HTS : HZO
=1:1.2:1であり、しかも坩堝堆積体の外径はほ
ぼ該坩堝堆積体の高さHTSに等しい。要するに図示の
縦断面図で見れば、ほぼ正方形の関係が生じる。稼働状
態では下部加熱体16および上部加熱体21の円筒形内
面は、いわゆる「ランバートの放熱体」として最下位の
リング坩堝17の下面および坩堝カバー20に対して作
用する。それというのは最下位のリング坩堝17の下面
および坩堝カバー20は、前記下部加熱体16および上
部加熱体21の円筒形内面と視界結合関係にあり、或い
はその逆も同様の関係にあるからである。その場合すべ
ての面のエネルギ輻射が偏差を伴ってしかランバートの
余弦法則に従わないことは問題ではない。それというの
は持続状態において温度平衡が生じ、該温度平衡は蓄熱
装置14,22の作用によって助成されるからである。
【0031】場合によって中空円筒形の加熱体21に代
えて、閉じた加熱体(図示せず)を使用する場合には坩
堝カバー20を省くことも可能である。また加熱体16
および/または加熱体21は、いささか異なった幾何学
形状を有することもでき、温度分布の、より大きな均等
性を必要とする場合には、スリットまたは溝を設けて、
例えば加熱線のような、導電能の高い挿入体を備えるこ
ともできる。
えて、閉じた加熱体(図示せず)を使用する場合には坩
堝カバー20を省くことも可能である。また加熱体16
および/または加熱体21は、いささか異なった幾何学
形状を有することもでき、温度分布の、より大きな均等
性を必要とする場合には、スリットまたは溝を設けて、
例えば加熱線のような、導電能の高い挿入体を備えるこ
ともできる。
【0032】回分装入のために装入蓋3用の緊締装置2
4が弛められ、装入蓋が側方へ旋回される。こうして複
数のリング坩堝17から成る坩堝堆積体が上方へ取出さ
れる。強固な黒鉛から成る部分15〜21はサスセプタ
ーを形成し、該サスセプターは、誘導コイル8の電磁界
に作用結合し、これによって溶融・浄化プロセスのため
の加熱エネルギを供給する。
4が弛められ、装入蓋が側方へ旋回される。こうして複
数のリング坩堝17から成る坩堝堆積体が上方へ取出さ
れる。強固な黒鉛から成る部分15〜21はサスセプタ
ーを形成し、該サスセプターは、誘導コイル8の電磁界
に作用結合し、これによって溶融・浄化プロセスのため
の加熱エネルギを供給する。
【0033】図2に軸方向鉛直断面図で示した個別的な
リング坩堝17は1つのリング円板17aから成り、該
リング円板は、適当な傾斜角をとってインナーリム17
bおよびアウターリム17cへ移行している。こうして
凝固した最終製品はリング坩堝から容易に「落下」され
る。インナーリム17bはアウターリム17cよりも小
さな高さを有している。この高さ差ΔHは、個々のリン
グ坩堝17間で蒸気を半径方向に流出させ、かつ下方へ
向かって蒸気抽出通路17dを通って、最終的には蒸気
抽出導管18内へ流出させるために役立つ。リング坩堝
17は強度に圧縮されて研磨されているので、不純物を
沈着させる有害な気孔は形成されない。斜向する孔17
eは、図示を省いた熱電対を高さ調整可能にねじ込むた
めに使用される。
リング坩堝17は1つのリング円板17aから成り、該
リング円板は、適当な傾斜角をとってインナーリム17
bおよびアウターリム17cへ移行している。こうして
凝固した最終製品はリング坩堝から容易に「落下」され
る。インナーリム17bはアウターリム17cよりも小
さな高さを有している。この高さ差ΔHは、個々のリン
グ坩堝17間で蒸気を半径方向に流出させ、かつ下方へ
向かって蒸気抽出通路17dを通って、最終的には蒸気
抽出導管18内へ流出させるために役立つ。リング坩堝
17は強度に圧縮されて研磨されているので、不純物を
沈着させる有害な気孔は形成されない。斜向する孔17
eは、図示を省いた熱電対を高さ調整可能にねじ込むた
めに使用される。
【0034】約1000℃の温度で金属溶融物を浄化す
る場合、5個のリング坩堝17の領域では熱電対によっ
て±4Kより少ない温度偏差しか測定されず、個別的に
は±2.5Kの温度偏差しか測定されなかった。炉套壁
6と蓄熱材12との間の接触面では、約300℃の温度
が測定された。この温度値は、石英から成る炉套壁を特
定の元素の影響に対して防護するのに充分な高さであ
る。300℃以下では石英は、アルミニウム、カルシウ
ム、セリウム属合金、マグネシウムおよび硫黄のような
その他のアグレッシブな元素に対しても充分に安定的で
ある。
る場合、5個のリング坩堝17の領域では熱電対によっ
て±4Kより少ない温度偏差しか測定されず、個別的に
は±2.5Kの温度偏差しか測定されなかった。炉套壁
6と蓄熱材12との間の接触面では、約300℃の温度
が測定された。この温度値は、石英から成る炉套壁を特
定の元素の影響に対して防護するのに充分な高さであ
る。300℃以下では石英は、アルミニウム、カルシウ
ム、セリウム属合金、マグネシウムおよび硫黄のような
その他のアグレッシブな元素に対しても充分に安定的で
ある。
【0035】本発明は、各成分について生じた蒸気圧曲
線あるいは実験的に検出すべき蒸気圧曲線の特定の時間
窓(Zeitfenster)内において、温度を昇温するための
プログラム設定値および特定成分を蒸発させ凝縮するた
めのいわゆる保持段のためのプログラム設定値を維持す
るようにして運転される。これについては、テーマ「非
平衡の条件」および「活性」に関する前記の説明を参照
されたい。その場合リング坩堝内での処理終期において
も、(相応に浄化された凝縮器が使用される場合には)
該凝縮器での中間段階においても、最高純度の製品を発
生させることが可能である。
線あるいは実験的に検出すべき蒸気圧曲線の特定の時間
窓(Zeitfenster)内において、温度を昇温するための
プログラム設定値および特定成分を蒸発させ凝縮するた
めのいわゆる保持段のためのプログラム設定値を維持す
るようにして運転される。これについては、テーマ「非
平衡の条件」および「活性」に関する前記の説明を参照
されたい。その場合リング坩堝内での処理終期において
も、(相応に浄化された凝縮器が使用される場合には)
該凝縮器での中間段階においても、最高純度の製品を発
生させることが可能である。
【0036】その場合、一度発見されたプログラム設定
値は、自動制御装置、例えばSPS制御装置またはPL
C制御装置を備えたデータ処理装置に蓄積され、再現可
能な反復のために任意の時点に呼び出され、場合によっ
てはプロセス別に変更かつ適合される。
値は、自動制御装置、例えばSPS制御装置またはPL
C制御装置を備えたデータ処理装置に蓄積され、再現可
能な反復のために任意の時点に呼び出され、場合によっ
てはプロセス別に変更かつ適合される。
【0037】リング坩堝17はこの場合、必ずしも回転
対称形に形成する必要はなく、またインナーリム17
b、ひいては蒸気抽出通路17dを坩堝底部に偏心的に
配置することも可能である。また坩堝堆積体の内部にお
いて蒸気抽出通路17dを互いに軸整合させる必要もな
く、各段毎に周面で互いにずらして配置することも可能
であるが、この実施形態の図示は省かれている。
対称形に形成する必要はなく、またインナーリム17
b、ひいては蒸気抽出通路17dを坩堝底部に偏心的に
配置することも可能である。また坩堝堆積体の内部にお
いて蒸気抽出通路17dを互いに軸整合させる必要もな
く、各段毎に周面で互いにずらして配置することも可能
であるが、この実施形態の図示は省かれている。
【図1】本発明による装置の主要部分、つまり複数のリ
ング坩堝を階層状に配置した石英管炉の軸方向鉛直断面
図である。
ング坩堝を階層状に配置した石英管炉の軸方向鉛直断面
図である。
【図2】単個のリング坩堝の軸方向鉛直断面図である。
1 石英管炉、 2 真空室、 3 装入蓋、 4 上
部リングフランジ、6 炉套壁、 7 抗張アンカー、
8 誘導コイル、 9 間隙、 10 ワインディン
グ、 11 冷却蛇管、 12 蓄熱材、 13 支持
管、 14蓄熱装置、 15 リング円板、 16 加
熱体、 17 リング坩堝、 17a リング円板、
17b インナーリム、 17c アウターリム、 1
7d蒸気抽出通路、 17e 孔、 18 蒸気抽出導
管、 20 坩堝カバー、21 加熱体、 22 蓄熱
装置、 23 円板、 24 緊締装置、 A−A 炉
軸線、 P1,P2,P3,P4,P5 個別配分量、
ha コイル両端部の最小高さ寸法、 hi コイル
中央部の最大高さ寸法、 ΔH 高さ差、HZU 下部
加熱体の高さ、 HTS 坩堝堆積体の高さ、 HZO
上部加熱体の高さ
部リングフランジ、6 炉套壁、 7 抗張アンカー、
8 誘導コイル、 9 間隙、 10 ワインディン
グ、 11 冷却蛇管、 12 蓄熱材、 13 支持
管、 14蓄熱装置、 15 リング円板、 16 加
熱体、 17 リング坩堝、 17a リング円板、
17b インナーリム、 17c アウターリム、 1
7d蒸気抽出通路、 17e 孔、 18 蒸気抽出導
管、 20 坩堝カバー、21 加熱体、 22 蓄熱
装置、 23 円板、 24 緊締装置、 A−A 炉
軸線、 P1,P2,P3,P4,P5 個別配分量、
ha コイル両端部の最小高さ寸法、 hi コイル
中央部の最大高さ寸法、 ΔH 高さ差、HZU 下部
加熱体の高さ、 HTS 坩堝堆積体の高さ、 HZO
上部加熱体の高さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 595039117 Wilhelm−Rohn−Str.35, D−63450 Hanan,B.R.Deu tschland (72)発明者 ヴィルフリート ゴイ ドイツ連邦共和国 ケルスターバッハ ダ ーリエンシュトラーセ 10 (72)発明者 フランツ フーゴ ドイツ連邦共和国 アシャッフェンブルク ゾンネンシュトラーセ 24 (72)発明者 エルヴィン ヴァネツキー ドイツ連邦共和国 グロースクロッツェン ブルク ローベルト−コッホ−シュトラー セ 4 (72)発明者 アルブレヒト メルバー ドイツ連邦共和国 ダルムシュタット ダ ルムシュトラーセ 25−27
Claims (16)
- 【請求項1】 真空室(2)内において大気圧以下の圧
力で初源の多物質混合物および多物質系から特定成分を
蒸発させるための方法であって、前記真空室内において
多物質混合物または多物質系の個別配分量(P1,P
2,P3,P4,P5)を多段のリング坩堝(17)内
に配置し、該リング坩堝からそれぞれ低沸点成分の蒸気
を少なくともそれぞれ1つの蒸気抽出口によって抽出
し、該蒸気抽出口を除いて最上位のリング坩堝(17)
を閉鎖しておく形式の、多物質混合物および多物質系か
ら特定成分を蒸発させるための方法において、 a)交換電磁界に対してサスセプターとして働く材料か
ら成るリング坩堝(17)を使用し、 b)最下位のリング坩堝(17)の下側と最上位のリン
グ坩堝(17)の上側とに、同様に交換電磁界に対して
サスセプターとして働く材料から成る少なくともそれぞ
れ1つの加熱体(16,21)を配置し、 c)前記リング坩堝(17)と前記加熱体(16,2
1)とを少なくとも1つの誘導コイル(8)内に収容
し、最下位のリング坩堝(17)と最上位のリング坩堝
(17)とを付加的に前記加熱体(16,21)によっ
て加熱するように、誘導結合によって前記リング坩堝
(17)と前記加熱体(16,21)とを昇熱し、 d)多物質混合物または多物質系の少なくとも1つの特
定成分を可能な限り高い純度で採取できるような設定時
間でリング坩堝(17)を加熱することを特徴とする、
多物質混合物および多物質系から特定成分を蒸発させる
ための方法。 - 【請求項2】 特定成分をリング坩堝(17)内に抑留
する、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 特定成分をその他の成分と無関係に凝縮
器内で捕集する、請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 炉套壁(6)によって包囲された真空室
(2)内において大気圧以下の圧力で初源の多物質混合
物および多物質系から特定成分を蒸発させるための装置
であって、前記炉套壁内に、少なくともそれぞれ1つの
蒸気抽出通路(17d)を有する多段のリング坩堝(1
7)が配置されており、最上位のリング坩堝(17)が
前記蒸気抽出通路(17d)を除いて閉鎖されている形
式の、多物質混合物および多物質系から特定成分を蒸発
させるための装置において、 a)リング坩堝(17)が、交換電磁界に対してサスセ
プターとして働く材料から成っており、 b)最下位のリング坩堝(17)の下側と最上位のリン
グ坩堝(17)の上側とに、同様に交換電磁界に対して
サスセプターとして働く材料から成る少なくともそれぞ
れ1つの加熱体(16,21)が配置されており、 c)炉套壁(6)とリング坩堝(17)と加熱体(1
6,21)とが少なくとも1つの誘導コイル(8)によ
って包囲されており、 d)最下位のリング坩堝(17)と最上位のリング坩堝
(17)とが加熱体(16,21)と熱交換関係にある
ことを特徴とする、多物質混合物および多物質系から特
定成分を蒸発させるための装置。 - 【請求項5】 加熱体(16,21)が中空体として形
成されており、前記加熱体の内面が、最上位のリング坩
堝(17)の坩堝カバー(20)と最下位のリング坩堝
(17)の下面とに視界結合している、請求項4記載の
装置。 - 【請求項6】 下部加熱体(16)の高さ(HZU)と
坩堝堆積体の高さ(HTS)と上部加熱体(21)の高
さ(HZO)との比が1:0.8〜2.0:1である、
請求項4記載の装置。 - 【請求項7】 坩堝堆積体の高さ(HTS)と該坩堝堆
積体の外径との比が1:0.2〜1.5である、請求項
4記載の装置。 - 【請求項8】 加熱体(16,21)が中空円筒体とし
て形成されている、請求項5記載の装置。 - 【請求項9】 上部加熱体(21)が上方で蓄熱装置
(22)によって封鎖されている、請求項4記載の装
置。 - 【請求項10】 下部加熱体(16)が、サスセプター
材料から成るリング円板(15)上に載置しており、該
リング円板自体が中空円筒形の蓄熱装置(14)上に配
置されている、請求項4記載の装置。 - 【請求項11】 誘導コイル(8)が螺旋形の金属ベル
トから成っており、誘導コイル(8)の軸方向長さの中
央部における金属ベルトの横断面が、誘導コイル(8)
の両端部における横断面よりも大きい、請求項4記載の
装置。 - 【請求項12】 誘導コイル(8)の横断面が長方形で
あり、ワインディング(10)の間隙(9)が、金属ベ
ルトの全長にわたって少なくともほぼ同じ大きさであ
り、前記長方形の最長軸線が軸平行に延びておりかつコ
イル中央部に最大高さ寸法(hi)を有しており、コイ
ル両端部にそれぞれ最小高さ寸法(ha)を有してい
る、請求項11記載の装置。 - 【請求項13】 誘導コイル(8)が中空成形材から成
っている、請求項11記載の装置。 - 【請求項14】 最大高さ寸法(hi)と最小高さ寸法
(ha)との比が1.1〜4.0である、請求項12記
載の装置。 - 【請求項15】 蒸気抽出導管(18)が最下位のリン
グ坩堝(17)の下面からリング円板(15)と蓄熱装
置(14)とを貫通して凝縮器にまで達している、請求
項10記載の装置。 - 【請求項16】 炉套壁(6)が石英管から成ってお
り、該石英管の内面が、軟質フェルトから成る蓄熱材
(12)で被覆されている、請求項4記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904863.0 | 1999-02-06 | ||
DE19904863A DE19904863C1 (de) | 1999-02-06 | 1999-02-06 | Verfahren und Vorrichtung zum Ausdampfen von Komponenten aus Mehrstoffgemischen und Mehrstoffsystemen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000229201A true JP2000229201A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=7896642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000028338A Pending JP2000229201A (ja) | 1999-02-06 | 2000-02-04 | 多物質混合物および多物質系から特定成分を蒸発させるための方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6375893B1 (ja) |
EP (1) | EP1027911B1 (ja) |
JP (1) | JP2000229201A (ja) |
AT (1) | ATE273735T1 (ja) |
DE (2) | DE19904863C1 (ja) |
RU (1) | RU2187565C2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006342365A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Sawaya:Kk | 水銀含有物からの水銀分離回収装置における炉体の構造 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19904863C1 (de) * | 1999-02-06 | 2000-04-20 | Ald Vacuum Techn Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Ausdampfen von Komponenten aus Mehrstoffgemischen und Mehrstoffsystemen |
JP3857589B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2006-12-13 | 同和鉱業株式会社 | 高純度金属の精製方法及び精製装置 |
MX367394B (es) | 2008-08-15 | 2019-08-20 | Deka Products Lp | Aparato expendedor de agua. |
EP2266676A1 (en) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | Universiteit Antwerpen | Phase separator |
US8801842B2 (en) | 2009-06-26 | 2014-08-12 | Universiteit Antwerpen | Phase separator |
FR2981740B1 (fr) * | 2011-10-20 | 2018-03-23 | Francewafer | Installation de purification d'un materiau |
WO2015198210A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | Oss Management Services (Pty) Limited | System and method for recovering mercury from mercury contaminated materials |
KR101634708B1 (ko) * | 2015-07-21 | 2016-06-30 | 한국원자력연구원 | 카드뮴 회수용 도가니 유닛 및 이를 구비한 카드뮴 증류장치 |
CN106839763B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-10-30 | 重庆市河海碳素制品有限公司 | 防烟的碳刷烧结装置 |
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