JP2000216116A - 高平坦度ウェ―ハの再加工方法 - Google Patents
高平坦度ウェ―ハの再加工方法Info
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- JP2000216116A JP2000216116A JP11017632A JP1763299A JP2000216116A JP 2000216116 A JP2000216116 A JP 2000216116A JP 11017632 A JP11017632 A JP 11017632A JP 1763299 A JP1763299 A JP 1763299A JP 2000216116 A JP2000216116 A JP 2000216116A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ再加工時に研磨ダレを取り除いて、
平坦度不良ウェーハの良品化率が高められる半導体ウェ
ーハの再加工方法を提供する。 【解決手段】 平坦度が不良と評価された半導体ウェー
ハは、まずレジノイドボンド研削砥石を用いて、そのウ
ェーハ表面に研削が施される。これにより、ウェーハ表
面の傷，ごみ，ディンプルなどが除去され、しかも同時
に、ウェーハ外周部表面の研磨ダレも除かれる。その
後、このウェーハ表面の再研磨が行われる。このよう
に、再研磨の前に研削を行うので、平坦度不良ウェーハ
の良品化率を高めることができる。
平坦度不良ウェーハの良品化率が高められる半導体ウェ
ーハの再加工方法を提供する。 【解決手段】 平坦度が不良と評価された半導体ウェー
ハは、まずレジノイドボンド研削砥石を用いて、そのウ
ェーハ表面に研削が施される。これにより、ウェーハ表
面の傷，ごみ，ディンプルなどが除去され、しかも同時
に、ウェーハ外周部表面の研磨ダレも除かれる。その
後、このウェーハ表面の再研磨が行われる。このよう
に、再研磨の前に研削を行うので、平坦度不良ウェーハ
の良品化率を高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は高平坦度ウェーハ
の再加工方法、詳しくは平坦度が不良と評価された半導
体ウェーハを再研磨し、良品の高平坦度ウェーハに再生
する高平坦度ウェーハの再加工方法に関する。
の再加工方法、詳しくは平坦度が不良と評価された半導
体ウェーハを再研磨し、良品の高平坦度ウェーハに再生
する高平坦度ウェーハの再加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高平坦度ウェーハの製造工程において、
エッチングが施されたシリコンウェーハは、その表面が
研磨（例えば１４μｍ程度）されて鏡面ウェーハＰＷと
なる。このポリッシュドウェーハＰＷについては、その
後、その表面についてＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋ
ｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）やＳＢＩＲ（Ｓｉｔｅ
Ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ Ｒａｎｇｅ）が、
静電容量式の非接触式測定器などを利用して測定され
る。
エッチングが施されたシリコンウェーハは、その表面が
研磨（例えば１４μｍ程度）されて鏡面ウェーハＰＷと
なる。このポリッシュドウェーハＰＷについては、その
後、その表面についてＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋ
ｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）やＳＢＩＲ（Ｓｉｔｅ
Ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ Ｒａｎｇｅ）が、
静電容量式の非接触式測定器などを利用して測定され
る。
【０００３】このとき、少なくとも一方の検査で不良と
評価されたポリッシュドウェーハＰＷは、再度研磨工程
に送られ、ここで所定の再研磨条件で再研磨される。不
良と評価されるのは、例えばＴＴＶ値が１μｍを超えた
場合や、例えば１の測定点でもＳＢＩＲ値が規定値を越
えた場合（例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの面積をもつサイ
トで裏面基準の高さの差において、０．４μｍを超えた
場合）などである。この場合、再研磨時の研磨量は、そ
の前工程であるウェーハ通常製造工程での研磨量（１４
μｍ程度）の半分、７μｍくらいである。７μｍ研磨す
れば、ウェーハ表面に発生した傷，ごみ，ディンプルな
ど（通常１〜２μｍ程度）は、十分に除去される。
評価されたポリッシュドウェーハＰＷは、再度研磨工程
に送られ、ここで所定の再研磨条件で再研磨される。不
良と評価されるのは、例えばＴＴＶ値が１μｍを超えた
場合や、例えば１の測定点でもＳＢＩＲ値が規定値を越
えた場合（例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの面積をもつサイ
トで裏面基準の高さの差において、０．４μｍを超えた
場合）などである。この場合、再研磨時の研磨量は、そ
の前工程であるウェーハ通常製造工程での研磨量（１４
μｍ程度）の半分、７μｍくらいである。７μｍ研磨す
れば、ウェーハ表面に発生した傷，ごみ，ディンプルな
ど（通常１〜２μｍ程度）は、十分に除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高平坦度ウェー
ハの再加工方法では、このような再研磨を行うことで、
ウェーハ表面に生じた傷，ごみ，ディンプルなどのを取
り除くことはできる。しかしながら、上記ウェーハ外周
部表面の研磨ダレは、その発生原因がウェーハ表面の研
磨に因ることから、再研磨時に、反対にこの研磨ダレが
増大してしまうおそれがある。この結果、再研磨後、不
良品と評価されて、再々研磨に回されるシリコンウェー
ハの枚数が増えるという問題があった。
ハの再加工方法では、このような再研磨を行うことで、
ウェーハ表面に生じた傷，ごみ，ディンプルなどのを取
り除くことはできる。しかしながら、上記ウェーハ外周
部表面の研磨ダレは、その発生原因がウェーハ表面の研
磨に因ることから、再研磨時に、反対にこの研磨ダレが
増大してしまうおそれがある。この結果、再研磨後、不
良品と評価されて、再々研磨に回されるシリコンウェー
ハの枚数が増えるという問題があった。
【０００５】
【発明の目的】この発明は、ウェーハ再加工時に、ウェ
ーハ表面の傷などと一緒に、ウェーハ外周部の研磨ダレ
も除去することができ、これにより平坦度不良ウェーハ
の良品化率を高めることができる半導体ウェーハの再加
工方法を提供することを、その目的としている。
ーハ表面の傷などと一緒に、ウェーハ外周部の研磨ダレ
も除去することができ、これにより平坦度不良ウェーハ
の良品化率を高めることができる半導体ウェーハの再加
工方法を提供することを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨した後、その表面
の平坦度を評価し、平坦度が不良とされた半導体ウェー
ハを再研磨し、良品の半導体ウェーハに再生する高平坦
度ウェーハの再加工方法において、上記平坦度が不良と
された半導体ウェーハの表面をレジノイドボンド研削砥
石を用いて研削し、その後、上記再研磨を施す高平坦度
ウェーハの再加工方法である。平坦度が評価される半導
体ウェーハは、エッチング液に浸漬された後のエッチド
ウェーハの表面を鏡面研磨したものでもよいし、また
は、エッチング後の半導体ウェーハの表面を、レジノイ
ドボンド研削砥石により研削したものでもよい。半導体
ウェーハの表面が高平坦度であるということは、ＴＴＶ
によるウェーハ平坦度が１μｍ以下であり、しかも測定
したサイト平坦度（ＳＢＩＲ）が、例えば２０ｍｍ×２
０ｍｍの面積をもつ測定サイトでの測定値が０．４μｍ
以下であることを意味する。
は、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨した後、その表面
の平坦度を評価し、平坦度が不良とされた半導体ウェー
ハを再研磨し、良品の半導体ウェーハに再生する高平坦
度ウェーハの再加工方法において、上記平坦度が不良と
された半導体ウェーハの表面をレジノイドボンド研削砥
石を用いて研削し、その後、上記再研磨を施す高平坦度
ウェーハの再加工方法である。平坦度が評価される半導
体ウェーハは、エッチング液に浸漬された後のエッチド
ウェーハの表面を鏡面研磨したものでもよいし、また
は、エッチング後の半導体ウェーハの表面を、レジノイ
ドボンド研削砥石により研削したものでもよい。半導体
ウェーハの表面が高平坦度であるということは、ＴＴＶ
によるウェーハ平坦度が１μｍ以下であり、しかも測定
したサイト平坦度（ＳＢＩＲ）が、例えば２０ｍｍ×２
０ｍｍの面積をもつ測定サイトでの測定値が０．４μｍ
以下であることを意味する。
【０００７】上記レジノイドボンド研削砥石は、良質の
合成樹脂を結合剤としてダイヤモンド砥粒を結合したも
のである。レジノイドボンド研削砥石による研削は、ウ
ェーハ表面があれにくく、非ダメージ面であるシリコン
表面を研削することが可能な高番手の研削砥石によるこ
とが好ましい。例えば、＃１５００（粒径４〜８μｍ）
〜＃３０００（粒径２〜６μｍ）のレジノイドボンド研
削砥石が好ましい。この研削量は限定されない。このよ
うに、再研磨前に表面の研削を行うため、研削後のウェ
ーハでは高平坦度を得ることができる。しかも、研削す
ることで、再研磨時間が短くなる。これにより、再加工
全体にかかる時間が短縮される。この研削での研削ダメ
ージは、例えば２μｍ以下とする。ダメージが大きい
と、後の再研磨工程での研磨量が増大し、ウェーハ外周
部の研磨ダレが増大するおそれがある。
合成樹脂を結合剤としてダイヤモンド砥粒を結合したも
のである。レジノイドボンド研削砥石による研削は、ウ
ェーハ表面があれにくく、非ダメージ面であるシリコン
表面を研削することが可能な高番手の研削砥石によるこ
とが好ましい。例えば、＃１５００（粒径４〜８μｍ）
〜＃３０００（粒径２〜６μｍ）のレジノイドボンド研
削砥石が好ましい。この研削量は限定されない。このよ
うに、再研磨前に表面の研削を行うため、研削後のウェ
ーハでは高平坦度を得ることができる。しかも、研削す
ることで、再研磨時間が短くなる。これにより、再加工
全体にかかる時間が短縮される。この研削での研削ダメ
ージは、例えば２μｍ以下とする。ダメージが大きい
と、後の再研磨工程での研磨量が増大し、ウェーハ外周
部の研磨ダレが増大するおそれがある。
【０００８】請求項２に記載の発明は、上記研削での研
削量が２〜５μｍで、上記再研磨での再研磨量が２〜８
μｍである請求項１に記載の高平坦度ウェーハの再加工
方法である。好ましい研削量は２〜３μｍである。２μ
ｍ未満ではウェーハ表面に発生した傷など、および、ウ
ェーハ外周部の研磨ダレを除去することができない。ま
た、８μｍを超えると、不要な取り代が大きくなり、加
工時間が長くなったり、取り代によるコストが高くなっ
たりするという不都合が生じる。また、好ましい研磨量
（再研磨量）は４〜５μｍである。２μｍ未満では研削
時に生じた研削ダメージを除去することができない。ま
た、８μｍを超えると、ウェーハ外周部の研磨ダレが再
生されるおそれがある。なお、研削量と再研磨量とを合
わせたウェーハ再加工での全体の加工量は、通常、７μ
ｍ前後が好ましい。
削量が２〜５μｍで、上記再研磨での再研磨量が２〜８
μｍである請求項１に記載の高平坦度ウェーハの再加工
方法である。好ましい研削量は２〜３μｍである。２μ
ｍ未満ではウェーハ表面に発生した傷など、および、ウ
ェーハ外周部の研磨ダレを除去することができない。ま
た、８μｍを超えると、不要な取り代が大きくなり、加
工時間が長くなったり、取り代によるコストが高くなっ
たりするという不都合が生じる。また、好ましい研磨量
（再研磨量）は４〜５μｍである。２μｍ未満では研削
時に生じた研削ダメージを除去することができない。ま
た、８μｍを超えると、ウェーハ外周部の研磨ダレが再
生されるおそれがある。なお、研削量と再研磨量とを合
わせたウェーハ再加工での全体の加工量は、通常、７μ
ｍ前後が好ましい。
【０００９】請求項３に記載の発明は、上記レジノイド
ボンド研削砥石は、ディスコ株式会社製の＃１５００〜
＃３０００のレジノイドボンド研削砥石を使用する請求
項１または請求項２に記載の高平坦度ウェーハの再加工
方法である。ディスコ株式会社製のレジノイドボンド研
削砥石として、例えば製品名「ＩＦ−０１−１−４／６
−Ｂ−Ｍ０１」のレジンボンドの＃２０００の高番手の
研削砥石を用いることができる。
ボンド研削砥石は、ディスコ株式会社製の＃１５００〜
＃３０００のレジノイドボンド研削砥石を使用する請求
項１または請求項２に記載の高平坦度ウェーハの再加工
方法である。ディスコ株式会社製のレジノイドボンド研
削砥石として、例えば製品名「ＩＦ−０１−１−４／６
−Ｂ−Ｍ０１」のレジンボンドの＃２０００の高番手の
研削砥石を用いることができる。
【００１０】
【作用】この発明の高平坦度ウェーハの再加工方法によ
れば、平坦度が不良と評価された半導体ウェーハには、
再研磨する前に、レジノイドボンド研削砥石を用いて、
ウェーハ表面に研削を施す。これにより、ウェーハ表面
の傷，ごみ，ディンプルなどが取り除かれる。しかもこ
れとともに、ウェーハ外周部の研磨ダレも除去される。
その後、この研削されたウェーハ表面の再研磨を行う。
この結果、研削によりウェーハ表面に残った少量の研削
ダメージが除去される。このように再加工するので、平
坦度不良ウェーハの良品化率を高めることができる。
れば、平坦度が不良と評価された半導体ウェーハには、
再研磨する前に、レジノイドボンド研削砥石を用いて、
ウェーハ表面に研削を施す。これにより、ウェーハ表面
の傷，ごみ，ディンプルなどが取り除かれる。しかもこ
れとともに、ウェーハ外周部の研磨ダレも除去される。
その後、この研削されたウェーハ表面の再研磨を行う。
この結果、研削によりウェーハ表面に残った少量の研削
ダメージが除去される。このように再加工するので、平
坦度不良ウェーハの良品化率を高めることができる。
【００１１】また、請求項２に記載の発明によれば、研
削時には、その研削量を２〜５μｍとして研削するの
で、ウェーハ表面の傷などとともにウェーハ外周部の研
磨ダレも除去することができる。そして、その後の再研
磨時には、この研削面を２〜８μｍだけ研磨する。その
結果、研削ダメージが除去される。しかも、ウェーハ外
周部の研磨ダレは、この研磨量が小さいために再生され
ない。
削時には、その研削量を２〜５μｍとして研削するの
で、ウェーハ表面の傷などとともにウェーハ外周部の研
磨ダレも除去することができる。そして、その後の再研
磨時には、この研削面を２〜８μｍだけ研磨する。その
結果、研削ダメージが除去される。しかも、ウェーハ外
周部の研磨ダレは、この研磨量が小さいために再生され
ない。
【００１２】そして、請求項３に記載の発明によれば、
半導体ウェーハの表面の研削は、ディスコ株式会社製の
＃１５００〜＃３０００のレジノイドボンド研削砥石を
用いて行う。この研削砥石は、非ダメージ面であるシリ
コン表面の研削が可能な高番手のレジノイドボンド研削
砥石である。したがって、ダメージの無い平坦度不良ウ
ェーハの表面を、この高番手の研削砥石により、ダメー
ジを少なく（例えばダメージ深さ２μｍ程度）かつ表面
をあらさずに研削することができる。また、電解ドレス
研削に比較して高いスループットで研削することができ
る。
半導体ウェーハの表面の研削は、ディスコ株式会社製の
＃１５００〜＃３０００のレジノイドボンド研削砥石を
用いて行う。この研削砥石は、非ダメージ面であるシリ
コン表面の研削が可能な高番手のレジノイドボンド研削
砥石である。したがって、ダメージの無い平坦度不良ウ
ェーハの表面を、この高番手の研削砥石により、ダメー
ジを少なく（例えばダメージ深さ２μｍ程度）かつ表面
をあらさずに研削することができる。また、電解ドレス
研削に比較して高いスループットで研削することができ
る。
【００１３】半導体ウェーハの表面研削は、ＴＴＶ（Ｇ
ＢＩＲ：Ｇｌｏｂａｌ Ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ Ｉｄｅａ
ｌ Ｒａｎｇｅ）が１μｍ以下となるように行う。後工
程である再研磨時の研磨量が２〜８μｍになるまで研削
する。以下、このような範囲に研削量を調整する理由を
述べる。図２に示す、この発明の一実施例に係る高平坦
度ウェーハの再研磨量とＴＴＶとの関係を示すグラフ、
および、図３に示す、この発明の一実施例に係る高平坦
度ウェーハの再研磨量とＳＢＩＲとの関係を示すグラフ
から分かるように、最初から高平坦度である半導体ウェ
ーハは、研磨量が１０μｍを超えたあたりから徐々にＴ
ＴＶが悪化し始め、一定値に達するまで平坦度は低下す
る。ＳＢＩＲは、研磨量が８μｍを超えたあたりから悪
化する。これは、ウェーハ外周部に研磨ダレが生じてき
たことを意味する。したがって、前処理の研削で研磨ダ
レが解消された平坦度不良ウェーハでも、再研磨時の研
磨量が増えることで、ダレが再生するおそれがある。
ＢＩＲ：Ｇｌｏｂａｌ Ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ Ｉｄｅａ
ｌ Ｒａｎｇｅ）が１μｍ以下となるように行う。後工
程である再研磨時の研磨量が２〜８μｍになるまで研削
する。以下、このような範囲に研削量を調整する理由を
述べる。図２に示す、この発明の一実施例に係る高平坦
度ウェーハの再研磨量とＴＴＶとの関係を示すグラフ、
および、図３に示す、この発明の一実施例に係る高平坦
度ウェーハの再研磨量とＳＢＩＲとの関係を示すグラフ
から分かるように、最初から高平坦度である半導体ウェ
ーハは、研磨量が１０μｍを超えたあたりから徐々にＴ
ＴＶが悪化し始め、一定値に達するまで平坦度は低下す
る。ＳＢＩＲは、研磨量が８μｍを超えたあたりから悪
化する。これは、ウェーハ外周部に研磨ダレが生じてき
たことを意味する。したがって、前処理の研削で研磨ダ
レが解消された平坦度不良ウェーハでも、再研磨時の研
磨量が増えることで、ダレが再生するおそれがある。
【００１４】よって、この発明では、前述したように研
削時の研削量を、再研磨時に研磨ダレができ始めない２
〜８μｍに抑えている（請求項２）。その結果、ダレの
発生に起因したＳＢＩＲ（サイト平坦度）の悪化が解消
される。なお、このウェーハ表面に残った傷，ごみなど
は、前述したように、通常、再加工時に２μｍ程度、ウ
ェーハ表面を研削することで、略完全に除去することが
できる。そして、この再研磨はワックス貼着方式で行っ
ても、ワックスレス方式で行ってもよい。
削時の研削量を、再研磨時に研磨ダレができ始めない２
〜８μｍに抑えている（請求項２）。その結果、ダレの
発生に起因したＳＢＩＲ（サイト平坦度）の悪化が解消
される。なお、このウェーハ表面に残った傷，ごみなど
は、前述したように、通常、再加工時に２μｍ程度、ウ
ェーハ表面を研削することで、略完全に除去することが
できる。そして、この再研磨はワックス貼着方式で行っ
ても、ワックスレス方式で行ってもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１は、この発明の一実施例に係る
高平坦度ウェーハの再加工方法を示すフローチャートで
ある。図１に示すように、この一実施例にあっては、大
略、平坦度評価，研削，再研磨，平坦度再評価の各工程
を経て、高平坦度ウェーハに再加工される。以下、各工
程を詳細に説明する。
参照して説明する。図１は、この発明の一実施例に係る
高平坦度ウェーハの再加工方法を示すフローチャートで
ある。図１に示すように、この一実施例にあっては、大
略、平坦度評価，研削，再研磨，平坦度再評価の各工程
を経て、高平坦度ウェーハに再加工される。以下、各工
程を詳細に説明する。
【００１６】あらかじめＣＺ法により引き上げられたシ
リコンインゴットは、例えば厚さ８６０μｍ程度の８イ
ンチのシリコンウェーハにスライス後、外周部の面取
り、表裏面のラッピングが行われる。次いで、このラッ
プドウェーハは、エッチング液に浸漬されて、表裏面の
ダメージが除去される（Ｓ１０１）。続いて、このエッ
チドウェーハは、ＲＣＡ系の洗浄液により洗浄され、次
にウェーハ表面が鏡面研磨される（Ｓ１０２）。この鏡
面化されたシリコンウェーハは、その後、同じくＲＣＡ
系の洗浄液により洗浄され、その後、ウェーハの平坦度
（ＴＴＶ，ＳＢＩＲ）が評価される（Ｓ１０３）。この
評価時には、静電容量式の非接触式測定器が用いられ
る。すなわち、まず真空チャックでシリコンウェーハを
保持し、チャッキングされたシリコンウェーハの上下に
２本の静電容量センサを配置する。それからスキャンニ
ングによりウェーハ厚さを測定する。次いで、この厚さ
データに基づき、ウェーハ裏面が完全吸着された状態を
平面として、ウェーハ表面の凹凸を算出する。
リコンインゴットは、例えば厚さ８６０μｍ程度の８イ
ンチのシリコンウェーハにスライス後、外周部の面取
り、表裏面のラッピングが行われる。次いで、このラッ
プドウェーハは、エッチング液に浸漬されて、表裏面の
ダメージが除去される（Ｓ１０１）。続いて、このエッ
チドウェーハは、ＲＣＡ系の洗浄液により洗浄され、次
にウェーハ表面が鏡面研磨される（Ｓ１０２）。この鏡
面化されたシリコンウェーハは、その後、同じくＲＣＡ
系の洗浄液により洗浄され、その後、ウェーハの平坦度
（ＴＴＶ，ＳＢＩＲ）が評価される（Ｓ１０３）。この
評価時には、静電容量式の非接触式測定器が用いられ
る。すなわち、まず真空チャックでシリコンウェーハを
保持し、チャッキングされたシリコンウェーハの上下に
２本の静電容量センサを配置する。それからスキャンニ
ングによりウェーハ厚さを測定する。次いで、この厚さ
データに基づき、ウェーハ裏面が完全吸着された状態を
平面として、ウェーハ表面の凹凸を算出する。
【００１７】評価で良品とされたシリコンウェーハは後
工程へ送られる。そして、最終的にウェーハケースに所
定の枚数収納されて、デバイス工場などに出荷されてい
く。一方、不良品と評価されたウェーハは再加工工程に
送られる。ここで、ウェーハ表面の再加工が行われる。
すなわち、まず最初に、平坦度不良ウェーハの表面を、
ディスコ株式会社製のレジノイドボンド研削砥石、製品
名「ＩＦ−０１−１−４／６−Ｂ−Ｍ０１」を用いて研
削する。これにより、ウェーハ表面に生じた傷，ごみな
どと一緒に、ウェーハ外周部表面に形成された研磨ダレ
が取り除かれる（Ｓ１０４）。この研削砥石は、＃２０
００という高番手の砥粒を有し、かつ非ダメージ面を加
工するために開発された特別な砥石である。この研削装
置の製品名は「ＤＦＧ８４０」である。この低ダメージ
での研削量は２μｍ程度である。なお、再加工時のウェ
ーハ加工厚さは合計７μｍである。よって、後工程のウ
ェーハ再研磨時の研磨量は５μｍとなる。このように、
番手の高いレジノイドボンド研削砥石により研削するよ
うにしたので、ウェーハのダメージが少なく（２μｍ以
下）、かつこのウェーハ表面をあらすことなく、研削す
ることができる。
工程へ送られる。そして、最終的にウェーハケースに所
定の枚数収納されて、デバイス工場などに出荷されてい
く。一方、不良品と評価されたウェーハは再加工工程に
送られる。ここで、ウェーハ表面の再加工が行われる。
すなわち、まず最初に、平坦度不良ウェーハの表面を、
ディスコ株式会社製のレジノイドボンド研削砥石、製品
名「ＩＦ−０１−１−４／６−Ｂ−Ｍ０１」を用いて研
削する。これにより、ウェーハ表面に生じた傷，ごみな
どと一緒に、ウェーハ外周部表面に形成された研磨ダレ
が取り除かれる（Ｓ１０４）。この研削砥石は、＃２０
００という高番手の砥粒を有し、かつ非ダメージ面を加
工するために開発された特別な砥石である。この研削装
置の製品名は「ＤＦＧ８４０」である。この低ダメージ
での研削量は２μｍ程度である。なお、再加工時のウェ
ーハ加工厚さは合計７μｍである。よって、後工程のウ
ェーハ再研磨時の研磨量は５μｍとなる。このように、
番手の高いレジノイドボンド研削砥石により研削するよ
うにしたので、ウェーハのダメージが少なく（２μｍ以
下）、かつこのウェーハ表面をあらすことなく、研削す
ることができる。
【００１８】次に、この研削されたウェーハ表面を再研
磨する（Ｓ１０５）。このときの研磨量は、Ｓ１０４の
研削工程でのダメージを取り除ければよいので、前述し
たように５μｍで足りる。５μｍと少量であるため、表
面が高平坦度のシリコンウェーハをさらに研磨すること
により、ウェーハ外周部に研磨ダレが再生されることを
防ぐことができる。しかも、その再研磨量が約１０μｍ
を超えたところで平坦度が低下する、という不具合も避
けることができる（図２のグラフ参照）。その後、ＲＣ
Ａ系の洗浄液により洗浄されて、平坦度の再評価が行わ
れる（Ｓ１０６）。このように、この平坦度不良ウェー
ハに対しては、ウェーハ表面の研削を含む再加工を施す
ようにしたので、従来のように再研磨後の再評価時に不
良品と評価されて、再々研磨工程（再々加工）に送られ
るウェーハの枚数を低減することができる。その結果、
平坦度不良ウェーハの良品化率を高めることができる。
なお、この実施例では、平坦度の再評価時に、再度、不
良ウェーハと評価されたときには、再加工と同じ工程の
再々加工が施される。
磨する（Ｓ１０５）。このときの研磨量は、Ｓ１０４の
研削工程でのダメージを取り除ければよいので、前述し
たように５μｍで足りる。５μｍと少量であるため、表
面が高平坦度のシリコンウェーハをさらに研磨すること
により、ウェーハ外周部に研磨ダレが再生されることを
防ぐことができる。しかも、その再研磨量が約１０μｍ
を超えたところで平坦度が低下する、という不具合も避
けることができる（図２のグラフ参照）。その後、ＲＣ
Ａ系の洗浄液により洗浄されて、平坦度の再評価が行わ
れる（Ｓ１０６）。このように、この平坦度不良ウェー
ハに対しては、ウェーハ表面の研削を含む再加工を施す
ようにしたので、従来のように再研磨後の再評価時に不
良品と評価されて、再々研磨工程（再々加工）に送られ
るウェーハの枚数を低減することができる。その結果、
平坦度不良ウェーハの良品化率を高めることができる。
なお、この実施例では、平坦度の再評価時に、再度、不
良ウェーハと評価されたときには、再加工と同じ工程の
再々加工が施される。
【００１９】ここで、このような一実施例に係る再加工
方法と、従来の再研磨だけによる再加工方法とを用い
て、実際に平坦度不良ウェーハを再加工した場合の、各
高平坦度ウェーハの平坦度（ＳＢＩＲ）の測定結果を記
載する。ここでは、実施例および比較例とも、平坦度不
良ウェーハ５０枚について、各ウェーハ１枚あたりのＳ
ＢＩＲ不良箇所の平均個数で評価した。なお、比較例の
再研磨量は７μｍである。各ウェーハの表面を１００個
のサイトに区分した。それぞれのサイト寸法は２０ｍｍ
×２０ｍｍである。そして、各サイトのＳＢＩＲ値が、
０．４μｍを超えた場合を不良とした。結果を表１に示
す。
方法と、従来の再研磨だけによる再加工方法とを用い
て、実際に平坦度不良ウェーハを再加工した場合の、各
高平坦度ウェーハの平坦度（ＳＢＩＲ）の測定結果を記
載する。ここでは、実施例および比較例とも、平坦度不
良ウェーハ５０枚について、各ウェーハ１枚あたりのＳ
ＢＩＲ不良箇所の平均個数で評価した。なお、比較例の
再研磨量は７μｍである。各ウェーハの表面を１００個
のサイトに区分した。それぞれのサイト寸法は２０ｍｍ
×２０ｍｍである。そして、各サイトのＳＢＩＲ値が、
０．４μｍを超えた場合を不良とした。結果を表１に示
す。
【００２０】
【表１】
【００２１】この表１から明らかなように、比較例の再
研磨のみによる再加工では、イニシャル時の不良箇所の
平均値が５．１個だったのが、再加工（再研磨）を行う
ことで５．３個まで増えた。これは、ウェーハ外周部に
研磨ダレが発生したのが原因であると推測される。これ
に対して、実施例では、再研磨の前に２μｍの研削を行
ったので、再研磨量は５μｍと減少した。これにより、
再加工後のＳＢＩＲの不良箇所の平均値が０．２個まで
低下した。
研磨のみによる再加工では、イニシャル時の不良箇所の
平均値が５．１個だったのが、再加工（再研磨）を行う
ことで５．３個まで増えた。これは、ウェーハ外周部に
研磨ダレが発生したのが原因であると推測される。これ
に対して、実施例では、再研磨の前に２μｍの研削を行
ったので、再研磨量は５μｍと減少した。これにより、
再加工後のＳＢＩＲの不良箇所の平均値が０．２個まで
低下した。
【００２２】
【発明の効果】この発明によれば、平坦度不良ウェーハ
の再研磨前に、レジノイドボンド研削砥石により研削を
施すようにしたので、ウェーハ表面の傷，ごみ，ディン
プルなどとともに、ウェーハ外周部のダレも除去するこ
とができる。その結果、平坦度不良ウェーハの良品化率
を高めることができる。
の再研磨前に、レジノイドボンド研削砥石により研削を
施すようにしたので、ウェーハ表面の傷，ごみ，ディン
プルなどとともに、ウェーハ外周部のダレも除去するこ
とができる。その結果、平坦度不良ウェーハの良品化率
を高めることができる。
【００２３】特に、請求項３に記載の発明によれば、デ
ィスコ株式会社製の＃１５００〜＃３０００のレジノイ
ドボンド研削砥石を用い、平坦な半導体ウェーハの表面
を研削したので、請求項１または請求項２の発明の効果
に加えて、ウェーハ表面をあらさずに、高いスループッ
トで研削することができる。
ィスコ株式会社製の＃１５００〜＃３０００のレジノイ
ドボンド研削砥石を用い、平坦な半導体ウェーハの表面
を研削したので、請求項１または請求項２の発明の効果
に加えて、ウェーハ表面をあらさずに、高いスループッ
トで研削することができる。
【図１】この発明の一実施例に係る高平坦度ウェーハの
再加工方法の手順を示すフローチャートである。
再加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】この発明の一実施例に係る高平坦度ウェーハの
再研磨量とＴＴＶとの関係を示すグラフである。
再研磨量とＴＴＶとの関係を示すグラフである。
【図３】この発明の一実施例に係る高平坦度ウェーハの
再研磨量とＳＢＩＲとの関係を示すグラフである。
再研磨量とＳＢＩＲとの関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川本 敏郎 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 3C043 BA09 CC02 CC13
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの表面を鏡面研磨した
後、その表面の平坦度を評価し、平坦度が不良とされた
半導体ウェーハを再研磨し、良品の半導体ウェーハに再
生する高平坦度ウェーハの再加工方法において、 上記平坦度が不良とされた半導体ウェーハの表面をレジ
ノイドボンド研削砥石を用いて研削し、その後、上記再
研磨を施す高平坦度ウェーハの再加工方法。 - 【請求項２】 上記研削での研削量が２〜５μｍで、上
記再研磨での研磨量が２〜８μｍである請求項１に記載
の高平坦度ウェーハの再加工方法。 - 【請求項３】 上記レジノイドボンド研削砥石は、ディ
スコ株式会社製の＃１５００〜＃３０００のレジノイド
ボンド研削砥石を使用する請求項１または請求項２に記
載の高平坦度ウェーハの再加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01763299A JP3550644B2 (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 高平坦度ウェーハの再加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01763299A JP3550644B2 (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 高平坦度ウェーハの再加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216116A true JP2000216116A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3550644B2 JP3550644B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=11949252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01763299A Expired - Lifetime JP3550644B2 (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 高平坦度ウェーハの再加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3550644B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134520A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン鏡面ウェーハの再生方法 |
| JP2013018063A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Gre Win Automation Co Ltd | 全自動式マイクロドリルの研磨装置及びその研磨方法 |
| JP2018506182A (ja) * | 2015-01-16 | 2018-03-01 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | ウエハー研磨装置及びこれを用いたウエハー研磨方法 |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP01763299A patent/JP3550644B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134520A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン鏡面ウェーハの再生方法 |
| JP2013018063A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Gre Win Automation Co Ltd | 全自動式マイクロドリルの研磨装置及びその研磨方法 |
| JP2018506182A (ja) * | 2015-01-16 | 2018-03-01 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | ウエハー研磨装置及びこれを用いたウエハー研磨方法 |
| US10259097B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-04-16 | Sk Siltron Co., Ltd. | Wafer polishing apparatus and wafer polishing method using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3550644B2 (ja) | 2004-08-04 |
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