JP2000214487A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2000214487A JP2000214487A JP1525099A JP1525099A JP2000214487A JP 2000214487 A JP2000214487 A JP 2000214487A JP 1525099 A JP1525099 A JP 1525099A JP 1525099 A JP1525099 A JP 1525099A JP 2000214487 A JP2000214487 A JP 2000214487A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】下地への付着生が良好な配線膜を用いて、歩留
まりの高い、低コストな液晶表示装置を提供する。 【解決手段】ゲート配線と、データ配線の少なくとも一
方に、Ｍｏ−Ｚｒ層と、Ｍｏ−Ｈｆ層の内の少なくとも
１層を有する多層膜を用いることで、歩留りの高い、安
価な液晶表示装置を提供できる効果がある。
まりの高い、低コストな液晶表示装置を提供する。 【解決手段】ゲート配線と、データ配線の少なくとも一
方に、Ｍｏ−Ｚｒ層と、Ｍｏ−Ｈｆ層の内の少なくとも
１層を有する多層膜を用いることで、歩留りの高い、安
価な液晶表示装置を提供できる効果がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関する。
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄型化・軽量化・高精細化が図れる画像
表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トラン
ジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡
大している。ＴＦＴ−ＬＣＤとは、ガラス基板上に形成
された、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ
配線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜ト
ランジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，絶縁
性保護膜と、対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基
板との間に挟持された液晶層などから構成される。
表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トラン
ジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡
大している。ＴＦＴ−ＬＣＤとは、ガラス基板上に形成
された、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ
配線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜ト
ランジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，絶縁
性保護膜と、対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基
板との間に挟持された液晶層などから構成される。
【０００３】近年の、ＴＦＴ−ＬＣＤの画面の大型化，
高精細化が進行するにつれ、配線の性能に対する低抵
抗，異種材料との付着性，コンタクト性，低応力といっ
た要請は厳しくなりつつある。ゲート配線やデータ配線
には、一般に金属膜が用いられるが、従来のＡｌのみや
Ｃｒのみといった単体材料ではすべての要請を満足でき
なくなってきている。低抵抗なＴＦＴ−ＬＣＤの配線と
して、Ｍｏ合金膜（Ｍｏ−Ｃｒ）を適用した例として、
EP 0 680 088 A1号公報，特開平7−301722号公報が知ら
れている。また、ＡｌとＭｏからなる多層膜を適用した
例として特開平10−163463号公報が知られている。
高精細化が進行するにつれ、配線の性能に対する低抵
抗，異種材料との付着性，コンタクト性，低応力といっ
た要請は厳しくなりつつある。ゲート配線やデータ配線
には、一般に金属膜が用いられるが、従来のＡｌのみや
Ｃｒのみといった単体材料ではすべての要請を満足でき
なくなってきている。低抵抗なＴＦＴ−ＬＣＤの配線と
して、Ｍｏ合金膜（Ｍｏ−Ｃｒ）を適用した例として、
EP 0 680 088 A1号公報，特開平7−301722号公報が知ら
れている。また、ＡｌとＭｏからなる多層膜を適用した
例として特開平10−163463号公報が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ−ＬＣＤはブラ
ウン管型表示装置に比べ薄型，軽量である特長を持ちノ
ートパソコン用の表示装置，省スペースのデスクトップ
型表示装置として市場が拡大している。このような状況
にあって、液晶表示装置の大型化・高精細化が進み、配
線材料に対しては、低抵抗・異種材料との付着性・コン
タクト性・低応力といった要求が厳しくなり続けてい
る。ＴＦＴ−ＬＣＤ用配線の材料としての課題は多く、
以下のようなものがある。表示ムラがないよう、低比抵
抗であること。応力断線がないよう低応力であること。
ウン管型表示装置に比べ薄型，軽量である特長を持ちノ
ートパソコン用の表示装置，省スペースのデスクトップ
型表示装置として市場が拡大している。このような状況
にあって、液晶表示装置の大型化・高精細化が進み、配
線材料に対しては、低抵抗・異種材料との付着性・コン
タクト性・低応力といった要求が厳しくなり続けてい
る。ＴＦＴ−ＬＣＤ用配線の材料としての課題は多く、
以下のようなものがある。表示ムラがないよう、低比抵
抗であること。応力断線がないよう低応力であること。
【０００５】異種材料とのコンタクト抵抗が低いこと。
また、ＴＦＴ−ＬＣＤは製造工程数が多く、かつ複雑で
あるため製造歩留りが低下し易くプロセス上の問題も多
い。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＴＦＴ基板上に厚さ数十から数
百ナノメートルの、走査信号線（ゲート配線膜），ゲー
ト絶縁膜，半導体層，データ配線（ソース，ドレーン配
線膜），画素電極膜，対抗電極膜，絶縁性保護膜等の複
数の薄膜をホトリソグラフィで加工した構造を有してい
る。
また、ＴＦＴ−ＬＣＤは製造工程数が多く、かつ複雑で
あるため製造歩留りが低下し易くプロセス上の問題も多
い。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＴＦＴ基板上に厚さ数十から数
百ナノメートルの、走査信号線（ゲート配線膜），ゲー
ト絶縁膜，半導体層，データ配線（ソース，ドレーン配
線膜），画素電極膜，対抗電極膜，絶縁性保護膜等の複
数の薄膜をホトリソグラフィで加工した構造を有してい
る。
【０００６】このような複雑な構造を持つＴＦＴ−ＬＣ
Ｄを歩留り良く生産するためには、基板に対し密着性が
高いこと、電極間の短絡がないよう加熱プロセス等でヒ
ロック等がないこと、多層膜形成時において層間の反応
がないこと等が上げられる。これらの特性をすべて満た
す単体材料はない。
Ｄを歩留り良く生産するためには、基板に対し密着性が
高いこと、電極間の短絡がないよう加熱プロセス等でヒ
ロック等がないこと、多層膜形成時において層間の反応
がないこと等が上げられる。これらの特性をすべて満た
す単体材料はない。
【０００７】このため、多層膜は構成要素の元素のそれ
ぞれの特長を活かし総合的に優れた配線構成として用い
られる。Ａｌ合金とＭｏからなる多層膜は、以下に示す
ように、一方の長所が他方の短所である関係となってお
り、同一あるいは同種のエッチング液で加工できること
から、多層配線として用いられる。低融点材料の典型の
Ａｌは低抵抗・低応力で異種材料との付着性が良いとい
う特長を持つが、異種材料とのコンタクト抵抗が高く、
また、融点が低いためヒロックによる短絡不良が発生し
易く、さらに、Ｓｉとの反応性が高いためプロセス安定
性に欠けるという欠点を持つ。
ぞれの特長を活かし総合的に優れた配線構成として用い
られる。Ａｌ合金とＭｏからなる多層膜は、以下に示す
ように、一方の長所が他方の短所である関係となってお
り、同一あるいは同種のエッチング液で加工できること
から、多層配線として用いられる。低融点材料の典型の
Ａｌは低抵抗・低応力で異種材料との付着性が良いとい
う特長を持つが、異種材料とのコンタクト抵抗が高く、
また、融点が低いためヒロックによる短絡不良が発生し
易く、さらに、Ｓｉとの反応性が高いためプロセス安定
性に欠けるという欠点を持つ。
【０００８】一方、Ｍｏはコンタクト抵抗が低く、融点
が高いためヒロックによる短絡不良の心配がなく、Ｓｉ
との反応性が低いという特長を持つが、低抵抗化の要求
に対しては十分低いとは言えず、また、異種材料との付
着性が極めて悪いという欠点を持つ。付着性が悪いこと
は、目的の薄膜が基板上に存在しないことを意味し、Ｍ
ｏは薄膜材料として致命的な欠点を持つ。Ａｌは付着性
は良いが、コンタクト抵抗が高いため、異種材料との接
触面にはコンタクト抵抗が低いＭｏ層が用いられるが、
Ｍｏの付着性が悪いという欠点のため、ＡｌとＭｏから
なる多層膜は、常に付着性に関し不満足な配線構成であ
った。
が高いためヒロックによる短絡不良の心配がなく、Ｓｉ
との反応性が低いという特長を持つが、低抵抗化の要求
に対しては十分低いとは言えず、また、異種材料との付
着性が極めて悪いという欠点を持つ。付着性が悪いこと
は、目的の薄膜が基板上に存在しないことを意味し、Ｍ
ｏは薄膜材料として致命的な欠点を持つ。Ａｌは付着性
は良いが、コンタクト抵抗が高いため、異種材料との接
触面にはコンタクト抵抗が低いＭｏ層が用いられるが、
Ｍｏの付着性が悪いという欠点のため、ＡｌとＭｏから
なる多層膜は、常に付着性に関し不満足な配線構成であ
った。
【０００９】本発明の課題は、異種材料との付着性を向
上したＭｏ系金属膜をＴＦＴ−LCDの配線の構成要素に
用いることで、製造歩留まりの高い液晶表示装置を提供
することである。
上したＭｏ系金属膜をＴＦＴ−LCDの配線の構成要素に
用いることで、製造歩留まりの高い液晶表示装置を提供
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題は、次の各
項目によって達成される。
項目によって達成される。
【００１１】（１）複数のゲート配線と、前記複数のゲ
ート配線に交差するように形成された複数のデータ配線
と、前記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成
された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆する
ゲート絶縁膜とを有する基板と、前記基板に対向する対
向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記ゲート配
線と前記データ配線の少なくとも一方に、多層金属膜で
あって、その構成層として少なくとも、Ｍｏを主体とし
たＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜層と、金
属膜層とＡｌを主体とした金属膜層を有する、多層金属
膜を用いる。
ート配線に交差するように形成された複数のデータ配線
と、前記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成
された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆する
ゲート絶縁膜とを有する基板と、前記基板に対向する対
向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記ゲート配
線と前記データ配線の少なくとも一方に、多層金属膜で
あって、その構成層として少なくとも、Ｍｏを主体とし
たＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜層と、金
属膜層とＡｌを主体とした金属膜層を有する、多層金属
膜を用いる。
【００１２】（２）前記多層金属膜に、上層がＡｌを主
体とした金属膜であり、下層がＭｏを主体としたＺｒ，
Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜からなる２層膜を
用いる。
体とした金属膜であり、下層がＭｏを主体としたＺｒ，
Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜からなる２層膜を
用いる。
【００１３】（３）前記多層金属膜に、上層がＭｏを主
体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜で
あって、下層がＡｌを主体とした金属膜からなる２層膜
を用いる。
体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜で
あって、下層がＡｌを主体とした金属膜からなる２層膜
を用いる。
【００１４】（４）前記多層金属膜に、上層がＭｏを主
体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜で
あって、中間層がＡｌを主体とした金属膜であって、下
層がＭｏを主体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有
する金属膜からなる３層膜を用いる。
体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜で
あって、中間層がＡｌを主体とした金属膜であって、下
層がＭｏを主体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有
する金属膜からなる３層膜を用いる。
【００１５】（５）前記Ｍｏを主体とした金属膜のＺｒ
組成を２.０−５２.０ａｔ％の範囲とする。
組成を２.０−５２.０ａｔ％の範囲とする。
【００１６】（６）前記Ｍｏを主体とした金属膜のＨｆ
組成を０.９−３５.０ａｔ％の範囲とする。
組成を０.９−３５.０ａｔ％の範囲とする。
【００１７】（７）Ｚｒ，Ｈｆの少なくとも一方を含有
する前記Ｍｏを主体とした金属膜が、添加元素としてさ
らにＣｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも一つを含
有する金属膜とする。
する前記Ｍｏを主体とした金属膜が、添加元素としてさ
らにＣｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも一つを含
有する金属膜とする。
【００１８】（８）前記Ａｌを主体とした金属膜層とし
て、純Ａｌ膜またはＡｌを主体とし少なくともＮｄ，Ｚ
ｒ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｍのいずれかを含有する金属膜を用い
る。
て、純Ａｌ膜またはＡｌを主体とし少なくともＮｄ，Ｚ
ｒ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｍのいずれかを含有する金属膜を用い
る。
【００１９】（９）複数のゲート配線と、前記複数のゲ
ート配線に交差するように形成された複数のデータ配線
と、前記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成
された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆する
ゲート絶縁膜とを有する基板と、前記基板に対向する対
向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記ゲート配
線と前記データ配線の少なくとも一方に、Ｍｏを主体と
した金属膜であって、その添加元素としてＺｒ，Ｈｆの
少なくとも一つを含有する金属膜を用いる。
ート配線に交差するように形成された複数のデータ配線
と、前記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成
された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆する
ゲート絶縁膜とを有する基板と、前記基板に対向する対
向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された
液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記ゲート配
線と前記データ配線の少なくとも一方に、Ｍｏを主体と
した金属膜であって、その添加元素としてＺｒ，Ｈｆの
少なくとも一つを含有する金属膜を用いる。
【００２０】（１０）９項の液晶表示装置のＭｏを主体
とした金属膜のＺｒ組成を２.０− ５２.０ａｔ％とす
る。
とした金属膜のＺｒ組成を２.０− ５２.０ａｔ％とす
る。
【００２１】（１１）９項の液晶表示装置のＭｏを主体
とした金属膜のＨｆ組成を０.９− ３５.０ａｔ％とす
る。
とした金属膜のＨｆ組成を０.９− ３５.０ａｔ％とす
る。
【００２２】（１２）９項の液晶表示装置のＺｒ，Ｈｆ
の少なくとも一方を含有する前記Ｍｏを主体とした金属
膜が、添加元素としてさらにＣｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎ
ｂの少なくとも一つを含有する金属膜を用いる。
の少なくとも一方を含有する前記Ｍｏを主体とした金属
膜が、添加元素としてさらにＣｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎ
ｂの少なくとも一つを含有する金属膜を用いる。
【００２３】このような手段を採用することで上記の目
的が達成できる。理由は次の通りである。Ｍｏ膜と比べ
て、Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜では異種材料との付着
力が増加する。Ｍｏ膜、或いは一般に金属膜は多結晶膜
であるが、Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜はアモルファス
膜或はアモルファス層を含有する膜でありこの違いが、
Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜において付着力が増加する
現象の原因である。Ｍｏ−Ｚｒ系，Ｍｏ−Ｈｆ系は、共
晶反応が存在する相図を持ち、またＭｏ，Ｚｒ，Ｈｆの
原子半径が、それぞれ１.３６，１.６２，１.６０Å で
あって、Ｍｏに対するＺｒ，Ｈｆの原子寸法比が大きい
ため、これらの系では異種元素が混合し難く、また金属
化合物等が粒界付近に生成し易いこともあり、結晶粒の
成長が抑制され、アモルファス状態になり易い。
的が達成できる。理由は次の通りである。Ｍｏ膜と比べ
て、Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜では異種材料との付着
力が増加する。Ｍｏ膜、或いは一般に金属膜は多結晶膜
であるが、Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜はアモルファス
膜或はアモルファス層を含有する膜でありこの違いが、
Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜において付着力が増加する
現象の原因である。Ｍｏ−Ｚｒ系，Ｍｏ−Ｈｆ系は、共
晶反応が存在する相図を持ち、またＭｏ，Ｚｒ，Ｈｆの
原子半径が、それぞれ１.３６，１.６２，１.６０Å で
あって、Ｍｏに対するＺｒ，Ｈｆの原子寸法比が大きい
ため、これらの系では異種元素が混合し難く、また金属
化合物等が粒界付近に生成し易いこともあり、結晶粒の
成長が抑制され、アモルファス状態になり易い。
【００２４】一般の金属においては、原子拡散が起こり
易いためアモルファス相を得ることが困難であるが、上
述のような共晶が存在し、原子寸法比が大きい元素間で
は、ある作製条件においてアモルファス相が実現できる
場合がある。特に、アモルファス相は熱力学的非平衡相
であるため、バルクと同じ組成の薄膜では、アモルファ
ス相が実現できる作製条件は拡大する。
易いためアモルファス相を得ることが困難であるが、上
述のような共晶が存在し、原子寸法比が大きい元素間で
は、ある作製条件においてアモルファス相が実現できる
場合がある。特に、アモルファス相は熱力学的非平衡相
であるため、バルクと同じ組成の薄膜では、アモルファ
ス相が実現できる作製条件は拡大する。
【００２５】アモルファス金属は、結晶金属では実現で
きない、その構造的因子と化学的因子に起因した、以下
のような固有の特徴を持つ。化学的活性が大きい、近似
的に完全弾塑性体である、高強度と高硬度を持ちしかも
高靭性（粘り）を持つ、耐疲労強度が高い、巨視的欠陥
（粒界など）を持たない、異方性のない等方的材料であ
る、力学的等方性を持つ（へき開面，容易すべり面等を
持たない）、組成を連続的に変更することで物性は連続
可変である。このような多くの特徴の中で、アモルファ
ス金属が化学的活性が大きい理由は、アモルファス相が
熱力学的非平衡相だからである。
きない、その構造的因子と化学的因子に起因した、以下
のような固有の特徴を持つ。化学的活性が大きい、近似
的に完全弾塑性体である、高強度と高硬度を持ちしかも
高靭性（粘り）を持つ、耐疲労強度が高い、巨視的欠陥
（粒界など）を持たない、異方性のない等方的材料であ
る、力学的等方性を持つ（へき開面，容易すべり面等を
持たない）、組成を連続的に変更することで物性は連続
可変である。このような多くの特徴の中で、アモルファ
ス金属が化学的活性が大きい理由は、アモルファス相が
熱力学的非平衡相だからである。
【００２６】さて一方、異種材料の積層における付着力
の原因としては、界面の凸凹埋め込みとしてのアンカー
効果，界面化学吸着性，界面物理吸着性，界面電気双極
子相互作用，界面混合反応相の形成等が考察されてい
る。
の原因としては、界面の凸凹埋め込みとしてのアンカー
効果，界面化学吸着性，界面物理吸着性，界面電気双極
子相互作用，界面混合反応相の形成等が考察されてい
る。
【００２７】以上の準備のもとに、アモルファス相の付
着力の増大は以下のような機構で発生する。先ず、アモ
ルファス相自体の側の因子は、長周期のない構造的特徴
とその高化学的活性である。一方、付着機構としてはア
ンカー効果、界面化学吸着性が関連している。基板上に
アモルファス膜を形成する場合で説明する。基板表面に
は、一般に大小さまざまな凹凸があるが、結晶相が成長
する際は先ず核が発生するが、核の大きさ以下の基板表
面の凹凸部分には膜要素の埋め込みが行えず、この部分
には有効な付着力は発生しない。
着力の増大は以下のような機構で発生する。先ず、アモ
ルファス相自体の側の因子は、長周期のない構造的特徴
とその高化学的活性である。一方、付着機構としてはア
ンカー効果、界面化学吸着性が関連している。基板上に
アモルファス膜を形成する場合で説明する。基板表面に
は、一般に大小さまざまな凹凸があるが、結晶相が成長
する際は先ず核が発生するが、核の大きさ以下の基板表
面の凹凸部分には膜要素の埋め込みが行えず、この部分
には有効な付着力は発生しない。
【００２８】一方、アモルファス相が成長する際は、そ
の長周期のない構造的特徴から、大小の凹凸部分への埋
め込みは無駄なく進行し、付着力は界面全面に渡り無駄
なく発生する。
の長周期のない構造的特徴から、大小の凹凸部分への埋
め込みは無駄なく進行し、付着力は界面全面に渡り無駄
なく発生する。
【００２９】また、化学吸着エネルギーは、物理吸着エ
ネルギーに比べて１０−１００倍ほど大きく、アモルフ
ァス相の持つ高化学的活性により、基板表面の欠陥等の
吸着中心で発生する層間付着力が大きくなるのである。
ネルギーに比べて１０−１００倍ほど大きく、アモルフ
ァス相の持つ高化学的活性により、基板表面の欠陥等の
吸着中心で発生する層間付着力が大きくなるのである。
【００３０】以上のような高付着力を持つアモルファス
相は、共晶反応が存在する相図を持ち、原子寸法比が大
きい、異種元素の混合系で実現され易く、Ｍｏ−Ｚｒ
膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜へ、ＣｒあるいはＷを添加することも
有効である。
相は、共晶反応が存在する相図を持ち、原子寸法比が大
きい、異種元素の混合系で実現され易く、Ｍｏ−Ｚｒ
膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜へ、ＣｒあるいはＷを添加することも
有効である。
【００３１】
【発明の実施の形態】（実施例１）Ｍｏ−Ｚｒ膜，Ｍｏ
−Ｈｆ膜について、ガラス基板との付着性を調べた実施
例である。ガラス基板上にＺｒ組成０−６０ｗｔ％の範
囲のＭｏ−Ｚｒ膜、又はＨｆ組成０−４０ｗｔ％の範囲
のＭｏ−Ｈｆ膜を作製し、ガラス基板に対する膜の付着
力の指標としてスクラッチ試験を評価した。スクラッチ
試験とは、膜面に平行方向に振動させたダイアモンド針
を膜面に接触させ、膜と針の接触力を増加させてゆく方
法であって、接触力が付着力を越えた場合、膜剥離が発
生するため、この方法によって膜の基板に対する付着力
が評価できる。純Ｍｏ膜のスクラッチ強度は約７０ｍＮ
と低く、ガラス基板との付着性が悪い。
−Ｈｆ膜について、ガラス基板との付着性を調べた実施
例である。ガラス基板上にＺｒ組成０−６０ｗｔ％の範
囲のＭｏ−Ｚｒ膜、又はＨｆ組成０−４０ｗｔ％の範囲
のＭｏ−Ｈｆ膜を作製し、ガラス基板に対する膜の付着
力の指標としてスクラッチ試験を評価した。スクラッチ
試験とは、膜面に平行方向に振動させたダイアモンド針
を膜面に接触させ、膜と針の接触力を増加させてゆく方
法であって、接触力が付着力を越えた場合、膜剥離が発
生するため、この方法によって膜の基板に対する付着力
が評価できる。純Ｍｏ膜のスクラッチ強度は約７０ｍＮ
と低く、ガラス基板との付着性が悪い。
【００３２】一方、純Ｃｒ膜はガラス基板との付着性が
良好な代表的材料で、その引っ張り強度は１５０−１７
０ｍＮである。膜とガラス基板との十分な付着性が得ら
れるスクラッチ強度は、純Ｃｒ膜並み、つまり純Ｍｏ膜
の約２倍であって、十分な付着力の基準としてはスクラ
ッチ強度で１５０ｍＮ以上が適当である。
良好な代表的材料で、その引っ張り強度は１５０−１７
０ｍＮである。膜とガラス基板との十分な付着性が得ら
れるスクラッチ強度は、純Ｃｒ膜並み、つまり純Ｍｏ膜
の約２倍であって、十分な付着力の基準としてはスクラ
ッチ強度で１５０ｍＮ以上が適当である。
【００３３】ＤＣスパッタ法で、基板温度は１３０℃、
スパッタＡｒ圧力は０.３Ｐａ とし、ガラス基板上に膜
厚２００ｎｍの薄膜を作製した。図１に、作製したＭｏ
−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜のスクラッチ強度の、Ｚｒ又は
Ｈｆ組成依存性を示す。図１のように、Ｍｏ−Ｚｒ膜で
は、Ｚｒの添加でスクラッチ強度は一度大きく増加した
後、緩やかに減少し、スクラッチ強度で１５０ｍＮ以上
の範囲は、Ｚｒの添加量で２.０−５２ａｔ％である。
スパッタＡｒ圧力は０.３Ｐａ とし、ガラス基板上に膜
厚２００ｎｍの薄膜を作製した。図１に、作製したＭｏ
−Ｚｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ膜のスクラッチ強度の、Ｚｒ又は
Ｈｆ組成依存性を示す。図１のように、Ｍｏ−Ｚｒ膜で
は、Ｚｒの添加でスクラッチ強度は一度大きく増加した
後、緩やかに減少し、スクラッチ強度で１５０ｍＮ以上
の範囲は、Ｚｒの添加量で２.０−５２ａｔ％である。
【００３４】一方、Ｍｏ−Ｈｆ膜でも、Ｈｆの添加でス
クラッチ強度は一度大きく増加した後、緩やかに減少
し、スクラッチ強度で１５０ｍＮ以上の範囲は、Ｈｆの
添加量で０.９−３５ａｔ％である。つまり、Ｚｒの添
加量２.０−５２ａｔ％のＭｏ−Ｚｒ膜、又はＨｆの添
加量０.９−３５ａｔ％ のＭｏ−Ｈｆ膜をガラス基板上
に作製することで、ガラスとの付着性が非常に高い薄膜
層が得られる。これらの膜は、ＳｉＮ膜，ＳｉＯ2 膜，
アモルファスＳｉ膜等への付着力も高い。理由は、課題
を解決するための手段、に述べた通りである。
クラッチ強度は一度大きく増加した後、緩やかに減少
し、スクラッチ強度で１５０ｍＮ以上の範囲は、Ｈｆの
添加量で０.９−３５ａｔ％である。つまり、Ｚｒの添
加量２.０−５２ａｔ％のＭｏ−Ｚｒ膜、又はＨｆの添
加量０.９−３５ａｔ％ のＭｏ−Ｈｆ膜をガラス基板上
に作製することで、ガラスとの付着性が非常に高い薄膜
層が得られる。これらの膜は、ＳｉＮ膜，ＳｉＯ2 膜，
アモルファスＳｉ膜等への付着力も高い。理由は、課題
を解決するための手段、に述べた通りである。
【００３５】（実施例２）続いて、Ｍｏ−Ｚｒ／Ａｌ−
Ｎｄ／Ｍｏ−Ｚｒ３層膜を、横電界液晶駆動方式の液晶
表示装置のゲート配線に適用した例である。ここで、横
電界液晶駆動方式とは液晶を挟持するガラス基板面に対
し、水平方向に電界を加えて液晶分子を駆動する方法
で、視野角を広くできる特徴がある。図２は、作製した
液晶表示装置の画素とその周辺部分の平面パターンであ
る、画素の構成要素の中のゲート配線１，対向電極２，
データ配線３，ドレーン電極４，薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）５を示してある。ただし、対向電極２はゲート配
線１と同一薄膜から、ホトリソグラフィ法にて加工され
たものであり、ドレーン電極４はデータ配線３と同一薄
膜から、ホトリソグラフィ法にて加工されたものであ
る。
Ｎｄ／Ｍｏ−Ｚｒ３層膜を、横電界液晶駆動方式の液晶
表示装置のゲート配線に適用した例である。ここで、横
電界液晶駆動方式とは液晶を挟持するガラス基板面に対
し、水平方向に電界を加えて液晶分子を駆動する方法
で、視野角を広くできる特徴がある。図２は、作製した
液晶表示装置の画素とその周辺部分の平面パターンであ
る、画素の構成要素の中のゲート配線１，対向電極２，
データ配線３，ドレーン電極４，薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）５を示してある。ただし、対向電極２はゲート配
線１と同一薄膜から、ホトリソグラフィ法にて加工され
たものであり、ドレーン電極４はデータ配線３と同一薄
膜から、ホトリソグラフィ法にて加工されたものであ
る。
【００３６】図３は切断線Ａ−Ａ′の断面図である。表
示パネルはＴＦＴガラス基板６の一方の表面に、ゲート
配線下層７，ゲート配線中間層８，ゲート配線上層９，
対向電極下層１０，対向電極中間層１１，対向電極上層
１２，ゲート絶縁膜１３，真性半導体１４，Ｎ型半導体
１５，データ配線３，ドレーン電極４，保護膜１６，配
向膜１７を形成したものと、対向ガラス基板１８の一方
の表面に、カラーフィルタ１９，ブラックマトリクス２
０，対向基板保護膜２１，対向基板配向膜２２を形成し
たものと、ＴＦＴガラス基板６と対向ガラス基板１８に
挟持された液晶層２３と、偏向板２４と、対向偏向板２
５で構成される。
示パネルはＴＦＴガラス基板６の一方の表面に、ゲート
配線下層７，ゲート配線中間層８，ゲート配線上層９，
対向電極下層１０，対向電極中間層１１，対向電極上層
１２，ゲート絶縁膜１３，真性半導体１４，Ｎ型半導体
１５，データ配線３，ドレーン電極４，保護膜１６，配
向膜１７を形成したものと、対向ガラス基板１８の一方
の表面に、カラーフィルタ１９，ブラックマトリクス２
０，対向基板保護膜２１，対向基板配向膜２２を形成し
たものと、ＴＦＴガラス基板６と対向ガラス基板１８に
挟持された液晶層２３と、偏向板２４と、対向偏向板２
５で構成される。
【００３７】図４は、製造工程のフローチャートであ
る。先ず、ＴＦＴガラス基板６の片側全面上に、ＤＣス
パッタ法にて、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−３０ａｔ％
Ｚｒ膜７，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２ａｔ％Ｎｄ膜８，
厚さ５０ｎｍのＭｏ−３０at％Ｚｒ膜９を、形成する。
基板温度は１２０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。第
１ホト工程（ホトレジストを塗付して、マスクを用いた
選択パターン露光を行い、パターン現像まで：この作業
を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に行い、その後混
酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：９.６：３.４：
２５.３vol％，４０℃）によって金属３層膜の選択エッ
チングを行いゲート配線下層７，ゲート配線中間層８，
ゲート配線上層９及び対向電極２のパターンを作製す
る。
る。先ず、ＴＦＴガラス基板６の片側全面上に、ＤＣス
パッタ法にて、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−３０ａｔ％
Ｚｒ膜７，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２ａｔ％Ｎｄ膜８，
厚さ５０ｎｍのＭｏ−３０at％Ｚｒ膜９を、形成する。
基板温度は１２０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。第
１ホト工程（ホトレジストを塗付して、マスクを用いた
選択パターン露光を行い、パターン現像まで：この作業
を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に行い、その後混
酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：９.６：３.４：
２５.３vol％，４０℃）によって金属３層膜の選択エッ
チングを行いゲート配線下層７，ゲート配線中間層８，
ゲート配線上層９及び対向電極２のパターンを作製す
る。
【００３８】次に、ＴＦＴガラス基板６上のゲート配線
及び対向電極２パターンの上に、ＳｉＮゲート絶縁膜１
３（厚さ２００ｎｍ），真性半導体１４（非晶質Ｓｉ，
厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導１５（非晶質Ｓｉ，厚３５
ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３００℃
として連続作製する。ここで、第２ホト工程を行い、真
性半導体１４，Ｎ型半導体１５をドライエッチング（Ｃ
Ｃｌ3 とＯ2 混合ガス使用）でパターン加工する。
及び対向電極２パターンの上に、ＳｉＮゲート絶縁膜１
３（厚さ２００ｎｍ），真性半導体１４（非晶質Ｓｉ，
厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導１５（非晶質Ｓｉ，厚３５
ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３００℃
として連続作製する。ここで、第２ホト工程を行い、真
性半導体１４，Ｎ型半導体１５をドライエッチング（Ｃ
Ｃｌ3 とＯ2 混合ガス使用）でパターン加工する。
【００３９】続いて、厚さ２００ｎｍのＣｒ膜を、ＤＣ
スパッタ法（基板温度１３０℃，Ａｒ圧力０.３Ｐ)で形
成する。第３ホト工程を行い、その後硝酸第２セリウム
アンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）によってＣ
ｒ合金膜の選択エッチングを行いデータ配線３，ドレー
ン電極４を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用
いてＳｉＮ保護膜１６（厚さ５００ｎｍ）を作製する。
スパッタ法（基板温度１３０℃，Ａｒ圧力０.３Ｐ)で形
成する。第３ホト工程を行い、その後硝酸第２セリウム
アンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）によってＣ
ｒ合金膜の選択エッチングを行いデータ配線３，ドレー
ン電極４を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用
いてＳｉＮ保護膜１６（厚さ５００ｎｍ）を作製する。
【００４０】図５は、表示パネル周辺部の概略を示す平
面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガラ
ス基板６と対向ガラス基板１８を貼り合わせたシールパ
ターン２６の開口部２７から液晶を封入する。画面部２
８に対し、ゲート端子群２９とデータ端子群３０が図に
示したように配置される。ＴＦＴ基板６には互いに平行
な複数のゲート配線１（走査信号線または水平信号線）
と、ゲート配線１と交差して形成された互いに平行なデ
ータ配線３（映像信号線または垂直信号線）が形成され
ている。隣接する２本のゲート配線１と隣接する２本の
データ配線で囲まれた領域が画素領域である。
面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガラ
ス基板６と対向ガラス基板１８を貼り合わせたシールパ
ターン２６の開口部２７から液晶を封入する。画面部２
８に対し、ゲート端子群２９とデータ端子群３０が図に
示したように配置される。ＴＦＴ基板６には互いに平行
な複数のゲート配線１（走査信号線または水平信号線）
と、ゲート配線１と交差して形成された互いに平行なデ
ータ配線３（映像信号線または垂直信号線）が形成され
ている。隣接する２本のゲート配線１と隣接する２本の
データ配線で囲まれた領域が画素領域である。
【００４１】以上のようにして作製した、液晶パネル
は、ゲート配線部にガラスとの付着力が大きいＭｏ−Ｚ
ｒ膜を用いているため、膜加工時の不良発生がない。Ｍ
ｏ−Ｚｒ膜の替わりに、Ｍｏ−Ｈｆ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｃ
ｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｃｒ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｗ膜，Ｍｏ−
Ｈｆ−Ｗ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔｉ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔｉ
膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔａ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔａ膜，Ｍｏ−
Ｚｒ−Ｎｂ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｎｂ膜等でも良い。また、
Ａｌ−Ｎｄ膜の替わりに、ＡｌとＺｒ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｍ
の内の少なくとも一つからなるＡｌ合金等でもよい。
は、ゲート配線部にガラスとの付着力が大きいＭｏ−Ｚ
ｒ膜を用いているため、膜加工時の不良発生がない。Ｍ
ｏ−Ｚｒ膜の替わりに、Ｍｏ−Ｈｆ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｃ
ｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｃｒ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｗ膜，Ｍｏ−
Ｈｆ−Ｗ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔｉ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔｉ
膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔａ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔａ膜，Ｍｏ−
Ｚｒ−Ｎｂ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｎｂ膜等でも良い。また、
Ａｌ−Ｎｄ膜の替わりに、ＡｌとＺｒ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｍ
の内の少なくとも一つからなるＡｌ合金等でもよい。
【００４２】（実施例３）続いて、Ｍｏ−Ｚｒ／Ａｌ−
Ｎｄ／Ｍｏ−Ｚｒ３層膜を、縦電界駆動方式の液晶表示
装置のゲート配線に適用した例である。図６は、作製し
た液晶表示装置の１つ画素とその周辺部分の平面パター
ンである。画素の構成要素の中のゲート配線１，データ
配線３，遮光膜３１，透明画素電極３２，ＴＦＴ５を示
してある。図７は切断線Ａ−Ａ′の断面図である。
Ｎｄ／Ｍｏ−Ｚｒ３層膜を、縦電界駆動方式の液晶表示
装置のゲート配線に適用した例である。図６は、作製し
た液晶表示装置の１つ画素とその周辺部分の平面パター
ンである。画素の構成要素の中のゲート配線１，データ
配線３，遮光膜３１，透明画素電極３２，ＴＦＴ５を示
してある。図７は切断線Ａ−Ａ′の断面図である。
【００４３】表示パネルはＴＦＴガラス基板６の一方の
表面にゲート配線下層７，ゲート配線中間層８，ゲート
配線上層９，ゲート絶縁膜１３，真性半導体１４，Ｎ型
半導体１５，データ配線３，保護膜１６，透明画素電極
３２，配向膜１７を形成したものと、対向ガラス基板１
８の一方の表面にカラーフィルタ１９，対向基板保護膜
２１，共通透明電極３３，対向基板配向膜２２を形成し
たものと、ＴＦＴガラス基板６と対向ガラス基板１８に
挟持された液晶層２３と、偏向板２４と、対向偏向板２
５で構成される。
表面にゲート配線下層７，ゲート配線中間層８，ゲート
配線上層９，ゲート絶縁膜１３，真性半導体１４，Ｎ型
半導体１５，データ配線３，保護膜１６，透明画素電極
３２，配向膜１７を形成したものと、対向ガラス基板１
８の一方の表面にカラーフィルタ１９，対向基板保護膜
２１，共通透明電極３３，対向基板配向膜２２を形成し
たものと、ＴＦＴガラス基板６と対向ガラス基板１８に
挟持された液晶層２３と、偏向板２４と、対向偏向板２
５で構成される。
【００４４】図８は、製造工程のフローチャートであ
る。先ず、ＴＦＴガラス基板６の片側全面上に、ＤＣス
パッタ法で、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−３０ａｔ％Ｚ
ｒ膜７，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２ａｔ％Ｎｄ膜８，厚
さ５０ｎｍのＭｏ−３０ａｔ％Ｚｒ膜９を、形成する。
基板温度は１３０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。
る。先ず、ＴＦＴガラス基板６の片側全面上に、ＤＣス
パッタ法で、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−３０ａｔ％Ｚ
ｒ膜７，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２ａｔ％Ｎｄ膜８，厚
さ５０ｎｍのＭｏ−３０ａｔ％Ｚｒ膜９を、形成する。
基板温度は１３０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ である。
【００４５】第１ホト工程（ホトレジストを塗付して、
マスクを用いた選択パターン露光を行い、パターン現像
まで：この作業を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に
行い、その後混酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：
９.６：３.４：２５.３vol％，４０℃）によって金属３
層膜の選択エッチングを行いゲート配線１及び遮光膜３
１のパターンを作製する。
マスクを用いた選択パターン露光を行い、パターン現像
まで：この作業を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に
行い、その後混酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：
９.６：３.４：２５.３vol％，４０℃）によって金属３
層膜の選択エッチングを行いゲート配線１及び遮光膜３
１のパターンを作製する。
【００４６】次に、ＴＦＴガラス基板６上のゲート配線
１及び遮光膜３１パターンの上に、ＳｉＮゲート絶縁膜
１３（厚さ２００ｎｍ），真性半導体１４（非晶質Ｓ
ｉ，厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導１５（非晶質Ｓｉ，厚
さ３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３
００℃として連続作製する。
１及び遮光膜３１パターンの上に、ＳｉＮゲート絶縁膜
１３（厚さ２００ｎｍ），真性半導体１４（非晶質Ｓ
ｉ，厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導１５（非晶質Ｓｉ，厚
さ３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置にて、基板温度を３
００℃として連続作製する。
【００４７】ここで、第２ホト工程を行い、真性半導体
１４，Ｎ型半導体１５をドライエッチング（ＣＣｌ3と
Ｏ2混合ガス使用）でパターン加工する。続いて、厚さ
２００ｎｍのＣｒ膜を、ＤＣスパッタ法にて基板温度を
１３０℃とし形成する。第３ホト工程を行い、その後硝
酸第２セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，４０
℃）によってＣｒ膜の選択エッチングを行いデータ配線
３を形成し、データ配線パターンをマスクとして、Ｎ型
半導体１５をドライエッチング（ＣＣｌ3とＯ2混合ガス
使用）でパターン加工する。さらに、プラズマＣＶＤ装
置を用いてＳｉＮ保護膜１６（厚さ５００ｎｍ）を作製
する。
１４，Ｎ型半導体１５をドライエッチング（ＣＣｌ3と
Ｏ2混合ガス使用）でパターン加工する。続いて、厚さ
２００ｎｍのＣｒ膜を、ＤＣスパッタ法にて基板温度を
１３０℃とし形成する。第３ホト工程を行い、その後硝
酸第２セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，４０
℃）によってＣｒ膜の選択エッチングを行いデータ配線
３を形成し、データ配線パターンをマスクとして、Ｎ型
半導体１５をドライエッチング（ＣＣｌ3とＯ2混合ガス
使用）でパターン加工する。さらに、プラズマＣＶＤ装
置を用いてＳｉＮ保護膜１６（厚さ５００ｎｍ）を作製
する。
【００４８】第４ホト工程により保護膜１６をドライエ
ッチングし、スポット上にデータ配線３を露出させるス
ルーホールを形成する。ここで、スパッタターゲットに
［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2(１０ｗｔ％）］を用いてＤＣスパ
ッタ装置で、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）透明画
素電極３２を作製する。基板温度は２１５℃とし、スパ
ッタガスには、ＡｒとＯ2 の混合ガスを用いた。第５ホ
ト工程をし、透明画素電極３２をＨＢｒを用い３０℃で
エッチングし所定パターンを作製する。こうして、液晶
表示装置のＴＦＴ基板が作製される。
ッチングし、スポット上にデータ配線３を露出させるス
ルーホールを形成する。ここで、スパッタターゲットに
［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2(１０ｗｔ％）］を用いてＤＣスパ
ッタ装置で、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）透明画
素電極３２を作製する。基板温度は２１５℃とし、スパ
ッタガスには、ＡｒとＯ2 の混合ガスを用いた。第５ホ
ト工程をし、透明画素電極３２をＨＢｒを用い３０℃で
エッチングし所定パターンを作製する。こうして、液晶
表示装置のＴＦＴ基板が作製される。
【００４９】図５は、表示パネル周辺部の概略を示す平
面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガラ
ス基板６と対向ガラス基板１８を貼り合わせたシールパ
ターン２６の開口部２７から液晶を封入する。画面部２
８に対し、ゲート端子群２９とドレーン端子群３０が図
に示したように配置される。ＴＦＴ基板６には互いに平
行な複数のゲート配線１（走査信号線または水平信号
線）と、ゲート配線１と交差して形成された互いに平行
なデータ配線３（映像信号線または垂直信号線）が形成
されている。隣接する２本のゲート配線１と隣接する２
本のデータ配線で囲まれた領域が画素領域で、ほぼ全面
に透明画素電極３２が形成されている。
面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガラ
ス基板６と対向ガラス基板１８を貼り合わせたシールパ
ターン２６の開口部２７から液晶を封入する。画面部２
８に対し、ゲート端子群２９とドレーン端子群３０が図
に示したように配置される。ＴＦＴ基板６には互いに平
行な複数のゲート配線１（走査信号線または水平信号
線）と、ゲート配線１と交差して形成された互いに平行
なデータ配線３（映像信号線または垂直信号線）が形成
されている。隣接する２本のゲート配線１と隣接する２
本のデータ配線で囲まれた領域が画素領域で、ほぼ全面
に透明画素電極３２が形成されている。
【００５０】以上のようにして作製した、液晶パネル
は、ゲート配線部にガラスとの付着力が大きいＭｏ−Ｚ
ｒ膜を用いているため、膜加工時の不良発生がない。Ｍ
ｏ−Ｚｒ膜の替わりに、Ｍｏ−Ｈｆ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｃ
ｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｃｒ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｗ膜，Ｍｏ−
Ｈｆ−Ｗ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔｉ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔｉ
膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔａ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔａ膜，Ｍｏ−
Ｚｒ−Ｎｂ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｎｂ膜等でも良い。また、
Ａｌ−Ｎｄ膜の替わりに、ＡｌとＺｒ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｍ
の内の少なくとも１つからなるＡｌ合金等でもよい。
は、ゲート配線部にガラスとの付着力が大きいＭｏ−Ｚ
ｒ膜を用いているため、膜加工時の不良発生がない。Ｍ
ｏ−Ｚｒ膜の替わりに、Ｍｏ−Ｈｆ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｃ
ｒ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｃｒ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｗ膜，Ｍｏ−
Ｈｆ−Ｗ膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔｉ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔｉ
膜，Ｍｏ−Ｚｒ−Ｔａ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｔａ膜，Ｍｏ−
Ｚｒ−Ｎｂ膜，Ｍｏ−Ｈｆ−Ｎｂ膜等でも良い。また、
Ａｌ−Ｎｄ膜の替わりに、ＡｌとＺｒ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｍ
の内の少なくとも１つからなるＡｌ合金等でもよい。
【００５１】
【発明の効果】本発明の、下地との付着性の良いＭｏ−
Ｚｒ膜又はＭｏ−Ｈｆ膜を配線材料に用いることで、歩
留りの高い、安価な液晶表示装置を提供できる効果があ
る。
Ｚｒ膜又はＭｏ−Ｈｆ膜を配線材料に用いることで、歩
留りの高い、安価な液晶表示装置を提供できる効果があ
る。
【図１】スクラッチ強度の膜組成依存性を示す特性図。
【図２】横電界駆動液晶表示装置の画素とその周辺部分
の平面図。
の平面図。
【図３】図２切断線Ａ−Ａ′の断面図。
【図４】横電界駆動液晶表示装置の製造フローチャート
【図５】液晶表示装置の概略平面図。
【図６】縦電界駆動液晶表示装置の画素とその周辺部分
の平面図。
の平面図。
【図７】図６切断線Ａ−Ａ′の断面図。
【図８】縦電界駆動液晶表示装置の製造フローチャート
１…ゲート配線、２…対向電極、３…データ配線、４…
ドレーン電極、５…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、６…
ＴＦＴガラス基板、７…ゲート配線下層、８…ゲート配
線中間層、９…ゲート配線上層、１０…対向電極下層、
１１…対向電極中間層、１２…対向電極上層、１３…ゲ
ート絶縁膜、１４…真性半導体、１５…Ｎ型半導体、１
６…保護膜、１７…配向膜、１８…対向ガラス基板、１
９…カラーフィルタ、２０…ブラックマトリクス、２１
…対向基板保護膜、２２…対向基板配向膜、２３…液晶
層、２４…偏向板、２５…対向偏向板、２６…シールパ
ターン、２７…開口部、２８…画面部、２９…ゲート端
子群、３０…データ端子群、３１…遮光膜、３２…透明
画素電極、３３…共通画素電極。
ドレーン電極、５…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、６…
ＴＦＴガラス基板、７…ゲート配線下層、８…ゲート配
線中間層、９…ゲート配線上層、１０…対向電極下層、
１１…対向電極中間層、１２…対向電極上層、１３…ゲ
ート絶縁膜、１４…真性半導体、１５…Ｎ型半導体、１
６…保護膜、１７…配向膜、１８…対向ガラス基板、１
９…カラーフィルタ、２０…ブラックマトリクス、２１
…対向基板保護膜、２２…対向基板配向膜、２３…液晶
層、２４…偏向板、２５…対向偏向板、２６…シールパ
ターン、２７…開口部、２８…画面部、２９…ゲート端
子群、３０…データ端子群、３１…遮光膜、３２…透明
画素電極、３３…共通画素電極。
フロントページの続き (72)発明者 田村 克 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 原野 雄一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鬼沢 賢一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 金子 寿輝 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Ｆターム(参考） 2H092 GA17 GA25 GA34 HA06 JA24 JA34 JA41 JB51 MA05 MA08 MA13 MA19 MA29 NA18 NA29 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE03 EE06 EE15 EE44 FF03 GG02 GG15 GG24 GG35 GG45 HK04 HK06 HK09 HK16 HK33 NN04 NN24 NN35 QQ04 QQ05 QQ09
Claims (12)
- 【請求項１】複数のゲート配線と、前記複数のゲート配
線に交差するように形成された複数のデータ配線と、前
記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成された
薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆するゲート
絶縁膜とを有する基板と、前記基板に対向する対向基板
と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層
とを有する液晶表示装置であって、前記ゲート配線と前
記データ配線の少なくとも一方が多層金属膜であって、
その構成層として少なくとも、Ｍｏを主体としたＺｒ，
Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜層と、金属膜層と
Ａｌを主体とした金属膜層を有する多層金属膜であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の液晶表示装置の多層金属
膜が２層膜であって、上層がＡｌを主体とした金属膜で
あり、下層がＭｏを主体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一
方を含有する金属膜であることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】請求項１に記載の液晶表示装置の多層金属
膜が２層膜であって、上層がＭｏを主体としたＺｒ，Ｈ
ｆのいずれか一方を含有する金属膜であって、下層がＡ
ｌを主体とした金属膜であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項４】請求項１に記載の液晶表示装置の多層金属
膜が３層金属膜であって、上層がＭｏを主体としたＺ
ｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜であって、中
間層がＡｌを主体とした金属膜であって、下層がＭｏを
主体としたＺｒ，Ｈｆのいずれか一方を含有する金属膜
であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか１項に記載の液
晶表示装置であって、前記Ｍｏを主体とした金属膜のＺ
ｒ組成が２.０−５２.０ａｔ％の範囲であることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項１から４のいずれか１項に記載の液
晶表示装置であって、前記Ｍｏを主体とした金属膜のＨ
ｆ組成が０.９−３５.０ａｔ％の範囲であることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項１から４のいずれか１項に記載の液
晶表示装置であって、Ｚｒ，Ｈｆの少なくとも一方を含
有する前記Ｍｏを主体とした金属膜が、添加元素として
さらにＣｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも一つを
含有する金属膜であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】請求項１から７のいずれか１項に記載の液
晶表示装置であって、Ａｌを主体とした金属膜層が、純
Ａｌ膜またはＡｌを主体とし少なくともＮｄ，Ｚｒ，Ｌ
ａ，Ｙ，Ｓｍのいずれかを含有する金属膜からなる、Ａ
ｌを主体とした金属膜であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項９】複数のゲート配線と、前記複数のゲート配
線に交差するように形成された複数のデータ配線と、前
記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成された
薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆するゲート
絶縁膜とを有する基板と、前記基板に対向する対向基板
と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層
とを有する液晶表示装置であって、前記ゲート配線と前
記データ配線の少なくとも一方が、Ｍｏを主体とした金
属膜であって、その添加元素としてＺｒ，Ｈｆの少なく
とも一つを含有する金属膜であることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項１０】請求項９に記載の液晶表示装置であっ
て、前記Ｍｏを主体とした金属膜のＺｒ組成が２.０−
５２.０ａｔ％の範囲であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１１】請求項９に記載の液晶表示装置であっ
て、前記Ｍｏを主体とした金属膜のＨｆ組成が０.９−
３５.０ａｔ％の範囲であることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１２】請求項９に記載の液晶表示装置であっ
て、Ｚｒ，Ｈｆの少なくとも一方を含有する前記Ｍｏを
主体とした金属膜が、添加元素としてさらにＣｒ，Ｗ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも一つを含有する金属膜で
あることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1525099A JP2000214487A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1525099A JP2000214487A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214487A true JP2000214487A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11883620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1525099A Pending JP2000214487A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214487A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003043508A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US7633580B2 (en) | 2001-03-29 | 2009-12-15 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel having reflection electrodes improved in smooth surface morphology and process for fabrication thereof |
| US7760276B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
-
1999
- 1999-01-25 JP JP1525099A patent/JP2000214487A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7633580B2 (en) | 2001-03-29 | 2009-12-15 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel having reflection electrodes improved in smooth surface morphology and process for fabrication thereof |
| JP2003043508A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US7760276B2 (en) | 2004-12-31 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| US8189162B2 (en) | 2004-12-31 | 2012-05-29 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
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