JP2000200745A - Projection aligner - Google Patents

Projection aligner

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JP2000200745A
JP2000200745A JP11002358A JP235899A JP2000200745A JP 2000200745 A JP2000200745 A JP 2000200745A JP 11002358 A JP11002358 A JP 11002358A JP 235899 A JP235899 A JP 235899A JP 2000200745 A JP2000200745 A JP 2000200745A
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JP
Japan
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chamber
wafer
exposure apparatus
projection exposure
projection
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JP11002358A
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Japanese (ja)
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Hitoshi Takeuchi
仁 竹内
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Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent gas and fine particles from being stuck to a projection optical system and from contaminating the system at the time of irradiating a substrate to which sensitizer is applied with the exposure light of high energy, by providing a chamber through which exposure light is transmitted and which stores the sensitizer application face of the substrate. SOLUTION: A chamber 15 is fitted so that a sensitizer application face 18 being the upper face of a wafer W to which resist K is applied is stored. The chamber 15 is formed of peripheral wall parts 16 and the top wall part 17 of a circle form in plan view which is arranged opposite to the wafer W. The top wall part 17 is formed of a nitric material such as quartz through which measurement light and exposure light B, which are used in a focus detection system, are transmitted. Since the chamber 15 stores the sensitizer application face 18 of the wafer W with such constitution, gas and fine particles, which are generated from the wafer W when exposure light B is made incident are stuck to a peripheral component and gives adverse influence, can be sealed into the chamber 15. Thus, gas and fine particles can be prevented from sticking to a projection optical system 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクのパターン
を半導体ウエハやガラスプレート等の基板に投影転写す
る投影露光装置に関し、特に、表面に感光剤が塗布され
た基板に対して、マスクのパターンを露光する投影露光
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus for projecting and transferring a mask pattern onto a substrate such as a semiconductor wafer or a glass plate, and more particularly, to a mask pattern applied to a substrate having a surface coated with a photosensitive agent. The present invention relates to a projection exposure apparatus for exposing a light.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体素子や液晶表示素子等を
フォトリソグラフィ工程で製造する際には、フォトマス
クやレチクル（以下、マスクと称する）に形成されたパ
ターンの像を投影光学系を介してフォトレジスト等の感
光剤が塗布された半導体ウエハやガラスプレート等の基
板上に投影・転写処理を行う投影露光装置が使用されて
いる。2. Description of the Related Art Generally, when a semiconductor element, a liquid crystal display element, and the like are manufactured by a photolithography process, an image of a pattern formed on a photomask or a reticle (hereinafter, referred to as a mask) is projected through a projection optical system. 2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus that performs a projection / transfer process on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass plate coated with a photosensitive agent such as a photoresist is used.

【０００３】ところで、半導体素子の大集積化に対する
要望は年々高くなっており、それに伴って回路パターン
の線幅は小さくなっている。投影光学系を介して、より
小さな線幅の回路パターンを露光するためには、露光に
使用する光の波長を短くすることが知られている。その
ため、近年、この種の露光光の光源として、ＫｒＦエキ
シマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１
９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（１５７ｎｍ）などが多く用い
られるようになっている。[0003] By the way, the demand for large integration of semiconductor elements is increasing year by year, and accordingly, the line width of circuit patterns is becoming smaller. In order to expose a circuit pattern having a smaller line width via a projection optical system, it is known to shorten the wavelength of light used for exposure. Therefore, in recent years, KrF excimer laser (248 nm) and ArF excimer laser (1
93 nm), an F 2 laser (157 nm), and the like have been used in many cases.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の投影露光装置には、以下のような問題が
存在する。上記のように波長の短い光は、高いエネルギ
を有しているので、ウエハ上に照射した際に、ウエハ自
身から微粒子が飛散する、いわゆるアブレーションが発
生したり、レジストが分離・気化（蒸発）して拡散す
る。さらには、空気中に含まれる有機物等が高エネルギ
の光により光化学反応を起こすことで微小な不純物を生
成してしまう。However, the conventional projection exposure apparatus as described above has the following problems. Since light having a short wavelength has high energy as described above, when irradiated on the wafer, fine particles are scattered from the wafer itself, so-called ablation occurs, and the resist is separated and vaporized (evaporated). And spread. Further, organic substances and the like contained in the air cause a photochemical reaction by high-energy light to generate minute impurities.

【０００５】このようなガスや微粒子が周囲の構成物、
例えば、ウエハ近傍に配置された投影光学系に付着する
と、露光時の光量が設定値よりも減少してしまう等、特
に上記のように微細な線幅を有する回路パターンを露光
する際に、露光精度に悪影響を及ぼす虞があった。[0005] Such a gas or fine particles are composed of surrounding components,
For example, if it adheres to a projection optical system arranged near the wafer, the light amount at the time of exposure becomes smaller than a set value. There is a possibility that the accuracy may be adversely affected.

【０００６】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、感光剤を塗布した基板に高エネルギの露光
光を照射した際にも、投影光学系等にガスや微粒子が付
着して汚染されることを防止する投影露光装置を提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and even when a substrate coated with a photosensitive agent is irradiated with high-energy exposure light, gas or fine particles adhere to a projection optical system or the like. It is an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus which prevents contamination due to the above.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１１に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の投影露
光装置は、感光剤（Ｋ）を塗布した基板（Ｗ）に、露光
光（Ｂ）によりマスク（Ｍ）のパターンを投影露光する
投影露光装置（１）において、露光光を透過させるとと
もに、基板（Ｗ）の感光剤塗布面（１８）を少なくとも
収納するチャンバ（１５、１５ａ）を備えてなることを
特徴とするものである。In order to achieve the above object, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 11 showing an embodiment. The projection exposure apparatus according to the present invention is a projection exposure apparatus (1) for projecting and exposing a pattern of a mask (M) on a substrate (W) coated with a photosensitive agent (K) by exposure light (B). And a chamber (15, 15a) accommodating at least the photosensitive agent-coated surface (18) of the substrate (W).

【０００８】従って、本発明の投影露光装置では、高エ
ネルギの露光光（Ｂ）によりマスク（Ｍ）のパターンを
基板（Ｗ）の感光剤塗布面（１８）に投影露光した際に
基板（Ｗ）または感光剤（Ｋ）からガスや微粒子が発生
しても、これらのガスや微粒子をチャンバ（１５、１５
ａ）内に閉じこめることで、周囲の構成物（９）から分
離することができる。ここで、チャンバ（１５、１５
ａ）は、露光光（Ｂ）を透過させるものなので、露光処
理自体に支障を来すことはない。Therefore, in the projection exposure apparatus of the present invention, when the pattern of the mask (M) is projected and exposed on the photosensitive agent coated surface (18) of the substrate (W) by the exposure light (B) of high energy, ) Or the photosensitive agent (K), even if gas or fine particles are generated, these gases or fine particles are transferred to the chamber (15, 15).
It can be separated from surrounding components (9) by being enclosed in a). Here, the chambers (15, 15)
Since a) transmits the exposure light (B), it does not hinder the exposure processing itself.

【０００９】また、本発明の投影露光装置は、感光剤
（Ｋ）を塗布した基板（Ｗ）に、露光光（Ｂ）によりマ
スク（Ｍ）のパターンを投影光学系（９）を介して投影
露光する投影露光装置（１）において、基板（Ｗ）の感
光剤塗布面（１８）側のエアを吸引する吸引装置（２
３）を備えてなることを特徴とするものである。Further, the projection exposure apparatus of the present invention projects a pattern of a mask (M) on a substrate (W) coated with a photosensitive agent (K) by exposure light (B) via a projection optical system (9). In a projection exposure apparatus (1) for exposing, a suction device (2) for suctioning air on a photosensitive agent application surface (18) side of a substrate (W).
(3) is provided.

【００１０】従って、本発明の投影露光装置では、高エ
ネルギの露光光によりマスク（Ｍ）のパターンを基板
（Ｗ）の感光剤塗布面（１８）に投影露光した際に基板
（Ｗ）または感光剤（Ｋ）からガスや微粒子が発生して
も、吸引装置（２３）がエアとともにこれらのガスや微
粒子を吸引することで、周囲の構成物（９）に付着する
ことを防止できる。Therefore, in the projection exposure apparatus of the present invention, when the pattern of the mask (M) is projected and exposed to the photosensitive agent-coated surface (18) of the substrate (W) by high-energy exposure light, the substrate (W) or the photosensitive material is exposed. Even if gas or fine particles are generated from the agent (K), the suction device (23) sucks these gases and fine particles together with the air, so that it can be prevented from adhering to the surrounding components (9).

【００１１】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の投影露光装置の第
１の実施の形態を、図１ないし図３を参照して説明す
る。ここでは、例えば、ステップ・アンド・リピート方
式の投影露光装置（ステッパー）を用いて、マスクに形
成された回路パターンをウエハに転写する場合の例を用
いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. Here, for example, an example in which a circuit pattern formed on a mask is transferred to a wafer using a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) will be described.

【００１２】図３は、投影露光装置１の概略構成図であ
る。投影露光装置１は、マスクＭに形成されたパターン
（例えば、半導体素子パターン）を、感光剤が塗布され
た略円形のウエハ（基板）Ｗ上へ投影転写するものであ
って、光源ユニット６、照明光学系７、マスクステージ
８、投影光学系９、ウエハステージ（基板ステージ）１
０および焦点検出系１１から概略構成されている。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the projection exposure apparatus 1. The projection exposure apparatus 1 is for projecting and transferring a pattern (for example, a semiconductor element pattern) formed on a mask M onto a substantially circular wafer (substrate) W coated with a photosensitive agent. Illumination optical system 7, mask stage 8, projection optical system 9, wafer stage (substrate stage) 1
0 and a focus detection system 11.

【００１３】光源ユニット６は、ＡｒＦを媒体としたエ
キシマレーザ光を露光光Ｂとして射出するものである。
光源ユニット６から射出された露光光Ｂは、反射ミラー
４で反射されて照明光学系７に入射する。The light source unit 6 emits excimer laser light using ArF as a medium as exposure light B.
Exposure light B emitted from the light source unit 6 is reflected by the reflection mirror 4 and enters the illumination optical system 7.

【００１４】照明光学系７は、いずれも不図示のリレー
レンズ、露光光Ｂを均一化するためのオプチカルインテ
グレータ（フライアイレンズ等）、露光光Ｂをオプチカ
ルインテグレータに入射させるインプットレンズ、オプ
チカルインテグレータから射出した露光光ＢをマスクＭ
上に集光するためのリレーレンズ、コンデンサーレンズ
等を有している。照明光学系７から射出された露光光Ｂ
は、反射ミラー５によって反射されて、ウエハＷ上に露
光すべきパターンを有しマスクステージ８上に保持され
たマスクＭに入射する。The illumination optical system 7 includes a relay lens (not shown), an optical integrator (such as a fly-eye lens) for equalizing the exposure light B, an input lens for inputting the exposure light B to the optical integrator, and an optical integrator. The emitted exposure light B is used as a mask M
It has a relay lens, condenser lens, etc. for focusing on the top. Exposure light B emitted from illumination optical system 7
Is reflected by the reflection mirror 5 and is incident on a mask M having a pattern to be exposed on the wafer W and held on the mask stage 8.

【００１５】投影光学系９は、マスクＭの照明領域に存
在するパターンの像をウエハＷ上に結像させるものであ
る。ウエハステージ１０は、ウエハＷを保持するもので
あって、互いに直交する方向（Ｘ、Ｙ、Ｚの三次元方
向）へ移動自在とされている。このウエハステージ１０
上には、移動鏡１０ａが設けられている。移動鏡１０ａ
には、位置計測装置である不図示のレーザ干渉計からレ
ーザ光１２が射出され、その反射光と入射光との干渉に
基づいて移動鏡１０ａとレーザ干渉計との間の距離、す
なわちウエハステージ１０（ひいてはウエハＷ）の位置
が検出される構成になっている。また、ウエハステージ
１０には、リニアモータ等、ウエハステージ１０を駆動
させる駆動機構（不図示）が付設されている。The projection optical system 9 forms an image of a pattern existing in the illumination area of the mask M on the wafer W. The wafer stage 10 holds the wafer W and is movable in directions orthogonal to each other (three-dimensional directions of X, Y, and Z). This wafer stage 10
A movable mirror 10a is provided above. Moving mirror 10a
A laser beam 12 is emitted from a laser interferometer (not shown), which is a position measuring device, and the distance between the movable mirror 10a and the laser interferometer based on the interference between the reflected light and the incident light, that is, the wafer stage The configuration is such that the position of 10 (and thus the wafer W) is detected. The wafer stage 10 is provided with a drive mechanism (not shown) for driving the wafer stage 10 such as a linear motor.

【００１６】焦点検出系１１は、ウエハＷの高さ位置
（Ｚ方向の位置）を光学的に検出するものであって、ウ
エハＷに斜めから計測光を入射する投光系１３と、ウエ
ハＷの表面で反射された計測光を受光する受光系１４と
を主体として構成されるものである。The focus detection system 11 optically detects the height position (position in the Z direction) of the wafer W, and includes a light projecting system 13 for obliquely entering measurement light into the wafer W, and a wafer W And a light receiving system 14 for receiving the measurement light reflected on the surface of the light emitting device.

【００１７】一方、投影露光装置１の近傍には、当該投
影露光装置１とコータ・デベロッパ（不図示）との間で
ウエハＷを搬送するウエハ搬送装置（不図示）が配設さ
れている。投影露光装置１には、このウエハ搬送装置と
の間でウエハＷの受け渡しを行うとともに、ウエハステ
ージ１０との間でウエハＷを搬送するウエハローダ（不
図示）が配設されている。なお、これらウエハ搬送装置
およびウエハローダは、従来と同様の構成のものが用い
られる。On the other hand, near the projection exposure apparatus 1, a wafer transfer apparatus (not shown) for transferring the wafer W between the projection exposure apparatus 1 and a coater / developer (not shown) is provided. The projection exposure apparatus 1 is provided with a wafer loader (not shown) that transfers the wafer W to and from the wafer transfer device and transfers the wafer W to and from the wafer stage 10. The wafer transfer device and the wafer loader have the same configurations as those in the related art.

【００１８】そして、このウエハ搬送装置の近傍には、
投影露光装置１に搬入されるウエハＷに減圧下でチャン
バ１５を取り付けるとともに、投影露光装置１から搬出
されるウエハＷからチャンバ１５を取り外すチャンバ搬
送装置（不図示）が投影露光装置１と分離して配設され
ている。In the vicinity of the wafer transfer device,
A chamber transfer device (not shown) for attaching the chamber 15 to the wafer W carried into the projection exposure apparatus 1 under reduced pressure and removing the chamber 15 from the wafer W carried out of the projection exposure apparatus 1 is separated from the projection exposure apparatus 1. It is arranged.

【００１９】図１に示すように、チャンバ１５は、レジ
スト（感光剤）Ｋが塗布されたウエハＷの上面（感光剤
塗布面）１８を収納するように取り付けられる。また、
チャンバ１５は、図２に示すように、ウエハＷの外周に
沿って設置される周壁部１６と、周壁部１６の端縁上方
に設けられウエハＷと対向配置された平面視円形の天壁
部１７とから構成されている。As shown in FIG. 1, the chamber 15 is mounted so as to house an upper surface (photosensitive agent coated surface) 18 of a wafer W coated with a resist (photosensitive agent) K. Also,
As shown in FIG. 2, the chamber 15 includes a peripheral wall portion 16 provided along the outer periphery of the wafer W, and a top wall portion provided above the edge of the peripheral wall portion 16 and opposed to the wafer W and having a circular top view. 17.

【００２０】周壁部１６の下方端縁には、Ｏリング等、
チャンバ１５内を気密に保つ密閉手段が設けられてい
る。また、周壁部１６の厚さは、チャンバ１５の有無に
拘わらず、上記ウエハ搬送装置およびウエハローダによ
るウエハＷの搬送に支障を来さない程度に薄く設定され
ている。一方、天壁部１７は、焦点検出系１１で用いら
れる計測光および露光光Ｂが透過可能な石英等の硝材で
形成されている。An O-ring or the like is provided on the lower edge of the peripheral wall portion 16.
Sealing means for keeping the inside of the chamber 15 airtight is provided. Further, the thickness of the peripheral wall portion 16 is set so small that the transfer of the wafer W by the wafer transfer device and the wafer loader is not hindered regardless of the presence or absence of the chamber 15. On the other hand, the top wall portion 17 is formed of a glass material such as quartz that can transmit the measurement light and the exposure light B used in the focus detection system 11.

【００２１】上記の構成の投影露光装置を用いてマスク
ＭのパターンをウエハＷに投影露光する手順を説明す
る。まず、ウエハ搬送装置によりコータ・デベロッパか
ら投影露光装置１へ搬送されるウエハＷに対して、チャ
ンバ搬送装置がチャンバ１５をウエハＷの所定位置に載
置して取り付ける。A procedure for projecting and exposing the pattern of the mask M on the wafer W using the projection exposure apparatus having the above configuration will be described. First, the chamber transfer device mounts the chamber 15 on a predetermined position of the wafer W on the wafer W transferred from the coater / developer to the projection exposure apparatus 1 by the wafer transfer device.

【００２２】次に、投影露光装置１側では、ウエハロー
ダがウエハ搬送装置から、チャンバ１５が取り付けられ
たウエハＷを受け取る。ここでの受け渡しは、大気圧下
で行われるが、チャンバ１５内は外気に対して負圧なの
で、チャンバ１５はウエハＷに押し付けられる。加え
て、チャンバ１５とウエハＷとの間には、Ｏリング等の
密閉手段が介在しているので、チャンバ１５はウエハＷ
の上面を密閉状態で収納する。Next, on the projection exposure apparatus 1 side, the wafer loader receives the wafer W with the chamber 15 attached thereto from the wafer transfer device. The delivery here is performed under the atmospheric pressure. However, since the inside of the chamber 15 has a negative pressure with respect to the outside air, the chamber 15 is pressed against the wafer W. In addition, since a sealing means such as an O-ring is interposed between the chamber 15 and the wafer W, the chamber 15
Is stored in a closed state.

【００２３】ウエハローダがウエハＷをウエハステージ
１０に搬送した後、ウエハステージ１０は、ウエハＷを
投影光学系９に対して所定位置に位置させるように移動
する。このウエハステージ１０の移動の際には、不図示
のレーザ干渉計が、ウエハステージ１０上の移動鏡１０
ａに向けてレーザ光１２を射出し、その反射光と入射光
との干渉に基づいて距離を測定し、ウエハステージ１０
の位置、すなわちウエハＷの位置を正確に検出する。After the wafer loader conveys the wafer W to the wafer stage 10, the wafer stage 10 moves so as to position the wafer W at a predetermined position with respect to the projection optical system 9. When the wafer stage 10 is moved, a laser interferometer (not shown)
a, and measures the distance based on the interference between the reflected light and the incident light.
, That is, the position of the wafer W is accurately detected.

【００２４】同様に、焦点検出系１１においては、ウエ
ハＷの高さ位置（Ｚ方向の位置）が検出される。すなわ
ち、投光系１３から射出された計測光は、図１に示すよ
うに、チャンバ１５の天壁部１７を通ってウエハＷの表
面に入射し、ウエハＷの表面で反射された後に受光系１
４に入射する。そして、反射された計測光と受光光との
位置関係に基づいて、ウエハＷの表面が投影光学系９に
よるマスクＭのパターンの像の位置とほぼ一致するよう
にウエハステージ１０を高さ方向（Ｚ方向）に移動させ
る。Similarly, the focus detection system 11 detects the height position (the position in the Z direction) of the wafer W. That is, the measurement light emitted from the light projecting system 13 enters the surface of the wafer W through the top wall portion 17 of the chamber 15 as shown in FIG. 1
4 is incident. Then, based on the positional relationship between the reflected measurement light and the received light, the wafer stage 10 is moved in the height direction (so that the surface of the wafer W substantially matches the position of the image of the pattern of the mask M by the projection optical system 9). (Z direction).

【００２５】ウエハＷの位置決めが完了すると、光源ユ
ニット６から露光光Ｂが射出される。射出された露光光
Ｂは、反射ミラー４で反射されて照明光学系７に入射し
て照度を均一化される。照明光学系７から射出された露
光光Ｂは、反射ミラー５で反射された後に、マスクＭに
入射してマスクＭを照明する。マスクＭを透過した露光
光Ｂは、投影光学系９およびチャンバ１５の天壁部１７
を介してウエハＷに入射し、ウエハＷ上のレジストＫを
感光させることにより、マスクＭのパターンの像をウエ
ハＷ上に形成する。When the positioning of the wafer W is completed, the exposure light B is emitted from the light source unit 6. The emitted exposure light B is reflected by the reflection mirror 4, enters the illumination optical system 7, and has uniform illuminance. The exposure light B emitted from the illumination optical system 7 is reflected by the reflection mirror 5 and then enters the mask M to illuminate the mask M. The exposure light B transmitted through the mask M is transmitted to the projection optical system 9 and the top wall 17 of the chamber 15.
Then, the light is incident on the wafer W through the substrate W to expose the resist K on the wafer W to form an image of the pattern of the mask M on the wafer W.

【００２６】このとき、露光光Ｂの入射によって、ウエ
ハＷにアブレーションが発生したり、ウエハＷの上面１
８からレジストＫのガス、微粒子が発生するが、この上
面１８がチャンバ１５で密閉されているため、これらの
ガス、微粒子は外部へ漏れ出ることなく、チャンバ１５
内に密封される。At this time, the incidence of the exposure light B causes ablation on the wafer W or the upper surface 1 of the wafer W.
8, gas and fine particles of the resist K are generated. However, since the upper surface 18 is sealed in the chamber 15, these gases and fine particles do not leak to the outside.
Sealed inside.

【００２７】露光処理が完了すると、ウエハＷは、チャ
ンバ１５が取り付けられた状態で、ウエハローダによっ
てウエハステージ１０から搬出される。そして、ウエハ
Ｗは、ウエハ搬送装置に受け渡されて、投影露光装置１
からコータ・デベロッパへ搬送される。この際、ウエハ
Ｗがコータ・デベロッパへ到る前に、チャンバ搬送装置
がウエハＷからチャンバ１５を取り外す。When the exposure processing is completed, the wafer W is unloaded from the wafer stage 10 by the wafer loader with the chamber 15 attached. Then, the wafer W is delivered to the wafer transfer device, and the projection exposure apparatus 1
Is transferred to the coater / developer. At this time, the chamber transfer device removes the chamber 15 from the wafer W before the wafer W reaches the coater / developer.

【００２８】本実施の形態の投影露光装置では、ウエハ
Ｗの感光剤塗布面１８がチャンバ１５によって収納され
ているので、露光光Ｂが入射した際にウエハＷから発生
し周囲の構成物、例えば投影光学系９に付着して当該投
影光学系９に悪影響を及ぼすガス、微粒子をチャンバ１
５内に密封することができる。そのため、これらのガ
ス、微粒子が投影光学系９に付着して露光精度を低下さ
せてしまうという事態を未然に防ぐことができる。In the projection exposure apparatus of this embodiment, since the photosensitive agent application surface 18 of the wafer W is housed in the chamber 15, the exposure light B is generated from the wafer W when the exposure light B enters, and the surrounding components, for example, Gases and fine particles that adhere to the projection optical system 9 and adversely affect the projection optical system 9 are removed from the chamber 1.
5 can be sealed. Therefore, it is possible to prevent a situation in which these gases and fine particles adhere to the projection optical system 9 and reduce the exposure accuracy.

【００２９】また、本実施の形態の投影露光装置では、
あらかじめ減圧下でチャンバ１５をウエハ上に取り付け
ているので、大気圧下での露光処理の際にチャンバ１５
とウエハＷとを密着させる手段を別途設ける必要がな
く、コストの低減につながる。さらに、ウエハＷを一旦
減圧下に曝すことでレジストＫ等に含まれる初期揮発成
分を除去することができるので、汚染物飛散防止にも寄
与することができる。In the projection exposure apparatus according to the present embodiment,
Since the chamber 15 is mounted on the wafer under reduced pressure in advance, the chamber 15 is not used during exposure processing under atmospheric pressure.
It is not necessary to separately provide a unit for bringing the wafer W into close contact with the wafer W, which leads to a reduction in cost. Furthermore, since the initial volatile components contained in the resist K and the like can be removed by once exposing the wafer W under reduced pressure, it is possible to contribute to prevention of scattering of contaminants.

【００３０】また、本実施の形態の投影露光装置では、
チャンバ１５をウエハＷに直接取り付けているので、チ
ャンバ搬送装置を投影露光装置１内に設けることなく、
投影露光装置１と分離して配置することが可能になり、
投影露光装置１が必要以上に大きくなってしまうことも
防止でき、装置の小型化が実現する。In the projection exposure apparatus according to the present embodiment,
Since the chamber 15 is directly mounted on the wafer W, the chamber transfer device is not provided in the projection exposure apparatus 1,
It is possible to dispose it separately from the projection exposure apparatus 1,
The projection exposure apparatus 1 can be prevented from becoming unnecessarily large, and the apparatus can be downsized.

【００３１】さらに、本実施の形態の投影露光装置で
は、チャンバ１５の厚さがウエハ搬送装置およびウエハ
ローダの搬送機能に支障を来さない程度に薄いので、チ
ャンバ搬送装置を設置するに当たってウエハ搬送装置お
よびウエハローダをチャンバ１５に対応させるように別
途新設することなく、従来から設置されているものをそ
のまま用いることができる。Further, in the projection exposure apparatus according to the present embodiment, the thickness of the chamber 15 is so thin that the transfer function of the wafer transfer device and the wafer loader is not hindered. In addition, a conventionally installed wafer loader can be used as it is without newly providing a wafer loader corresponding to the chamber 15.

【００３２】なお、本実施の形態の投影露光装置では、
チャンバ搬送装置が単に、減圧下でチャンバ１５をウエ
ハＷに取り付ける構成としたが、窒素、Ｈｅ等の光学的
に不活性なガス雰囲気中で減圧し、チャンバ１５をウエ
ハＷに取り付ける構成としてもよい。この場合、投影光
学系９とチャンバ１５とを近付けることにより、露光光
Ｂが空気中を通過する距離を短くすることができるの
で、有害ガスであるオゾンの発生を抑制することができ
る。In the projection exposure apparatus of the present embodiment,
Although the chamber transfer device is configured to simply attach the chamber 15 to the wafer W under reduced pressure, it may be configured to reduce the pressure in an atmosphere of an optically inert gas such as nitrogen or He and attach the chamber 15 to the wafer W. . In this case, the distance that the exposure light B passes through the air can be shortened by bringing the projection optical system 9 and the chamber 15 closer to each other, so that generation of ozone, which is a harmful gas, can be suppressed.

【００３３】また、ＡｒＦを媒体としたエキシマレーザ
からのレーザ光のように、約２００ｎｍ以下の波長の光
は、酸素に対して吸収特性を有する波長域（スペクトル
成分）を含んでおり、空気中の酸素による吸収が大き
い。ところが、上記のように、チャンバ１５内を光学的
に不活性な雰囲気にすることにより、チャンバ１５内に
酸素が存在していないので、露光光Ｂの光量（エネルギ
量）が低下してしまうことも防止できる。Light having a wavelength of about 200 nm or less, such as laser light from an excimer laser using ArF as a medium, contains a wavelength region (spectral component) having an absorption characteristic for oxygen, Absorption by oxygen is large. However, as described above, by setting the inside of the chamber 15 to be an optically inert atmosphere, the amount of energy (energy amount) of the exposure light B may be reduced because oxygen does not exist in the chamber 15. Can also be prevented.

【００３４】なお、本実施の形態の投影露光装置で、チ
ャンバ１５によってウエハＷ上の露光領域が狭くなる可
能性があるときは、図１中、二点鎖線で示すように、チ
ャンバ１５の周壁部１６を、下部端縁を始端として上方
に向かうに従って漸次拡径するように構成することで、
所定の露光領域を維持することができる。In the projection exposure apparatus of the present embodiment, when there is a possibility that the exposure area on the wafer W may be narrowed by the chamber 15, as shown by a two-dot chain line in FIG. By configuring the portion 16 to gradually increase in diameter as going upward starting from the lower edge,
A predetermined exposure area can be maintained.

【００３５】また、チャンバ搬送装置を投影露光装置１
の外側に設置する構成としたが、これに限られることな
く、例えば、投影露光装置１の内側に設置する構成とし
てもよい。Further, the chamber transfer device is a projection exposure device 1
However, the present invention is not limited to this, and may be, for example, installed inside the projection exposure apparatus 1.

【００３６】図４および図５は、本発明の投影露光装置
の第２の実施の形態を示す図である。これらの図におい
て、図１ないし図３に示す第１の実施の形態の構成要素
と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省
略する。（なお、図５においては、焦点検出系１１の投
光系１３、受光系１４の表示を省略している。）第２の
実施の形態と上記の第１の実施の形態とが異なる点は、
チャンバ１５内を排気する排気装置およびチャンバ１５
内に置換ガスを供給する置換ガス供給装置を設けたこと
である。FIGS. 4 and 5 are views showing a second embodiment of the projection exposure apparatus of the present invention. In these figures, the same elements as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. (Note that, in FIG. 5, the display of the light projecting system 13 and the light receiving system 14 of the focus detection system 11 is omitted.) The difference between the second embodiment and the first embodiment is that: ,
Exhaust device for exhausting chamber 15 and chamber 15
That is, a replacement gas supply device for supplying a replacement gas therein is provided.

【００３７】すなわち、図４および図５に示すように、
この投影露光装置１には、真空ポンプ等の排気装置１９
がチャンバ１５に接続されている。排気装置１９は、チ
ャンバ１５内を負圧吸引することによって、当該チャン
バ１５内を排気する構成になっている。また、チャンバ
１５には、当該チャンバ１５内に、窒素、Ｈｅ等の光学
的に不活性な置換ガスを供給する置換ガス供給装置２０
が接続されている。That is, as shown in FIGS. 4 and 5,
The projection exposure apparatus 1 includes an exhaust device 19 such as a vacuum pump.
Are connected to the chamber 15. The exhaust device 19 is configured to exhaust the inside of the chamber 15 by suctioning the inside of the chamber 15 under a negative pressure. Further, the chamber 15 has a replacement gas supply device 20 for supplying an optically inert replacement gas such as nitrogen or He into the chamber 15.
Is connected.

【００３８】なお、この排気装置１９および置換ガス供
給装置２０は、チャンバ１５内の気体が層流状態で移動
し、該チャンバ１５内に空気ゆらぎが発生しない程度の
出力で排気およびガス供給を実施するように駆動されて
いる。他の構成は、上記第１の実施の形態と同様であ
る。The exhaust device 19 and the replacement gas supply device 20 perform exhaust and gas supply at such an output that the gas in the chamber 15 moves in a laminar flow state and no air fluctuation occurs in the chamber 15. Have been driven to Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【００３９】本実施の形態の投影露光装置では、上記第
１の実施の形態と同様の作用・効果が得られることに加
えて、チャンバ１５内の空気を光学的に不活性ガスに置
換することができるとともに、露光光Ｂの入射により発
生したチャンバ１５内のガスや微粒子を排気して除去す
ることができる。そのため、チャンバ１５内を常時不活
性ガスで置換した状態を維持することができ、これらの
ガスや微粒子がチャンバ１５の天壁部１７に付着して露
光精度に悪影響を及ぼしたり、露光光Ｂと光化学反応を
起こして露光光Ｂの露光エネルギ量を低下させるといっ
た事態を未然に防ぐことができる。また、チャンバ１５
内の酸素も排気するので、露光光Ｂの光量（エネルギ
量）が低下してしまうことも防止できる。In the projection exposure apparatus of the present embodiment, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained, and the air in the chamber 15 can be optically replaced with an inert gas. In addition, gas and fine particles in the chamber 15 generated by the incidence of the exposure light B can be exhausted and removed. Therefore, the state in which the inside of the chamber 15 is always replaced with the inert gas can be maintained, and these gases and fine particles adhere to the top wall portion 17 of the chamber 15 to adversely affect the exposure accuracy, or the exposure light B It is possible to prevent a situation in which a photochemical reaction is caused to lower the exposure energy of the exposure light B. Also, the chamber 15
Since the oxygen inside is also exhausted, it is possible to prevent the light amount (energy amount) of the exposure light B from decreasing.

【００４０】なお、本実施の形態の投影露光装置では、
置換ガス供給装置２０は必ずしも必要ではなく、排気装
置１９のみがチャンバ１５に接続される構成であっても
よい。この場合でも、露光光Ｂの入射により発生したチ
ャンバ１５内のガスや微粒子を排気して除去することが
できるため、ガスや微粒子がチャンバ１５の天壁部１７
に付着して露光精度に悪影響を及ぼしたり、露光光Ｂと
光化学反応を起こして露光光Ｂの露光エネルギ量を低下
させるといった事態を抑制することができる。In the projection exposure apparatus according to the present embodiment,
The replacement gas supply device 20 is not always necessary, and only the exhaust device 19 may be connected to the chamber 15. Also in this case, the gas and the fine particles generated in the chamber 15 by the incidence of the exposure light B can be removed by exhausting the gas and the fine particles.
Can be prevented from adversely affecting the exposure accuracy and causing a photochemical reaction with the exposure light B to reduce the amount of exposure energy of the exposure light B.

【００４１】図６および図７は、本発明の投影露光装置
の第３の実施の形態を示す図である。これらの図におい
て、図１ないし図３に示す第１の実施の形態の構成要素
と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省
略する。第３の実施の形態と上記の第１の実施の形態と
が異なる点は、チャンバをウエハステージに取り付けた
ことである。FIGS. 6 and 7 show a projection exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention. In these figures, the same elements as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The difference between the third embodiment and the first embodiment is that the chamber is attached to the wafer stage.

【００４２】すなわち、図６に示すように、ウエハステ
ージ１０には、チャンバ１５ａが取り付けられている。
図７に示すように、チャンバ１５ａは、レジストＫが塗
布された上面１８を含むウエハＷ全体を収納するように
取り付けられている。また、チャンバ１５ａは、ウエハ
Ｗの外周にほぼ一定の間隔をあける直径を有する周壁部
１６ａと、当該周壁部１６ａの端縁上方に設けられウエ
ハＷと対向配置された平面視円形の天壁部１７ａとから
構成されている。That is, as shown in FIG. 6, a chamber 15a is attached to the wafer stage 10.
As shown in FIG. 7, the chamber 15a is attached so as to house the entire wafer W including the upper surface 18 coated with the resist K. Further, the chamber 15a has a peripheral wall portion 16a having a diameter spaced at a substantially constant interval on the outer periphery of the wafer W, and a top wall portion provided above the edge of the peripheral wall portion 16a and arranged in a circular shape in a plan view and opposed to the wafer W. 17a.

【００４３】なお、本実施の形態の投影露光装置では、
ウエハＷを保持したウエハステージ１０にチャンバ１５
ａを搬送して取り付けるとともに、露光処理完了後に、
このチャンバ１５ａを取り外すチャンバ搬送装置（不図
示）が投影露光装置１内のウエハステージ１０近傍に設
置されている。他の構成は、上記第１の実施の形態と同
様である。In the projection exposure apparatus of this embodiment,
The chamber 15 is placed on the wafer stage 10 holding the wafer W.
a, and after the exposure process is completed,
A chamber transfer device (not shown) for removing the chamber 15 a is installed near the wafer stage 10 in the projection exposure apparatus 1. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【００４４】本実施の形態の投影露光装置では、上記第
１の実施の形態と同様の作用・効果が得られることに加
えて、チャンバ１５ａ内の収納空間が大きいので、露光
光Ｂの入射により発生したチャンバ１５ａ内のガスや微
粒子の濃度を低く抑えることができる。また、チャンバ
１５ａとウエハＷとが直接接触していないので、チャン
バ１５ａの搬送時にウエハＷに傷等が発生することも防
ぐことができる。In the projection exposure apparatus of the present embodiment, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained. In addition, since the accommodation space in the chamber 15a is large, the exposure light B The concentration of the generated gas or fine particles in the chamber 15a can be kept low. Further, since the chamber 15a is not in direct contact with the wafer W, it is possible to prevent the wafer W from being damaged when the chamber 15a is transferred.

【００４５】図８は、本発明の投影露光装置の第４の実
施の形態を示す図である。この第４の実施の形態は、図
６および図７に示した第３の実施の形態に対してチャン
バ１５ａ内を負圧吸引することで該チャンバ１５ａ内を
排気する排気装置１９およびチャンバ１５ａ内に、光学
的に不活性な置換ガスを供給する置換ガス供給装置２０
を設けたことである。他の構成は、上記第３の実施の形
態と同様であるため、同一の要素については同一符号を
付し、その説明を省略する。FIG. 8 is a view showing a fourth embodiment of the projection exposure apparatus of the present invention. The fourth embodiment is different from the third embodiment shown in FIGS. 6 and 7 in that an exhaust device 19 for exhausting the inside of the chamber 15a by suctioning the inside of the chamber 15a with a negative pressure is provided. Gas supply device 20 for supplying an optically inert replacement gas to
That is, Other configurations are the same as those of the third embodiment, and therefore, the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【００４６】本実施の形態の投影露光装置では、上記第
３の実施の形態と同様の作用・効果が得られることに加
えて、露光光Ｂの入射により発生したチャンバ１５ａ内
のガスや微粒子を排気して除去することができる。その
ため、これらのガスや微粒子がチャンバ１５ａの天壁部
１７ａに付着して露光精度に悪影響を及ぼしたり、露光
光Ｂと光化学反応を起こして露光光Ｂの露光エネルギ量
を低下させるといった事態を未然に防ぐことができる。In the projection exposure apparatus according to the present embodiment, the same operation and effect as those of the third embodiment can be obtained. In addition, gas and fine particles in the chamber 15a generated by the incidence of the exposure light B are removed. Can be evacuated and removed. For this reason, these gases and fine particles adhere to the top wall portion 17a of the chamber 15a to adversely affect the exposure accuracy, or cause a photochemical reaction with the exposure light B to lower the exposure energy amount of the exposure light B beforehand. Can be prevented.

【００４７】なお、上記第２の実施の形態と同様に本実
施の形態でも、置換ガス供給装置２０は必ずしも必要で
はなく、排気装置１９のみがチャンバ１５ａに接続され
る構成であってもよい。この場合でも、ガスや微粒子が
チャンバ１５ａの天壁部１７ａに付着して露光精度に悪
影響を及ぼしたり、露光光Ｂと光化学反応を起こして露
光光Ｂの露光エネルギ量を低下させるといった事態を抑
制することができる。In this embodiment, as in the second embodiment, the replacement gas supply device 20 is not always necessary, and only the exhaust device 19 may be connected to the chamber 15a. Even in this case, it is possible to suppress a situation in which the gas and the fine particles adhere to the top wall portion 17a of the chamber 15a to adversely affect the exposure accuracy, or cause a photochemical reaction with the exposure light B to lower the exposure energy amount of the exposure light B. can do.

【００４８】図９および図１０は、本発明の投影露光装
置の第５の実施の形態を示す図である。これらの図にお
いて、図１ないし図３に示す第１の実施の形態の構成要
素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を
省略する。第５の実施の形態と上記の第１の実施の形態
とが異なる点は、ウエハＷの上面１８側のエアを吸引す
るための吸引装置２３を設けたことである。FIGS. 9 and 10 show a fifth embodiment of the projection exposure apparatus of the present invention. In these figures, the same elements as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The difference between the fifth embodiment and the first embodiment is that a suction device 23 for sucking air on the upper surface 18 side of the wafer W is provided.

【００４９】吸引装置２３は、真空ポンプ等の負圧吸引
源２４と、該負圧吸引源２４に接続されたチャンバ１５
ｂとから構成されている。負圧吸引源２４は、上記排気
装置１９と同様に、チャンバ１５ｂ内のエアが層流状態
で移動し、該チャンバ１５ｂ内に空気ゆらぎが発生しな
い程度の出力でエア吸引するようになっている。The suction device 23 includes a negative pressure suction source 24 such as a vacuum pump and a chamber 15 connected to the negative pressure suction source 24.
b. Like the exhaust device 19, the negative pressure suction source 24 sucks air at such an output that the air in the chamber 15b moves in a laminar flow state and no air fluctuation occurs in the chamber 15b. .

【００５０】チャンバ１５ｂは、投影光学系（投影レン
ズ）９の下端部に、ウエハＷとの間に微小隙間をあけて
一体的に支持されている。この微小隙間は、ウエハステ
ージ１０の上下移動時のぶれ量も考慮して、チャンバ１
５ｂとウエハＷとが常に離間する距離に設定されてい
る。The chamber 15b is integrally supported at the lower end of the projection optical system (projection lens) 9 with a small gap between the chamber 15b and the wafer W. The minute gap is determined by taking into account the amount of shake when the wafer stage 10 moves up and down.
The distance is set such that 5b and the wafer W are always separated from each other.

【００５１】図１０に示すように、チャンバ１５ｂは、
上縁が投影光学系９に支持される断面円形の周壁部１６
ｂと、該周壁部１６ｂの下縁に、ウエハＷに対向して設
けられた円盤状の底壁部３２ｂと、該底壁部３２ｂの上
方に配置され、該底壁部３２ｂとの間に吸引空間２１を
形成する内壁部２２ｂとから構成されている。そして、
上記負圧吸引源２４は、露光光Ｂの光路近傍に設けられ
た吸引空間２１内のエアを吸引するように、吸引管２５
を介して接続されている。As shown in FIG. 10, the chamber 15b
Circumferential wall portion 16 having a circular cross section whose upper edge is supported by projection optical system 9
b, a disc-shaped bottom wall 32b provided on the lower edge of the peripheral wall 16b so as to face the wafer W, and disposed above the bottom wall 32b and between the bottom wall 32b. And an inner wall portion 22b that forms the suction space 21. And
The negative pressure suction source 24 draws air in a suction tube 25 so as to suck air in a suction space 21 provided near the optical path of the exposure light B.
Connected through.

【００５２】内壁部２２ｂには、露光光Ｂへ接近するに
したがって漸次下方へ向くように延出する延出部２６が
設けられている。そして、延出部２６および底壁部３２
ｂには、露光光Ｂの通過範囲よりも大径の貫通孔２７，
２８がそれぞれ形成され、露光に影響を与えない構成に
なっている。さらに、底壁部３２ｂに形成された貫通孔
２８は、貫通孔２７よりも大径に設定されている。すな
わち、延出部２６は、底壁部３２ｂに対して露光光Ｂ側
に突出するように延出している。また、貫通孔２７，２
８の存在により、吸引空間２１には、露光光Ｂの周囲を
取り囲むように開口する飛散物質吸引口２９が形成され
る。他の構成は、上記第１の実施の形態と同様である。The inner wall portion 22b is provided with an extending portion 26 extending gradually downward as it approaches the exposure light B. Then, the extension portion 26 and the bottom wall portion 32
b, the through-holes 27 having a diameter larger than the passing range of the exposure light B,
28 are formed so as not to affect the exposure. Further, the diameter of the through hole 28 formed in the bottom wall portion 32 b is larger than that of the through hole 27. That is, the extension portion 26 extends so as to project toward the exposure light B with respect to the bottom wall portion 32b. Also, the through holes 27 and 2
Due to the presence of 8, a scattered substance suction port 29 is formed in the suction space 21 so as to surround the periphery of the exposure light B. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【００５３】なお、周壁部１６ｂは、焦点検出系１１で
用いられる計測光が透過可能な石英等の硝材で形成され
ている。The peripheral wall portion 16b is formed of a glass material such as quartz through which measurement light used in the focus detection system 11 can pass.

【００５４】上記の構成の投影露光装置１では、負圧吸
引源２４を作動させると、ウエハＷの上面１８側のエア
を飛散物質吸引口２９から吸引空間２１へ吸入するエア
の流れが形成される。そして、露光光Ｂの入射によりウ
エハＷの上面１８側に発生したガスや微粒子等の飛散物
は、この流れに沿って飛散物質吸引口２９から吸引空間
２１へ吸入・除去される。In the projection exposure apparatus 1 having the above structure, when the negative pressure suction source 24 is operated, a flow of air for sucking the air on the upper surface 18 side of the wafer W from the scattered substance suction port 29 into the suction space 21 is formed. You. Then, scattered substances such as gas and fine particles generated on the upper surface 18 side of the wafer W by the incidence of the exposure light B are sucked and removed from the scattered substance suction port 29 into the suction space 21 along the flow.

【００５５】本実施の形態の投影露光装置でも、上記第
１の実施の形態と同様に、露光光Ｂの入射により発生し
た飛散物を吸引・除去できるので、これらの飛散物が投
影光学系９に付着して露光精度を低下させてしまうとい
う事態を未然に防ぐことができる。また、飛散物質吸引
口２９は、露光光Ｂの近傍に、該露光光Ｂの周囲を取り
囲むように開口しているので、露光処理に支障を来すこ
となく上記飛散物を効率的に吸引・除去することができ
る。In the projection exposure apparatus of this embodiment, as in the case of the first embodiment, the scattered objects generated by the incidence of the exposure light B can be sucked and removed. It is possible to prevent a situation in which the exposure accuracy is deteriorated due to adhesion to the substrate. Further, since the scattered substance suction port 29 is opened in the vicinity of the exposure light B so as to surround the periphery of the exposure light B, the scattered substance can be efficiently sucked and prevented without hindering the exposure processing. Can be removed.

【００５６】また、本実施の形態の投影露光装置では、
チャンバ１５ｂが投影光学系９に支持されているので、
一度チャンバ１５ｂを投影光学系９に装着してしまえ
ば、露光毎にウエハＷやウエハステージ１０にチャンバ
を取り付ける必要がなくなる。そのため、ウエハＷ毎の
チャンバ搬送にかかる工程時間を削減することができ、
スループットを向上させることができるとともに、チャ
ンバ搬送機構を設ける必要がなくなるので、装置の小型
化およびコストダウンも実現することができる。In the projection exposure apparatus of the present embodiment,
Since the chamber 15b is supported by the projection optical system 9,
Once the chamber 15b is mounted on the projection optical system 9, there is no need to mount the chamber on the wafer W or wafer stage 10 for each exposure. Therefore, it is possible to reduce the process time required for the chamber transfer for each wafer W,
The throughput can be improved, and it is not necessary to provide a chamber transfer mechanism, so that the size and cost of the apparatus can be reduced.

【００５７】また、本実施の形態の投影露光装置では、
延出部２６が底壁部３２ｂよりも露光光Ｂ側に突出し、
且つ露光光Ｂへ接近するにしたがって漸次下方に向くよ
うに延出しているので、露光光Ｂの入射により発生し、
投影光学系９へ向けて上昇する飛散物質を飛散物質吸引
口２９へ向けて誘導しやすくなり、飛散物質を効果的に
除去することができるようになる。In the projection exposure apparatus of the present embodiment,
The extending portion 26 projects more toward the exposure light B than the bottom wall portion 32b,
In addition, since it extends so as to gradually face downward as approaching the exposure light B, it is generated by the incidence of the exposure light B,
The scattered substance rising toward the projection optical system 9 is easily guided toward the scattered substance suction port 29, and the scattered substance can be effectively removed.

【００５８】なお、本実施の形態では、吸引空間２１を
チャンバ１５ｂにより構成したが、必ずしもチャンバ１
５ｂを設ける必要はなく、飛散物質吸引口２９を露光光
Ｂの近傍に設ければ、投影光学系９以外の部材に支持さ
れた別部材に吸引空間２１を設けるような構成であって
もよい。In the present embodiment, the suction space 21 is constituted by the chamber 15b.
If the scattering substance suction port 29 is provided in the vicinity of the exposure light B, the suction space 21 may be provided in another member supported by members other than the projection optical system 9. .

【００５９】図１１は、本発明の投影露光装置の第６の
実施の形態を示す図である。この図において、図９およ
び図１０に示す第５の実施の形態の構成要素と同一の要
素については同一符号を付し、その説明を省略する。
（なお、図１１においては、焦点検出系１１の投光系１
３、受光系１４の表示を省略している。）第６の実施の
形態と上記の第５の実施の形態とが異なる点は、投影光
学系９側からウエハＷの上面１８へ向けてガスを送出す
るガス送出装置３０を設けたことである。FIG. 11 is a view showing a sixth embodiment of the projection exposure apparatus of the present invention. In this figure, the same components as those of the fifth embodiment shown in FIGS. 9 and 10 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
(Note that in FIG. 11, the light projecting system 1 of the focus detecting
3. The display of the light receiving system 14 is omitted. The difference between the sixth embodiment and the fifth embodiment is that a gas delivery device 30 for delivering gas from the projection optical system 9 side to the upper surface 18 of the wafer W is provided. .

【００６０】図１１に示すように、ガス送出装置３０
は、投影光学系９を収納する鏡筒の下端部の外周面に設
けられたガス供給路３１と、該ガス供給路３１を介して
窒素、Ｈｅ等の光学的に不活性なガスを供給するガス供
給源（不図示）とから構成されている。ガス供給路３１
は、上方から下方へ向かうにしたがって、漸次露光光Ｂ
に接近するように傾斜して配置されている。他の構成
は、上記第５の実施の形態と同様である。As shown in FIG. 11, the gas delivery device 30
Supplies a gas supply path 31 provided on the outer peripheral surface of the lower end of the lens barrel that houses the projection optical system 9, and supplies an optically inert gas such as nitrogen or He via the gas supply path 31. And a gas supply source (not shown). Gas supply path 31
Indicates that the exposure light B gradually increases from the top to the bottom.
It is arranged to be inclined so as to approach. Other configurations are the same as those in the fifth embodiment.

【００６１】本実施の形態の投影露光装置では、上記第
５の実施の形態と同様の作用・効果が得られることに加
えて、投影光学系９とウエハＷとの間のエアを除去して
不活性なガスに置換することができるので、酸素により
露光光Ｂの光量（エネルギ量）が低下してしまうことを
防止できる。In the projection exposure apparatus according to the present embodiment, the same operation and effect as those of the fifth embodiment are obtained, and the air between the projection optical system 9 and the wafer W is removed. Since the gas can be replaced with an inert gas, it is possible to prevent the light amount (energy amount) of the exposure light B from being reduced by oxygen.

【００６２】また、本実施の形態の投影露光装置では、
ガス供給路３１からウエハＷへ向けて送出された不活性
ガスの流れがダウンフローになるので、この不活性ガス
の濃淡によるゆらぎを減少させることもでき、またガス
濃度にも効果的である。なお、この吸引装置２３は必ず
しも必要ではなく、ガス送出装置３０のみが設けられる
構成であってもよい。In the projection exposure apparatus of the present embodiment,
Since the flow of the inert gas sent out from the gas supply path 31 to the wafer W becomes downflow, the fluctuation due to the concentration of the inert gas can be reduced, and the gas concentration is also effective. Note that the suction device 23 is not necessarily required, and a configuration in which only the gas delivery device 30 is provided may be employed.

【００６３】なお、上記実施の形態において、投影光学
系９の下端部に支持されたチャンバ１５ｂがウエハＷと
微小隙間をあけて配置される構成としたが、チャンバ１
５ｂ内に少なくともウエハＷを密封収納する構成であっ
てもよい。この場合、ウエハＷの移動は、チャンバ１５
ｂの外に設けた駆動源によって行う。例えば、チャンバ
１５内にウエハＷと、該ウエハＷを保持し、且つ裏面に
磁石が設けられたウエハホルダとを収納し、さらに上記
磁石と対向するチャンバ１５ｂの外側に該磁石を移動さ
せる駆動機構（磁気コイル等）を設けるような構成であ
ってもよい。In the above embodiment, the chamber 15b supported by the lower end of the projection optical system 9 is arranged with a small gap from the wafer W.
A configuration may be adopted in which at least the wafer W is hermetically accommodated in 5b. In this case, the movement of the wafer W is
This is performed by a drive source provided outside of b. For example, a drive mechanism (a drive mechanism that accommodates the wafer W in the chamber 15 and a wafer holder that holds the wafer W and has a magnet on the back surface, and that moves the magnet to the outside of the chamber 15b facing the magnet) A magnetic coil or the like may be provided.

【００６４】また、上記実施の形態において、不活性ガ
スとして、窒素やＨｅガスを用いて説明したが、他のガ
ス、例えば、水素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン、ラドン等の不活性ガスを用いてもよい。好まし
くは、化学的にクリーンなドライエア（レンズの曇りの
原因となる物質、例えば、クリーンルーム内を浮遊する
アンモニウムイオン等が除去されたエア、又は湿度が５
％以下のエア）を用いてもよい。Further, in the above embodiment, the description has been made using nitrogen or He gas as the inert gas. However, other gases such as hydrogen, neon, argon, krypton, xenon, and radon may be used. May be used. Preferably, dry air that is chemically clean (e.g., air from which substances that cause lens fogging, such as ammonium ions floating in a clean room, or humidity of 5%) is used.
% Of air).

【００６５】また、チャンバ内に不活性ガスを供給する
場合、チャンバ内の圧力が微妙に変化して露光光Ｂの屈
折率に影響を及ぼす可能性があるが、この場合、チャン
バ内の圧力を検知する検知手段を設け、検知手段の検知
結果をフィードバックすることでチャンバ内の圧力を補
正したり、パターン倍率を補正するような構成としても
よい。When an inert gas is supplied into the chamber, the pressure in the chamber may slightly change to affect the refractive index of the exposure light B. In this case, the pressure in the chamber is reduced. It is also possible to provide a detecting means for detecting, and to feedback the detection result of the detecting means to correct the pressure in the chamber or to correct the pattern magnification.

【００６６】なお、基板としては、半導体デバイス用の
半導体ウエハのみならず、液晶ディスプレイデバイス用
のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、
あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの
原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。The substrates include not only semiconductor wafers for semiconductor devices, but also glass substrates for liquid crystal display devices, ceramic wafers for thin-film magnetic heads, and the like.
Alternatively, an original mask (synthetic quartz, silicon wafer) of a mask or a reticle used in an exposure apparatus is applied.

【００６７】投影露光装置１としては、マスクＭとウエ
ハＷとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光し、
ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・
リピート方式の投影露光装置（ステッパー）でも、マス
ク（レチクル）Ｍとガラス基板とを同期移動してマスク
Ｍのパターンを露光するステップ・アンド・スキャン方
式の走査型投影露光装置（スキャニング・ステッパー）
にも適用することができる。The projection exposure apparatus 1 exposes the pattern of the mask M while keeping the mask M and the wafer W stationary.
Step and move the wafer W step by step
In a repeat type projection exposure apparatus (stepper), a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus (scanning stepper) that exposes a pattern of the mask M by synchronously moving a mask (reticle) M and a glass substrate.
Can also be applied.

【００６８】投影露光装置１の種類としては、上記半導
体製造用のみならず、液晶ディスプレイデバイス製造用
の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あ
るいはマスク、レチクルなどを製造するための露光装置
などにも広く適用できる。The types of the projection exposure apparatus 1 include not only the above-described semiconductor manufacturing apparatus, but also an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display device, an exposure apparatus for manufacturing a thin-film magnetic head, an image sensor (CCD) or a mask, a reticle, and the like. It can be widely applied to devices and the like.

【００６９】また、照明光学系７の光源として、ＫｒＦ
エキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（１５７ｎｍ）、Ｘ線など
を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導体レ
ーザ等の高周波などを用いてもよい。The light source of the illumination optical system 7 is KrF
An excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), an F 2 laser (157 nm), X-rays, or the like can be used. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.

【００７０】投影光学系９の倍率は、縮小系、等倍およ
び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系９として
は、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材
として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用
い、Ｆ2レーザを用いる場合は反射屈折系または屈折系
の光学系にする。The magnification of the projection optical system 9 may be any of a reduction system, an equal magnification and an enlargement system. Further, as the projection optical system 9, when using a far ultraviolet rays such as an excimer laser using a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz and fluorite as glass material, a catadioptric or refractive system when using a F 2 laser Use an optical system.

【００７１】ウエハステージ１０やマスクステージ８に
リニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いた
エア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を
用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ス
テージ８，１０は、ガイドに沿って移動するタイプでも
よく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよ
い。When a linear motor is used for the wafer stage 10 and the mask stage 8, either an air levitation type using an air bearing or a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. Each of the stages 8 and 10 may be of a type that moves along a guide, or may be a guideless type that does not have a guide.

【００７２】ウエハステージ１０の移動により発生する
反力は、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃
がしてもよい。マスクステージ８の移動により発生する
反力は、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃
がしてもよい。The reaction force generated by the movement of the wafer stage 10 may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member. The reaction force generated by the movement of the mask stage 8 may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member.

【００７３】複数の光学素子から構成される照明光学系
７および投影光学系９をそれぞれ露光装置本体に組み込
んでその光学調整をするとともに、多数の機械部品から
なるマスクステージ８やウエハステージ１０を露光装置
本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整
（電気調整、動作確認等）をすることにより本実施の形
態の投影露光装置１を製造することができる。なお、投
影露光装置１の製造は、温度およびクリーン度等が管理
されたクリーンルームで行うことが望ましい。The illumination optical system 7 and the projection optical system 9 each composed of a plurality of optical elements are incorporated into the exposure apparatus main body to perform optical adjustment, and the mask stage 8 and the wafer stage 10 composed of many mechanical parts are exposed. The projection exposure apparatus 1 according to the present embodiment can be manufactured by attaching wires and pipes to the apparatus main body, and performing overall adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, and the like). The production of the projection exposure apparatus 1 is desirably performed in a clean room in which temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【００７４】半導体デバイスや液晶表示素子等のデバイ
スは、各デバイスの機能・性能設計を行うステップ、こ
の設計ステップに基づいたマスクＭを製作するステッ
プ、ウエハＷ、ガラス基板等を製作するステップ、前述
した実施の形態の投影露光装置１によりマスクＭのパタ
ーンをウエハＷ、ガラス基板に露光するステップ、各デ
バイスを組み立てるステップ、検査ステップ等を経て製
造される。For devices such as semiconductor devices and liquid crystal display elements, there are steps of designing the function and performance of each device, steps of manufacturing a mask M based on the design steps, steps of manufacturing a wafer W, a glass substrate, and the like. It is manufactured through the steps of exposing the pattern of the mask M on the wafer W and the glass substrate, assembling each device, and inspecting, etc. by the projection exposure apparatus 1 of the above-described embodiment.

【００７５】[0075]

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る投
影露光装置は、チャンバが露光光を透過させ、且つ基板
の感光剤塗布面を少なくとも収納する構成となってい
る。これにより、この投影露光装置では、高エネルギの
露光光が入射した際に発生し周囲の構成物、例えば投影
光学系に付着して当該投影光学系に悪影響を及ぼすガ
ス、微粒子等の飛散物質をチャンバ内に密封することが
できるため、これらのガス、微粒子が投影光学系に付着
して露光精度を低下させてしまうという事態を未然に防
ぐことができるという優れた効果を奏する。As described above, in the projection exposure apparatus according to the first aspect, the chamber transmits the exposure light, and at least accommodates the photosensitive agent coated surface of the substrate. Thereby, in this projection exposure apparatus, scattered substances such as gas and fine particles, which are generated when high-energy exposure light is incident and adhere to the projection optical system and adversely affect the projection optical system, are generated. Since the inside of the chamber can be sealed, there is an excellent effect that it is possible to prevent a situation in which these gases and fine particles adhere to the projection optical system and lower the exposure accuracy.

【００７６】請求項２に係る投影露光装置は、チャンバ
が基板に取り付けられる構成となっている。これによ
り、この投影露光装置では、チャンバ用の搬送装置を内
部に設けることなく、投影露光装置と分離して配置する
ことが可能になり、投影露光装置が必要以上に大きくな
ってしまうことを防止でき、装置の小型化が実現すると
いう効果が得られる。また、チャンバの厚さを薄くする
ことで、チャンバ搬送装置を設置するに当たって基板搬
送装置および基板ローダをチャンバに対応させるように
別途新設することなく、従来から設置されているものを
そのまま用いることができるという効果も得られる。The projection exposure apparatus according to claim 2 has a configuration in which the chamber is mounted on the substrate. As a result, the projection exposure apparatus can be disposed separately from the projection exposure apparatus without providing a transfer device for the chamber inside, thereby preventing the projection exposure apparatus from becoming unnecessarily large. Thus, the effect that the size of the apparatus can be reduced is obtained. In addition, by reducing the thickness of the chamber, when installing the chamber transfer device, the substrate transfer device and the substrate loader can be used as they are without being newly installed so as to correspond to the chamber. The effect that can be obtained is also obtained.

【００７７】請求項３に係る投影露光装置は、チャンバ
が、基板を保持する基板ステージに取り付けられる構成
となっている。これにより、この投影露光装置では、チ
ャンバ内の収納空間が大きいので、露光光の入射により
発生したチャンバ内のガスや微粒子の濃度を低く抑える
ことができるとともに、チャンバと基板とが直接接触し
ていないので、チャンバの搬送時に基板に傷等が発生す
ることも防げるという効果が得られる。The projection exposure apparatus according to the third aspect is configured such that the chamber is mounted on a substrate stage for holding a substrate. Accordingly, in this projection exposure apparatus, the storage space in the chamber is large, so that the concentration of gas and fine particles in the chamber caused by the incidence of exposure light can be kept low, and the chamber and the substrate are in direct contact. Therefore, it is possible to prevent the substrate from being damaged during the transfer of the chamber.

【００７８】請求項４に係る投影露光装置は、排気装置
がチャンバ内を排気する構成となっている。これによ
り、この投影露光装置では、露光光の入射により発生し
たチャンバ内のガスや微粒子を排気して除去することが
できるため、これらのガスや微粒子がチャンバに付着し
て露光精度に悪影響を及ぼしたり、露光光と光化学反応
を起こして露光光の露光エネルギ量を低下させるといっ
た事態を未然に防ぐことができるという効果が得られ
る。In the projection exposure apparatus according to the fourth aspect, the exhaust device exhausts the inside of the chamber. This allows the projection exposure apparatus to exhaust and remove gases and particles in the chamber generated by the exposure light, and these gases and particles adhere to the chamber and adversely affect exposure accuracy. The effect of reducing the amount of exposure energy of the exposure light by causing a photochemical reaction with the exposure light can be obtained.

【００７９】請求項５に係る投影露光装置は、置換ガス
供給装置がチャンバ内に置換ガスを供給する構成となっ
ている。これにより、この投影露光装置では、露光光の
入射により発生したチャンバ内のガスや微粒子を不活性
ガスで置換できるため、これらのガスや微粒子がチャン
バに付着して露光精度に悪影響を及ぼしたり、露光光と
光化学反応を起こして露光光の露光エネルギ量を低下さ
せるといった事態を未然に防ぐことができるとともに、
チャンバ内の酸素も排除するので、露光光のエネルギ量
が低下してしまうことも防止できるという効果が得られ
る。In a projection exposure apparatus according to a fifth aspect, the replacement gas supply device supplies a replacement gas into the chamber. Thus, in this projection exposure apparatus, the gas and fine particles in the chamber generated by the incidence of the exposure light can be replaced with the inert gas, so that these gases and fine particles adhere to the chamber and adversely affect the exposure accuracy, It is possible to prevent a situation in which a photochemical reaction occurs with the exposure light and the amount of exposure energy of the exposure light is reduced, and
Since oxygen in the chamber is also eliminated, the effect of preventing the energy amount of the exposure light from being reduced can be obtained.

【００８０】請求項６に係る投影露光装置は、吸引装置
が基板の感光剤塗布面側のエアを吸引する構成となって
いる。これにより、この投影露光装置では、光エネルギ
の露光光の入射により発生したガス、微粒子等の飛散物
を吸引・除去できるので、これらの飛散物が周囲の構成
物、例えば投影光学系に付着して露光精度を低下させて
しまうという事態を未然に防ぐことができるという効果
が得られる。The projection exposure apparatus according to claim 6 is configured such that the suction device suctions air on the photosensitive agent application surface side of the substrate. Thus, in this projection exposure apparatus, scattered matters such as gas and fine particles generated by the incidence of the exposure light of light energy can be sucked and removed, and these scattered matters adhere to surrounding components, for example, a projection optical system. This can prevent the situation that the exposure accuracy is lowered, thereby preventing the situation.

【００８１】請求項７に係る投影露光装置は、吸引装置
が露光光の光路近傍に配置される構成となっている。こ
れにより、この投影露光装置では、露光光による露光処
理に支障を来すことなく、ガス、微粒子等の飛散物を効
率的に吸引・除去できるという効果が得られる。The projection exposure apparatus according to claim 7 has a structure in which the suction device is arranged near the optical path of the exposure light. As a result, the projection exposure apparatus has an effect that scattered matters such as gas and fine particles can be efficiently suctioned and removed without hindering the exposure processing using the exposure light.

【００８２】請求項８に係る投影露光装置は、ガス送出
装置が、投影光学系側から感光剤塗布面側へ向けてガス
を送出する構成となっている。これにより、この投影露
光装置では、投影光学系と基板の感光剤塗布面との間の
エアを除去して不活性なガスに置換することができるの
で、酸素により露光光のエネルギ量が低下してしまうこ
とを防止できるとともに、不活性ガスの流れが露光光の
光軸と略平行になるので、この不活性ガスの濃淡による
ゆらぎを減少させることもできるという効果が得られ
る。The projection exposure apparatus according to claim 8 is configured such that the gas delivery device delivers gas from the projection optical system side to the photosensitive agent application surface side. Thus, in this projection exposure apparatus, the air between the projection optical system and the photosensitive agent coated surface of the substrate can be removed and replaced with an inert gas, so that the energy amount of exposure light is reduced by oxygen. In addition, since the flow of the inert gas becomes substantially parallel to the optical axis of the exposure light, the fluctuation due to the concentration of the inert gas can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す図であっ
て、ウエハにチャンバが取り付けられた断面図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view in which a chamber is attached to a wafer.

【図２】 同外観斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the appearance.

【図３】 本発明の第１の実施の形態を示す図であっ
て、ウエハにチャンバが取り付けられた投影露光装置の
概略構成図である。FIG. 3 is a view showing the first embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus in which a chamber is attached to a wafer.

【図４】 本発明の第２の実施の形態を示す図であっ
て、ウエハに取り付けられたチャンバに排気装置、置換
ガス供給装置が接続された投影露光装置の概略構成図で
ある。FIG. 4 is a view showing a second embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus in which an exhaust device and a replacement gas supply device are connected to a chamber attached to a wafer.

【図５】 図４における要部の詳細図である。FIG. 5 is a detailed view of a main part in FIG. 4;

【図６】 本発明の第３の実施の形態を示す図であっ
て、チャンバがウエハステージに取り付けられた投影露
光装置の概略構成図である。FIG. 6 is a view showing a third embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus in which a chamber is mounted on a wafer stage.

【図７】 図６における要部の詳細図である。FIG. 7 is a detailed view of a main part in FIG. 6;

【図８】 本発明の第４の実施の形態を示す図であっ
て、ウエハステージに取り付けられたチャンバに排気装
置、置換ガス供給装置が接続された断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a fourth embodiment of the present invention, in which an exhaust device and a replacement gas supply device are connected to a chamber attached to a wafer stage.

【図９】 本発明の第５の実施の形態を示す図であっ
て、吸引装置が設けられた投影露光装置の概略構成図で
ある。FIG. 9 is a view showing a fifth embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus provided with a suction device.

【図１０】 図９における要部の詳細図である。FIG. 10 is a detailed view of a main part in FIG. 9;

【図１１】 本発明の第６の実施の形態を示す図であっ
て、吸引装置およびガス送出装置が設けられた投影露光
装置の要部の詳細図である。FIG. 11 is a view showing a sixth embodiment of the present invention, and is a detailed view of a main part of a projection exposure apparatus provided with a suction device and a gas delivery device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｋ レジスト（感光剤） Ｍ マスク Ｗ ウエハ（基板） １ 投影露光装置 ９ 投影光学系（投影レンズ） １０ ウエハステージ（基板ステージ） １５、１５ａ、１５ｂ チャンバ １８ 上面（感光剤塗布面） １９ 排気装置 ２０ 置換ガス供給装置 ２３ 吸引装置 ３０ ガス送出装置 K Resist (photosensitive agent) M Mask W Wafer (substrate) 1 Projection exposure device 9 Projection optical system (projection lens) 10 Wafer stage (substrate stage) 15, 15a, 15b Chamber 18 Top surface (photosensitive agent coated surface) 19 Exhaust device 20 Replacement gas supply device 23 Suction device 30 Gas delivery device

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 感光剤を塗布した基板に、露光光により
マスクのパターンを投影露光する投影露光装置におい
て、 前記露光光を透過させるとともに、前記基板の前記感光
剤塗布面を少なくとも収納するチャンバを備えてなるこ
とを特徴とする投影露光装置。1. A projection exposure apparatus for projecting and exposing a pattern of a mask on a substrate coated with a photosensitive agent using exposure light, wherein a chamber for transmitting the exposure light and at least accommodating the photosensitive agent application surface of the substrate. A projection exposure apparatus, comprising: 【請求項２】 請求項１記載の投影露光装置において、 前記チャンバは、前記基板に取り付けられることを特徴
とする投影露光装置。2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the chamber is attached to the substrate. 【請求項３】 請求項１記載の投影露光装置において、 前記チャンバは、前記基板を保持する基板ステージに取
り付けられることを特徴とする投影露光装置。3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the chamber is mounted on a substrate stage that holds the substrate. 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の投影
露光装置において、 前記チャンバ内を排気する排気装置を備えてなることを
特徴とする投影露光装置。4. The projection exposure apparatus according to claim 1, further comprising an exhaust device that exhausts the inside of the chamber. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の投影
露光装置において、 前記チャンバ内に置換ガスを供給する置換ガス供給装置
を備えてなることを特徴とする投影露光装置。5. The projection exposure apparatus according to claim 1, further comprising a replacement gas supply device that supplies a replacement gas into the chamber. 【請求項６】 感光剤を塗布した基板に、露光光により
マスクのパターンを投影光学系を介して投影露光する投
影露光装置において、 前記基板の前記感光剤塗布面側のエアを吸引する吸引装
置を備えてなることを特徴とする投影露光装置。6. A projection exposure apparatus for projecting and exposing a mask pattern on a substrate coated with a photosensitive agent by exposure light via a projection optical system, wherein a suction device for sucking air on the photosensitive agent application surface side of the substrate. A projection exposure apparatus comprising: 【請求項７】 請求項６記載の投影露光装置において、 前記吸引装置は、前記露光光の光路近傍に配置されてい
ることを特徴とする投影露光装置。7. The projection exposure apparatus according to claim 6, wherein the suction device is disposed near an optical path of the exposure light. 【請求項８】 請求項６または７記載の投影露光装置に
おいて、 前記投影光学系側から前記感光剤塗布面へ向けてガスを
送出するガス送出装置を備えてなることを特徴とする投
影露光装置。8. The projection exposure apparatus according to claim 6, further comprising a gas delivery device that delivers gas from the projection optical system side to the photosensitive agent application surface. .
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