JP2000188077A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
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- JP2000188077A JP2000188077A JP10364058A JP36405898A JP2000188077A JP 2000188077 A JP2000188077 A JP 2000188077A JP 10364058 A JP10364058 A JP 10364058A JP 36405898 A JP36405898 A JP 36405898A JP 2000188077 A JP2000188077 A JP 2000188077A
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Abstract
ス以外の情報取得、特定の結晶方位に配向した粒子のコ
ントラスト向上あるいは基板からの結晶方位のずれの観
察などを可能とした走査電子顕微鏡を提供する。 【解決手段】1段目検出器絞り12aおよび2段目検出
器絞り12bによって電子線回折図形の特定の回折スポ
ット位置にマスクし、マスクを通過した電子線強度を検
出することによって走査透過像において試料マトリクス
以外の部分の情報を効率よく画像化する。
Description
度分布の対称性を用いて試料マトリクスの結晶方位から
のずれを画像化することを可能とした走査電子顕微鏡に
関する。
トリクス中の異物の検出方法は、例えばアプライド フ
ィジクス(Applied Physics)A,第57巻(1993
年),第385頁から第391頁あるいは特開昭52―
16160に開示されている。
用いて走査透過像を観察し、高角度に散乱された電子線
が原子の種類に依存するコントラストを有することを利
用して、試料マトリクスと異物とのコントラストの違い
から異物を検出するものである。また、従来の走査電子
顕微鏡像を用いた結晶構造の解析は、高角度に散乱され
た電子線を用いて走査透過像を観察した場合、結晶構造
と1対1に対応する像が得られることを利用して、20
0万倍以上の高倍率で原子配列を直接観察して行なって
いる。
マトリクス中の異物の検出は、走査透過像を観察し、そ
の画像コントラストから異物の有無を判断する。しか
し、高角度に散乱された電子線を用いても試料マトリク
スからの回折電子線強度が電子線回折図形の強度分布に
おいて支配的であり、異物の量が微小な場合には検出が
ほとんど不可能である。また、高角度に散乱された電子
線の強度は非常に小さく、異物の量が微小でなくても高
角度においては異物からの散乱電子線強度は極めて小さ
くなるために画像のS/Nが悪く、検出が難しい。
構造解析法では、高倍率で直接原子配列を観察する方法
であるために、装置の高安定性が必要で、かつ電子線を
原子配列の間隔以下の微小プローブにまで収束する必要
がある。このような高精度の解析は装置が安定するまで
に長時間を要するため能率が悪く、かつ精密な光学条件
でプローブを形成しなくてはならず、高度な専門知識を
必要とする。また、得られる高倍率の像では、その観察
し得る試料の領域はせいぜい50nm角であり、μmオ
ーダの広範囲での結晶構造の解析は不可能である。
微鏡法では、画像のコントラストに寄与する電子線が主
として試料マトリクスからの回折電子線であり、試料マ
トリクスに含まれる微量な異物をコントラストとして検
出することが難しい。また高角度に散乱された電子線を
用いて走査透過像を得る方法では異物のコントラストを
向上させることができるが、高角度に散乱された電子線
は数が少ないために画像のS/Nが悪く実効的な検出感
度は低角度散乱電子を用いた場合と比較して大差ない。
解析法は、高倍率で直接原子配列が観察可能であるが、
高倍率で像を観察する装置条件や光学条件を設定するた
めに、非常に高度な知識と熟練を要していた。また原子
配列は高倍率でしか観察できないので、一度に解析し得
る試料の領域はかなり小さい。
走査透過像を観察し、異物を検出する際に、電子線回折
図形中の試料マトリクスからの回折電子線をカットし、
低角度側での異物からの回折電子線を選択的に、かつ高
S/Nで検出することにより、走査透過像中での異物の
コントラストを向上させ、また、特定の回折電子線を選
択的に検出することによって観察したい結晶方位を持つ
部分や粒子を高コントラストで観察することができ、電
子線回折図形の対称性を利用して試料マトリクスの結晶
方位からのずれをコントラストとして画像化できる走査
電子顕微鏡装置を提供することにある。
に、本発明は電子源より発生した電子線を高エネルギに
するための1段以上の静電レンズと、サブナノメータの
微小なプローブを形成するための1段以上の収束レンズ
と対物レンズと、対物レンズ中で試料を保持するための
試料ホルダーと、上記プローブを試料面上で2次元に走
査するための1段以上の偏向コイルと、試料によって散
乱された電子線強度を上記偏向コイルの走査と同期して
検出し、上記電子線強度を輝度に変調して走査透過像を
得るための検出器を具備した電子顕微鏡において、電子
線検出器の上部に1段以上のマスク絞りを設置し、それ
らを用いて電子線回折図形の特定の回折電子線をマスク
し、走査透過像における観察目的とする、例えば基板中
の異物を高コントラストで観察できるようにする。
電子を選択的に検出し、例えば多結晶材料中の特定結晶
方位の粒子のみを観察できるようにする。また、電子線
検出器を2分割して電子線回折図形の左右の強度分布を
それぞれ独立に検出し、それらを割り算することによっ
て、例えば特定部分の試料マトリクスの結晶方位からの
ずれをコントラストとして検出する。
料マトリクスの情報を低減し、試料に含まれる試料マト
リクス以外の情報を効率よく抽出した走査透過像を得る
方法を説明する。
である。電子線源1から発生した電子線を2aから2c
までに示す多段の静電レンズによって所定の加速電圧ま
で加速する。1段あたりの加速電圧を30kV程度に設
定して各段のレンズに印加する電圧を変化させることに
より最終的な電子線の加速電圧を変化させることができ
る。所定の加速電圧まで加速された電子線は1段目収束
レンズ3aおよび2段目収束レンズ3bによって縮小さ
れる。
ンズ3bの電流励磁の組み合わせを変化させることによ
って電子線の縮小率を任意に変化させることができる。
さらに、強励磁に設定した前磁場対物レンズ4によって
電子線は縮小され、最終的にはサブナノメータ径のプロ
ーブが試料5上に形成される。2段目収束レンズ3b下
部に設置した収束絞り6によりプローブの開き角を変化
させ、プローブ径に及ぼす回折収差および球面収差のバ
ランスを調整することができる。
子線回折図形を形成する。後磁場対物レンズ7の下段に
設置した1段目投影レンズ8aおよび2段目投影レンズ
8bの電流励磁を変化させることによって、電子線回折
図形の倍率を任意に変化させて電子線検出器9に投影す
ることができる。電子線検出器9は電子線強度を光の強
度に変換するための円盤状のシンチレータとその光の強
度を増幅し、電流信号に変換する光電子倍増管から構成
されており、シンチレータと光電子倍増管の間には石英
のライトガイドが設置され、光電子倍増管の後にはプリ
アンプ18が設置されている。
段目検出器アライメントコイル10a、2段目検出器ア
ライメントコイル10bは電子線回折図形の電子線検出
器9に対する位置合わせのために用いる。電子線検出器
9の下部には撮像装置11が設置されており、電子線回
折図形を実時間で観察できるようなCCDカメラ等が用
いられる。この撮像装置11を用いる時には電子線検出
器9に設置されたニュウマティックドライブ方式の駆動
機構により電子線検出器9を光軸から外す。2段目投影
レンズ8b下部には1段目検出器絞り12a、2段目検
出器絞り12bが設置されている。これらは4段階程度
に可動できる絞りであり、電子線回折図形のパターンや
丸穴など多種類のマスクパターンを持っており、試料マ
トリクスの結晶構造や入射方位等が様々に変化した場合
に対応可能となっている。
りプローブを試料5上で2次元的に走査し、それに同期
して電子線検出器9での信号を像強度に輝度変調して行
なう。この時、像強度はA/Dコンバータ14の出力を
基にデジタルの画像ファイルとして記録される。一連の
操作における全てのレンズ、コイル、検出器の制御はC
PU15がD/Aコンバータ16を介して行ない、イン
ターフェース17を通じて操作者が条件を設定する。
と検出器絞りの使用方法について説明する。図2は試料
5を透過した電子線が対物後磁場レンズ7によって像面
22に結像される様子を示したものである。ここで、プ
ローブの入射方向と平行に進行する透過電子線19とそ
れと異なる方向に進行する回折電子線20は対物後磁場
レンズ7によって進行方向が変えられる。後焦点面21
では試料透過後に進行する方向が同じ電子線が1点に収
束する。すなわち、この後焦点面21においては試料で
回折された角度に依存して電子線が分散する電子線回折
図形が結像される。
物面としてそれに1対1に対応する像面22を形成す
る。プローブの平行走査に伴い像面22に結像される像
はプローブの走査と同期して平行移動し、後焦点面21
に結像される像は移動しない。よって走査透過像を観察
する場合に、プローブ位置に依存する情報を抽出するた
めには、1段目投影レンズ8aの焦点を後焦点面21に
合わせ、後焦点面21に結像される電子線回折図形を電
子線検出器9に結像する。さらに、2段目投影レンズ8
bを用いて1段目投影レンズ8aの像面50を拡大ある
いは縮小して電子線検出器9上に投影することによって
走査透過像の検出角度範囲を変えることができる。
ズ8b下部に設置してあり、特定の回折電子線をマスク
する働きをしている。この1段目検出器絞り12aによ
りマスクされた回折電子線51は電子線検出器9には到
達せず、マスクされない回折電子線52は到達するの
で、得られる走査透過像にはマスクされない回折電子線
52のみの情報が選択的に反映されることになる。
合に形成される電子線回折図形の特徴について説明す
る。透過電子顕微鏡を用いて電子線を試料に対して平行
に入射させて電子線回折図形を形成させた場合には、電
子線入射方向から見た結晶構造をフーリエ変換したもの
を2次元的に投影した図形が観察される。この図形は小
さなスポットが規則的に並んだ図形である。
線プローブ23を形成して試料5に入射した場合には、
透過電子線を中心として後焦点面21にディスクが規則
的に並んだ図形が得られる。平行照射ではスポットであ
ったものが、収束された電子線プローブ23の場合にデ
ィスクになるのは、電子線プローブ23の開き角24が
関連している。開き角24とは電子線を電磁レンズで収
束した場合、仮想的に円錐状に収束された電子線の外形
線と光軸とのなす角度であり、最終的には収束絞りによ
って回折収差と球面収差とのバランスを取るように調整
される。このように収束電子線を用いた場合には電子線
回折図形はディスク形状となるので、検出器絞りのマス
クパターンはディスクが並んだパターンを用意する必要
がある。
法について説明する。結晶試料のある晶帯軸と平行に電
子線を入射した場合には、後焦点面には透過電子線に対
応するディスクを中心として回転対称に回折ディスクが
並んだ図形が形成される。
つの異なる結晶方位で同じ開き角の電子線プローブが入
射した場合に形成される電子線回折図形を表わした模式
図である。それぞれの電子線入射方向で回転対称性、デ
ィスク間の距離が異なっている。このため、1種類の絞
りマスクパターンでは対応不可能なので、4段程度の可
動絞りを切り替えて用いる、または検出器絞りを複数段
にして対応する必要がある。ただし、試料の種類に応じ
てその数だけマスクパターンが必要となるわけではな
い。その理由として例えば、結晶構造が同一の物質では
電子線回折図形のパターンが同一で、ディスク間の間隔
のみが異なっている。これは結晶単位胞の長さのみが異
なるからである。
子線回折図形の倍率を変化させ、実際の回折図形とマス
クパターンが一致するようにすればよい。また例えば、
面心立方格子構造の〔001〕入射の場合の電子線回折
図形のパターンと図4に示したダイアモンド構造の〔0
01〕入射の場合の電子線回折図形のパターンは同一な
ので、上記と同様な方法で結晶単位胞の長さによるディ
スク間隔のずれだけを調整してやればよい。
過像を観察した場合の効果について説明する。図5は結
晶性基板中に微量の不純物が存在している場合について
電子線回折図形強度のある方向の角度分布を示すもので
ある。ここで、基板の結晶構造をダイアモンド構造、電
子線の入射方向を〔001〕と仮定している。不純物が
微量であることと、結晶性基板の晶帯軸に電子線が入射
しているため、電子線回折図形は透過電子線(000)
および基板結晶からの強い回折(220),(440)
等が支配的であり、不純物からの回折電子線は図に示す
ように基板からの回折電子線の中に埋もれている。
る部分をマスクし走査透過像を観察すれば、基板以外の
不純物のコントラストが向上し、検出しやすくなる。こ
の方法は基板結晶からの回折電子線と不純物からのそれ
とが重複してしまう場合、例えば格子定数が同一で特定
の電子線入射方向での回折パターンが同一の場合には適
用不可能であるが、電子線入射方向を変化させる等によ
り適応可能な条件を探索することができる。
る。図6は回折図形マスク用のパターンが施された検出
器絞りの外観図である。マスクパターンは厚さ0.3か
ら0.1mm程度のモリブデン等の金属板でできた検出
器絞り板26上に加工されており、透過および回折電子
線を除去するための電子線除去用板28がブリッジ29
によって検出器絞り板26上に固定されている。検出器
絞り板26は薄膜であり、絞りとしての強度を出すため
にねじ27によって検出器絞りベース板25に固定され
ている。図6に示した検出器絞りは電子線回折図形をマ
スクするためのパターンの一例であり、異なるパターン
が4種類程度並んでおり、手動あるいはエアー駆動によ
る出し入れにより可変できる。
例である。構造としては図6の場合と同様で検出器絞り
板26がねじ27によって検出器絞りベース板25に固
定されているものであり、検出器絞り板26に丸穴30
やスリット31が加工されている。丸穴30は特定の回
折電子線のみを通過させ、試料においてその方向に回折
を生じている部分を選択的に抽出する目的のためのマス
クパターンであり、スリット31は回折電子線の特定の
1方向を選択的に抽出するためのマスクパターンであ
る。
察目的とする部分からの回折電子線の後焦点面での位置
が既知である場合に、その位置に丸穴30を合わせるこ
とによって観察目的とする部分のコントラストを向上さ
せることができる。例えば、丸穴30を(111)回折
電子線位置に合わせることにより多結晶試料中で(11
1)結晶方位を持った粒子のみを観察できる。この特定
結晶方位の観察はスリット31を用いても可能であり、
この場合例えば(200)と(−200)の両方の回折
電子線を同時に選択できるので像コントラストが向上す
る。次に、電子線回折図形の検出器絞りおよび電子線検
出器への位置合わせの方法について説明する。
影レンズ8bによって拡大されて電子線検出器9に投影
される様子を示したものである。まず最初に、電子線検
出器9を光軸から外して撮像装置11によって電子線回
折図形を観察する。この電子線回折図形を観察しながら
1段目検出器絞り12aを光軸に挿入し、微調整つまみ
によって電子線回折図形と1段目検出器絞り12aのマ
スクパターンとの位置合わせをする。次に電子線検出器
9を光軸に挿入し走査透過像を表示させる。
ターンの位置に走査透過像が表示されるので、1段目検
出器アライメントコイル10aおよび2段目検出器アラ
イメントコイル10bを用いてマスクパターン上に表示
された走査透過像を像表示画面の中心と一致するように
調整する。これによって電子線回折図形の中心と電子線
検出器9との中心が一致することになる。1段目検出器
アライメントコイル10aおよび2段目検出器アライメ
ントコイル10bは偏向比率が1:1の振り戻しになる
ように設定されており、電子線回折図形が電子線検出器
9上で平行に移動するようになっている。
いて走査透過像を取得し、試料の結晶方位に関する情報
を効率よく抽出する方法を説明する。図9は左右2分割
した検出器の構造を示す上面図(a)と側面図(b)で
ある。検出器は中心部に電子線を通過させるための穴が
あり、左右の検出器を隔離するための遮光板36が配置
され、その左右に対称的に部品が組まれている。左右そ
れぞれの検出器はシンチレータ32、ライトガイド3
3、光電子倍増管34、プリアンプ35から構成されて
いる。
集され、割り算回路37で処理される。割り算された信
号は光電子倍増管高電圧調整および直流電圧加算回路3
8に送られ、さらに画像表示装置39によって走査透過
像として表示される。
査透過像を観察しながら光電子倍増管高電圧調整および
直流電圧加算回路38を調整し、観察像のコントラスト
を調整する。
いて走査透過像を取得する利点について説明する。図1
0は電子線検出器9上に結像される電子線回折図形を模
式的に表わしたものである。電子線の入射方向が基板の
結晶方位と一致している場合には(000)の透過電子
線を中心として左右の回折強度が同じになる。一方、電
子線の入射方向が基板の結晶方位と一致しない場合には
左右の回折強度が異なる。ここで、左右それぞれの回折
強度を独立に検出し、割り算を行なえば、結晶方位が一
致する場合にはコントラストが1に、一致しない場合に
は1以上となる(ただし、強度の大きい側を小さい側で
割った場合)。これを用いれば、ある特定の結晶方位か
らのずれの情報を画像化することができる。
わせ方法について説明する。まず、図8で説明した方法
と同様に電子線検出器9を光軸から外す。あるいはこの
左右2分割型の場合には中央の丸穴を電子線回折図形が
通過するように第2投影レンズ8bの電流励磁を調整す
る。この状態で撮像装置11を用いて電子線回折図形の
目的とする結晶方位を合わせる。次に偏向コイルにラス
ターローテーション信号を付加し、試料面上で走査領域
を回転させる。この操作に伴って電子線回折図形は回転
するので電子線検出器9に対して電子線回折図形が左右
対称となるように調整する。最後に電子線検出器9を光
軸に戻し、走査透過像を観察して電子線回折図形と検出
器の中心との合わせを行なう。このようにして調整すれ
ば、ある特定の結晶方位からのずれの情報を走査透過像
として画像化できる。
子線回折図形のパターンマスクや左右2分割で検出をす
る方法を説明する。図11はマルチチャンネル型検出器
40の模式図であり、左右2分割での検出を行なう場合
についての使用例である。図の1マスがそれぞれ1個の
チャンネルであり中央部を検出しないで、左右を独立に
割り算回路へ入力するように設定されている。これと同
様に回折図形のパターンマスクを行なうには、ある特定
のチャンネルを検出するように設定して行う。
けた真空フランジと鏡体との取り付け方法を表わす図で
ある。1段目および2段目検出器絞りは真空フランジ6
2の側面から光軸に挿入されるように配置され、電子線
検出器9の上部に配置される。真空フランジ62は投影
レンズコイル61下部の投影レンズ磁路60の下磁路部
分に真空シールされて配置される。
ールを介して大気側にあり外部からの制御によって検出
器絞りを駆動する。1段目検出器絞り駆動ロッド64a
は1段目検出器絞り駆動機構63aからの駆動制御を検
出器絞りに伝達するものであり、その先端に1段目検出
器絞りベース板65aが取り付けられ、その上に1段目
検出器絞り板66aがネジで固定されている。
目検出器絞りベース板65aおよび1段目検出器絞り板
66aは一体となって1段目検出器絞り駆動機構63a
からの駆動制御により光軸への並進移動をする。この並
進移動は4段階程度で段階的に駆動できるように調整し
てあり、1段目検出器絞り板66に形成された複数のマ
スクパターンが段階的に選択できる。
機構63b、2段目検出器絞り駆動ロッド64b、2段
目検出器絞りベース板65b、2段目検出器絞り板66
bから構成され、並進駆動機構等は1段目検出器絞りと
同様であり、1段目検出器絞りの下段に真空シールして
真空フランジ62に固定されている。2段目検出器絞り
板66bには1段目検出器絞り板66aとは異なるマス
クパターンが形成されており、2段目検出器絞り単独で
も使用可能である他に、1段目検出器絞りと2段目検出
器絞りとを組み合わせて使用することによって様々な応
用が可能となる。
出器絞りの取り付け方法および検出器絞りの微動機構を
表わす図である。電子線検出器は大気側にプリアンプ3
5が、真空側にシンチレータ32、ライトガイド33が
設置され、ハーメチック真空シールによって光電子倍増
管34が設置されている。その上部に検出器絞りが配置
される。検出器絞りはべローズ70によって真空シール
された検出器絞り微動用ロッド71を介して真空外から
微動制御される。検出器絞り微動用ロッド71の先端に
は検出器絞りベース板25および検出器絞り板26が設
置されている。
動つまみ72、検出器絞り並進微動つまみ73、検出器
絞り垂直微動つまみ74が設置され、検出器絞り板26
の光軸への軸調整を行うことができる。検出器絞り並進
微動つまみ73はその内部に歯車75および回転並進変
換用ギア76が設置されており、並進微動つまみ73の
回転運動を並進運動へ変換して検出器絞り微動用ロッド
71を駆動させている。検出器絞り並進微動つまみ7
3、検出器絞り垂直微動つまみ74は直接的に検出器絞
り微動用ロッド71につまみを押し当てる形で設置され
ており、てこの原理によって検出器絞り微動用ロッド7
1を微動させる。検出器絞り微動用ロッド71はばねを
内蔵した検出器絞り微動用ロッド押さえ77によって常
にテンションがかけられており、検出器絞り並進微動つ
まみ73、検出器絞り垂直微動つまみ74からの推進力
とのバランスを保ち、検出器絞り微動用ロッド71の安
定を保っている。
検出器絞りを設置し、その絞りを用いて試料マトリクス
からの回折電子線をマスクすることによって、走査透過
像における試料マトリクス以外の欠陥、不純物が高コン
トラストで観察できるようになる。また、丸穴やスリッ
ト状のマスクパターンを用いれば、特定の結晶方位に配
向した粒子のコントラストを向上できる。左右2分割し
た検出器を用い、左右それぞれの信号を割り算すること
によって試料マトリクスからの結晶方位のずれを走査透
過像におけるコントラストの違いとして画像化すること
ができる。
を示す概略縦断面図。
縦断面図。
形を示す斜視図。
位による電子線回折図形の違いを示す説明図。
図形の強度分布図。 (b)(a)の枠内の拡大図。
形と電子線検出器との位置合わせの方法を示す縦断面
図。
および側面図。
違いを示す説明図。
2分割で電子線強度を検出する方法を示す上面図。
磁路との取り付け方法を示す側面図および上面図。
取り付け方法および検出器絞りの微動機構を示す斜視
図。
静電レンズ、2c…3段目静電レンズ、3a…1段目収
束レンズ、3b…2段目収束レンズ、4…対物前磁場レ
ンズ、5…試料、6…収束絞り、7…対物後磁場レン
ズ、8a…1段目投影レンズ、8b…2段目投影レン
ズ、9…電子線検出器、10a…1段目検出器アライメ
ントコイル、10b…2段目検出器アライメントコイ
ル、11…撮像装置、12a…1段目検出器絞り、12
b…2段目検出器絞り、13…偏向コイル、14…A/
Dコンバータ、15…CPU、16…D/Aコンバー
タ、17…インターフェース、18…プリアンプ、19
…透過電子線、20…回折電子線、21…後焦点面、2
2…像面、23…電子線プローブ、24…開き角、25
…検出器絞りベース板、26…検出器絞り板、27…ね
じ、28…電子線除去用板、29…ブリッジ、30…丸
穴、31…スリット、32…シンチレータ、33…ライ
トガイド、34…光電子倍増管、35…プリアンプ、3
6…遮光板、37…割り算回路、38…光電子倍増管高
電圧調整および直流電圧加算回路、39…画像表示装
置、40…マルチチャンネル型電子線検出器、50…1
段目投影レンズの像面、51…マスクされた回折電子
線、60…投影レンズ磁路、61…投影レンズコイル、
62…真空フランジ、63a…1段目検出器絞り駆動機
構、63b…2段目検出器絞り駆動機構、64a…1段
目検出器絞り駆動ロッド、64b…2段目検出器絞り駆
動ロッド、65a…1段目検出器絞りベース板、65b
…2段目検出器絞りベース板、66a…1段目検出器絞
り板、66b…2段目検出器絞り板、70…べローズ、
71…検出器絞り微動用ロッド、72…検出器絞り水平
微動つまみ、73…検出器絞り並進微動つまみ、74…
検出器絞り垂直微動つまみ、75…歯車、76…回転並
進変換用ギア、77…検出器絞り微動用ロッド押さえ。
Claims (8)
- 【請求項1】電子源より発生した電子線を1段以上の静
電レンズによって所定の電圧まで加速し、1段以上の収
束レンズと対物レンズによって微小な電子線プローブを
形成し、1段以上の偏向コイルによって上記プローブを
試料面上で2次元に走査し、試料によって散乱された電
子線強度を上記偏向コイルの走査と同期して検出し、上
記電子線強度を輝度に変調して走査透過像を得る電子顕
微鏡において、検出器上に設置した可動絞りによって検
出する電子線のうち特定の電子線をマスクし、試料マト
リクス以外の情報を抽出することを特徴とする走査電子
顕微鏡。 - 【請求項2】請求項1記載の走査透過像の取得におい
て、検出器上に設置した可動絞りが電子線入射方向に依
存する電子線回折パターンに対応する複数のパターンを
有することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項3】請求項1記載の走査透過像の取得におい
て、検出器上に設置する可動絞りを複数段有することを
特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項4】請求項3記載の複数段の絞りに対して、回
折スポットがマスク位置に一致するように回折図形の倍
率を変化させるための1段以上の電磁レンズを有するこ
とを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項5】請求項1記載の走査透過像の取得におい
て、電子線回折図形と電子線検出器との中心が一致する
ように電子線回折図形を2次元的に移動させるための1
段以上の偏向コイルを有することを特徴とする走査電子
顕微鏡。 - 【請求項6】請求項1記載の走査透過像の取得におい
て、電子線検出器としてマルチチャンネル型の検出器を
用いることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項7】請求項1記載の走査透過像の取得におい
て、検出器上に投影される電子線回折図形の中心を基準
としてその左右半分ごとの強度をそれぞれ独立に検出
し、結晶性試料マトリクスとの結晶方位のずれを画像コ
ントラストとして検出することを特徴とする走査電子顕
微鏡。 - 【請求項8】請求項1記載の電子顕微鏡の制御および画
像の解析において、グラフィカルユーザーインターフェ
ースのオペレーティングシステムを有するコンピュータ
を用いることを特徴とする走査電子顕微鏡。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005235665A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 暗視野走査透過電子顕微鏡および観察方法 |
JP2006242914A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fujitsu Ltd | 結晶材料の格子歪みの評価方法及びその評価装置 |
EP1274114A3 (en) * | 2001-07-05 | 2007-11-28 | Hitachi, Ltd. | Observation apparatus and observation method using an electron beam |
JP2008010177A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 環境制御型電子線装置 |
JP2009514141A (ja) * | 2003-07-09 | 2009-04-02 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査型電子顕微鏡用の検出器システムおよび対応する検出器システムを備える走査型電子顕微鏡 |
JP2011076813A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査透過電子顕微鏡および走査透過像観察方法 |
EP2463889A3 (de) * | 2003-01-16 | 2012-08-29 | Carl Zeiss NTS GmbH | Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung |
JP2016143581A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および収差測定方法 |
JP2017139115A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および収差測定方法 |
CN115662866A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-01-31 | 北京中科科仪股份有限公司 | 一种二次电子探测装置 |
CN117452651A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-01-26 | 厦门大学 | 一种晶面结构观测仪及其观测方法 |
-
1998
- 1998-12-22 JP JP36405898A patent/JP3692806B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1274114A3 (en) * | 2001-07-05 | 2007-11-28 | Hitachi, Ltd. | Observation apparatus and observation method using an electron beam |
EP2463889A3 (de) * | 2003-01-16 | 2012-08-29 | Carl Zeiss NTS GmbH | Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung |
JP4800211B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-10-26 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査型電子顕微鏡用の検出器システムおよび対応する検出器システムを備える走査型電子顕微鏡 |
JP2009514141A (ja) * | 2003-07-09 | 2009-04-02 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査型電子顕微鏡用の検出器システムおよび対応する検出器システムを備える走査型電子顕微鏡 |
JP2005235665A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 暗視野走査透過電子顕微鏡および観察方法 |
JP2006242914A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fujitsu Ltd | 結晶材料の格子歪みの評価方法及びその評価装置 |
JP4704776B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-06-22 | 富士通株式会社 | 結晶材料の格子歪みの評価方法及びその評価装置 |
JP2008010177A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 環境制御型電子線装置 |
JP2011076813A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査透過電子顕微鏡および走査透過像観察方法 |
JP2016143581A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および収差測定方法 |
JP2017139115A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および収差測定方法 |
CN115662866A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-01-31 | 北京中科科仪股份有限公司 | 一种二次电子探测装置 |
CN117452651A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-01-26 | 厦门大学 | 一种晶面结构观测仪及其观测方法 |
CN117452651B (zh) * | 2023-12-26 | 2024-04-02 | 厦门大学 | 一种晶面结构观测仪及其观测方法 |
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JP3692806B2 (ja) | 2005-09-07 |
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