JP2000187327A - 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像の際の現像欠陥の問題を解消し、且つ短
波長光源に対して感度が優れたポジ型フォトレジスト組
成物を提供すること。 【解決手段】 活性光線または放射線の照射により、ス
ルホン酸を発生する化合物、特定の構造の脂環式炭化水
素を含む部分構造のうち少なくとも１つで保護されたア
ルカリ可溶性基を含み、酸の作用により分解しアルカリ
に対する溶解性が増加する樹脂、親水性官能基を有する
ナ特定の化合物を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォト
レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩや高容量
マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプ
ロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに
使用するポジ型フォトレジスト組成物に関するものであ
る。更に詳しくは、エキシマレ−ザ−光を含む遠紫外線
領域、特に２５０ｎｍの波長の光を使用して高精細化し
たパターンを形成しうるポジ型フォトレジスト組成物に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハ
ーフミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工
が必要とされるようになってきた。その必要性を満たす
ためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使
用波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波
長のエキシマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦな
ど）を用いることが検討されるまでになってきている。
この波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に
用いられるものとして、化学増幅系レジストがある。

【０００３】一般に化学増幅系レジストは、通称２成分
系、２．５成分系、３成分系の３種類に大別することが
できる。２成分系は、光分解により酸を発生する化合物
（以後、光酸発生剤という）とバインダー樹脂とを組み
合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分
解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させ
る基（酸分解性基ともいう）を分子内に有する樹脂であ
る。２．５成分系はこうした２成分系に更に酸分解性基
を有する低分子化合物を含有する。３成分系は光酸発生
剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有する
ものである。

【０００４】上記化学増幅系レジストは紫外線や遠紫外
線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさ
らに使用上の要求特性に対応する必要がある。例えば、
ＫｒＦエキシマレーザーの２４８ｎｍの光を用いる場合
に特に光吸収の少ないヒドロキシスチレン系のポリマ−
に保護基としてアセタ−ル基やケタ−ル基を導入したポ
リマ−を用いたレジスト組成物が提案されている。特開
平２−１４１６３６、特開平２−１９８４７、特開平４
−２１９７５７、特開平５−２８１７４５号公報などが
その例である。そのほかｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基やｐ−テトラヒドロピラニルオキシ基を酸分解基とす
る同様の組成物が特開平２−２０９９７７、特開平３−
２０６４５８、特開平２−１９８４７号公報などに提案
されている。これらは、ＫｒＦエキシマレーザーの２４
８ｎｍの光を用いる場合には適していても、ＡｒＦエキ
シマレーザーを光源に用いるときは、本質的になお吸光
度が大き過ぎるために感度が低い。さらにそれに付随す
るその他の欠点、例えば解像性の劣化、フォ−カス許容
度の劣化、パターンプロファイルの劣化などの問題があ
り、なお改善を要する点が多い。

【０００５】したがってＡｒＦ光源用のフォトレジスト
組成物としては、部分的にヒドロキシ化したスチレン系
樹脂よりもさらに吸収の少ない（メタ）アクリル系樹脂
を光によつて酸を発生する化合物と組み合わせたフォト
レジスト組成物が提案されている。例えば特開平７−１
９９４６７号、同７−２５２３２４号などがある。中で
も特開平６−２８９６１５ではアクリル酸のカルボキシ
ル基の酸素に３級炭素有機基がエステル結合した樹脂が
開示されている。

【０００６】さらに特開平７−２３４５１１号ではアク
リル酸エステルやフマル酸エステルを繰り返し単位とす
る酸分解性樹脂が開示されているが、パターンプロファ
イル、基板密着性などが不十分であり、満足な性能が得
られていないのが実情である。

【０００７】更にまた、ドライエッチング耐性付与の目
的で脂環式炭化水素部位が導入された樹脂が提案されて
いるが、脂環式炭化水素部位導入の弊害として系が極め
て疎水的になるがために、従来レジスト現像液として幅
広く用いられてきたテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド（以下ＴＭＡＨ）水溶液での現像が困難となった
り、現像中に基板からレジストが剥がれてしまうなどの
現象が見られる。このようなレジストの疎水化に対応し
て、現像液にイソプロピルアルコールなどの有機溶媒を
混ぜるなどの対応が検討され、一応の成果が見られるも
のの、レジスト膜の膨潤の懸念やプロセスが煩雑になる
など必ずしも問題が解決されたとは言えない。レジスト
の改良というアプローチでは親水基の導入により疎水的
な種々の脂環式炭化水素部位を補うという施策も数多く
なされている。

【０００８】一般的にはアクリル酸やメタクリル酸とい
うカルボン酸部位を有する単量体を脂環式炭化水素基を
有する単量体と共重合させるという対応を取ってきた
が、カルボン酸基の導入とともに基板密着性が向上する
方向にはあるものの、ドライエッチング耐性が劣化し、
さらにレジストの膜べりが顕著になったりするなど問題
が多く、上記課題の解決には至っていない。さらに、特
開平７−２３４５１１公報ではＨＥＭＡやアクリロニト
リルの様なカルボン酸基の代わりに水酸基やシアノ基を
分子内に有する単量体を、脂環式炭化水素基を有する単
量体と共重合させることにより現像性解決を目指した
が、全く不十分であった。

【０００９】一方、前記アクリレート系単量体の側鎖に
脂環式炭化水素部位を導入する方法以外にポリマー主鎖
として脂環式炭化水素部位を活用したドライエッチング
耐性付与する方法も検討されている。但し、この系にお
いても上記問題を抱えており、類似のアプローチによる
改良が検討されている。例えば、Journal of Photopoly
mer Science and Technology, Vol.10, 1997,p529-534
やJournal of Photopolymer Science and Technology,
Vol.10, 1997,p521-528においてはノルボルネンポリマ
ー主鎖に基板密着性付与の観点から水酸基導入を検討し
ている。しかし、現像性、基板密着性とも満足のいく結
果は得られていない。また、SPIE, 3049巻、92〜105 頁
（1988）においては、ノルボルネン環を開環重合した重
合体、あるいはノルボルネン環を主鎖に有する重合体
で、カルボキシル基とｔ−ブチルエステル基を有する重
合体を含有する組成物が開示されている。しかし、この
技術によるときも、基板密着性および標準現像液適性の
いずれも実用的に十分でないという欠点があった。

【００１０】更に、欧州特許公開第７８９２７８Ａ２号
明細書には、ノルボルネン環を開環重合した重合体、あ
るいはノルボルネン環を主鎖に有する重合体で、酸分解
性基とカルボキシル基を含む樹脂を含有する組成物が開
示されている。また、ＷＯ９７／３３１９８号明細書に
は、酸分解性基を有するノルボルネン環を有するモノマ
ーを重合した樹脂を含有するフォトレジスト組成物が開
示されている。また、特開平９−２７４３１８号には、
さらにカルボン酸を使用するフォトレジスト組成物が開
示されている。

【００１１】また、特開平９−７３１７３号、特開平９
−９０６３７号、特開平１０−１６１３１３号公報に
は、脂環式基を含む構造で保護されたアルカリ可溶性基
と、そのアルカリ可溶性基が酸により脱離して、アルカ
リ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物を
用いたレジスト材料が記載されている。

【００１２】以上のように、遠紫外線露光用フォトレジ
ストに用いられる、酸分解性基を含有する樹脂は、分子
内に同時に脂肪族の環状炭化水素基を含有することが一
般的である。このため樹脂が疎水性になり、それに起因
する問題点が存在した。それを改良する上記のような種
々の手段が種々検討されたが、上記の技術では未だ不十
分な点が多く、改善が望まれている。

【００１３】一方、化学増幅系のフォトレジストにおい
て、遠紫外光線透過性のコントロールを十分に行うこと
ができ、定在波およびハレーションの低減が大きく、現
像性、パターン形状等の良好な、かつ十分なドライエッ
チング耐性を有する化学増幅型レジストとして好適な感
放射線性樹脂組成物として、（Ａ）酸の作用により保護
基を脱離してアルカリ可溶性となる樹脂、（Ｂ）感放射
線性酸発生剤および（Ｃ）（イ）親水性官能基を有し且
つ炭素数５以上２５以下のアリサイクリック系低分子化
合物および（ロ）炭素数１０以上４０以下のナフタレン
系低分子化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種
の化合物を含有する感放射線性樹脂組成物（特開平９−
２７４３１８号）が開示されている。

【００１４】しかしながら、上記の遠紫外光線透過性感
放射線性樹脂組成物は、短波長の光源、例えばＡｒＦエ
キシマレーザー（１９３ｎｍ）を露光光源とする露光に
対しては感度がいまだ十分でなかった。即ち、ＡｒＦエ
キシマレーザーによる露光は高エネルギーであるため、
露光時間が長くなると露光エネルギーにより、高価な露
光装置の寿命が短くなるという問題が生じる。従って、
感度が不十分であると露光時間が長くなり、露光装置の
寿命が短くなる。上記組成物では、また現像欠陥の発生
などの問題点もあった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用
する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向
上技術の課題を解決することであり、具体的には、現像
の際の現像欠陥の問題を解消し、且つ短波長光源に対し
て感度が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する
ことにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポジ型化
学増幅系におけるレジスト組成物の構成材料を鋭意検討
した結果、特定の酸分解性樹脂と特定の添加剤を用いる
ことにより、本発明の目的が達成されることを知り、本
発明に至った。即ち、上記目的は下記構成によって達成
される。

【００１７】（１）活性光線または放射線の照射により
酸を発生する化合物、下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）
で表される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なく
とも１つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作
用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹
脂、及び（ｉ）親水性官能基および環状炭化水素基を有
する低分子化合物又は（ｉｉ）親水性官能基を有するナ
フタレン化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露
光用ポジ型フォトレジスト組成物。

【００１８】

【化２】

【００１９】式中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とと
もに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表
す。Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直
鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
し、但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、もしくは
Ｒ₁₅、Ｒ₁₆のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₁₇
〜Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、
直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
表し、但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式
炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素
数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環
式炭化水素基を表す。Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素
数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環
式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくと
も１つは脂環式炭化水素基を表す。

【００２０】（２） 前記樹脂が、下記一般式（Ａ）で
表される、酸の作用により分解する基を含有することを
特徴とする上記（１）に記載の遠紫外線露光用ポジ型フ
ォトレジスト組成物。 一般式（Ａ） −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ₀ 式（Ａ）中、Ｒ₀は、３級アルキル基、１−アルコキシ
エチル基、アルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、
３−オキソシクロヘキシル基又はラクトン基を表す。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 〔１〕（ｉ）親水性官能基および環状炭化水素基を有す
る低分子化合物〔化合物（ｉ）と略す〕又は（ｉｉ）親
水性官能基を有するナフタレン化合物〔化合物（ｉｉ）
と略す〕

【００２２】化合物（ｉ）における親水性官能基として
は、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、スルフォ
ンアミド基、Ｎ−スルフォニルアミド基、Ｎ−アミノス
ルフォニルアミド基、ジスルフォニルイミド基等が挙げ
られる。これらのうち、水酸基およびカルボキシル基が
好ましい。なお、化合物（ｉ）における環状炭化水素基
の炭素数は５〜３０個が好ましく、より好ましくは６〜
２８個、更に好ましくは８〜２７個、特に好ましくは１
０〜２５個である。炭素数が５個未満ではレジスト性能
の必須要件であるドライエッチング耐性が劣化する傾向
にあり、炭素数が３０個を越えると、現像残渣が生じた
り、本発明の効果である現像欠陥数が増加する場合など
があり、好ましくない。化合物（ｉ）における環状炭化
水素基としては、好ましくは橋かけ部位を有する環状炭
化水素基である。橋かけ部位を有する環状炭化水素基と
しては、アダマンタン、ノルボルナン、トリシクロデカ
ン、テトラシクロウンデカン、ピネン、テルペン、ステ
ロイド等が挙げられる。

【００２３】化合物（ｉ）としては、例えばシクロヘキ
シルカルボン酸、１，２−シクロヘキシルジカルボン
酸、シクロペンチル酢酸、１−アダマンタノール、２−
アダマンタノール、１−アダマンタンメタノール、２−
アダマンタンメタノール、１，３−ジアダマンタノー
ル、１−アダマンタンカルボン酸、２−アダマンタンカ
ルボン酸、１，３−アダマンタンジカルボン酸、３−ヒ
ドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸、３−メトキシ
−１−アダマンタンカルボン酸、３−エトキシ−１−ア
ダマンタンカルボン酸、３−ブトキシ−１−アダマンタ
ンカルボン酸、３−アセトキシ−１−アダマンタンカル
ボン酸、３−ブロモ−１−アダマンタンカルボン酸、１
−アダマンタン酢酸、２−アダマンタン酢酸、１，３−
アダマンタンジ酢酸、３−メチル−２−ノルボルナンメ
タノール、ミルタノール、カンファリックアシッド、シ
ス−ビシクロ［３．３．０］オクタン−２−カルボキシ
リックアシッド、２−ヒドロキシ−３−ピナノン、カン
ファニックアシッド、３−ヒドロキシ−４，７，７−ト
リメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−酢酸、
１，５−デカリンジオール、４，８−ビス（ヒドロキ
シ）トリシクロ［５．２．１．０²⁰］デカン、ボルネオ
ール、１−ノルアダマンタンカルボン酸、２−ノルアダ
マンタンカルボン酸、２，３−ノルボルナンジカルボン
酸、トリシクロデカンジカルボン酸、ボルナン酢酸、
２，３−ノルボルナンジオール、１，３−ノルボルナン
ジオール、２，５−ノルボルナンジオール、２，６−ノ
ルボルナンジオール、４−ペンチルビシクロ［２．２．
２］オクタン−１−カルボン酸、ピナンジオール、コー
ル酸、ケノデオキシコール酸、デヒドロコール酸、デオ
キシコール酸、リトコール酸、タウロコール酸、ウルソ
コール酸、３−アセトキシコール酸、３−アセトキシデ
オコール酸、３−ブチルカルボニロキシコール酸、３−
ブチルカルボニロキシデオキシコール酸等を挙げること
ができる。これらの化合物（ｉ）は、単独でもしくは２
種以上一緒に使用することができる。

【００２４】これらのうち、化合物（ｉ）としては、１
−アダマンタンカルボン酸、２−アダマンタンカルボン
酸、１，３−アダマンタンジカルボン酸、３−ヒドロキ
シ−１−アダマンタンカルボン酸、３−メトキシ−１−
アダマンタンカルボン酸、３−エトキシ−１−アダマン
タンカルボン酸、３−ブトキシ−１−アダマンタンカル
ボン酸、３−アセトキシ−１−アダマンタンカルボン
酸、３−ブロモ−１−アダマンタンカルボン酸、１−ア
ダマンタン酢酸、２−アダマンタン酢酸、１，３−アダ
マンタンジ酢酸、シス−ビシクロ［３．３．０］オクタ
ン−２−カルボキシリックアシッド、トリシクロデカン
ジカルボン酸、４−ペンチルビシクロ［２．２．２］オ
クタン−１−カルボン酸、３−アセトキシコール酸、３
−アセトキシデオコール酸、３−ブチルカルボニロキシ
コール酸、３−ブチルカルボニロキシデオキシコール酸
が好ましい。

【００２５】化合物（ｉｉ）におけるナフタレン化合物
の炭素数は１０〜３０個が好ましく、より好ましくは１
０〜２８個、更に好ましくは１０〜２５個、特に好まし
くは１０〜２２個である。炭素数が１０個未満ではレジ
スト性能の必須要件であるドライエッチング耐性が劣化
する傾向にあり、炭素数が３０個を越えると、現像残渣
が生じたり、本発明の効果である現像欠陥数が増加する
場合などがあり、好ましくない。また、化合物（ｉｉ）
における親水性官能基としては、化合物（ｉ）で挙げた
のと同じ基を例示することができる。

【００２６】このような化合物（ｉｉ）としては、例え
ば１−ナフタレンメタノール、２−ナフタレンメタノー
ル、１−ナフトール、２−ナフトール、１−ナフタレン
カルボン酸、２−ナフタレンカルボン酸、１−ヒドロキ
シ−２−ナフタレンカルボン酸、３−ヒドロキシ−２−
ナフタレンカルボン酸、１−メトキシ−２−ナフタレン
カルボン酸、１−ブトキシ−２−ナフタレンカルボン
酸、３−メトキシ−２−ナフタレンカルボン酸、３−エ
トキシ−２−ナフタレンカルボン酸、３−ブトキシ−２
−ナフタレンカルボン酸、１−アセトキシ−２−ナフタ
レンカルボン酸、３−アセトキシ−２−ナフタレンカル
ボン酸、８−メトキシカルボニル−１−ナフタレンカル
ボン酸、８−エトキシカルボニル−１−ナフタレンカル
ボン酸、８−シクロヘキシル−１−ナフタレンカルボン
酸、８−ボロニルカルボニル−１−ナフタレンカルボン
酸、８−（１−アダマンチル）カルボニル−１−ナフタ
レンカルボン酸、４−クロロ−１−ヒドロキシ−２−ナ
フタレンカルボン酸、４−ブロモ−１−ヒドロキシ−２
−ナフタレンカルボン酸、４−クロロ−１−オキシ−２
−ナフタレンカルボン酸、１−アセトアミド−２−ナフ
タレンカルボン酸、３−スルフォニルアミド−２−ナフ
タレンカルボン酸、（１−ナフトキシ）酢酸、（２−ナ
フトキシ）酢酸、１−ナフチル酢酸、２−ナフチル酢
酸、１，２−ナフタレンジメタノール、１，３−ナフタ
レンジメタノール、１，４−ナフタレンジメタノール、
１，５−ナフタレンジメタノール、１，６−ナフタレン
ジメタノール、１，７−ナフタレンジメタノール、１，
８−ナフタレンジメタノール、２，３−ナフタレンジメ
タノール、２，６−ナフタレンジメタノール、２，７−
ナフタレンジメタノール、１，２−ジヒドロキシナフタ
レン、１，３−ジヒドロキシナフタレン，１，４−ジヒ
ドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒド
ロキシナフタレン、１，８−ジヒドロキシナフタレン、
２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキ
シナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、
（１，２−ナフトキシ）ジ酢酸、（１，３−ナフトキ
シ）ジ酢酸、（１，４−ジナフトキシ）ジ酢酸、（１，
５−ナフトキシ）ジ酢酸、（１，６−ナフトキシ）ジ酢
酸、（１，７−ナフトキシ）ジ酢酸、（１，８−ナフト
キシ）ジ酢酸、（２，３−ナフトキシ）ジ酢酸、（２，
６−ナフトキシ）ジ酢酸、（２，７−ナフトキシ）ジ酢
酸、１，２−ナフタレンジカルボン酸、１，３−ナフタ
レンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、
１，５−ナフタレンジカルボン酸、１，６−ナフタレン
ジカルボン酸、１，７−ナフタレンジカルボン酸、１，
８−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカ
ルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−
ナフタレンジカルボン酸、１，２−ナフチルジ酢酸、
１，３−ナフチルジ酢酸、１，４−ナフチルジ酢酸、
１，５−ナフチルジ酢酸、１，６−ナフチルジ酢酸、
１，７−ナフチルジ酢酸、１，８−ナフチルジ酢酸、
２，３−ナフチルジ酢酸、２，６−ナフチルジ酢酸、
２，７−ナフチルジ酢酸；

【００２７】３−ヒドロキシ−１，８−ジカルボキシナ
フタレン、４−ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレ
ン、５−ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレン、６−
ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレン、７−ヒドロキ
シ−２−カルボキシナフタレン、８−ヒドロキシ−２−
カルボキシナフタレン、２−ヒドロキシカルボキシナフ
タレン、３−ヒドロキシカルボキシナフタレン、４−ヒ
ドロキシカルボキシナフタレン、５−ヒドロキシカルボ
キシナフタレン、６−ヒドロキシカルボキシナフタレ
ン、７−ヒドロキシカルボキシナフタレン、８−ヒドロ
キシカルボキシナフタレン、１−カルボキシ−２−ナフ
トキシ酢酸、３−カルボキシ−２−ナフトキシ酢酸、４
−カルボキシ−２−ナフトキシ酢酸、５−カルボキシ−
２−ナフトキシ酢酸、６−カルボキシ−２−ナフトキシ
酢酸、７−カルボキシ−２−ナフトキシ酢酸、８−カル
ボキシ−２−ナフトキシ酢酸、２−カルボキシナフトキ
シ酢酸、３−カルボキシナフトキシ酢酸、４−カルボキ
シナフトキシ酢酸、５−カルボキシナフトキシ酢酸、６
−カルボキシナフトキシ酢酸、７−カルボキシナフトキ
シ酢酸、８−カルボキシナフトキシ酢酸等を挙げること
ができる。これらの化合物（ｉｉ）は、単独でもしくは
２種以上一緒に使用することができる。

【００２８】これらのうち好ましい化合物（ｉｉ）とし
ては、１−ナフトール、２−ナフトール、１−ナフタレ
ンカルボン酸、２−ナフタレンカルボン酸、１−ヒドロ
キシ−２−ナフタレンカルボン酸、３−ヒドロキシ−２
−ナフタレンカルボン酸、１−メトキシ−２−ナフタレ
ンカルボン酸、１−ブトキシ−２−ナフタレンカルボン
酸、３−メトキシ−２−ナフタレンカルボン酸、３−エ
トキシ−２−ナフタレンカルボン酸、３−ブトキシ−２
−ナフタレンカルボン酸、（１−ナフトキシ）酢酸、
（２−ナフトキシ）酢酸、１−ナフチル酢酸、２−ナフ
チル酢酸、１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−
ジヒドロキシナフタレン，１，４−ジヒドロキシナフタ
レン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒ
ドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレ
ン、１，８−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒド
ロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、
２，７−ジヒドロキシナフタレン、４−ヒドロキシ−２
−カルボキシナフタレン、５−ヒドロキシ−２−カルボ
キシナフタレン、６−ヒドロキシ−２−カルボキシナフ
タレン、７−ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレン、
８−ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレン、２−ヒド
ロキシカルボキシナフタレン、３−ヒドロキシカルボキ
シナフタレン、４−ヒドロキシカルボキシナフタレン、
５−ヒドロキシカルボキシナフタレン、６−ヒドロキシ
カルボキシナフタレン、７−ヒドロキシカルボキシナフ
タレン、８−ヒドロキシカルボキシナフタレンである。

【００２９】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いて、前記化合物（ｉ）および化合物（ｉｉ）からなる
化合物は、現像液に対する溶解促進剤として作用し、分
子量が１０００以下の低分子化合物が好ましく、単独で
も用いられるが、２種以上を混合して用いても良い。ま
た、本発明におけるポジ型フォトレジスト組成物におい
ては、前記化合物（ｉ）および化合物（ｉｉ）からなる
溶解促進性化合物の好ましい添加量は、本発明に係わる
樹脂に対して０．５〜４０重量％であり、更に好ましく
は１〜３０重量％であり、特に好ましくは２〜２５重量
％である。４０重量％を越えた添加量では、現像残渣が
悪化し、また現像時にパターンが変形するという新たな
欠点が発生して好ましくない。

【００３０】〔２〕活性光線または放射線の照射により
酸を発生する化合物（光酸発生剤） 本発明で用いられる（Ａ）光酸発生剤は、活性光線又は
放射線の照射により酸を発生する化合物である。本発明
で使用される活性光線または放射線の照射により分解し
て酸を発生する化合物としては、光カチオン重合の光開
始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、
光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されてい
る公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、
特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレ
ーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ
線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物
およびそれらの混合物を適宜に選択して使用することが
できる。

【００３１】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特開平3-140140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curin
g ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、
J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73 (1985)、J.V.Criv
ello etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt eta
l,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、
J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.
Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.
V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,
2877(1979) 、欧州特許第370,693 号、同161,811号、同
410,201号、同339,049号、同233,567号、同297,443号、
同297,442号、米国特許第3,902,114号 同4,933,377号、
同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国
特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号、
特開平７−２８２３７号、同８−２７１０２号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載 のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier et al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.
P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
cc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase eta
l,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.
Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu
etal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,
Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton eta
l,J.Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal, J.Chem.
SoC.,PerkinI,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetrahed
ron Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.Am.Che
m.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Te
chnol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormole
cules,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,
Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecule
s,18,1799(1985)、E.Reichman etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan et
al,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750
号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,38
8,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
etal,PolymerPreprints Japan,35(8)、G.Berner etal,
J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Techno
l.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Pr
eprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同044,115号、同618,564号、同0101,122号、米国特
許第4,371,605号、同4,431,774 号、特開昭64-18143
号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等に記載のイ
ミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン
酸を発生する化合物、特開昭61-166544 号、特開平２−
７１２７０号等に記載のジスルホン化合物、特開平３−
１０３８５４号、同３−１０３８５６号、同４−２１０
９６０号等に記載のジアゾケトスルホン、ジアゾジスル
ホン化合物を挙げることができる。

【００３２】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,8
49,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63
-146029号等に記載の化合物を用いることができる。

【００３３】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００３４】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００３５】

【化３】

【００３６】式中、Ｒ²⁰¹ は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰² は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００３７】

【化４】

【００３８】

【化５】

【００３９】

【化６】

【００４０】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００４１】

【化７】

【００４２】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００４３】Ｒ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。

【００４４】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。

【００４５】またＲ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ のうちの２つ
およびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。

【００４６】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００４７】

【化８】

【００４８】

【化９】

【００４９】

【化１０】

【００５０】

【化１１】

【００５１】

【化１２】

【００５２】

【化１３】

【００５３】

【化１４】

【００５４】

【化１５】

【００５５】

【化１６】

【００５６】

【化１７】

【００５７】

【化１８】

【００５８】

【化１９】

【００５９】

【化２０】

【００６０】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。

【００６１】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【００６２】

【化２１】

【００６３】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００６４】

【化２２】

【００６５】

【化２３】

【００６６】

【化２４】

【００６７】

【化２５】

【００６８】

【化２６】

【００６９】

【化２７】

【００７０】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、レジスト組
成物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．
００１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．
０１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の
範囲で使用される。活性光線または放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重
量％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重
量％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロ
ファイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが
狭くなり好ましくない。

【００７１】〔２〕酸の作用により分解しアルカリに対
する溶解性が増加する樹脂 一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）において、Ｒ₁₂〜Ｒ₂₅にお
けるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれ
であってもよい、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もし
くは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基として
は、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。また、上記アル
キル基の更なる置換基としては、炭素数１〜４個のアル
コキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子）、アシル基、アシロキシ基、シアノ
基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、
ニトロ基等を挙げることができる。

【００７２】Ｒ₁₁〜Ｒ₂₅における脂環式炭化水素基ある
いはＺと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数
５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシ
クロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素
数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好
ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有してい
てもよい。以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部
分の構造例を示す。

【００７３】

【化２８】

【００７４】

【化２９】

【００７５】

【化３０】

【００７６】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基である。

【００７７】これらの脂環式炭化水素基の置換基として
は、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低
級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選
択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個
のものを挙げることができる。

【００７８】上記樹脂における一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ
Ｉ）で示される構造で保護されるアルカリ可溶性基とし
ては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられ
る。具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノ
ール基、チオール基などが挙げられ、好ましくはカルボ
ン酸基、スルホン酸基である。上記樹脂における一般式
（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で示される構造で保護されたアル
カリ可溶性基としては、好ましくは下記一般式（ｐＶＩ
Ｉ）〜（ｐＸＩ）で表される基が挙げられる。

【００７９】

【化３１】

【００８０】ここで、Ｒ₁₁〜Ｒ₂₅ならびにＺは、それぞ
れ前記定義に同じである。上記樹脂において、一般式
（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で示される構造で保護されたアル
カリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般
式（ｐＡ）で示される繰り返し単位が好ましい。

【００８１】

【化３２】

【００８２】ここで、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子又
は１〜４個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直
鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のＲは、各々
同じでも異なっていてもよい。Ａは、単結合、アルキレ
ン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選
択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表
す。Ｒ_a は、上記式(pI)〜(pVI) のいずれかの基を表
す。以下、一般式（ｐＡ）で示される繰り返し単位に相
当するモノマーの具体例を示す。

【００８３】

【化３３】

【００８４】

【化３４】

【００８５】

【化３５】

【００８６】

【化３６】

【００８７】

【化３７】

【００８８】

【化３８】

【００８９】上記樹脂において、上記一般式（ｐＩ）〜
（ｐＶＩ）で示される構造で保護されたアルカリ可溶性
基を有する繰り返し単位以外に、他の繰り返し単位を含
んでもよい。このような他の繰り返し単位としては、好
ましくは下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位で
ある。

【００９０】

【化３９】

【００９１】Ｒは、前記と同義である。Ｂは、ハロゲン
原子、シアノ基、酸の作用により分解する基、−Ｃ（＝
Ｏ）−Ｙ−Ａ−Ｒ_c9又は−ＣＯＯＲ_c11 を表す。 Ｙ：酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ₂ −、
−ＮＨＳＯ₂ ＮＨ−から選ばれる２価の結合基、 Ｒ_c9：−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ_c10 （Ｒ_c10 はＲ_c11と
同義のもの、および下記ラクトン構造を表す。）、−Ｃ
Ｎ、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、
−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ_c11 、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ₂ −Ｒ_c11
又は下記ラクトン構造を表す。

【００９２】Ｒ_c11 ：置換基を有していてもよいアルキ
ル基、置換基を有していてもよい環状炭化水素基、 Ａ：単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテ
ル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、ア
ミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、又はウレア
基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基
の組み合わせ、を表す。

【００９３】

【化４０】

【００９４】Ｒ₂₉は、置換基を有していてもよい、炭素
数１〜４個の直鎖もしくは分岐アルキル基を表す。ｎ
は、１〜４の整数を表す。上記酸の作用により分解する
基としては、好ましくは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ₁−Ｒ₀で表さ
れる基である。ここで、Ｒ₀ としては、ｔ−ブチル基、
ｔ−アミル基等の３級アルキル基、イソボロニル基、１
−エトキシエチル基、１−ブトキシエチル基、１−イソ
ブトキシエチル基、１−シクロヘキシロキシエチル基等
の１−アルコキシエチル基、１−メトキシメチル基、１
−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、テトラヒ
ドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキ
ルシリル基、３−オキソシクロヘキシル基等を挙げるこ
とができる。Ｘ₁は、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、
−ＨＮＳＯ₂−、−ＮＨＳＯ₂ＨＮ−を表すが、好ましく
は酸素原子である。

【００９５】上記アルキル基としては、炭素数１〜１０
個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より
好ましくは炭素数１〜６個の直鎖状あるいは分岐状アル
キル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基である。

【００９６】上記環状炭化水素基としては、例えば環状
アルキル基、有橋式炭化水素であり、シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基、ボロニル基、イソボロニル基、トリシクロデカニ
ル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、
メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル基、テトラ
シクロドデカニル基等を挙げることができる。

【００９７】上記アルコキシ基としては、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜
４個のものが挙げることができる。

【００９８】上記アルキル基、環状アルキル基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。アル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものが挙げるこ
とができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基等
を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセトキ
シ基等を挙げることができる。

【００９９】上記式（ＡＩ）、（ｐＡ）におけるＡのア
ルキレン基、置換アルキレン基としては、下記で示され
る基を挙げることができる。 −〔Ｃ（Ｒ_a )(Ｒ_b ）〕_r − 式中、 Ｒ_a 、Ｒ_b ：水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両者は同
一でも異なっていてもよく、アルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群
から選択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基
としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げ
ることができる。アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４
個のものを挙げることができる。ｒは１〜１０の整数を
表す。上記において、ハロゲン原子としては塩素原子、
臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができ
る。上記Ｂとしては、酸分解性基、メバロニックラクト
ン基が好ましい。

【０１００】本発明における酸分解性樹脂は、上記のよ
うな一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位等の共重合
成分に、上記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される構
造で保護されたアルカリ可溶性基以外の酸分解性基を含
有することが好ましい。このような併用可能な酸分解性
基としては、上記−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ₀で表される基
が好ましい。

【０１０１】酸分解性樹脂は、上記以外に、ドライエッ
チング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプ
ロファイル、さらにレジストの一般的な必要要件である
解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な単量体
繰り返し単位との共重合体として使用することができ
る。

【０１０２】このような繰り返し単位としては、以下の
ような単量体に相当する繰り返し単位を挙げることがで
きるが、これらに限定されるものではない。これによ
り、前記樹脂に要求される性能、特に（１）塗布溶剤に
対する溶解性、（２）製膜性（ガラス転移点）、（３）
アルカリ現像性、（４）膜べり（親疎水性、アルカリ可
溶性基選択）、（５）未露光部の基板への密着性、
（６）ドライエッチング耐性、の微調整が可能となる。
このような共重合単量体としては、例えば、アクリル酸
エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド
類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテ
ル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽
和結合を１個有する化合物などを挙げることができる。

【０１０３】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−
ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート２，２−ジメチルヒドロキシプ
ロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレ
ート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペン
タエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートな
ど）；

【０１０４】メタクリル酸エステル類、例えばアルキル
（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い。）メタクリレート（例えばメチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、
５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメ
チル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）；

【０１０５】アクリルアミド類、例えばアクリルアミ
ド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基として
は炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル
基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル
基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド
（アルキル基としては炭素原子数１〜１０のもの、例え
ばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチ
ルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ−
ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２
−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドな
ど；

【０１０６】メタクリルアミド類、例えばメタクリルア
ミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチ
ル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエ
チル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルメタクリルアミド（アルキル基としてはエチル
基、プロピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミドなど；

【０１０７】アリル化合物、例えばアリルエステル類
（例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸ア
リル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステア
リン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳
酸アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【０１０８】ビニルエーテル類、例えばアルキルビニル
エーテル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビ
ニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシル
ビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エト
キシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテ
ル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエー
テル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエ
チルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエー
テル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチル
アミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフ
ルフリルビニルエーテルなど）；

【０１０９】ビニルエステル類、例えばビニルブチレー
ト、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテー
ト、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニ
ルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジク
ロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブ
トキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラ
クテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシ
クロヘキシルカルボキシレートなど；

【０１１０】イタコン酸ジアルキル類（例えばイタコン
酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル
など）；フマール酸のジアルキルエステル類（例えばジ
ブチルフマレートなど）又はモノアルキルエステル類；
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、
無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタ
クリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その他に
も、上記種々の繰り返し単位と共重合可能である付加重
合性の不飽和化合物であればよい。

【０１１１】酸分解性樹脂において、各繰り返し単位の
含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現
像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらに
はレジストの一般的な必要要件である解像力、耐熱性、
感度等を調節するために適宜設定される。

【０１１２】酸分解性樹脂中、一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ
Ｉ）で表される部分構造で保護されたアルカリ可溶性基
を有する繰り返し単位の含有量は、全単量体繰り返し単
位中３０〜７０モル％であり、好ましくは３５〜６５モ
ル％、更に好ましくは４０〜６０モル％である。また、
酸分解性樹脂中、一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表され
る部分構造で保護されたアルカリ可溶性基以外の酸分解
性基を含有する繰り返し単位の含有量は、全単量体繰り
返し単位中７０モル％以下であり、好ましくは５〜６５
モル％、更に好ましくは１０〜６０モル％である。密着
性を付与するカルボキシル基の含有量は、樹脂中２．０
ミリ当量／ｇ以下であり、好ましくは１．８ミリ当量／
ｇ以下、更に好ましくは１．５ミリ当量／ｇ以下であ
る。

【０１１３】また、上記更なる共重合成分の単量体に基
づく繰り返し単位の樹脂中の含有量も、所望のレジスト
の性能に応じて適宜設定することができるが、一般的
に、必須繰り返し単位を合計した総モル数に対して９９
モル％以下が好ましく、より好ましくは９０モル％以
下、さらに好ましくは８０モル％以下である。

【０１１４】上記のような酸分解性樹脂の分子量は、重
量平均（Ｍｗ：ポリスチレン標準）で好ましくは１，０
００〜１，０００，０００、より好ましくは１，５００
〜５００，０００、更に好ましくは２，０００〜２０
０，０００、より更に好ましくは２，５００〜１００，
０００の範囲であり、大きい程、耐熱性等が向上する一
方で、現像性等が低下し、これらのバランスにより好ま
しい範囲に調整される。本発明に用いる酸分解性樹脂
は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成すること
ができる。

【０１１５】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いて、酸分解性樹脂の組成物全体中の添加量は、全レジ
スト固形分中４０〜９９．９９重量％が好ましく、より
好ましくは５０〜９９．９７重量％である。

【０１１６】本発明のポジ型感光性組成物には、必要に
応じて更に酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界
面活性剤、光増感剤、有機塩基性化合物、及び上記以外
の現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有さ
せることができる。

【０１１７】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１１８】上記の中でも、好ましい溶媒としては２−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロ
フランを挙げることができる。

【０１１９】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３ （大日
本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部
当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。

【０１２０】本発明のこのようなポジ型フォトレジスト
組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜
の膜厚は０．４〜１．５μｍが好ましい。上記感光性組
成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板
（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、
コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマス
クを通して露光し、ベークを行い現像することにより良
好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光
光としては、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましく
は２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外線である。具体的に
は、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエ
キシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂ エキシマレーザー
（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等が挙げられ、特に
ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）が好ましい。

【０１２１】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１２２】

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 合成例１（光酸発生剤（ＰＡＧ４−３５）の合成） ジフェニルスルフォキシド５０ｇをメシチレン８００ｍ
Ｌに溶解させ、ここに塩化アルミニウム２００ｇを添加
し、これを２４時間８０℃で攪拌した。反応終了後、反
応液を氷２Ｌにゆっくりとそそぎ込んだ。ここに濃塩酸
４００ｍＬを加え７０℃で１０分加熱した。反応液を室
温まで冷却後、酢酸エチルで洗浄し、濾過した。濾液
に、ヨウ化アンモニウム２００ｇを蒸留水４００ｍＬに
溶かしたものを加えた。析出した粉体を濾取、水洗、酢
酸エチルで洗浄、乾燥し、スルフォニウムヨージド７２
ｇを得た。得られたスルフォニウムヨージド５０ｇをメ
タノール３００ｍＬに溶解し、これに酸化銀３１ｇを加
えて、４時間攪拌した。反応液を濾過した後、ヘプタデ
カフルオロオクタンスルフォン酸カリウム塩と塩交換
し、目的物である（ＰＡＧ４−３５）４０ｇを回収し
た。

【０１２３】合成例２（樹脂Ａの合成） 特開平９−７３１７３号公報第（２７）頁、例７に記載
の合成法により、樹脂Ａを合成した。即ち、メタクリル
酸２−メチルアダマンチルモノマとメタクリル酸３−オ
キソシクロヘキシルモノマを４：６の割合で重合容器に
仕込み、２モル／Ｌのトルエン溶液とした。このトルエ
ン溶液に重合開始剤、ＡＩＢＮを５モル％の量で添加
し、８０℃で約８時間にわたって重合させた。重合の完
結後、メタノールを沈殿剤として精製を行った。次式に
より表される２−メチルアダマンチルメタクリレート／
３−オキソシクロヘキシルメタクリレート共重合体が得
られた。得られた共重合体は、組成比（ｍ：ｎ）が４
９：５１、重量平均分子量（Ｍｗ）が１５０００、そし
て分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．４であった。樹脂Ａ

【０１２４】

【化４１】

【０１２５】合成例３（樹脂Ｂの合成） 特開平９−９０６３７号公報第（１８）頁例１３に記載
の合成法により樹脂Ｂを合成した。即ち、メタクリル酸
（±）−メバロニックラクトンエステル／メタクリル酸
２−メチル−２−アダマンチル共重合体を合成した。テ
フロン^TMコーティングされたスターラバーを入れた十分
に乾燥させた１００mlのナス形フラスコに、４．９６ｇ
（２５ミリモル）のメタクリル酸（±）−メバロニック
ラクトンエステル、５．８７ｇ（２５ミリモル）のメタ
クリル酸２−メチル−２−アダマンチル、１６．７mlの
ジオキサン及び１．２３ｇ（９ミリモル）のアゾビスイ
ソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を添加し、窒素雰囲気下
に８０℃で８時間攪拌した。反応溶液をテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）で希釈した後、少量のヒドロキノンを含
む１リットルのメタノールに滴下した。生成した沈殿を
ガラスフィルターでろ別し、０．１mmHg及び４５℃で１
６時間乾燥させた。得られた白色の粉末を再びＴＨＦに
溶解させ、上記したものと同じ沈殿〜乾燥作業を２度繰
り返し、目的とする白色の共重合体粉末を得た。収量＝
７．４４ｇ（６８．７％）。得られた共重合体の共重合
比はラクトン：アダマンチル＝４６．５：５３．５であ
り、重量平単分子量は、１４０００（標準ポリスチレン
換算）で、分散度２．０であった。

【０１２６】合成例４〜７（樹脂Ｃ〜Ｆの合成） 上記合成例９あるいは１０と同様の方法で、下記モノマ
ーを下記モル比で仕込んだ樹脂を合成した。 樹脂Ｃ：前記モノマー具体例５とメバロニックラクトン
メタクリレートの共重合体（モル比５０／５０）（重量
平均分子量：１３５００） 樹脂Ｄ：前記モノマー具体例１１と３−オキソシクロヘ
キシルメタクリレートとアクリル酸の共重合体（モル比
５０／４０／１０）（重量平均分子量：１３０００） 樹脂Ｅ：前記モノマー具体例１５とメバロニックラクト
ンメタクリレートの共重合体（モル比５０／５０）（重
量平均分子量：１４０００） 樹脂Ｆ：前記モノマー具体例３３とメバロニックラクト
ンメタクリレートの共重合体（モル比５０／５０）（重
量平均分子量：１４５００）

【０１２７】〔実施例〕上記合成例で合成した表１に示
す樹脂をそれぞれ１．４ｇと、光酸発生剤０．１８ｇ、
１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−５−ノネン
（ＤＢＮ）１０ｍｇおよび低分子化合物として、表１に
示す各化合物の添加量を配合し、それぞれ固形分１４重
量％の割合でプロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテートに溶解した後、０．１μｍのミクロフィルタ
ーで濾過し、実施例１〜１０のポジ型フォトレジスト組
成物溶液を調製した。

【０１２８】

【表１】

【０１２９】上記表１において、ＰＡＧ−１はトリフェ
ニルスルホニウムトリフレートを表し、ＰＡＧ−２は、
上記合成した（ＰＡＧ４−３５）を表す。 〔比較例１〕上記実施例１において、低分子化合物とし
て、１−アダマンタンカルボン酸を用いなかった以外
は、実施例１と同様にしてポジ型フォトレジスト組成物
溶液を調製した。

【０１３０】〔比較例２〕上記実施例１の樹脂の代わり
に、特開平９−２７４３１８号公報の段落（００５２）
の実施例１で用いた樹脂、トリシクロデカニルメタアク
リレートとｔ−ブチルメタクリレートとメタクリル酸と
の共重合体（Ａ−１）〔樹脂Ｒ１〕を用いた以外は、実
施例１と同様にしてポジ型フォトレジスト組成物溶液を
調製した。

【０１３１】（評価試験）得られたポジ型フォトレジス
ト組成物溶液をスピンコータを利用してシリコンウエハ
ー上に塗布し、１２０℃で９０秒間乾燥、約０．５μｍ
のポジ型フォトレジスト膜を作成し、それにＡｒＦエキ
シマレーザー（１９３ｎｍ）で露光した。露光後の加熱
処理を１３０℃で９０秒間行い、２．３８％のテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水で
リンスし、レジストパターンプロファイルを得た。

【０１３２】〔感度〕：０．３５μｍのマスクパターン
を再現する最低露光量（ｍＪ／ｃｍ²）をもって定義し
た。

【０１３３】〔現像欠陥数〕：６インチのＢａｒｅ Ｓ
ｉ基板上に各レジスト膜を０．５μｍに塗布し、真空吸
着式ホットプレートで１３０℃、６０秒間乾燥した。次
に、０．３５μｍコンタクトホールパターン（Ｈｏｌｅ
Ｄｕｔｙ比＝１：３）のテストマスクを介してＮｉｋ
ｏｎ ステッパーＮＳＲ−１５０５ＥＸにより露光した
後、露光後加熱を１３０℃で９０秒間行った。引き続き
２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液）で６０秒間のパドル現像後、純水で３０
秒間水洗しスピン乾燥した。こうして得られたサンプル
をケーエルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２１１２
機により現像欠陥数を測定し、得られた１次データ値を
現像欠陥数とした。上記評価結果を表２に示す。

【０１３４】

【表２】

【０１３５】表２の結果から明らかなように、比較例は
いずれも、感度及び現像欠陥数の点で問題を含む。一
方、本発明のポジ型フォトレジスト組成物はそのすべて
について満足がいくレベルにある。すなわち、ＡｒＦエ
キシマレーザー露光を始めとする遠紫外線を用いたリソ
グラフィーに好適である。

【０１３６】

【発明の効果】本発明は、特に１７０nm〜２２０nmとい
う波長領域の光に対して十分好適であり、著しく向上し
た感度を有し、更に現像欠陥の改善が実現し、良好なレ
ジストパターンプロファイルが得られるポジ型フォトレ
ジスト組成物を提供できる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 活性光線または放射線の照射により酸を
   発生する化合物、下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表
   される脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも
   １つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、酸の作用に
   より分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及
   び（ｉ）親水性官能基および環状炭化水素基を有する低
   分子化合物又は（ｉｉ）親水性官能基を有するナフタレ
   ン化合物を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポ
   ジ型フォトレジスト組成物。 【化１】 式中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
   イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅ
   ｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭
   化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。Ｒ₁₂〜Ｒ
   ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分
   岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ
   ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、もしくはＲ₁₅、Ｒ₁₆の
   いずれかは脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、各
   々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは
   分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、
   Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を
   表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素数１〜４個
   の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素
   基を表す。Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個
   の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素
   基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂
   環式炭化水素基を表す。
2. 【請求項２】 前記樹脂が、下記一般式（Ａ）で表され
   る、酸の作用により分解する基を含有することを特徴と
   する請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジ
   スト組成物。 一般式（Ａ） −Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ₀ 式（Ａ）中、Ｒ₀は、３級アルキル基、１−アルコキシ
   エチル基、アルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル
   基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、
   ３−オキソシクロヘキシル基又はラクトン基を表す。