JP2000174196A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体チップが搭載される基板がヒートシンク
上に載せられる半導体装置において、熟練した技術を不
要として組付作業工数を低減した上で、効果的な放熱を
可能とする。 【解決手段】基板５の裏面が伝熱グリース１０を介して
ヒートシンク７に当接される。
上に載せられる半導体装置において、熟練した技術を不
要として組付作業工数を低減した上で、効果的な放熱を
可能とする。 【解決手段】基板５の裏面が伝熱グリース１０を介して
ヒートシンク７に当接される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが搭
載される基板がヒートシンク上に載せられる半導体装置
に関する。
載される基板がヒートシンク上に載せられる半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化アルミニウム製の基板上に半導体チ
ップが搭載される構造は、たとえば特開平１−２２０８
５３号公報等により既に知られているが、このような基
板をヒートシンク上に載せるにあたって従来では、ヒー
トシンク上に設けられる銅ベース上に、基板が半田接合
されている。
ップが搭載される構造は、たとえば特開平１−２２０８
５３号公報等により既に知られているが、このような基
板をヒートシンク上に載せるにあたって従来では、ヒー
トシンク上に設けられる銅ベース上に、基板が半田接合
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記銅ベー
ス上への基板の接合にあたっては、基板の裏面にも銅ベ
ースとの接合のための銅板がメタライズ接合されてお
り、ヒートシンク上への基板の搭載が多段構造でなされ
ている。ところが、上記従来のような多段構造では各段
界面での熱抵抗が比較的大きくなり、放熱に時間がかか
ってしまう。特に半導体チップが電力制御用のものであ
る場合には半導体チップでの発熱が大きいので充分な放
熱性を確保する必要があるが、放熱性が不充分となる可
能性がある。しかも上記多段構造に起因して半導体装置
の組付作業工数が多くなってしまう。また基板の裏面の
銅板と、銅ベースとは比較的大きな面積にわたる半田接
合により接合されることになり、そのような大面積の半
田接合では品質を安定、向上させるのに熟練した技術が
必要となる。
ス上への基板の接合にあたっては、基板の裏面にも銅ベ
ースとの接合のための銅板がメタライズ接合されてお
り、ヒートシンク上への基板の搭載が多段構造でなされ
ている。ところが、上記従来のような多段構造では各段
界面での熱抵抗が比較的大きくなり、放熱に時間がかか
ってしまう。特に半導体チップが電力制御用のものであ
る場合には半導体チップでの発熱が大きいので充分な放
熱性を確保する必要があるが、放熱性が不充分となる可
能性がある。しかも上記多段構造に起因して半導体装置
の組付作業工数が多くなってしまう。また基板の裏面の
銅板と、銅ベースとは比較的大きな面積にわたる半田接
合により接合されることになり、そのような大面積の半
田接合では品質を安定、向上させるのに熟練した技術が
必要となる。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、熟練した技術を不要として組付作業工数を低
減した上で、効果的な放熱を可能とした半導体装置を提
供することを目的とする。
のであり、熟練した技術を不要として組付作業工数を低
減した上で、効果的な放熱を可能とした半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、銅板による導電回路が表面
に形成される窒化アルミニウム製の基板と、前記導電回
路に電気的に接続されて前記基板上に固定される半導体
チップと、前記基板が搭載されるヒートシンクとを備え
る半導体装置において、前記基板の裏面が伝熱グリース
を介してヒートシンクに当接されることを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、銅板による導電回路が表面
に形成される窒化アルミニウム製の基板と、前記導電回
路に電気的に接続されて前記基板上に固定される半導体
チップと、前記基板が搭載されるヒートシンクとを備え
る半導体装置において、前記基板の裏面が伝熱グリース
を介してヒートシンクに当接されることを特徴とする。
【０００６】このような請求項１記載の発明の構成によ
れば、基板の裏面が伝熱グリースを介してヒートシンク
に当接されるので、基板およびヒートシンク間に銅板、
半田層および銅ベースが介在していた従来のものと比べ
て、基板およびヒートシンク間の熱抵抗が小さくなり、
半導体チップが電力制御用のものであったとしても十分
な放熱性を得ることができる。しかも広い面積にわたる
半田接合が不要であるので、熟練した技術は不要であ
り、銅ベースのヒートシンクへの取付け、ならびに銅ベ
ースへの基板の接合が不要となるので組付作業工数も低
減されることになる。
れば、基板の裏面が伝熱グリースを介してヒートシンク
に当接されるので、基板およびヒートシンク間に銅板、
半田層および銅ベースが介在していた従来のものと比べ
て、基板およびヒートシンク間の熱抵抗が小さくなり、
半導体チップが電力制御用のものであったとしても十分
な放熱性を得ることができる。しかも広い面積にわたる
半田接合が不要であるので、熟練した技術は不要であ
り、銅ベースのヒートシンクへの取付け、ならびに銅ベ
ースへの基板の接合が不要となるので組付作業工数も低
減されることになる。
【０００７】また請求項２記載の発明は、上記請求項１
記載の発明の構成に加えて、前記基板の表面の導電回路
に接触する電極板が前記ヒートシンクに固定され、電極
板およびヒートシンクに対して制限された範囲で基板が
相対摺動することを可能として、前記基板が電極板およ
びヒートシンク間に挟持されることを特徴とする。
記載の発明の構成に加えて、前記基板の表面の導電回路
に接触する電極板が前記ヒートシンクに固定され、電極
板およびヒートシンクに対して制限された範囲で基板が
相対摺動することを可能として、前記基板が電極板およ
びヒートシンク間に挟持されることを特徴とする。
【０００８】このような請求項２記載の発明の構成によ
れば、基板の導電回路に電極板を接触させた状態で、電
極板およびヒートシンク間に挟まれた基板が制限された
範囲で移動し得るので、電極板、基板およびヒートシン
クの熱膨張率の差に伴なう機械的ストレスや、振動によ
る機械的ストレスを吸収しつつ、導電回路への電極板の
電気的な接続を確実に維持することができる。しかも電
極板および導電回路の相互接触部は、電極板および基板
の相対摺動に伴うセルフクリーニング作用により清浄化
されることになり、電極板の導電回路への導通状態を良
好に維持しつつ良好な熱伝導を得ることができる。
れば、基板の導電回路に電極板を接触させた状態で、電
極板およびヒートシンク間に挟まれた基板が制限された
範囲で移動し得るので、電極板、基板およびヒートシン
クの熱膨張率の差に伴なう機械的ストレスや、振動によ
る機械的ストレスを吸収しつつ、導電回路への電極板の
電気的な接続を確実に維持することができる。しかも電
極板および導電回路の相互接触部は、電極板および基板
の相対摺動に伴うセルフクリーニング作用により清浄化
されることになり、電極板の導電回路への導通状態を良
好に維持しつつ良好な熱伝導を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面に示した本発明の一実施例に基づいて説明する。
付図面に示した本発明の一実施例に基づいて説明する。
【００１０】図１〜図３は本発明の一実施例を示すもの
であり、図１は半導体装置の縦断面図であって図３の１
−１線断面図、図２は半導体装置の分解斜視図、図３は
図１の３矢視平面図である。
であり、図１は半導体装置の縦断面図であって図３の１
−１線断面図、図２は半導体装置の分解斜視図、図３は
図１の３矢視平面図である。
【００１１】先ず図１において、この半導体装置は、三
相のモータ用のパワーモジュールとして構成されるもの
であり、前記モータにおけるＵ，Ｖ，Ｗの各相に個別に
対応した窒化アルミニウム製の３つの基板５…と、各基
板５…上にたとえば６個ずつ固定される半導体チップ６
…と、各基板５…が共通に搭載されるアルミニウム合金
製のヒートシンク７とを備える。
相のモータ用のパワーモジュールとして構成されるもの
であり、前記モータにおけるＵ，Ｖ，Ｗの各相に個別に
対応した窒化アルミニウム製の３つの基板５…と、各基
板５…上にたとえば６個ずつ固定される半導体チップ６
…と、各基板５…が共通に搭載されるアルミニウム合金
製のヒートシンク７とを備える。
【００１２】図２および図３を併せて参照して、窒化ア
ルミニウムによって２〜５ｍｍの厚みを有して長方形状
に形成される基板５の表面には、銅板のメタライズ接合
によりパターン化された導電回路８が形成されており、
該導電回路８の所定位置に各半導体チップ６…が高融点
の半田により接合される。しかも各半導体チップ６…お
よび導電回路８の電気的接続を果すべく、アルミワイヤ
等の導電線９…の両端が各半導体チップ６…および導電
回路８にボンディング接合される。
ルミニウムによって２〜５ｍｍの厚みを有して長方形状
に形成される基板５の表面には、銅板のメタライズ接合
によりパターン化された導電回路８が形成されており、
該導電回路８の所定位置に各半導体チップ６…が高融点
の半田により接合される。しかも各半導体チップ６…お
よび導電回路８の電気的接続を果すべく、アルミワイヤ
等の導電線９…の両端が各半導体チップ６…および導電
回路８にボンディング接合される。
【００１３】各基板５…の裏面は、伝熱グリース１０…
を介してヒートシンク７の上面に当接される。ヒートシ
ンク７の上面には、各基板５…の幅よりもわずかに大き
な間隔をあけた４つの規制ピン１１…が１列に並んで植
設されており、各基板５…は、各規制ピン１１…相互間
で、伝熱グリース１０…を介してヒートシンク７の上面
に当接するように配置される。
を介してヒートシンク７の上面に当接される。ヒートシ
ンク７の上面には、各基板５…の幅よりもわずかに大き
な間隔をあけた４つの規制ピン１１…が１列に並んで植
設されており、各基板５…は、各規制ピン１１…相互間
で、伝熱グリース１０…を介してヒートシンク７の上面
に当接するように配置される。
【００１４】ヒートシンク７上には、開口部１３を有し
て合成樹脂等の絶縁材料から成る枠体１２が締結される
ものであり、前記開口部１３は、一列に配列された４つ
の前記規制ピン１１…を長手方向両端に配置するように
して長方形状に形成されており、各規制ピン１１…の配
列方向と直交する方向の開口部１３の長さは、各基板５
…の長手方向長さよりもわずかに長く形成される。すな
わち各基板５…は、各規制ピン１１…と、開口部１３と
で制限される範囲でヒートシンク７に対して摺動するこ
とを可能として枠体１２内に配置される。
て合成樹脂等の絶縁材料から成る枠体１２が締結される
ものであり、前記開口部１３は、一列に配列された４つ
の前記規制ピン１１…を長手方向両端に配置するように
して長方形状に形成されており、各規制ピン１１…の配
列方向と直交する方向の開口部１３の長さは、各基板５
…の長手方向長さよりもわずかに長く形成される。すな
わち各基板５…は、各規制ピン１１…と、開口部１３と
で制限される範囲でヒートシンク７に対して摺動するこ
とを可能として枠体１２内に配置される。
【００１５】３つの基板５…のうち両側の基板５…の導
電回路８…において電源のプラス側に接続される部分
と、真ん中の基板５の導電回路８において電源のプラス
側に接続される部分とには、隣接する基板５，５間にわ
たる長方形状の電極板１４，１４が当接され、両側の基
板５…の導電回路８…において電源のプラス側に接続さ
れる部分に一端が当接される長方形状の電極板１５，１
５の他端は両側の基板５，５から側方に突設される。ま
た３つの基板５…のうち両側の基板５…の導電回路８…
において電源のマイナス側に接続される部分と、真ん中
の基板５の導電回路８において電源のマイナス側に接続
される部分とには、隣接する基板５，５間にわたって前
記電極板１４，１４と平行に配置される長方形状の電極
板１６，１６が当接され、両側の基板５…の導電回路８
…において電源のマイナス側に接続される部分に一端が
当接されて前記電極板１５，１５と平行に配置される長
方形状の電極板１７，１７の他端は両側の基板５，５か
ら側方に突設される。さらに各基板５…の導電回路８…
の出力部分に一端を個別に当接せしめる３つの電極板１
８…の他端が、各基板５…の長手方向一端から外方に突
出される。しかも各基板５…からの電極板１５…，１７
…，１８…の突出端部には、ピン状の端子を嵌合、接続
するための円筒状の接続部１５ａ…，１７ａ…，１８ａ
…が設けられる。
電回路８…において電源のプラス側に接続される部分
と、真ん中の基板５の導電回路８において電源のプラス
側に接続される部分とには、隣接する基板５，５間にわ
たる長方形状の電極板１４，１４が当接され、両側の基
板５…の導電回路８…において電源のプラス側に接続さ
れる部分に一端が当接される長方形状の電極板１５，１
５の他端は両側の基板５，５から側方に突設される。ま
た３つの基板５…のうち両側の基板５…の導電回路８…
において電源のマイナス側に接続される部分と、真ん中
の基板５の導電回路８において電源のマイナス側に接続
される部分とには、隣接する基板５，５間にわたって前
記電極板１４，１４と平行に配置される長方形状の電極
板１６，１６が当接され、両側の基板５…の導電回路８
…において電源のマイナス側に接続される部分に一端が
当接されて前記電極板１５，１５と平行に配置される長
方形状の電極板１７，１７の他端は両側の基板５，５か
ら側方に突設される。さらに各基板５…の導電回路８…
の出力部分に一端を個別に当接せしめる３つの電極板１
８…の他端が、各基板５…の長手方向一端から外方に突
出される。しかも各基板５…からの電極板１５…，１７
…，１８…の突出端部には、ピン状の端子を嵌合、接続
するための円筒状の接続部１５ａ…，１７ａ…，１８ａ
…が設けられる。
【００１６】上記各電極板１４…，１５…，１６…，１
７…，１８…は、絶縁紙等の絶縁材料で長方形状に形成
される絶縁シート１９の裏面に接着されており、電極板
１５…，１７…，１８…の他端は、該絶縁シート１９か
ら外方に突出される。
７…，１８…は、絶縁紙等の絶縁材料で長方形状に形成
される絶縁シート１９の裏面に接着されており、電極板
１５…，１７…，１８…の他端は、該絶縁シート１９か
ら外方に突出される。
【００１７】一方、枠体１２には、各規制ピン１１…の
配列方向に沿う方向での開口部１３の両端に連なる段部
２０，２０が、電極板１５…，１７…の一部を載せると
ともにそれらの電極板１５…，１７…の絶縁シート１９
からの突出部を嵌合せしめる形状で形成されるととも
に、各規制ピン１１…の配列方向に直交する方向での開
口部１３の一側に連なる３つの段部２１…が、電極板１
８…の絶縁シート１９からの突出部を嵌合、載置せしめ
る形状で形成される。
配列方向に沿う方向での開口部１３の両端に連なる段部
２０，２０が、電極板１５…，１７…の一部を載せると
ともにそれらの電極板１５…，１７…の絶縁シート１９
からの突出部を嵌合せしめる形状で形成されるととも
に、各規制ピン１１…の配列方向に直交する方向での開
口部１３の一側に連なる３つの段部２１…が、電極板１
８…の絶縁シート１９からの突出部を嵌合、載置せしめ
る形状で形成される。
【００１８】絶縁シート１９には、各基板５…の大部分
を臨ませる３つの窓２２…が設けられており、各窓２２
…を相互間に挟むようにして４つの金属製押さえ板２３
…が絶縁シート１９の表面に接着される。これらの押さ
え板２３…には、各規制ピン１１…を相互間に挟む位置
に一対ずつの挿通孔２４，２５…が設けられており、一
方の挿通孔２４…に挿通されて絶縁シート１９を貫通す
るボルト２６…が、電極板１５，１７間および電極板１
４，１６間でヒートシンク７に螺合され、また他方の挿
通孔２５…に挿通されて絶縁シート１９を貫通するボル
ト２７…が、前記規制ピン１１…を前記ボルト２６…と
の間に挟む位置でヒートシンク７に螺合される。
を臨ませる３つの窓２２…が設けられており、各窓２２
…を相互間に挟むようにして４つの金属製押さえ板２３
…が絶縁シート１９の表面に接着される。これらの押さ
え板２３…には、各規制ピン１１…を相互間に挟む位置
に一対ずつの挿通孔２４，２５…が設けられており、一
方の挿通孔２４…に挿通されて絶縁シート１９を貫通す
るボルト２６…が、電極板１５，１７間および電極板１
４，１６間でヒートシンク７に螺合され、また他方の挿
通孔２５…に挿通されて絶縁シート１９を貫通するボル
ト２７…が、前記規制ピン１１…を前記ボルト２６…と
の間に挟む位置でヒートシンク７に螺合される。
【００１９】また絶縁シート１９の裏面には、図３にお
いて各ボルト２７…の左側に配置される金属製のスペー
サ２８…が接着されており、各スペーサ２８…の厚み
は、各電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…
と同一に設定される。而して図３において最も右側のボ
ルト２８を除く３つのボルト２８…は、電極板１８…お
よびスペーサ２８…間に配置されることになり、図３に
おいて最も左側のスペーサ２８は枠体１２の段部２０に
当接するが、他のスペーサ２８…は、各基板５…の表面
の導電回路８…に、電気的な接続機能を果すことのない
ようにして当接される。
いて各ボルト２７…の左側に配置される金属製のスペー
サ２８…が接着されており、各スペーサ２８…の厚み
は、各電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…
と同一に設定される。而して図３において最も右側のボ
ルト２８を除く３つのボルト２８…は、電極板１８…お
よびスペーサ２８…間に配置されることになり、図３に
おいて最も左側のスペーサ２８は枠体１２の段部２０に
当接するが、他のスペーサ２８…は、各基板５…の表面
の導電回路８…に、電気的な接続機能を果すことのない
ようにして当接される。
【００２０】このようにして各基板５…の表面の導電回
路８…に接触する電極板１４…，１５…，１６…，１７
…，１８…がヒートシンク７に固定されることになり、
各電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…およ
びヒートシンク７間に各基板５…が挟持され、各基板５
…は、各規制ピン１１…および枠体１２の開口部１３に
よって制限される範囲で各電極板１４…，１５…，１６
…，１７…，１８…およびヒートシンク７に対して相対
摺動することが可能となる。
路８…に接触する電極板１４…，１５…，１６…，１７
…，１８…がヒートシンク７に固定されることになり、
各電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…およ
びヒートシンク７間に各基板５…が挟持され、各基板５
…は、各規制ピン１１…および枠体１２の開口部１３に
よって制限される範囲で各電極板１４…，１５…，１６
…，１７…，１８…およびヒートシンク７に対して相対
摺動することが可能となる。
【００２１】次にこの実施例の作用について説明する
と、銅板による導電回路８…が表面に形成される窒化ア
ルミニウム製の基板５…の裏面が、伝熱グリース１０…
を介してヒートシンク７に当接されるので、基板および
ヒートシンク間に銅板、半田層および銅ベースが介在し
ていた従来のものと比べると、基板５…およびヒートシ
ンク７間の熱抵抗が小さくなる。したがって基板５…上
に搭載される半導体チップ６…が、本実施例のように電
力制御用のものであったとしても、基板５…からヒート
シンク７への充分な放熱性を得ることができる。しかも
基板５…の裏面の銅板と、銅ベースとを比較的大きな面
積にわたる半田接合により接合するものに比べると、広
い面積にわたる半田接合が不要であるので、熟練した技
術は不要であり、組付作業工数も低減されることにな
る。
と、銅板による導電回路８…が表面に形成される窒化ア
ルミニウム製の基板５…の裏面が、伝熱グリース１０…
を介してヒートシンク７に当接されるので、基板および
ヒートシンク間に銅板、半田層および銅ベースが介在し
ていた従来のものと比べると、基板５…およびヒートシ
ンク７間の熱抵抗が小さくなる。したがって基板５…上
に搭載される半導体チップ６…が、本実施例のように電
力制御用のものであったとしても、基板５…からヒート
シンク７への充分な放熱性を得ることができる。しかも
基板５…の裏面の銅板と、銅ベースとを比較的大きな面
積にわたる半田接合により接合するものに比べると、広
い面積にわたる半田接合が不要であるので、熟練した技
術は不要であり、組付作業工数も低減されることにな
る。
【００２２】ところで、ヒートシンク上に設けられる銅
ベース上に窒化アルミニウム製の基板が半田接合されて
いた従来のものでは、基板の厚みが０．２〜０．３ｍｍ
程度であったのに対し、基板５…の厚みは２〜５ｍｍに
設定されるものであり、このように基板５…を厚板化す
ることにより基板５…の熱容量を高めることができる。
これにより、ヒートマスの機能を果たしていた銅ベース
を廃止して、伝熱グリース１０…を介して基板５…をヒ
ートシンク７上に取付けても、半導体チップ６…で発生
した熱を、銅ベースを用いた従来のものと同等に放散す
ることができるのである。
ベース上に窒化アルミニウム製の基板が半田接合されて
いた従来のものでは、基板の厚みが０．２〜０．３ｍｍ
程度であったのに対し、基板５…の厚みは２〜５ｍｍに
設定されるものであり、このように基板５…を厚板化す
ることにより基板５…の熱容量を高めることができる。
これにより、ヒートマスの機能を果たしていた銅ベース
を廃止して、伝熱グリース１０…を介して基板５…をヒ
ートシンク７上に取付けても、半導体チップ６…で発生
した熱を、銅ベースを用いた従来のものと同等に放散す
ることができるのである。
【００２３】また基板５…の表面の導電回路８…に接触
する電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…が
ヒートシンク７に固定され、電極板１４…，１５…，１
６…，１７…，１８…およびヒートシンク７に対して制
限された範囲で基板５…が相対摺動することを可能とし
て、基板５…が電極板１４…，１５…，１６…，１７
…，１８…およびヒートシンク７間に挟持されるので、
電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…、基板
５…およびヒートシンク７の熱膨張率の差に伴なう機械
的ストレスや、振動による機械的ストレスを吸収しつ
つ、導電回路８…への電極板１４…，１５…，１６…，
１７…，１８…の電気的な接続を確実に維持することが
できる。
する電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…が
ヒートシンク７に固定され、電極板１４…，１５…，１
６…，１７…，１８…およびヒートシンク７に対して制
限された範囲で基板５…が相対摺動することを可能とし
て、基板５…が電極板１４…，１５…，１６…，１７
…，１８…およびヒートシンク７間に挟持されるので、
電極板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…、基板
５…およびヒートシンク７の熱膨張率の差に伴なう機械
的ストレスや、振動による機械的ストレスを吸収しつ
つ、導電回路８…への電極板１４…，１５…，１６…，
１７…，１８…の電気的な接続を確実に維持することが
できる。
【００２４】しかも電極板１４…，１５…，１６…，１
７…，１８…および導電回路８…の相互接触部は、電極
板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…および基板
５…の相対摺動に伴うセルフクリーニング作用により清
浄化されるので、電極板１４…，１５…，１６…，１７
…，１８…の導電回路８…への導通状態を良好に維持し
つつ良好な熱伝導を得ることができる。
７…，１８…および導電回路８…の相互接触部は、電極
板１４…，１５…，１６…，１７…，１８…および基板
５…の相対摺動に伴うセルフクリーニング作用により清
浄化されるので、電極板１４…，１５…，１６…，１７
…，１８…の導電回路８…への導通状態を良好に維持し
つつ良好な熱伝導を得ることができる。
【００２５】以上、本発明の実施例を詳述したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計
変更を行なうことが可能である。
明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計
変更を行なうことが可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、基板およびヒートシンク間の熱抵抗を小さくして充
分な放熱性を得ることができ、熟練した技術を不要とし
て組付作業工数を低減することができる。
ば、基板およびヒートシンク間の熱抵抗を小さくして充
分な放熱性を得ることができ、熟練した技術を不要とし
て組付作業工数を低減することができる。
【００２７】また請求項２記載の発明によれば、電極
板、基板およびヒートシンクの熱膨張率の差に伴なう機
械的ストレスや、振動による機械的ストレスを吸収し
て、導電回路への電極板の電気的な接続を確実に維持す
ることができ、電極板の導電回路への導通状態を良好に
維持しつつ良好な熱伝導を得ることができる。
板、基板およびヒートシンクの熱膨張率の差に伴なう機
械的ストレスや、振動による機械的ストレスを吸収し
て、導電回路への電極板の電気的な接続を確実に維持す
ることができ、電極板の導電回路への導通状態を良好に
維持しつつ良好な熱伝導を得ることができる。
【図１】半導体装置の縦断面図であって図３の１−１線
断面図である。
断面図である。
【図２】半導体装置の分解斜視図である。
【図３】図１の３矢視平面図である。
５・・・基板 ６・・・半導体チップ ７・・・ヒートシンク ８・・・導電回路 １０・・・伝熱グリース １４，１５，１６，１７，１８・・・電極板
フロントページの続き (72)発明者 岩澤 克彦 埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン ダエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 上田 武司 埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン ダエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 塚田 能成 埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン ダエンジニアリング株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 銅板による導電回路（８）が表面に形成
される窒化アルミニウム製の基板（５）と、前記導電回
路（８）に電気的に接続されて前記基板（５）上に固定
される半導体チップ（６）と、前記基板（５）が搭載さ
れるヒートシンク（７）とを備える半導体装置におい
て、前記基板（５）の裏面が伝熱グリース（１０）を介
してヒートシンク（７）に当接されることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記基板（５）の表面の導電回路（８）
に接触する電極板（１４，１５，１６，１７，１８）が
前記ヒートシンク（７）に固定され、電極板（１４〜１
８）およびヒートシンク（７）に対して制限された範囲
で基板（５）が相対摺動することを可能として、前記基
板（５）が電極板（１４〜１８）およびヒートシンク
（７）間に挟持されることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34189498A JP3523094B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34189498A JP3523094B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174196A true JP2000174196A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3523094B2 JP3523094B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=18349572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34189498A Expired - Fee Related JP3523094B2 (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3523094B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147658A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Yaskawa Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2011071550A (ja) * | 2010-12-21 | 2011-04-07 | Denso Corp | 電子装置 |
| US20190230780A1 (en) * | 2018-01-25 | 2019-07-25 | Nec Corporation | Electronic component, electronic component manufacturing method, and mechanical component |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP34189498A patent/JP3523094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006147658A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Yaskawa Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2011071550A (ja) * | 2010-12-21 | 2011-04-07 | Denso Corp | 電子装置 |
| US20190230780A1 (en) * | 2018-01-25 | 2019-07-25 | Nec Corporation | Electronic component, electronic component manufacturing method, and mechanical component |
| US10674596B2 (en) * | 2018-01-25 | 2020-06-02 | Nec Corporation | Electronic component, electronic component manufacturing method, and mechanical component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3523094B2 (ja) | 2004-04-26 |
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