JP2000174039A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングの際に接着樹脂をボンディング
ヘッドに付着させることなく、しかも製造工程を増加す
ることがない半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 このプリント配線板６の一方の主面上に
は、配線パターン５が形成されている。また、プリント
配線板６の配線パターン５上には、突起電極であるバン
プ４を介して半導体チップ２が実装されている。また、
半導体チップ２の上には、半導体チップ２が位置する領
域に穴１ａを有するプレート１が配置されている。配線
パターン５とプレート１との間には、接着用樹脂３が充
填されており、プリント配線板６、半導体チップ２、及
びプレート１を一体的に結合している。
ヘッドに付着させることなく、しかも製造工程を増加す
ることがない半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 このプリント配線板６の一方の主面上に
は、配線パターン５が形成されている。また、プリント
配線板６の配線パターン５上には、突起電極であるバン
プ４を介して半導体チップ２が実装されている。また、
半導体チップ２の上には、半導体チップ２が位置する領
域に穴１ａを有するプレート１が配置されている。配線
パターン５とプレート１との間には、接着用樹脂３が充
填されており、プリント配線板６、半導体チップ２、及
びプレート１を一体的に結合している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に半導体
チップを実装してなる半導体装置及びその製造方法に関
する。
チップを実装してなる半導体装置及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップボンディングにより、半
導体チップをプリント配線板に実装する従来の方法につ
いて説明する。まず、プリント配線板のチップを実装す
る部分に接着用樹脂を供給し、プリント配線板の接着用
樹脂の上に半導体チップを仮置きする。次に、ボンディ
ングヘッドを一度上昇させてツールクリーニングした
後、ボンディングヘッドと半導体チップとの間にテフロ
ンシートなどを挟んだ状態で、再びこのボンディングヘ
ッドで半導体チップをプリント配線板に押圧するととも
に加熱する。このようにして半導体チップをプリント配
線板に実装する。なお、実装の際に半導体チップとボン
ディングヘッドとの間にテフロンシートを挟んでいるの
は、接着樹脂がボンディングヘッドに付着しないように
するためである。
導体チップをプリント配線板に実装する従来の方法につ
いて説明する。まず、プリント配線板のチップを実装す
る部分に接着用樹脂を供給し、プリント配線板の接着用
樹脂の上に半導体チップを仮置きする。次に、ボンディ
ングヘッドを一度上昇させてツールクリーニングした
後、ボンディングヘッドと半導体チップとの間にテフロ
ンシートなどを挟んだ状態で、再びこのボンディングヘ
ッドで半導体チップをプリント配線板に押圧するととも
に加熱する。このようにして半導体チップをプリント配
線板に実装する。なお、実装の際に半導体チップとボン
ディングヘッドとの間にテフロンシートを挟んでいるの
は、接着樹脂がボンディングヘッドに付着しないように
するためである。
【０００３】また、接着樹脂の供給量を少なくした状態
で半導体チップをプリント配線板にボンディングした後
に、該半導体チップの側面に接着樹脂を供給してフィレ
ットを形成する方法もある。さらに、半導体チップから
発生する熱を放熱するために、半導体チップのボンディ
ング後に、放熱板（ヒートスプレッダー）を半導体チッ
プの上面に接着することもある。
で半導体チップをプリント配線板にボンディングした後
に、該半導体チップの側面に接着樹脂を供給してフィレ
ットを形成する方法もある。さらに、半導体チップから
発生する熱を放熱するために、半導体チップのボンディ
ング後に、放熱板（ヒートスプレッダー）を半導体チッ
プの上面に接着することもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法においては、接着樹脂をボンディングヘッドに付着
させることをある程度は防止することはできるが、効果
は不十分である。また、接着樹脂の付着防止のためだけ
にフッ素樹脂シートを配置する工程を付加するのは、製
造コストの増加につながる。
方法においては、接着樹脂をボンディングヘッドに付着
させることをある程度は防止することはできるが、効果
は不十分である。また、接着樹脂の付着防止のためだけ
にフッ素樹脂シートを配置する工程を付加するのは、製
造コストの増加につながる。
【０００５】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、ボンディングの際に接着樹脂がボンディングヘッ
ドに付着することのない半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。
あり、ボンディングの際に接着樹脂がボンディングヘッ
ドに付着することのない半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、プリント配線板上に半
導体チップを搭載して形成される半導体装置であって、
該プリント配線板上に形成された配線パターンと、該配
線パターン上に導電部材を介して搭載された半導体チッ
プと、該半導体チップにおける該配線パターンと反対側
の面に設けられ、該面上に穴部を有し且つ該半導体チッ
プよりも大きい板状体と、を具備することを特徴とす
る。
め、本発明に係る半導体装置は、プリント配線板上に半
導体チップを搭載して形成される半導体装置であって、
該プリント配線板上に形成された配線パターンと、該配
線パターン上に導電部材を介して搭載された半導体チッ
プと、該半導体チップにおける該配線パターンと反対側
の面に設けられ、該面上に穴部を有し且つ該半導体チッ
プよりも大きい板状体と、を具備することを特徴とす
る。
【０００７】上記半導体装置では、半導体チップよりも
板状体が大きいので、ボンディングの際に接着用樹脂が
板状体を回り込んでボンディングヘッドに付着すること
を防止できる。
板状体が大きいので、ボンディングの際に接着用樹脂が
板状体を回り込んでボンディングヘッドに付着すること
を防止できる。
【０００８】また、前記板状体は、金属材料で構成さ
れ、前記半導体チップを覆うように前記半導体チップ側
に凹形状であることも可能である。これにより、半導体
チップに対するシールド効果を発揮することができる。
れ、前記半導体チップを覆うように前記半導体チップ側
に凹形状であることも可能である。これにより、半導体
チップに対するシールド効果を発揮することができる。
【０００９】本発明に係る半導体装置の製造方法は、真
空吸着穴を備えたボンディングヘッドを用いて、プリン
ト配線板上に半導体チップを実装して形成する半導体装
置の製造方法であって、該半導体チップの背面部より大
きく且つ貫通穴を有する板状体を準備し、該貫通穴に該
真空吸着穴を接続させた状態で該ボンディングヘッドに
より該板状体を真空吸着する工程と、該半導体チップの
背面を、該板状体の該貫通穴を介して該ボンディングヘ
ッドにより真空吸着する工程と、接着材が塗布されたプ
リント配線板を準備し、このプリント配線板上に該半導
体チップを該接着材を介して該ボンディングヘッドによ
り押圧加熱する工程と、を具備することを特徴とする。
また、前記半導体チップは導電部材を介して前記プリン
ト配線板に実装されていることが好ましい。
空吸着穴を備えたボンディングヘッドを用いて、プリン
ト配線板上に半導体チップを実装して形成する半導体装
置の製造方法であって、該半導体チップの背面部より大
きく且つ貫通穴を有する板状体を準備し、該貫通穴に該
真空吸着穴を接続させた状態で該ボンディングヘッドに
より該板状体を真空吸着する工程と、該半導体チップの
背面を、該板状体の該貫通穴を介して該ボンディングヘ
ッドにより真空吸着する工程と、接着材が塗布されたプ
リント配線板を準備し、このプリント配線板上に該半導
体チップを該接着材を介して該ボンディングヘッドによ
り押圧加熱する工程と、を具備することを特徴とする。
また、前記半導体チップは導電部材を介して前記プリン
ト配線板に実装されていることが好ましい。
【００１０】上記半導体装置の製造方法では、半導体チ
ップの背面部より大きい板状体を介してボンディングヘ
ッドにより該半導体チップを真空吸着し、プリント配線
板上に半導体チップを実装しているため、ボンディング
の際に接着用樹脂が板状体を回り込んでボンディングヘ
ッドに付着することを防止できる。
ップの背面部より大きい板状体を介してボンディングヘ
ッドにより該半導体チップを真空吸着し、プリント配線
板上に半導体チップを実装しているため、ボンディング
の際に接着用樹脂が板状体を回り込んでボンディングヘ
ッドに付着することを防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の実施の形態によ
る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置は、
ガラスエポキシ基板などの有機材料で構成されたプリン
ト配線板６を有している。このプリント配線板６の一方
の主面上には、配線パターン５が形成されている。ま
た、プリント配線板６の配線パターン５上には、突起電
極であるバンプ４を介して半導体チップ２が実装されて
いる。
施の形態を説明する。図１は、本発明の実施の形態によ
る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置は、
ガラスエポキシ基板などの有機材料で構成されたプリン
ト配線板６を有している。このプリント配線板６の一方
の主面上には、配線パターン５が形成されている。ま
た、プリント配線板６の配線パターン５上には、突起電
極であるバンプ４を介して半導体チップ２が実装されて
いる。
【００１２】また、半導体チップ２の上には穴１ａを有
するプレート１が配置されており、この穴１ａは半導体
チップ２の上面中央部に位置している。配線パターン５
とプレート１との間には、接着用樹脂３が充填されてお
り、プリント配線板６、半導体チップ２、及びプレート
１を一体的に結合している。
するプレート１が配置されており、この穴１ａは半導体
チップ２の上面中央部に位置している。配線パターン５
とプレート１との間には、接着用樹脂３が充填されてお
り、プリント配線板６、半導体チップ２、及びプレート
１を一体的に結合している。
【００１３】ここで、プレート１の形状は、平板の中央
に穴１ａを形成したものである。このプレート１の大き
さは、プリント配線板６とプレート１とを接着用樹脂３
で一体化することを考慮すると、半導体チップ２よりも
大きいことが好ましい。具体的には、半導体チップのサ
イズが例えば１０×１０ｍｍの場合には、プレートは１
１×１１ｍｍ以上であることが望ましい。また、プレー
ト１の厚さは、特に限定されないが、０．１〜１ｍｍ程
度であることが好ましい。
に穴１ａを形成したものである。このプレート１の大き
さは、プリント配線板６とプレート１とを接着用樹脂３
で一体化することを考慮すると、半導体チップ２よりも
大きいことが好ましい。具体的には、半導体チップのサ
イズが例えば１０×１０ｍｍの場合には、プレートは１
１×１１ｍｍ以上であることが望ましい。また、プレー
ト１の厚さは、特に限定されないが、０．１〜１ｍｍ程
度であることが好ましい。
【００１４】プレート１の形状は、平板形状以外に、断
面が略コの字形状として、半導体チップ２に対して凹形
状とすることが好ましい。このように半導体チップ２の
上面及び側面を覆うような形状にすることにより、半導
体チップ２に対するシールド効果を発揮することができ
る。この場合、プレート１の側壁部（即ち半導体チップ
２の側面を覆う部分）の高さは、半導体チップ２の厚さ
が例えば０．５ｍｍであって、バンプ４の高さが例えば
０．０５ｍｍであるときには、０．５４ｍｍ程度である
ことが好ましい。その理由は、プレート１の側壁部の高
さが低すぎると、シールド効果が少なくなり、側壁部の
高さが高すぎると、ボンディング時に良好な圧力を加え
ることができず、半導体チップ２と配線パターン５との
間の接続が不良となるので好ましくない。
面が略コの字形状として、半導体チップ２に対して凹形
状とすることが好ましい。このように半導体チップ２の
上面及び側面を覆うような形状にすることにより、半導
体チップ２に対するシールド効果を発揮することができ
る。この場合、プレート１の側壁部（即ち半導体チップ
２の側面を覆う部分）の高さは、半導体チップ２の厚さ
が例えば０．５ｍｍであって、バンプ４の高さが例えば
０．０５ｍｍであるときには、０．５４ｍｍ程度である
ことが好ましい。その理由は、プレート１の側壁部の高
さが低すぎると、シールド効果が少なくなり、側壁部の
高さが高すぎると、ボンディング時に良好な圧力を加え
ることができず、半導体チップ２と配線パターン５との
間の接続が不良となるので好ましくない。
【００１５】プレート１の材質は、プレートの役割によ
り適宜選択することができるが、金属であることが好ま
しい。例えば、プレート１を放熱板（ヒートスプレッダ
ー）として使用する場合には、プレート１の材質は、熱
伝導率が高い例えば銅やアルミニウムなどであることが
好ましく、プレート１をシールドとして使用する場合に
は、プレート１の材質は、シールド性に優れた例えば銅
であることが好ましい。また、プレート１を半導体チッ
プと他の素子との間の絶縁部材として使用する場合に
は、プレート１の材質は、絶縁性に優れた例えばプラス
チックであっても良い。
り適宜選択することができるが、金属であることが好ま
しい。例えば、プレート１を放熱板（ヒートスプレッダ
ー）として使用する場合には、プレート１の材質は、熱
伝導率が高い例えば銅やアルミニウムなどであることが
好ましく、プレート１をシールドとして使用する場合に
は、プレート１の材質は、シールド性に優れた例えば銅
であることが好ましい。また、プレート１を半導体チッ
プと他の素子との間の絶縁部材として使用する場合に
は、プレート１の材質は、絶縁性に優れた例えばプラス
チックであっても良い。
【００１６】次に、図１に示す半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図２〜図５は、本発明の実施の形態に
よる半導体装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
ついて説明する。図２〜図５は、本発明の実施の形態に
よる半導体装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【００１７】まず、半導体チップ２の回路面の電極パッ
ドにバンプ４を形成する。なお、バンプの材料として
は、金などの導電材料として使用されている材料を用い
ることが可能である。プリント配線板６の一方の主面上
にＣｕなどをメッキで被着して金属層を形成し、フォト
リソグラフィー及びエッチングにより、配線パターン５
を形成する。
ドにバンプ４を形成する。なお、バンプの材料として
は、金などの導電材料として使用されている材料を用い
ることが可能である。プリント配線板６の一方の主面上
にＣｕなどをメッキで被着して金属層を形成し、フォト
リソグラフィー及びエッチングにより、配線パターン５
を形成する。
【００１８】次に、プリント配線板６に半導体チップ２
をフリップチップボンディングする。このフリップチッ
プボンディングには、図２に示すようなボンディングヘ
ッド７を用いる。このボンディングヘッド７は、その中
央部に真空穴７ａが形成されており、この真空穴７ａを
介して真空吸着可能に構成されている。このボンディン
グヘッド７は、加熱並びに加圧する機能を有する。
をフリップチップボンディングする。このフリップチッ
プボンディングには、図２に示すようなボンディングヘ
ッド７を用いる。このボンディングヘッド７は、その中
央部に真空穴７ａが形成されており、この真空穴７ａを
介して真空吸着可能に構成されている。このボンディン
グヘッド７は、加熱並びに加圧する機能を有する。
【００１９】この後、図３に示すように、ボンディング
ヘッド７をプレート１の上面に当接し、その状態でボン
ディングヘッド７の真空穴７ａを介してプレート１を真
空吸着する。このとき、ボンディングヘッド７の真空穴
７ａとプレート１の穴１ａとの位置を合わせておく。こ
こで、ボンディングヘッド７の穴７ａにより真空吸引す
る際、プレート１の穴１ａから空気を吸ってリークした
状態となるが、プレート１の穴１ａに対してボンディン
グヘッド７の真空穴７ａが十分に大きい（例えば約２倍
以上）ので、プレート１をボンディングヘッド７で十分
に吸着することができる。
ヘッド７をプレート１の上面に当接し、その状態でボン
ディングヘッド７の真空穴７ａを介してプレート１を真
空吸着する。このとき、ボンディングヘッド７の真空穴
７ａとプレート１の穴１ａとの位置を合わせておく。こ
こで、ボンディングヘッド７の穴７ａにより真空吸引す
る際、プレート１の穴１ａから空気を吸ってリークした
状態となるが、プレート１の穴１ａに対してボンディン
グヘッド７の真空穴７ａが十分に大きい（例えば約２倍
以上）ので、プレート１をボンディングヘッド７で十分
に吸着することができる。
【００２０】次いで、図４に示すように、プリント配線
板６における半導体チップ２を実装する部分に、ディス
ペンス法等によりあらかじめ充分な量の接着用樹脂３を
供給しておく。次に、実装プレート１を吸着した状態で
ボンディングヘッド７を半導体チップ２の裏面（バンプ
４の反対側の面）に近づけ、プレート１を半導体チップ
２に当接させる。これにより、ボンディングヘッド７の
真空穴７ａとプレート１の穴１ａを介して半導体チップ
２を真空吸着することができる。その後、ボンディング
ヘッド７に吸着した半導体チップ２を上記接着用樹脂３
の上方に移動させ、半導体チップ２のバンプ４とプリン
ト配線板６の配線パターン５とを相互に位置合わせす
る。
板６における半導体チップ２を実装する部分に、ディス
ペンス法等によりあらかじめ充分な量の接着用樹脂３を
供給しておく。次に、実装プレート１を吸着した状態で
ボンディングヘッド７を半導体チップ２の裏面（バンプ
４の反対側の面）に近づけ、プレート１を半導体チップ
２に当接させる。これにより、ボンディングヘッド７の
真空穴７ａとプレート１の穴１ａを介して半導体チップ
２を真空吸着することができる。その後、ボンディング
ヘッド７に吸着した半導体チップ２を上記接着用樹脂３
の上方に移動させ、半導体チップ２のバンプ４とプリン
ト配線板６の配線パターン５とを相互に位置合わせす
る。
【００２１】次いで、図５に示すように、ボンディング
ヘッド７によって半導体チップ２をプリント配線板６に
押圧するとともに加熱する。これにより、接着用樹脂３
が半導体チップ２とプリント配線板６との隙間に広が
り、半導体チップ２の側面へと押し広げられ、該側面を
覆いながら、フィレットを形成する。この時、接着用樹
脂３によりプレート１もプリント配線板６に接着され
る。このようにして、プレート１、半導体チップ２、及
びプリント配線板６が一体に結合され、プリント配線板
６の配線パターン５と半導体チップ２のバンプ４との間
が電気的に接続される。その後、ボンディングヘッド７
を上昇させて、半導体チップ２の実装を完了する。以上
の工程により、半導体チップ２の背面にはプレート１が
接着固定されると共に、半導体チップ２がプリント配線
板６に接着される。
ヘッド７によって半導体チップ２をプリント配線板６に
押圧するとともに加熱する。これにより、接着用樹脂３
が半導体チップ２とプリント配線板６との隙間に広が
り、半導体チップ２の側面へと押し広げられ、該側面を
覆いながら、フィレットを形成する。この時、接着用樹
脂３によりプレート１もプリント配線板６に接着され
る。このようにして、プレート１、半導体チップ２、及
びプリント配線板６が一体に結合され、プリント配線板
６の配線パターン５と半導体チップ２のバンプ４との間
が電気的に接続される。その後、ボンディングヘッド７
を上昇させて、半導体チップ２の実装を完了する。以上
の工程により、半導体チップ２の背面にはプレート１が
接着固定されると共に、半導体チップ２がプリント配線
板６に接着される。
【００２２】上記実施の形態によれば、半導体チップ２
よりもプレート１が大きいので、ボンディングの際に接
着用樹脂３がプレート１を回り込んでボンディングヘッ
ド７に付着することを防止できる。また、半導体チップ
２のフリップチップボンディングと同時にプレート１を
接着することができる。また、プレート１は、その役割
に応じて材質を選択することにより、工程を増やすこと
なく、機能部材を配置することができる。例えば、プレ
ート１を放熱板、シールド材、絶縁部材として使用する
ことができる。
よりもプレート１が大きいので、ボンディングの際に接
着用樹脂３がプレート１を回り込んでボンディングヘッ
ド７に付着することを防止できる。また、半導体チップ
２のフリップチップボンディングと同時にプレート１を
接着することができる。また、プレート１は、その役割
に応じて材質を選択することにより、工程を増やすこと
なく、機能部材を配置することができる。例えば、プレ
ート１を放熱板、シールド材、絶縁部材として使用する
ことができる。
【００２３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体チップにおける配線パターンと反対側の面に設けら
れ、該面上に穴部を有し且つ該半導体チップよりも大き
い板状体を具備する。したがって、ボンディングの際に
接着樹脂が板状体を回り込んでボンディングヘッドに付
着することを防止できる半導体装置及びその製造方法を
提供することができる。
導体チップにおける配線パターンと反対側の面に設けら
れ、該面上に穴部を有し且つ該半導体チップよりも大き
い板状体を具備する。したがって、ボンディングの際に
接着樹脂が板状体を回り込んでボンディングヘッドに付
着することを防止できる半導体装置及びその製造方法を
提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面図であ
る。
【図５】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面図であ
る。
法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面図であ
る。
１…プレート、１ａ…穴、２…半導体チップ、３…接着
用樹脂、４…バンプ、５…配線パターン、６…プリント
配線板、７…ボンディングヘッド、７ａ…真空穴。
用樹脂、４…バンプ、５…配線パターン、６…プリント
配線板、７…ボンディングヘッド、７ａ…真空穴。
Claims (4)
- 【請求項１】 プリント配線板上に半導体チップを搭載
して形成される半導体装置であって、 該プリント配線板上に形成された配線パターンと、 該配線パターン上に導電部材を介して搭載された半導体
チップと、 該半導体チップにおける該配線パターンと反対側の面に
設けられ、該面上に穴部を有し且つ該半導体チップより
も大きい板状体と、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記板状体は、金属材料で構成され、前
記半導体チップを覆うように前記半導体チップ側に凹形
状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 真空吸着穴を備えたボンディングヘッド
を用いて、プリント配線板上に半導体チップを実装して
形成する半導体装置の製造方法であって、 該半導体チップの背面部より大きく且つ貫通穴を有する
板状体を準備し、該貫通穴に該真空吸着穴を接続させた
状態で該ボンディングヘッドにより該板状体を真空吸着
する工程と、 該半導体チップの背面を、該板状体の該貫通穴を介して
該ボンディングヘッドにより真空吸着する工程と、 接着材が塗布されたプリント配線板を準備し、このプリ
ント配線板上に該半導体チップを該接着材を介して該ボ
ンディングヘッドにより押圧加熱する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記半導体チップは導電部材を介して前
記プリント配線板に実装されていることを特徴とする請
求項３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10347588A JP2000174039A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10347588A JP2000174039A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174039A true JP2000174039A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18391240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10347588A Pending JP2000174039A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000174039A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179687B2 (en) | 2003-10-27 | 2007-02-20 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
| CN100444358C (zh) * | 2003-04-02 | 2008-12-17 | Abb研究有限公司 | 局部放电减少的绝缘功率半导体模块及制造方法 |
-
1998
- 1998-12-07 JP JP10347588A patent/JP2000174039A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100444358C (zh) * | 2003-04-02 | 2008-12-17 | Abb研究有限公司 | 局部放电减少的绝缘功率半导体模块及制造方法 |
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| CN100352023C (zh) * | 2003-10-27 | 2007-11-28 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 |
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