JP2000164972A - Drive circuit for laser diode - Google Patents
Drive circuit for laser diodeInfo
- Publication number
- JP2000164972A JP2000164972A JP10335656A JP33565698A JP2000164972A JP 2000164972 A JP2000164972 A JP 2000164972A JP 10335656 A JP10335656 A JP 10335656A JP 33565698 A JP33565698 A JP 33565698A JP 2000164972 A JP2000164972 A JP 2000164972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- transistor
- circuit
- transistors
- drive circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は光通信伝送システム
におけるレーザーダイオードドライブ回路に関し、特に
レーザーダイオードに逆バイアス電圧を高速で印加して
オフ時の光出力を低減するレーザーダイオードドライブ
回路に関する。The present invention relates to a laser diode drive circuit in an optical communication transmission system, and more particularly to a laser diode drive circuit for applying a reverse bias voltage to a laser diode at a high speed to reduce an off-state optical output.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種のレーザーダイオードドラ
イブ回路としては、エミッタ接地回路のトランジスタの
コレクタとアース間にレーザーダイオードを接続したよ
うな回路が高速伝送の方式として知られている。図２に
従来のレーザーダイオードドライブ回路の構成図を示
す。同図において、レーザーダイオードドライブ回路
は、光を発光するレーザーダイオード１と、レーザーダ
イオード１の発光、消光を制御するトランジスタ２と、
レーザーダイオード１の電流を制限する抵抗３と、プラ
ス電源４とにより構成する。同図の動作を説明すると、
ＮＰＮトランジスタ２のベースがアース電位の時は、該
トランジスタ２が遮断状態のためプラス電源４より抵抗
３を介してレーザーダイオード１に電流が流れ、該レー
ザーダイオード１は発光状態になる。次に前記トランジ
スタ２のベースにプラス電圧を加えて該トランジスタ２
を導通状態にすると、レーザーダイオード１を流れる電
流が切断されレーザーダイオード１は消光状態になる。
この繰り返しにより任意のパルス信号がレーザーダイオ
ード１より発生される。2. Description of the Related Art As a conventional laser diode drive circuit of this type, a circuit in which a laser diode is connected between the collector of a transistor of a grounded-emitter circuit and ground is known as a high-speed transmission system. FIG. 2 shows a configuration diagram of a conventional laser diode drive circuit. In the figure, a laser diode drive circuit includes a laser diode 1 that emits light, a transistor 2 that controls light emission and extinction of the laser diode 1,
It comprises a resistor 3 for limiting the current of the laser diode 1 and a positive power supply 4. The operation of FIG.
When the base of the NPN transistor 2 is at the ground potential, the transistor 2 is turned off, so that a current flows from the positive power supply 4 to the laser diode 1 via the resistor 3, and the laser diode 1 enters a light emitting state. Next, a plus voltage is applied to the base of the transistor 2 to
Is turned on, the current flowing through the laser diode 1 is cut off, and the laser diode 1 is turned off.
By this repetition, an arbitrary pulse signal is generated from the laser diode 1.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述した
従来のレーザーダイオードドライブ回路は、トランジス
タが飽和電流状態でもコレクタとエミッタ間に微少な電
圧が残るためレーザーダイオードを流れる電流は完全に
はゼロとならない。一方、光スターカプラを用いてバー
スト信号により単一の波長で複数のユーザーにサービス
を行う光通信システムにおいては、消光時の規格が−２
５ｄＢｍ以下に設定されているため、従来の回路構成で
は十分に消光時の規格を満足できないという欠点があ
る。本発明は、上述したような従来のレーザーダイオー
ドドライブ回路の問題を解決するためになされたもので
あって、レーザーダイオードに逆バイアスをかけること
で完全にレーザーダイオードを流れる電流を遮断する回
路構成を取ることにより、消光比の極めて高いレーザー
ダイオードドライブ回路を提供することを目的とする。However, in the above-described conventional laser diode drive circuit, even when the transistor is in a saturated current state, a small voltage remains between the collector and the emitter, so that the current flowing through the laser diode is not completely zero. On the other hand, in an optical communication system that provides services to a plurality of users at a single wavelength using a burst signal using an optical star coupler, the standard for extinction is −2.
Since it is set to 5 dBm or less, the conventional circuit configuration has a drawback that the standard for extinction cannot be sufficiently satisfied. The present invention has been made in order to solve the problems of the conventional laser diode drive circuit described above, and has a circuit configuration that completely shuts off the current flowing through the laser diode by applying a reverse bias to the laser diode. Accordingly, an object is to provide a laser diode drive circuit having an extremely high extinction ratio.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るレーザーダイオードドライブ回路は以下
の構成をとる。２個のＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰ
トランジスタのコレクタ間に接続されたレーザーダイオ
ードを有し、該２個のＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰ
トランジスタがエミッタ接地回路方式で構成されかつコ
レクタ側に該レーザーダイオードの光出力を検出して該
レーザーダイオードを流れる電流を制御する光出力パワ
ーコントロール回路を介して電源が接続され、前記２個
のＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰトランジスタのベー
スに各々ＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰトランジスタ
から構成されるエミッタ接地回路方式とコレクタ接地回
路方式の２段からなる従属接続回路の出力が接続され、
該２段従属接続回路の各々の入力としてお互いに位相が
反転した正パルス信号または負パルス信号が接続される
よう構成する。In order to achieve the above object, a laser diode drive circuit according to the present invention has the following configuration. Two NPN transistors or PNP
A laser diode connected between the collectors of the transistors, said two NPN transistors or PNP
A power supply is connected to a transistor via a common emitter circuit system and a collector is connected to a power supply via a light output power control circuit for detecting a light output of the laser diode and controlling a current flowing through the laser diode. The base of the transistor or the PNP transistor is connected to the output of a two-stage cascade connection circuit of a common emitter circuit system and a common collector circuit system each comprising an NPN transistor or a PNP transistor,
A positive pulse signal or a negative pulse signal whose phases are inverted from each other is connected to each input of the two-stage cascade connection circuit.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】以下、添付図面に示した実施例に
より本発明の詳細を説明する。図１は本発明に係るレー
ザーダイオードドライブ回路の一実施例の基本構成を示
す図である。同図においてレーザーダイオードドライブ
回路は、光を発光するレーザーダイオード１と、レーザ
ーダイオード１の駆動電流を制御するトランジスタ５、
６と、レーザーダイオード１の駆動電流を制限する抵抗
７、８と、レーザーダイオード１の光出力パワーコント
ロール回路（以下、ＡＰＣと称す）９と、トランジスタ
５、６のドライバ回路をとなるトランジスタ１０、１
１、１２、１３及び抵抗１４、１５、１６、１７と、プ
ラス電源４及びマイナス電源１８とにより構成する。同
図の動作を説明すると、エミッタ側がアース電位にあり
コレクタ側がプラス電圧出力を有するＡＰＣ９に接続さ
れたエミッタ接地回路方式の２個のＮＰＮトランジスタ
５、６のコレクタ間にレーザーダイオード１が接続され
ている。ＮＰＮトランジスタ５、６のベースには各々エ
ミッタ接地回路とコレクタ接地回路が従属接続された２
個のＮＰＮトランジスタ１０、１２及び１１、１３から
なるドライバ回路のエミッタ出力部が接続されている。
該ドライバ回路のエミッタ側にはマイナス電源１８が接
続され、該コレクタ側はプラス電源４が接続されてい
る。ＡＰＣ９はレーザーダイオード１の光出力をフォト
ダイオードで検出してレーザーダイオード１の光出力が
一定になるようにプラスの出力電圧の大きさを自動的に
制御する回路である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of one embodiment of a laser diode drive circuit according to the present invention. In the figure, a laser diode drive circuit includes a laser diode 1 that emits light, a transistor 5 that controls a drive current of the laser diode 1,
6, resistors 7 and 8 for limiting the drive current of the laser diode 1, an optical output power control circuit (hereinafter, referred to as APC) 9 for the laser diode 1, and a transistor 10 serving as a driver circuit for the transistors 5 and 6. 1
1, 12, 13, resistors 14, 15, 16, 17, plus power supply 4 and minus power supply 18. The operation of FIG. 2 will be described. The laser diode 1 is connected between the collectors of two NPN transistors 5 and 6 of a grounded-emitter circuit type in which the emitter side is at the ground potential and the collector side is connected to the APC 9 having a positive voltage output. I have. Grounded emitter circuits and grounded collector circuits are cascaded to the bases of NPN transistors 5 and 6, respectively.
The emitter output of the driver circuit including the NPN transistors 10, 12, 11 and 13 is connected.
A negative power supply 18 is connected to the emitter side of the driver circuit, and a positive power supply 4 is connected to the collector side. The APC 9 is a circuit that detects the optical output of the laser diode 1 with a photodiode and automatically controls the magnitude of the positive output voltage so that the optical output of the laser diode 1 becomes constant.
【０００６】図１おいてＮＰＮトランジスタ１０、１２
からなるドライバ回路の入力としてプラス電圧が加えら
れると、トランジスタ１２は導通しトランジスタ１０は
遮断状態となり、結果としてトランジスタ５のベースは
アース電位となることから、レーザーダイオード１のア
ノードにはＡＰＣ９よりプラス電圧が加えられる。この
時同時にＮＰＮトランジスタ１１、１３からなるドライ
バ回路の入力として逆位相電圧となるマイナス電圧が加
えられると、トランジスタ１３は遮断しトランジスタ１
１は導通状態となり、結果としてトランジスタ６のベー
スにはプラス電圧が加えられ、レーザーダイオード１の
カソードはアース電位となる。即ち、レーザーダイオー
ド１は順方向電圧を印加された状態となり発光する。一
方、ＮＰＮトランジスタ１０、１２からなるドライバ回
路の入力としてマイナス電圧が加えられると、トランジ
スタ１２は遮断しトランジスタ１０は導通状態となり、
結果としてトランジスタ５のベースはプラス電圧となる
ことから、レーザーダイオード１のアノードはアース電
位となる。この時同時にＮＰＮトランジスタ１１、１３
からなるドライバ回路の入力として逆位相電圧となるプ
ラス電圧が加えられると、トランジスタ１３は導通しト
ランジスタ１１は遮断状態となり、結果としてトランジ
スタ６のベースにはアース電圧が加えられ、レーザーダ
イオード１のカソードはＡＰＣ９よりプラス電圧が加え
られる。即ち、レーザーダイオード１は逆方向電圧を印
加された状態となり消光する。In FIG. 1, NPN transistors 10, 12
When a positive voltage is applied as an input to the driver circuit composed of the transistor, the transistor 12 is turned on and the transistor 10 is turned off. As a result, the base of the transistor 5 is at the ground potential. Voltage is applied. At this time, if a negative voltage that is an antiphase voltage is applied as an input to the driver circuit composed of the NPN transistors 11 and 13 at the same time, the transistor 13 is turned off and the transistor 1 is turned off.
As a result, a positive voltage is applied to the base of the transistor 6, and the cathode of the laser diode 1 is set to the ground potential. That is, the laser diode 1 emits light when a forward voltage is applied. On the other hand, when a negative voltage is applied as an input to the driver circuit composed of the NPN transistors 10 and 12, the transistor 12 is turned off and the transistor 10 is turned on,
As a result, the base of the transistor 5 has a positive voltage, so that the anode of the laser diode 1 has the ground potential. At this time, the NPN transistors 11 and 13 are simultaneously
When a positive voltage, which is an antiphase voltage, is applied as an input to the driver circuit composed of a transistor, the transistor 13 is turned on and the transistor 11 is turned off. As a result, a ground voltage is applied to the base of the transistor 6 and Is supplied with a positive voltage from the APC 9. That is, the laser diode 1 is in a state where a reverse voltage is applied, and is extinguished.
【０００７】図１では回路を２電源にて構成したが、マ
イナス電源１８をアース電位にして１電源により回路を
構成することもできる。又、本回路の電源電圧をプラス
・マイナス逆にすることにより、ＰＮＰトランジスタを
使用して構成することも可能であるが、一般にＮＰＮト
ランジスタの方が高速の素子を入手し易く有利である。In FIG. 1, the circuit is composed of two power supplies, but the circuit may be composed of one power supply with the negative power supply 18 at the ground potential. In addition, it is possible to use a PNP transistor by reversing the power supply voltage of the present circuit by plus / minus. However, in general, an NPN transistor is advantageous because a high-speed element can be easily obtained.
【０００８】[0008]
【発明の効果】上述したように、本発明によるレーザー
ダイオードドライブ回路は、レーザーダイオードを２個
のトランジスタのコレクタ間に接続することにより、レ
ーザーダイオードの遮断時に逆バイアスをレーザーダイ
オードに加え、完全かつ高速に光を消光できるという利
点を持つことから、本レーザーダイオードドライブ回路
を採用することにより、光通信システムの開発を行う上
で大きな効果を発揮する。As described above, the laser diode drive circuit according to the present invention applies a reverse bias to the laser diode when the laser diode is cut off by connecting the laser diode between the collectors of the two transistors, thereby completely and completely. Since the laser diode drive circuit has an advantage of being able to extinguish light at high speed, the use of the laser diode drive circuit has a great effect in developing an optical communication system.
【図１】本発明に係るレーザーダイオードドライブ回路
の一実施例である基本構成図を示す。FIG. 1 shows a basic configuration diagram of an embodiment of a laser diode drive circuit according to the present invention.
【図２】従来のレーザーダイオードドライブ回路の基本
構成図を示す。FIG. 2 shows a basic configuration diagram of a conventional laser diode drive circuit.
１・・レーザーダイオード、 ２、５、６、１０、１
１、１２、１３・・ＮＰＮトランジスタ、 ３、７、
８、１４、１５、１６、１７・・抵抗、４・・プラス電
源、 ９・・ＡＰＣ、 １８・・マイナス電源1..Laser diode, 2, 5, 6, 10, 1
1, 12, 13 ··· NPN transistor, 3, 7,
8, 14, 15, 16, 17 ... resistance, 4 plus power supply, 9 APC, 18 minus power supply
Claims (1)
ランジスタのコレクタ間に接続されたレーザーダイオー
ドを有し、該２個のＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰト
ランジスタがエミッタ接地回路方式で構成されかつコレ
クタ側に該レーザーダイオードの光出力を検出して該レ
ーザーダイオードを流れる電流を制御する光出力パワー
コントロール回路を介して電源が接続され、前記２個の
ＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰトランジスタのベース
に各々ＮＰＮトランジスタまたはＰＮＰトランジスタか
ら構成されるエミッタ接地回路方式とコレクタ接地回路
方式の２段からなる従属接続回路の出力が接続され、該
２段従属接続回路の各々の入力としてお互いに位相が反
転した正パルス信号または負パルス信号が接続される構
成を有することを特徴とするレーザーダイオードドライ
ブ回路。1. A laser diode connected between the collectors of two NPN transistors or PNP transistors, wherein the two NPN transistors or PNP transistors are configured in a common-emitter circuit system and the laser diodes are provided on the collector side. A power supply is connected via an optical output power control circuit for detecting the optical output of the laser diode and controlling the current flowing through the laser diode, and is configured by an NPN transistor or a PNP transistor at the base of each of the two NPN transistors or the PNP transistors. The output of a two-stage cascade connection circuit of a common emitter circuit system and a common collector circuit system is connected, and a positive pulse signal or a negative pulse signal whose phases are inverted with respect to each other is connected as each input of the two-stage cascade connection circuit. Having the configuration Laser diode drive circuit to the butterflies.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335656A JP2000164972A (en) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | Drive circuit for laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335656A JP2000164972A (en) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | Drive circuit for laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164972A true JP2000164972A (en) | 2000-06-16 |
Family
ID=18291051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335656A Pending JP2000164972A (en) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | Drive circuit for laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164972A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347664A (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser drive circuit and image forming device |
| JP2018186112A (en) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | 日本電信電話株式会社 | DML driver |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335656A patent/JP2000164972A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347664A (en) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser drive circuit and image forming device |
| JP2018186112A (en) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | 日本電信電話株式会社 | DML driver |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5140175A (en) | Light-emitting diode drive circuit with fast rise time and fall time | |
| EP0495576B1 (en) | laser driver for an optical disk drive | |
| JP2000164972A (en) | Drive circuit for laser diode | |
| JP2001251011A (en) | Laser diode driving circuit | |
| JPH0983442A (en) | Light emitting element driving circuit | |
| JP3788029B2 (en) | Laser diode drive circuit | |
| JPH0818132A (en) | Photodiode drive circuit | |
| JP2008153544A (en) | Current source circuit and light-emitting element drive circuit | |
| JP2004281566A (en) | Semiconductor laser drive circuit | |
| JP3488088B2 (en) | Light emitting diode drive circuit | |
| JPH11177174A (en) | Light emitting module | |
| JP2002290168A (en) | Optical receiver | |
| JPH05129665A (en) | Led drive circuit | |
| JPH0595148A (en) | Driver for laser diode | |
| JPH0541554A (en) | Laser diode drive circuit | |
| JPH05129689A (en) | Light emitting source on/off circuit | |
| US20020110167A1 (en) | Modulators for vertical cavity surface emitting lasers | |
| JP2894780B2 (en) | Optical transmitter | |
| JP2006236223A (en) | Interphone circuit power source power supply circuit | |
| KR920005091Y1 (en) | Circuit cutting low power | |
| JP2710487B2 (en) | Semiconductor light emitting element drive circuit | |
| JP2554589B2 (en) | Power supply circuit | |
| JPH04271182A (en) | Light emitting device drive circuit | |
| JPH0613658A (en) | Driving circuit of photo semiconductor element | |
| JP2537290B2 (en) | Driving circuit for semiconductor light emitting device |