JP2000160340A - 炭素材料 - Google Patents

炭素材料

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JP2000160340A
JP2000160340A JP10337598A JP33759898A JP2000160340A JP 2000160340 A JP2000160340 A JP 2000160340A JP 10337598 A JP10337598 A JP 10337598A JP 33759898 A JP33759898 A JP 33759898A JP 2000160340 A JP2000160340 A JP 2000160340A
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carbon material
carbon
plasma
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microwave
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JP10337598A
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Katsutoshi Hara
克俊 原
Noriyuki Kitaori
典之 北折
Keizo Takahashi
敬蔵 高橋
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Kao Corp
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Kao Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規な炭素材料を提供すること。 【解決手段】 ダイヤモンド構造及びグラファイト構造
を併有し、金属光沢を有する非黒色系の炭素材料。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な炭素材料に
関し、詳しくは金属光沢を有し加色剤として有用な炭素
材料に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ダイヤ
モンド状炭素(Diamondlike Carbon:DLC)膜は、別名、
硬質炭素膜、非晶質炭素膜、水素化炭素膜などと呼ばれ
ている。それぞれの呼び名は、作製プロセス、膜質、膜
構造のどの面に重きを置くかによって使い分けられてい
る。DLC膜は、各種基材の硬質な潤滑剤保護薄膜とし
て応用されることが多い。例えば、各種電子デバイスに
おける素子の絶縁膜或いは保護膜、磁気ヘッドや軸受け
などの機械的的保護膜、蒸着型の磁気テープや磁気ディ
スクにおける磁性層の保護膜等として用いられている。
【0003】本発明者らは、DLCの構造、物性、製造
プロセス等に関する研究を通じ、新たな炭素材料を開発
することを目的として種々の検討を行った結果、本発明
を完成させたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ダイヤ
モンド構造及びグラファイト構造を併有し、金属光沢を
有する非黒色系の炭素材料を提供するものである。
【0005】また、本発明は、化学気相成長法を用いた
上記炭素材料の好ましい製造方法として、金属板が配置
された減圧槽内において、炭素水素化合物からなる炭素
源をプラズマ化し、該金属板の表面にプラズマを照射し
て、該表面に厚さ0.05〜3μmの薄膜を形成する炭
素材料の製造方法を提供するものである。
【0006】更に、本発明は、金属板が配置された減圧
槽内において、炭素水素化合物からなる炭素源をプラズ
マ化し、該金属板の表面にプラズマを照射して、該表面
に炭素を主成分とする厚さ0.05〜3μmの薄膜を形
成し、該薄膜を該表面から剥離することにより得られる
炭素材料を提供するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の炭素材料は、炭素を主成
分とし副成分として水素を含有している。また、後述す
る原料ガスの種類によっては酸素や窒素等の元素が含有
されることもある。
【0008】本発明の炭素材料は、ダイヤモンド構造及
びグラファイト構造を併有している。つまり、本発明の
炭素材料においては、炭素原子同士がsp3混成軌道に
よって四面体状に結合している結晶構造を有する部分
と、sp2混成軌道によって平面状に結合している結晶
構造を有する部分とが混在している。ダイヤモンド構造
を有する部分と、グラファイト構造を有する部分とは、
炭素材料中においてほぼ均一に分散しているが、製法や
製造条件等により変動することもある。ダイヤモンド構
造を有する部分と、グラファイト構造を有する部分との
比率(体積比)は、製法や製造条件等により変動する。
本発明の炭素材料が、これら二つの結晶構造を有してい
ることの同定にはラマン分光分析が用いられ、ダイヤモ
ンド構造及びグラファイト構造それぞれに特有のラマン
バンドよって同定される。ラマン分光分析は、物質の非
弾性散乱光から構造や結晶性を知る分光法であり、得ら
れるラマンスペクトルから、sp2混成軌道及びsp3
混成軌道の有無を同定することができる。また、本発明
の炭素材料は、上記の二つの結晶構造のほか、非晶質構
造や、炭素原子同士が単結合により鎖状に結合した高〜
低分子量の炭化水素化合物に由来する結晶構造を有して
いてもよい。
【0009】本発明の炭素材料に副成分として含まれて
いる水素は、ダイヤモンド構造及び/又はグラファイト
構造を構成する炭素原子と結合した状態で存在している
か、または炭化水素化合物の形で本発明の炭素材料中に
存在している。炭化水素化合物の具体例としては、後述
する原料ガスとして用いられる炭化水素化合物や、炭素
原子同士が単結合により鎖状に結合した高〜低分子量の
炭化水素化合物等が挙げられる。本発明の炭素材料にお
けるこれら炭化水素化合物の存否は、上述したラマン分
光分析により判断することができる。即ち、上述したダ
イヤモンド構造及びグラファイト構造それぞれに特有の
ラマンバンドに加えて、炭化水素化合物に由来する蛍光
物質のバックグランドが観察される場合には、本発明の
炭素材料に炭化水素化合物が含有されていると判断でき
る。尚、本発明の炭素材料中の炭化水素化合物の含有量
を測定することは現在の技術では極めて困難である。同
様に、本発明の炭素材料中に含まれる水素原子の量を測
定することも困難である。
【0010】本発明の炭素材料は、従来の炭素材料には
全くみられない独特の深みのある金属光沢を有してい
る。この金属光沢が発現する機構は分明ではないが、光
の干渉作用が関与しているのではないかと推測される。
また、本発明の炭素材料は非黒色であり、製法や製造条
件等により種々の色を呈する。典型的な色には、金色、
緑色、赤色、青色、紫色、橙色等がある。
【0011】本発明の炭素材料は典型的には最大で数ミ
リメートル程度の薄片状であり、またこの薄片を粉砕し
て得られた針状、粉状の形態を有している。これらの形
態は、本発明の炭素材料の用途等に応じて適宜選択され
る。
【0012】次に、本発明の炭素材料の好ましい製造方
法について説明する。図1には、本発明の炭素材料の好
ましい製造方法に用いられる装置が示されている。この
装置は、電子磁気共鳴を利用した化学気相成長法(以
下、ECR−CVD法という)を行う装置として公知の
ものであり、大別して、真空チャンバ1と、この真空チ
ャンバ1にそれぞれ連通するプラズマ生成室2及び排気
装置3とからなる。
【0013】真空チャンバ1の内部は遮蔽板4によって
上下二室に区分されている。遮蔽板4によって区分され
た下室には周面に金属板5が配された円筒状のキャンロ
ール6が横設されている。金属板5としては、ステンレ
ス、アルミニウム、銅、鉄等の板を用いることができ
る。金属板5の厚みは、この金属板5をキャンロール6
の周面に配するに足る機械的強度が確保し得る程度であ
ればよい。また、真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形
成手段によって形成された金属薄膜でもよい。尚、遮蔽
板4はキャンロール6上を覆うように配されており、上
下二室は遮蔽板4によって完全に隔離されていない。ま
た、下室には、金属板5の表面と接離可能になされてお
り(図1中矢印Aで示す)且つ端縁部7Aがキャンロー
ル6の回転方向と直交するように配置されたブレード状
の薄膜剥離装置7が備えられている。薄膜剥離装置7
は、その端縁部7Aが金属板5の表面と当接することに
より、該表面上に形成された本発明の炭素材料の薄膜を
剥離させるようになされている。薄膜剥離装置7の下部
には、この薄膜剥離装置7によって剥離された薄膜の剥
離片を収集する剥離片収集器8が配置されている。
【0014】プラズマ生成室2は二つの開口部を有して
おり、その一方が上述の通り真空チャンバ1に連通して
いる。他方の開口部はマイクロ波導入ガラス9によって
閉ざされている。従って、プラズマ生成室2と真空チャ
ンバ1とで減圧槽が構成されることになる。また、この
マイクロ波導入ガラス9を隔ててマイクロ波導入管10
が並設されている。マイクロ波導入ガラス9は、プラズ
マ生成室2とマイクロ波導入管10とを分離してプラズ
マ生成室2を減圧するために、且つマイクロ波を減衰さ
せることなく、プラズマ生成室2へ導入するために必要
である。マイクロ波導入管10は、マイクロ波電源11
に接続されている。また、プラズマ生成室2の壁面に
は、電磁石12がプラズマ生成室2の内部を取り囲むよ
うに配置されており、プラズマ生成室2の内部に所定の
磁場を発生し得るようになされている。更に、プラズマ
生成室2の内部には、原料ガス導入管13を通じて、原
料ガス供給源(図示せず)から原料ガスが供給されるよ
うになされている。
【0015】排気装置3は、真空チャンバ1内を所定の
真空度にするために用いられる。尚、符号14は排気装
置3によって真空にされた真空チャンバ1内の真空度を
表示する真空計である。
【0016】上記の装置を用いて本発明の炭素材料を製
造するには、化学気相成長法(以下、CVD法という)
が用いられる。先ず、排気装置3によって真空チャンバ
1及びプラズマ生成室2内を所定の真空度にする。例え
ば、10mPa以下の真空度に保つ。次に、原料ガス導
入管13を通じて、炭素源としての原料ガスをプラズマ
生成室2内に導入する。原料ガスの導入量は、10〜5
0SCCM、特に30〜45SCCMであることが成膜
速度の点から好ましい。原料ガス導入後の真空チャンバ
1内の真空度は、10〜100mPaであることが好ま
しい。原料ガスの導入に際しては、必要に応じ希釈ガス
としての水素ガス等を原料ガスと共に導入することがで
きる。
【0017】原料ガスとしては炭素水素化合物が使用さ
れるが、基本的に炭素を含有するガスであればその種類
に特に制限は無い。本明細書における炭化水素化合物
は、炭素と水素のみから構成される化合物のほか、炭素
及び水素に加えて、酸素や窒素等の元素を含む化合物を
包含する。炭化水素化合物の具体例としては、炭素と水
素のみから構成される化合物の例として、ベンゼン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素、メタン、エタン、プロパ
ン、ヘキサン、エチレン、アセチレン等の脂肪族炭化水
素等が挙げられ、炭素及び水素に加えて他の元素を含む
化合物の例として、エタノール、メタノール等のアルコ
ール類、フェノール類、エーテル類、ケトン類、アミン
類が挙げられる。また、上記炭化水素化合物中の水素原
子の一部をハロゲン原子で置換した化合物等も用いるこ
とができる。原料ガスは一種以上を用いることができ
る。
【0018】次に、キャンロール6を図1中矢印Bで示
す方向に所定の周速で回転させる。周速は、0.5m/
min以上であることが好ましい。更に、マイクロ波電
源11によって所定波長のマイクロ波を発生させ、マイ
クロ波導入管10及びマイクロ波導入ガラス9を介して
プラズマ生成室2内に導入し、既に導入されている原料
ガスをプラズマ化して、このプラズマをキャンロール6
の周面に配されている金属板5の表面に照射する。マイ
クロ波の周波数は、プラズマ生成室2の広さ、真空度、
原料ガスの種類によって決定される。マイクロ波の出力
は、プラズマの安定生成、成膜速度の低下防止、生成し
た薄膜の熱による損傷防止等の点から50〜500W、
特に100〜300Wであることが好ましい。
【0019】原料ガスのプラズマ化に際しては、プラズ
マ生成室2の壁面に配された電磁石によってプラズマ生
成室2内に磁場を発生させる。この磁場強度は、マイク
ロ波の周波数(例えば2.45GHz)に対して電子サ
イクロトロン共鳴条件(以下、ECR条件という)を満
足するような強度とする。
【0020】キャンロール6を回転させながら金属板5
の表面にプラズマを照射して、該表面に本発明の炭素材
料を所定の厚さになるように形成する。この厚さは、得
られる炭素材料をどのような色にするかによって異なる
が、通常0.05〜3μm、好ましくは0.1〜3μ
m、更に好ましくは0.3〜2μmとする。厚さが0.
05μm未満であると、所望の発色が得られないばかり
か輝度も少なく、更に金属板5より剥離させにくくなる
場合があり、3μm超であると所望の膜厚を得る以前に
金属板5より剥離したり、プラズマの熱により薄膜表面
が変色することがあり、また黒色を呈してしまう。
【0021】本製造方法においては、プラズマの照射対
象として金属板を用いることが重要である。本発明者ら
の詳細な検討の結果、照射対象として例えば樹脂フィル
ム等を用いても本発明の炭素材料は得られず、金属板を
用いることによって初めて得られることが判明した。こ
の理由は分明でないが、本発明の炭素材料の形成に照射
対象面の電気導電性や熱伝導性が関与していることが一
因ではないかと推測される。
【0022】所定の厚さの炭素材料が得られたら、薄膜
剥離装置7の端縁部7Aを金属板5の表面に当接させて
該炭素材料を剥離させる。剥離片は剥離片収集器8によ
って収集され、本発明の炭素材料が得られる。このよう
にして得られた炭素材料は薄片状である。この薄片状の
炭素材料は、必要に応じてこの後粉砕されて針状、粉状
の形態にされてもよい。
【0023】本発明の炭素材料を得るには上述のECR
−CVD法の他に、熱CVD法、マイクロ波CVD法、
RF−CVD法(高周波を利用したもの)等の他のCV
D法を用いてもよい。
【0024】本発明の炭素材料は、上述の通り独特の深
みのある金属光沢を有し、化学的にも安定しているの
で、種々の物品や材料の加色剤(着色剤)として好適に
用いられる。例えば、塗料やプラスチック製品の着色、
繊維の着色、陶磁器の着色に用いられ、また化粧品や染
毛剤等へ添加される。
【0025】〔実施例1〕図1に示す装置を用いて炭素
材料を製造した。先ず、真空チャンバ1内に設置された
キャンロール6の周面にステンレス製で厚み0.8mm
の金属板5を配置した。排気装置3により真空チャンバ
1及びプラズマ生成室2内を排気し、真空度を1.0m
Paとした。原料ガス導入管13を通じてベンゼンガス
を40SCCMでプラズマ生成室2内に導入し、真空度
を50mPaとした。キャンロール6を周速1.0m/
minで回転させ、更にマイクロ波電源11により周波
数2.45GHzのマイクロ波を発生させた。マイクロ
波の入力パワーを300Wに制御し、マイクロ波導波管
10及びマイクロ波導入ガラス9を介してプラズマ生成
室2内にマイクロ波を導入することで、ベンゼンガスを
プラズマ化し、このプラズマを金属板5の表面に照射し
た。その際プラズマ生成室2の壁面に配された電磁石に
所定の電流を供給して磁場を発生させ、プラズマ生成室
2内をECR条件が満足されるような磁場強度とした。
4分30秒間プラズマを金属板5に照射してその表面に
炭素材料の薄膜を形成した。この薄膜の厚みは1.2μ
mであった。薄膜剥離装置7の端縁部7Aを金属板5の
表面に当接させて薄膜を剥離させ、その剥離片を剥離片
収集器8に収集した。このようにして得られた薄片状の
炭素材料を太陽光下で観察したところ、金色の金属光沢
を呈していた。この炭素材料をラマン分光分析したとこ
ろ、ダイヤモンド構造及びグラファイト構造を併有し、
炭素化合物を含有していることが確認された。
【0026】〔実施例2〜4並びに比較例1及び2〕表
1に示す製造条件を用いる以外は実施例1と同様の方法
にて炭素材料を得た。得られた炭素材料の物性を表1に
示す。尚、実施例2〜4で得られた炭素材料について
も、実施例1で得られたものと同様に金属光沢を呈し、
またダイヤモンド構造及びグラファイト構造を併有し、
炭素化合物を含有していることがラマン分光分析で確認
された。また、比較例1及び2で得られた炭素材料は、
ダイヤモンド構造及びグラファイト構造を併有していた
が、金属光沢を呈していなかった。
【0027】
【表1】
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、独特の深みの金属光沢
を有する非黒色系の新規な炭素材料が提供される。この
炭素材料は化学的に安定しているので、種々の物品や材
料の加色剤として好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の炭素材料の好ましい製造方法に用いら
れる装置を示す模式図である。
【符号の説明】
1 真空チャンバ 2 プラズマ生成室 3 排気装置 4 遮蔽板 5 金属板 6 キャンロール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 敬蔵 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 Fターム(参考) 4G046 AA00 AB05 CA02 CB02 CB03 CB08 CC02 GA01 4K030 AA09 BA27 BA28 BB06 CA02 DA08 FA01 FA02 JA01 LA01 LA11

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイヤモンド構造及びグラファイト構造
    を併有し、金属光沢を有する非黒色系の炭素材料。
  2. 【請求項2】 化学気相成長法により請求項1記載の炭
    素材料を製造する方法であって、金属板が配置された減
    圧槽内において、炭素水素化合物からなる炭素源をプラ
    ズマ化し、該金属板の表面にプラズマを照射して、該表
    面に厚さ0.05〜3μmの薄膜を形成する炭素材料の
    製造方法。
  3. 【請求項3】 金属板が配置された減圧槽内において、
    炭素水素化合物からなる炭素源をプラズマ化し、該金属
    板の表面にプラズマを照射して、該表面に炭素を主成分
    とする厚さ0.05〜3μmの薄膜を形成し、該薄膜を
    該表面から剥離することにより得られる炭素材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005247628A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Heiwa Dengen Kk ダイアモンドライクカーボン焼き付け工芸品及びその製造方法
JP2009184859A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Meiji Univ 金属部材、dlc膜の製造装置、及び金属部材の製造方法

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