JP2000158375A - マニピュレ―タヘッド - Google Patents

マニピュレ―タヘッド

Info

Publication number
JP2000158375A
JP2000158375A JP10000299A JP10000299A JP2000158375A JP 2000158375 A JP2000158375 A JP 2000158375A JP 10000299 A JP10000299 A JP 10000299A JP 10000299 A JP10000299 A JP 10000299A JP 2000158375 A JP2000158375 A JP 2000158375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
giant magnetostrictive
coil
manipulator head
magnetostrictive element
yoke
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10000299A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3443031B2 (ja
Inventor
Yuko Morito
戸 祐 幸 森
Yoshio Yamamoto
本 佳 男 山
Takaaki Makino
野 隆 明 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Moritex Corp
Original Assignee
Moritex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Moritex Corp filed Critical Moritex Corp
Priority to JP10000299A priority Critical patent/JP3443031B2/ja
Publication of JP2000158375A publication Critical patent/JP2000158375A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3443031B2 publication Critical patent/JP3443031B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/786Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】長時間連続して使用してもコイルの発熱やこれ
に起因する超磁歪素子の熱膨張がほとんどなく、開閉ス
トロークやクランプ圧が変化しないようにする。 【解決手段】一対のフィンガー (2R, 2L) を開閉させる
超磁歪アクチュエータ(3)が、コイル(7)と、その
中心に配された超磁歪素子(8)と、コイル(7)の外
側に配したヨーク(10)とを備え、超磁歪素子(8)と
ヨーク(10)とでコイル(7)により生ずる磁束を通す
閉磁気回路を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワークを掴むフィ
ンガーを超磁歪アクチュエータにより開閉するマニピュ
レータヘッドに関し、特に、半導体素子などの電極と外
部リード端子との間をワイヤボンディングするボンディ
ングマシンのワイヤクランパなどに用いて好適なもので
ある。
【0002】
【従来の技術】ワイヤボンディングマシンは、半導体素
子をリードフレームに固着した後、その半導体素子及び
リードフレームに形成された電極間を極細の金線で電気
的に接続するためのもので、図4に示すように、スプー
ル41に巻回されている金線42を案内するガイド43
と、金線42を挿通保持するキャピラリ44と、金線4
2を所定のタイミングでクランプするワイヤクランパ4
5が配され、前記キャピラリ44とワイヤクランパ45
がロボットアームに一体的に取り付けられてXYZ方向
に移動できるように成されている。
【0003】このボンディングマシンを用いて半導体素
子46の電極47と外部リード端子48との間をワイヤ
ボンディングする場合、まず、金線42の先端をキャピ
ラリ44に通して所定長さだけ出しておき、ワイヤクラ
ンパ45を閉じて金線42を固定しておく。
【0004】そして、金線42の先端で放電を起こさ
せ、当該金線42を溶かしてボール状の液滴を形成し、
この状態でキャピラリ44を半導体素子46の電極47
に降下させて液滴を電極47に押し当てて第一ボンディ
ングを行う。
【0005】次いで、ワイヤクランパ45を開いて金線
42を離した状態で、キャピラリ44を外部リード端子
48まで移動させ、金線42を当該端子48に押し当て
て第二ボンディングを行う。
【0006】最後に、キャピラリ44を上昇させて、金
線42をキャピラリ44の先端から所定長さだけ繰り出
した状態で、ワイヤクランパ45を閉じ、さらにキャピ
ラリ44を上昇させると、金線42が引っ張られて外部
リード端子48から引きちぎられ、一つの電極について
ボンディング作業が終了する。そして、これを次々と繰
り返して、各電極について連続してボンディング作業を
行う。
【0007】このようなボンディングマシンに使用する
ワイヤクランパ45は、金線42を係脱自在に掴むフィ
ンガーと、これを開閉するアクチュエータからなる。そ
して、フィンガーを開閉するアクチュエータとして、種
々のタイプのものがあるが、プッシュプルソレノイドコ
イルを用いたものは応答速度が遅く、構造が複雑であ
り、ボイスコイル系リニアモータを用いたものは大型で
構造が複雑であり、圧電素子を用いたものは製作コスト
が嵩み故障しやすく信頼性に欠けるという問題点があっ
た。
【0008】このため、本出願人は、コイルで生ずる磁
界により棒状の超磁歪素子を軸方向に伸縮させる超磁歪
アクチュエータを用い、その伸縮変形を利用してフィン
ガーを開閉するワイヤクランパを試作した。このワイヤ
クランパは、超磁歪アクチュエータによりフィンガーを
開閉するので、小型,軽量,安価に製造することがで
き、構造が簡単で故障しにくく、開閉の応答速度が速
く、低電圧で駆動することができるというメリットがあ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クラン
パとして必要な所定の開閉ストロークや所定のクランプ
圧を得るには、コイルに電流を流して高磁界を形成しな
ければならないので、連続的に開閉動作を繰り返した場
合には、コイルが発熱して、その熱により超磁歪素子が
熱膨張し、その変位がフィンガーに伝えられて、開閉ス
トロークやクランプ圧に変化を生じるという新たな問題
を生じた。
【0010】例えば、直径が数10μmの金線をフィン
ガーの先端に通すには、開成時に100μm程度の隙間
ができるようにし、閉成時には金線を引きちぎるために
約50gf前後の力でクランプする必要がある。この条
件を満たすように、線径0.25mmの銅線を870ターン
巻回して形成したコイルを用いて、±0.6 Aの電流を、
周波数10Hz(開成時間0.09秒,閉成時間0.01秒)の
サイクルで通電したところ、コイルの表面温度は70〜
80℃まで上昇した。
【0011】したがって、超磁歪素子を伸長させてフィ
ンガーを開く構造のクランパにあっては、超磁歪素子の
熱膨張によりフィンガーが開くように作用するので、金
線を掴んでも十分なクランプ圧が得られず、金線を引き
ちぎることができなくなってしまう。また、超磁歪素子
を伸長させてフィンガーを閉じる構造のクランパにあっ
ては、超磁歪素子の熱膨張によりフィンガーが閉じるよ
うに作用するので、フィンガーを開いても十分な隙間が
できず、金線がひっかかってその間を自由にすり抜ける
ことができなくなるといった不都合を生ずる。
【0012】そこで本発明は、長時間連続して使用して
もコイルの発熱が少なく、開閉ストロークやクランプ圧
が変化しないようにすることを技術的課題としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明は、コイルにより生ずる磁界で棒状の超磁歪
素子を軸方向に伸縮させ、その伸縮変形を利用して一対
のフィンガーを開閉させる超磁歪アクチュエータを備え
たマニピュレータヘッドにおいて、前記超磁歪アクチュ
エータは、コイルの中心に配された前記超磁歪素子とコ
イルの外側に配されたヨークとでコイルにより生ずる磁
束を通す閉磁気回路が形成されたことを特徴とする。
【0014】本発明によれば、コイルの中心に配された
超磁歪素子と、コイルの外側に配されたヨークとでコイ
ルにより生ずる磁束を通す閉磁気回路が形成されている
ので、全体の磁気抵抗が減少すると同時に、漏洩磁束が
減少し、その磁束を効率的に超磁歪素子に作用させるこ
とができる。したがって、マニピュレータヘッドとして
必要な性能を従来より大幅に小さい起磁力で得ることが
でき、その分、コイルに流す電流量を減少させて、発熱
量を抑えることができる。
【0015】また、超磁歪アクチュエータを装着するフ
レームを外側に向かって突出する放熱フィンを有する断
面T字状に形成すれば、フレームに伝搬された熱を外気
に放熱することができるだけでなく、全体重量が軽くな
るので高速応答性にも優れる。
【0016】さらに、ヨークを略方形の枠型に形成すれ
ば、コイルは外気に曝されたままであるので、コイルが
多少発熱することがあっても、その熱が放熱されやす
く、超磁歪素子を熱膨張させるまでの影響を与えること
はない。また、ヨークを任意の角度に傾ければ、マニピ
ュレータヘッドの全高が高くなることもなく、また、幅
方向にも広げる必要がないので、設置スペースの限られ
た場所にもそのまま組み込むことができる。
【0017】さらにまた、ヨークを、45パーマロイ、
50パーマロイ、78パーマロイ、純鉄、ケイ素綱、軟
磁性アモルファス、方向性ケイ素綱、アルパーム、セン
ダスト、Mo入りスーパーマロイ、Cu入りスーパーマ
ロイなどの高透磁率材料で形成すれば、磁気抵抗を従来
の40%程度にまで下げることができる。したがって、
コイルに供給する電流をより減少させて、発熱量をさら
に少なくすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。図1は本発明に係るマニ
ピュレータヘッドを示す説明図、図2はそのA−A線断
面図、図3は超磁歪アクチュエータを示す説明図であ
る。
【0019】本例に係るマニピュレータヘッド1は、例
えば、ワイヤボンディングマシンのロボットアームに装
着されるワイヤクランパとして用いられるもので、ワイ
ヤを掴む左右一対のフィンガー2R,2Lと、フィンガ
ー2R,2Lを開閉する超磁歪アクチュエータ3を備え
ている。
【0020】フィンガー2R,2Lは、その先端にワイ
ヤクランプ用のパッド4R,4Lが設けられ、その後端
側には、超磁歪アクチュエータ3を装着するフレーム5
が一体的に取り付けられている。
【0021】フィンガー2R,2Lは、後端が力点P1
となり、先端のパッド4R,4Lが作用点P2 となり、
フレーム5に接続された中間点が支点P3 となる梃を形
成する。したがって、フレーム5内に配された超磁歪ア
クチュエータ3により超磁歪素子8が伸長されて、力点
1 が作用点P2 方向へ圧されると、支点P3 を中心に
外側へ開くように回動される。このフィンガー2R,2
L及びフレーム5は、外側に突出する放熱フィン6を有
する断面T字状に形成され、当該放熱フィン6により放
熱効果が高められると共に、機械的強度を低下させるこ
となく軽量化が図られている。
【0022】一方、超磁歪アクチュエータ3は、コイル
7の中心に棒状の超磁歪素子8が配され、その後端が前
記フレーム5の後枠5aに押し当てられると共に、先端
がプッシュロッド9を介してフィンガー2R,2Lの後
端に形成された力点P1 に押し当てられており、超磁歪
素子8が伸長すると、力点P1 が作用点P 2 側へ移動さ
れることになるので、前述したように、フィンガー2
R,2Lが確実に開く。
【0023】また、超磁歪アクチュエータ3には、前記
超磁歪素子8と、コイル7の外側に配されたヨーク10
とで閉磁気回路が形成されているので、コイル7で生ず
る磁界が超磁歪素子8とヨーク10内を通り、その磁気
回路の磁気抵抗を低くすることができる。
【0024】このヨーク10は、45パーマロイ、50
パーマロイ、78パーマロイ、純鉄、ケイ素綱、軟磁性
アモルファス、方向性ケイ素綱、アルパーム、センダス
ト、Mo入りスーパーマロイ、Cu入りスーパーマロイ
などの最大比透磁率1000以上、より好ましくは50
00以上の合金で形成されている。
【0025】また、ヨーク10は、超磁歪素子8の後端
側に当接される略U字状の下枠10Aと、超磁歪素子8
の先端側に当接される略一字状の上枠10Bの二つの部
材により、略方形の枠型に形成されている。そして、下
枠10Aの先端に形成されたピン11,11に上枠10
Bが係合されて、超磁歪素子8の伸縮方向に摺動可能に
形成されている。これにより、超磁歪素子8が伸長した
ときに上枠10Bがその伸長方向にスライドするので、
ヨーク10が変形したり、超磁歪素子8の伸びが制限さ
れることもない。
【0026】さらに、ヨーク10は、超磁歪素子8を中
心に回動可能に配設されているので、図1に示すよう
に、フレーム5を水平に位置させた状態で、ヨーク10
をフレーム5に対して所定角度傾斜させて配置すれば、
全高が高くなることもなく、したがって高さ方向の設置
スペースに余裕のない装置にも装着することができる。
【0027】なお、超磁歪素子8の断面積をSm、その
飽和磁束密度をBmとし、ヨーク10を形成する材料の
飽和磁束密度をBy、その断面積をSyとしたときに、
超磁歪素子8及びヨーク10内に形成される磁束が飽和
状態にあれば、 Bm・Sm=By・Sy が成り立つ。
【0028】例えば、超磁歪素子8として、断面積25
mm2 のETREMATERFENOL−D(エトリー
マ社の商品名)を用い、ヨーク10を45パーマロイで
成形すると、Sm=25×10-6〔m2 〕、Bm=0.9
〔T〕、By=1.4 〔T〕である。したがって、超磁歪
素子8に飽和磁束密度で磁束を形成するためには、ヨー
ク10の断面積Syは約17×10-6〔m2 〕あれば足
りる。ここで、ヨーク10は、方形枠型に形成されてお
り、コイル7の外側に二つの閉磁気回路が形成されるの
で、ヨーク10を構成する各部材の断面積は、超磁歪素
子8に接触する部分を除き、その半分の8.5 ×10
-6〔m2 〕あれば足りることになる。
【0029】なお、12はフィンガー2R,2Lを閉じ
る方向に付勢するスプリング、13はスプリング12の
強さを調節することによりフィンガー2R,2Lのクラ
ンプ圧を調整するクランプ圧調整ネジ、14は超磁歪素
子8にプリストレスを付与するプリストレス調節ネジで
ある。
【0030】以上が本発明の一例構成であって、次にそ
の作用を説明する。まず、予めクランプ圧調整ネジ13
及びプリストレス調節ネジ14を調節しておく。具体的
には、コイル7にバイアス電流を供給して磁気バイアス
をかけ、さらに正電流を供給した状態で、パッド4R,
4L間が100 μm程度開くように各ネジ13,14を調
節し、また、バイアス電流をキャンセルする負電流を供
給するか、バイアス電流をオフしたときにパッド4R,
4Lが密着して50gf程度の力が得られるように各ネ
ジ13,14を調節する。
【0031】ここで、コイル7に正電流を流すと磁界が
形成され、その磁力により超磁歪素子8が伸長して、フ
ィンガー2R,2Lの後端の力点P1 が圧されるので、
フィンガー2R,2Lはフレーム5に連結された支点P
3 を中心に外側へ回動して開く。このとき、超磁歪素子
8とヨーク10で、コイル7により生ずる磁束を通す閉
磁気回路が形成されているので、全体の磁気抵抗が減少
すると同時に、漏洩磁束が減少し、その磁束を効率的に
超磁歪素子8に作用させることができる。ここで、ヨー
ク10を高透磁率材料で形成すれば、磁気抵抗はさらに
小さくなる。したがって、マニピュレータヘッド1とし
て必要な性能を従来より大幅に小さい起磁力で得ること
ができ、その分コイル7に供給する電圧/電流は少なく
て済み、本例の場合、+2V/+0.25A程度であった。
【0032】次いで、正電流をオフして、コイル7に負
電流を流すと逆方向の磁界が形成され、その磁力によ
り、フィンガー2R,2Lの後端の力点P1 を圧してい
た超磁歪素子8が収縮するので、スプリング12の弾撥
力によりフィンガー2R,2Lはフレーム5に連結され
た支点P3 を中心に内側へ回動して閉じる。この場合
も、超磁歪素子8とヨーク10で閉磁気回路が形成され
ているので、その磁束を効率的に超磁歪素子8に作用さ
せることができ、コイル7に供給する負の電圧/電流は
−2V/−0.25A程度で足りる。
【0033】そして、前述と同じ条件で、線径0.25mm
の銅線を870ターン巻回して形成したコイル7を用い
て、±0.25Aの電流を、周波数10Hz(開成時間0.09
秒,閉成時間0.01秒)のサイクルで通電したところ、30
00時間(駆動回数1×108 回)経過した時点において
も、当初のクランプ性能が維持され、コイル7の表面の
相対的な上昇温度は5℃以下であった。
【0034】したがって、コイル7の発熱及びこれに起
因する超磁歪素子8の熱膨張がほとんどなく、長時間使
用しても性能変化を生じないので、このワイヤクランパ
を組み込んだワイヤボンディングマシンの信頼性,製品
の歩留りが向上し、ボンディング作業の高効率化を図る
ことができる。
【0035】なお、上述したように、超磁歪素子8に磁
気バイアスをかける手段としてコイル7にバイアス電流
を供給する場合に限らず、磁気回路中(例えば超磁歪素
子8とヨーク10が接する2ケ所又はヨーク10の一
部)にサマリウムコバルト磁石等の表面磁束密度の大き
い永久磁石を配設してもよい。
【0036】また、本発明に係るマニピュレータヘッド
1をワイヤボンディングマシンのワイヤクランパとして
使用する場合について説明したが、本発明はこれに限ら
ず、数μm〜数百μmの微小物体を掴むマニピュレータ
ヘッドとして、工作機械、医療機械、マイクロマシンな
ど任意の用途に用いることができる。
【0037】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、超
磁歪素子とヨークとで閉磁気回路が形成されているの
で、コイルで生ずる磁界の磁気抵抗が減少し、マニピュ
レータヘッドとして必要な性能を従来より大幅に小さい
起磁力で得ることができ、その分、コイルに流す電流量
を減少させて、発熱量を抑えることができるだけでな
く、これに起因する超磁歪素子の熱膨張による性能変化
を起こすことがないという大変優れた効果を有する。ま
た、ヨークとして高透磁率材料を用いれば、磁気抵抗が
より減少するので、コイルに流す電流量もさらに減少さ
せることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマニピュレータヘッドを示す説明
図。
【図2】そのA−A線断面図。
【図3】超磁歪アクチュエータを示す説明図。
【図4】ワイヤボンディングマシンを示す説明図。
【符号の説明】
1・・・マニピュレータヘッド 2R,2L・・・フ
ィンガー 3・・・超磁歪アクチュエータ 4R,4L・・・パ
ッド 5・・・フレーム 6・・・放熱フィン 7・・・コイル 8・・・超磁歪素子 10・・・ヨーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧 野 隆 明 神奈川県横浜市青葉区あざみ野南一丁目3 番3号 株式会社モリテックス横浜技術セ ンター内 Fターム(参考) 3F060 GA00 GB11 HA00 3F061 AA01 BA03 BB03 BC09 BD00 DB00 5F044 BB15

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】コイル(7)により生ずる磁界で棒状の超
    磁歪素子(8)を軸方向に伸縮させ、その伸縮変形を利
    用して一対のフィンガー (2R, 2L) を開閉させる超磁歪
    アクチュエータ(3)を備えたマニピュレータヘッドに
    おいて、前記超磁歪アクチュエータ(3)は、コイル
    (7)の中心に配された前記超磁歪素子(8)とコイル
    (7)の外側に配されたヨーク(10)とで、コイル
    (7)により生ずる磁束を通す閉磁気回路が形成された
    ことを特徴とするマニピュレータヘッド。
  2. 【請求項2】前記超磁歪アクチュエータ(3)を装着す
    るフレーム(5)が前記フィンガー(2R,2L)の後端側
    に一体的に取り付けられると共に、当該フレーム(5)
    は外側に向かって突出する放熱フィン(6)を有する断
    面T字状に形成されてなる請求項1記載のマニピュレー
    タヘッド。
  3. 【請求項3】前記ヨーク(10)が、前記超磁歪素子(8)
    を中心に回動可能な略方形の枠型に形成されてなる請求
    項1乃至2記載のマニピュレータヘッド。
  4. 【請求項4】前記ヨーク(10)が、45パーマロイ、50
    パーマロイ、78パーマロイ、純鉄、ケイ素綱、軟磁性
    アモルファス、方向性ケイ素綱、アルパーム、センダス
    ト、Mo入りスーパーマロイ、Cu入りスーパーマロイ
    などの高透磁率材料で形成された請求項1乃至3記載の
    マニピュレータヘッド。
  5. 【請求項5】前記ヨーク (10) が、少なくとも二つの部
    材(10A, 10B) からなり、一方の部材(10A) が他方の部
    材(10B) に対して超磁歪素子(8)の伸縮方向に摺動可
    能に形成されてなる請求項1乃至4記載のマニピュレー
    タヘッド。
  6. 【請求項6】コイル(7)により生ずる磁界で棒状の超
    磁歪素子(8)を軸方向に伸縮させ、その伸縮変形を利
    用して一対のフィンガー (2R, 2L) を開閉させる超磁歪
    アクチュエータ(3)を備えたマニピュレータヘッドに
    おいて、前記超磁歪アクチュエータ(3)を装着するフ
    レーム(5)が前記フィンガー(2R,2L)の後端側に一
    体的に取り付けられると共に、当該フレーム(5)は外
    側に向かって突出する放熱フィン(6)を有する断面T
    字状に形成されたことを特徴とするマニピュレータヘッ
    ド。
JP10000299A 1998-09-24 1999-04-07 マニピュレータヘッド Expired - Fee Related JP3443031B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10000299A JP3443031B2 (ja) 1998-09-24 1999-04-07 マニピュレータヘッド

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26957298 1998-09-24
JP10-269572 1998-09-24
JP10000299A JP3443031B2 (ja) 1998-09-24 1999-04-07 マニピュレータヘッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000158375A true JP2000158375A (ja) 2000-06-13
JP3443031B2 JP3443031B2 (ja) 2003-09-02

Family

ID=26441092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10000299A Expired - Fee Related JP3443031B2 (ja) 1998-09-24 1999-04-07 マニピュレータヘッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3443031B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011255467A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Seiko Epson Corp 電動アクチュエーター
WO2016015953A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Eto Magnetic Gmbh Greifvorrichtung sowie verwendung einer greifvorrichtung
CN105773573A (zh) * 2016-01-22 2016-07-20 陈昊哲 高精度微夹持器
CN114012632A (zh) * 2021-12-13 2022-02-08 昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司 一种平面微型线圈电磁微夹持器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171989A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Tdk Corp 磁歪素子
JPH05282044A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 磁歪式アクチュエータ
JPH0715053A (ja) * 1993-06-22 1995-01-17 Toshiba Corp 磁歪アクチュエータ
JPH1092863A (ja) * 1996-09-13 1998-04-10 Tosok Corp ボンディング装置用ワイヤクランパ
JPH10178032A (ja) * 1996-12-16 1998-06-30 Kaijo Corp ワイヤクランプ機構およびこれを用いたワイヤボンディング装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171989A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Tdk Corp 磁歪素子
JPH05282044A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 磁歪式アクチュエータ
JPH0715053A (ja) * 1993-06-22 1995-01-17 Toshiba Corp 磁歪アクチュエータ
JPH1092863A (ja) * 1996-09-13 1998-04-10 Tosok Corp ボンディング装置用ワイヤクランパ
JPH10178032A (ja) * 1996-12-16 1998-06-30 Kaijo Corp ワイヤクランプ機構およびこれを用いたワイヤボンディング装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011255467A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Seiko Epson Corp 電動アクチュエーター
WO2016015953A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Eto Magnetic Gmbh Greifvorrichtung sowie verwendung einer greifvorrichtung
CN107000216A (zh) * 2014-08-01 2017-08-01 Eto电磁有限责任公司 抓夹装置以及抓夹装置的应用
US10695914B2 (en) 2014-08-01 2020-06-30 Eto Magnetic Gmbh Gripper device, and use of a gripper device
CN107000216B (zh) * 2014-08-01 2020-09-15 Eto电磁有限责任公司 抓夹装置以及抓夹装置的应用
CN105773573A (zh) * 2016-01-22 2016-07-20 陈昊哲 高精度微夹持器
CN114012632A (zh) * 2021-12-13 2022-02-08 昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司 一种平面微型线圈电磁微夹持器

Also Published As

Publication number Publication date
JP3443031B2 (ja) 2003-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61229977A (ja) 直線運動型アクチユエ−タ
US5907269A (en) Magnetostrictive clamping device
US6564989B2 (en) Wire bonding method and wire bonding apparatus
US5931452A (en) Wire clamper for bonding apparatus
JP2000158375A (ja) マニピュレ―タヘッド
JP2002164380A (ja) ワイヤボンディング装置
JP3403661B2 (ja) ワイヤボンダ
JPH05259213A (ja) ワイヤクランパ
JP2885753B2 (ja) ワイヤクランプ機構およびこれを用いたワイヤボンディング装置
JPH11150019A (ja) 超磁歪アクチュエータ
US6533158B2 (en) Wire bonding apparatus having wire clamp
KR100280615B1 (ko) 본딩장치용 와이어 클램퍼
JP2618279B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2002368035A (ja) ワイヤボンダ用ワイヤクランプ装置
TWI732189B (zh) 多致動器引線焊接裝置
JP2503691B2 (ja) 吸着ノズル交換機構
JPH10270489A (ja) ワイヤボンディング装置のワイヤクランプ装置
JP2000353719A (ja) ワイヤボンディング装置におけるワイヤクランプ機構
CN110752119B (zh) 负磁致伸缩控制继电器件
JP2002158254A (ja) ワイヤボンディング装置におけるワイヤクランプ機構の制御方法
JPH04343442A (ja) ワイヤクランプ機構
JPH06218700A (ja) 導線の切断方法及びコイル部品
JPH0262268A (ja) アクチュエータ
JP2902083B2 (ja) ワイヤクランプの駆動制御方法
JP2626989B2 (ja) 形状記憶合金装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees