JP2000155085A - Interatomic force microscope prober and interatomic force microscope - Google Patents
Interatomic force microscope prober and interatomic force microscopeInfo
- Publication number
- JP2000155085A JP2000155085A JP10347859A JP34785998A JP2000155085A JP 2000155085 A JP2000155085 A JP 2000155085A JP 10347859 A JP10347859 A JP 10347859A JP 34785998 A JP34785998 A JP 34785998A JP 2000155085 A JP2000155085 A JP 2000155085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- prober
- sample
- force microscope
- sonde
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はプローバを備えた原子
間力顕微鏡及びそこで使用するプローバに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an atomic force microscope provided with a prober and a prober used therein.
【０００２】[0002]
【従来の技術】原子間力顕微鏡はプローブの先端に取り
付けた探針を試料に数ｎｍ以下に近づけて、探針の先端
と試料の原子との間に作用する原子間力が一定になるよ
うにフィードバックを行いながら試料表面を走査し、表
面を観察する顕微鏡である。2. Description of the Related Art In an atomic force microscope, a probe attached to the tip of a probe is brought close to a sample to several nm or less so that the atomic force acting between the tip of the probe and atoms of the sample becomes constant. This is a microscope that scans the surface of a sample while providing feedback to the surface and observes the surface.
【０００３】この原子間力顕微鏡において、試料に関す
る加工を加えることや、試料を取り扱うことなどの必要
がある。例えば、微小かつ多数の電子素子を含む集積回
路の動作をチェックする場合には従来からプローバが使
用されているが、集積回路の動作チェックに用いられる
プローバは１本若しくは複数本のプローブを備えてい
て、光学顕微鏡の下でプローブの探針を回路上の電極パ
ッド等に接触させ、接触点間の電気特性を測定する。こ
の方法では、光学顕微鏡の分解能によって位置決め精度
が数ミクロンメートルに制限される。また、二つのプロ
ーブによって高い空間分解能を得る方法としてダブルチ
ップＳＴＭが考案されているが、導電性のある試料しか
測定できないので、絶縁材料が含まれる微細構造の電気
特性評価を行うには困難がある。[0003] In this atomic force microscope, it is necessary to process the sample and to handle the sample. For example, a prober has conventionally been used to check the operation of an integrated circuit including a small number of electronic elements, but a prober used to check the operation of the integrated circuit has one or more probes. Then, the probe of the probe is brought into contact with an electrode pad or the like on the circuit under an optical microscope, and the electrical characteristics between the contact points are measured. In this method, the positioning accuracy is limited to several micrometers by the resolution of the optical microscope. A double-chip STM has been devised as a method of obtaining high spatial resolution by using two probes. However, since only a conductive sample can be measured, it is difficult to evaluate the electrical characteristics of a microstructure including an insulating material. is there.
【０００４】しかるに最近では電子素子もナノスケール
のものが開発されて来ており、このナノスケールの電子
素子の動作評価には、従来のプローバでは位置の分解能
に問題がある。電子素子は半導体、金属、絶縁物の組み
合わせて作られており、その微細な構造を評価するため
には、ナノスケール以下の分解能をもつＡＦＭが有力な
手法である。ナノスケールの構造の電子特性を評価する
ための手法として、導電性のＡＦＭプローブを用い、基
板、あるいは表面に作られた電極との間の導電性を測定
する技術が開発されているが、より複雑な素子や構造を
評価するためには、ナノスケール以下の位置決め能力を
もつ第二の電極を試料表面の任意の狭い領域に設定する
必要がある。原理的には複数のプローブを有するマルチ
プローブのＡＦＭ装置により高分解能のプローバを実現
することは可能であるが、実際的には、試料の狭い領域
にカンチレバーと呼ばれるＡＦＭ用のプローブを制御し
て配置することは困難であり、実現するためには高度に
技術的な集積化などが要求されるであろう。In recent years, however, nano-scale electronic devices have been developed. In the evaluation of the operation of the nano-scale electronic devices, a conventional prober has a problem in position resolution. An electronic element is made of a combination of a semiconductor, a metal, and an insulator, and an AFM having a resolution on the order of nanometers or less is an effective method for evaluating the fine structure. As a method for evaluating the electronic properties of nano-scale structures, a technique has been developed to measure the conductivity between a substrate or an electrode formed on the surface using a conductive AFM probe. In order to evaluate a complicated element or structure, it is necessary to set a second electrode having a positioning capability on the order of nanoscale or less in an arbitrary narrow area on the sample surface. In principle, it is possible to realize a high-resolution prober with a multi-probe AFM device having a plurality of probes. However, in practice, a probe for AFM called a cantilever is controlled in a small area of a sample. It is difficult to arrange, and to implement it will require highly technical integration.
【０００５】次にＡＦＭを用いた微細加工技術が開発さ
れていて、導電性カンチレバーを使用して局所的に電圧
を印加することにより、誘電体のドメインを反転させた
り、半導体を酸化させることが可能である。しかし、こ
れらの実験では、導電性基板の上の非常に薄い絶縁膜が
加工の対象であり、基板とカンチレバーの間に発生する
大きな電界を利用しているため、完全な絶縁物表面の加
工は不可能であった。このように現実には原子間力顕微
鏡において、試料に対して加工を加える作業や試料を取
り扱う作業の必要性は大きいにもかかわらず、試料に特
定位置に接触可能な部材はプローブの探針だけであるの
で、可能な試料に対する加工や取り扱いの種類は、ごく
簡単で単純なものに限られていた。Next, a fine processing technique using an AFM has been developed. By applying a voltage locally using a conductive cantilever, it is possible to invert a dielectric domain or oxidize a semiconductor. It is possible. However, in these experiments, a very thin insulating film on a conductive substrate is the object of processing, and a large electric field generated between the substrate and the cantilever is used. It was impossible. As described above, in the atomic force microscope, in spite of the necessity of processing the sample and handling the sample, it is necessary to contact the sample at a specific position only with the probe tip. Therefore, the types of processing and handling for possible samples have been limited to very simple and simple ones.
【０００６】この発明は上記の如き事情に鑑みてなされ
たものであって、従来のＡＭＦ装置に組み込んで、独立
に第二の電極となるプローブ探針を試料上で正確に位置
決めすることができ、また、試料に対する加工や取り扱
いに利用することができるプローバ及びそのようなプロ
ーバをもつ原子間力顕微鏡を提供することを目的とする
ものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and can be incorporated into a conventional AMF device to independently and accurately position a probe tip serving as a second electrode on a sample. It is another object of the present invention to provide a prober that can be used for processing and handling of a sample and an atomic force microscope having such a prober.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的に対応して、こ
の発明の原子間力顕微鏡プローブは、原子間力顕微鏡の
試料台の表面上に位置決め可能な探針と前記探針を前記
試料台の表面に沿って移動させる駆動位置と前記探針を
前記試料台の表面に垂直な方向に移動させる駆動装置と
を備えることを特徴としている。In response to this object, an atomic force microscope probe according to the present invention comprises a probe which can be positioned on a surface of a sample table of an atomic force microscope and the probe which is positioned on the sample table. And a driving device for moving the probe in a direction perpendicular to the surface of the sample stage.
【０００８】またこの発明の原子間力顕微鏡は原子間力
顕微鏡の試料台の表面上に位置決め可能な探針と前記探
針を前記試料台の表面に沿って移動させる駆動位置と前
記探針を前記試料台の表面に垂直な方向に移動させる駆
動装置とを備えるプローバを有することを特徴としてい
る。An atomic force microscope according to the present invention comprises a probe which can be positioned on a surface of a sample stage of an atomic force microscope, a driving position for moving the probe along the surface of the sample stage, and a probe. And a drive device for moving the probe in a direction perpendicular to the surface of the sample stage.
【０００９】[0009]
【実施例の説明】以下この発明の詳細を一実施例を示す
図面について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to the drawings showing one embodiment.
【００１０】図において、１は原子間力顕微鏡である。
原子間力顕微鏡１はグローブボックス２内にスキャナ３
を有し、スキャナ３の上端に試料台４が取り付けられて
いる。試料台４はスキャナ３によって駆動される走査ス
テージから成っている。試料台４には試料５が設置可能
である。さらに試料台４の上方にはプローブ６が配置さ
れており、プローブ６の先端の下面に探針７が取り付け
られている。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an atomic force microscope.
Atomic force microscope 1 has scanner 3 in glove box 2
And a sample table 4 is attached to the upper end of the scanner 3. The sample stage 4 includes a scanning stage driven by the scanner 3. A sample 5 can be placed on the sample stage 4. Further, a probe 6 is disposed above the sample table 4, and a probe 7 is attached to a lower surface of a tip of the probe 6.
【００１１】プローブ６の上方には変位検出装置８が設
けられている。変位検出装置８はプローブ６に光を入射
する光学系１１とプローブ６からの反射光の位置を検出
する光位置検出器１２とを有している。以上の構成は従
来から知られている原子間力顕微鏡の構成と異ならな
い。本発明の特徴は次に説明するプローバ１３に関する
構成である。すなわち、原子間力顕微鏡１はプローバ１
３を有する。プローバ１３はプローバ本体１４を有す
る。プローバ本体１４は上下駆動機構１５を介して１本
若しくは複数本のプローブ１６を支持している。プロー
ブ１６の先端下面がプローバ探針１７を構成している。A displacement detector 8 is provided above the probe 6. The displacement detecting device 8 has an optical system 11 for making light incident on the probe 6 and a light position detector 12 for detecting the position of the reflected light from the probe 6. The above configuration does not differ from the configuration of a conventionally known atomic force microscope. A feature of the present invention is a configuration relating to the prober 13 described below. That is, the atomic force microscope 1 is the prober 1
3 The prober 13 has a prober body 14. The prober body 14 supports one or a plurality of probes 16 via a vertical drive mechanism 15. The lower surface of the tip of the probe 16 constitutes a prober probe 17.
【００１２】プローバ本体１４は、マイクロメートル程
度の領域に鋭く尖らせたプローバ探針１７を精度良く位
置決めするために、インチワーム等の自走装置により移
動し、または原子間力顕微鏡１のスキャナ３の駆動装置
を利用した慣性駆動などの機構を利用して移動して原子
間力顕微鏡１の試料台４上で独立に位置を制御する。プ
ローバ探針１７は、通常時および移動時は試料５表面か
ら十分な距離離れているが、第２図に示すように、位置
決め後の測定時にプローバに内臓した圧電素子（ＰＺ
Ｔ）、形状記憶合金等を利用した上下駆動機構１５によ
り、試料表面に接触させる。The prober body 14 is moved by a self-propelled device such as an inch worm, or the scanner 3 of the atomic force microscope 1 in order to accurately position the prober probe 17 sharply pointed in an area of about micrometers. The position is controlled independently on the sample stage 4 of the atomic force microscope 1 by moving using a mechanism such as inertial drive using the above driving device. The prober probe 17 is at a sufficient distance from the surface of the sample 5 during normal operation and during movement, but as shown in FIG. 2, a piezoelectric element (PZ) built into the prober during measurement after positioning.
T) The sample is brought into contact with the sample surface by a vertical drive mechanism 15 using a shape memory alloy or the like.
【００１３】上記のように構成されたプローバ１３を有
する原子間力顕微鏡１においては、通常時はプローバ探
針１７は試料表面に接触しないので、試料５の表面、プ
ローバ探針１７先端のいずれをも損傷することなく、プ
ローバ１３を移動することができる。In the atomic force microscope 1 having the prober 13 configured as described above, since the prober probe 17 does not normally contact the sample surface, either the surface of the sample 5 or the tip of the prober probe 17 can be used. The prober 13 can be moved without being damaged.
【００１４】試料表面の局所的電気特性測定、電圧印加
などには、導電性のＡＦＭプローブ６の探針７、プロー
バ探針１７を用い、外部電気回路を接続する。電気特性
測定は、第３図の下に示したような電圧源、電流測定器
等からなる電気特性測定回路１８を付加することで可能
になる。電気的な測定を行う場合、プローバ探針１７に
は金属ワイヤを用いるが、用途によってはプローバ探針
としてガラスチューブやグラスファイバーを引き伸ばし
たものを使って、光や薬液等の導入に利用することも可
能である。An external electric circuit is connected by using the probe 7 of the conductive AFM probe 6 and the prober probe 17 for local electric characteristic measurement, voltage application, and the like on the sample surface. The electrical characteristic measurement can be performed by adding an electrical characteristic measuring circuit 18 including a voltage source, a current measuring device, and the like as shown in the lower part of FIG. When conducting electrical measurements, a metal wire is used for the prober probe 17, but depending on the application, use a prober probe with a glass tube or glass fiber stretched to introduce light or a chemical solution. Is also possible.
【００１５】[0015]
【実験例】この実験例は、市販（セイコー電子株式会社
製、型番ＳＰＡ３００，ＳＰＡ３００ＨＶ）のＡＦＭ装
置の試料台に合わせて設計されたプローバ１３による実
験結果を示す。プローバは、ＡＦＭの試料台に搭載され
るため、小型軽量であり、ＡＦＭ用の測定機構と接触し
ないように十分に薄く設計されなければならない。ＡＦ
Ｍプローブ６には、導電性のシリコンカンチレバーを用
い、プローバの探針１７には電解エッチングによって先
端を細く尖らせた金線を用いた。セイコー電子製のＡＦ
Ｍ装置では、試料台に固定した試料に対し、カンチレバ
ーの位置を微動ステージによって移動することができ
る。一方、プローバは、ＡＦＭ用走査駆動機構によって
試料台を振る慣性駆動によりカンチレバーとは独立に移
動し、金線の先端をカンチレバーのごく近くに持ってく
ることができる。金線先端がＡＦＭの走査範囲の内側に
移動できたところで、バイモルフＰＺＴを使った上下駆
動機構を用いて金線を試料表面に接触させる。試料には
絶縁性の酸化被膜に覆われたシリコンを用いた。第４図
は、ＡＦＭによって金線先端の構造を観察した結果であ
り（第４図で白く表示されている部分は、構造的に高く
なっていることを示す。）、第５図には、同時に電流測
定を行った結果を示したが、金線部分にのみ電流が検出
されている（第５図で白くなっている部分は、探針とＡ
ＦＭプローブ間に電流が流れていることを示す。）。ま
た、金線の一部分に電流が流れない領域があり、これ
は、ＡＦＭプローブが力を受けて変形したため、探針と
の接触部分がずれてプローブ先端のシリコン表面で酸化
膜の厚い部分に接触して電流が流れにくくなっていると
考えられる。[Experimental Example] This experimental example shows the results of an experiment using a prober 13 designed for a sample base of a commercially available (manufactured by Seiko Electronics Co., Ltd., model number SPA300, SPA300HV) AFM device. Since the prober is mounted on the sample stage of the AFM, it must be small and lightweight, and must be designed to be sufficiently thin so as not to come into contact with the measurement mechanism for the AFM. AF
A conductive silicon cantilever was used for the M probe 6, and a gold wire whose tip was sharpened thinly by electrolytic etching was used for the probe 17 of the prober. Seiko Electronics AF
In the M apparatus, the position of the cantilever can be moved by the fine movement stage with respect to the sample fixed on the sample stage. On the other hand, the prober can be moved independently of the cantilever by the inertial drive of swinging the sample stage by the scanning drive mechanism for AFM, and can bring the tip of the gold wire very close to the cantilever. When the tip of the gold wire can move inside the scanning range of the AFM, the gold wire is brought into contact with the sample surface by using a vertical drive mechanism using bimorph PZT. The sample used was silicon covered with an insulating oxide film. FIG. 4 shows the result of observing the structure of the gold wire tip by AFM (the portion displayed in white in FIG. 4 indicates that it is structurally higher), and FIG. The result of the current measurement is shown at the same time, but the current is detected only in the gold wire part (the white part in FIG. 5 indicates the probe and the A
This indicates that a current is flowing between the FM probes. ). In addition, there is an area where current does not flow in a part of the gold wire. This is because the AFM probe was deformed by the force, so that the contact part with the probe shifted and it came into contact with the thick part of the oxide film on the silicon surface at the tip of the probe. It is considered that the current has hardly flowed.
【００１６】[0016]
【発明の効果】ＡＦＭ装置自体は既に広く普及し、一つ
のプローブを用いたナノスケールの構造観察自体は容易
である。従って、既存のＡＦＭ装置に小型の第二のプロ
ーブを追加し、その導電性探針を試料表面の特定の部位
に移動、固定することでＡＦＭプローブとの間の電位、
電流を測定してナノスケールの部位の電気特性を評価
や、電界を利用した加工などが容易に可能になる。従来
のプローバでは、光学顕微鏡を用いた数ミクロン程度の
位置決め精度であったが、本発明によってその精度を原
理的にはＡＦＭの分解能程度まで高めることが可能にな
った。The AFM device itself has already become widespread, and it is easy to observe a nano-scale structure using a single probe. Therefore, by adding a small second probe to the existing AFM device and moving and fixing the conductive probe to a specific portion on the sample surface, the potential between the AFM probe and
It is possible to easily evaluate the electrical characteristics of the nano-scale portion by measuring the current and to perform processing using an electric field. In the conventional prober, the positioning accuracy was about several microns using an optical microscope. However, the present invention has made it possible to increase the accuracy to about the resolution of the AFM in principle.
【００１７】導電性のＡＦＭプローブと金属探針の間に
電圧を印加することにより薄膜の導電性測定、量子化コ
ンダクタンスの実験、あるいはナノスケールの電子素子
の動作評価が可能になる。走査型トンネル顕微鏡、電界
イオン顕微鏡などのプローブに使われる探針先端の構造
評価にも用いることができる。By applying a voltage between the conductive AFM probe and the metal probe, it becomes possible to measure the conductivity of the thin film, to conduct an experiment on the quantized conductance, or to evaluate the operation of a nanoscale electronic device. It can also be used to evaluate the structure of the tip of a probe used in a probe such as a scanning tunneling microscope or a field ion microscope.
【００１８】電気物性測定だけでなく、表面の微細加工
に応用することも可能である。従来は特別な配置でのみ
可能であった電界を利用した加工が、絶縁体表面の任意
の場所で行うことができる。マイクロマシン、生体材料
などの微小な試料を接着することなく機械的に基板に押
さえつけて固定することで、ＡＦＭプローブによって観
察、加工、再利用することができる。カーボンナノチュ
ーブのような材料の一端を押さえて固定し、他端をＡＦ
Ｍプローブで力を加えて機械的な強度を測定するような
応用、あるいはプローバ探針としてガラスチューブを用
いれば、吸引による細胞などの固定、ＡＦＭで構造観察
した微細領域に化学物質を注入して局所的な化学反応の
誘起を行うこともできる。The present invention can be applied not only to measurement of electrical properties but also to fine processing of a surface. Processing using an electric field, which was conventionally only possible with a special arrangement, can be performed at any place on the insulator surface. By mechanically pressing and fixing a minute sample such as a micromachine or a biomaterial to a substrate without bonding, the sample can be observed, processed, and reused by an AFM probe. Press and fix one end of a material such as carbon nanotubes,
Applications such as measuring the mechanical strength by applying force with an M probe, or using a glass tube as a prober probe, fixing cells by suction, injecting a chemical substance into a fine region whose structure was observed by AFM Local chemical reactions can also be induced.
【図１】この発明の原子間力顕微鏡を示す構成説明図。FIG. 1 is a configuration explanatory view showing an atomic force microscope of the present invention.
【図２】ＡＦＭ試料台上に搭載されたプローバと、試
料、ＡＦＭプローブの位置関係を示す側面図FIG. 2 is a side view showing a positional relationship between a prober mounted on an AFM sample stage, a sample, and an AFM probe.
【図３】ＡＦＭ試料台上に搭載されたプローバと、試
料、ＡＦＭプローブの位置関係を示す側面図FIG. 3 is a side view showing a positional relationship between a prober mounted on an AFM sample stage, a sample, and an AFM probe.
【図４】実際に金属探針を絶縁性シリコン酸化膜の上に
接触させ、その構造と電流分布を同時に測定した結果を
示す顕微鏡写真FIG. 4 is a photomicrograph showing the results of simultaneous measurement of the structure and current distribution of a metal probe actually in contact with an insulating silicon oxide film.
【図５】実際に金属探針を絶縁性シリコン酸化膜の上に
接触させ、その構造と電流分布を同時に測定した結果を
示す顕微鏡写真FIG. 5 is a micrograph showing the results of simultaneous measurement of the structure and current distribution of a metal probe actually in contact with an insulating silicon oxide film.
１ 原子間力顕微鏡 ２ グローブボックス ３ スキャナ ４ 試料台 ５ 試料 ６ プローブ ７ 探針 ８ 変位検出装置 １１ 光学系 １２ 光位置検出器 １３ プローバ １４ プローバ本体 １５ 上下駆動装置 １６ プローブ １７ プローバ探針 １８ 電気特性測定回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Atomic force microscope 2 Glove box 3 Scanner 4 Sample table 5 Sample 6 Probe 7 Probe 8 Displacement detector 11 Optical system 12 Optical position detector 13 Prober 14 Prober main body 15 Vertical drive device 16 Probe 17 Prober probe 18 Electrical characteristics Measurement circuit
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年１１月２９日（１９９９．１１．
２９）[Submission date] November 29, 1999 (1999.11.
29)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００７[Correction target item name] 0007
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的に対応して、こ
の発明の原子間力顕微鏡プローブは、原子間力顕微鏡用
のプローブを有する前記原子間力顕微鏡の試料台の表面
上に位置決め可能で前記プローブとは独立して移動可能
な探針と前記探針を前記試料台の表面に沿って移動させ
る駆動装置と前記探針を前記試料台の表面に垂直な方向
に移動させる駆動装置とを備えることを特徴としてい
る。SUMMARY OF THE INVENTION In response to this object, an atomic force microscope probe of the present invention is used for an atomic force microscope.
Probe positionable on a surface of the sample stage of the atomic force microscope with a movable independently of the probe
It is characterized in that it comprises a driving device for moving the probe and driving equipment for moving a probe and the probe along said sample stage surface in a direction perpendicular to the sample stage surface.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００８[Correction target item name] 0008
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００８】またこの発明の原子間力顕微鏡は原子間力
顕微鏡用のプローブを有する前記原子間力顕微鏡の試料
台の表面上に位置決め可能で前記プローブとは独立して
移動可能な探針と前記探針を前記試料台の表面に沿って
移動させる駆動装置と前記探針を前記試料台の表面に垂
直な方向に移動させる駆動装置とを備えるプローバを有
することを特徴としている。Further, the atomic force microscope of the present invention provides an atomic force microscope.
Positionable on the surface of a sample stage of the atomic force microscope having a probe for a microscope and independently of the probe
To have a prober and a driving device for moving the probe and driving equipment for moving along the probe and movable probe to the sample stage surface in a direction perpendicular to the sample stage surface Features.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水谷 亘 茨城県つくば市東１丁目１番４ 工業技術 院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 井上 敦央 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ 株式会社内 Ｆターム(参考） 2F069 AA60 DD19 GG01 GG58 GG62 HH05 JJ08 JJ14 LL03 MM32 5C001 AA03 AA04 AA08 BB07 CC04 CC08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Wataru Mizutani 1-4-1 Higashi, Tsukuba City, Ibaraki Pref., National Institute of Industrial Science and Technology (72) Inventor Atsuo Inoue 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City Sharp Stock In-house F term (reference) 2F069 AA60 DD19 GG01 GG58 GG62 HH05 JJ08 JJ14 LL03 MM32 5C001 AA03 AA04 AA08 BB07 CC04 CC08
Claims (2)
め可能な探針と前記探針を前記試料台の表面に沿って移
動させる駆動位置と前記探針を前記試料台の表面に垂直
な方向に移動させる駆動装置とを備えることを特徴とす
る原子間力顕微鏡用プローバ1. A probe which can be positioned on a surface of a sample table of an atomic force microscope, a driving position for moving the probe along the surface of the sample table, and a probe which is perpendicular to the surface of the sample table. And a driving device for moving the probe in various directions.
め可能な探針と前記探針を前記試料台の表面に沿って移
動させる駆動位置と前記探針を前記試料台の表面に垂直
な方向に移動させる駆動装置とを備えるプローバを有す
ることを特徴とする原子間力顕微鏡2. A probe which can be positioned on the surface of a sample stage of an atomic force microscope, a driving position for moving the probe along the surface of the sample stage, and a probe which is perpendicular to the surface of the sample stage. Atomic force microscope having a prober provided with a driving device for moving in various directions
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34785998A JP3240309B2 (en) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | Atomic force microscope prober and atomic force microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34785998A JP3240309B2 (en) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | Atomic force microscope prober and atomic force microscope |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000155085A true JP2000155085A (en) | 2000-06-06 |
| JP3240309B2 JP3240309B2 (en) | 2001-12-17 |
Family
ID=18393091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34785998A Expired - Lifetime JP3240309B2 (en) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | Atomic force microscope prober and atomic force microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240309B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323429A (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | Scanning probe microscope |
| JP2006196310A (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | Movable probe apparatus for electron microscope, and specimen observing method with electron microscope |
| JP2021032583A (en) * | 2019-08-19 | 2021-03-01 | 国立大学法人金沢大学 | Atomic force microscope with manipulator function |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107085127B (en) * | 2017-03-14 | 2019-05-21 | 广州市本原纳米仪器有限公司 | A kind of detection method and system of novel scanning probe microscopy |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP34785998A patent/JP3240309B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323429A (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Seiko Instruments Inc | Scanning probe microscope |
| JP4598300B2 (en) * | 2001-04-26 | 2010-12-15 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Scanning probe microscope and physical property measurement method using the same |
| JP2006196310A (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | Movable probe apparatus for electron microscope, and specimen observing method with electron microscope |
| JP2021032583A (en) * | 2019-08-19 | 2021-03-01 | 国立大学法人金沢大学 | Atomic force microscope with manipulator function |
| JP7282370B2 (en) | 2019-08-19 | 2023-05-29 | 国立大学法人金沢大学 | Atomic force microscope with manipulator function |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3240309B2 (en) | 2001-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2574942B2 (en) | Electrical probe | |
| US5461907A (en) | Imaging, cutting, and collecting instrument and method | |
| Petersen et al. | Scanning microscopic four-point conductivity probes | |
| US20070278405A1 (en) | Multi-tip surface cantilever probe | |
| JP4260310B2 (en) | Micro contact type prober | |
| JPH01262403A (en) | Probe and its manufacture | |
| US6614243B2 (en) | Measurement probe for detecting electrical signals in an integrated semiconductor circuit | |
| JP4498368B2 (en) | Micro contact type prober | |
| JP3240309B2 (en) | Atomic force microscope prober and atomic force microscope | |
| JPH1038916A (en) | Probe device and electrically connecting method for minute region | |
| JP3076467B2 (en) | Surface matching method and tunnel microscope and recording / reproducing apparatus using the same | |
| US6864483B2 (en) | Method for increasing the measurement information available from a transmission electron microscope and a transmission electron microscopy device | |
| JP3317001B2 (en) | Probe manufacturing method | |
| JPH06258072A (en) | Piezoelectric element thin film evaluating apparatus, interatomic force microscope | |
| JPH11326350A (en) | Cantilever type probe, multiple probe and scan type probe microscope constituted of the same | |
| JP2006284599A (en) | Device for acquiring information on sample face using cantilever | |
| JP3768639B2 (en) | Cantilever type probe and scanning probe microscope equipped with the probe | |
| JPH0850872A (en) | Sample surface observation method, interatomic force microscope, fine working method, and fine working device | |
| WO2008089950A1 (en) | Mems sensor for in situ tem atomic force microscopy | |
| WO2009118164A2 (en) | Nanoscale charge carrier mapping | |
| JP2007010404A (en) | Atomic force microscope probe | |
| JP3114902B2 (en) | High-resolution and high-precision measuring device using a scanning tunneling microscope | |
| Heinzelmann et al. | Force microscopy | |
| RU2109369C1 (en) | Probe-type scanning microscope and technique for measuring surface properties by this microscope | |
| JP2002014025A (en) | Probe scanning control device, scanning probe microscope by the same, probe scanning control method, and measuring method by the scanning control method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |