JP2000150691A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光半導体素子を冷却する電子冷却素子の熱が光
半導体素子に作用して電子冷却素子による光半導体素子
の冷却効率が低下する。 【解決手段】上面に光半導体素子４が電子冷却素子５を
介して載置される載置部１ａを有する基体１と、前記基
体１上に光半導体素子載置部１ａを囲繞するようにして
取着され、側部に貫通孔２ａ及び切欠部２ｂを有する枠
体２と、前記貫通孔２ａもしくは貫通孔２ａ周辺の枠体
２に取着され、光ファイバー部材１１が接合される筒状
の固定部材９と、前記切欠部２ｂに挿着され、絶縁体７
に光半導体素子４の各電極が電気的に接続されるメタラ
イズ配線層８が形成されているセラミック端子体６と、
前記枠体２の上面に取着され、光半導体素子４を気密に
封止する蓋部材３とからなる光半導体素子収納用パッケ
ージであって、前記セラミック端子体６の絶縁体７がム
ライト質焼結体から成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄ーニッケルー
コバルト合金や銅ータングステン合金等の金属材料から
成り、上面中央部に光半導体素子が電子冷却素子を間に
挟んで載置される載置部を有する基体と、前記光半導体
素子載置部を囲繞するようにして基体上に銀ロウ等のロ
ウ材を介して接合され、側部に貫通孔及び切欠部を有す
る鉄ーニッケルーコバルト合金等の金属材料から成る枠
体と、前記枠体の貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取
着され、内部に光信号が伝達される空間を有する鉄ーニ
ッケルーコバルト合金等の金属材料から成る筒状の固定
部材と、前記筒状の固定部材に融点が３００〜４００℃
の金ー錫合金等の低融点ロウ材を介して取着された固定
部材の内部を塞ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材
と、前記枠体の切欠部に挿着され、酸化アルミニウム質
焼結体から成る絶縁体に光半導体素子の各電極がボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されるメタライズ配
線層が形成されているセラミック端子体と、前記枠体の
上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材
とから構成されており、前記基体の光半導体素子載置部
に光半導体素子を間にペルチェ素子等の電子冷却素子を
挟んで載置固定させるとともに該光半導体素子の各電極
をボンディングワイヤを介してセラミック端子体のメタ
ライズ配線層に電気的に接続し、しかる後、前記枠体の
上面に蓋部材を接合させ、基体と枠体と蓋部材とから成
る容器内部に光半導体素子を気密に収容するとともに筒
状固定部材に光ファイバー部材を、例えば、ＹＡＧ溶接
等により取着することによって製品としての光半導体装
置となる。

【０００３】かかる光半導体装置は電子冷却素子により
光半導体素子を冷却しつつ光半導体素子に外部電気回路
から供給される駆動信号によって光励起を起こさせ、該
励起した光を透光性部材を介し光ファイバー部材に授受
させるとともに該光ファイバー部材の光ファイバー内を
伝達させることによって高速通信等に使用される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、基体及
び枠体を形成している鉄ーニッケルーコバルト合金や銅
ータングステン合金等の金属材料やセラミック端子体の
絶縁体を形成している酸化アルミニウム質焼結体の熱伝
導率が１５Ｗ／ｍ・ｋ以上であることから、光半導体素
子をペルチェ素子等の電子冷却素子で冷却しつつ外部電
気回路から供給される駆動信号によって光励起させた場
合、ペルチエ素子等の電子冷却素子は光半導体素子が載
置される上面側は低温となっているものの基体と接する
下面側は高温（約１００℃）となっているため電子冷却
素子の発する熱が基体、枠体、セラミック端子体及びボ
ンディングワイヤを介して光半導体素子に大きく作用
し、この電子冷却素子の熱によって光半導体素子の電子
冷却素子による冷却効率が大きく低下してしまうという
欠点を有していた。そのため従来は光半導体素子が作動
時に発する熱と、基体、枠体等を介して光半導体素子に
伝達される電子冷却素子の熱の両方を吸収するために電
子冷却素子の出力を高いものとする必要があった。

【０００５】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は電子冷却素子の熱が光半導体素子に作用
するのを有効に防止し、低出力の電子冷却素子によって
も光半導体素子を常に適温として光半導体素子を長期間
にわたり正常に、かつ安定に作動させることができる光
半導体素子収納用パッケージを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子が電子冷却素子を介して載置される載置部を有す
る基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞する
ようにして取着され、側部に貫通孔及び切欠部を有する
枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着さ
れ、光ファイバー部材が接合される筒状の固定部材と、
前記切欠部に挿着され、絶縁体に光半導体素子の各電極
が電気的に接続されるメタライズ配線層が形成されてい
るセラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、光
半導体素子を気密に封止する蓋部材とからなる光半導体
素子収納用パッケージであって、前記セラミック端子体
の絶縁体がムライト質焼結体から成ることを特徴とする
ものである。

【０００７】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よればセラミック端子体の絶縁体を、熱伝導率が約５Ｗ
／ｍ・ｋと低くく熱を伝え難いムライト質焼結体で形成
したことから光半導体素子をペルチェ素子等の電子冷却
素子で冷却しつつ外部電気回路から供給される駆動信号
によって光励起させた場合、電子冷却素子の発した熱が
基体、枠体、セラミック端子体及びボンディングワイヤ
を介して光半導体素子に作用しようとしてもその熱の伝
達はセラミック端子体で遮断されて光半導体素子に作用
することはなく、その結果、光半導体素子の電子冷却素
子による冷却効率が高いものとなり、低出力の電子冷却
素子でも光半導体素子を常に適温として光半導体素子を
長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能
となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
説明に説明する。図１乃至図３は本発明の光半導体素子
収納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠
体、３は蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３
とで内部に光半導体素子４を収容するための容器が構成
される。

【０００９】前記基体１は光半導体素子４を支持するた
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子等の電子
冷却素子５を挟んで金−シリコンロウ材等の接着剤によ
り接着固定される。

【００１０】前記基体１は鉄ーニッケルーコバルト合金
や銅ータングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金から成る場合、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。

【００１１】なお、前記基体１はその外表面に耐蝕性に
優れ、かつロウ材に対して濡れ性が良い金属、具体的に
は厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの
金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐蝕するのを有効に防止することができるととも
に基体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子等の電子冷却素子５を強固に接着固定させること
かできる。従って、前記基体１は酸化腐蝕を有効に防止
し、かつ上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子等の電子冷却素子５を強固に接着固定させる場合
にはその外表面に厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ
０．５〜５μｍの金層を順次、メッキ法により被着させ
ておくことが好ましい。

【００１２】また前記基体１の上面には、光半導体素子
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が接合されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を
収容するための空所が形成されている。

【００１３】前記枠体２は鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成され、基体１
への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。

【００１４】更に前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが
設けてあり、該貫通孔２ａの内壁面には筒状の固定部材
９が取着され、更に筒状の固定部材９の内側の一端には
透光性部材１０が取着されている。

【００１５】前記枠体２の側部に形成されている貫通孔
２ａは固定部材９を枠体２に取着するための取着孔とし
て作用し、枠体２の側部に従来周知のドリル孔あけ加工
を施すことによって所定形状に形成される。

【００１６】前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている
固定部材９は光ファイバー部材１１を枠体２に固定する
際の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子
４が励起した光を光ファイバー部材１１に伝達させる作
用をなし、その内側の一端には、例えば、透光性部材１
０が取着され、また外側の一端には光ファイバー部材１
１が取着接続される。

【００１７】前記筒状の固定部材９は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄ーニッケル合金のインゴット（塊）をプレス
加工により筒状とすることによって形成される。

【００１８】また前記固定部材９はその内側の一端に、
例えば、透光性部材１０が取着されており、該透光性部
材１０は固定部材９の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器の気密封止を保持させるとと
もに固定部材９の内部空間を伝達する光半導体素子４の
励起した光をそのまま固定部材９に取着接続される光フ
ァイバー部材１１に伝達させる作用をなす。

【００１９】前記透光性部材１０は例えば、酸化珪素、
酸化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分
としたホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、
該非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体
素子４の励起する光を透光性部材１０を通過させて光フ
ァイバー部材１１に授受させる場合、光半導体素子４の
励起した光は透光性部材１０で複屈折を起こすことはな
くそのまま光ファイバー部材１１に授受されることとな
り、その結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイ
バー部材１１への授受が高効率となって光信号の伝送効
率を高いものとなすことができる。

【００２０】前記透光性部材１０の固定部材９への取着
は例えば、図３に示すように、透光性部材１０の外周部
に予めメタライズ層１２を被着させておき、該メタライ
ズ層１２と固定部材９とを金一錫合金等のロウ材を介し
ロウ付けすることによって行われる。この場合、透光性
部材１０の固定部材９への取着が金一錫合金等によるロ
ウ付けにより行われることから取着の信頼性が高いもの
となり、これによって固定部材９と透光性部材１０との
取着部における光半導体素子４を収容する容器の気密封
止が完全となり、容器内部に収容する光半導体素子４を
長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができ
る。

【００２１】なお、前記透光性部材１０の外周部に予め
被着されているメタライズ層１２は透光性部材１０を構
成する非晶質ガラスの融点が約７００℃と低く、従来周
知のＭｏ−Ｍｎ法を採用することによって形成すること
かできないことから図３に示すように、非晶質ガラスに
対して活性があり、強固に接合するチタン、チタンータ
ングステン、窒化タンタルの少なくとも１種から成る第
１層１２ａと、この第１層１２ａが透光性部材１０を固
定部材９にロウ付けする際の熱によって後述する第３層
１２ｃに拡散し、メタライズ層１２の透光性部材１０に
対する接合強度が低下するのを有効に防止する白金、ニ
ッケル、ニッケルークロムの少なくとも１種から成る第
２層１２ｂと、メタライズ層１２に対するロウ材の濡れ
性を改善し、メタライズ層１２にロウ材を強固に接合さ
せて透光性部材１０を固定部材９に強固に取着させる
金、白金、銅の少なくとも１種から成る第３層１２ｃと
を順次、積層させることによって形成されており、特に
チタンー白金ー金を順次積層させて形成したメタライズ
層１２は透光性部材１０との接合強度が強く、かつロウ
材との濡れ性が良好で透光性部材１０を固定部材９にロ
ウ付けすることが可能なことからメタライズ層１２とし
て極めて好適である。

【００２２】更に前記チタン、チタンータングステン、
窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層１２ａ
と、白金、ニッケル、ニッケルークロムの少なくとも１
種から成る第２層１２ｂと、金、白金、銅の少なくとも
１種から成る第３層１２ｃとの３層椿造を有するメタラ
イズ層１２はその各々の金属材料、窒化物を透光性部材
１０の外周部にスパッタリング法や蒸着法、イオンプレ
ーティング法、メッキ法等により順次、所定厚みに被着
させることによって形成される。

【００２３】また更に前記メタライズ層１２をチタン、
チタンータングステン、窒化タンタルの少なくとも１種
から成る第１層１２ａと、白金、ニッケル、ニッケルー
クロムの少なくとも１種から成る第２層１２ｂと、金、
白金、銅の少なくとも１種から成る第３層１２ｃとで形
成する場合、第１層１２ａの層厚は５００オングストロ
ーム未満となるとメタライズ層１２の透光性部材１０に
対する接合強度が弱くなる傾向にあり、また２０００オ
ングストロームを超えると透光性部材１０に第１層１２
ａを被着させる際に第１層１２ａ中に大きな応力が発生
内在し、該内在応力によって第１層１２ａが透光性部材
１０より剥離し易くなる傾向にあることから第１層１２
ａの厚みは５００オングストローム乃至２０００オング
ストロームの範囲としておくことが好ましく、第２層１
２ｂの層厚は５００オングストローム未満となると透光
性部材１０を固定部材９にロウ付けする際の熱によって
第１層１２ａが第３層１２ｃに拡散するのを有効に防止
することができず、メタライズ層１２の透光性部材１０
に対する接合強度が低下してしまう危険性があり、また
１００００オングストロームを超えると第１層１２ａ上
に第２層１２ｂを被着させる際に第２層１２ｂ中に大き
な応力が発生内在し、該内在応力によって第２層１２ｂ
が第１層１２ａより剥離し易くなる傾向にあることから
第２層１２ｂの厚みは５００オングストローム乃至１０
０００オングストロームの範囲としておくことが好まし
く、第３層１２ｃの層厚は０．５μｍ未満であるとメタ
ライズ層１２に対するロウ材の濡れ性が大きく改善され
ず、透光性部材１０を固定部材９に強固にロウ付け取着
するのが困難となる傾向にあり、また５μｍを超えると
第２層１２ｂ上に第３層１２ｃを被着させる際に第３層
１２ｃ中に大きな応力が発生内在し、該内在応力によっ
て第３層１２ｃが第２層１２ｂより剥離し易くなる傾向
にあることから第３層１２ｃの厚みは０．５μｍ乃至５
μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００２４】更に前記枠体２はその側部に切欠部２ｂが
形成されており、該切欠部２ｂにはセラミック端子体６
が挿着されている。

【００２５】前記セラミック端子体６は電気絶縁材料か
ら成る絶縁体７と複数個のメタライズ配線層８とから成
り、メタライズ配線層８を枠体２に対し電気的絶縁をも
って枠体２の内側から外側にかけて配設する作用をな
し、絶縁体７の側面に予めメタライズ金属層を被着させ
ておくとともに該メタライズ金属層を枠体２の切欠部２
ａ内壁面に銀ロウ等のロウ材を介し取着することによっ
て枠体２の切欠部２ａに挿着される。

【００２６】前記セラミック端子体６の絶縁体７はムラ
イト質焼結体から成り、該ムライト質焼結体の熱伝導率
は約５Ｗ／ｍ・ｋと低くく熱を伝え難いことから光半導
体素子４をペルチェ素子等の電子冷却素子５で冷却しつ
つ外部電気回路から供給される駆動信号によって光励起
させた場合、電子冷却素子５の発した熱が基体１、枠体
２、セラミック端子体６及び後述するボンディングワイ
ヤ１２を介して光半導体素子４に作用しようとしてもそ
の熱の伝達はセラミック端子体６で遮断されて光半導体
素子４に作用することはなく、その結果、光半導体素子
４の電子冷却素子５による冷却効率が高いものとなり、
低出力の電子冷却素子でも光半導体素子４を常に適温と
して光半導体素子４を長期間にわたり正常、かつ安定に
作動させることが可能となる。

【００２７】前記セラミック端子体６のムライト質焼結
体から成る絶縁体７は、例えば、酸化アルミニウム、酸
化珪素等の原料粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を
添加混合して泥漿物を作るとともに、該泥漿物をドクタ
ーブレード法やカレンダーロール法を採用することによ
ってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）
と成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、
約１５００℃の温度で焼成することによって製作され
る。

【００２８】また前記セラミック端子体６には枠体２の
内側から外側にかけて導出する複数個のメタライズ配線
層８が埋設されており、該メタライズ配線層８の枠体２
の内側に位置する領域には光半導体素子４の各電極がボ
ンディングワイヤ１２を介して電気的に接続され、また
枠体２の外側に位置する領域には外部電気回路と接続さ
れる外部リード端子１３が銀ロウ等のロウ材を介し取着
されている。

【００２９】前記メタライズ配線層８は半導体素子４の
各電極を外部電気回路に接続する際の導電路として作用
し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末により形成されている。

【００３０】前記メタライズ配線層８はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機
バインダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを
絶縁体７となるセラミックグリーンシートに予め従来周
知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し
ておくことによって絶縁体７に形成される。

【００３１】なお、前記メタライズ配線層８はその露出
する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材
との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメ
ッキ法により被着させておくと、メタライズ配線層８の
酸化腐蝕を有効に防止することができるとともにメタラ
イズ配線層８への外部リード端子１３のロウ付けを強固
となすことができる。従って、前記メタライズ配線層８
は、その露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優
れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２０
μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。

【００３２】また前記メタライズ配線層８には外部リー
ド端子１３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着さ
れており、該外部リード端子１３は容器内部に収容する
光半導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続
する作用をなし、外部リード端子１３を外部電気回路に
接続することによって容器内部に収容される光半導体素
子４はボンディングワイヤ１２、メタライズ配線層８及
び外部リード端子１３を介して外部電気回路に接続され
ることとなる。

【００３３】前記外部リード端子１３は鉄ーニッケルー
コバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金属材料
から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工
法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定の
形状に形成される。

【００３４】更に前記枠体２はその上面に、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニツケル合金等の金属
材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１
と枠体２と蓋部材３とからなる容器の内部に光半導体素
子４が気密に封止されることとなる．前記蓋部材３の枠
体２上面への接合は、例えば、シームウェルド法等の溶
接によって行われる。

【００３５】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導件素子４を間にペルチェ素子等の電子冷却素子５を
間に挟んで載置固定するとともに光半導体素子４の各電
極をボンデイングワイヤ１２を介して外部リード端子３
に電気的こ接続し、次に枠体２の上面に蓋部材３を接合
させ、基体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器内部に
光半導体素子４を収容し、最後に枠体２に取着させた筒
状の固定部材９に光ファイバー部材１１を取着接続させ
ることによって最終製品としての光半導体装置となる。

【００３６】かかる光半導体装置は電子冷却素子５によ
り光半導体素子４を冷却しつつ光半導体素子４に外部電
気回路から供給される駆動信号によって光励起を起こさ
せ、該励起した光を透光性部材１０を介し光ファイバー
部材１１に授受させるとともに該光ファイバー部材１１
の光ファイバー内を伝達させることによって高速通信等
に使用される。なお、この場合、電子冷却素子５の発し
た熱が基体１、枠体２、セラミック端子体６及びボンデ
ィングワイヤ１２を介して光半導体素子４に作用しよう
としてもその熱の伝達は熱伝導率は約５Ｗ／ｍ・ｋと低
く熱を伝え難いムライト質焼結体から成るセラミック端
子体６の絶縁体７で遮断されて光半導体素子４に作用す
ることはなく、その結果、光半導体素子４の電子冷却素
子５による冷却効率が高いものとなり、低出力の電子冷
却素子でも光半導体素子４を常に適温として光半導体素
子４を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させること
が可能となる。

【００３７】また本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。

【００３８】

【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によればセラミック端子体の絶縁体を、熱伝導率が約５
Ｗ／ｍ・ｋと低くく熱を伝え難いムライト質焼結体で形
成したことから光半導体素子をペルチェ素子等の電子冷
却素子で冷却しつつ外部電気回路から供給される駆動信
号によって光励起させた場合、電子冷却素子の発した熱
が基体、枠体、セラミック端子体及びボンディングワイ
ヤを介して光半導体素子に作用しようとしてもその熱の
伝達はセラミック端子体で遮断されて光半導体素子に作
用することはなく、その結果、光半導体素子の電子冷却
素子による冷却効率が高いものとなり、低出力の電子冷
却素子でも光半導体素子を常に適温として光半導体素子
を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。

【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの蓋部
材を除いた平面図である。

【図３】図１に示す半導体素子収納用パッケージの一部
拡大断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・基体 １ａ・・・・・・・載置部 ２・・・・・・・・枠体 ２ａ・・・・・・・貫通孔 ２ｂ・・・・・・・切欠部 ３・・・・・・・・蓋部材 ４・・・・・・・・光半導体素子 ５・・・・・・・・電子冷却素子 ６・・・・・・・・セラミック端子体 ７・・・・・・・・絶縁体 ８・・・・・・・・メタライズ配線層 ９・・・・・・・・固定部材 １０・・・・・・・・透光性部材 １１・・・・・・・・光ファイバー部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/0232 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｃ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に光半導体素子が電子冷却素子を介し
   て載置される載置部を有する基体と、前記基体上に光半
   導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、側部に
   貫通孔及び切欠部を有する枠体と、前記貫通孔もしくは
   貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバー部材が接合
   される筒状の固定部材と、前記切欠部に挿着され、絶縁
   体に光半導体素子の各電極が電気的に接続されるメタラ
   イズ配線層が形成されているセラミック端子体と、前記
   枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する
   蓋部材とからなる光半導体素子収納用パッケージであっ
   て、前記セラミック端子体の絶縁体がムライト質焼結体
   から成ることを特徴とする光半導体素子収納用パッケー
   ジ。