JP2000150620A - Transporter - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized transporter which has no possibility of contaminating objects to be transported. SOLUTION: A transporter is provided with supplying means 24a and 34b which respectively supply positive- and negative-pressure gases and a floating means 31 on which the gas supplying ports 31a and 31b of the means 34a and 34b are provided and, at the same time, a porous body 32 is arranged in the positive-pressure gas supplying port 31a of the supplying means 34a and which floats an object to be transported in a state where the means 31 does not come into contact with the bottom face of the object.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばウェハ等の
盤状の搬送物を搬送する搬送装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer device for transferring a disk-shaped transfer object such as a wafer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えばメタル配線型基板の製造工程にお
いては、シリコンで成るウェハの表面上に銅（Ｃｕ）で
成る配線パターンを形成し、配線パターンを含むウェハ
の表面上に二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）で成る絶縁膜を被覆
する。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a metal wiring type substrate, for example, a wiring pattern made of copper (Cu) is formed on the surface of a wafer made of silicon, and silicon dioxide (SiO ₂ ) is formed on the surface of the wafer containing the wiring pattern. ).

【０００３】そして、積層配線パターン用の導通穴を絶
縁膜にエッチング形成し、導通穴の内面を含む絶縁膜の
表面上にタンタル（Ｔａ）やチタン（Ｔｉ）等で成るバ
リヤ膜を被覆し、銅（Ｃｕ）で成るシード膜をスパッタ
リング形成する。そして、導通穴の内部が完全に塞がる
ように比較的厚めに銅（Ｃｕ）で成る積層配線パターン
用膜をメッキ形成する。その後、バリヤ膜上の不要な積
層配線パターン用膜を研磨加工して取り除いて積層配線
パターンを形成し、最終的なメタル配線型基板とする。A conductive hole for a laminated wiring pattern is formed in the insulating film by etching, and a barrier film made of tantalum (Ta) or titanium (Ti) is coated on the surface of the insulating film including the inner surface of the conductive hole, A seed film made of copper (Cu) is formed by sputtering. Then, a relatively thick copper (Cu) film for a multilayer wiring pattern is formed by plating so that the inside of the conduction hole is completely closed. Thereafter, the unnecessary layered wiring pattern film on the barrier film is polished and removed to form a layered wiring pattern, thereby obtaining a final metal wiring type substrate.

【０００４】上記研磨工程においては、加工前のウェハ
を、平坦化研磨装置投入側のバッファから平坦化研磨装
置の加工部ピンチャックへ移載し、加工後のウェハを、
平坦化研磨装置の加工部ピンチャックから洗浄装置投入
側のバッファへ移載する必要があるため、ウェハの搬送
装置が設置されている。図４及び図５は、従来の搬送装
置の概略を示す平面図及び側面図である。この搬送装置
１０は、メカニカル式のチャックであり、２つのツメ１
１でウェハ１の外周縁を挟み込んで搬送する装置であ
る。In the above polishing step, the wafer before processing is transferred from a buffer on the side of the flattening polishing apparatus to a processing section pin chuck of the flattening polishing apparatus.
Since it is necessary to transfer the wafer from the processing section pin chuck of the flattening and polishing apparatus to the buffer on the cleaning apparatus input side, a wafer transfer apparatus is provided. FIG. 4 and FIG. 5 are a plan view and a side view schematically showing a conventional transfer device. The transfer device 10 is a mechanical chuck, and has two claws 1.
1 is an apparatus for transporting the wafer 1 by sandwiching the outer peripheral edge thereof.

【０００５】矩形状のベース板１２の上面中央には、旋
回及び上下動可能なアーム１３が取り付けられ、さらに
その両側には、互いに水平逆向きに駆動可能な２つのエ
アシリンダ１４が取り付けられている。そして、ベース
板１２の下面両側には、各エアシリンダ１４のピストン
１４ａに係止されたツメ１１が配置されている。各ツメ
１１は、断面が略Ｖ字状の溝１１ａが形成されており、
各溝１１ａが対向するように配置されている。[0005] At the center of the upper surface of the rectangular base plate 12, an arm 13 that can rotate and move up and down is mounted, and on both sides thereof, two air cylinders 14 that can be driven horizontally in opposite directions are mounted. I have. On both sides of the lower surface of the base plate 12, the claws 11 locked to the pistons 14a of the respective air cylinders 14 are arranged. Each claw 11 is formed with a groove 11a having a substantially V-shaped cross section.
The grooves 11a are arranged so as to face each other.

【０００６】このような構成において、ウェハ１の搬送
動作を説明する。先ず、ベース板１２が平坦化研磨装置
投入側のバッファにあるウェハ１の上方に位置するま
で、アーム１３を上昇及び旋回させる。このとき、各エ
アシリンダ１４を駆動して、各ツメ１１の間隔を広げて
おく。そして、各ツメ１１の間にウェハ１が位置するま
で、アーム１３を下降させる。そして、各エアシリンダ
１４を駆動して、各ツメ１１の溝１１ａにウェハ１の外
周縁が接触するまで、各ツメ１１の間隔を狭める。これ
により、２つのツメ１１は、ウェハ１の外周縁を挟み込
むことになり、ウェハ１を位置決め保持して搬送するこ
とができる。The operation of transporting the wafer 1 in such a configuration will be described. First, the arm 13 is raised and turned until the base plate 12 is positioned above the wafer 1 in the buffer on the side of the flattening polishing apparatus. At this time, each air cylinder 14 is driven to widen the interval between the claws 11. Then, the arm 13 is lowered until the wafer 1 is located between the claws 11. Then, the air cylinders 14 are driven to reduce the interval between the claws 11 until the outer peripheral edge of the wafer 1 comes into contact with the groove 11a of the claws 11. As a result, the two claws 11 sandwich the outer peripheral edge of the wafer 1, so that the wafer 1 can be positioned and held and transferred.

【０００７】次に、ベース板１２が平坦化研磨装置の加
工部ピンチャックに位置するまで、アーム１３を上昇、
旋回及び下降させる。そして、各エアシリンダ１４を駆
動して、各ツメ１１の間隔を広げ、ウェハ１を平坦化研
磨装置の加工部ピンチャックに載置させる。この後、ベ
ース板１２を所定の退避位置に逃がすため、アーム１３
を上昇、旋回及び下降させる。以上により、加工前のウ
ェハ１を、平坦化研磨装置投入側のバッファから平坦化
研磨装置の加工部ピンチャックへ移載することができ
る。尚、加工後のウェハ１を、平坦化研磨装置の加工部
ピンチャックから洗浄装置投入側のバッファへ移載する
場合も同様である。Next, the arm 13 is lifted until the base plate 12 is positioned on the pin chuck of the processing portion of the flattening polishing apparatus.
Turn and lower. Then, the air cylinders 14 are driven to widen the interval between the claws 11, and the wafer 1 is placed on the processing section pin chuck of the flattening and polishing apparatus. After that, the arm 13 is moved in order to release the base plate 12 to a predetermined retreat position.
Is raised, turned and lowered. As described above, the unprocessed wafer 1 can be transferred from the buffer on the side of the flattening polishing apparatus to the processing section pin chuck of the flattening polishing apparatus. The same applies to the case where the processed wafer 1 is transferred from the processing section pin chuck of the flattening and polishing apparatus to the buffer on the cleaning apparatus input side.

【０００８】図６及び図７は、従来の別の搬送装置の概
略を示す平面図及び側面図である。この搬送装置２０
は、ディフューザ式のチャックであり、エアーのディフ
ューザ効果でウェハ１を吸着して搬送する装置である。
円筒状のベース２１の上面は塞がれており、その中央に
は、給気用配管２２が取り付けられ、さらにその両側に
は、排気用配管２３が取り付けられている。ベース２１
の側面には、旋回及び上下動可能なアーム２４が取り付
けられている。そして、ベース２１の下面は開放されて
おり、その両側には、ガイド板２５が取り付けられてい
る。各ガイド板２５は、断面が略Ｌ字状の段部２５ａが
形成されており、各段部２５ａが対向するように配置さ
れている。FIGS. 6 and 7 are a plan view and a side view, respectively, schematically showing another conventional transfer device. This transport device 20
Is a diffuser-type chuck, which is a device that sucks and transports the wafer 1 by the diffuser effect of air.
An upper surface of the cylindrical base 21 is closed, and an air supply pipe 22 is attached at the center thereof, and an exhaust pipe 23 is attached to both sides thereof. Base 21
The arm 24 which can turn and move up and down is attached to the side surface of the. The lower surface of the base 21 is open, and guide plates 25 are attached to both sides thereof. Each guide plate 25 is formed with a step 25a having a substantially L-shaped cross section, and is arranged so that the steps 25a face each other.

【０００９】このような構成において、ウェハ１の搬送
動作を説明する。先ず、ベース２１が平坦化研磨装置投
入側のバッファにあるウェハ１の上方に位置するまで、
アーム２４を上昇及び旋回させる。このとき、給気用配
管２２及び排気用配管２３に接続されている図示しない
給気装置及び排気装置を駆動して、ベース２１の中空部
内を所定の負圧力に維持しておく。そして、各ガイド板
２５の間にウェハ１が位置するまで、アーム２４を下降
させる。すると、ウェハ１は、ベース２１の中空部側に
引っ張られ、ウェハ１の外周縁が、各ガイド板２５の段
部２５ａに接触する。これにより、２つのガイド板２５
が、ウェハ１の外周縁を挟み込む形で、ベース２１が、
ウェハ１を吸着することになり、ウェハ１を位置決め保
持して搬送することができる。The operation of transporting the wafer 1 in such a configuration will be described. First, until the base 21 is located above the wafer 1 in the buffer on the side of the flattening polishing apparatus,
The arm 24 is raised and turned. At this time, the air supply device and the exhaust device (not shown) connected to the air supply pipe 22 and the exhaust pipe 23 are driven to maintain the inside of the hollow portion of the base 21 at a predetermined negative pressure. Then, the arm 24 is lowered until the wafer 1 is positioned between the guide plates 25. Then, the wafer 1 is pulled toward the hollow side of the base 21, and the outer peripheral edge of the wafer 1 contacts the step 25 a of each guide plate 25. Thus, the two guide plates 25
However, the base 21 is sandwiched by the outer peripheral edge of the wafer 1.
As a result, the wafer 1 is sucked, and the wafer 1 can be positioned, held and transported.

【００１０】次に、ベース２１が平坦化研磨装置の加工
部ピンチャックに位置するまで、アーム２４を上昇、旋
回及び下降させる。そして、給気装置及び排気装置を停
止して、ベース２１の中空部内を大気圧にし、ウェハ１
をベース２１の中空部から離して平坦化研磨装置の加工
部ピンチャックに載置させる。この後、ベース２１を所
定の退避位置に逃がすため、アーム２４を上昇、旋回及
び下降させる。以上により、加工前のウェハ１を、平坦
化研磨装置投入側のバッファから平坦化研磨装置の加工
部ピンチャックへ移載することができる。尚、加工後の
ウェハ１を、平坦化研磨装置の加工部ピンチャックから
洗浄装置投入側のバッファへ移載する場合も同様であ
る。Next, the arm 24 is raised, swiveled and lowered until the base 21 is positioned on the pin chuck of the processing portion of the flattening and polishing apparatus. Then, the air supply device and the exhaust device are stopped, the inside of the hollow portion of the base 21 is set to the atmospheric pressure, and
Is separated from the hollow portion of the base 21 and placed on the processing section pin chuck of the flattening polishing apparatus. Thereafter, the arm 24 is raised, turned and lowered in order to release the base 21 to a predetermined retreat position. As described above, the unprocessed wafer 1 can be transferred from the buffer on the side of the flattening polishing apparatus to the processing section pin chuck of the flattening polishing apparatus. The same applies to the case where the processed wafer 1 is transferred from the processing section pin chuck of the flattening and polishing apparatus to the buffer on the cleaning apparatus input side.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上述したメカニカル式
の搬送装置１０は、上部に稼働機構であるエアシリンダ
１４が配設さているため、摺動油や磨耗粉等がウェハ１
の表面、即ちデバイス面に落下する場合があり、デバイ
ス性能を損なうおそれがある。これに対し、ディフュー
ザ式の搬送装置２０は、稼働機構を備えていないので、
上記問題は生じないが、ウェハ１を吸着させるためのエ
アーを大量に必要とするため、大容量の給気装置及び排
気装置が必要となり、搬送装置２０が大型化する。さら
に、大流量のエアーブローにより、ウェハ１が乾燥して
しまうので、ウェハ１の表面に付着したパーティクル等
が次工程の薬液洗浄でも取れ難くなり、デバイス性能を
損なうおそれがある。In the mechanical transfer device 10 described above, an air cylinder 14 as an operating mechanism is disposed on the upper part, so that sliding oil, abrasion powder and the like are removed from the wafer 1.
May fall on the surface of the device, that is, the device surface, which may impair device performance. On the other hand, since the diffuser-type transport device 20 does not have an operating mechanism,
Although the above-mentioned problem does not occur, a large amount of air for sucking the wafer 1 is required, so a large-capacity air supply device and exhaust device are required, and the size of the transfer device 20 is increased. Furthermore, since the wafer 1 is dried by the air blow at a large flow rate, particles and the like attached to the surface of the wafer 1 are difficult to be removed in the next step of cleaning with a chemical solution, and device performance may be impaired.

【００１２】本発明は、上述した事情から成されたもの
であり、小型であって、搬送物を汚染するおそれのない
搬送装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a transport device which is small and does not contaminate a transported object.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、盤状の搬送物を搬送する搬送装置において、正
圧及び負圧の気体をそれぞれ供給する供給手段と、前記
各供給手段の気体供給口が設けられていると共に、前記
正圧の気体供給口に多孔質体が配設されており、前記各
供給手段の気体供給量の調節により、前記搬送物の盤面
に対して非接触で前記搬送物を浮上させる浮上手段とを
備えることにより達成される。According to the present invention, there is provided a conveying apparatus for conveying a board-shaped conveyed material, comprising: a supplying means for supplying a positive pressure gas and a negative pressure gas; A gas supply port of the means is provided, and a porous body is disposed at the gas supply port of the positive pressure. Floating means for floating the conveyed object in a non-contact manner is achieved.

【００１４】上記構成によれば、多孔質体を通る正圧の
気体が静圧であるため、少量の気体供給量で搬送物を浮
上させて搬送することができる。これにより、気体供給
手段を大容量のものとする必要がなく、また搬送物への
ゴミ等の落下も生じるおそれがない。According to the above configuration, since the positive pressure gas passing through the porous body has a static pressure, the conveyed material can be levitated and conveyed with a small gas supply amount. Thus, there is no need to increase the capacity of the gas supply means, and there is no possibility that dust or the like may drop onto the transported object.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention,
Although various technically preferable limits are given, the scope of the present invention is not limited to these modes unless otherwise specified in the following description.

【００１６】図１及び図２は、本発明の搬送装置の実施
形態を示す平面図及び側面図である。この搬送装置３０
は、気体静圧式のチャックであり、気体、例えばエアー
の静圧を利用して盤状の搬送物、例えばウェハ１０１を
浮上させて搬送する装置である。円柱状のパッド（浮上
手段）３１の下面には、正圧の気体を供給するための円
環状の正圧気体供給口３１ａ及び負圧の気体を供給する
ための円環状の負圧気体供給口３１ｂが形成されてい
る。正圧気体供給口３１ａは、負圧気体供給口３１ｂの
外側となる同心円状に形成されている。FIGS. 1 and 2 are a plan view and a side view, respectively, showing an embodiment of the transfer apparatus of the present invention. This transport device 30
Is a gas static pressure type chuck, which is a device that floats and transports a board-shaped transport object, for example, the wafer 101, using the static pressure of a gas, for example, air. An annular positive-pressure gas supply port 31a for supplying a positive-pressure gas and an annular negative-pressure gas supply port for supplying a negative-pressure gas are provided on the lower surface of the columnar pad (floating means) 31. 31b are formed. The positive pressure gas supply port 31a is formed concentrically outside the negative pressure gas supply port 31b.

【００１７】また、正圧気体供給口３１ａ内には、円環
状の多孔質体３２が嵌合されている。これにより、正圧
の気体をパッド３１の下面にある程度の幅を持たせて均
等に供給することができる。そして、正圧気体供給口３
１ａ及び負圧気体供給口３１ｂは、パッド３１の側面へ
通じる貫通孔３１ａａ及び３１ｂａから、正圧気体供給
配管（供給手段）３３ａ及び負圧気体供給配管（供給手
段）３３ｂを介して、正圧供給源（供給手段）３４ａ及
び負圧供給源である真空吸引源（供給手段）３４ｂに接
続されている。An annular porous body 32 is fitted in the positive pressure gas supply port 31a. Thereby, the gas of the positive pressure can be supplied evenly with the lower surface of the pad 31 having a certain width. And the positive pressure gas supply port 3
1a and the negative pressure gas supply port 31b are connected to the positive pressure gas through a positive pressure gas supply pipe (supply means) 33a and a negative pressure gas supply pipe (supply means) 33b from through holes 31aa and 31ba communicating with the side surface of the pad 31. It is connected to a supply source (supply means) 34a and a vacuum suction source (supply means) 34b which is a negative pressure supply source.

【００１８】さらに、正圧気体供給配管３３ａ及び負圧
気体供給配管３３ｂと正圧供給源３４ａ及び真空吸引源
３４ｂの間には、圧力自動調整バルブ３５ａ及び３５ｂ
がそれぞれ接続されている。これにより、ウェハ１０１
の表面、即ちデバイス面に対して非接触でウェハ１０１
を浮上させることができる。即ち、圧力自動調整バルブ
３５ａ及び３５ｂを自動調整して、正圧供給源３４ａ及
び真空吸引源３４ｂの気体供給量及び気体吸引量を調節
することにより、パッド３１の下面から所定の均一なエ
アーギャップを持ってウェハ１０１を保持することがで
きる。Further, between the positive pressure gas supply pipe 33a and the negative pressure gas supply pipe 33b and the positive pressure supply source 34a and the vacuum suction source 34b, automatic pressure regulating valves 35a and 35b are provided.
Are connected respectively. Thereby, the wafer 101
Of the wafer 101 without contact with the surface of the
Can surface. That is, by automatically adjusting the pressure automatic adjustment valves 35a and 35b to adjust the gas supply amount and the gas suction amount of the positive pressure supply source 34a and the vacuum suction source 34b, a predetermined uniform air gap is formed from the lower surface of the pad 31. To hold the wafer 101.

【００１９】パッド３１の側面には、旋回及び上下動可
能なアーム３６が取り付けられている。さらに、パッド
３１の側面の両側には、ガイド板（位置決め手段）３７
が取り付けられている。各ガイド板３７は、テーパ状の
凸部３７ａが形成されており、各凸部３７ａが対向する
ように配置されている。これにより、ウェハ１０１を浮
上させる際に、ウェハ１０１の外周縁両側に各ガイド板
３７の凸部３７ａを接触させて、ウェハ１０１を位置決
めすることができる。尚、ウェハ１０１を浮上させる際
に、ウェハ１０１がパッド３１や多孔質体３２に万一接
触した場合でも、デバイス面にダメージを与えないよう
に、パッド３１における少なくとも下面及び多孔質体３
２は、樹脂で形成されている。An arm 36 that can pivot and move up and down is attached to the side surface of the pad 31. Further, guide plates (positioning means) 37 are provided on both sides of the side surface of the pad 31.
Is attached. Each guide plate 37 is formed with a tapered convex portion 37a, and is arranged so that each convex portion 37a faces each other. Accordingly, when the wafer 101 is levitated, the convex portions 37a of the respective guide plates 37 are brought into contact with both sides of the outer peripheral edge of the wafer 101, whereby the wafer 101 can be positioned. When the wafer 101 is levitated, even if the wafer 101 comes into contact with the pad 31 or the porous body 32, at least the lower surface of the pad 31 and the porous body 3 are prevented so as not to damage the device surface.
2 is formed of resin.

【００２０】このような構成の搬送装置３０は、例えば
平坦化研磨装置に装備されており、以下で平坦化研磨装
置の構成を説明すると共に、その動作に含めて搬送装置
３０の動作も説明する。図３は、平坦化研磨装置の全体
構成を示す平面図である。この平坦化研磨装置１００
は、研磨対象のウェハ１０１が投入されるカセットポー
ト１１０、このカセットポート１１０から取出されたウ
ェハ１０１を位置決めするハンドリングシステム１２
０、このハンドリングシステム１２０で位置決めされた
ウェハ１０１を化学的機械研磨するポリッシングヘッド
１３０及びポリッシングヘッド１３０で化学的機械研磨
されたウェハ１０１を洗浄するクリーナ１４０で大略構
成されている。尚、搬送装置３０は、ポリッシングヘッ
ド１３０とクリーナ１４０の間に配設されてウェハ１０
１を搬送するようになっている。The transport apparatus 30 having such a configuration is provided, for example, in a flattening and polishing apparatus. The configuration of the flattening and polishing apparatus will be described below, and the operation of the transport apparatus 30 will be described in its operation. . FIG. 3 is a plan view showing the overall configuration of the flattening and polishing apparatus. This flattening polishing apparatus 100
Is a cassette port 110 into which a wafer 101 to be polished is loaded, and a handling system 12 for positioning the wafer 101 taken out from the cassette port 110.
A polishing head 130 for chemically and mechanically polishing the wafer 101 positioned by the handling system 120 and a cleaner 140 for cleaning the wafer 101 which has been chemically and mechanically polished by the polishing head 130. The transfer device 30 is provided between the polishing head 130 and the cleaner 140 and
1 is conveyed.

【００２１】先ず、複数枚のウェハ１０１が、カセット
１０２内に並列に収納され、このカセット１０２が、カ
セットポート１１０にセットされる。そして、１枚のウ
ェハ１０１が、カセット１０２から取出されて、ハンド
リングシステム１２０に搬送される。搬送されてきたウ
ェハ１０１は、コンベア１２１で位置決め部１２２に移
送されて、センタリング及びオリフラ合わせが行われ、
再びコンベア１２１で元の位置まで移送される。再移送
されてきたウェハ１０１は、ポリッシングヘッド１３０
に搬送される。First, a plurality of wafers 101 are stored in parallel in a cassette 102, and the cassette 102 is set in a cassette port 110. Then, one wafer 101 is taken out of the cassette 102 and transported to the handling system 120. The transferred wafer 101 is transferred to a positioning unit 122 by a conveyor 121, where centering and orientation flat alignment are performed.
It is transported again to the original position by the conveyor 121. The re-transferred wafer 101 is moved to a polishing head 130.
Transported to

【００２２】即ち、パッド３１がバッファ１３１にある
ウェハ１０１の上方に位置するまで、アーム３６を上昇
及び旋回させる。このとき、正圧供給源３４ａ及び真空
吸引源３４ｂを駆動して、パッド３１の下面を所定の負
圧力に維持しておく。そして、各ガイド板３７の間にウ
ェハ１０１が位置するまで、アーム３６を下降させる。
すると、ウェハ１０１は、パッド３１の下面に引っ張ら
れ、ウェハ１０１の外周縁が、各ガイド板３７の凸部３
７ａに接触する。これにより、２つのガイド板３７が、
ウェハ１０１の外周縁を挟み込む形で、パッド３１が、
ウェハ１０１を浮上させることになり、ウェハ１０１を
位置決め保持して搬送することができる。That is, the arm 36 is raised and turned until the pad 31 is located above the wafer 101 in the buffer 131. At this time, the positive pressure supply source 34a and the vacuum suction source 34b are driven to maintain the lower surface of the pad 31 at a predetermined negative pressure. Then, the arm 36 is lowered until the wafer 101 is positioned between the guide plates 37.
Then, the wafer 101 is pulled by the lower surface of the pad 31, and the outer peripheral edge of the wafer 101 is
7a. Thereby, the two guide plates 37
The pad 31 is formed so as to sandwich the outer peripheral edge of the wafer 101.
The wafer 101 is lifted, and the wafer 101 can be positioned, held, and transported.

【００２３】次に、パッド３１が加工部１３２に位置す
るまで、アーム３６を上昇、旋回及び下降させる。そし
て、正圧供給源３４ａ及び真空吸引源３４ｂを停止し
て、パッド３１の下面を大気圧にし、ウェハ１０１をパ
ッド３１の下面から離して加工部１３２に載置させる。
この後、パッド３１を所定の退避位置に逃がすため、ア
ーム３６を上昇、旋回及び下降させる。そして、加工部
１３２にセットされたウェハ１０１が化学的機械研磨さ
れる。以上により、加工前のウェハ１０１を、バッファ
１３１から加工部１３２へ移載することができる。尚、
加工後のウェハ１０１を、加工部１３２からウェットス
テーション１３３へ移載する場合も同様である。Next, the arm 36 is raised, turned and lowered until the pad 31 is located at the processing portion 132. Then, the positive pressure supply source 34a and the vacuum suction source 34b are stopped, the lower surface of the pad 31 is set to the atmospheric pressure, and the wafer 101 is separated from the lower surface of the pad 31 and placed on the processing section 132.
Thereafter, the arm 36 is raised, turned and lowered in order to allow the pad 31 to escape to a predetermined retreat position. Then, the wafer 101 set in the processing unit 132 is subjected to chemical mechanical polishing. As described above, the wafer 101 before processing can be transferred from the buffer 131 to the processing unit 132. still,
The same applies when the processed wafer 101 is transferred from the processing unit 132 to the wet station 133.

【００２４】その後、ウェハ１０１は、ウェットステー
ション１３３からクリーナ１４０に搬送される。搬送さ
れてきたウェハ１０１は、薬剤を洗浄するために洗浄部
１４１を通された後、洗浄液を乾燥させるために乾燥部
１４２へ移送される。そして、乾燥が完了したウェハ１
０１は、再びハンドリングシステム１２０に搬送され、
カセット１０２の空き部分に収納される。収納している
全ウェハ１０１について以上の工程が終了したカセット
１０２は、カセットポート１１０から取出され、次工程
へ搬送される。Thereafter, the wafer 101 is transferred from the wet station 133 to the cleaner 140. The conveyed wafer 101 is passed through a cleaning unit 141 for cleaning the chemical, and then transferred to a drying unit 142 for drying the cleaning liquid. Then, the dried wafer 1
01 is again transported to the handling system 120,
It is stored in an empty portion of the cassette 102. The cassette 102 that has been subjected to the above steps for all the stored wafers 101 is taken out from the cassette port 110 and transported to the next step.

【００２５】以上のような構成の搬送装置３０によれ
ば、静圧を用いているため、エアー消費量が少なくて済
むので、エアー供給装置は小容量のものでよく、またウ
ェハ１０１をウェット状態のままで搬送することができ
る。従って、搬送装置３０全体をコンパクトにすること
ができ、またウェハ１０１の表面に付着したパーティク
ル等を次工程の薬液洗浄で効率良く落とすことができ
る。また、稼働機構を備えていないので、ウェハ１０１
は汚染されることはなく、デバイス性能を良好に維持す
ることができる。According to the transfer device 30 having the above-described structure, since the static pressure is used, the amount of air consumption can be reduced. Therefore, the air supply device may have a small capacity, and the wafer 101 may be in a wet state. It can be transported as it is. Therefore, the entire transfer device 30 can be made compact, and particles and the like adhering to the surface of the wafer 101 can be efficiently removed in the next step of cleaning with a chemical solution. Further, since no operating mechanism is provided, the wafer 101
Is not contaminated and can maintain good device performance.

【００２６】[0026]

【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
小型に構成することができるので、適用機器の幅を広げ
ることができる。また、搬送物を汚染するおそれがない
ので、その後の洗浄工程を簡素化することができる。As described above, according to the present invention,
Since it can be configured in a small size, the width of applicable equipment can be increased. Further, since there is no possibility of contaminating the transported object, the subsequent cleaning process can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の搬送装置の実施形態を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a transport device of the present invention.

【図２】図１の搬送装置の側面図。FIG. 2 is a side view of the transfer device of FIG.

【図３】図１の搬送装置が装備される平坦化研磨装置の
全体構成を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing the overall configuration of a flattening and polishing apparatus equipped with the transfer device of FIG. 1;

【図４】従来の搬送装置の概略を示す平面図。FIG. 4 is a plan view schematically showing a conventional transport device.

【図５】図４の搬送装置の側面図。FIG. 5 is a side view of the transfer device of FIG. 4;

【図６】従来の別の搬送装置の概略を示す平面図。FIG. 6 is a plan view schematically showing another conventional transport device.

【図７】図６の搬送装置の側面図。FIG. 7 is a side view of the transfer device of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

３０・・・搬送装置、３１・・・パッド、３１ａ・・・
正圧気体供給口、３１ｂ・・・負圧気体供給口、３２・
・・多孔質体、３３ａ・・・正圧気体供給配管、３３ｂ
・・・負圧気体供給配管、３４ａ・・・正圧供給源、３
４ｂ・・・真空吸引源、３５ａ・・・圧力自動調整バル
ブ、３５ｂ・・・圧力自動調整バルブ、３６・・・アー
ム、３７・・・ガイド板、３７ａ・・・凸部、１００・
・・平坦化研磨装置、１０１・・・ウェハ、１１０・・
・カセットポート、１２０・・・ハンドリングシステ
ム、１３０・・・ポリッシングヘッド、１３２・・・加
工部、１４０・・・クリーナReference numeral 30: transport device, 31: pad, 31a ...
Positive pressure gas supply port, 31b ... Negative pressure gas supply port, 32
..Porous body, 33a... Positive pressure gas supply pipe, 33b
... negative pressure gas supply pipe, 34a ... positive pressure supply source, 3
4b: vacuum suction source, 35a: automatic pressure adjusting valve, 35b: automatic pressure adjusting valve, 36: arm, 37: guide plate, 37a: convex portion, 100 ·
..Planarizing and polishing apparatus, 101, wafer, 110
・ Cassette port, 120 ・ ・ ・ Handling system, 130 ・ ・ ・ Polishing head, 132 ・ ・ ・ Processing part, 140 ・ ・ ・ Cleaner

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 高男 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB03 AC05 CB06 DA17 5F031 CA02 FA01 GA62 MA22  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takao Kondo 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation F-term (reference) 3C058 AA07 AB03 AC05 CB06 DA17 5F031 CA02 FA01 GA62 MA22

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 盤状の搬送物を搬送する搬送装置におい
て、 正圧及び負圧の気体をそれぞれ供給する供給手段と、 前記各供給手段の気体供給口が設けられていると共に、
前記正圧の気体供給口に多孔質体が配設されており、前
記各供給手段の気体供給量の調節により、前記搬送物の
盤面に対して非接触で前記搬送物を浮上させる浮上手段
とを備えたことを特徴とする搬送装置。1. A transport device for transporting a board-shaped transport object, comprising: supply means for supplying a positive pressure gas and a negative pressure gas; and a gas supply port for each of the supply means.
A porous body is provided at the positive pressure gas supply port, and a floating means for floating the conveyed article in a non-contact manner with respect to the board surface of the conveyed article by adjusting a gas supply amount of each of the supplying means. A transport device comprising: 【請求項２】 前記浮上手段に配設されており、前記
搬送物を前記浮上手段で浮上させる際に、前記搬送物の
外周縁に接触して前記搬送物を位置決めする位置決め手
段を備えた請求項１に記載の搬送装置。2. A locating means which is disposed on the levitation means and which contacts the outer peripheral edge of the conveyed article and positions the conveyed article when the conveyed article is levitated by the levitation means. Item 2. The transfer device according to Item 1. 【請求項３】 前記各気体供給口が、円環状に形成され
ており、前記多孔質体が、その気体供給口に嵌合可能な
円環状に形成されている請求項１に記載の搬送装置。3. The transfer device according to claim 1, wherein each of the gas supply ports is formed in an annular shape, and the porous body is formed in an annular shape that can be fitted to the gas supply port. . 【請求項４】 前記各気体供給口は、前記正圧の気体供
給口が前記負圧の気体供給口の外側となる同心円状に形
成されている請求項３に記載の搬送装置。4. The transfer device according to claim 3, wherein each of the gas supply ports is formed in a concentric shape in which the positive pressure gas supply port is located outside the negative pressure gas supply port. 【請求項５】 前記浮上手段における少なくとも前記各
気体供給口側の面及び前記多孔質体が、樹脂で形成され
ている請求項１に記載の搬送装置。5. The transfer device according to claim 1, wherein at least the surface of each of the floating means on the side of the gas supply port and the porous body are formed of resin.