JP2000150548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 封止部へのバリ或いは欠けの発生を防止し、
精度の良い外形寸法の封止部を形成できる半導体装置の
製造技術を提供する。 【解決手段】 一面に複数の接続端子が形成された複数
のベース2と、ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝11とからなる基板シート9に、
半導体チップ4をベースにそれぞれ搭載し、半導体チッ
プを接続端子と電気的に接続し、基板シートに封止樹脂
13を供給した後、基板シートに仕切り治具15を装着
することで封止樹脂が分割され、半硬化状態となった時
点で、仕切り治具を取り外し、それぞれのベース毎に分
割された封止部7を形成し、封止部の形成された基板シ
ートを基板分割溝から折り曲げ、各々のベース毎に分割
形成するように構成した。これにより、基板シートの分
割時に封止部を分割することが無くなり、半導体装置へ
のバリ及び欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の
封止部を容易に形成することができる。
精度の良い外形寸法の封止部を形成できる半導体装置の
製造技術を提供する。 【解決手段】 一面に複数の接続端子が形成された複数
のベース2と、ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝11とからなる基板シート9に、
半導体チップ4をベースにそれぞれ搭載し、半導体チッ
プを接続端子と電気的に接続し、基板シートに封止樹脂
13を供給した後、基板シートに仕切り治具15を装着
することで封止樹脂が分割され、半硬化状態となった時
点で、仕切り治具を取り外し、それぞれのベース毎に分
割された封止部7を形成し、封止部の形成された基板シ
ートを基板分割溝から折り曲げ、各々のベース毎に分割
形成するように構成した。これにより、基板シートの分
割時に封止部を分割することが無くなり、半導体装置へ
のバリ及び欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の
封止部を容易に形成することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に複数のベースを有し、それぞれのベースに半
導体チップが搭載された基板シートを一体的に封止した
後、前記基板シートをそれぞれのベース毎に分割する半
導体装置の製造技術に適用して有効なものである。
技術、特に複数のベースを有し、それぞれのベースに半
導体チップが搭載された基板シートを一体的に封止した
後、前記基板シートをそれぞれのベース毎に分割する半
導体装置の製造技術に適用して有効なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミックタイプでワイヤボンデ
ィング方式の半導体装置は、所定の回路が形成された半
導体チップと、前記半導体チップを一面に搭載し、前記
半導体チップの複数の電極パッドとそれぞれワイヤ等に
より電気的に接続される複数の接続端子を有するベース
と、前記ベースの一面に対向する面(以下、他面とい
う)に設けられ、前記ベースに設けられた配線等により
前記複数の接続端子とそれぞれ電気的に接続される外部
端子と、前記ベースの一面、つまりは前記ベース上に搭
載された半導体チップ及び該半導体チップの電極パッド
と前記ベースの接続端子との接続部一帯を封止する封止
部とから構成されていた。
ィング方式の半導体装置は、所定の回路が形成された半
導体チップと、前記半導体チップを一面に搭載し、前記
半導体チップの複数の電極パッドとそれぞれワイヤ等に
より電気的に接続される複数の接続端子を有するベース
と、前記ベースの一面に対向する面(以下、他面とい
う)に設けられ、前記ベースに設けられた配線等により
前記複数の接続端子とそれぞれ電気的に接続される外部
端子と、前記ベースの一面、つまりは前記ベース上に搭
載された半導体チップ及び該半導体チップの電極パッド
と前記ベースの接続端子との接続部一帯を封止する封止
部とから構成されていた。
【0003】このような半導体装置は、例えば特開平1
0−150119号公報に示すような技術により作製さ
れていた。その概要としては、前記半導体装置を製造す
るための基板シートはその他面に前記ベース毎の基板分
割溝が形成され、一面には前記ベースに搭載される半導
体チップの電極パッドと電気的に接続される複数の接続
端子が形成され、前記ベースの他面には前記複数の接続
端子と電気的に接続され、外部端子を搭載する外部端子
搭載部が形成されている。そして前述した基板シートに
は、その一面の前記基板分割溝により区分された領域、
つまりはそれぞれの前記ベース毎にそれぞれ半導体チッ
プが搭載され、前記搭載された半導体チップと前記ベー
スの接続端子とがワイヤ等により電気的に接続される。
この半導体チップの電極パッドと前記ベースの接続端子
とが電気的に接続された基板シートは、その一面全体に
液状の封止樹脂を供給し、前記封止樹脂を硬化すること
により各ベースの前記半導体チップ及び前記半導体チッ
プの電極パッドと前記ベースの接続端子との接続部一帯
を封止する封止部が形成される。その後、前記基板シー
トを基板分割溝の方向から折り曲げるように切断するこ
とによりそれぞれのベース毎に分割する。そして前記ベ
ースの外部端子搭載部に金属からなるボールを搭載し、
前記ベースに外部端子形成することにより半導体装置を
製造するものである。
0−150119号公報に示すような技術により作製さ
れていた。その概要としては、前記半導体装置を製造す
るための基板シートはその他面に前記ベース毎の基板分
割溝が形成され、一面には前記ベースに搭載される半導
体チップの電極パッドと電気的に接続される複数の接続
端子が形成され、前記ベースの他面には前記複数の接続
端子と電気的に接続され、外部端子を搭載する外部端子
搭載部が形成されている。そして前述した基板シートに
は、その一面の前記基板分割溝により区分された領域、
つまりはそれぞれの前記ベース毎にそれぞれ半導体チッ
プが搭載され、前記搭載された半導体チップと前記ベー
スの接続端子とがワイヤ等により電気的に接続される。
この半導体チップの電極パッドと前記ベースの接続端子
とが電気的に接続された基板シートは、その一面全体に
液状の封止樹脂を供給し、前記封止樹脂を硬化すること
により各ベースの前記半導体チップ及び前記半導体チッ
プの電極パッドと前記ベースの接続端子との接続部一帯
を封止する封止部が形成される。その後、前記基板シー
トを基板分割溝の方向から折り曲げるように切断するこ
とによりそれぞれのベース毎に分割する。そして前記ベ
ースの外部端子搭載部に金属からなるボールを搭載し、
前記ベースに外部端子形成することにより半導体装置を
製造するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように前記基板シートの一面全体に液状樹脂を供給
し、前記液状樹脂を硬化することにより封止部を形成
し、その後、前記基板シートを基板分割溝の方向から折
り曲げるように切断し、前記基板シートをそれぞれのベ
ース毎に分割する半導体装置の製造技術においては、前
記基板シートへ基板分割溝を設けて前記基板シートを切
断し易くなるように構成しているが、前記基板シートを
基板分割溝の方向から折り曲げるように切断する際に、
応力のかけ方或いは封止部へ発生したボイド等によって
前記封止部が垂直に切断されずに、完成した半導体装置
の封止部に図13に示すようなバリ27が発生してしま
うという問題があった。この半導体装置の製造技術では
前記半導体装置1の4方向を全て切断するように構成さ
れており、最大4方向にバリ27が発生してしまう恐れ
があった。
たように前記基板シートの一面全体に液状樹脂を供給
し、前記液状樹脂を硬化することにより封止部を形成
し、その後、前記基板シートを基板分割溝の方向から折
り曲げるように切断し、前記基板シートをそれぞれのベ
ース毎に分割する半導体装置の製造技術においては、前
記基板シートへ基板分割溝を設けて前記基板シートを切
断し易くなるように構成しているが、前記基板シートを
基板分割溝の方向から折り曲げるように切断する際に、
応力のかけ方或いは封止部へ発生したボイド等によって
前記封止部が垂直に切断されずに、完成した半導体装置
の封止部に図13に示すようなバリ27が発生してしま
うという問題があった。この半導体装置の製造技術では
前記半導体装置1の4方向を全て切断するように構成さ
れており、最大4方向にバリ27が発生してしまう恐れ
があった。
【0005】このような半導体装置の封止部へ発生した
バリ27によっては、その半導体装置1の外形寸法がば
らついてしまい、半導体装置の外形寸法の規格が満足で
きなくなってしまう。
バリ27によっては、その半導体装置1の外形寸法がば
らついてしまい、半導体装置の外形寸法の規格が満足で
きなくなってしまう。
【0006】また前記半導体装置の外形を基に位置決め
することにより、該半導体装置を実装する場合には、前
記半導体装置に発生したバリ27によって正確な位置決
めができず、半導体装置の実装位置がずれてしまう恐れ
もあった。
することにより、該半導体装置を実装する場合には、前
記半導体装置に発生したバリ27によって正確な位置決
めができず、半導体装置の実装位置がずれてしまう恐れ
もあった。
【0007】さらに半導体装置の封止部へ発生するバリ
27の大きさによっては、バーンイン試験等のために半
導体装置をソケットに挿入する際に、前記ソケットの電
極へ外部端子が接触できなくなる、又は前記バリ27が
邪魔となり半導体装置を前記ソケットに挿入できなくな
り、バーンイン試験等ができなくなる恐れもあった。
27の大きさによっては、バーンイン試験等のために半
導体装置をソケットに挿入する際に、前記ソケットの電
極へ外部端子が接触できなくなる、又は前記バリ27が
邪魔となり半導体装置を前記ソケットに挿入できなくな
り、バーンイン試験等ができなくなる恐れもあった。
【0008】また前記基板シートは多数個のベースが隣
接して配置されているため、前記バリ27の発生した半
導体装置に隣接した半導体装置の封止部7には欠け28
が発生してしまう。この半導体装置の封止部7に大きな
欠け28が発生した場合には、前記半導体チップの電極
パッドとベースの接続端子とを電気的に接続するワイヤ
等が封止部7から露出してしまう恐れもあった。近年は
半導体装置の小型化及び薄型化が進んできており、この
ような封止部7の欠け28による前記ワイヤの露出の可
能性は大きくなる傾向にある。
接して配置されているため、前記バリ27の発生した半
導体装置に隣接した半導体装置の封止部7には欠け28
が発生してしまう。この半導体装置の封止部7に大きな
欠け28が発生した場合には、前記半導体チップの電極
パッドとベースの接続端子とを電気的に接続するワイヤ
等が封止部7から露出してしまう恐れもあった。近年は
半導体装置の小型化及び薄型化が進んできており、この
ような封止部7の欠け28による前記ワイヤの露出の可
能性は大きくなる傾向にある。
【0009】そこで本発明の目的は、封止部へのバリ或
いは欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の封止部
を形成できる半導体装置の製造技術を提供することであ
る。
いは欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の封止部
を形成できる半導体装置の製造技術を提供することであ
る。
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【0012】すなわち、半導体装置の製造技術におい
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するものであ
る。
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するものであ
る。
【0013】また前記半導体装置の製造技術において、
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外し、前記基板シートの
少なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成
するものである。
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外し、前記基板シートの
少なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成
するものである。
【0014】さらに前記半導体装置の製造技術におい
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、前記基板シートの少なくとも前記境
界部を除く、前記一面に封止部を形成するものである。
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、前記基板シートの少なくとも前記境
界部を除く、前記一面に封止部を形成するものである。
【0015】また前記仕切り治具は、前記基板シートへ
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ているものである。
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ているものである。
【0016】さらに前記仕切り治具には、予め封止樹脂
との接触部分に離型剤が付着されているものである。
との接触部分に離型剤が付着されているものである。
【0017】上述した手段によれば、半導体装置の製造
技術において、一面に複数の接続端子が形成された複数
のベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の
回路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ
搭載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接
続端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少
なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成す
る工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に
接続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止
部の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から
折り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するよ
うに構成したことにより、前記基板シートの少なくとも
前記ベース毎の境界部に封止部が形成されなくなり、前
記基板シートを基板分割溝の方向から折り曲げ、各々の
ベース毎に分割する際に、前記基板シートの分割のみで
良く、前記基板シート上に形成された封止部を分割する
必要がなくなる。従って、前記基板シート上に形成され
た封止部を分割することがなくなることにより、前記基
板シートの分割する際の半導体装置へのバリ及び欠けの
発生を防止することができ、精度の良い外形寸法の封止
部を形成することができる。
技術において、一面に複数の接続端子が形成された複数
のベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の
回路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ
搭載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接
続端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少
なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成す
る工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に
接続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止
部の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から
折り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するよ
うに構成したことにより、前記基板シートの少なくとも
前記ベース毎の境界部に封止部が形成されなくなり、前
記基板シートを基板分割溝の方向から折り曲げ、各々の
ベース毎に分割する際に、前記基板シートの分割のみで
良く、前記基板シート上に形成された封止部を分割する
必要がなくなる。従って、前記基板シート上に形成され
た封止部を分割することがなくなることにより、前記基
板シートの分割する際の半導体装置へのバリ及び欠けの
発生を防止することができ、精度の良い外形寸法の封止
部を形成することができる。
【0018】また前記半導体装置の製造技術において、
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外すことにより封止部を
形成したことにより、容易に前記基板シートの少なくと
も前記境界部を除く、前記一面に封止部を容易に形成す
ることができる。
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外すことにより封止部を
形成したことにより、容易に前記基板シートの少なくと
も前記境界部を除く、前記一面に封止部を容易に形成す
ることができる。
【0019】さらに前記半導体装置の製造技術におい
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、容易に前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成することが
でき、かつ、前記仕切り治具により区切られたベースに
封止樹脂を供給しているため、形成される封止部の厚さ
の制御が容易にでき、不要部分への封止樹脂の供給も無
くすことができる。
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、容易に前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成することが
でき、かつ、前記仕切り治具により区切られたベースに
封止樹脂を供給しているため、形成される封止部の厚さ
の制御が容易にでき、不要部分への封止樹脂の供給も無
くすことができる。
【0020】また前記仕切り治具は、前記基板シートへ
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ていることにより、前記仕切り治具を前記基板シートか
ら取り外す際に抜き易くなり、かつ、前記基板シートへ
形成される封止部を台形状に形成することができ、前記
基板シートを折り曲げて分割する際に、隣接する封止部
との接触がなくなり、前記封止部の接触による欠け等の
発生を低減することができる。
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ていることにより、前記仕切り治具を前記基板シートか
ら取り外す際に抜き易くなり、かつ、前記基板シートへ
形成される封止部を台形状に形成することができ、前記
基板シートを折り曲げて分割する際に、隣接する封止部
との接触がなくなり、前記封止部の接触による欠け等の
発生を低減することができる。
【0021】さらに前記仕切り治具には、予め封止樹脂
との接触部分に離型剤が付着されることにより、前記仕
切り治具を前記基板シートから取り外す際に、前記仕切
り治具が封止樹脂からより剥離し易くすることができ
る。
との接触部分に離型剤が付着されることにより、前記仕
切り治具を前記基板シートから取り外す際に、前記仕切
り治具が封止樹脂からより剥離し易くすることができ
る。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【0023】尚、本発明の実施形態を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。
【0024】(実施形態1)本実施形態では本発明をセ
ラミックベースでワイヤボンディング方式の半導体装
置、例えばCSP(Chip Size Package)に適用した場
合について説明する。
ラミックベースでワイヤボンディング方式の半導体装
置、例えばCSP(Chip Size Package)に適用した場
合について説明する。
【0025】本発明の適用されるセラミックベースでワ
イヤボンディング方式の半導体装置1は例えば図1に示
すように構成されている。前記半導体装置1は例えばセ
ラミック等からなるベース2を有しており、前記ベース
2は略四角形の板状に構成されている。そして前記ベー
ス2の一面、つまりは半導体チップを搭載する面には、
複数の接続端子3が前記ベース2の端部近傍に沿って設
けられている。この複数の接続端子3は導電性材料によ
り形成されている。そして前記ベース2の一面には、所
定の回路が形成された半導体チップ4が搭載されてい
る。前記半導体チップ4はその回路形成面に複数の電極
パッド5を有しており、前記半導体チップ4の電極パッ
ド5と前記ベース2の接続端子3とはそれぞれワイヤ6
により電気的に接続されている。さらに前記ベース2の
一面には封止部7が設けられており、前記封止部7によ
り前記ベース2に搭載された半導体チップ4と、前記ベ
ース2の接続端子3と半導体チップの電極パッド5との
接続部分一帯が覆われている。また前記ベース2の一面
と対向する面(以下、他面という)には、前記複数の接
続端子3のそれぞれに対応して複数の外部端子搭載部
(図示しない)が形成されている。前記接続端子3とそ
れに対応する外部端子搭載部は前記ベース2に設けられ
た配線等を通じてそれぞれ電気的に接続されている。そ
して前記ベース2の他面に設けられた外部端子搭載部に
は、例えば半田等からなる外部端子8がそれぞれ設けら
れている。
イヤボンディング方式の半導体装置1は例えば図1に示
すように構成されている。前記半導体装置1は例えばセ
ラミック等からなるベース2を有しており、前記ベース
2は略四角形の板状に構成されている。そして前記ベー
ス2の一面、つまりは半導体チップを搭載する面には、
複数の接続端子3が前記ベース2の端部近傍に沿って設
けられている。この複数の接続端子3は導電性材料によ
り形成されている。そして前記ベース2の一面には、所
定の回路が形成された半導体チップ4が搭載されてい
る。前記半導体チップ4はその回路形成面に複数の電極
パッド5を有しており、前記半導体チップ4の電極パッ
ド5と前記ベース2の接続端子3とはそれぞれワイヤ6
により電気的に接続されている。さらに前記ベース2の
一面には封止部7が設けられており、前記封止部7によ
り前記ベース2に搭載された半導体チップ4と、前記ベ
ース2の接続端子3と半導体チップの電極パッド5との
接続部分一帯が覆われている。また前記ベース2の一面
と対向する面(以下、他面という)には、前記複数の接
続端子3のそれぞれに対応して複数の外部端子搭載部
(図示しない)が形成されている。前記接続端子3とそ
れに対応する外部端子搭載部は前記ベース2に設けられ
た配線等を通じてそれぞれ電気的に接続されている。そ
して前記ベース2の他面に設けられた外部端子搭載部に
は、例えば半田等からなる外部端子8がそれぞれ設けら
れている。
【0026】次に、前述したように構成されたセラミッ
クベースでワイヤボンディング方式の半導体装置の製造
方法について説明する。
クベースでワイヤボンディング方式の半導体装置の製造
方法について説明する。
【0027】前記半導体装置1の製造に用いられる基板
シート9は例えば図2及び図3に示すように構成されて
いる。前記基板シート9は略四角形の板状に構成されて
おり、1つの基板シート9から複数、例えば9個の半導
体装置1を作製できるように構成されている。そのため
前記基板シート9には複数のベース2が隣接するように
配置されており、前記隣接配置された複数のベース2の
外側には外枠部10が配置されている。そして前記基板
シート9に配置されたそれぞれのベース2の境界部、さ
らには前記ベース2と外枠部10との境界部には、それ
ぞれ前記基板シート9の他面に基板分割溝11が形成さ
れている。この前記基板シート9の境界部に設けられた
基板分割溝11は、例えば基板シートの厚さが約0.4
mmの場合には約100μmの深さで形成し、前記基板
シート9を分割し易くするように構成している。この基
板シート9に設けられた基板分割溝11は例えばハーフ
エッチング等により形成されている。
シート9は例えば図2及び図3に示すように構成されて
いる。前記基板シート9は略四角形の板状に構成されて
おり、1つの基板シート9から複数、例えば9個の半導
体装置1を作製できるように構成されている。そのため
前記基板シート9には複数のベース2が隣接するように
配置されており、前記隣接配置された複数のベース2の
外側には外枠部10が配置されている。そして前記基板
シート9に配置されたそれぞれのベース2の境界部、さ
らには前記ベース2と外枠部10との境界部には、それ
ぞれ前記基板シート9の他面に基板分割溝11が形成さ
れている。この前記基板シート9の境界部に設けられた
基板分割溝11は、例えば基板シートの厚さが約0.4
mmの場合には約100μmの深さで形成し、前記基板
シート9を分割し易くするように構成している。この基
板シート9に設けられた基板分割溝11は例えばハーフ
エッチング等により形成されている。
【0028】また前記基板シート9に配置された複数の
ベース2の一面には、ダイボンディング工程において半
導体チップが搭載されるチップ搭載部位12を示してい
る。この前記チップ搭載部位12の周囲には複数の接続
端子3が設けられており、前記ベース2に搭載される半
導体チップ4と電気的に接続可能なように配置されてい
る。さらに前記基板シート9の他面には複数の外部端子
搭載部が設けられており、前記複数の外部端子搭載部
は、前記ベース2に設けられた配線等を介して、前記ベ
ース2の一面に設けられた対応する接続端子3とそれぞ
れ電気的に接続されている。このように構成された基板
シート9が予め準備される。
ベース2の一面には、ダイボンディング工程において半
導体チップが搭載されるチップ搭載部位12を示してい
る。この前記チップ搭載部位12の周囲には複数の接続
端子3が設けられており、前記ベース2に搭載される半
導体チップ4と電気的に接続可能なように配置されてい
る。さらに前記基板シート9の他面には複数の外部端子
搭載部が設けられており、前記複数の外部端子搭載部
は、前記ベース2に設けられた配線等を介して、前記ベ
ース2の一面に設けられた対応する接続端子3とそれぞ
れ電気的に接続されている。このように構成された基板
シート9が予め準備される。
【0029】次に準備された前記基板シート9は図4に
示すようにダイボンディング、さらにはワイヤボンディ
ングが行われる。前記ダイボンディング工程では、前記
基板シート9が保持固定された状態で、該基板シート9
のベース2のチップ搭載部位12に接着剤、例えば絶縁
性ペーストが供給される。前記接着剤が供給されたチッ
プ搭載部位12に、所定の回路が形成された半導体チッ
プ4が供給され、前記半導体チップ4が前記接着剤によ
り前記ベースのチップ搭載部位12に接着される。この
ように前記基板シート9の全てのベース2に半導体チッ
プ4を接着する。そして全てのベース2への半導体チッ
プ4の接着が完了した前記基板シート9は、所定温度、
例えば180℃程度でキュアすることにより、前記ベー
ス2と前記半導体チップ4を接着する接着剤が硬化さ
れ、前記半導体チップ4が前記基板シート9のベース2
に固定される。そして半導体チップ4の搭載された基板
シート9はワイヤボンディング工程に移行される。
示すようにダイボンディング、さらにはワイヤボンディ
ングが行われる。前記ダイボンディング工程では、前記
基板シート9が保持固定された状態で、該基板シート9
のベース2のチップ搭載部位12に接着剤、例えば絶縁
性ペーストが供給される。前記接着剤が供給されたチッ
プ搭載部位12に、所定の回路が形成された半導体チッ
プ4が供給され、前記半導体チップ4が前記接着剤によ
り前記ベースのチップ搭載部位12に接着される。この
ように前記基板シート9の全てのベース2に半導体チッ
プ4を接着する。そして全てのベース2への半導体チッ
プ4の接着が完了した前記基板シート9は、所定温度、
例えば180℃程度でキュアすることにより、前記ベー
ス2と前記半導体チップ4を接着する接着剤が硬化さ
れ、前記半導体チップ4が前記基板シート9のベース2
に固定される。そして半導体チップ4の搭載された基板
シート9はワイヤボンディング工程に移行される。
【0030】前記ワイヤボンディング工程では、前記半
導体チップ4に設けられた電極パッド5と前記ベース2
の接続端子3とが、Au(金)或いはCu(銅)等から
なるワイヤ6によって結線されることにより電気的に接
続される。このワイヤボンディング工程は、前記ワイヤ
6の先端を溶融させてボール状に形成した後、該ボール
を前記電極パッド5に押圧しながら超音波振動を引加
し、接合する。そして、所定のループ形状を描くように
してワイヤ6の後端を前記ベース2の接続端子3に超音
波接合される。このように前記基板シート9上の全ての
前記電極パッド5とそれに対応した前記接続端子3とが
前記ワイヤ6により電気的に接続される。そしてワイヤ
ボンディング工程の完了した基板シート9は封止工程に
移行される。
導体チップ4に設けられた電極パッド5と前記ベース2
の接続端子3とが、Au(金)或いはCu(銅)等から
なるワイヤ6によって結線されることにより電気的に接
続される。このワイヤボンディング工程は、前記ワイヤ
6の先端を溶融させてボール状に形成した後、該ボール
を前記電極パッド5に押圧しながら超音波振動を引加
し、接合する。そして、所定のループ形状を描くように
してワイヤ6の後端を前記ベース2の接続端子3に超音
波接合される。このように前記基板シート9上の全ての
前記電極パッド5とそれに対応した前記接続端子3とが
前記ワイヤ6により電気的に接続される。そしてワイヤ
ボンディング工程の完了した基板シート9は封止工程に
移行される。
【0031】前記ワイヤボンディングの完了した基板シ
ート9は、その一面の略全面に、エポキシ系の熱硬化性
樹脂等からなる封止樹脂13を一体的に供給することに
より、少なくとも前記基板シート9の一面に搭載された
半導体チップ4及び前記半導体チップの電極パッド5と
前記基板シート9の接続端子3との接続部分が覆われる
ように封止される。
ート9は、その一面の略全面に、エポキシ系の熱硬化性
樹脂等からなる封止樹脂13を一体的に供給することに
より、少なくとも前記基板シート9の一面に搭載された
半導体チップ4及び前記半導体チップの電極パッド5と
前記基板シート9の接続端子3との接続部分が覆われる
ように封止される。
【0032】この封止工程では前記基板シート9が保持
固定された状態で、図5に示すように該基板シート9へ
の封止樹脂13の供給が行われる。前記基板シート9へ
の封止樹脂13の供給は、該基板シート9の一面の略全
面、つまりは前記基板シート9の外枠部10の端部近傍
を除いた一面に、例えばディスペンサ14等により描画
方式で封止樹脂13が塗布により供給される。前記塗布
された封止樹脂13は前記基板シート9上に広がり、図
6に示すように前記基板シート9に設けられた全てのベ
ース2の一面が略均一で、一体的に封止樹脂13で覆わ
れる。
固定された状態で、図5に示すように該基板シート9へ
の封止樹脂13の供給が行われる。前記基板シート9へ
の封止樹脂13の供給は、該基板シート9の一面の略全
面、つまりは前記基板シート9の外枠部10の端部近傍
を除いた一面に、例えばディスペンサ14等により描画
方式で封止樹脂13が塗布により供給される。前記塗布
された封止樹脂13は前記基板シート9上に広がり、図
6に示すように前記基板シート9に設けられた全てのベ
ース2の一面が略均一で、一体的に封止樹脂13で覆わ
れる。
【0033】次に前記封止樹脂13の塗布された基板シ
ート9は、封止樹脂13の分割処理が行われる。この封
止樹脂13の分割処理では、前記基板シート9は図7
(a)に示すように所定位置に位置決め保持される。そ
して前記基板シート9に対応して形成された仕切り治具
15が、図7(b)に示すように前記基板シート9の一
面に装着される。
ート9は、封止樹脂13の分割処理が行われる。この封
止樹脂13の分割処理では、前記基板シート9は図7
(a)に示すように所定位置に位置決め保持される。そ
して前記基板シート9に対応して形成された仕切り治具
15が、図7(b)に示すように前記基板シート9の一
面に装着される。
【0034】前記仕切り治具15は前記基板シート9に
対応して構成されており、例えば前記基板シート9に設
けられたそれぞれの前記ベース2の境界部、つまりはブ
レイクラインに対応した位置に仕切り部16が配置され
ている。この仕切り部16は前記基板シート9との接触
部から外方に向かって幅広になるように、その先端部位
が小さく構成されており、これにより前記基板シート9
から仕切り治具15を抜き出す際に、前記仕切り部16
が半硬化した封止樹脂13から抜け易くなるように構成
している。尚、本実施形態では前記仕切り部16は前記
基板シート9から仕切り治具15を抜き出す際に抜け易
くなるよう、その先端部を小さくなるように形成した
が、前記基板シート9上に塗布された封止樹脂13をそ
れぞれのベース2毎に仕切ることができる構成であれば
どのようなものでもよい。また前記仕切り部16に予め
離型剤を供給しておくことにより、さらに封止樹脂13
から抜け易くすることができる。また前記仕切り治具1
5はそれぞれの前記ベース2の上方に対応する部位に開
口部17が形成されており、前記基板シート9から仕切
り治具15が抜き難い場合には、前記開口部17から封
止樹脂13を押し出すこともできる。さらに前記基板シ
ート9の外枠部10に対応した位置には樹脂用逃げ部1
8が形成されている。また前記仕切り治具15には前記
基板シート9のベース2の境界部に仕切り部16が配置
されるように位置決めする位置決め部19を有してい
る。このように構成された仕切り治具15を前記基板シ
ート9に装着することにより、前記仕切り治具の仕切り
部16が前記ベース2毎の境界部に密着し、前記境界部
上の封止樹脂13が除去され、前記基板シート9の一面
に一体的に塗布された封止樹脂13がそれぞれのベース
2毎に分割される。そして前記基板シート9に装着され
た前記仕切り治具15は、例えば封止樹脂13が半硬化
された時点で、前記基板シート9から前記仕切り治具1
5が取り外される。そして前記仕切り治具15を取り外
された基板シート9の封止樹脂13は半硬化されている
ため、前記仕切り治具15により型取られた外形が維持
され、前記封止部には前記ベース2の境界部上に溝部2
0が形成される。そして前記基板シート9のベース2上
にそれぞれ、半導体チップ4及び前記半導体チップの電
極パッド5と基板シート上の接続端子3とを電気的に接
続するワイヤ6等を覆うような封止部7が分割形成され
る。前記基板シート9に形成された半硬化状態の封止部
7はさらに加熱されることによって完全に硬化され、図
7(c)に示すように前記基板シート9上のそれぞれの
ベース2毎に封止部7が形成される。
対応して構成されており、例えば前記基板シート9に設
けられたそれぞれの前記ベース2の境界部、つまりはブ
レイクラインに対応した位置に仕切り部16が配置され
ている。この仕切り部16は前記基板シート9との接触
部から外方に向かって幅広になるように、その先端部位
が小さく構成されており、これにより前記基板シート9
から仕切り治具15を抜き出す際に、前記仕切り部16
が半硬化した封止樹脂13から抜け易くなるように構成
している。尚、本実施形態では前記仕切り部16は前記
基板シート9から仕切り治具15を抜き出す際に抜け易
くなるよう、その先端部を小さくなるように形成した
が、前記基板シート9上に塗布された封止樹脂13をそ
れぞれのベース2毎に仕切ることができる構成であれば
どのようなものでもよい。また前記仕切り部16に予め
離型剤を供給しておくことにより、さらに封止樹脂13
から抜け易くすることができる。また前記仕切り治具1
5はそれぞれの前記ベース2の上方に対応する部位に開
口部17が形成されており、前記基板シート9から仕切
り治具15が抜き難い場合には、前記開口部17から封
止樹脂13を押し出すこともできる。さらに前記基板シ
ート9の外枠部10に対応した位置には樹脂用逃げ部1
8が形成されている。また前記仕切り治具15には前記
基板シート9のベース2の境界部に仕切り部16が配置
されるように位置決めする位置決め部19を有してい
る。このように構成された仕切り治具15を前記基板シ
ート9に装着することにより、前記仕切り治具の仕切り
部16が前記ベース2毎の境界部に密着し、前記境界部
上の封止樹脂13が除去され、前記基板シート9の一面
に一体的に塗布された封止樹脂13がそれぞれのベース
2毎に分割される。そして前記基板シート9に装着され
た前記仕切り治具15は、例えば封止樹脂13が半硬化
された時点で、前記基板シート9から前記仕切り治具1
5が取り外される。そして前記仕切り治具15を取り外
された基板シート9の封止樹脂13は半硬化されている
ため、前記仕切り治具15により型取られた外形が維持
され、前記封止部には前記ベース2の境界部上に溝部2
0が形成される。そして前記基板シート9のベース2上
にそれぞれ、半導体チップ4及び前記半導体チップの電
極パッド5と基板シート上の接続端子3とを電気的に接
続するワイヤ6等を覆うような封止部7が分割形成され
る。前記基板シート9に形成された半硬化状態の封止部
7はさらに加熱されることによって完全に硬化され、図
7(c)に示すように前記基板シート9上のそれぞれの
ベース2毎に封止部7が形成される。
【0035】このように複数のベース2が連結された基
板シート9の一面に封止樹脂13を一体的に塗布し、前
記基板シート9に塗布された封止樹脂13を仕切り治具
15等により、前記基板シート9のベース境界部のブレ
イクラインに塗布された封止樹脂13を除去し、前記基
板シート9の封止樹脂13が半硬化された時点で、前記
仕切り治具15を取り外すことにより、前記基板シート
9上の前記境界部を除き、前記基板シートのそれぞれの
ベース2毎に分割形成された封止部7を容易にかつ精度
良く形成することができる。また前記基板シート9に形
成される封止部7が分割形成されることにより、前記基
板シート9に加わる応力が緩和され、基板シート9の反
りを低減することもできる。
板シート9の一面に封止樹脂13を一体的に塗布し、前
記基板シート9に塗布された封止樹脂13を仕切り治具
15等により、前記基板シート9のベース境界部のブレ
イクラインに塗布された封止樹脂13を除去し、前記基
板シート9の封止樹脂13が半硬化された時点で、前記
仕切り治具15を取り外すことにより、前記基板シート
9上の前記境界部を除き、前記基板シートのそれぞれの
ベース2毎に分割形成された封止部7を容易にかつ精度
良く形成することができる。また前記基板シート9に形
成される封止部7が分割形成されることにより、前記基
板シート9に加わる応力が緩和され、基板シート9の反
りを低減することもできる。
【0036】そして、前記基板シート9の一面に供給さ
れた封止樹脂13が、それぞれのベース2毎に分割形成
されると、前記基板シート9は外部端子搭載工程に移行
される。前記外部端子搭載工程では、前記所定の封止部
7が形成された基板シート9が、図8(a)に示すよう
に前記基板シート9の他面が上側になるように保持固定
される。そして前記基板シート9の他面に形成された複
数の外部端子搭載部へ例えば半田等からなるボール21
が供給される。前記外部端子搭載部へのボール21の供
給は例えば吸着機構22により、前記基板シート9の複
数の外部端子搭載部に対応した配置で複数のボール21
を吸着し、前記吸着された複数のボール21を前記基板
シート9へ一括的に供給する。そして前記基板シート9
の前記外部端子搭載部へ供給されたボール21はリフロ
ーされることにより、前記外部端子搭載部へ固着され、
図8(b)に示すように前記基板シート9の他面に複数
の外部端子8が形成される。そして前記外部端子8の形
成が完了した基板シート9は基板分割工程に移行され
る。
れた封止樹脂13が、それぞれのベース2毎に分割形成
されると、前記基板シート9は外部端子搭載工程に移行
される。前記外部端子搭載工程では、前記所定の封止部
7が形成された基板シート9が、図8(a)に示すよう
に前記基板シート9の他面が上側になるように保持固定
される。そして前記基板シート9の他面に形成された複
数の外部端子搭載部へ例えば半田等からなるボール21
が供給される。前記外部端子搭載部へのボール21の供
給は例えば吸着機構22により、前記基板シート9の複
数の外部端子搭載部に対応した配置で複数のボール21
を吸着し、前記吸着された複数のボール21を前記基板
シート9へ一括的に供給する。そして前記基板シート9
の前記外部端子搭載部へ供給されたボール21はリフロ
ーされることにより、前記外部端子搭載部へ固着され、
図8(b)に示すように前記基板シート9の他面に複数
の外部端子8が形成される。そして前記外部端子8の形
成が完了した基板シート9は基板分割工程に移行され
る。
【0037】前記基板分割工程では、前記外部端子8の
形成された基板シート9が図9(a)に示すように受け
台23に載せられ、押さえ機構24により保持固定さ
れ、前記基板シートの基板分割溝11が前記受け台23
の端部にくるように配置される。前記押さえ機構24の
外部端子8との接触面には例えば硬質ゴムからなる保護
層26が設けられており、前記外部端子の変形を防止
し、前記基板シート9を押さえつけることができるよう
に構成されている。そして前記受け台23に保持固定さ
れた基板シート9は、図9(b)に示すようにパンチ2
5を駆動し基板分割溝11の方向から折り曲げるように
切断され、前記基板シート9は前記ベース2の境界部か
ら分割される。この前記基板シート9の分割では、該基
板シート9の他面に基板分割溝11に設けているため、
前記基板シートのベース2の境界部から容易に分割され
る。また前記パンチ25の外部端子8との接触面も、前
記押さえ機構24と同様に前記当接する外部端子8の変
位を防止するために、例えば硬質ゴムからなる保護層2
6が設けられている。このように前記基板シート9が、
前述したように前記ベース2の境界部に塗布された封止
樹脂13を除去し、それぞれのベース2毎に封止部7を
分割形成しているため、前記基板分割工程は封止部7の
分割はなくなり、基板シート9のみが分割されるように
なる。そのため、前記基板シート9の分割に伴う封止部
7の分割がなくなることにより、前記封止部7へのバリ
27及び欠けの発生が無く、前記基板シートをそれぞれ
のベース毎に分割することができる。
形成された基板シート9が図9(a)に示すように受け
台23に載せられ、押さえ機構24により保持固定さ
れ、前記基板シートの基板分割溝11が前記受け台23
の端部にくるように配置される。前記押さえ機構24の
外部端子8との接触面には例えば硬質ゴムからなる保護
層26が設けられており、前記外部端子の変形を防止
し、前記基板シート9を押さえつけることができるよう
に構成されている。そして前記受け台23に保持固定さ
れた基板シート9は、図9(b)に示すようにパンチ2
5を駆動し基板分割溝11の方向から折り曲げるように
切断され、前記基板シート9は前記ベース2の境界部か
ら分割される。この前記基板シート9の分割では、該基
板シート9の他面に基板分割溝11に設けているため、
前記基板シートのベース2の境界部から容易に分割され
る。また前記パンチ25の外部端子8との接触面も、前
記押さえ機構24と同様に前記当接する外部端子8の変
位を防止するために、例えば硬質ゴムからなる保護層2
6が設けられている。このように前記基板シート9が、
前述したように前記ベース2の境界部に塗布された封止
樹脂13を除去し、それぞれのベース2毎に封止部7を
分割形成しているため、前記基板分割工程は封止部7の
分割はなくなり、基板シート9のみが分割されるように
なる。そのため、前記基板シート9の分割に伴う封止部
7の分割がなくなることにより、前記封止部7へのバリ
27及び欠けの発生が無く、前記基板シートをそれぞれ
のベース毎に分割することができる。
【0038】そして前記基板シート9の全ての基板分割
溝を同様に切断し、前記基板シート9をそれぞれのベー
ス2毎に分割することにより、図10に示すようなバリ
の発生も無く、精度の良い封止部7を有するセラミック
タイプでワイヤボンディング方式の半導体装置1を形成
することができる。
溝を同様に切断し、前記基板シート9をそれぞれのベー
ス2毎に分割することにより、図10に示すようなバリ
の発生も無く、精度の良い封止部7を有するセラミック
タイプでワイヤボンディング方式の半導体装置1を形成
することができる。
【0039】(実施形態2)次に本発明の他の実施形態
である半導体装置の製造方法について、以下図面を用い
て簡単に説明する。
である半導体装置の製造方法について、以下図面を用い
て簡単に説明する。
【0040】本実施形態においても実施形態1と同様に
図2及び図3に示すように構成された基板シート9が予
め準備される。そして準備された基板シート9は図11
(a)に示すようにダイボンディング工程において、前
記基板シート9のそれぞれのベース2に接着剤を介して
半導体チップ4が接着固定される。そして全てのベース
2への前記半導体チップ4の搭載が完了した基板シート
9はワイヤボンディング工程に移行される。前記ワイヤ
ボンディング工程では前記半導体チップ4に設けられた
電極パッド5と前記ベース2の接続端子3とが、ワイヤ
6によって結線されることにより電気的に接続される。
そして全ての電極パッド5と接続端子との結線が完了し
た基板シート9は封止工程に移行される。
図2及び図3に示すように構成された基板シート9が予
め準備される。そして準備された基板シート9は図11
(a)に示すようにダイボンディング工程において、前
記基板シート9のそれぞれのベース2に接着剤を介して
半導体チップ4が接着固定される。そして全てのベース
2への前記半導体チップ4の搭載が完了した基板シート
9はワイヤボンディング工程に移行される。前記ワイヤ
ボンディング工程では前記半導体チップ4に設けられた
電極パッド5と前記ベース2の接続端子3とが、ワイヤ
6によって結線されることにより電気的に接続される。
そして全ての電極パッド5と接続端子との結線が完了し
た基板シート9は封止工程に移行される。
【0041】本実施形態における封止工程では、まず前
記ワイヤボンディングの完了した基板シート9に、例え
ば図11(b)に示すように実施形態1と同様に構成さ
れた仕切り治具15が装着される。前記基板シート9に
装着された仕切り治具15は、仕切り部16の先端が前
記基板シート9のベースの境界部にそれぞれ密着され、
それぞれの前記ベース2毎に区切られている。そして前
記仕切り部16により区切られた前記ベース2の上方に
は開口部17が形成されている。
記ワイヤボンディングの完了した基板シート9に、例え
ば図11(b)に示すように実施形態1と同様に構成さ
れた仕切り治具15が装着される。前記基板シート9に
装着された仕切り治具15は、仕切り部16の先端が前
記基板シート9のベースの境界部にそれぞれ密着され、
それぞれの前記ベース2毎に区切られている。そして前
記仕切り部16により区切られた前記ベース2の上方に
は開口部17が形成されている。
【0042】そして前記仕切り治具15の装着された基
板シート9は保持固定された状態で、図11(c)に示
すように前記ベース2の一面に例えばエポキシ系の熱硬
化性樹脂等からなる封止樹脂13が供給される。この封
止樹脂13の供給は、前記仕切り治具15により区切ら
れたベース2に、前記ベース2の上方に設けられた仕切
り治具15の開口部17から例えばディスペンサ14等
により封止樹脂13が塗布により供給される。そして塗
布された封止樹脂13は、前記仕切り治具15で区切ら
れたベース2上で広がり、前記ベース2上が均一に封止
樹脂13で覆われ、封止部7の外形が型取られる。この
ように本実施形態では仕切り治具により四方を区切られ
た空間に封止樹脂13を供給しているため、封止樹脂1
3の塗布量により形成される封止部7の厚さの制御が容
易となり、さらに前記基板シート9への不要な部分への
封止樹脂13の塗布を無くすことができる。そして全て
のベース2への封止樹脂13の塗布が完了した基板シー
ト9は、前記基板シート9に塗布された封止樹脂13が
半硬化状態となった時点で、前記基板シート9に装着さ
れた仕切り治具15は取り外される。前記仕切り治具1
5の取り外された基板シート9は半硬化状態であるた
め、前記封止樹脂13は前記仕切り治具15により型取
られた外形を維持されている。この半硬化状態の封止樹
脂13は前記基板シート9をキュアすることで完全に硬
化され、図11(d)に示すように、前記ベース2の境
界部への封止樹脂13が無く、それぞれのベース2毎に
所定の外形寸法の封止部7が形成できる。前記ベース上
に形成された封止部7は、前記装着された仕切り治具1
5の仕切り部16が封止樹脂13から抜け易くなるよう
に、前記仕切り治具15の先端が小さく形成されている
ため、前記封止部7は前記ベース2上に略台形状で形成
されている。また前記仕切り部16に予め離型剤を供給
しておくことにより、さらに封止樹脂13から抜け易く
できる。
板シート9は保持固定された状態で、図11(c)に示
すように前記ベース2の一面に例えばエポキシ系の熱硬
化性樹脂等からなる封止樹脂13が供給される。この封
止樹脂13の供給は、前記仕切り治具15により区切ら
れたベース2に、前記ベース2の上方に設けられた仕切
り治具15の開口部17から例えばディスペンサ14等
により封止樹脂13が塗布により供給される。そして塗
布された封止樹脂13は、前記仕切り治具15で区切ら
れたベース2上で広がり、前記ベース2上が均一に封止
樹脂13で覆われ、封止部7の外形が型取られる。この
ように本実施形態では仕切り治具により四方を区切られ
た空間に封止樹脂13を供給しているため、封止樹脂1
3の塗布量により形成される封止部7の厚さの制御が容
易となり、さらに前記基板シート9への不要な部分への
封止樹脂13の塗布を無くすことができる。そして全て
のベース2への封止樹脂13の塗布が完了した基板シー
ト9は、前記基板シート9に塗布された封止樹脂13が
半硬化状態となった時点で、前記基板シート9に装着さ
れた仕切り治具15は取り外される。前記仕切り治具1
5の取り外された基板シート9は半硬化状態であるた
め、前記封止樹脂13は前記仕切り治具15により型取
られた外形を維持されている。この半硬化状態の封止樹
脂13は前記基板シート9をキュアすることで完全に硬
化され、図11(d)に示すように、前記ベース2の境
界部への封止樹脂13が無く、それぞれのベース2毎に
所定の外形寸法の封止部7が形成できる。前記ベース上
に形成された封止部7は、前記装着された仕切り治具1
5の仕切り部16が封止樹脂13から抜け易くなるよう
に、前記仕切り治具15の先端が小さく形成されている
ため、前記封止部7は前記ベース2上に略台形状で形成
されている。また前記仕切り部16に予め離型剤を供給
しておくことにより、さらに封止樹脂13から抜け易く
できる。
【0043】このように複数のベース2が連結された基
板シート9に仕切り治具15を装着し、前記仕切り治具
15により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂13
を供給し、前記基板シート9の封止樹脂13が半硬化さ
れた時点で、前記仕切り治具15を取り外すことによ
り、前記基板シート9上のベース2の境界部上を除き、
前記それぞれのベース2毎に封止部7を容易にかつ精度
良く形成することができ、かつ前記仕切り治具15によ
り区切られたベース2に封止樹脂13を供給しているた
め、封止部7の厚さの制御が容易にできる。
板シート9に仕切り治具15を装着し、前記仕切り治具
15により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂13
を供給し、前記基板シート9の封止樹脂13が半硬化さ
れた時点で、前記仕切り治具15を取り外すことによ
り、前記基板シート9上のベース2の境界部上を除き、
前記それぞれのベース2毎に封止部7を容易にかつ精度
良く形成することができ、かつ前記仕切り治具15によ
り区切られたベース2に封止樹脂13を供給しているた
め、封止部7の厚さの制御が容易にできる。
【0044】そして、それぞれのベース2に封止部7が
形成された前記基板シート9は外部端子搭載工程に移行
され、前記基板シート9の他面に例えば半田等からなる
ボール21が供給され、図12(a)に示すように前記
外部端子搭載部に複数の外部端子8が形成される。
形成された前記基板シート9は外部端子搭載工程に移行
され、前記基板シート9の他面に例えば半田等からなる
ボール21が供給され、図12(a)に示すように前記
外部端子搭載部に複数の外部端子8が形成される。
【0045】前記複数の外部端子が形成された基板シー
ト9は基板分割工程においてそれぞれのベース2毎に分
割される。前記基板分割工程では、実施形態1と同様に
前記外部端子8の形成された基板シート9が受け台23
に載せられ、前記基板シート9の基板分割溝11が前記
受け台23の端部に配置されるように保持固定される。
そして前記受け台に保持固定された基板シート9はパン
チ25を駆動し、前記基板に設けられた基板分割溝11
の方向から折り曲げるように切断することにより、前記
基板シート9は容易に基板分割溝から分割される。そし
て前記基板シート9の全ての基板分割溝を同様に分割す
ることにより、図12(b)に示すように形成される。
そして図10に示すようなセラミックタイプでワイヤボ
ンディング方式の半導体装置1が得られる。このように
前記基板シート9のベース2の境界部を除き、それぞれ
のベース2毎に封止部7を分割形成しているため、前記
基板分割工程では封止部7の分割はなくなり、前記封止
部へのバリの発生を無くすることができる。
ト9は基板分割工程においてそれぞれのベース2毎に分
割される。前記基板分割工程では、実施形態1と同様に
前記外部端子8の形成された基板シート9が受け台23
に載せられ、前記基板シート9の基板分割溝11が前記
受け台23の端部に配置されるように保持固定される。
そして前記受け台に保持固定された基板シート9はパン
チ25を駆動し、前記基板に設けられた基板分割溝11
の方向から折り曲げるように切断することにより、前記
基板シート9は容易に基板分割溝から分割される。そし
て前記基板シート9の全ての基板分割溝を同様に分割す
ることにより、図12(b)に示すように形成される。
そして図10に示すようなセラミックタイプでワイヤボ
ンディング方式の半導体装置1が得られる。このように
前記基板シート9のベース2の境界部を除き、それぞれ
のベース2毎に封止部7を分割形成しているため、前記
基板分割工程では封止部7の分割はなくなり、前記封止
部へのバリの発生を無くすることができる。
【0046】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば本実施形態では基板シート9に仕切り治具15を装着
し、前記仕切り治具15の仕切り部16を前記基板シー
ト9に密着することにより、前記基板シート9のベース
2の境界部を除き、それぞれのベース2に封止部7を分
割形成するように構成したが、前記封止部7を形成する
封止樹脂13を仕切ることができる構成であれば、どの
ような構成のものでもよい。
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば本実施形態では基板シート9に仕切り治具15を装着
し、前記仕切り治具15の仕切り部16を前記基板シー
ト9に密着することにより、前記基板シート9のベース
2の境界部を除き、それぞれのベース2に封止部7を分
割形成するように構成したが、前記封止部7を形成する
封止樹脂13を仕切ることができる構成であれば、どの
ような構成のものでもよい。
【0047】また本実施形態では、前記基板シート9を
そのベースの境界部に対応した一体的な仕切り部16に
より区切り、前記基板シート9のベースの境界部を除
き、それぞれのベースに封止部7を分割形成するように
構成したが、前記ベースの境界部に断続的な仕切り部1
6により区切ることにより、前記基板シート9のベース
の境界部を断続的に除き、封止部を形成することも可能
である。これによっては前記基板シート9の一面に形成
される封止部が、前記ベースの境界部に沿って断続的に
溝部20が形成されるため、前記基板シート9の分割時
に封止部7も前記溝部20に沿って分割され易く構成す
ることができる。
そのベースの境界部に対応した一体的な仕切り部16に
より区切り、前記基板シート9のベースの境界部を除
き、それぞれのベースに封止部7を分割形成するように
構成したが、前記ベースの境界部に断続的な仕切り部1
6により区切ることにより、前記基板シート9のベース
の境界部を断続的に除き、封止部を形成することも可能
である。これによっては前記基板シート9の一面に形成
される封止部が、前記ベースの境界部に沿って断続的に
溝部20が形成されるため、前記基板シート9の分割時
に封止部7も前記溝部20に沿って分割され易く構成す
ることができる。
【0048】さらに本実施形態ではセラミックタイプで
ワイヤボンディング方式の半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、複数のベースを有する基板シート9
を一体的に封止したのち、それぞれのベース毎に分割す
るように製造されるものであれば、どのような製品に適
用しても良い。
ワイヤボンディング方式の半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、複数のベースを有する基板シート9
を一体的に封止したのち、それぞれのベース毎に分割す
るように製造されるものであれば、どのような製品に適
用しても良い。
【0049】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【0050】すなわち、半導体装置の製造技術におい
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するように構
成したことにより、前記基板シートの前記境界部に封止
部が形成されないため、前記基板シートの分割の際に封
止部を分割すること無くなり、半導体装置への封止部へ
のバリ及び欠けの発生を防止することができる。そのた
め、精度の良い外形寸法の封止部を容易に形成すること
ができ、半導体装置の品質或いは歩留を向上することが
できる。
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するように構
成したことにより、前記基板シートの前記境界部に封止
部が形成されないため、前記基板シートの分割の際に封
止部を分割すること無くなり、半導体装置への封止部へ
のバリ及び欠けの発生を防止することができる。そのた
め、精度の良い外形寸法の封止部を容易に形成すること
ができ、半導体装置の品質或いは歩留を向上することが
できる。
【図1】本発明の適用されるセラミックタイプでワイヤ
ボンディング方式の半導体装置の概略構成を示す斜視図
である。
ボンディング方式の半導体装置の概略構成を示す斜視図
である。
【図2】本発明の適用される半導体装置に用いられる基
板シートの概略構成を示す平面図である。
板シートの概略構成を示す平面図である。
【図3】本発明の適用される半導体装置に用いられる基
板シートの概略構成を示す断面図である。
板シートの概略構成を示す断面図である。
【図4】ダイボンディング及びワイヤボンディング後の
基板シートの概略構成を示す断面図である。
基板シートの概略構成を示す断面図である。
【図5】本発明の一実施形態である基板シートへの封止
樹脂の塗布処理を示す断面図である。
樹脂の塗布処理を示す断面図である。
【図6】本発明の一実施形態である封止樹脂の塗布処理
後の基板シートの概略構成を示す平面図である。
後の基板シートの概略構成を示す平面図である。
【図7】本発明の一実施形態である封止樹脂の塗布処理
後の基板シートへの基板分割処理を示す断面図である。
後の基板シートへの基板分割処理を示す断面図である。
【図8】本発明の一実施形態である基板シートへの外部
端子形成処理を示す断面図である。
端子形成処理を示す断面図である。
【図9】本発明の一実施形態である基板シートを個々の
半導体装置毎に分割する基板分割処理を示す断面図であ
る。
半導体装置毎に分割する基板分割処理を示す断面図であ
る。
【図10】本発明の一実施形態である製造方法により形
成された半導体装置を示す断面図である。
成された半導体装置を示す断面図である。
【図11】本発明の他の一実施形態である基板シートへ
の封止部形成フローを示す断面図である。
の封止部形成フローを示す断面図である。
【図12】本発明の他の一実施形態の外部端子搭載後及
び基板分割後の基板シートの概略構成を示す断面図であ
る。
び基板分割後の基板シートの概略構成を示す断面図であ
る。
【図13】従来の問題点である半導体装置の封止部に形
成されるバリ及び欠けを示す断面図である。
成されるバリ及び欠けを示す断面図である。
1…半導体装置、2…ベース、3…接続端子、4…半導
体チップ、5…電極パッド、6…ワイヤ、7…封止部、
8…外部端子、9…基板シート、10…外枠部、11…
基板分割溝、12…チップ搭載部位、13…封止樹脂、
14…ディスペンサ、15…仕切り治具、16…仕切り
部、17…開口部、18…逃げ部、19…位置決め部、
20…溝部、21…ボール、22…吸着機構、23…受
け台、24…押さえ機構、25…保護層、26…パン
チ、27…バリ、28…欠け。
体チップ、5…電極パッド、6…ワイヤ、7…封止部、
8…外部端子、9…基板シート、10…外枠部、11…
基板分割溝、12…チップ搭載部位、13…封止樹脂、
14…ディスペンサ、15…仕切り治具、16…仕切り
部、17…開口部、18…逃げ部、19…位置決め部、
20…溝部、21…ボール、22…吸着機構、23…受
け台、24…押さえ機構、25…保護層、26…パン
チ、27…バリ、28…欠け。
Claims (5)
- 【請求項1】一面に複数の接続端子が形成された複数の
ベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成され
た複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回
路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭
載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続
端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少な
くとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する
工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接
続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部
の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折
り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】前記基板シートへ前記封止部を形成する工
程が、前記基板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給
した後、前記供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切
る仕切り治具を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂
が半硬化された時点で前記仕切り治具を取り外し、前記
基板シートの少なくとも前記境界部を除く、前記一面に
封止部を形成することを特徴とする請求項1記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項3】前記基板シートへ前記封止部を形成する工
程が、前記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前
記仕切り治具により区切られた前記ベースの一面に封止
樹脂を供給し、前記基板シートの少なくとも前記境界部
を除く、前記一面に封止部を形成することを特徴とする
請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項4】前記仕切り治具は、前記基板シートへの接
触部から他方に向かって幅広になるように構成されてい
ることを特徴とする請求項2又は請求項3の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項5】前記仕切り治具には、予め封止樹脂との接
触部分に離型剤が付着されていることを特徴とする請求
項2又は請求項3の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31869098A JP2000150548A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31869098A JP2000150548A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150548A true JP2000150548A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18101936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31869098A Pending JP2000150548A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000150548A (ja) |
-
1998
- 1998-11-10 JP JP31869098A patent/JP2000150548A/ja active Pending
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