JP2000150548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 封止部へのバリ或いは欠けの発生を防止し、
精度の良い外形寸法の封止部を形成できる半導体装置の
製造技術を提供する。 【解決手段】 一面に複数の接続端子が形成された複数
のベース２と、ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝１１とからなる基板シート９に、
半導体チップ４をベースにそれぞれ搭載し、半導体チッ
プを接続端子と電気的に接続し、基板シートに封止樹脂
１３を供給した後、基板シートに仕切り治具１５を装着
することで封止樹脂が分割され、半硬化状態となった時
点で、仕切り治具を取り外し、それぞれのベース毎に分
割された封止部７を形成し、封止部の形成された基板シ
ートを基板分割溝から折り曲げ、各々のベース毎に分割
形成するように構成した。これにより、基板シートの分
割時に封止部を分割することが無くなり、半導体装置へ
のバリ及び欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の
封止部を容易に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に複数のベースを有し、それぞれのベースに半
導体チップが搭載された基板シートを一体的に封止した
後、前記基板シートをそれぞれのベース毎に分割する半
導体装置の製造技術に適用して有効なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミックタイプでワイヤボンデ
ィング方式の半導体装置は、所定の回路が形成された半
導体チップと、前記半導体チップを一面に搭載し、前記
半導体チップの複数の電極パッドとそれぞれワイヤ等に
より電気的に接続される複数の接続端子を有するベース
と、前記ベースの一面に対向する面（以下、他面とい
う）に設けられ、前記ベースに設けられた配線等により
前記複数の接続端子とそれぞれ電気的に接続される外部
端子と、前記ベースの一面、つまりは前記ベース上に搭
載された半導体チップ及び該半導体チップの電極パッド
と前記ベースの接続端子との接続部一帯を封止する封止
部とから構成されていた。

【０００３】このような半導体装置は、例えば特開平１
０−１５０１１９号公報に示すような技術により作製さ
れていた。その概要としては、前記半導体装置を製造す
るための基板シートはその他面に前記ベース毎の基板分
割溝が形成され、一面には前記ベースに搭載される半導
体チップの電極パッドと電気的に接続される複数の接続
端子が形成され、前記ベースの他面には前記複数の接続
端子と電気的に接続され、外部端子を搭載する外部端子
搭載部が形成されている。そして前述した基板シートに
は、その一面の前記基板分割溝により区分された領域、
つまりはそれぞれの前記ベース毎にそれぞれ半導体チッ
プが搭載され、前記搭載された半導体チップと前記ベー
スの接続端子とがワイヤ等により電気的に接続される。
この半導体チップの電極パッドと前記ベースの接続端子
とが電気的に接続された基板シートは、その一面全体に
液状の封止樹脂を供給し、前記封止樹脂を硬化すること
により各ベースの前記半導体チップ及び前記半導体チッ
プの電極パッドと前記ベースの接続端子との接続部一帯
を封止する封止部が形成される。その後、前記基板シー
トを基板分割溝の方向から折り曲げるように切断するこ
とによりそれぞれのベース毎に分割する。そして前記ベ
ースの外部端子搭載部に金属からなるボールを搭載し、
前記ベースに外部端子形成することにより半導体装置を
製造するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように前記基板シートの一面全体に液状樹脂を供給
し、前記液状樹脂を硬化することにより封止部を形成
し、その後、前記基板シートを基板分割溝の方向から折
り曲げるように切断し、前記基板シートをそれぞれのベ
ース毎に分割する半導体装置の製造技術においては、前
記基板シートへ基板分割溝を設けて前記基板シートを切
断し易くなるように構成しているが、前記基板シートを
基板分割溝の方向から折り曲げるように切断する際に、
応力のかけ方或いは封止部へ発生したボイド等によって
前記封止部が垂直に切断されずに、完成した半導体装置
の封止部に図１３に示すようなバリ２７が発生してしま
うという問題があった。この半導体装置の製造技術では
前記半導体装置１の４方向を全て切断するように構成さ
れており、最大４方向にバリ２７が発生してしまう恐れ
があった。

【０００５】このような半導体装置の封止部へ発生した
バリ２７によっては、その半導体装置１の外形寸法がば
らついてしまい、半導体装置の外形寸法の規格が満足で
きなくなってしまう。

【０００６】また前記半導体装置の外形を基に位置決め
することにより、該半導体装置を実装する場合には、前
記半導体装置に発生したバリ２７によって正確な位置決
めができず、半導体装置の実装位置がずれてしまう恐れ
もあった。

【０００７】さらに半導体装置の封止部へ発生するバリ
２７の大きさによっては、バーンイン試験等のために半
導体装置をソケットに挿入する際に、前記ソケットの電
極へ外部端子が接触できなくなる、又は前記バリ２７が
邪魔となり半導体装置を前記ソケットに挿入できなくな
り、バーンイン試験等ができなくなる恐れもあった。

【０００８】また前記基板シートは多数個のベースが隣
接して配置されているため、前記バリ２７の発生した半
導体装置に隣接した半導体装置の封止部７には欠け２８
が発生してしまう。この半導体装置の封止部７に大きな
欠け２８が発生した場合には、前記半導体チップの電極
パッドとベースの接続端子とを電気的に接続するワイヤ
等が封止部７から露出してしまう恐れもあった。近年は
半導体装置の小型化及び薄型化が進んできており、この
ような封止部７の欠け２８による前記ワイヤの露出の可
能性は大きくなる傾向にある。

【０００９】そこで本発明の目的は、封止部へのバリ或
いは欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の封止部
を形成できる半導体装置の製造技術を提供することであ
る。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００１２】すなわち、半導体装置の製造技術におい
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するものであ
る。

【００１３】また前記半導体装置の製造技術において、
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外し、前記基板シートの
少なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成
するものである。

【００１４】さらに前記半導体装置の製造技術におい
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、前記基板シートの少なくとも前記境
界部を除く、前記一面に封止部を形成するものである。

【００１５】また前記仕切り治具は、前記基板シートへ
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ているものである。

【００１６】さらに前記仕切り治具には、予め封止樹脂
との接触部分に離型剤が付着されているものである。

【００１７】上述した手段によれば、半導体装置の製造
技術において、一面に複数の接続端子が形成された複数
のベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の
回路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ
搭載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接
続端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少
なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成す
る工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に
接続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止
部の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から
折り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するよ
うに構成したことにより、前記基板シートの少なくとも
前記ベース毎の境界部に封止部が形成されなくなり、前
記基板シートを基板分割溝の方向から折り曲げ、各々の
ベース毎に分割する際に、前記基板シートの分割のみで
良く、前記基板シート上に形成された封止部を分割する
必要がなくなる。従って、前記基板シート上に形成され
た封止部を分割することがなくなることにより、前記基
板シートの分割する際の半導体装置へのバリ及び欠けの
発生を防止することができ、精度の良い外形寸法の封止
部を形成することができる。

【００１８】また前記半導体装置の製造技術において、
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外すことにより封止部を
形成したことにより、容易に前記基板シートの少なくと
も前記境界部を除く、前記一面に封止部を容易に形成す
ることができる。

【００１９】さらに前記半導体装置の製造技術におい
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、容易に前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成することが
でき、かつ、前記仕切り治具により区切られたベースに
封止樹脂を供給しているため、形成される封止部の厚さ
の制御が容易にでき、不要部分への封止樹脂の供給も無
くすことができる。

【００２０】また前記仕切り治具は、前記基板シートへ
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ていることにより、前記仕切り治具を前記基板シートか
ら取り外す際に抜き易くなり、かつ、前記基板シートへ
形成される封止部を台形状に形成することができ、前記
基板シートを折り曲げて分割する際に、隣接する封止部
との接触がなくなり、前記封止部の接触による欠け等の
発生を低減することができる。

【００２１】さらに前記仕切り治具には、予め封止樹脂
との接触部分に離型剤が付着されることにより、前記仕
切り治具を前記基板シートから取り外す際に、前記仕切
り治具が封止樹脂からより剥離し易くすることができ
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。

【００２３】尚、本発明の実施形態を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。

【００２４】（実施形態１）本実施形態では本発明をセ
ラミックベースでワイヤボンディング方式の半導体装
置、例えばＣＳＰ（Chip Size Package）に適用した場
合について説明する。

【００２５】本発明の適用されるセラミックベースでワ
イヤボンディング方式の半導体装置１は例えば図１に示
すように構成されている。前記半導体装置１は例えばセ
ラミック等からなるベース２を有しており、前記ベース
２は略四角形の板状に構成されている。そして前記ベー
ス２の一面、つまりは半導体チップを搭載する面には、
複数の接続端子３が前記ベース２の端部近傍に沿って設
けられている。この複数の接続端子３は導電性材料によ
り形成されている。そして前記ベース２の一面には、所
定の回路が形成された半導体チップ４が搭載されてい
る。前記半導体チップ４はその回路形成面に複数の電極
パッド５を有しており、前記半導体チップ４の電極パッ
ド５と前記ベース２の接続端子３とはそれぞれワイヤ６
により電気的に接続されている。さらに前記ベース２の
一面には封止部７が設けられており、前記封止部７によ
り前記ベース２に搭載された半導体チップ４と、前記ベ
ース２の接続端子３と半導体チップの電極パッド５との
接続部分一帯が覆われている。また前記ベース２の一面
と対向する面（以下、他面という）には、前記複数の接
続端子３のそれぞれに対応して複数の外部端子搭載部
（図示しない）が形成されている。前記接続端子３とそ
れに対応する外部端子搭載部は前記ベース２に設けられ
た配線等を通じてそれぞれ電気的に接続されている。そ
して前記ベース２の他面に設けられた外部端子搭載部に
は、例えば半田等からなる外部端子８がそれぞれ設けら
れている。

【００２６】次に、前述したように構成されたセラミッ
クベースでワイヤボンディング方式の半導体装置の製造
方法について説明する。

【００２７】前記半導体装置１の製造に用いられる基板
シート９は例えば図２及び図３に示すように構成されて
いる。前記基板シート９は略四角形の板状に構成されて
おり、１つの基板シート９から複数、例えば９個の半導
体装置１を作製できるように構成されている。そのため
前記基板シート９には複数のベース２が隣接するように
配置されており、前記隣接配置された複数のベース２の
外側には外枠部１０が配置されている。そして前記基板
シート９に配置されたそれぞれのベース２の境界部、さ
らには前記ベース２と外枠部１０との境界部には、それ
ぞれ前記基板シート９の他面に基板分割溝１１が形成さ
れている。この前記基板シート９の境界部に設けられた
基板分割溝１１は、例えば基板シートの厚さが約０．４
ｍｍの場合には約１００μｍの深さで形成し、前記基板
シート９を分割し易くするように構成している。この基
板シート９に設けられた基板分割溝１１は例えばハーフ
エッチング等により形成されている。

【００２８】また前記基板シート９に配置された複数の
ベース２の一面には、ダイボンディング工程において半
導体チップが搭載されるチップ搭載部位１２を示してい
る。この前記チップ搭載部位１２の周囲には複数の接続
端子３が設けられており、前記ベース２に搭載される半
導体チップ４と電気的に接続可能なように配置されてい
る。さらに前記基板シート９の他面には複数の外部端子
搭載部が設けられており、前記複数の外部端子搭載部
は、前記ベース２に設けられた配線等を介して、前記ベ
ース２の一面に設けられた対応する接続端子３とそれぞ
れ電気的に接続されている。このように構成された基板
シート９が予め準備される。

【００２９】次に準備された前記基板シート９は図４に
示すようにダイボンディング、さらにはワイヤボンディ
ングが行われる。前記ダイボンディング工程では、前記
基板シート９が保持固定された状態で、該基板シート９
のベース２のチップ搭載部位１２に接着剤、例えば絶縁
性ペーストが供給される。前記接着剤が供給されたチッ
プ搭載部位１２に、所定の回路が形成された半導体チッ
プ４が供給され、前記半導体チップ４が前記接着剤によ
り前記ベースのチップ搭載部位１２に接着される。この
ように前記基板シート９の全てのベース２に半導体チッ
プ４を接着する。そして全てのベース２への半導体チッ
プ４の接着が完了した前記基板シート９は、所定温度、
例えば１８０℃程度でキュアすることにより、前記ベー
ス２と前記半導体チップ４を接着する接着剤が硬化さ
れ、前記半導体チップ４が前記基板シート９のベース２
に固定される。そして半導体チップ４の搭載された基板
シート９はワイヤボンディング工程に移行される。

【００３０】前記ワイヤボンディング工程では、前記半
導体チップ４に設けられた電極パッド５と前記ベース２
の接続端子３とが、Ａｕ（金）或いはＣｕ（銅）等から
なるワイヤ６によって結線されることにより電気的に接
続される。このワイヤボンディング工程は、前記ワイヤ
６の先端を溶融させてボール状に形成した後、該ボール
を前記電極パッド５に押圧しながら超音波振動を引加
し、接合する。そして、所定のループ形状を描くように
してワイヤ６の後端を前記ベース２の接続端子３に超音
波接合される。このように前記基板シート９上の全ての
前記電極パッド５とそれに対応した前記接続端子３とが
前記ワイヤ６により電気的に接続される。そしてワイヤ
ボンディング工程の完了した基板シート９は封止工程に
移行される。

【００３１】前記ワイヤボンディングの完了した基板シ
ート９は、その一面の略全面に、エポキシ系の熱硬化性
樹脂等からなる封止樹脂１３を一体的に供給することに
より、少なくとも前記基板シート９の一面に搭載された
半導体チップ４及び前記半導体チップの電極パッド５と
前記基板シート９の接続端子３との接続部分が覆われる
ように封止される。

【００３２】この封止工程では前記基板シート９が保持
固定された状態で、図５に示すように該基板シート９へ
の封止樹脂１３の供給が行われる。前記基板シート９へ
の封止樹脂１３の供給は、該基板シート９の一面の略全
面、つまりは前記基板シート９の外枠部１０の端部近傍
を除いた一面に、例えばディスペンサ１４等により描画
方式で封止樹脂１３が塗布により供給される。前記塗布
された封止樹脂１３は前記基板シート９上に広がり、図
６に示すように前記基板シート９に設けられた全てのベ
ース２の一面が略均一で、一体的に封止樹脂１３で覆わ
れる。

【００３３】次に前記封止樹脂１３の塗布された基板シ
ート９は、封止樹脂１３の分割処理が行われる。この封
止樹脂１３の分割処理では、前記基板シート９は図７
（ａ）に示すように所定位置に位置決め保持される。そ
して前記基板シート９に対応して形成された仕切り治具
１５が、図７（ｂ）に示すように前記基板シート９の一
面に装着される。

【００３４】前記仕切り治具１５は前記基板シート９に
対応して構成されており、例えば前記基板シート９に設
けられたそれぞれの前記ベース２の境界部、つまりはブ
レイクラインに対応した位置に仕切り部１６が配置され
ている。この仕切り部１６は前記基板シート９との接触
部から外方に向かって幅広になるように、その先端部位
が小さく構成されており、これにより前記基板シート９
から仕切り治具１５を抜き出す際に、前記仕切り部１６
が半硬化した封止樹脂１３から抜け易くなるように構成
している。尚、本実施形態では前記仕切り部１６は前記
基板シート９から仕切り治具１５を抜き出す際に抜け易
くなるよう、その先端部を小さくなるように形成した
が、前記基板シート９上に塗布された封止樹脂１３をそ
れぞれのベース２毎に仕切ることができる構成であれば
どのようなものでもよい。また前記仕切り部１６に予め
離型剤を供給しておくことにより、さらに封止樹脂１３
から抜け易くすることができる。また前記仕切り治具１
５はそれぞれの前記ベース２の上方に対応する部位に開
口部１７が形成されており、前記基板シート９から仕切
り治具１５が抜き難い場合には、前記開口部１７から封
止樹脂１３を押し出すこともできる。さらに前記基板シ
ート９の外枠部１０に対応した位置には樹脂用逃げ部１
８が形成されている。また前記仕切り治具１５には前記
基板シート９のベース２の境界部に仕切り部１６が配置
されるように位置決めする位置決め部１９を有してい
る。このように構成された仕切り治具１５を前記基板シ
ート９に装着することにより、前記仕切り治具の仕切り
部１６が前記ベース２毎の境界部に密着し、前記境界部
上の封止樹脂１３が除去され、前記基板シート９の一面
に一体的に塗布された封止樹脂１３がそれぞれのベース
２毎に分割される。そして前記基板シート９に装着され
た前記仕切り治具１５は、例えば封止樹脂１３が半硬化
された時点で、前記基板シート９から前記仕切り治具１
５が取り外される。そして前記仕切り治具１５を取り外
された基板シート９の封止樹脂１３は半硬化されている
ため、前記仕切り治具１５により型取られた外形が維持
され、前記封止部には前記ベース２の境界部上に溝部２
０が形成される。そして前記基板シート９のベース２上
にそれぞれ、半導体チップ４及び前記半導体チップの電
極パッド５と基板シート上の接続端子３とを電気的に接
続するワイヤ６等を覆うような封止部７が分割形成され
る。前記基板シート９に形成された半硬化状態の封止部
７はさらに加熱されることによって完全に硬化され、図
７（ｃ）に示すように前記基板シート９上のそれぞれの
ベース２毎に封止部７が形成される。

【００３５】このように複数のベース２が連結された基
板シート９の一面に封止樹脂１３を一体的に塗布し、前
記基板シート９に塗布された封止樹脂１３を仕切り治具
１５等により、前記基板シート９のベース境界部のブレ
イクラインに塗布された封止樹脂１３を除去し、前記基
板シート９の封止樹脂１３が半硬化された時点で、前記
仕切り治具１５を取り外すことにより、前記基板シート
９上の前記境界部を除き、前記基板シートのそれぞれの
ベース２毎に分割形成された封止部７を容易にかつ精度
良く形成することができる。また前記基板シート９に形
成される封止部７が分割形成されることにより、前記基
板シート９に加わる応力が緩和され、基板シート９の反
りを低減することもできる。

【００３６】そして、前記基板シート９の一面に供給さ
れた封止樹脂１３が、それぞれのベース２毎に分割形成
されると、前記基板シート９は外部端子搭載工程に移行
される。前記外部端子搭載工程では、前記所定の封止部
７が形成された基板シート９が、図８（ａ）に示すよう
に前記基板シート９の他面が上側になるように保持固定
される。そして前記基板シート９の他面に形成された複
数の外部端子搭載部へ例えば半田等からなるボール２１
が供給される。前記外部端子搭載部へのボール２１の供
給は例えば吸着機構２２により、前記基板シート９の複
数の外部端子搭載部に対応した配置で複数のボール２１
を吸着し、前記吸着された複数のボール２１を前記基板
シート９へ一括的に供給する。そして前記基板シート９
の前記外部端子搭載部へ供給されたボール２１はリフロ
ーされることにより、前記外部端子搭載部へ固着され、
図８（ｂ）に示すように前記基板シート９の他面に複数
の外部端子８が形成される。そして前記外部端子８の形
成が完了した基板シート９は基板分割工程に移行され
る。

【００３７】前記基板分割工程では、前記外部端子８の
形成された基板シート９が図９（ａ）に示すように受け
台２３に載せられ、押さえ機構２４により保持固定さ
れ、前記基板シートの基板分割溝１１が前記受け台２３
の端部にくるように配置される。前記押さえ機構２４の
外部端子８との接触面には例えば硬質ゴムからなる保護
層２６が設けられており、前記外部端子の変形を防止
し、前記基板シート９を押さえつけることができるよう
に構成されている。そして前記受け台２３に保持固定さ
れた基板シート９は、図９（ｂ）に示すようにパンチ２
５を駆動し基板分割溝１１の方向から折り曲げるように
切断され、前記基板シート９は前記ベース２の境界部か
ら分割される。この前記基板シート９の分割では、該基
板シート９の他面に基板分割溝１１に設けているため、
前記基板シートのベース２の境界部から容易に分割され
る。また前記パンチ２５の外部端子８との接触面も、前
記押さえ機構２４と同様に前記当接する外部端子８の変
位を防止するために、例えば硬質ゴムからなる保護層２
６が設けられている。このように前記基板シート９が、
前述したように前記ベース２の境界部に塗布された封止
樹脂１３を除去し、それぞれのベース２毎に封止部７を
分割形成しているため、前記基板分割工程は封止部７の
分割はなくなり、基板シート９のみが分割されるように
なる。そのため、前記基板シート９の分割に伴う封止部
７の分割がなくなることにより、前記封止部７へのバリ
２７及び欠けの発生が無く、前記基板シートをそれぞれ
のベース毎に分割することができる。

【００３８】そして前記基板シート９の全ての基板分割
溝を同様に切断し、前記基板シート９をそれぞれのベー
ス２毎に分割することにより、図１０に示すようなバリ
の発生も無く、精度の良い封止部７を有するセラミック
タイプでワイヤボンディング方式の半導体装置１を形成
することができる。

【００３９】（実施形態２）次に本発明の他の実施形態
である半導体装置の製造方法について、以下図面を用い
て簡単に説明する。

【００４０】本実施形態においても実施形態１と同様に
図２及び図３に示すように構成された基板シート９が予
め準備される。そして準備された基板シート９は図１１
（ａ）に示すようにダイボンディング工程において、前
記基板シート９のそれぞれのベース２に接着剤を介して
半導体チップ４が接着固定される。そして全てのベース
２への前記半導体チップ４の搭載が完了した基板シート
９はワイヤボンディング工程に移行される。前記ワイヤ
ボンディング工程では前記半導体チップ４に設けられた
電極パッド５と前記ベース２の接続端子３とが、ワイヤ
６によって結線されることにより電気的に接続される。
そして全ての電極パッド５と接続端子との結線が完了し
た基板シート９は封止工程に移行される。

【００４１】本実施形態における封止工程では、まず前
記ワイヤボンディングの完了した基板シート９に、例え
ば図１１（ｂ）に示すように実施形態１と同様に構成さ
れた仕切り治具１５が装着される。前記基板シート９に
装着された仕切り治具１５は、仕切り部１６の先端が前
記基板シート９のベースの境界部にそれぞれ密着され、
それぞれの前記ベース２毎に区切られている。そして前
記仕切り部１６により区切られた前記ベース２の上方に
は開口部１７が形成されている。

【００４２】そして前記仕切り治具１５の装着された基
板シート９は保持固定された状態で、図１１（ｃ）に示
すように前記ベース２の一面に例えばエポキシ系の熱硬
化性樹脂等からなる封止樹脂１３が供給される。この封
止樹脂１３の供給は、前記仕切り治具１５により区切ら
れたベース２に、前記ベース２の上方に設けられた仕切
り治具１５の開口部１７から例えばディスペンサ１４等
により封止樹脂１３が塗布により供給される。そして塗
布された封止樹脂１３は、前記仕切り治具１５で区切ら
れたベース２上で広がり、前記ベース２上が均一に封止
樹脂１３で覆われ、封止部７の外形が型取られる。この
ように本実施形態では仕切り治具により四方を区切られ
た空間に封止樹脂１３を供給しているため、封止樹脂１
３の塗布量により形成される封止部７の厚さの制御が容
易となり、さらに前記基板シート９への不要な部分への
封止樹脂１３の塗布を無くすことができる。そして全て
のベース２への封止樹脂１３の塗布が完了した基板シー
ト９は、前記基板シート９に塗布された封止樹脂１３が
半硬化状態となった時点で、前記基板シート９に装着さ
れた仕切り治具１５は取り外される。前記仕切り治具１
５の取り外された基板シート９は半硬化状態であるた
め、前記封止樹脂１３は前記仕切り治具１５により型取
られた外形を維持されている。この半硬化状態の封止樹
脂１３は前記基板シート９をキュアすることで完全に硬
化され、図１１（ｄ）に示すように、前記ベース２の境
界部への封止樹脂１３が無く、それぞれのベース２毎に
所定の外形寸法の封止部７が形成できる。前記ベース上
に形成された封止部７は、前記装着された仕切り治具１
５の仕切り部１６が封止樹脂１３から抜け易くなるよう
に、前記仕切り治具１５の先端が小さく形成されている
ため、前記封止部７は前記ベース２上に略台形状で形成
されている。また前記仕切り部１６に予め離型剤を供給
しておくことにより、さらに封止樹脂１３から抜け易く
できる。

【００４３】このように複数のベース２が連結された基
板シート９に仕切り治具１５を装着し、前記仕切り治具
１５により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂１３
を供給し、前記基板シート９の封止樹脂１３が半硬化さ
れた時点で、前記仕切り治具１５を取り外すことによ
り、前記基板シート９上のベース２の境界部上を除き、
前記それぞれのベース２毎に封止部７を容易にかつ精度
良く形成することができ、かつ前記仕切り治具１５によ
り区切られたベース２に封止樹脂１３を供給しているた
め、封止部７の厚さの制御が容易にできる。

【００４４】そして、それぞれのベース２に封止部７が
形成された前記基板シート９は外部端子搭載工程に移行
され、前記基板シート９の他面に例えば半田等からなる
ボール２１が供給され、図１２（ａ）に示すように前記
外部端子搭載部に複数の外部端子８が形成される。

【００４５】前記複数の外部端子が形成された基板シー
ト９は基板分割工程においてそれぞれのベース２毎に分
割される。前記基板分割工程では、実施形態１と同様に
前記外部端子８の形成された基板シート９が受け台２３
に載せられ、前記基板シート９の基板分割溝１１が前記
受け台２３の端部に配置されるように保持固定される。
そして前記受け台に保持固定された基板シート９はパン
チ２５を駆動し、前記基板に設けられた基板分割溝１１
の方向から折り曲げるように切断することにより、前記
基板シート９は容易に基板分割溝から分割される。そし
て前記基板シート９の全ての基板分割溝を同様に分割す
ることにより、図１２（ｂ）に示すように形成される。
そして図１０に示すようなセラミックタイプでワイヤボ
ンディング方式の半導体装置１が得られる。このように
前記基板シート９のベース２の境界部を除き、それぞれ
のベース２毎に封止部７を分割形成しているため、前記
基板分割工程では封止部７の分割はなくなり、前記封止
部へのバリの発生を無くすることができる。

【００４６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば本実施形態では基板シート９に仕切り治具１５を装着
し、前記仕切り治具１５の仕切り部１６を前記基板シー
ト９に密着することにより、前記基板シート９のベース
２の境界部を除き、それぞれのベース２に封止部７を分
割形成するように構成したが、前記封止部７を形成する
封止樹脂１３を仕切ることができる構成であれば、どの
ような構成のものでもよい。

【００４７】また本実施形態では、前記基板シート９を
そのベースの境界部に対応した一体的な仕切り部１６に
より区切り、前記基板シート９のベースの境界部を除
き、それぞれのベースに封止部７を分割形成するように
構成したが、前記ベースの境界部に断続的な仕切り部１
６により区切ることにより、前記基板シート９のベース
の境界部を断続的に除き、封止部を形成することも可能
である。これによっては前記基板シート９の一面に形成
される封止部が、前記ベースの境界部に沿って断続的に
溝部２０が形成されるため、前記基板シート９の分割時
に封止部７も前記溝部２０に沿って分割され易く構成す
ることができる。

【００４８】さらに本実施形態ではセラミックタイプで
ワイヤボンディング方式の半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、複数のベースを有する基板シート９
を一体的に封止したのち、それぞれのベース毎に分割す
るように製造されるものであれば、どのような製品に適
用しても良い。

【００４９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００５０】すなわち、半導体装置の製造技術におい
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するように構
成したことにより、前記基板シートの前記境界部に封止
部が形成されないため、前記基板シートの分割の際に封
止部を分割すること無くなり、半導体装置への封止部へ
のバリ及び欠けの発生を防止することができる。そのた
め、精度の良い外形寸法の封止部を容易に形成すること
ができ、半導体装置の品質或いは歩留を向上することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の適用されるセラミックタイプでワイヤ
ボンディング方式の半導体装置の概略構成を示す斜視図
である。

【図２】本発明の適用される半導体装置に用いられる基
板シートの概略構成を示す平面図である。

【図３】本発明の適用される半導体装置に用いられる基
板シートの概略構成を示す断面図である。

【図４】ダイボンディング及びワイヤボンディング後の
基板シートの概略構成を示す断面図である。

【図５】本発明の一実施形態である基板シートへの封止
樹脂の塗布処理を示す断面図である。

【図６】本発明の一実施形態である封止樹脂の塗布処理
後の基板シートの概略構成を示す平面図である。

【図７】本発明の一実施形態である封止樹脂の塗布処理
後の基板シートへの基板分割処理を示す断面図である。

【図８】本発明の一実施形態である基板シートへの外部
端子形成処理を示す断面図である。

【図９】本発明の一実施形態である基板シートを個々の
半導体装置毎に分割する基板分割処理を示す断面図であ
る。

【図１０】本発明の一実施形態である製造方法により形
成された半導体装置を示す断面図である。

【図１１】本発明の他の一実施形態である基板シートへ
の封止部形成フローを示す断面図である。

【図１２】本発明の他の一実施形態の外部端子搭載後及
び基板分割後の基板シートの概略構成を示す断面図であ
る。

【図１３】従来の問題点である半導体装置の封止部に形
成されるバリ及び欠けを示す断面図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…ベース、３…接続端子、４…半導
体チップ、５…電極パッド、６…ワイヤ、７…封止部、
８…外部端子、９…基板シート、１０…外枠部、１１…
基板分割溝、１２…チップ搭載部位、１３…封止樹脂、
１４…ディスペンサ、１５…仕切り治具、１６…仕切り
部、１７…開口部、１８…逃げ部、１９…位置決め部、
２０…溝部、２１…ボール、２２…吸着機構、２３…受
け台、２４…押さえ機構、２５…保護層、２６…パン
チ、２７…バリ、２８…欠け。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一面に複数の接続端子が形成された複数の
   ベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成され
   た複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回
   路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭
   載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続
   端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少な
   くとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する
   工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接
   続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部
   の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折
   り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有すること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】前記基板シートへ前記封止部を形成する工
   程が、前記基板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給
   した後、前記供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切
   る仕切り治具を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂
   が半硬化された時点で前記仕切り治具を取り外し、前記
   基板シートの少なくとも前記境界部を除く、前記一面に
   封止部を形成することを特徴とする請求項１記載の半導
   体装置の製造方法。
3. 【請求項３】前記基板シートへ前記封止部を形成する工
   程が、前記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前
   記仕切り治具により区切られた前記ベースの一面に封止
   樹脂を供給し、前記基板シートの少なくとも前記境界部
   を除く、前記一面に封止部を形成することを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置。
4. 【請求項４】前記仕切り治具は、前記基板シートへの接
   触部から他方に向かって幅広になるように構成されてい
   ることを特徴とする請求項２又は請求項３の半導体装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】前記仕切り治具には、予め封止樹脂との接
   触部分に離型剤が付着されていることを特徴とする請求
   項２又は請求項３の半導体装置の製造方法。