JP2000138867A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2000138867A JP2000138867A JP10311881A JP31188198A JP2000138867A JP 2000138867 A JP2000138867 A JP 2000138867A JP 10311881 A JP10311881 A JP 10311881A JP 31188198 A JP31188198 A JP 31188198A JP 2000138867 A JP2000138867 A JP 2000138867A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スイッチを介して各半導体光センサの出力信
号を取り出す構成になった固体撮像素子に特有の固定パ
ターンノイズを除去し、高画質が得られる固体撮像素子
を実現する。 【解決手段】 半導体光センサを1次元方向または2次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、センサ部に設けられ
た各半導体光センサの特性のばらつきを補正するための
データを用意しておき、この補正データで半導体光セン
サの出力信号を補正する。
号を取り出す構成になった固体撮像素子に特有の固定パ
ターンノイズを除去し、高画質が得られる固体撮像素子
を実現する。 【解決手段】 半導体光センサを1次元方向または2次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、センサ部に設けられ
た各半導体光センサの特性のばらつきを補正するための
データを用意しておき、この補正データで半導体光セン
サの出力信号を補正する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光センサを
1次元方向または2次元方向に配列し、各半導体光セン
サの出力信号を走査することにより、画像の1次元的分
布または2次元的分布を電気信号の時間的分布に変換し
て出力する固体撮像素子に関するものである。更に詳し
くは、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を
取り出す構成になった固体撮像素子の特性改善に関する
ものである。
1次元方向または2次元方向に配列し、各半導体光セン
サの出力信号を走査することにより、画像の1次元的分
布または2次元的分布を電気信号の時間的分布に変換し
て出力する固体撮像素子に関するものである。更に詳し
くは、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を
取り出す構成になった固体撮像素子の特性改善に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】固体撮像素子にはCCD撮像素子とCM
OS形撮像素子(これをCMOSセンサと呼ぶことにす
る)がある。CMOSセンサは、CCD撮像素子と異な
り、センサ部分とその周辺回路とをCMOSプロセスで
一体に製造することができるため、セット価格が安価に
なるという利点がある。
OS形撮像素子(これをCMOSセンサと呼ぶことにす
る)がある。CMOSセンサは、CCD撮像素子と異な
り、センサ部分とその周辺回路とをCMOSプロセスで
一体に製造することができるため、セット価格が安価に
なるという利点がある。
【0003】図2は従来におけるCMOSセンサの構成
例を示した図である。図2で、エリアセンサ部10に
は、半導体光センサを1次元方向または2次元方向に配
列し、クロックにより開閉動作するMOSFETを各半
導体光センサの出力信号線に設けた構成をなしている。
各MOSFETを順番に開閉していくことによって各半
導体光センサの出力信号を走査する。
例を示した図である。図2で、エリアセンサ部10に
は、半導体光センサを1次元方向または2次元方向に配
列し、クロックにより開閉動作するMOSFETを各半
導体光センサの出力信号線に設けた構成をなしている。
各MOSFETを順番に開閉していくことによって各半
導体光センサの出力信号を走査する。
【0004】駆動クロック発生回路11は、各半導体光
センサの出力信号を走査するための多相クロックをエリ
アセンサ部10に与える。シグナルコンディショナ12
は、エリアセンサ部10から取り出した半導体光センサ
の出力信号からスイッチングノイズを除去し、信号レベ
ルを整える。A/D変換器(アナログ/デジタル変換
器)13は、半導体光センサの出力信号をデジタル信号
に変換する。変換は駆動クロック発生回路11からのサ
ンプルクロックのタイミングで行う。A/D変換器13
の出力がデジタル画像データとして処理される。
センサの出力信号を走査するための多相クロックをエリ
アセンサ部10に与える。シグナルコンディショナ12
は、エリアセンサ部10から取り出した半導体光センサ
の出力信号からスイッチングノイズを除去し、信号レベ
ルを整える。A/D変換器(アナログ/デジタル変換
器)13は、半導体光センサの出力信号をデジタル信号
に変換する。変換は駆動クロック発生回路11からのサ
ンプルクロックのタイミングで行う。A/D変換器13
の出力がデジタル画像データとして処理される。
【0005】図3はエリアセンサ部10の構成例を示し
た図である。図3で、半導体光センサの一例としてのフ
ォトダイオードPD1〜PDNは、1次元方向に配列さ
れている。MOSFET S1〜SNは、各半導体光セ
ンサPD1〜PDNの各出力信号線に設けられている。
多相クロックC1〜CNはそれぞれ位相が異なり、駆動
クロック発生回路11から与えられる。位相が異なる多
相クロックC1〜CNによりMOSFET S1〜SN
が順番に開閉され、フォトダイオードPD1〜PDNの
出力信号が順次に取り出される。
た図である。図3で、半導体光センサの一例としてのフ
ォトダイオードPD1〜PDNは、1次元方向に配列さ
れている。MOSFET S1〜SNは、各半導体光セ
ンサPD1〜PDNの各出力信号線に設けられている。
多相クロックC1〜CNはそれぞれ位相が異なり、駆動
クロック発生回路11から与えられる。位相が異なる多
相クロックC1〜CNによりMOSFET S1〜SN
が順番に開閉され、フォトダイオードPD1〜PDNの
出力信号が順次に取り出される。
【0006】CMOSセンサは、センサ部の基板上に周
辺回路を取り込めることから、安価で高機能を実現でき
るというメリットがある。その反面、MOSFETの特
性のばらつき、配線インピーダンスのばらつき等によっ
て、CMOSセンサ特有の固定パターンノイズが発生
し、画質の悪化を招くという問題点があった。このよう
な事情から、従来は高画質を要求される場合はCCD撮
像素子を用いてきた。
辺回路を取り込めることから、安価で高機能を実現でき
るというメリットがある。その反面、MOSFETの特
性のばらつき、配線インピーダンスのばらつき等によっ
て、CMOSセンサ特有の固定パターンノイズが発生
し、画質の悪化を招くという問題点があった。このよう
な事情から、従来は高画質を要求される場合はCCD撮
像素子を用いてきた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した問題
点を解決するためになされたものであり、センサ部に設
けられた各半導体光センサの特性のばらつきを補正する
ためのデータを用意しておき、この補正データで半導体
光センサの出力信号を補正することによって、スイッチ
を介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構成に
なった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズを除去
し、高画質が得られる固体撮像素子を実現することを目
的とする。
点を解決するためになされたものであり、センサ部に設
けられた各半導体光センサの特性のばらつきを補正する
ためのデータを用意しておき、この補正データで半導体
光センサの出力信号を補正することによって、スイッチ
を介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構成に
なった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズを除去
し、高画質が得られる固体撮像素子を実現することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は次のとおりの構
成になった固体撮像素子である。
成になった固体撮像素子である。
【0009】(1)半導体光センサを1次元方向または
2次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
するオフセット補正値メモリと、各半導体光センサの出
力信号を走査するための多相クロックを出力する駆動ク
ロック発生回路と、前記多相クロックの出力に応じて前
記ゲイン補正値メモリ及びオフセット補正値メモリから
ゲイン補正値データ及びオフセット補正値データをそれ
ぞれ読み出す読出手段と、半導体光センサから得た画像
データをゲイン補正値メモリから読み出したゲイン補正
値データで補正するゲイン補正手段と、半導体光センサ
から得た画像データをオフセット補正値メモリから読み
出したオフセット補正値データで補正するオフセット補
正手段と、を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
2次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
するオフセット補正値メモリと、各半導体光センサの出
力信号を走査するための多相クロックを出力する駆動ク
ロック発生回路と、前記多相クロックの出力に応じて前
記ゲイン補正値メモリ及びオフセット補正値メモリから
ゲイン補正値データ及びオフセット補正値データをそれ
ぞれ読み出す読出手段と、半導体光センサから得た画像
データをゲイン補正値メモリから読み出したゲイン補正
値データで補正するゲイン補正手段と、半導体光センサ
から得た画像データをオフセット補正値メモリから読み
出したオフセット補正値データで補正するオフセット補
正手段と、を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
【0010】(2)半導体光センサを1次元方向または
2次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサの出力信号を走査するための多相
クロックを出力する駆動クロック発生回路と、前記多相
クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモリからゲ
イン補正値データを読み出す読出手段と、半導体光セン
サから得た画像データをゲイン補正値メモリから読み出
したゲイン補正値データで補正するゲイン補正手段と、
を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
2次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのゲイン補正値データを格納するゲイン補正値メモリ
と、各半導体光センサの出力信号を走査するための多相
クロックを出力する駆動クロック発生回路と、前記多相
クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモリからゲ
イン補正値データを読み出す読出手段と、半導体光セン
サから得た画像データをゲイン補正値メモリから読み出
したゲイン補正値データで補正するゲイン補正手段と、
を具備したことを特徴とする固体撮像素子。
【0011】(3)半導体光センサを1次元方向または
2次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのオフセット補正値データを格納するオフセット補正
値メモリと、各半導体光センサの出力信号を走査するた
めの多相クロックを出力する駆動クロック発生回路と、
前記多相クロックの出力に応じて前記オフセット補正値
メモリからオフセット補正値データを読み出す読出手段
と、半導体光センサから得た画像データをオフセット補
正値メモリから読み出したオフセット補正値データで補
正するオフセット補正手段と、を具備したことを特徴と
する固体撮像素子。
2次元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイ
ッチを各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッ
チを順番に開閉することによって各半導体光センサの出
力信号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系
列的に出力する固体撮像素子において、各半導体光セン
サのオフセット補正値データを格納するオフセット補正
値メモリと、各半導体光センサの出力信号を走査するた
めの多相クロックを出力する駆動クロック発生回路と、
前記多相クロックの出力に応じて前記オフセット補正値
メモリからオフセット補正値データを読み出す読出手段
と、半導体光センサから得た画像データをオフセット補
正値メモリから読み出したオフセット補正値データで補
正するオフセット補正手段と、を具備したことを特徴と
する固体撮像素子。
【0012】(4)前記スイッチは、MOSFET、バ
イポーラトランジスタ、メカニカルスイッチのいずれか
であることを特徴とする(1)乃至(3)のいずれかに
記載された固体撮像素子。
イポーラトランジスタ、メカニカルスイッチのいずれか
であることを特徴とする(1)乃至(3)のいずれかに
記載された固体撮像素子。
【0013】(5)前記半導体光センサ、スイッチ、ゲ
イン補正値メモリ、オフセット補正値メモリ、駆動クロ
ック発生回路、読出手段、ゲイン補正手段及びオフセッ
ト補正手段はCMOSプロセスで一体に製造されること
を特徴とする(1)乃至(3)のいずれかに記載された
固体撮像素子。
イン補正値メモリ、オフセット補正値メモリ、駆動クロ
ック発生回路、読出手段、ゲイン補正手段及びオフセッ
ト補正手段はCMOSプロセスで一体に製造されること
を特徴とする(1)乃至(3)のいずれかに記載された
固体撮像素子。
【0014】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図1は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図1で図2と同一のものは同一符号を付ける。
説明する。図1は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図1で図2と同一のものは同一符号を付ける。
【0015】図1で、ゲイン補正値メモリ20は、エリ
アセンサ部10にある各半導体光センサのゲイン補正値
データを格納する。ゲイン補正値データには、半導体光
センサの配置位置に応じたアドレスが付けられている。
オフセット補正値メモリ21は、エリアセンサ部10に
ある各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
する。オフセット補正値データもゲイン補正値データと
同様にアドレスが割り付けられている。
アセンサ部10にある各半導体光センサのゲイン補正値
データを格納する。ゲイン補正値データには、半導体光
センサの配置位置に応じたアドレスが付けられている。
オフセット補正値メモリ21は、エリアセンサ部10に
ある各半導体光センサのオフセット補正値データを格納
する。オフセット補正値データもゲイン補正値データと
同様にアドレスが割り付けられている。
【0016】アドレスカウンタ22は、駆動クロック発
生回路11が出力する多相クロックのクロック数をカウ
ントし、カウントに応じたアドレスを出力する。半導体
光センサの出力信号を順番に取り出していくに従って、
カウントが増加または減少していく。従って、カウント
に応じたアドレスをゲイン補正値メモリ20及びオフセ
ット補正値メモリ21に与えることによって、各半導体
光センサに対応するゲイン補正値データ及びオフセット
補正値データが順次に読み出される。
生回路11が出力する多相クロックのクロック数をカウ
ントし、カウントに応じたアドレスを出力する。半導体
光センサの出力信号を順番に取り出していくに従って、
カウントが増加または減少していく。従って、カウント
に応じたアドレスをゲイン補正値メモリ20及びオフセ
ット補正値メモリ21に与えることによって、各半導体
光センサに対応するゲイン補正値データ及びオフセット
補正値データが順次に読み出される。
【0017】バッファ23及び24は、外部から補正値
データをゲイン補正値メモリ20及びオフセット補正値
メモリ21に書込むときにデータを一時的に格納する。
加算器25は、半導体光センサから得た画像データにオ
フセット補正値メモリ21から読み出したオフセット補
正値データを加算することによって、オフセット補正演
算を行う。乗算器26は、オフセット補正後の画像デー
タにゲイン補正値メモリ20から読み出したゲイン補正
値データを乗算することによって、ゲイン補正演算を行
う。乗算器26が固定パターンノイズ除去後のデジタル
画像データD1として出力される。
データをゲイン補正値メモリ20及びオフセット補正値
メモリ21に書込むときにデータを一時的に格納する。
加算器25は、半導体光センサから得た画像データにオ
フセット補正値メモリ21から読み出したオフセット補
正値データを加算することによって、オフセット補正演
算を行う。乗算器26は、オフセット補正後の画像デー
タにゲイン補正値メモリ20から読み出したゲイン補正
値データを乗算することによって、ゲイン補正演算を行
う。乗算器26が固定パターンノイズ除去後のデジタル
画像データD1として出力される。
【0018】図1に示す回路はCMOSプロセスで一体
に製造される。
に製造される。
【0019】図1の固体撮像素子の動作を説明する。ま
ず、補正値データを書き込む動作について説明する。最
初に、ゲイン補正値メモリ20の記憶データを「1」
に、オフセット補正値メモリ21の記憶データを「0」
にそれぞれ初期化する。これは、初期状態をゲイン
「1」、オフセット「0」にするためである。
ず、補正値データを書き込む動作について説明する。最
初に、ゲイン補正値メモリ20の記憶データを「1」
に、オフセット補正値メモリ21の記憶データを「0」
にそれぞれ初期化する。これは、初期状態をゲイン
「1」、オフセット「0」にするためである。
【0020】次に、既知の一様な光量φ1の光をエリア
センサ部10に当て、このときのデジタル画像データを
外部で記憶しておく。その後、φ1とは異なる既知の一
様な光量φ2を同様に当て、同じくデジタル画像データ
を外部で記憶しておく。光量φ1とφ2は全画素数(全半
導体光センサ数)のデータがあり、それぞれ一様なデー
タであるはずだか、誤差を含んでいることがある。そこ
で、半導体光センサの出力は光量に対してリニアの関係
にあると仮定し、一次補間式y=ax+bを用いる。こ
こで、yは半導体光センサの出力、xは光量である。
センサ部10に当て、このときのデジタル画像データを
外部で記憶しておく。その後、φ1とは異なる既知の一
様な光量φ2を同様に当て、同じくデジタル画像データ
を外部で記憶しておく。光量φ1とφ2は全画素数(全半
導体光センサ数)のデータがあり、それぞれ一様なデー
タであるはずだか、誤差を含んでいることがある。そこ
で、半導体光センサの出力は光量に対してリニアの関係
にあると仮定し、一次補間式y=ax+bを用いる。こ
こで、yは半導体光センサの出力、xは光量である。
【0021】外部で記憶した半導体光センサの出力と光
量φ1及びφ2をy=ax+bに代入し、係数aとbの値
を求める。係数aとbは半導体光センサ毎に求める。係
数aとbよりゲイン補正値1/aとオフセット補正値−
bを半導体光センサ毎に求める。エリアセンサ部10に
カラーフィルタがあるときは、各カラー毎に計算する。
量φ1及びφ2をy=ax+bに代入し、係数aとbの値
を求める。係数aとbは半導体光センサ毎に求める。係
数aとbよりゲイン補正値1/aとオフセット補正値−
bを半導体光センサ毎に求める。エリアセンサ部10に
カラーフィルタがあるときは、各カラー毎に計算する。
【0022】このようにして求めた補正値1/aと−b
をバッファ23と24を介して外部からゲイン補正値メ
モリ20及びオフセット補正値メモリ21に書き込む。
補正値1/aと−bを用いることにより、一次補間式y
=ax+bはy=xに補正される。これらの作業はデバ
イスの検査・調整工程で行われる。
をバッファ23と24を介して外部からゲイン補正値メ
モリ20及びオフセット補正値メモリ21に書き込む。
補正値1/aと−bを用いることにより、一次補間式y
=ax+bはy=xに補正される。これらの作業はデバ
イスの検査・調整工程で行われる。
【0023】次に、補正値データを用いて固体パターン
ノイズを除去する動作を説明する。A/D変換器13か
ら得られたデジタル画像データD0に対して、画素毎
(半導体光センサ毎)に、加算器25でオフセット補正
を、乗算器26でオフセット補正をそれぞれ行う。これ
により、一次関数で補正されたデータD1を得ることが
できる。
ノイズを除去する動作を説明する。A/D変換器13か
ら得られたデジタル画像データD0に対して、画素毎
(半導体光センサ毎)に、加算器25でオフセット補正
を、乗算器26でオフセット補正をそれぞれ行う。これ
により、一次関数で補正されたデータD1を得ることが
できる。
【0024】なお、実施例ではスイッチの例としてMO
SFETを挙げているが、スイッチはこれに限らずバイ
ポーラトランジスタ等の半導体スイッチであっても、メ
カニカルスイッチであってもよい。
SFETを挙げているが、スイッチはこれに限らずバイ
ポーラトランジスタ等の半導体スイッチであっても、メ
カニカルスイッチであってもよい。
【0025】また、実施例ではCMOSセンサの例を挙
げているか、CMOSセンサに限ることはない。本発明
は、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を取
り出す構成になった固体撮像素子であればよい。
げているか、CMOSセンサに限ることはない。本発明
は、スイッチを介して各半導体光センサの出力信号を取
り出す構成になった固体撮像素子であればよい。
【0026】また、実施例ではオフセット補正をするた
めの回路とゲイン補正をするための回路の両方を設けた
場合について説明したが、これらの回路の一方だけ設け
てもよい。
めの回路とゲイン補正をするための回路の両方を設けた
場合について説明したが、これらの回路の一方だけ設け
てもよい。
【0027】また、加算器25と乗算器26をシグナル
コンディショナ12とA/D変換器13の間に設けても
よい。この場合は、ゲイン補正値メモリ20とオフセッ
ト補正値メモリ21の読出データをD/A変換してから
加算器25と乗算器26に与える。
コンディショナ12とA/D変換器13の間に設けても
よい。この場合は、ゲイン補正値メモリ20とオフセッ
ト補正値メモリ21の読出データをD/A変換してから
加算器25と乗算器26に与える。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば次の効果が得られる。
【0029】請求項1乃至請求項3の発明によれば、ス
イッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す
構成になった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズ
を除去し、高画質の画像を得ることができる。
イッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す
構成になった固体撮像素子に特有の固定パターンノイズ
を除去し、高画質の画像を得ることができる。
【0030】請求項4の発明によれば、スイッチが半導
体スイッチである場合は、高速動作と信頼性の向上を実
現できる。メカニカルスイッチである場合は、半導体ス
イッチに比べてリーク電流を低減できる。
体スイッチである場合は、高速動作と信頼性の向上を実
現できる。メカニカルスイッチである場合は、半導体ス
イッチに比べてリーク電流を低減できる。
【0031】請求項5の発明によれば、センサ部分とそ
の周辺回路とをCMOSプロセスで一体に製造すること
ができるため、安価な回路で高画質の固体撮像素子が得
られる。
の周辺回路とをCMOSプロセスで一体に製造すること
ができるため、安価な回路で高画質の固体撮像素子が得
られる。
【0032】以上説明したように本発明によれば、スイ
ッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構
成になった固体撮像素子を用いてもCCD撮像素子と同
等な高画質が得られる固体撮像素子を実現できる。
ッチを介して各半導体光センサの出力信号を取り出す構
成になった固体撮像素子を用いてもCCD撮像素子と同
等な高画質が得られる固体撮像素子を実現できる。
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図2】従来におけるCMOSセンサの構成例を示した
図である。
図である。
【図3】図2のCMOSセンサの要部構成図である。
【符号の説明】 10 エリアセンサ部 11 駆動クロック発生回路 20 ゲイン補正値メモリ 21 オフセット補正値メモリ 22 アドレスカウンタ 25 加算器 26 乗算器
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体光センサを1次元方向または2次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、 各半導体光センサのゲイン補正値データを格納するゲイ
ン補正値メモリと、 各半導体光センサのオフセット補正値データを格納する
オフセット補正値メモリと、 各半導体光センサの出力信号を走査するための多相クロ
ックを出力する駆動クロック発生回路と、 前記多相クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモ
リ及びオフセット補正値メモリからゲイン補正値データ
及びオフセット補正値データをそれぞれ読み出す読出手
段と、 半導体光センサから得た画像データをゲイン補正値メモ
リから読み出したゲイン補正値データで補正するゲイン
補正手段と、 半導体光センサから得た画像データをオフセット補正値
メモリから読み出したオフセット補正値データで補正す
るオフセット補正手段と、を具備したことを特徴とする
固体撮像素子。 - 【請求項2】 半導体光センサを1次元方向または2次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、 各半導体光センサのゲイン補正値データを格納するゲイ
ン補正値メモリと、 各半導体光センサの出力信号を走査するための多相クロ
ックを出力する駆動クロック発生回路と、 前記多相クロックの出力に応じて前記ゲイン補正値メモ
リからゲイン補正値データを読み出す読出手段と、 半導体光センサから得た画像データをゲイン補正値メモ
リから読み出したゲイン補正値データで補正するゲイン
補正手段と、を具備したことを特徴とする固体撮像素
子。 - 【請求項3】 半導体光センサを1次元方向または2次
元方向に配列し、クロックにより開閉動作するスイッチ
を各半導体光センサの出力信号線に設け、各スイッチを
順番に開閉することによって各半導体光センサの出力信
号を走査し、走査により得られた画像の情報を時系列的
に出力する固体撮像素子において、 各半導体光センサのオフセット補正値データを格納する
オフセット補正値メモリと、 各半導体光センサの出力信号を走査するための多相クロ
ックを出力する駆動クロック発生回路と、 前記多相クロックの出力に応じて前記オフセット補正値
メモリからオフセット補正値データを読み出す読出手段
と、 半導体光センサから得た画像データをオフセット補正値
メモリから読み出したオフセット補正値データで補正す
るオフセット補正手段と、を具備したことを特徴とする
固体撮像素子。 - 【請求項4】 前記スイッチは、MOSFET、バイポ
ーラトランジスタ、メカニカルスイッチのいずれかであ
ることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに
記載された固体撮像素子。 - 【請求項5】 前記半導体光センサ、スイッチ、ゲイン
補正値メモリ、オフセット補正値メモリ、駆動クロック
発生回路、読出手段、ゲイン補正手段及びオフセット補
正手段はCMOSプロセスで一体に製造されることを特
徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された
固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10311881A JP2000138867A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10311881A JP2000138867A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000138867A true JP2000138867A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18022543
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP10311881A Pending JP2000138867A (ja) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000138867A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7420599B2 (en) | 2001-04-03 | 2008-09-02 | Institut Für Mikroelektronik Stuttgart | Method and device for the FPN correction of image signals |
JP2009105966A (ja) * | 2009-02-06 | 2009-05-14 | Sony Corp | 固定パターンノイズ除去回路、固定パターンノイズ除去方法、プログラムおよび撮像装置 |
US8089533B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Fixed pattern noise removal circuit, fixed pattern noise removal method, program, and image pickup apparatus |
KR101762091B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-07-26 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
-
1998
- 1998-11-02 JP JP10311881A patent/JP2000138867A/ja active Pending
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KR101762091B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-07-26 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
KR101804100B1 (ko) | 2009-03-24 | 2017-12-01 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및 전자 기기 |
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