JP2000137211A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発熱素子による恒常的な熱ストレスによる悪
影響を防ぐことができる液晶表示装置を得る。 【解決手段】 周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置で
あって、周辺駆動回路の発熱素子（レベルシフタ回路）
１２に放熱用素子（放熱板パターン）１４を接続したこ
とを特徴とするものである。
影響を防ぐことができる液晶表示装置を得る。 【解決手段】 周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置で
あって、周辺駆動回路の発熱素子（レベルシフタ回路）
１２に放熱用素子（放熱板パターン）１４を接続したこ
とを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、周辺駆動回路を
内蔵したポリシリコン薄膜トランジスタ等による液晶表
示装置に関するものである。
内蔵したポリシリコン薄膜トランジスタ等による液晶表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、微細加工技術，材料技術および高
密度実装技術などの進歩とマルチメディア機器の急速な
普及により、幅広い画面サイズで、またＡＶ，ＯＡ，車
載，情報通信と様々な用途において液晶表示装置の占め
る割合は急速に拡大しており、ＣＲＴにかわるキーデバ
イスとしてエレクトロニクス業界全体の注目を集めてい
る。そのような中、液晶表示装置特有の薄型軽量をさら
に進化させ、ＣＲＴでは実現困難であった商品領域（例
えばＡ４、Ｂ５サイズのノートパソコンからサブノート
パソコン、ＤＩＮ規格対応のカーナビゲーションシステ
ム、モニタ一体型ビデオムービー、ペン入力型携帯情報
端末等）にさらなる展開を見せており、特に、周辺駆動
回路の内蔵を可能としたポリシリコン薄膜トランジスタ
を用いた液晶表示装置の開発が活発である。
密度実装技術などの進歩とマルチメディア機器の急速な
普及により、幅広い画面サイズで、またＡＶ，ＯＡ，車
載，情報通信と様々な用途において液晶表示装置の占め
る割合は急速に拡大しており、ＣＲＴにかわるキーデバ
イスとしてエレクトロニクス業界全体の注目を集めてい
る。そのような中、液晶表示装置特有の薄型軽量をさら
に進化させ、ＣＲＴでは実現困難であった商品領域（例
えばＡ４、Ｂ５サイズのノートパソコンからサブノート
パソコン、ＤＩＮ規格対応のカーナビゲーションシステ
ム、モニタ一体型ビデオムービー、ペン入力型携帯情報
端末等）にさらなる展開を見せており、特に、周辺駆動
回路の内蔵を可能としたポリシリコン薄膜トランジスタ
を用いた液晶表示装置の開発が活発である。
【０００３】まず、ポリシリコン薄膜トランジスタを用
いた周辺駆動回路を内蔵した従来の液晶表示装置の概略
構成について、図４を用いて説明する。
いた周辺駆動回路を内蔵した従来の液晶表示装置の概略
構成について、図４を用いて説明する。
【０００４】図４において、１はポリシリコン薄膜トラ
ンジスタ基板、２は対向基板であり、これらの間に液晶
材料が充填される基本構成である。ポリシリコン薄膜ト
ランジスタ基板１には、液晶を直接駆動する素子である
画素電極を備えた薄膜トランジスタをマトリクス配置し
た画素領域３を中心にして、周辺に内蔵駆動回路が配置
されている。４は走査信号駆動回路であり、Ｘ側スキャ
ン回路５とＸ側バッファ回路６から構成され、走査信号
線７で画素領域３のゲート電極と接続されている。同様
に、８は画像信号駆動回路であり、Ｙ側スキャン回路９
とＹ側バッファ回路１０から構成され、画像信号線１１
で画素領域３のソース電極と接続されている。１２はレ
ベルシフタ回路であり、走査信号駆動回路４，画像信号
駆動回路７に入力するスタートパルス，クロック信号等
のパルス信号の電圧レベルを変換する回路であり、外部
回路に接続したＦＰＣ（flexible printed circuit）１
３から入力した各信号をレベルシフトし、それぞれの回
路に供給する働きをする。
ンジスタ基板、２は対向基板であり、これらの間に液晶
材料が充填される基本構成である。ポリシリコン薄膜ト
ランジスタ基板１には、液晶を直接駆動する素子である
画素電極を備えた薄膜トランジスタをマトリクス配置し
た画素領域３を中心にして、周辺に内蔵駆動回路が配置
されている。４は走査信号駆動回路であり、Ｘ側スキャ
ン回路５とＸ側バッファ回路６から構成され、走査信号
線７で画素領域３のゲート電極と接続されている。同様
に、８は画像信号駆動回路であり、Ｙ側スキャン回路９
とＹ側バッファ回路１０から構成され、画像信号線１１
で画素領域３のソース電極と接続されている。１２はレ
ベルシフタ回路であり、走査信号駆動回路４，画像信号
駆動回路７に入力するスタートパルス，クロック信号等
のパルス信号の電圧レベルを変換する回路であり、外部
回路に接続したＦＰＣ（flexible printed circuit）１
３から入力した各信号をレベルシフトし、それぞれの回
路に供給する働きをする。
【０００５】多くの場合、レベルシフタ回路１２は、周
辺回路に比較して消費電力が大きくなる傾向がある。す
ると回路を構成する素子内においては、ポリシリコン薄
膜トランジスタの半導体層の抵抗が、Ａｌなどで形成し
た他の構成電極より極端に高く、集中して発熱し易くな
る。一部の熱は層間の絶縁膜を挟み、熱伝導率の高い金
属薄膜であるゲート電極やソース電極を伝わり、周辺に
拡散して行くのであるが、薄膜トランジスタ基板１のベ
ースとなる素材が熱伝導率の低いガラスであるため、大
部分の熱は発熱素子の近傍で蓄積されたままになる。結
果として、近傍の半導体素子，配線，液晶，配向膜，シ
ール材などの構成材料は、常時、周辺環境温度より高い
温度にさらされることになる。
辺回路に比較して消費電力が大きくなる傾向がある。す
ると回路を構成する素子内においては、ポリシリコン薄
膜トランジスタの半導体層の抵抗が、Ａｌなどで形成し
た他の構成電極より極端に高く、集中して発熱し易くな
る。一部の熱は層間の絶縁膜を挟み、熱伝導率の高い金
属薄膜であるゲート電極やソース電極を伝わり、周辺に
拡散して行くのであるが、薄膜トランジスタ基板１のベ
ースとなる素材が熱伝導率の低いガラスであるため、大
部分の熱は発熱素子の近傍で蓄積されたままになる。結
果として、近傍の半導体素子，配線，液晶，配向膜，シ
ール材などの構成材料は、常時、周辺環境温度より高い
温度にさらされることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置で
は、発熱素子による恒常的な熱ストレスによって様々な
課題が生じてくる。
は、発熱素子による恒常的な熱ストレスによって様々な
課題が生じてくる。
【０００７】課題の主なものは、温度加速性のある信頼
性劣化である。その一つは、ＭＯＳデバイスの場合、ゲ
ート電極に高温雰囲気中で負電圧を印加した場合に生ず
る特性変動、いわゆるスロートラップが問題になってく
る。これはＢ−Ｔストレスにより、シリコンと酸化膜界
面に形成される固定電荷や界面準位によるものと一般的
に考えられている。ｐチャネルＭＯＳトランジスタの場
合はゲートに負のバイアスを印加して使用するので、こ
の特性変動つまりマイナス方向へのしきい値電圧Ｖｔの
シフトが起こる。その結果、トランジスタの書き込み能
力が不足し、動作電圧マージンの劣化や、最悪の場合、
回路の動作が停止してしまうといった致命的な問題とな
る恐れがある。
性劣化である。その一つは、ＭＯＳデバイスの場合、ゲ
ート電極に高温雰囲気中で負電圧を印加した場合に生ず
る特性変動、いわゆるスロートラップが問題になってく
る。これはＢ−Ｔストレスにより、シリコンと酸化膜界
面に形成される固定電荷や界面準位によるものと一般的
に考えられている。ｐチャネルＭＯＳトランジスタの場
合はゲートに負のバイアスを印加して使用するので、こ
の特性変動つまりマイナス方向へのしきい値電圧Ｖｔの
シフトが起こる。その結果、トランジスタの書き込み能
力が不足し、動作電圧マージンの劣化や、最悪の場合、
回路の動作が停止してしまうといった致命的な問題とな
る恐れがある。
【０００８】また、熱加速のある信頼性劣化はそればか
りではなく、液晶表示装置を構成する様々な材料にも悪
影響を及ぼす。例えば、配線材料に用いることの多いＡ
ｌに対する熱ストレスマイグレーションや腐食の加速、
液晶材料の電荷保持率低下や加水分解の促進による気泡
の発生など、表示品位の劣化に大きな影響を与える。
りではなく、液晶表示装置を構成する様々な材料にも悪
影響を及ぼす。例えば、配線材料に用いることの多いＡ
ｌに対する熱ストレスマイグレーションや腐食の加速、
液晶材料の電荷保持率低下や加水分解の促進による気泡
の発生など、表示品位の劣化に大きな影響を与える。
【０００９】この発明は、発熱素子による恒常的な熱ス
トレスによる悪影響を防ぐことができる液晶表示装置を
提供することを目的とする。
トレスによる悪影響を防ぐことができる液晶表示装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
装置は、周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置であっ
て、周辺駆動回路の発熱素子に放熱用素子を接続したこ
とを特徴とするものである。
装置は、周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置であっ
て、周辺駆動回路の発熱素子に放熱用素子を接続したこ
とを特徴とするものである。
【００１１】請求項１記載の液晶表示装置によると、発
熱素子周辺への熱ストレスを非影響領域に拡散させるこ
とができる。よって、消費電力が大きく、自らが内部発
熱素子となって周囲への影響が懸念されるような素子で
あっても、熱の影響を最小限にとどめることができ、素
子の特性劣化や、構成材料の劣化が緩和され、信頼性の
高い駆動特性と画像表示品位を得ることができる。
熱素子周辺への熱ストレスを非影響領域に拡散させるこ
とができる。よって、消費電力が大きく、自らが内部発
熱素子となって周囲への影響が懸念されるような素子で
あっても、熱の影響を最小限にとどめることができ、素
子の特性劣化や、構成材料の劣化が緩和され、信頼性の
高い駆動特性と画像表示品位を得ることができる。
【００１２】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
において、放熱用素子が、周辺駆動回路を構成する金属
薄膜からなることを特徴とするものである。
において、放熱用素子が、周辺駆動回路を構成する金属
薄膜からなることを特徴とするものである。
【００１３】請求項２記載の液晶表示装置によると、請
求項１の作用に加え、液晶表示装置の形成と同時に放熱
用素子を形成することができ、製造工程の共通化が図れ
る。
求項１の作用に加え、液晶表示装置の形成と同時に放熱
用素子を形成することができ、製造工程の共通化が図れ
る。
【００１４】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項１
において、放熱用素子を、対向基板が重畳しない領域に
形成したことを特徴とするものである。
において、放熱用素子を、対向基板が重畳しない領域に
形成したことを特徴とするものである。
【００１５】請求項３記載の液晶表示装置によると、請
求項１の作用に加え、放熱用素子に対向基板が重畳して
いないので、空気対流による熱放射効率が向上する。
求項１の作用に加え、放熱用素子に対向基板が重畳して
いないので、空気対流による熱放射効率が向上する。
【００１６】請求項４記載の液晶表示装置は、請求項１
において、放熱用素子が、基板上の実装端子を介して外
付けされたヒートシンクからなることを特徴とするもの
である。
において、放熱用素子が、基板上の実装端子を介して外
付けされたヒートシンクからなることを特徴とするもの
である。
【００１７】請求項４記載の液晶表示装置によると、請
求項１の作用に加え、外付けしたヒートシンクにより熱
放射効率が向上する。
求項１の作用に加え、外付けしたヒートシンクにより熱
放射効率が向上する。
【００１８】請求項５記載の液晶表示装置は、請求項１
において、放熱用素子を、対向基板上に形成したことを
特徴とするものである。
において、放熱用素子を、対向基板上に形成したことを
特徴とするものである。
【００１９】請求項５記載の液晶表示装置によると、請
求項１の作用に加え、対向基板上に放熱用素子を形成し
たので、半導体素子の存在しない対向基板側に熱を移動
させることができる。
求項１の作用に加え、対向基板上に放熱用素子を形成し
たので、半導体素子の存在しない対向基板側に熱を移動
させることができる。
【００２０】請求項６記載の液晶表示装置は、請求項１
において、放熱用素子を、対向基板上でかつ周辺駆動回
路を形成した基板と重畳しない領域に形成したことを特
徴とするものである。
において、放熱用素子を、対向基板上でかつ周辺駆動回
路を形成した基板と重畳しない領域に形成したことを特
徴とするものである。
【００２１】請求項６記載の液晶表示装置によると、請
求項１の作用に加え、半導体素子の存在しない対向基板
側に熱を移動させることができ、しかも基板が重畳して
いないので空気対流による熱放射効率が向上する。
求項１の作用に加え、半導体素子の存在しない対向基板
側に熱を移動させることができ、しかも基板が重畳して
いないので空気対流による熱放射効率が向上する。
【００２２】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態 この発明の第１の実施の形態を図１を用いて説明する。
【００２３】図１は、液晶表示装置のポリシリコン薄膜
トランジスタ基板の概略図であり、図４と同一部分は同
一符号を付してその詳細な説明を省略する。
トランジスタ基板の概略図であり、図４と同一部分は同
一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００２４】図１において、１はポリシリコン薄膜トラ
ンジスタ基板、２は対向基板であり、画素領域３を中心
にＸ側スキャン回路５とＸ側バッファ回路６から構成さ
れた走査信号駆動回路４が走査信号線７で画素領域３の
ゲート電極と接続されている。同様に、Ｙ側スキャン回
路９とＹ側バッファ回路１０から構成された画像信号駆
動回路８が画像信号線１１で画素領域３のソース電極と
接続されており、レベルシフタ回路１２で必要なパルス
信号の電圧レベルを変換し、それぞれの回路に入力され
るのは図４の例と同様である。
ンジスタ基板、２は対向基板であり、画素領域３を中心
にＸ側スキャン回路５とＸ側バッファ回路６から構成さ
れた走査信号駆動回路４が走査信号線７で画素領域３の
ゲート電極と接続されている。同様に、Ｙ側スキャン回
路９とＹ側バッファ回路１０から構成された画像信号駆
動回路８が画像信号線１１で画素領域３のソース電極と
接続されており、レベルシフタ回路１２で必要なパルス
信号の電圧レベルを変換し、それぞれの回路に入力され
るのは図４の例と同様である。
【００２５】ここでレベルシフタ回路１２には、薄膜ト
ランジスタを構成する配線層を形成する金属薄膜を用い
た放熱板パターン（放熱用素子）１４が接続されてい
る。放熱板パターン１４は、ポリシリコン薄膜トランジ
スタ基板１上に直接形成されているが、空気に触れる面
積を大きくさせ、熱放射の効率を向上させるために、対
向基板２が重畳しない領域１５に形成されている。この
対向基板２が重畳しない領域１５は、通常、ＦＰＣ１３
を実装する領域を確保するため、一般的に存在するもの
である。
ランジスタを構成する配線層を形成する金属薄膜を用い
た放熱板パターン（放熱用素子）１４が接続されてい
る。放熱板パターン１４は、ポリシリコン薄膜トランジ
スタ基板１上に直接形成されているが、空気に触れる面
積を大きくさせ、熱放射の効率を向上させるために、対
向基板２が重畳しない領域１５に形成されている。この
対向基板２が重畳しない領域１５は、通常、ＦＰＣ１３
を実装する領域を確保するため、一般的に存在するもの
である。
【００２６】この時、放熱板パターン１４上の絶縁膜を
除去し、金属面をむき出しにすることで放熱効率を向上
させることも可能である。また、放熱板パターン１４の
表面には、シリコン樹脂などで保護コートを行うことも
あるが、放熱効率を優先させる場合は行なわなくてもよ
い。
除去し、金属面をむき出しにすることで放熱効率を向上
させることも可能である。また、放熱板パターン１４の
表面には、シリコン樹脂などで保護コートを行うことも
あるが、放熱効率を優先させる場合は行なわなくてもよ
い。
【００２７】このように構成された液晶表示装置による
と、レベルシフタ回路１２が内部発熱素子として発熱が
避けられない場合であっても、放熱板パターン１４を熱
伝導率の高い金属薄膜にて、周辺素子に影響の無い対向
基板２が重畳しない領域１５に引き出して形成すること
で、非影響領域との熱交換を促進させ、重要素子の温度
ストレスを緩和することができる。その結果として、温
度ストレス加速のある信頼性劣化現象を最小限にとどめ
ることが可能となり、高い信頼性と画像表示品位の液晶
表示装置を得ることができる。
と、レベルシフタ回路１２が内部発熱素子として発熱が
避けられない場合であっても、放熱板パターン１４を熱
伝導率の高い金属薄膜にて、周辺素子に影響の無い対向
基板２が重畳しない領域１５に引き出して形成すること
で、非影響領域との熱交換を促進させ、重要素子の温度
ストレスを緩和することができる。その結果として、温
度ストレス加速のある信頼性劣化現象を最小限にとどめ
ることが可能となり、高い信頼性と画像表示品位の液晶
表示装置を得ることができる。
【００２８】また、液晶表示装置の配線層を形成する金
属薄膜を用いた放熱板パターン１４としたので、液晶表
示装置の形成と同時に放熱板パターン１４を形成するこ
とができ、製造工程の共通化が図れる。
属薄膜を用いた放熱板パターン１４としたので、液晶表
示装置の形成と同時に放熱板パターン１４を形成するこ
とができ、製造工程の共通化が図れる。
【００２９】さらに、放熱板パターン１４を対向基板２
が重畳しない領域１５に形成したので、空気対流による
熱放射効率が向上する。
が重畳しない領域１５に形成したので、空気対流による
熱放射効率が向上する。
【００３０】なお、前記実施の形態の液晶表示装置で
は、放熱板パターン１４を対向基板２が重畳しない領域
１５に形成した例を示したが、それ以外の領域に十分に
スペースがあり、周辺の素子に影響の無い距離を確保で
きる場合には、特に設置箇所を限定する必要はない。ま
た、発熱素子をレベルシフタ回路１２としたが、放熱さ
せる対象の発熱素子をレベルシフタ回路１２に限定せ
ず、全ての自己発熱素子に適用できる。
は、放熱板パターン１４を対向基板２が重畳しない領域
１５に形成した例を示したが、それ以外の領域に十分に
スペースがあり、周辺の素子に影響の無い距離を確保で
きる場合には、特に設置箇所を限定する必要はない。ま
た、発熱素子をレベルシフタ回路１２としたが、放熱さ
せる対象の発熱素子をレベルシフタ回路１２に限定せ
ず、全ての自己発熱素子に適用できる。
【００３１】第２の実施の形態 この発明の第２の実施の形態を図２を用いて説明する。
【００３２】図２は、液晶表示装置のポリシリコン薄膜
トランジスタ基板の概略図であり、図１および図４と同
一部分は同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
トランジスタ基板の概略図であり、図１および図４と同
一部分は同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００３３】この実施の形態は、発熱素子１６から熱伝
導率の高い金属などで形成した放熱配線１７で対向基板
２が重畳しない領域１５に引き出し、放熱チップ実装端
子１８を形成した上に、放熱用素子となる放熱チップ
（ヒートシンク）１９を実装したものである。放熱チッ
プ１９は、ＣＯＧ工法などによりポリシリコン薄膜トラ
ンジスタ基板１に直接実装されている。
導率の高い金属などで形成した放熱配線１７で対向基板
２が重畳しない領域１５に引き出し、放熱チップ実装端
子１８を形成した上に、放熱用素子となる放熱チップ
（ヒートシンク）１９を実装したものである。放熱チッ
プ１９は、ＣＯＧ工法などによりポリシリコン薄膜トラ
ンジスタ基板１に直接実装されている。
【００３４】放熱チップ１９としては、熱伝導率の高い
金属等の材料にてＩＣチップのような大きさ、例えば
１．５ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ程度の板状のものや、表
面積を大きくして熱交換率を高めるため、表面に凹凸を
形成したような構造のものであったり、特に形状は限定
されるものではない。
金属等の材料にてＩＣチップのような大きさ、例えば
１．５ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ程度の板状のものや、表
面積を大きくして熱交換率を高めるため、表面に凹凸を
形成したような構造のものであったり、特に形状は限定
されるものではない。
【００３５】このように構成された液晶表示装置による
と、第１の実施の形態に記載の効果に加え、熱の影響を
懸念する素子が存在する基板の外側に、より効率よく熱
を逃がすことが可能となり、温度ストレスの緩和に非常
に有効である。
と、第１の実施の形態に記載の効果に加え、熱の影響を
懸念する素子が存在する基板の外側に、より効率よく熱
を逃がすことが可能となり、温度ストレスの緩和に非常
に有効である。
【００３６】なお、第２の実施の形態の液晶表示装置で
は、放熱チップ１９をＣＯＧ工法などで独立して実装す
る場合を示したが、放熱配線１７をＦＰＣ実装部２０ま
で引き出し、ＦＰＣ１３自身を放熱体として利用しても
よい。ＦＰＣ１３は、大面積の金属リード線を元々具備
しているので、有効な放熱体として機能する。
は、放熱チップ１９をＣＯＧ工法などで独立して実装す
る場合を示したが、放熱配線１７をＦＰＣ実装部２０ま
で引き出し、ＦＰＣ１３自身を放熱体として利用しても
よい。ＦＰＣ１３は、大面積の金属リード線を元々具備
しているので、有効な放熱体として機能する。
【００３７】第３の実施の形態 この発明の第３の実施の形態を図３を用いて説明する。
【００３８】図３は、液晶表示装置のポリシリコン薄膜
トランジスタ基板の概略図であり、図１，図２および図
４と同一部分は同一符号を付してその詳細な説明を省略
する。
トランジスタ基板の概略図であり、図１，図２および図
４と同一部分は同一符号を付してその詳細な説明を省略
する。
【００３９】この実施の形態では、発熱素子１６から放
熱配線１７を経て、対向への接続端子２１を介して導電
ペーストで対向基板２に接続している。対向基板２側に
は、対向基板内放熱パターン２２が基板端に帯状に形成
されている。この時、対向基板内放熱パターン２２は、
対向基板２上に遮光の目的で形成されているブラックマ
トリクス用のＣｒ薄膜と対向電極となるＩＴＯ薄膜の２
層で形成する。この両層は、対向基板がカラーフィルタ
ーである場合には一般的である。対向基板内放熱パター
ン２２が、シールパターン２３よりも外側で、かつポリ
シリコン薄膜トランジスタ基板１に重畳させないように
外側に張り出した部分に形成しているのは、内側に充填
した液晶材料や、配向膜材料への影響を小さくする目的
と、空気との熱交換を効率的にさせるためである。
熱配線１７を経て、対向への接続端子２１を介して導電
ペーストで対向基板２に接続している。対向基板２側に
は、対向基板内放熱パターン２２が基板端に帯状に形成
されている。この時、対向基板内放熱パターン２２は、
対向基板２上に遮光の目的で形成されているブラックマ
トリクス用のＣｒ薄膜と対向電極となるＩＴＯ薄膜の２
層で形成する。この両層は、対向基板がカラーフィルタ
ーである場合には一般的である。対向基板内放熱パター
ン２２が、シールパターン２３よりも外側で、かつポリ
シリコン薄膜トランジスタ基板１に重畳させないように
外側に張り出した部分に形成しているのは、内側に充填
した液晶材料や、配向膜材料への影響を小さくする目的
と、空気との熱交換を効率的にさせるためである。
【００４０】このように構成された液晶表示装置による
と、対向基板２側に熱を逃がすことで、ポリシリコン薄
膜トランジスタ基板１側に存在する半導体素子の劣化を
防ぐと共に、液晶，配向膜材料への悪影響も防止できる
ため、温度ストレスの緩和に有効である。
と、対向基板２側に熱を逃がすことで、ポリシリコン薄
膜トランジスタ基板１側に存在する半導体素子の劣化を
防ぐと共に、液晶，配向膜材料への悪影響も防止できる
ため、温度ストレスの緩和に有効である。
【００４１】なお、第３の実施の形態の液晶表示装置
は、対向基板２側に熱を拡散させる構成であるから、さ
らに対向基板２をクーリングするために、金属フレーム
等を外部から対向基板内放熱パターン２２に接触させる
ような構造とすることで、より有効な放熱効果が期待で
きる。
は、対向基板２側に熱を拡散させる構成であるから、さ
らに対向基板２をクーリングするために、金属フレーム
等を外部から対向基板内放熱パターン２２に接触させる
ような構造とすることで、より有効な放熱効果が期待で
きる。
【００４２】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示装置によると、
発熱素子周辺への熱ストレスを非影響領域に拡散させる
ことができる。よって、消費電力が大きく、自らが内部
発熱素子となって周囲への影響が懸念されるような素子
であっても、熱の影響を最小限にとどめることができ、
素子の特性劣化や、構成材料の劣化が緩和され、信頼性
の高い駆動特性と画像表示品位を得ることができる。
発熱素子周辺への熱ストレスを非影響領域に拡散させる
ことができる。よって、消費電力が大きく、自らが内部
発熱素子となって周囲への影響が懸念されるような素子
であっても、熱の影響を最小限にとどめることができ、
素子の特性劣化や、構成材料の劣化が緩和され、信頼性
の高い駆動特性と画像表示品位を得ることができる。
【００４３】請求項２記載の液晶表示装置によると、請
求項１の効果に加え、液晶表示装置を形成すると同時に
放熱用素子を形成することができ、製造工程の共通化が
図れる。
求項１の効果に加え、液晶表示装置を形成すると同時に
放熱用素子を形成することができ、製造工程の共通化が
図れる。
【００４４】請求項３記載の液晶表示装置によると、請
求項１の効果に加え、空気対流による熱放射効率が向上
する。
求項１の効果に加え、空気対流による熱放射効率が向上
する。
【００４５】請求項４記載の液晶表示装置によると、請
求項１の効果に加え、外付けしたヒートシンクにより熱
放射効率が向上する。
求項１の効果に加え、外付けしたヒートシンクにより熱
放射効率が向上する。
【００４６】請求項５記載の液晶表示装置によると、請
求項１の効果に加え、対向基板上に放熱用素子を形成し
たので、半導体素子の存在しない対向基板側に熱を移動
させることができる。
求項１の効果に加え、対向基板上に放熱用素子を形成し
たので、半導体素子の存在しない対向基板側に熱を移動
させることができる。
【００４７】請求項６記載の液晶表示装置によると、請
求項１の効果に加え、半導体素子の存在しない対向基板
側に熱を移動させることができ、しかも基板が重畳して
いないので空気対流による熱放射効率が向上する。
求項１の効果に加え、半導体素子の存在しない対向基板
側に熱を移動させることができ、しかも基板が重畳して
いないので空気対流による熱放射効率が向上する。
【図１】この発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図３】この発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図４】従来の液晶表示装置の概略構成図である。
１ ポリシリコン薄膜トランジスタ基板 ２ 対向基板 ３ 画素領域 ４ 走査信号駆動回路 ５ Ｘ側スキャン回路 ６ Ｘ側バッファ回路 ７ 走査信号線 ８ 画像信号駆動回路 ９ Ｙ側スキャン回路 １０ Ｙ側バッファ回路 １１ 画像信号線 １２ レベルシフタ回路 １３ ＦＰＣ １４ 放熱板パターン １５ 対向基板が重畳しない領域 １６ 発熱素子 １７ 放熱配線 １８ 放熱チップ実装端子 １９ 放熱チップ（ヒートシンク） ２０ ＦＰＣ実装部 ２１ 対向への接続端子 ２２ 対向基板内放熱パターン ２３ シールパターン
Claims (6)
- 【請求項１】 周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置で
あって、前記周辺駆動回路の発熱素子に放熱用素子を接
続したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 放熱用素子が、周辺駆動回路を構成する
金属薄膜からなることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項３】 放熱用素子を、対向基板が重畳しない領
域に形成したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項４】 放熱用素子が、基板上の実装端子を介し
て外付けされたヒートシンクからなることを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 放熱用素子を、対向基板上に形成したこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 放熱用素子を、対向基板上でかつ周辺駆
動回路を形成した基板と重畳しない領域に形成したこと
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31287998A JP2000137211A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31287998A JP2000137211A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000137211A true JP2000137211A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18034549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31287998A Pending JP2000137211A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000137211A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004334114A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学パネルの駆動回路並びにこれを備えた電気光学装置及び電子機器 |
| JP2007065457A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Nec Corp | 液晶表示装置及び投射型液晶表示装置 |
| JP2007199393A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
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| JP2012208522A (ja) * | 2012-07-17 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2014170834A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体の放熱構造およびこれを用いたオーディオ装置 |
| US9123682B2 (en) | 2012-05-09 | 2015-09-01 | Joled Inc. | Light-emitting device |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP31287998A patent/JP2000137211A/ja active Pending
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