JP2000133623A - 平坦化方法及び平坦化装置 - Google Patents
平坦化方法及び平坦化装置Info
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- JP2000133623A JP2000133623A JP30714598A JP30714598A JP2000133623A JP 2000133623 A JP2000133623 A JP 2000133623A JP 30714598 A JP30714598 A JP 30714598A JP 30714598 A JP30714598 A JP 30714598A JP 2000133623 A JP2000133623 A JP 2000133623A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な平坦化特性を得る。
【解決手段】 下地パターン３２に応じた凹凸が形成さ
れた被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程
と、この砥石研削処理が行われた被処理基板に対して洗
浄処理を行う工程と、この洗浄処理が行われた被処理基
板表面に対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有す
る。
れた被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程
と、この砥石研削処理が行われた被処理基板に対して洗
浄処理を行う工程と、この洗浄処理が行われた被処理基
板表面に対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械研磨
（ＣＭＰ）を用いた平坦化方法及び平坦化装置、特に半
導体装置の製造工程に用いる平坦化方法及び平坦化装置
に関する。
（ＣＭＰ）を用いた平坦化方法及び平坦化装置、特に半
導体装置の製造工程に用いる平坦化方法及び平坦化装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＭＰは、半導体装置の製造工程におい
て層間絶縁膜の平坦化等に広く用いられており、ＳＯＧ
塗布、レジストエッチバック、ＢＰＳＧメルトといった
他の平坦化技術に比べて優れた平坦化特性を有してい
る。しかし、ＣＭＰを用いた場合、凹部の面積が広い場
合に良好な平坦化特性を得ることが困難である。したが
って、段差に比べて十分厚く成膜を行い、この厚い膜を
研磨するといった方法をとる必要があり、成膜時間や研
磨時間が長くなるといった問題がある。
て層間絶縁膜の平坦化等に広く用いられており、ＳＯＧ
塗布、レジストエッチバック、ＢＰＳＧメルトといった
他の平坦化技術に比べて優れた平坦化特性を有してい
る。しかし、ＣＭＰを用いた場合、凹部の面積が広い場
合に良好な平坦化特性を得ることが困難である。したが
って、段差に比べて十分厚く成膜を行い、この厚い膜を
研磨するといった方法をとる必要があり、成膜時間や研
磨時間が長くなるといった問題がある。
【０００３】一方、酸化セリウム砥石等を用いた研削
（砥石研削）は、凹部の面積が広い場合にも十分な平坦
化特性が得られるが、砥石に含まれる砥粒等によって試
料表面に傷が生じるという問題がある。
（砥石研削）は、凹部の面積が広い場合にも十分な平坦
化特性が得られるが、砥石に含まれる砥粒等によって試
料表面に傷が生じるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の製造工程では、平坦化技術がますます重要となって
きているが、十分な平坦化を行うことは必ずしも容易で
はなかった。本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、良好な平坦化特性が得られるとともに試料
表面の傷を低減することが可能な平坦化方法及び平坦化
装置を提供することを目的としている。
置の製造工程では、平坦化技術がますます重要となって
きているが、十分な平坦化を行うことは必ずしも容易で
はなかった。本発明は上記従来の課題に対してなされた
ものであり、良好な平坦化特性が得られるとともに試料
表面の傷を低減することが可能な平坦化方法及び平坦化
装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る平坦化方法
は、下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板
表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削
処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機械研磨
（ＣＭＰ）処理を行う工程とを有することを特徴とす
る。
は、下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板
表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削
処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機械研磨
（ＣＭＰ）処理を行う工程とを有することを特徴とす
る。
【０００６】本発明によれば、被処理基板に対して砥石
研削処理を行うことにより、凹部の面積が広い場合であ
っても良好な平坦化特性を得ることができる。また、砥
石研削処理で傷が生じても化学的機械研磨処理によって
傷を取り除くことができる。よって、平坦化特性に優れ
るとともに表面荒れの少ない試料表面を得ることが可能
となる。
研削処理を行うことにより、凹部の面積が広い場合であ
っても良好な平坦化特性を得ることができる。また、砥
石研削処理で傷が生じても化学的機械研磨処理によって
傷を取り除くことができる。よって、平坦化特性に優れ
るとともに表面荒れの少ない試料表面を得ることが可能
となる。
【０００７】なお、砥石研削処理に用いる砥石として
は、酸化セリウム砥石に代表されるボンド砥石を用いる
ことが好ましい。また、本発明に係る平坦化方法は、下
地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面に
対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が
行われた被処理基板に対して洗浄処理を行う工程と、こ
の洗浄処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機
械研磨処理を行う工程とを有することを特徴とする。
は、酸化セリウム砥石に代表されるボンド砥石を用いる
ことが好ましい。また、本発明に係る平坦化方法は、下
地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面に
対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が
行われた被処理基板に対して洗浄処理を行う工程と、こ
の洗浄処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機
械研磨処理を行う工程とを有することを特徴とする。
【０００８】本発明によれば、砥石研削処理後に試料表
面に残存する砥粒等を洗浄処理によって取り除くことが
できるため、試料表面の傷をより一層低減することが可
能となる。
面に残存する砥粒等を洗浄処理によって取り除くことが
できるため、試料表面の傷をより一層低減することが可
能となる。
【０００９】本発明に係る平坦化装置は、被処理基板表
面に対して砥石研削処理を行う砥石研削手段と、被処理
基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う化学的機械
研磨手段と、前記砥石研削手段で行う処理及び前記化学
的機械研磨手段で行う処理を含む複数の処理のシーケン
スを制御する制御手段とを有することを特徴とする。
面に対して砥石研削処理を行う砥石研削手段と、被処理
基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う化学的機械
研磨手段と、前記砥石研削手段で行う処理及び前記化学
的機械研磨手段で行う処理を含む複数の処理のシーケン
スを制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る平坦化装置は、被処理
基板表面に対して砥石研削処理を行う砥石研削手段と、
被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄手段と、被処理
基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う化学的機械
研磨手段と、前記砥石研削手段で行う処理、前記洗浄手
段で行う処理及び前記化学的機械研磨手段で行う処理を
含む複数の処理のシーケンスを制御する制御手段とを有
することを特徴とする。
基板表面に対して砥石研削処理を行う砥石研削手段と、
被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄手段と、被処理
基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う化学的機械
研磨手段と、前記砥石研削手段で行う処理、前記洗浄手
段で行う処理及び前記化学的機械研磨手段で行う処理を
含む複数の処理のシーケンスを制御する制御手段とを有
することを特徴とする。
【００１１】前記平坦化装置によれば、砥石研削処理の
後に化学的機械研磨処理を行う、或いは砥石研削処理の
後に洗浄処理を行いさらにその後に化学的機械研磨処理
を行う、といった一連のシーケンスを制御手段の制御に
よって自動的に行うことが可能となり、平坦化特性に優
れるとともに表面荒れの少ない試料表面を得ることが可
能となる。
後に化学的機械研磨処理を行う、或いは砥石研削処理の
後に洗浄処理を行いさらにその後に化学的機械研磨処理
を行う、といった一連のシーケンスを制御手段の制御に
よって自動的に行うことが可能となり、平坦化特性に優
れるとともに表面荒れの少ない試料表面を得ることが可
能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。まず、図１に各種の平坦化処理を行
ったときの測定結果を示す。測定に用いた試料は、段差
が４００ｎｍのラインアンドスペースパターン（ライン
幅とスペース幅の比は１：１で、ライン幅（スペース
幅）を変化させている）上にプラズマＣＶＤによって膜
厚１μｍ程度のシリコン酸化膜を形成したものである。
この試料に対して各種平坦化処理（砥石（酸化セリウム
砥石）を用いた研削、プラスチック板を用いた研削、Ｉ
Ｃ−１０００／ＳＵＢＡ−４００の２層パッドを用いた
ＣＭＰ、ＳＵＢＡ−４００のみを用いたＣＭＰ）を行
い、凸部（ライン上）でのシリコン酸化膜の除去量を６
００ｎｍとしたときの平坦化処理後の凹部と凸部の段差
を測定した。
参照して説明する。まず、図１に各種の平坦化処理を行
ったときの測定結果を示す。測定に用いた試料は、段差
が４００ｎｍのラインアンドスペースパターン（ライン
幅とスペース幅の比は１：１で、ライン幅（スペース
幅）を変化させている）上にプラズマＣＶＤによって膜
厚１μｍ程度のシリコン酸化膜を形成したものである。
この試料に対して各種平坦化処理（砥石（酸化セリウム
砥石）を用いた研削、プラスチック板を用いた研削、Ｉ
Ｃ−１０００／ＳＵＢＡ−４００の２層パッドを用いた
ＣＭＰ、ＳＵＢＡ−４００のみを用いたＣＭＰ）を行
い、凸部（ライン上）でのシリコン酸化膜の除去量を６
００ｎｍとしたときの平坦化処理後の凹部と凸部の段差
を測定した。
【００１３】図から明らかなように、現在広く利用され
ているＩＣ−１０００／ＳＵＢＡ−４００の２層パッド
を用いたＣＭＰ等に比べて、砥石を用いた研削では平坦
化特性が非常に優れていることがわかる。
ているＩＣ−１０００／ＳＵＢＡ−４００の２層パッド
を用いたＣＭＰ等に比べて、砥石を用いた研削では平坦
化特性が非常に優れていることがわかる。
【００１４】図２は、研削・研磨処理の違いによる研削
・研磨速度の違いを示したものである。試料には図１の
測定に用いたものと同様のものを用いた。なお、ＣＭＰ
のスラリーにはＳＣ−１（シリカ粒子分散液）を３倍に
希釈したもの（ｐＨ１０．５）を用い、またＣＭＰの研
磨布にはＩＣ−１０００／ＳＵＢＡ−４００を用いた。
・研磨速度の違いを示したものである。試料には図１の
測定に用いたものと同様のものを用いた。なお、ＣＭＰ
のスラリーにはＳＣ−１（シリカ粒子分散液）を３倍に
希釈したもの（ｐＨ１０．５）を用い、またＣＭＰの研
磨布にはＩＣ−１０００／ＳＵＢＡ−４００を用いた。
【００１５】図からわかるように、酸化セリウム砥石を
用いた砥石研削では、研削速度がＣＭＰよりも速いこと
がわかる。以上のように、砥石研削では平坦化特性及び
研削速度のいずれもＣＭＰよりも優れている。平坦化特
性が優れているのは砥石が硬いためであり、研削速度が
速いことは砥粒が砥石自体に保持されているためであ
る。
用いた砥石研削では、研削速度がＣＭＰよりも速いこと
がわかる。以上のように、砥石研削では平坦化特性及び
研削速度のいずれもＣＭＰよりも優れている。平坦化特
性が優れているのは砥石が硬いためであり、研削速度が
速いことは砥粒が砥石自体に保持されているためであ
る。
【００１６】図３は、研削・研磨条件の違いによる傷
（スクラッチ）数の違いを示したものである。試料には
ウエハ上にシリコン酸化膜を成膜したもの（パターンな
し）を用い、研削・研磨処理後の試料表面のスクラッチ
数をカウントした。なお、研削或いは研磨のみの試料
（試料Ａ、Ｂ）では研削・研磨量を４００ｎｍとし、研
削後にＣＭＰを行った試料（試料Ｃ、Ｄ）では研削量４
００ｎｍ、研磨量１００ｎｍとした。また、研削後に洗
浄を行った試料（試料Ｄ）では、洗浄処理としてロール
型ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のスポンジ洗浄を行
った。
（スクラッチ）数の違いを示したものである。試料には
ウエハ上にシリコン酸化膜を成膜したもの（パターンな
し）を用い、研削・研磨処理後の試料表面のスクラッチ
数をカウントした。なお、研削或いは研磨のみの試料
（試料Ａ、Ｂ）では研削・研磨量を４００ｎｍとし、研
削後にＣＭＰを行った試料（試料Ｃ、Ｄ）では研削量４
００ｎｍ、研磨量１００ｎｍとした。また、研削後に洗
浄を行った試料（試料Ｄ）では、洗浄処理としてロール
型ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のスポンジ洗浄を行
った。
【００１７】図からわかるように、酸化セリウム砥石に
よる砥石研削のみでは、スクラッチ数が非常に多いが、
砥石研削後にＣＭＰを行ったものではスクラッチ数が大
幅に減少している。また、砥石研削後に洗浄を行い、そ
の後にＣＭＰを行ったものでは、スクラッチ数がさらに
減少していることがわかる。これは、洗浄処理をしない
場合には、研削時に砥石から分離した砥粒等がＣＭＰで
用いる研磨布に付着し、砥粒等が付着した状態でＣＭＰ
が行われるのに対し、洗浄処理を行った場合には、砥粒
等が洗浄によって除去されるためと考えられる。
よる砥石研削のみでは、スクラッチ数が非常に多いが、
砥石研削後にＣＭＰを行ったものではスクラッチ数が大
幅に減少している。また、砥石研削後に洗浄を行い、そ
の後にＣＭＰを行ったものでは、スクラッチ数がさらに
減少していることがわかる。これは、洗浄処理をしない
場合には、研削時に砥石から分離した砥粒等がＣＭＰで
用いる研磨布に付着し、砥粒等が付着した状態でＣＭＰ
が行われるのに対し、洗浄処理を行った場合には、砥粒
等が洗浄によって除去されるためと考えられる。
【００１８】以上のように、砥石研削処理を行った後に
洗浄処理によって試料表面の砥粒等を除去し、その後Ｃ
ＭＰ処理を行うことにより、良好な平坦化特性が得ら
れ、かつ試料表面の傷を少なくすることができる。
洗浄処理によって試料表面の砥粒等を除去し、その後Ｃ
ＭＰ処理を行うことにより、良好な平坦化特性が得ら
れ、かつ試料表面の傷を少なくすることができる。
【００１９】以下、上述したような平坦化方法を実現さ
せるための装置及びこの装置を用いた平坦化方法の具体
例について述べる。図４は平坦化装置の概略構成を模式
的に示したものであり、図５はこの装置を用いて平坦化
を行うときの工程を示したものである。
せるための装置及びこの装置を用いた平坦化方法の具体
例について述べる。図４は平坦化装置の概略構成を模式
的に示したものであり、図５はこの装置を用いて平坦化
を行うときの工程を示したものである。
【００２０】図４に示した平坦化装置は、以下に述べる
各モジュール等によって構成され、各モジュール等の動
作はコントローラー１１によって制御されるようになっ
ている。すなわち、コントローラー１１にプログラムさ
れた命令に基づいて各処理の手順等が制御されるように
なっている。
各モジュール等によって構成され、各モジュール等の動
作はコントローラー１１によって制御されるようになっ
ている。すなわち、コントローラー１１にプログラムさ
れた命令に基づいて各処理の手順等が制御されるように
なっている。
【００２１】１２ａ及び１２ｂは平坦化処理を行うため
の試料１３（半導体ウエハ上に半導体素子、配線パター
ン、層間絶縁膜等が形成されたもの）を保持するカセッ
ト、１４ａ及び１４ｂはカセットに保持された試料１３
を搬送する搬送ロボット、１５は試料を反転させるため
の反転機である。１６は試料表面を砥石研削処理（例え
ば、酸化セリウム砥石等のボンド砥石による研削処理）
する研削モジュール、１７は試料表面をＣＭＰ処理（例
えば、ＩＣ−１０００／ＳＵＢＡ−４００の２層パッド
を用いたＣＭＰ処理）するＣＭＰモジュールである。１
８ａ及び１８ｂは洗浄モジュール（例えば、ロール型Ｐ
ＶＡのスポンジ洗浄を行う）、１９は洗浄乾燥モジュー
ルである。
の試料１３（半導体ウエハ上に半導体素子、配線パター
ン、層間絶縁膜等が形成されたもの）を保持するカセッ
ト、１４ａ及び１４ｂはカセットに保持された試料１３
を搬送する搬送ロボット、１５は試料を反転させるため
の反転機である。１６は試料表面を砥石研削処理（例え
ば、酸化セリウム砥石等のボンド砥石による研削処理）
する研削モジュール、１７は試料表面をＣＭＰ処理（例
えば、ＩＣ−１０００／ＳＵＢＡ−４００の２層パッド
を用いたＣＭＰ処理）するＣＭＰモジュールである。１
８ａ及び１８ｂは洗浄モジュール（例えば、ロール型Ｐ
ＶＡのスポンジ洗浄を行う）、１９は洗浄乾燥モジュー
ルである。
【００２２】次に、図４に示した平坦化装置を用いて試
料表面を平坦化するときの例を説明する。ここでは、図
５（ａ）に示すように、半導体ウエハ上に半導体素子等
が形成されたものを下地基板３１とし、この下地基板３
１上に配線パターン３２及び層間絶縁膜３３（例えばシ
リコン酸化膜）が形成されているものを被処理試料とし
ている。
料表面を平坦化するときの例を説明する。ここでは、図
５（ａ）に示すように、半導体ウエハ上に半導体素子等
が形成されたものを下地基板３１とし、この下地基板３
１上に配線パターン３２及び層間絶縁膜３３（例えばシ
リコン酸化膜）が形成されているものを被処理試料とし
ている。
【００２３】まず、図５（ａ）に示すような試料をカセ
ット室内のカセット１２ａにセットする（図４の試料１
３が図５（ａ）の試料に対応）。カセット１２ａにセッ
トされた試料１３は搬送ロボット１４ｂによって反転機
１５に搬送され、反転機１５によって反転させられた
後、搬送ロボット１４ａによって研削モジュール１６ま
で搬送される。
ット室内のカセット１２ａにセットする（図４の試料１
３が図５（ａ）の試料に対応）。カセット１２ａにセッ
トされた試料１３は搬送ロボット１４ｂによって反転機
１５に搬送され、反転機１５によって反転させられた
後、搬送ロボット１４ａによって研削モジュール１６ま
で搬送される。
【００２４】研削モジュール１６にセットされた試料１
３は砥石研削処理がなされ、図５（ｂ）に示すように、
層間絶縁膜３３が所定の厚さまで研削され平坦化され
る。この砥石研削処理では、例えば砥石上に純水を供給
しながら研削を行うようにする。なお、純水以外にもア
ルカリ溶液或いは酸性溶液を供給するようにしてもよ
く、液体を供給しないで砥石研削を行うようにしてもよ
い。砥石研削が終了した試料は、搬送ロボット１４ａに
よって洗浄モジュール１８ａまで搬送される。洗浄モジ
ュール１８ａでは砥石研削で生じた砥粒等を除去し、こ
れによって試料表面が清浄化される。洗浄処理を終えた
試料は、搬送ロボット１４ａによってＣＭＰモジュール
１７まで搬送される。
３は砥石研削処理がなされ、図５（ｂ）に示すように、
層間絶縁膜３３が所定の厚さまで研削され平坦化され
る。この砥石研削処理では、例えば砥石上に純水を供給
しながら研削を行うようにする。なお、純水以外にもア
ルカリ溶液或いは酸性溶液を供給するようにしてもよ
く、液体を供給しないで砥石研削を行うようにしてもよ
い。砥石研削が終了した試料は、搬送ロボット１４ａに
よって洗浄モジュール１８ａまで搬送される。洗浄モジ
ュール１８ａでは砥石研削で生じた砥粒等を除去し、こ
れによって試料表面が清浄化される。洗浄処理を終えた
試料は、搬送ロボット１４ａによってＣＭＰモジュール
１７まで搬送される。
【００２５】ＣＭＰモジュール１７にセットされた試料
はＣＭＰ処理がなされ、図５（ｃ）に示すように、層間
絶縁膜３３が所定の厚さ研磨され、砥石研削で生じた傷
等が除去される。ＣＭＰが終了した試料は、搬送ロボッ
ト１４ａによって洗浄モジュール１８ｂまで搬送され、
所定の洗浄処理が行われる。この洗浄処理がなされた試
料は搬送ロボット１４ａによって反転機１５まで搬送さ
れ、反転機１５によって反転させられた後、搬送ロボッ
ト１４ｂによって洗浄乾燥モジュール１９まで搬送され
る。洗浄乾燥モジュール１９で洗浄及び乾燥がなされた
試料は、搬送ロボット１４ｂによってカセット室内に戻
され、工程が終了する。
はＣＭＰ処理がなされ、図５（ｃ）に示すように、層間
絶縁膜３３が所定の厚さ研磨され、砥石研削で生じた傷
等が除去される。ＣＭＰが終了した試料は、搬送ロボッ
ト１４ａによって洗浄モジュール１８ｂまで搬送され、
所定の洗浄処理が行われる。この洗浄処理がなされた試
料は搬送ロボット１４ａによって反転機１５まで搬送さ
れ、反転機１５によって反転させられた後、搬送ロボッ
ト１４ｂによって洗浄乾燥モジュール１９まで搬送され
る。洗浄乾燥モジュール１９で洗浄及び乾燥がなされた
試料は、搬送ロボット１４ｂによってカセット室内に戻
され、工程が終了する。
【００２６】なお、上述した例では、砥石研削処理を行
った後に洗浄処理を行い、その後にＣＭＰ処理を行うよ
うにしたが、砥石研削処理を行った後、洗浄処理を行わ
ずにＣＭＰ処理を行うようにしてもよい。
った後に洗浄処理を行い、その後にＣＭＰ処理を行うよ
うにしたが、砥石研削処理を行った後、洗浄処理を行わ
ずにＣＭＰ処理を行うようにしてもよい。
【００２７】また、上述した例は配線の段差に基づく層
間絶縁膜の凹凸を平坦化するものであったが、下地パタ
ーンの段差に応じた凹凸を平坦化する工程であれば上述
したのと同様の方法を適用することが可能である。例え
ば、絶縁膜に配線用の溝を形成しておき、この溝が形成
された下地上に配線材料を形成し、この配線材料を溝内
に選択的に残置させて配線を形成する、いわゆるダマシ
ン配線工程にも上述したのと同様の方法を適用すること
が可能である。すなわち、配線材料を溝内に埋め込んで
平坦化する際に、上述した砥石研削処理、洗浄処理及び
ＣＭＰ処理を用いることが可能である。
間絶縁膜の凹凸を平坦化するものであったが、下地パタ
ーンの段差に応じた凹凸を平坦化する工程であれば上述
したのと同様の方法を適用することが可能である。例え
ば、絶縁膜に配線用の溝を形成しておき、この溝が形成
された下地上に配線材料を形成し、この配線材料を溝内
に選択的に残置させて配線を形成する、いわゆるダマシ
ン配線工程にも上述したのと同様の方法を適用すること
が可能である。すなわち、配線材料を溝内に埋め込んで
平坦化する際に、上述した砥石研削処理、洗浄処理及び
ＣＭＰ処理を用いることが可能である。
【００２８】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、
その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施
することが可能である。
が、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、
その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施
することが可能である。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、砥石研削処理の後に化
学的機械研磨処理を行う、或いは砥石研削処理の後に洗
浄処理を行いさらにその後に化学的機械研磨処理を行う
ことにより、平坦化特性に優れるとともに表面荒れの少
ない試料表面を得ることが可能となる。
学的機械研磨処理を行う、或いは砥石研削処理の後に洗
浄処理を行いさらにその後に化学的機械研磨処理を行う
ことにより、平坦化特性に優れるとともに表面荒れの少
ない試料表面を得ることが可能となる。
【図１】各種平坦化処理の違いによる平坦化処理終了後
の段差の違いについて、その測定結果を示した図。
の段差の違いについて、その測定結果を示した図。
【図２】研削・研磨処理の違いによる研削・研磨速度の
違いについて、その測定結果を示した図。
違いについて、その測定結果を示した図。
【図３】研削・研磨条件の違いによるスクラッチ数の違
いについて、その測定結果を示した図。
いについて、その測定結果を示した図。
【図４】本発明に係る平坦化装置の概略構成を模式的に
示した図。
示した図。
【図５】本発明に係る平坦化方法の一例について示した
図。
図。
１１…コントローラー １２ａ、１２ｂ…カセット １３…試料 １４ａ、１４ｂ…搬送ロボット １５…反転機 １６…研削モジュール １７…ＣＭＰモジュール １８ａ、１８ｂ…洗浄モジュール １９…洗浄乾燥モジュール ３１…下地基板 ３２…配線パターン ３３…層間絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｍ Ｆターム(参考） 3C034 AA08 AA13 AA17 BB15 BB84 BB87 DD10 3C043 BA09 CC04 CC07 3C058 AA04 AA07 AA18 AB03 AB08 CB01 CB03 DA12 DA17 5F043 DD12 DD16 FF07 FF10 GG02
Claims (4)
- 【請求項１】下地パターンに応じた凹凸が形成された被
処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この
砥石研削処理が行われた被処理基板表面に対して化学的
機械研磨処理を行う工程とを有することを特徴とする平
坦化方法。 - 【請求項２】下地パターンに応じた凹凸が形成された被
処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この
砥石研削処理が行われた被処理基板に対して洗浄処理を
行う工程と、この洗浄処理が行われた被処理基板表面に
対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有することを
特徴とする平坦化方法。 - 【請求項３】被処理基板表面に対して砥石研削処理を行
う砥石研削手段と、被処理基板表面に対して化学的機械
研磨処理を行う化学的機械研磨手段と、前記砥石研削手
段で行う処理及び前記化学的機械研磨手段で行う処理を
含む複数の処理のシーケンスを制御する制御手段とを有
することを特徴とする平坦化装置。 - 【請求項４】被処理基板表面に対して砥石研削処理を行
う砥石研削手段と、被処理基板に対して洗浄処理を行う
洗浄手段と、被処理基板表面に対して化学的機械研磨処
理を行う化学的機械研磨手段と、前記砥石研削手段で行
う処理、前記洗浄手段で行う処理及び前記化学的機械研
磨手段で行う処理を含む複数の処理のシーケンスを制御
する制御手段とを有することを特徴とする平坦化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30714598A JP2000133623A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30714598A JP2000133623A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133623A true JP2000133623A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17965584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30714598A Pending JP2000133623A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133623A (ja) |
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