JP2000111965A - 可飽和吸収体を含む波長分割多重化信号の再生装置 - Google Patents
可飽和吸収体を含む波長分割多重化信号の再生装置Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバーの様々なWDMチャンネルから
送られる様々なビームを再生するために単一で使用可能
であり、予め決定されない多数の波長によって搬送され
るWDMチャンネルを再生できる、波長分割多重光信号
の再生装置を提供する。 【解決手段】 再生される光信号は、光ファイバー
(A)から送られて、この同じ光ファイバーまたは別の
ファイバー(E)に再注入されるように構成される。こ
の装置は、波長分割多重信号を受信して対応する分散波
を自由空間に送信するための少なくとも1つの分散性媒
体(B1、B2、B3)と、前記分散波を受信して対応
する再生波を伝送するように構成された可飽和吸収体
(C)とを含む。
送られる様々なビームを再生するために単一で使用可能
であり、予め決定されない多数の波長によって搬送され
るWDMチャンネルを再生できる、波長分割多重光信号
の再生装置を提供する。 【解決手段】 再生される光信号は、光ファイバー
(A)から送られて、この同じ光ファイバーまたは別の
ファイバー(E)に再注入されるように構成される。こ
の装置は、波長分割多重信号を受信して対応する分散波
を自由空間に送信するための少なくとも1つの分散性媒
体(B1、B2、B3)と、前記分散波を受信して対応
する再生波を伝送するように構成された可飽和吸収体
(C)とを含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長分割多重化
(WDM、Wavelength Division
Multiplex)光信号の再生装置に関する。本発
明は特に、光ファイバーによる二進データの伝送システ
ムに適用される。
(WDM、Wavelength Division
Multiplex)光信号の再生装置に関する。本発
明は特に、光ファイバーによる二進データの伝送システ
ムに適用される。
【0002】
【従来の技術】光ファイバー内を伝わる光信号は、通信
ノードや他の遠隔通信に適合された光装置内で光損失を
被って変更される。従って、蓄積される不要ノイズ、信
号のひずみや時間のずれを補償するには、信号を再生す
ることが必要である。
ノードや他の遠隔通信に適合された光装置内で光損失を
被って変更される。従って、蓄積される不要ノイズ、信
号のひずみや時間のずれを補償するには、信号を再生す
ることが必要である。
【0003】現在、提案されている再生装置は、光学電
気式のものでも全光学式のものでも、全ての多重化WD
Mチャンネルについて並列に多重化信号を再生可能にす
ることは難しい。
気式のものでも全光学式のものでも、全ての多重化WD
Mチャンネルについて並列に多重化信号を再生可能にす
ることは難しい。
【0004】市販されている光学電気式再生装置は、電
気変換部−電気処理部−光変換部から構成される。この
タイプの装置は、電気の領域で処理する前に光信号を検
出する。こうした信号の電気処理は、信号のひずみを補
償し、いわゆる「2R、Reshaping、Resy
nchronization」(再成形、再同期)の再
生を行うことができる。再生された信号は次に、信号を
増幅するレーザにより再送信される。このようにして、
いわゆる「3R、Reshaping、Resynch
ronization、Reamplificatio
n」(再成形、再同期、再増幅)の再生を行う。
気変換部−電気処理部−光変換部から構成される。この
タイプの装置は、電気の領域で処理する前に光信号を検
出する。こうした信号の電気処理は、信号のひずみを補
償し、いわゆる「2R、Reshaping、Resy
nchronization」(再成形、再同期)の再
生を行うことができる。再生された信号は次に、信号を
増幅するレーザにより再送信される。このようにして、
いわゆる「3R、Reshaping、Resynch
ronization、Reamplificatio
n」(再成形、再同期、再増幅)の再生を行う。
【0005】しかしながら、このタイプの装置は、WD
M信号を再生するために直接使用することはできない。
何故なら、この装置は、実際には信号の光パワー全体、
すなわちWDMチャンネル全体のパワーを検出するから
である。
M信号を再生するために直接使用することはできない。
何故なら、この装置は、実際には信号の光パワー全体、
すなわちWDMチャンネル全体のパワーを検出するから
である。
【0006】その結果、全てのチャンネルを処理できる
ようにするには、予め波長分割デマルチプレクス操作を
行わなければならない。従って、この場合、波長分割多
重信号を再生するには、各WDMチャンネルに対して光
学電気再生装置の使用が必要になる。このため、WDM
チャンネルと同数の再生装置を使用しなければならな
い。
ようにするには、予め波長分割デマルチプレクス操作を
行わなければならない。従って、この場合、波長分割多
重信号を再生するには、各WDMチャンネルに対して光
学電気再生装置の使用が必要になる。このため、WDM
チャンネルと同数の再生装置を使用しなければならな
い。
【0007】さらに、他の全光学式再生装置が検討され
てきた。実際には、これらの装置は、導波光回路であ
る。これらは、光ファイバーから送られる再生すべき光
信号を注入しなければならない非線形特性を持つ導波ス
トリップを含む。このために、導波ストリップと光ファ
イバーは一直線に並んでいなければならない。この解決
法は、実際、WDMチャンネルと同数のファイバースプ
ライスを必要とする。かくして、たとえば再生すべき光
信号が16個のWDMチャンネルを含む場合、光信号の
16個のチャンネルを再生可能にするには、導波帯を備
えた同数のチップか、16個の導波ストリップを含む光
ICが必要である。いずれの場合にも、これらの解決方
法はあまりにも高価すぎる。
てきた。実際には、これらの装置は、導波光回路であ
る。これらは、光ファイバーから送られる再生すべき光
信号を注入しなければならない非線形特性を持つ導波ス
トリップを含む。このために、導波ストリップと光ファ
イバーは一直線に並んでいなければならない。この解決
法は、実際、WDMチャンネルと同数のファイバースプ
ライスを必要とする。かくして、たとえば再生すべき光
信号が16個のWDMチャンネルを含む場合、光信号の
16個のチャンネルを再生可能にするには、導波帯を備
えた同数のチップか、16個の導波ストリップを含む光
ICが必要である。いずれの場合にも、これらの解決方
法はあまりにも高価すぎる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導波原理に
基づくのではなく、チャンネル数に従った多数のファイ
バースプライスの問題を回避できる全光学式再生装置を
提案することによって、上記の欠点を解消できる。さら
に、本発明によれば、光ファイバーの様々なWDMチャ
ンネルから送られる様々なビームを再生するために、単
一の再生装置を使用することができる。本発明はまた、
再生装置が、予め決定されない多数の波長によって搬送
されるWDMチャンネルを再生できるようにすることを
目的とする。本発明により、各WDMチャンネルについ
て1個の再生装置を使用しなくともよくなり、信号処理
時の同期の制約から解放される。
基づくのではなく、チャンネル数に従った多数のファイ
バースプライスの問題を回避できる全光学式再生装置を
提案することによって、上記の欠点を解消できる。さら
に、本発明によれば、光ファイバーの様々なWDMチャ
ンネルから送られる様々なビームを再生するために、単
一の再生装置を使用することができる。本発明はまた、
再生装置が、予め決定されない多数の波長によって搬送
されるWDMチャンネルを再生できるようにすることを
目的とする。本発明により、各WDMチャンネルについ
て1個の再生装置を使用しなくともよくなり、信号処理
時の同期の制約から解放される。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は特に、波長分割
多重信号を受信して、対応する分散波を自由空間に送信
するための分散性媒体と、前記分散波を第1の面で受信
して、対応する再生波を伝送するように構成された可飽
和吸収体とを含むことを特徴とする波長分割多重光信号
の再生装置に関する。
多重信号を受信して、対応する分散波を自由空間に送信
するための分散性媒体と、前記分散波を第1の面で受信
して、対応する再生波を伝送するように構成された可飽
和吸収体とを含むことを特徴とする波長分割多重光信号
の再生装置に関する。
【0010】本発明による装置によって、多重化光信号
を再生し、特に、全てのWDMチャンネルに対して、同
期の制約なしに同時に信号を再成形することができる。
光ファイバーから送られる波は、装置の分散性媒体によ
って、チャンネルの波長に応じる異なる複数地点で、可
飽和吸収プレートに焦点を合わせられる。従って、本発
明による装置は、波長の連続帯域全体について、WDM
チャンネルを分離及び再生することができる。
を再生し、特に、全てのWDMチャンネルに対して、同
期の制約なしに同時に信号を再成形することができる。
光ファイバーから送られる波は、装置の分散性媒体によ
って、チャンネルの波長に応じる異なる複数地点で、可
飽和吸収プレートに焦点を合わせられる。従って、本発
明による装置は、波長の連続帯域全体について、WDM
チャンネルを分離及び再生することができる。
【0011】本発明の別の特徴によれば、装置はさら
に、可飽和吸収体の出口に、分散かつ再生された波を再
結合するための別の分散性媒体を含む。
に、可飽和吸収体の出口に、分散かつ再生された波を再
結合するための別の分散性媒体を含む。
【0012】本発明のもう1つの目的はまた、再生装置
で使用可能な可飽和吸収体に関する。現在、市販されて
いる可飽和吸収体は、次のような2つの異なる方法で製
造されている。
で使用可能な可飽和吸収体に関する。現在、市販されて
いる可飽和吸収体は、次のような2つの異なる方法で製
造されている。
【0013】第1の方法は、活性層すなわち吸収層を、
低温で成長させることからなる。この活性層は一般に、
たとえばAlGaAs型またはInGaAs型の三元材
料からなり、量子井戸を含む。しかしながら低温での成
長中に、励起子線を劣化する凝塊が材料中に形成され
る。励起子線の劣化がひどくなると、自由キャリヤの再
結合が妨げられることがある。事実、こうした低温での
成長法は、Be(ベリリウム)を追加ドーピングし、励
起子線があまりにひどく劣化しないようにすることが必
要であるが、このようなドーピングは、可飽和吸収体の
コストを高くすることになる。
低温で成長させることからなる。この活性層は一般に、
たとえばAlGaAs型またはInGaAs型の三元材
料からなり、量子井戸を含む。しかしながら低温での成
長中に、励起子線を劣化する凝塊が材料中に形成され
る。励起子線の劣化がひどくなると、自由キャリヤの再
結合が妨げられることがある。事実、こうした低温での
成長法は、Be(ベリリウム)を追加ドーピングし、励
起子線があまりにひどく劣化しないようにすることが必
要であるが、このようなドーピングは、可飽和吸収体の
コストを高くすることになる。
【0014】第2の方法は、再結合中心を導入して、光
子により形成されたキャリヤが高速で再結合できるよう
にするために、吸収層のイオン照射を行うことからな
る。実際に、イオン打ち込みは、キャリヤの寿命τを短
縮することができ、すなわち再結合の速度を速めること
ができる。しかしながら、イオン照射は、励起子線を広
げる傾向があるので、これによって再結合の効率が減
る。そのためにイオン打ち込み率の妥協を図ることによ
って、キャリヤの寿命τを1ピコ秒(ps)程度に充分
に短くし、再結合の効率を妥当なものにし、すなわち残
留損失を殆どなくさなければならない。
子により形成されたキャリヤが高速で再結合できるよう
にするために、吸収層のイオン照射を行うことからな
る。実際に、イオン打ち込みは、キャリヤの寿命τを短
縮することができ、すなわち再結合の速度を速めること
ができる。しかしながら、イオン照射は、励起子線を広
げる傾向があるので、これによって再結合の効率が減
る。そのためにイオン打ち込み率の妥協を図ることによ
って、キャリヤの寿命τを1ピコ秒(ps)程度に充分
に短くし、再結合の効率を妥当なものにし、すなわち残
留損失を殆どなくさなければならない。
【0015】さらに、従来の可飽和吸収体では、吸収層
が比較的厚い。実際、その厚みは2〜5μmである。こ
のような厚みでエピタクシーにより多数の量子井戸を持
つ層を成長させると、可飽和吸収体の製造コストを同様
に著しく上げることになる。
が比較的厚い。実際、その厚みは2〜5μmである。こ
のような厚みでエピタクシーにより多数の量子井戸を持
つ層を成長させると、可飽和吸収体の製造コストを同様
に著しく上げることになる。
【0016】これら全ての問題を回避するために、本発
明は、可飽和吸収体の2つの実施形態を提案する。
明は、可飽和吸収体の2つの実施形態を提案する。
【0017】第1の実施形態は、人工的な再結合中心を
形成するために、制御された方法で活性層の結晶構造に
転位を導入することからなる。こうすると、複雑で高価
な技術であるイオン照射を避けられる。このため、たと
えばInPの保護層で被覆した吸収層の上に、保護層の
構成材料すなわちこの実施形態ではInPと格子が整合
しない材料を成長させる。InP上に成長させる材料
は、たとえばヒ化ガリウム(GaAs)からなる。In
Pと格子が整合しないこのような材料(GaAs)が成
長すると、2つの材料の間の境界に応力が発生する。応
力は、InP保護層に転位を出現させ、この転位が活性
層に広がる。
形成するために、制御された方法で活性層の結晶構造に
転位を導入することからなる。こうすると、複雑で高価
な技術であるイオン照射を避けられる。このため、たと
えばInPの保護層で被覆した吸収層の上に、保護層の
構成材料すなわちこの実施形態ではInPと格子が整合
しない材料を成長させる。InP上に成長させる材料
は、たとえばヒ化ガリウム(GaAs)からなる。In
Pと格子が整合しないこのような材料(GaAs)が成
長すると、2つの材料の間の境界に応力が発生する。応
力は、InP保護層に転位を出現させ、この転位が活性
層に広がる。
【0018】第1の実施形態を補足する第2の実施形態
は、可飽和吸収体の製造コストを下げるために、活性層
の厚みを薄くすることからなる。このため、活性層の両
側に活性層と平行して2個のミラーを配置する。かくし
て活性層を通過する光波は、多数回の反射を被るので何
回も吸収される。その結果として、活性層の厚さは、反
射の回数に対応する率だけ薄くすることができる。
は、可飽和吸収体の製造コストを下げるために、活性層
の厚みを薄くすることからなる。このため、活性層の両
側に活性層と平行して2個のミラーを配置する。かくし
て活性層を通過する光波は、多数回の反射を被るので何
回も吸収される。その結果として、活性層の厚さは、反
射の回数に対応する率だけ薄くすることができる。
【0019】本発明の他の特徴および長所は、添付図面
に関して限定的ではなく例として挙げられた説明を読め
ば明らかになるだろう。
に関して限定的ではなく例として挙げられた説明を読め
ば明らかになるだろう。
【0020】
【発明の実施の形態】図1は、本発明による再生装置の
第1の実施形態を示している。この実施形態は、光ファ
イバーAから送られる波長分割多重光信号が、本発明に
よる装置により再生されてから、出力ファイバーと称さ
れる別の光ファイバーEに再注入されている。
第1の実施形態を示している。この実施形態は、光ファ
イバーAから送られる波長分割多重光信号が、本発明に
よる装置により再生されてから、出力ファイバーと称さ
れる別の光ファイバーEに再注入されている。
【0021】図1に示された再生装置は、分散性媒体を
含み、この分散性媒体が、光ファイバーAから送られる
波長分割多重信号を受信して、対応する分散波を自由空
間に送信することができる。この自由空間は、少なくと
も二次元である。分散性媒体は、たとえば、格子B2の
両側に配置された2個のレンズB1、B3を含む。
含み、この分散性媒体が、光ファイバーAから送られる
波長分割多重信号を受信して、対応する分散波を自由空
間に送信することができる。この自由空間は、少なくと
も二次元である。分散性媒体は、たとえば、格子B2の
両側に配置された2個のレンズB1、B3を含む。
【0022】より一般的には、分散性要素は、従来技術
から既知の様々な構成を有することができる。そのため
分散性要素は、たとえばレンズ−格子の組み合わせであ
ったり、プリズムであったりする。
から既知の様々な構成を有することができる。そのため
分散性要素は、たとえばレンズ−格子の組み合わせであ
ったり、プリズムであったりする。
【0023】再生装置はさらに、分散波を受信して対応
する再生波を伝送するように配置された可飽和吸収体C
を含む。この可飽和吸収体については、図3a、図3b
に関する説明のなかで詳述する。
する再生波を伝送するように配置された可飽和吸収体C
を含む。この可飽和吸収体については、図3a、図3b
に関する説明のなかで詳述する。
【0024】ファイバーAから送られる光信号は、レン
ズB1によって格子B2に投影される。この格子B2
は、異なる波長の複数の光ビームに光信号を分割すると
ともに、前記格子の分散係数Dと前記光ビームの波長と
に依存する角度に応じて、各光ビームを偏向することが
できる。次に、格子B2の出口に配置される第2のレン
ズB3が、格子によって偏向された各光ビームを集束
し、可飽和吸収体Cに光点を形成する役目をする。各光
ビームに関連付けられる光点は、実際には、可飽和吸収
体Cの場所xに焦点が合わせられ、この場所xは、格子
B2の分散係数と、偏向される光ビームの波長とに依存
する。従って、可飽和吸収体Cにおいて集束される光点
は、光信号の各波長に対応する。
ズB1によって格子B2に投影される。この格子B2
は、異なる波長の複数の光ビームに光信号を分割すると
ともに、前記格子の分散係数Dと前記光ビームの波長と
に依存する角度に応じて、各光ビームを偏向することが
できる。次に、格子B2の出口に配置される第2のレン
ズB3が、格子によって偏向された各光ビームを集束
し、可飽和吸収体Cに光点を形成する役目をする。各光
ビームに関連付けられる光点は、実際には、可飽和吸収
体Cの場所xに焦点が合わせられ、この場所xは、格子
B2の分散係数と、偏向される光ビームの波長とに依存
する。従って、可飽和吸収体Cにおいて集束される光点
は、光信号の各波長に対応する。
【0025】多重光信号は、こうした単一の再生装置に
より異なる波長の光ビームを、連続して分割することが
できる。従って、この場合、各WDMチャンネルにつき
1個の再生装置を使用して光ビームの再生を同期するこ
とは不要である。実際、本発明による装置は、波長多重
化光信号を並列に且つ連続して再生することができる。
より異なる波長の光ビームを、連続して分割することが
できる。従って、この場合、各WDMチャンネルにつき
1個の再生装置を使用して光ビームの再生を同期するこ
とは不要である。実際、本発明による装置は、波長多重
化光信号を並列に且つ連続して再生することができる。
【0026】他方で、図1に示した再生装置は、可飽和
吸収体Cの出口で分散及び再生される波を再結合するた
めの別の分散性媒体を含む。再生及び再結合された波
は、次に出力ファイバーEに再注入される。この場合、
第2の分散性媒体もまた、格子G2の両側に配置された
2個のレンズG1、G3から構成することができる。
吸収体Cの出口で分散及び再生される波を再結合するた
めの別の分散性媒体を含む。再生及び再結合された波
は、次に出力ファイバーEに再注入される。この場合、
第2の分散性媒体もまた、格子G2の両側に配置された
2個のレンズG1、G3から構成することができる。
【0027】さらに、分散性媒体B1、B2、B3およ
びG1、G2、G3と、可飽和吸収体Cは、好適にはハ
ウジング内に固定される。このハウジングは、分かりや
すくするために図1では省いている。
びG1、G2、G3と、可飽和吸収体Cは、好適にはハ
ウジング内に固定される。このハウジングは、分かりや
すくするために図1では省いている。
【0028】図2は、本発明による再生装置の第2の実
施形態である。同じ構成要素を示す場合には、図1と同
じ参照符号を用いている。この第2の再生装置は、入力
光ファイバーAに、再生された信号を反射して戻すこと
ができる。このタイプの再生装置は、安価でかさばらな
いために、一定の場合には有利なことがある。
施形態である。同じ構成要素を示す場合には、図1と同
じ参照符号を用いている。この第2の再生装置は、入力
光ファイバーAに、再生された信号を反射して戻すこと
ができる。このタイプの再生装置は、安価でかさばらな
いために、一定の場合には有利なことがある。
【0029】再生された信号を反射可能にするには、可
飽和吸収体プレートCが、第2の面C1に、反射コーテ
ィングまたはブラッグミラーを含む。一般に、この第2
の面は、この面が受ける入力波の伝播方向に垂直になる
ように選択される。
飽和吸収体プレートCが、第2の面C1に、反射コーテ
ィングまたはブラッグミラーを含む。一般に、この第2
の面は、この面が受ける入力波の伝播方向に垂直になる
ように選択される。
【0030】一方で、この場合には、たとえばサーキュ
レータFなどの空間セパレータを、光ファイバーAの他
端に配置することが必要である。実際、サーキュレータ
Fは、一方向に進む再生されるべき光信号を、反対方向
に進む再生された光信号から分離することができる。
レータFなどの空間セパレータを、光ファイバーAの他
端に配置することが必要である。実際、サーキュレータ
Fは、一方向に進む再生されるべき光信号を、反対方向
に進む再生された光信号から分離することができる。
【0031】変形実施形態では、使用される可飽和吸収
体は、図4a〜図4cに関して後述するような多重反射
吸収体である。
体は、図4a〜図4cに関して後述するような多重反射
吸収体である。
【0032】ファイバーAから出るWDMチャンネルの
各光ビームは、可飽和吸収体Cの一点に焦点を合わされ
る。この焦点の位置xは、格子B2の分散係数Dにより
決定され、また対応する光ビームの波長にも依存する。
従って、可飽和吸収体Cの軸Xにおけるこの位置xは、
次の式によって与えられる:x=Dλ+K。ここで、D
は、格子B2の分散係数、λは、格子B2により偏向さ
れてレンズB3によりこの地点xに焦点を合わせる光ビ
ームの波長、Kは定数である。
各光ビームは、可飽和吸収体Cの一点に焦点を合わされ
る。この焦点の位置xは、格子B2の分散係数Dにより
決定され、また対応する光ビームの波長にも依存する。
従って、可飽和吸収体Cの軸Xにおけるこの位置xは、
次の式によって与えられる:x=Dλ+K。ここで、D
は、格子B2の分散係数、λは、格子B2により偏向さ
れてレンズB3によりこの地点xに焦点を合わせる光ビ
ームの波長、Kは定数である。
【0033】可飽和吸収体の材料は、光パワーが高けれ
ば高いほど透明である。各チャンネルの光信号はパワー
変調されるので、可飽和吸収体Cが光パワーパルスを受
信すると、可飽和吸収体Cは、透明になってパルスを透
過させる。反対に、パルス間に存在する弱いパワーの不
要ノイズに対しては、可飽和吸収体Cが吸収体になるた
めに、このノイズを減衰させる。
ば高いほど透明である。各チャンネルの光信号はパワー
変調されるので、可飽和吸収体Cが光パワーパルスを受
信すると、可飽和吸収体Cは、透明になってパルスを透
過させる。反対に、パルス間に存在する弱いパワーの不
要ノイズに対しては、可飽和吸収体Cが吸収体になるた
めに、このノイズを減衰させる。
【0034】従って本発明による再生装置は、信号を再
成形し、消光率を改善することができる。しかも、本発
明による装置の前にファイバー増幅器を配置すると、
「2R」(再成形と再増幅)の再生を行うことができ
る。
成形し、消光率を改善することができる。しかも、本発
明による装置の前にファイバー増幅器を配置すると、
「2R」(再成形と再増幅)の再生を行うことができ
る。
【0035】本発明のもう1つの目的は、本発明による
再生装置で使用可能な可飽和吸収体の作製に関する。図
3a、図3bに示された第1の実施形態による可飽和吸
収体は、図1に示された本発明による再生装置の製造に
特に適合するものである。図4a〜図4cに示された第
2の実施形態によるもう1つの可飽和吸収体は、図2に
示された本発明による第2の再生装置の製造に特に適合
する。勿論、これらの可飽和吸収体の使用は、本発明に
よる再生装置に制限されるものではなく、他のタイプの
信号再生装置、あるいは電気吸収変調器の光ゲートまた
はジグザグ導波路を構成する場合にも使用可能である。
再生装置で使用可能な可飽和吸収体の作製に関する。図
3a、図3bに示された第1の実施形態による可飽和吸
収体は、図1に示された本発明による再生装置の製造に
特に適合するものである。図4a〜図4cに示された第
2の実施形態によるもう1つの可飽和吸収体は、図2に
示された本発明による第2の再生装置の製造に特に適合
する。勿論、これらの可飽和吸収体の使用は、本発明に
よる再生装置に制限されるものではなく、他のタイプの
信号再生装置、あるいは電気吸収変調器の光ゲートまた
はジグザグ導波路を構成する場合にも使用可能である。
【0036】図3a、図3bに示した可飽和吸収体10
の第1の実施形態は、人工的な再結合中心を導入するた
めに、活性層(または吸収層)11の結晶構造に転位1
6を制御された方法で成長させることからなる。吸収体
10の活性層11は一般に、たとえばInGaAsまた
はAlGaAsなどの三元材料からなり、複数の量子井
戸を含む。活性層11は緩衝層12の上に堆積され、緩
衝層12は、それ自体が基体13の上に堆積されてい
る。活性層11はまた、一般にはIII−V材料、特に
リン化インジウム(InP)からなる保護層14で被覆
されている。吸収層11の結晶構造に転位16を形成
し、その密度を制御するために、保護層14の上に、保
護層14の構成材料すなわちこの実施形態ではInPと
格子が整合しない材料15を成長させる。この材料15
は、たとえば変成ヒ化ガリウム(GaAs)である。G
aAsの格子定数aGaAsは0.565nmであり、
0.587nmであるInPの格子定数aInPとは異
なる。こうした格子定数の差によって、2個の材料間に
格子の不整合が生まれるのである。
の第1の実施形態は、人工的な再結合中心を導入するた
めに、活性層(または吸収層)11の結晶構造に転位1
6を制御された方法で成長させることからなる。吸収体
10の活性層11は一般に、たとえばInGaAsまた
はAlGaAsなどの三元材料からなり、複数の量子井
戸を含む。活性層11は緩衝層12の上に堆積され、緩
衝層12は、それ自体が基体13の上に堆積されてい
る。活性層11はまた、一般にはIII−V材料、特に
リン化インジウム(InP)からなる保護層14で被覆
されている。吸収層11の結晶構造に転位16を形成
し、その密度を制御するために、保護層14の上に、保
護層14の構成材料すなわちこの実施形態ではInPと
格子が整合しない材料15を成長させる。この材料15
は、たとえば変成ヒ化ガリウム(GaAs)である。G
aAsの格子定数aGaAsは0.565nmであり、
0.587nmであるInPの格子定数aInPとは異
なる。こうした格子定数の差によって、2個の材料間に
格子の不整合が生まれるのである。
【0037】2個の材料間の格子の不整合によって、I
nPからなる保護層14とGaAsからなる上層15と
の境界に応力が発生する。これらの応力により、InP
層14に転位が出現し、この転位が活性層11に広が
る。
nPからなる保護層14とGaAsからなる上層15と
の境界に応力が発生する。これらの応力により、InP
層14に転位が出現し、この転位が活性層11に広が
る。
【0038】形成された欠陥の密度は、キャリヤの寿命
と再結合速度とに関連し、次の式によって表される。 (1)欠陥が一次元の媒質で形成されるときL=τv/
2 (2)欠陥が二次元の媒質で形成されるときL=τv ここで、Lは、欠陥の線密度の逆数、τは、キャリヤの
寿命、vは、再結合速度を示す。
と再結合速度とに関連し、次の式によって表される。 (1)欠陥が一次元の媒質で形成されるときL=τv/
2 (2)欠陥が二次元の媒質で形成されるときL=τv ここで、Lは、欠陥の線密度の逆数、τは、キャリヤの
寿命、vは、再結合速度を示す。
【0039】この目的は、高速の可飽和吸収体を得るこ
と、すなわちキャリヤを1ピコ秒程度の短い寿命にする
ことにあるので、上記の式から、この結果を得るために
活性層に組み込むべき欠陥の密度を計算する。かくし
て、寿命τ=1psを得るには、欠陥の線密度の逆数L
が、50nmでなければならず、寿命τ=1.2psを
得るには、L=60nmでなければならない。
と、すなわちキャリヤを1ピコ秒程度の短い寿命にする
ことにあるので、上記の式から、この結果を得るために
活性層に組み込むべき欠陥の密度を計算する。かくし
て、寿命τ=1psを得るには、欠陥の線密度の逆数L
が、50nmでなければならず、寿命τ=1.2psを
得るには、L=60nmでなければならない。
【0040】図3bは、この変形実施形態による可飽和
吸収体を示す。この実施形態では、活性層11が、In
P保護層14a、14b、14cにより互いに分離され
た、多数の量子井戸を持つ三元材料の複数部分11a、
11b、11cに分割されている。活性層11a、11
b、11cは、距離λ/4だけ互いに分離されている。
吸収層11をこのように分割することにより、吸収効率
が改善される。事実、装置の表面に垂直に入る光は干渉
縞を形成し、最大の干渉縞は、λ/4だけ互いに分離さ
れて、吸収層の部分11a、11b、11cに配置され
る。
吸収体を示す。この実施形態では、活性層11が、In
P保護層14a、14b、14cにより互いに分離され
た、多数の量子井戸を持つ三元材料の複数部分11a、
11b、11cに分割されている。活性層11a、11
b、11cは、距離λ/4だけ互いに分離されている。
吸収層11をこのように分割することにより、吸収効率
が改善される。事実、装置の表面に垂直に入る光は干渉
縞を形成し、最大の干渉縞は、λ/4だけ互いに分離さ
れて、吸収層の部分11a、11b、11cに配置され
る。
【0041】一方で、活性層11における転位の形成を
さらに促進して、GaAs上層15を過度に厚く堆積し
すぎて吸収体の製造コストを上げないようにするため
に、GaAs材料をドープすることができる。詳細な説
明の末尾に添付した表2は、温度450゜Cで、GaA
s層のドーピングの程度に応じて、InP保護層14
(または14a)に厚さ290nmのGaAs層15を
成長させるときに得られる結果をまとめている。
さらに促進して、GaAs上層15を過度に厚く堆積し
すぎて吸収体の製造コストを上げないようにするため
に、GaAs材料をドープすることができる。詳細な説
明の末尾に添付した表2は、温度450゜Cで、GaA
s層のドーピングの程度に応じて、InP保護層14
(または14a)に厚さ290nmのGaAs層15を
成長させるときに得られる結果をまとめている。
【0042】表2によれば、GaAs層に複数のp型キ
ャリヤ(サンプルNo.3)をドープする場合、活性層
11の構造は欠陥を含まない。というのも欠陥はこの層
まで広がらず、励起子線の輪郭が狭いからである。従っ
て、このタイプのドーピングは、活性層内に転位を形成
することができない。
ャリヤ(サンプルNo.3)をドープする場合、活性層
11の構造は欠陥を含まない。というのも欠陥はこの層
まで広がらず、励起子線の輪郭が狭いからである。従っ
て、このタイプのドーピングは、活性層内に転位を形成
することができない。
【0043】また、GaAs層にn型キャリヤ(サンプ
ルNo.1;5×1018cm−3のn型ドーピング)
を非常に強くドープすると、欠陥の大部分が活性層11
にあり、励起子線が広がりすぎて再結合の適切な効率が
得られない。
ルNo.1;5×1018cm−3のn型ドーピング)
を非常に強くドープすると、欠陥の大部分が活性層11
にあり、励起子線が広がりすぎて再結合の適切な効率が
得られない。
【0044】事実、獲得しようとする結果は、表2のサ
ンプルNO.2に対応し、この場合には、適切な量の欠
陥が活性層に形成され、励起子線はそれほど広がりすぎ
ない。従って活性層における転位の存在は、GaAs層
の厚さに関連するだけではなく(欠陥密度は、GaAs
層の厚みが増すにつれて高くなる)、このGaAs層の
ドーピングの程度にもまた関連する。
ンプルNO.2に対応し、この場合には、適切な量の欠
陥が活性層に形成され、励起子線はそれほど広がりすぎ
ない。従って活性層における転位の存在は、GaAs層
の厚さに関連するだけではなく(欠陥密度は、GaAs
層の厚みが増すにつれて高くなる)、このGaAs層の
ドーピングの程度にもまた関連する。
【0045】より一般的には、活性層における転位の成
長の制御は、GaAs層15の成長条件、特に成長中の
温度サイクル、その厚さおよびドーピングの程度に依存
する。さらに、活性層における転位密度は、またInp
保護層14の厚さにも依存する。これによって、活性層
内の転位密度を調整することができる。
長の制御は、GaAs層15の成長条件、特に成長中の
温度サイクル、その厚さおよびドーピングの程度に依存
する。さらに、活性層における転位密度は、またInp
保護層14の厚さにも依存する。これによって、活性層
内の転位密度を調整することができる。
【0046】かくして、GaAs層15の成長温度は、
好適には400゜C〜500゜Cである。この層15の
厚さは、好適には0.1μmを越え、GaAs層15へ
のn型キャリヤのドーピングは、0〜4×1018cm
−3、保護層14の厚さは、好適には0〜1μmであ
る。
好適には400゜C〜500゜Cである。この層15の
厚さは、好適には0.1μmを越え、GaAs層15へ
のn型キャリヤのドーピングは、0〜4×1018cm
−3、保護層14の厚さは、好適には0〜1μmであ
る。
【0047】上記の転位を伴う可飽和吸収体は、図1に
示したような本発明による第1の再生装置で使用でき
る。
示したような本発明による第1の再生装置で使用でき
る。
【0048】本発明による可飽和吸収体の第2の実施形
態は、図4a〜図4cによって示している。この実施形
態は、活性層21の両側でこの層に平行に少なくとも2
個のミラー24、25を配置し、活性層を通過する光波
の多数回の反射を発生するようにすることからなる。活
性層21は、従来と同様に三元材料、特にInGaAs
またはAlGaAsで製造され、多数の量子井戸を備え
る。多数回の反射により、光波は活性層21を複数回に
わたって通過し、吸収される。その結果、多数回の反射
を行うことによって、活性層の厚みを薄くすることがで
きる。事実、たとえば可飽和吸収体が光波の反射を10
回実施できる場合、光波が活性層により10回続けて吸
収されるので、この可飽和吸収体により得られる結果
は、活性層の厚さが十倍厚い従来の可飽和吸収体で得ら
れる結果に匹敵するものになる。吸収層21の厚みを薄
することにより、エピタキシャルによる成長時間が短縮
されるので、可飽和吸収体の製造コストを下げることが
できる。
態は、図4a〜図4cによって示している。この実施形
態は、活性層21の両側でこの層に平行に少なくとも2
個のミラー24、25を配置し、活性層を通過する光波
の多数回の反射を発生するようにすることからなる。活
性層21は、従来と同様に三元材料、特にInGaAs
またはAlGaAsで製造され、多数の量子井戸を備え
る。多数回の反射により、光波は活性層21を複数回に
わたって通過し、吸収される。その結果、多数回の反射
を行うことによって、活性層の厚みを薄くすることがで
きる。事実、たとえば可飽和吸収体が光波の反射を10
回実施できる場合、光波が活性層により10回続けて吸
収されるので、この可飽和吸収体により得られる結果
は、活性層の厚さが十倍厚い従来の可飽和吸収体で得ら
れる結果に匹敵するものになる。吸収層21の厚みを薄
することにより、エピタキシャルによる成長時間が短縮
されるので、可飽和吸収体の製造コストを下げることが
できる。
【0049】図4aの構成から、この可飽和吸収体20
の構造をいっそう理解することができる。この図は、活
性層21、すなわち多数の量子井戸を備えた三元材料か
らなる吸収層を含む。この活性層21は、たとえばIn
Pの緩衝層22の上に堆積され、緩衝層自体22が、た
とえばInPからなる基体27の上に堆積されている。
活性層21はさらに、たとえばInPなどのIII−V
材料からなる保護層23で被覆されている。緩衝層2
2、活性層21及び保護層23は、積層31を形成し、
積層31の厚みlは、多数の反射を問題なく行うのに充
分なものでなければならない。この厚みlの条件につい
ては後述する。
の構造をいっそう理解することができる。この図は、活
性層21、すなわち多数の量子井戸を備えた三元材料か
らなる吸収層を含む。この活性層21は、たとえばIn
Pの緩衝層22の上に堆積され、緩衝層自体22が、た
とえばInPからなる基体27の上に堆積されている。
活性層21はさらに、たとえばInPなどのIII−V
材料からなる保護層23で被覆されている。緩衝層2
2、活性層21及び保護層23は、積層31を形成し、
積層31の厚みlは、多数の反射を問題なく行うのに充
分なものでなければならない。この厚みlの条件につい
ては後述する。
【0050】多数の反射を行えるようにするには、少な
くとも2個のミラー24、25を、活性層21の両側、
特に積層31の両側に配置する。この2つのミラーを、
活性層21に平行になるように配置する。
くとも2個のミラー24、25を、活性層21の両側、
特に積層31の両側に配置する。この2つのミラーを、
活性層21に平行になるように配置する。
【0051】下部ミラー25は、基板27に穴28を開
けた後に堆積する。この穴28は、たとえば化学エッチ
ングにより形成される。この場合、緩衝層22と基体2
7との間に障壁層が設けられる。変形実施形態では、穴
28はまた、従来のドライエッチングにより形成しても
よい。しかし、この場合には、エッチングの深さが数1
00μmを越えてはならない。
けた後に堆積する。この穴28は、たとえば化学エッチ
ングにより形成される。この場合、緩衝層22と基体2
7との間に障壁層が設けられる。変形実施形態では、穴
28はまた、従来のドライエッチングにより形成しても
よい。しかし、この場合には、エッチングの深さが数1
00μmを越えてはならない。
【0052】下部ミラー25と上部ミラー24との双方
は、金か、多層誘電体または多層半導体(ブラッグミラ
ー)からなる。従って可飽和吸収体20に注入される光
点26は、点(S1S2)から出る前に2個のミラーの
間で複数回の反射を受ける。多数回の反射により、光波
が活性層21を複数回にわたって通過することができ
る。その結果、厚みが0.1〜0.5μmで4〜8個の
量子井戸しかもたない吸収層21を含むこの吸収体は、
活性層の厚みが2〜5μmで50〜80個の量子井戸を
有する従来の可飽和吸収体と同様の結果を得ることがで
きる。活性層の厚みを薄くし、従って量子井戸の数を減
らすことにより、可飽和吸収体の製造コストを著しく下
げることができる。
は、金か、多層誘電体または多層半導体(ブラッグミラ
ー)からなる。従って可飽和吸収体20に注入される光
点26は、点(S1S2)から出る前に2個のミラーの
間で複数回の反射を受ける。多数回の反射により、光波
が活性層21を複数回にわたって通過することができ
る。その結果、厚みが0.1〜0.5μmで4〜8個の
量子井戸しかもたない吸収層21を含むこの吸収体は、
活性層の厚みが2〜5μmで50〜80個の量子井戸を
有する従来の可飽和吸収体と同様の結果を得ることがで
きる。活性層の厚みを薄くし、従って量子井戸の数を減
らすことにより、可飽和吸収体の製造コストを著しく下
げることができる。
【0053】積層31の全体の厚さlは、多数回の反射
を障害なく形成するのに充分なものでなければならな
い。この厚さは、好適には2μm以上である。空気中へ
の入射ビームの角方向の開きΔi、またはInP材料中
への角方向の開きΔθ、ならびに入射ビームの空間的な
照射面積(S1S2)は、予め値を定めた以下のパラメ
ータ、すなわちミラーの一方への反射回数r、2個のミ
ラーの間に含まれる積層の全体の厚さlにより計算し
た。この実施形態では、上部ミラー24の長さmを15
μm、入射角θを6゜とした。
を障害なく形成するのに充分なものでなければならな
い。この厚さは、好適には2μm以上である。空気中へ
の入射ビームの角方向の開きΔi、またはInP材料中
への角方向の開きΔθ、ならびに入射ビームの空間的な
照射面積(S1S2)は、予め値を定めた以下のパラメ
ータ、すなわちミラーの一方への反射回数r、2個のミ
ラーの間に含まれる積層の全体の厚さlにより計算し
た。この実施形態では、上部ミラー24の長さmを15
μm、入射角θを6゜とした。
【0054】入射角θの極限値は、入射光の2つの偏光
モードの間で1dB(デシベル)未満の吸収差に対して
8゜で計算した。この極限値は、材料における角方向の
開きに対してΔθ=2゜の上限を課す。その結果、入射
角θが小さい場合、すなわち極限値が8゜未満である場
合、光の偏光に対する吸収体の感度は1dB未満である
ので、可飽和吸収体は、偏光を感知しないものとみな
す。反対に、反射角θが増加して8゜を越える場合に
は、偏光に対する感度が増加するのでもはやこれを無視
することができない。
モードの間で1dB(デシベル)未満の吸収差に対して
8゜で計算した。この極限値は、材料における角方向の
開きに対してΔθ=2゜の上限を課す。その結果、入射
角θが小さい場合、すなわち極限値が8゜未満である場
合、光の偏光に対する吸収体の感度は1dB未満である
ので、可飽和吸収体は、偏光を感知しないものとみな
す。反対に、反射角θが増加して8゜を越える場合に
は、偏光に対する感度が増加するのでもはやこれを無視
することができない。
【0055】入射角度θの値は、次の式により決定され
る。
る。
【0056】
【数1】 さらに、入射ビームにより照射される空間面積S1S2
は、この角度θ、上部ミラー24の長さm、積層31の
全体の厚さl、反射回数rに依存する。また特に、次の
式により決定される。
は、この角度θ、上部ミラー24の長さm、積層31の
全体の厚さl、反射回数rに依存する。また特に、次の
式により決定される。
【0057】
【数2】 下の表は、上部ミラー24の長さmを15μm、角度θ
を6゜に定めたときの、パラメータの組み合わせ例を幾
つかまとめたものである。
を6゜に定めたときの、パラメータの組み合わせ例を幾
つかまとめたものである。
【0058】
【表1】 光点(S1S2)の寸法は、好適には約2〜3μmであ
る。光点が大きすぎると、光の一部が遮蔽されるので、
可飽和吸収体の有効性が弱まる。さらに光点の寸法が小
さすぎると、その波長よりも小さい光点に光波の焦点を
合わせることができないので、やはり適切でない。従っ
て光点(S1S2)の寸法から、積層31の全体の厚さ
lの下限値が課される。この下限は2μmである。
る。光点が大きすぎると、光の一部が遮蔽されるので、
可飽和吸収体の有効性が弱まる。さらに光点の寸法が小
さすぎると、その波長よりも小さい光点に光波の焦点を
合わせることができないので、やはり適切でない。従っ
て光点(S1S2)の寸法から、積層31の全体の厚さ
lの下限値が課される。この下限は2μmである。
【0059】図4bは、こうした多重反射可飽和吸収体
の活性部分の変形実施形態を示している。この変形実施
形態では、下部ミラー25が厚く構成される。一般に、
この厚みは、半導体を備えたブラッグミラーでは5〜1
0μm、誘電体(SiOxN y)ブラッグミラーでは1
〜3μm、金属ミラーでは0.1〜1μmである。金属
ミラーの場合、厚い金属ミラー(厚さ1μmを越える)
は、ヒートシンクの役割をする。というのも実際、金属
ミラーは、光子から形成される電子の攪拌による放出熱
を排出できるからである。
の活性部分の変形実施形態を示している。この変形実施
形態では、下部ミラー25が厚く構成される。一般に、
この厚みは、半導体を備えたブラッグミラーでは5〜1
0μm、誘電体(SiOxN y)ブラッグミラーでは1
〜3μm、金属ミラーでは0.1〜1μmである。金属
ミラーの場合、厚い金属ミラー(厚さ1μmを越える)
は、ヒートシンクの役割をする。というのも実際、金属
ミラーは、光子から形成される電子の攪拌による放出熱
を排出できるからである。
【0060】図4cは、多重反射可飽和吸収体の活性部
分の別の変形実施形態を示している。この変形実施形態
では、下部ミラー15が同様に非常に厚く、ヒートシン
クの役割を果たしている。この変形実施形態は、入射角
θが8゜を越えており、可飽和吸収体20が光の偏光を
感知するようにするためには充分に大きい状態を表して
いる。この場合、可飽和吸収体に偏光を感知させないよ
うにしておくには、偏光を反転できる外部装置30を使
用する。外部装置30を、2個の上部ミラー24と29
の間に配置する。このようにして、下部ミラー25と第
1の上部ミラー24との間で吸収体を通過する第1の通
過時に、光波が複数の反射を受ける。この第1の吸収体
の通過時に、光の偏光モードの一方、たとえばTEモー
ドは他方のモードよりも優先され、すなわち活性層21
によってより多く吸収される。次いで光波は、外部装置
30により処理される。すなわち偏光が反転されてか
ら、可飽和吸収体20に再注入されて、下部ミラー25
と第2の上部ミラー29との間で吸収体を通過する第2
の通過時に、更なる反射を受ける。この第2の吸収体の
通過時に、光の偏光が逆転されるので、今度は他方の偏
光モード(実施形態ではTMモード)が優先される。こ
のようにして、光の様々な偏光モードがバランスをとっ
て吸収され、可飽和吸収体は光の偏光を感知しなくな
る。
分の別の変形実施形態を示している。この変形実施形態
では、下部ミラー15が同様に非常に厚く、ヒートシン
クの役割を果たしている。この変形実施形態は、入射角
θが8゜を越えており、可飽和吸収体20が光の偏光を
感知するようにするためには充分に大きい状態を表して
いる。この場合、可飽和吸収体に偏光を感知させないよ
うにしておくには、偏光を反転できる外部装置30を使
用する。外部装置30を、2個の上部ミラー24と29
の間に配置する。このようにして、下部ミラー25と第
1の上部ミラー24との間で吸収体を通過する第1の通
過時に、光波が複数の反射を受ける。この第1の吸収体
の通過時に、光の偏光モードの一方、たとえばTEモー
ドは他方のモードよりも優先され、すなわち活性層21
によってより多く吸収される。次いで光波は、外部装置
30により処理される。すなわち偏光が反転されてか
ら、可飽和吸収体20に再注入されて、下部ミラー25
と第2の上部ミラー29との間で吸収体を通過する第2
の通過時に、更なる反射を受ける。この第2の吸収体の
通過時に、光の偏光が逆転されるので、今度は他方の偏
光モード(実施形態ではTMモード)が優先される。こ
のようにして、光の様々な偏光モードがバランスをとっ
て吸収され、可飽和吸収体は光の偏光を感知しなくな
る。
【0061】この可飽和吸収体20の別の改善例では、
外部装置30に、半導体光増幅器を付加することができ
る。この増幅器は、第1の吸収体の通過時に吸収された
光を増幅し、吸収体への2回の光の注入に対してパワー
を同じレベルに維持できるようにする。
外部装置30に、半導体光増幅器を付加することができ
る。この増幅器は、第1の吸収体の通過時に吸収された
光を増幅し、吸収体への2回の光の注入に対してパワー
を同じレベルに維持できるようにする。
【0062】上記の多重反射可飽和吸収体は特に、図2
に示したような本発明による第2の再生装置での使用に
適している。
に示したような本発明による第2の再生装置での使用に
適している。
【0063】
【表2】
【図1】本発明の第1の実施形態による再生装置を示す
図である。
図である。
【図2】本発明の第2の実施形態による再生装置を示す
図である。
図である。
【図3a】本発明による可飽和吸収体の第1の実施形態
の変形実施形態を示す図である。
の変形実施形態を示す図である。
【図3b】本発明による可飽和吸収体の第1の実施形態
の別の変形実施形態を示す図である。
の別の変形実施形態を示す図である。
【図4a】本発明による可飽和吸収体の第2の実施形態
を示す図である。
を示す図である。
【図4b】図4aの多重反射可飽和吸収体の活性部分の
変形実施形態を示す図である。
変形実施形態を示す図である。
【図4c】図4aの多重反射可飽和吸収体の活性部分の
他の変形実施形態を示す図である。
他の変形実施形態を示す図である。
A、E 光ファイバー C、10、20 可飽和吸収体 B2、G2 格子 B1、B3、G1、G3 レンズ 11、21 活性層または吸収層 12、22 緩衝層 13、27 基体 14、23 保護層 15 材料 16 転位 24、25 ミラー 26 光点 30 外部装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 10/18 H04J 14/00 14/02 (72)発明者 フイリツプ・パニヨツド−ロシオー フランス国、91180・サン・ジエルマン・ レ・アルパジヨン、プラス・フエルナン・ レジエ、4 (72)発明者 ポール・サレ フランス国、92140・クラマール、アブニ ユ・ジヤン・ジヨレス、93 (72)発明者 クリストフ・スタルク フランス国、91700・サント−ジユヌビエ ーブ−デ−ボワ、アレ・ジヨルジユ・ブラ ツサン・3
Claims (14)
- 【請求項1】 波長分割多重化信号を受信して、対応す
る分散波を自由空間に送信するための分散性媒体(B
1、B2、B3)と、 前記分散波を第1の面で受信して、対応する再生波を伝
送するように構成された可飽和吸収体(C)と、を含む
ことを特徴とする波長分割多重光信号の再生装置。 - 【請求項2】 可飽和吸収体の出口に、分散かつ再生さ
れた波を再結合するための別の分散性媒体(G1、G
2、G3)をさらに含むことを特徴とする請求項1に記
載の装置。 - 【請求項3】 1つまたは複数の分散性媒体は、格子
(B2;G2)の両側に配置された一組の2個のレンズ
(B1、B3;G1、G3)を含むことを特徴とする請
求項1または2に記載の装置。 - 【請求項4】 可飽和吸収体(10、20)は、基体
(13、27)上に堆積された、多数の量子井戸を持つ
三元材料からなる活性層(11、21)を含むことを特
徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項5】 可飽和吸収体(C)は、第2の面(C
1)に反射コーティングを含み、空間セパレータ(F)
は、再生された信号から再生すべき光信号を分離可能で
あることを特徴とする請求項1または4のいずれか一項
に記載の装置。 - 【請求項6】 可飽和吸収体(10)の活性層(11)
の結晶構造は、制御された転位密度(16)を含むこと
を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の装
置。 - 【請求項7】 可飽和吸収体(10)は、活性層(1
1)を被覆するIII−V材料からなる保護層を備え
た、格子が不整合の上層(15)を含むことを特徴とす
る請求項6に記載の装置。 - 【請求項8】 上層(15)は、GaAsからなること
を特徴とする請求項7に記載の装置。 - 【請求項9】 上層(15)は、0.1μmを越える厚
みで堆積されることを特徴とする請求項7または8に記
載の装置。 - 【請求項10】 保護層(14)の厚さは0〜1μmで
あることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に
記載の装置。 - 【請求項11】 上層(15)は、0〜4×1018c
m−3の濃度のn型キャリヤでドープされることを特徴
とする請求項7から10のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項12】 可飽和吸収体(20)は、活性層(2
1)の両側に前記活性層(21)に平行に配置された少
なくとも2個のミラー(24、25、29)を含むこと
を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の装
置。 - 【請求項13】 活性層(21)は、緩衝層(22)上
に堆積されて、III−V材料の保護層(23)で被覆
されており、この三つの層からなる積層(31)の全体
の厚さlは、2μm以上であることを特徴とする請求項
12に記載の装置。 - 【請求項14】 可飽和吸収体(20)の活性層(2
1)の厚さは、0.1〜0.5μmであることを特徴と
する請求項12または13に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9812430A FR2784202B1 (fr) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | Dispositif de regeneration d'un signal multiplexe en longueurs d'onde comprenant un absorbant saturable |
FR9812430 | 1998-10-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000111965A true JP2000111965A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=9531187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11283486A Pending JP2000111965A (ja) | 1998-10-05 | 1999-10-04 | 可飽和吸収体を含む波長分割多重化信号の再生装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6609839B1 (ja) |
EP (1) | EP0992842B1 (ja) |
JP (1) | JP2000111965A (ja) |
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AT (1) | ATE371885T1 (ja) |
AU (1) | AU5267599A (ja) |
CA (1) | CA2282938A1 (ja) |
DE (1) | DE69936963T2 (ja) |
FR (1) | FR2784202B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005525588A (ja) * | 2002-01-22 | 2005-08-25 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | 可飽和吸収素子及び可飽和吸収素子の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
FR2820517B1 (fr) | 2001-02-02 | 2003-05-16 | Cit Alcatel | Absorbant optique saturable et application a la regeneration d'un signal multiplexe en longueur d'onde |
FR2829246B1 (fr) * | 2001-08-30 | 2003-12-19 | Cit Alcatel | Structure d'absorbant optique saturable et dispositif de regeneration d'un signal multiplexe en longueurs d'onde l'incorporant |
FR2864261A1 (fr) * | 2003-12-19 | 2005-06-24 | France Telecom | Dispositif de regeneration d'un signal optique, utilisation d'un tel dispositif et installation comportant un tel dispositif |
FR2946760B1 (fr) * | 2009-06-11 | 2011-12-16 | Centre Nat Rech Scient | Filtre optique auto-accordable. |
DE102013006473A1 (de) | 2013-04-15 | 2014-10-30 | Batop Gmbh | Anordnung zur Regeneration optischer Pulse |
CN109004985B (zh) * | 2018-07-24 | 2021-03-30 | 电子科技大学 | 一种反射式mzi结构的全光pam再生器 |
CN113783094A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-10 | 安徽光智科技有限公司 | 一种端面泵浦激光多级再生放大*** |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56126806A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Nec Corp | Diffraction grating type light branching filter |
US5237577A (en) * | 1991-11-06 | 1993-08-17 | At&T Bell Laboratories | Monolithically integrated fabry-perot saturable absorber |
US5519526A (en) * | 1992-10-21 | 1996-05-21 | California Institute Of Technology | Optical protocols for communication networks |
US5726787A (en) * | 1995-12-28 | 1998-03-10 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus and method for improving signal-to-noise ratio in wavelength division multiplexing soliton transmission systems |
US5692077A (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-25 | Wavefront Research, Inc. | Optical time shifter and routing system |
US6097741A (en) * | 1998-02-17 | 2000-08-01 | Calmar Optcom, Inc. | Passively mode-locked fiber lasers |
US6072811A (en) * | 1998-02-11 | 2000-06-06 | Imra America | Integrated passively modelocked fiber lasers and method for constructing the same |
US6252892B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-06-26 | Imra America, Inc. | Resonant fabry-perot semiconductor saturable absorbers and two photon absorption power limiters |
-
1998
- 1998-10-05 FR FR9812430A patent/FR2784202B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-23 CA CA002282938A patent/CA2282938A1/fr not_active Abandoned
- 1999-09-27 DE DE69936963T patent/DE69936963T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-27 AT AT99402350T patent/ATE371885T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-09-27 EP EP99402350A patent/EP0992842B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-30 CN CN99125984A patent/CN1261746A/zh active Pending
- 1999-10-04 JP JP11283486A patent/JP2000111965A/ja active Pending
- 1999-10-04 US US09/411,228 patent/US6609839B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-05 AU AU52675/99A patent/AU5267599A/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005525588A (ja) * | 2002-01-22 | 2005-08-25 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | 可飽和吸収素子及び可飽和吸収素子の製造方法 |
US7900810B2 (en) | 2002-01-22 | 2011-03-08 | Centre National De La Recherche Scientifique | Saturable absorber component and method for manufacturing a saturable absorber component |
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FR2784202B1 (fr) | 2003-07-04 |
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