JP2000109342A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 少なくとも1種の金属前駆体と少なくとも1種のフッ素前駆体を含む少なくとも2種の前駆体を用い、化学蒸着法によってガラス基材の上にフッ素含有金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法であって、そのフッ素前駆体が三フッ化窒素NF3を含むことを特徴とする方法。
【請求項2】 フッ素含有金属酸化物を主成分とする層が、フッ素ドーピング型酸化インジウムの層又はフッ素ドーピング型酸化錫F:SnO 2 の層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】 その層がフッ素ドーピング型酸化錫からなり、その金属前駆体がとりわけSnRxCl4−x(Rは、1〜6の炭素原子を有する線状又は枝分かれ炭化水素基)の形態で錫Snを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項4】 その錫前駆体がジメチル錫ジクロリドMe2SnCl2又はモノブチル錫トリクロリドであることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項5】 そのコーティングが、ガラス基材上に400〜800℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項6】 そのコーティングが、ガラス基材上に550〜750℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項7】 その錫タイプの金属前駆体の量に対するフッ素前駆体の量がモル比として0.1〜20%であることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1項に記載の方法。
【請求項8】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2のタイプの酸化物を主成分とする層が、O2及び/又はH2Oのタイプの酸化性を有する少なくとも1種の化合物を用いて堆積されることを特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載の方法。
【請求項9】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2のタイプの酸化物を主成分とする層が、とりわけフロートバスチャンバー又はレアの中のフロートガラスのリボン上に連続的に堆積されることを特徴とする請求項2〜8のいずれか1項に記載の方法。
【請求項10】 フッ素ドーピング型酸化錫を主成分とする層が、スクエアあたり100Ω以下の抵抗を有し、そのコーティングされた基材が少なくとも75%の光透過率TLを有することを特徴とする請求項2〜9のいずれか1項に記載の方法。
【請求項11】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層が、ガラス/SiOxCyNz/F:SnO2のタイプの積層の一部を形成することを特徴とする請求項2〜10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項12】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層が、抗イリデッセンス層と組み合わされたことを特徴とする請求項2〜11のいずれか1項に記載の方法。
【請求項13】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層が、少なくとも250nmの幾何学的厚さを有することを特徴とする請求項2〜12のいずれか1項に記載の方法。
【請求項14】 基材が次の成分(重量割合):
SiO2 55〜65%
Al2O3 0〜5%
ZrO2 5〜10%
B2O3 0〜3%
Na2O 2〜6%
K2O 5〜9%
MgO 0〜6%
CaO 3〜11%
SrO 4〜12%
BaO 0〜2%
Na2O+K2O ≧10%
MgO+CaO+SrO+BaO >11%
を含んでなる化学組成を有することを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法。
【請求項15】 フィルター及び/又は低放射タイプの日除け窓を製造するための請求項1〜14のいずれか1項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項16】 家庭電気製品のオーブンのドア又は冷蔵庫ドアのタイプのガラス部品を製造するための請求項1〜14のいずれか1項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項17】 プラズマスクリーンのようなフラットスクリーン型の放射スクリーンの前面及び/又は背面を製造するための請求項1〜14のいずれか1項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項1】 少なくとも1種の金属前駆体と少なくとも1種のフッ素前駆体を含む少なくとも2種の前駆体を用い、化学蒸着法によってガラス基材の上にフッ素含有金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法であって、そのフッ素前駆体が三フッ化窒素NF3を含むことを特徴とする方法。
【請求項2】 フッ素含有金属酸化物を主成分とする層が、フッ素ドーピング型酸化インジウムの層又はフッ素ドーピング型酸化錫F:SnO 2 の層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】 その層がフッ素ドーピング型酸化錫からなり、その金属前駆体がとりわけSnRxCl4−x(Rは、1〜6の炭素原子を有する線状又は枝分かれ炭化水素基)の形態で錫Snを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項4】 その錫前駆体がジメチル錫ジクロリドMe2SnCl2又はモノブチル錫トリクロリドであることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項5】 そのコーティングが、ガラス基材上に400〜800℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項6】 そのコーティングが、ガラス基材上に550〜750℃の温度で堆積されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
【請求項7】 その錫タイプの金属前駆体の量に対するフッ素前駆体の量がモル比として0.1〜20%であることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1項に記載の方法。
【請求項8】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2のタイプの酸化物を主成分とする層が、O2及び/又はH2Oのタイプの酸化性を有する少なくとも1種の化合物を用いて堆積されることを特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載の方法。
【請求項9】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2のタイプの酸化物を主成分とする層が、とりわけフロートバスチャンバー又はレアの中のフロートガラスのリボン上に連続的に堆積されることを特徴とする請求項2〜8のいずれか1項に記載の方法。
【請求項10】 フッ素ドーピング型酸化錫を主成分とする層が、スクエアあたり100Ω以下の抵抗を有し、そのコーティングされた基材が少なくとも75%の光透過率TLを有することを特徴とする請求項2〜9のいずれか1項に記載の方法。
【請求項11】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層が、ガラス/SiOxCyNz/F:SnO2のタイプの積層の一部を形成することを特徴とする請求項2〜10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項12】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層が、抗イリデッセンス層と組み合わされたことを特徴とする請求項2〜11のいずれか1項に記載の方法。
【請求項13】 フッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層が、少なくとも250nmの幾何学的厚さを有することを特徴とする請求項2〜12のいずれか1項に記載の方法。
【請求項14】 基材が次の成分(重量割合):
SiO2 55〜65%
Al2O3 0〜5%
ZrO2 5〜10%
B2O3 0〜3%
Na2O 2〜6%
K2O 5〜9%
MgO 0〜6%
CaO 3〜11%
SrO 4〜12%
BaO 0〜2%
Na2O+K2O ≧10%
MgO+CaO+SrO+BaO >11%
を含んでなる化学組成を有することを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法。
【請求項15】 フィルター及び/又は低放射タイプの日除け窓を製造するための請求項1〜14のいずれか1項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項16】 家庭電気製品のオーブンのドア又は冷蔵庫ドアのタイプのガラス部品を製造するための請求項1〜14のいずれか1項記載の方法によって調製された基材の使用。
【請求項17】 プラズマスクリーンのようなフラットスクリーン型の放射スクリーンの前面及び/又は背面を製造するための請求項1〜14のいずれか1項記載の方法によって調製された基材の使用。
本発明において、とりわけ金属前駆体が、中でも錫前駆体が酸素を含まない場合は、O2及び/又はH2Oタイプの酸化性を有する少なくとも1種の化合物を用いて本発明にしたがって堆積を行うことが好ましい。また、金属酸化物を主成分とする層、とりわけフッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2は、フロートガラスのリボン上に連続的に堆積させることが好ましい。
とりわけ、ガラス基材がシリカソーダライム型の場合、本発明による堆積は、フロートバスとレアの間で行うのが有利である。ガラス基材がプラズマスクリーンの製造に適する化学組成を有する場合、本発明による堆積は、フロートバスチャンバー又はレアの中で行うのが好ましい。また、本発明は、上記プロセスによって得られたフッ素ドーピング型酸化錫F:SnO2を主成分とする層でコーティングされたガラス基材に関する。この基材は、層がスクエアあたり100Ω以下の抵抗を有し、コーティングされた基材が少なくとも75%の光透過率TLを有する点で注目に値する。
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