JP2000101182A - Semiconductor laser - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はヒートシンクに半導
体レーザ素子及びモニタ用光検出器が配備された半導体
レーザ装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor laser device in which a heat sink is provided with a semiconductor laser element and a monitoring photodetector.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ピックアップ装置等の光情報処理装置
の光源として用いられる半導体レーザ装置では、出射さ
れるレーザ光の出力を一定に保つ制御（ＡＰＣ動作：Au
tomatic Power Control）が必要であり、そのため、半
導体レーザ素子から出射されるレーザ光を受光し、レー
ザ光の強度を検出するモニタ用光検出器が配備されてい
る。近年、半導体レーザ装置の小型化、低価格化のた
め、モニタ用光検出器をヒートシンクに内蔵させた半導
体レーザ装置が用いられている。2. Description of the Related Art In a semiconductor laser device used as a light source of an optical information processing device such as an optical pickup device, control for keeping the output of emitted laser light constant (APC operation: Au
Therefore, a monitoring photodetector that receives laser light emitted from the semiconductor laser element and detects the intensity of the laser light is provided. In recent years, in order to reduce the size and the price of the semiconductor laser device, a semiconductor laser device having a monitor photodetector incorporated in a heat sink has been used.
【０００３】図７は従来の半導体レーザ装置の構成を示
す側面図である。FIG. 7 is a side view showing the structure of a conventional semiconductor laser device.
【０００４】図中、１はヒートシンク、２は半導体レー
ザ素子である。ヒートシンク１の上面には第１電極３、
フォトダイオード等よりなる光検出器４、及び第２電極
５が形成されている。ヒートシンク１の第１電極３上に
は、半導体レーザ素子２が該レーザ素子２の半導体基板
側が下側になる向き、所謂ジャンクションアップで配置
され、第１電極３に電気接続された状態で固定されてい
る。In the figure, reference numeral 1 denotes a heat sink and 2 denotes a semiconductor laser device. On the upper surface of the heat sink 1, a first electrode 3,
A photodetector 4 composed of a photodiode or the like and a second electrode 5 are formed. On the first electrode 3 of the heat sink 1, the semiconductor laser element 2 is arranged in a so-called junction-up direction with the semiconductor substrate side of the laser element 2 facing downward, so as to be fixed while being electrically connected to the first electrode 3. ing.
【０００５】半導体レーザ素子２の活性層２１の前方２
１ａからは情報の記録／再生等に利用されるレーザ光Ｂ
１が光学記録媒体等に向かって出射される。また、活性
層２１の後方（出射部分）２１ｂからはモニタ用のレー
ザ光Ｂ２が出射され、光検出器４の受光面４ａに入射す
る。この受光面４ａに入射したレーザ光Ｂ２は入射光量
に応じた電気信号に変換されて第２電極５より出力され
る。第２電極５から出力された電気信号は信号処理回路
（図示せず）により所望の制御信号に変換された後、半
導体レーザ素子２の駆動回路（図示せず）に入力し、こ
れにより半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光Ｂ
１の光量が一定に保たれるようにフィードバック制御が
行われる。The front 2 of the active layer 21 of the semiconductor laser device 2
1a shows a laser beam B used for recording / reproducing information, etc.
1 is emitted toward an optical recording medium or the like. Further, a laser beam B2 for monitoring is emitted from the rear (emission portion) 21b of the active layer 21 and enters the light receiving surface 4a of the photodetector 4. The laser beam B2 incident on the light receiving surface 4a is converted into an electric signal corresponding to the amount of incident light and output from the second electrode 5. The electric signal output from the second electrode 5 is converted into a desired control signal by a signal processing circuit (not shown), and then input to a drive circuit (not shown) of the semiconductor laser device 2, whereby the semiconductor laser Laser light B emitted from element 2
Feedback control is performed so that the light amount of No. 1 is kept constant.
【０００６】しかしながら、上述した従来の半導体レー
ザ装置では、レーザ光Ｂ２がヒートシンク１の上面と平
行な方向に出射され、更に受光面４ａがヒートシンク１
の上面と平行であるため、レーザ光Ｂ２は受光面４ａの
半導体レーザ素子２に近い部分には入射しにくい。しか
も、半導体レーザ素子２がジャンクションアップで配置
されているため、活性層２１が半導体レーザ素子２の中
央部よりも上側に位置し、レーザ光Ｂ２の光軸と光検出
器４の受光面４ａとの高低差が大きく、レーザ光Ｂ２は
受光面４ａの半導体レーザ素子２に近い部分には入射し
にくい。このため、光検出器４の受光面４ａへの入射光
量が少なく、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ
光Ｂ２の光量の制御が不安定になる。However, in the conventional semiconductor laser device described above, the laser beam B2 is emitted in a direction parallel to the upper surface of the heat sink 1, and the light receiving surface 4a is further
Is parallel to the upper surface of the laser beam B2, it is difficult for the laser beam B2 to enter the portion of the light receiving surface 4a close to the semiconductor laser element 2. In addition, since the semiconductor laser element 2 is disposed in a junction-up state, the active layer 21 is located above the center of the semiconductor laser element 2, and the optical axis of the laser beam B2 and the light receiving surface 4a of the photodetector 4 Is large, and the laser beam B2 is unlikely to be incident on a portion near the semiconductor laser element 2 on the light receiving surface 4a. Therefore, the amount of light incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4 is small, and the control of the amount of laser light B2 emitted from the semiconductor laser element 2 becomes unstable.
【０００７】また、周囲温度の変化等によって、半導体
レーザ素子２からのレーザ光の広がり角度が変化した場
合でも、光検出器４の受光面４ａへのレーザ光Ｂ２の入
射光量が変化し、これによってもレーザ光Ｂ２の光量の
制御が不安定になる。Even when the spread angle of the laser beam from the semiconductor laser element 2 changes due to a change in the ambient temperature or the like, the amount of the laser beam B2 incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4 changes. This also makes the control of the light amount of the laser beam B2 unstable.
【０００８】また、光検出器を半導体レーザ素子から離
して配置することにより、光検出器の受光面への入射光
量を増やすことも出来るが、この場合、ヒートシンクが
大きくなり、小型化に適していない。Further, by arranging the photodetector away from the semiconductor laser element, it is possible to increase the amount of light incident on the light receiving surface of the photodetector. However, in this case, the heat sink becomes large, which is suitable for miniaturization. Absent.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来例
の欠点に鑑み為されたものであり、ヒートシンクに半導
体レーザ素子とモニタ用光検出器が配備された半導体レ
ーザ装置において、半導体レーザ素子から出射されたモ
ニタ用のレーザ光がモニタ用光検出器に良好に入射し、
半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光量制御を
良好に行うことが出来る半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and is directed to a semiconductor laser device in which a semiconductor laser device and a monitoring photodetector are provided on a heat sink. The monitor laser light emitted from the satisfactorily enters the monitor photodetector,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device capable of favorably controlling the amount of laser light emitted from a semiconductor laser element.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、ヒートシンクに半導体レーザ素子と、該半導体レ
ーザ素子から出射されたモニタ用レーザ光を入射する受
光面を備える光検出器とが設けられた半導体レーザ装置
において、前記ヒートシンクの上部に該ヒートシンクの
上面よりも低い位置に底面を有する段差部を設け、該段
差部の底面に前記半導体レーザ素子を配置し、該半導体
レーザ素子の前記モニタ用レーザ光の出射部分が前記光
検出器の前記受光面よりも上方に位置していることを特
徴とする。According to the present invention, there is provided a semiconductor laser device comprising a heat sink, a semiconductor laser element, and a photodetector having a light receiving surface for receiving a monitor laser beam emitted from the semiconductor laser element. In the semiconductor laser device, a step having a bottom surface is provided above the heat sink at a position lower than the top surface of the heat sink, and the semiconductor laser element is disposed on the bottom surface of the step portion, and the monitor for the semiconductor laser element is provided. The emission portion of the laser beam is located above the light receiving surface of the photodetector.
【００１１】このような構成の半導体レーザ装置では、
段差部により半導体レーザ素子の出射部分が低くなり、
ヒートシンクの上面との高低差が小さくなるため、前記
出射部分から出射されたモニタ用レーザ光は光検出器の
受光面の半導体レーザに近い部分にも入射し易くなる。In the semiconductor laser device having such a configuration,
The emission part of the semiconductor laser element is lowered by the step,
Since the difference in height from the upper surface of the heat sink is reduced, the monitoring laser light emitted from the emission part is more likely to be incident on the light receiving surface of the photodetector near the semiconductor laser.
【００１２】特に、本発明は、前記光検出器の受光面が
前記ヒートシンクの上面と平行なるように構成された半
導体レーザ装置においては、モニタ用レーザ光は光検出
器の受光面の半導体レーザに近い部分に大幅に入射し易
くなり、有効である。In particular, according to the present invention, in a semiconductor laser device wherein the light receiving surface of the photodetector is parallel to the upper surface of the heat sink, the monitoring laser light is applied to the semiconductor laser on the light receiving surface of the photodetector. It is much easier to enter a close part, which is effective.
【００１３】また、本発明は、前記モニタ用レーザ光の
光軸が前記ヒートシンクの上面と平行となるような構成
の半導体装置においても、前記出射部分から出射された
モニタ用レーザ光は光検出器の受光面の半導体レーザに
近い部分に大幅に入射し易くなり、有効である。The present invention also relates to a semiconductor device having a configuration in which the optical axis of the monitoring laser light is parallel to the upper surface of the heat sink, wherein the monitoring laser light emitted from the emission part is a photodetector. This is effective because the light is greatly easily incident on a portion of the light receiving surface near the semiconductor laser.
【００１４】また、本発明は、前記半導体レーザ素子を
該レーザ素子の基板が下側になるように前記段差部の底
面上に配置したジャンクションアップの半導体レーザ装
置の場合、モニタ用レーザ光の出射部分と光検出器の受
光面との高低差を大幅に小さくすることが出来、有効で
ある。According to another aspect of the present invention, there is provided a junction-up semiconductor laser device in which the semiconductor laser device is disposed on the bottom surface of the step so that the substrate of the laser device is on the lower side. The height difference between the portion and the light receiving surface of the photodetector can be greatly reduced, which is effective.
【００１５】更に、本発明の半導体レーザ装置は、前記
段差部に位置決め部が設けられた構成であり、これによ
り、半導体レーザ素子を所望の位置に正確に位置決め固
定することが可能となる。Further, the semiconductor laser device of the present invention has a configuration in which a positioning portion is provided in the step portion, whereby the semiconductor laser element can be accurately positioned and fixed at a desired position.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面に従い本発明の実施の
形態である第１実施例の半導体レーザ装置について説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】図１、図２及び図３は第１実施例の半導体
レーザ装置の構成を示す図であり、図１は斜視図、図２
は側面図、図３は上面図である。FIGS. 1, 2 and 3 show the structure of the semiconductor laser device of the first embodiment. FIG. 1 is a perspective view and FIG.
Is a side view, and FIG. 3 is a top view.
【００１８】この第１実施例の半導体レーザ装置では、
ヒートシンク１の上部には段差部６が形成されており、
該段差部６の底面６１はヒートシンク１の上面１１より
も下方に位置する。段差部６の底面６１上には第１電極
３が形成されており、該第１電極３上には、半導体レー
ザ素子２が該レーザ素子２の半導体基板側が下側になる
向き、所謂ジャンクションアップで配置され、第１電極
３に電気接続された状態で固定されている。この時、半
導体レーザ素子２の活性層２１の位置はヒートシンク１
の上面１１及び光検出器４の受光面４ａよりも上方に位
置している。この第１実施例では、例えば、高さ（厚
み）が１００μｍ、上面から活性層２１までの長さが１
０μｍの半導体レーザ素子２を用い、深さは５０μｍの
段差部６を形成し、活性層２１をヒートシンク１の上面
１１より４０μｍ程度上方に位置させている。In the semiconductor laser device of the first embodiment,
A step portion 6 is formed on the upper part of the heat sink 1,
The bottom surface 61 of the step 6 is located lower than the upper surface 11 of the heat sink 1. The first electrode 3 is formed on the bottom surface 61 of the stepped portion 6, and the semiconductor laser element 2 is arranged on the first electrode 3 such that the semiconductor substrate side of the laser element 2 faces downward, so-called junction up. And fixed in a state of being electrically connected to the first electrode 3. At this time, the position of the active layer 21 of the semiconductor laser device 2 is
Are located above the upper surface 11 and the light receiving surface 4a of the photodetector 4. In the first embodiment, for example, the height (thickness) is 100 μm, and the length from the upper surface to the active layer 21 is 1 μm.
The semiconductor laser device 2 having a thickness of 0 μm is used, the step 6 having a depth of 50 μm is formed, and the active layer 21 is positioned about 40 μm above the upper surface 11 of the heat sink 1.
【００１９】このような第１実施例の半導体レーザ装置
では、半導体レーザ素子２の活性層２１の位置と光検出
器４の受光面４ａの位置との高低差が段差部６により５
０μｍ小さくなり、モニタ用のレーザ光Ｂ２の光軸と光
検出器４の受光面４ａとが近づくため、図２に示される
ように、レーザ光Ｂ２は、光検出器４の受光面４ａのう
ち半導体レーザ素子２に近接している部分にも入射し易
くなる。従って、モニタ用のレーザ光Ｂ２は光検出器４
の受光面４ａの略全域に入射し、入射光量が増大するた
め、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光Ｂ１の
光量制御が安定する。In the semiconductor laser device according to the first embodiment, the height difference between the position of the active layer 21 of the semiconductor laser element 2 and the position of the light receiving surface 4a of the photodetector 4 is reduced by 5 steps.
As shown in FIG. 2, the laser beam B2 is reduced by 0 μm, and the optical axis of the monitoring laser beam B2 and the light receiving surface 4a of the photodetector 4 approach each other. It also becomes easy to be incident on a portion close to the semiconductor laser device 2. Therefore, the monitor laser beam B2 is emitted from the photodetector 4
Of the laser light B1 emitted from the semiconductor laser element 2 is stabilized.
【００２０】図４は周囲温度が変化による光検出器４の
受光面４ａへの入射光量の変動を示す図であり、図４
（ａ）は第１実施例の半導体レーザ装置における入射光
量の変動、図４（ｂ）は図７に示す従来の半導体レーザ
装置における入射光量の変動を夫々示している。図中、
Ｐは周囲温度が所定温度である場合おける入射光量、Δ
Ｐは所定温度からある温度低下し、レーザ光の広がり角
が大きくなった場合における入射光量の増加量である。FIG. 4 is a diagram showing a change in the amount of light incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4 due to a change in the ambient temperature.
4A shows a change in the amount of incident light in the semiconductor laser device of the first embodiment, and FIG. 4B shows a change in the amount of incident light in the conventional semiconductor laser device shown in FIG. In the figure,
P is the amount of incident light when the ambient temperature is a predetermined temperature, Δ
P is the amount of increase in the amount of incident light when the temperature decreases from a predetermined temperature by a certain value and the spread angle of the laser light increases.
【００２１】この図４より判るように、周囲温度が所定
の温度より低下すると、従来の半導体レーザ装置（図４
（ｂ））では、光検出器４の受光面４ａに入射するレー
ザ光Ｂ２がレーザ光の中心（光軸部分）より大きく離れ
ており、入射光量の変動率（ΔＰ／Ｐ）は非常に大きい
が、第１実施例の半導体レーザ装置（図４（ａ））で
は、光検出器４の受光面４ａに入射するレーザ光Ｂ２が
レーザ光の中心（光軸部分）に近づき、入射光量の変動
率（ΔＰ／Ｐ）は小さくなる。即ち、第１実施例の半導
体レーザ装置では、レーザ光Ｂ２の中心近傍の光が光検
出器４の受光面４ａに入射するため、周囲温度が変化し
レーザ光の広がり角度が変化しても、光検出器４の受光
面４ａに入射するレーザ光Ｂ２の光量の変動は小さくな
り、半導体レーザ素子２から出射されるレーザ光Ｂ１の
光量を良好に制御することが出来る。As can be seen from FIG. 4, when the ambient temperature falls below a predetermined temperature, the conventional semiconductor laser device (FIG.
In (b)), the laser beam B2 incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4 is far away from the center (optical axis portion) of the laser beam, and the fluctuation rate (ΔP / P) of the incident light amount is very large. However, in the semiconductor laser device of the first embodiment (FIG. 4A), the laser beam B2 incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4 approaches the center (optical axis portion) of the laser beam, and the incident light amount varies. The rate (ΔP / P) decreases. That is, in the semiconductor laser device of the first embodiment, since the light near the center of the laser beam B2 is incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4, even if the ambient temperature changes and the spread angle of the laser beam changes, Fluctuations in the amount of laser light B2 incident on the light receiving surface 4a of the photodetector 4 are reduced, and the amount of laser light B1 emitted from the semiconductor laser element 2 can be controlled well.
【００２２】図５は本発明の第２実施例の半導体装置の
構成を示す側面図であり、第１実施例の半導体レーザ装
置と同一部分には同一符号を付してある。FIG. 5 is a side view showing the structure of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, and the same parts as those of the semiconductor laser device according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
【００２３】この第２実施例の半導体レーザ装置では、
ヒートシンク１の段差部１１の後方側壁は、ヒートシン
ク１の上面１１との為す角度が鋭角になるように前方に
向かって突出する突出部６２となっている。半導体レー
ザ素子２はその後方端面２２が突出部６２の先端に当接
し、前後方向においてヒートシンク１の所望の位置に位
置決めされる。In the semiconductor laser device of the second embodiment,
The rear side wall of the step portion 11 of the heat sink 1 is a protruding portion 62 that protrudes forward so that the angle formed with the upper surface 11 of the heat sink 1 becomes an acute angle. The rear end face 22 of the semiconductor laser element 2 abuts on the tip of the protrusion 62, and is positioned at a desired position on the heat sink 1 in the front-rear direction.
【００２４】図６は本発明の第３実施例の半導体装置の
構成を示す側面図であり、第１実施例の半導体レーザ装
置と同一部分には同一符号を付してある。FIG. 6 is a side view showing the structure of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, and the same parts as those of the semiconductor laser device of the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
【００２５】この第３実施例の半導体レーザ装置では、
ヒートシンク１の段差部６の後方側壁は、ヒートシンク
１の上面と為す角度が鈍角となるような斜面６３となっ
ている。半導体レーザ素子２はその後方下端部２３が前
記斜面６３の最下部（底面６１との境目）６４に当接
し、前後方向においてヒートシンク１の所望の位置に位
置決めされる。In the semiconductor laser device of the third embodiment,
The rear side wall of the step portion 6 of the heat sink 1 has a slope 63 such that the angle formed with the upper surface of the heat sink 1 is an obtuse angle. The semiconductor laser device 2 has its rear lower end portion 23 in contact with the lowermost portion 64 (boundary with the bottom surface 61) 64 of the slope 63, and is positioned at a desired position on the heat sink 1 in the front-rear direction.
【００２６】上述の第２、第３実施例の半導体レーザ装
置は、上述の第１実施例と同様の効果に加え、半導体レ
ーザ素子２をヒートシンク１の段差部６の所望の位置に
精度良く取り付けることが出来るという効果を有する。In the semiconductor laser devices of the second and third embodiments, in addition to the same effects as those of the first embodiment, the semiconductor laser element 2 is attached to a desired position of the step portion 6 of the heat sink 1 with high accuracy. It has the effect that it can be done.
【００２７】尚、上述の第１、第２、第３実施例では、
半導体レーザ素子２はジャンクションアップによりヒー
トシンク１上に配置されているが、半導体基板が上側に
位置する向きに半導体レーザ素子をヒートシンク上に配
置したジャンクションダウンの構成のものにおいても本
発明は有効である。In the first, second and third embodiments described above,
Although the semiconductor laser element 2 is disposed on the heat sink 1 by junction-up, the present invention is also effective in a junction-down configuration in which the semiconductor laser element is disposed on the heat sink with the semiconductor substrate positioned above. .
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明に依れば、半導体レーザ素子から
出射されたモニタ用のレーザ光がモニタ用光検出器に良
好に入射し、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光
の光量制御を良好に行うことが出来る半導体レーザ装置
を提供し得る。According to the present invention, the laser light for monitoring emitted from the semiconductor laser element satisfactorily enters the monitoring photodetector, and the light quantity control of the laser light emitted from the semiconductor laser element is improved. And a semiconductor laser device that can be used for the above.
【図１】本発明の第１実施例の半導体レーザ装置の構成
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の半導体レーザ装置の構成
を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing the configuration of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施例の半導体レーザ装置の構成
を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１実施例の半導体レーザ装置と従来
の半導体レーザ装置との光検出器の受光面への入射光量
を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the amount of light incident on a light receiving surface of a photodetector of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention and a conventional semiconductor laser device.
【図５】本発明の第２実施例の半導体レーザ装置の構成
を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a configuration of a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３実施例の半導体レーザ装置の構成
を示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing a configuration of a semiconductor laser device according to a third embodiment of the present invention.
【図７】従来の半導体レーザ装置の構成を示す側面図で
ある。FIG. 7 is a side view showing a configuration of a conventional semiconductor laser device.
１ ヒートシンク １１ 上面 ２ 半導体レーザ素子 ２１ｂ 活性層の後方（出射部分） ４ 光検出器 ４ａ 受光面 ６ 段差部 ６１ 底面 ６２ 突出部（位置決め部） ６４ 最下部（位置決め部） Ｂ２ レーザ光（モニタ用レーザ光） Reference Signs List 1 heat sink 11 top surface 2 semiconductor laser element 21b behind active layer (outgoing portion) 4 photodetector 4a light receiving surface 6 step portion 61 bottom surface 62 projecting portion (positioning portion) 64 lowermost portion (positioning portion) B2 laser beam (monitor laser) light)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 和思 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 田尻 敦志 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 BA04 EA15 FA04 FA16 FA23 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazushi Mori 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Atsushi Tajiri 2-chome Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka No.5-5 Sanyo Electric Co., Ltd. F term (reference) 5F073 BA04 EA15 FA04 FA16 FA23
Claims (5)
該半導体レーザ素子から出射されたモニタ用レーザ光を
入射する受光面を備える光検出器とが設けられた半導体
レーザ装置において、前記ヒートシンクの上部に該ヒー
トシンクの上面よりも低い位置に底面を有する段差部を
設け、該段差部の底面に前記半導体レーザ素子を配置
し、該半導体レーザ素子の前記モニタ用レーザ光の出射
部分が前記光検出器の前記受光面よりも上方に位置して
いることを特徴とする半導体レーザ装置。1. A heat sink, comprising: a semiconductor laser element;
A semiconductor laser device provided with a photodetector having a light-receiving surface for receiving a monitoring laser beam emitted from the semiconductor laser element, wherein a step having a bottom surface at a position lower than the upper surface of the heat sink above the heat sink. Part, the semiconductor laser element is arranged on the bottom surface of the stepped part, and the emission part of the monitoring laser light of the semiconductor laser element is located above the light receiving surface of the photodetector. Characteristic semiconductor laser device.
に設けられ、前記受光面が前記ヒートシンクの上面に平
行となるように配備されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ装置。2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the photodetector is provided on an upper surface of the heat sink, and the light receiving surface is provided so as to be parallel to the upper surface of the heat sink.
ーザ光の光軸が前記ヒートシンクの上面に平行となるよ
うに配置されていることを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体レーザ装置。3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser element is arranged such that an optical axis of the monitor laser light is parallel to an upper surface of the heat sink.
基板が下側になるように前記段差部の底面上に配置され
ていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導
体レーザ装置。4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein said semiconductor laser device is disposed on a bottom surface of said step so that a substrate of said laser device is on a lower side. .
置決め部を設けたことを特徴とする請求項１、２、３又
は４記載の半導体レーザ装置。5. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein a positioning portion of said semiconductor laser element is provided in said step portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266607A JP2000101182A (en) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266607A JP2000101182A (en) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000101182A true JP2000101182A (en) | 2000-04-07 |
Family
ID=17433175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10266607A Pending JP2000101182A (en) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | Semiconductor laser |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000101182A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030073207A (en) * | 2002-03-09 | 2003-09-19 | 주식회사 엘지이아이 | Semiconductor laser diode array mounted on the heat sink |
| JP2006352105A (en) * | 2005-05-19 | 2006-12-28 | Sharp Corp | Optical transmission device and optical source equipment using it |
| JP2007201000A (en) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Ricoh Printing Systems Ltd | Semiconductor laser device, method of manufacturing the same, optical scanning apparatus using the same, and image forming apparatus using the apparatus |
| CN100364190C (en) * | 2006-02-24 | 2008-01-23 | 清华大学 | Passive radiating small heat sink semiconductor laser bar |
| WO2019135379A1 (en) * | 2018-01-04 | 2019-07-11 | 株式会社フジクラ | Semiconductor laser module and semiconductor laser module production method |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP10266607A patent/JP2000101182A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20030073207A (en) * | 2002-03-09 | 2003-09-19 | 주식회사 엘지이아이 | Semiconductor laser diode array mounted on the heat sink |
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| WO2019135379A1 (en) * | 2018-01-04 | 2019-07-11 | 株式会社フジクラ | Semiconductor laser module and semiconductor laser module production method |
| JP2019121672A (en) * | 2018-01-04 | 2019-07-22 | 株式会社フジクラ | Semiconductor laser module and manufacturing method of semiconductor laser module |
| US11515689B2 (en) | 2018-01-04 | 2022-11-29 | Fujikura Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing semiconductor laser module |
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