JP2000082865A - 半導体装置およびパッケージならびにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ショートを防止しつつ高い放熱効果を得るこ
とができる半導体装置およびパッケージならびにそれら
の製造方法を提供する。 【解決手段】 パッケージ１０内に金属よりなる導電性
配設基板１３を備える。導電性配設基板１３には窪み部
と突部とが形成されており、窪み部には絶縁性配設基板
１４が配設されている。絶縁性配設基板１４はＡｌＮよ
りなる絶縁基板を有しており、その表面には配線が配設
されている。絶縁性配設基板１４および導電性配設基板
１３の上にはＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体層が積
層された半導体レーザ２０が配設されている。半導体レ
ーザ２０はｎ側電極が絶縁性配設基板１４に対して当接
されており、ｐ側電極が導電性配設基板１３に当接され
ている。半導体レーザ２０において発生した熱は導電性
配設基板１３により放熱され、ｎ側電極とｐ側電極との
ショートは絶縁性配設基板１４により防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配設基板に対して
半導体素子が配設された半導体装置およびその配設基板
を備えたパッケージならびにそれらの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、各種産業分野において、半導体発
光装置が用いられている。この半導体発光装置は、一般
に、パッケージの内部に半導体発光素子を収納してい
る。パッケージは、取り扱いを簡便にし素子を保護する
と共に、動作時において素子から発生する熱を効率よく
放散させる役割を有している。特に、近年においては、
高出力化の要求およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用い
た緑色帯の半導体発光装置あるいはＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体を用いた青色帯の半導体発光装置の開発
に対する要求が高まっており、素子への投入電力が大き
くなる傾向にある。その結果、素子の発熱量はますます
大きくなり、パッケージによる更に高い放熱効果が期待
されている。

【０００３】例えば、従来の半導体発光装置としては、
図１６に示したように、金属よりなる導電性配設基板２
１３の上に絶縁体よりなるサブマウント２１９を介して
半導体発光素子２２０を配設したものが知られている
（特開平８−３２１６５５号公報）。このような半導体
発光装置では、サブマウント２１９に適当な配線を設け
ることにより半導体発光素子に対する電気的な接続を容
易に行うことができるという利点がある。すなわち、こ
の方法は、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いた
半導体発光素子など、絶縁性の基板の上に形成され、基
板と反対側にｐ側電極とｎ側電極との両極が設けられる
ものにおいて、特に有効である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、絶縁体
は金属に比べて熱伝導率および電気伝導性ともに低いの
で、絶縁体よりなるサブマウント２１９を用いることに
より同一側に設けられたｐ側電極とｎ側電極との短絡を
防止することはできるが、その一方で、放熱性は低下し
てしまう。よって、半導体発光素子の温度が上昇し、長
時間に渡っての安定動作および信頼性が妨げられてしま
うという問題があった。

【０００５】なお、このような半導体装置に関する先行
技術としては、導電性基板の平面上に薄い絶縁膜を介し
て配線を形成すると共に、半導体発光素子のｐ側電極を
導電性基板に対して接続し、ｎ側電極を配線に対して接
続したものがある。しかし、この半導体装置では、導電
性基板の上に薄い絶縁膜を介して配線を形成しているの
で、十分な絶縁性を確保することができないという問題
がある。

【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、ショートを防止しつつ高い放熱効果
を得ることができる半導体装置およびパッケージならび
にそれらの製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、一面に窪み部および突部を有する導電性配設基板
と、この導電性配設基板の窪み部に対して配設された絶
縁性配設基板と、一部が導電性配設基板に対して配設さ
れ、他の一部が絶縁性配設基板に対して配設された半導
体素子とを備えたものである。

【０００８】本発明によるパッケージは、一面に窪み部
および突部を有する導電性配設基板と、この導電性配設
基板の窪み部に対して配設された絶縁性配設基板とを備
えたものである。

【０００９】本発明による他のパッケージは、絶縁性配
設基板が配設される窪み部と半導体素子が配設される突
部とを一面に有する導電性配設基板を備えたものであ
る。

【００１０】本発明による半導体装置の製造方法は、一
面に窪み部および突部を有する導電性配設基板を形成す
る工程と、導電性配設基板の窪み部に対して配設された
絶縁性配設基板を形成する工程と、半導体素子を形成す
る工程と、半導体素子の一部を導電性配設基板に対して
配設し、他の一部を絶縁性配設基板に対して配設する工
程とを含むものである。

【００１１】本発明によるパッケージの製造方法は、一
面に窪み部および突部を有する導電性配設基板を形成す
る工程と、導電性配設基板の窪み部に対して配設された
絶縁性配設基板を形成する工程とを含むものである。

【００１２】本発明による他のパッケージの製造方法
は、絶縁性配設基板が配設される窪み部と半導体素子が
配設される突部とを一面に有する導電性配設基板を形成
する工程を含むものである。

【００１３】本発明による半導体装置では、半導体素子
の一部が導電性配設基板に対して配設されるので、半導
体素子において発生した熱は導電性配設基板により放散
される。また、絶縁性配設基板は導電性配設基板に設け
られた窪み部に対して配設され、半導体素子の他の一部
はその絶縁性配設基板に対して配設されるので、絶縁性
が確保される。

【００１４】本発明によるパッケージでは、絶縁性配設
基板が導電性配設基板の窪み部に対して配設されるの
で、絶縁性配設基板により絶縁性が確保され、導電性配
設基板により放熱性が確保される。

【００１５】本発明による他のパッケージでは、絶縁性
配設基板が配設される窪み部と半導体素子が配設される
突部とを有しているので、窪み部に配設される絶縁性配
設基板により絶縁性を確保しつつ、導電性配設基板によ
り半導体素子において発生した熱を放散する。

【００１６】本発明による半導体装置の製造方法では、
まず、一面に窪み部および突部を有する導電性配設基板
が形成され、次いで、導電性配設基板の窪み部に対して
配設された絶縁性配設基板が形成される。また、半導体
素子が形成され、半導体素子の一部が導電性配設基板に
対して配設され、他の一部が絶縁性配設基板に対して配
設される。

【００１７】本発明によるパッケージの製造方法では、
まず、一面に窪み部および突部を有する導電性配設基板
が形成され、次いで、導電性配設基板の窪み部に対して
配設された絶縁性配設基板が形成される。

【００１８】本発明による他のパッケージの製造方法で
は、絶縁性配設基板が配設される窪み部と半導体素子が
配設される突部とを一面に有する導電性配設基板が形成
される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の半導
体装置は本発明のパッケージを備えているので、以下の
実施の形態では、半導体装置の説明において、パッケー
ジについても併せて説明する。

【００２０】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る半導体装置である半導体発光装置お
よびパッケージ１０の全体構成をそれぞれ表すものであ
る。この半導体発光装置は、パッケージ１０の内部に半
導体素子である半導体レーザ２０を備えている。パッケ
ージ１０は、例えば、円盤状の支持体１１と中空円筒状
の蓋体１２とを有している。蓋体１２の一端部は開放さ
れており、他端部は閉鎖されている。蓋体１２の開放端
部は支持体１１の一面に当接されている。蓋体１２の閉
鎖端部には、内部に収納された半導体レーザ２０から射
出されたレーザビームをパッケージ１０の外部に取り出
すための取り出し窓１２ａが設けられている。蓋体１２
は、例えば、銅（Ｃｕ）または鉄（Ｆｅ）などの金属に
より構成されており、取り出し窓１２ａは、半導体レー
ザ２０から射出されるレーザビームを透過することがで
きる材料、例えば、ガラスあるいはプラスチックにより
構成されている。

【００２１】蓋体１２の内部には、半導体レーザ２０を
載置する導電性配設基板１３が支持体１１の一面に形成
されている。この導電性配設基板１３は、半導体レーザ
２０を図示しない電源に対して電気的に接続すると共
に、半導体レーザ２０において発生した熱を放散する役
割を有している。導電性配設基板１３および支持体１１
は、例えば、銅または鉄などの金属により一体として成
型されており、表面には半田材料よりなる厚さ５μｍの
半田膜が被着されている。半田材料としては、例えば、
スズ（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ），スズと鉛との合金，金（Ａ
ｕ）とスズとの合金，インジウム（Ｉｎ）とスズとの合
金あるいはインジウムと鉛との合金などが用いられる。

【００２２】導電性配設基板１３は、図２に拡大して示
したように、半導体レーザ２０の載置面に窪み部１３ａ
と突部１３ｂとを有している。これら窪み部１３ａと突
部１３ｂとは、支持体１１の一面に対して並列の位置関
係となっている。窪み部１３ａおよび突部１３ｂの大き
さは、それぞれ、例えば、支持体１１の一面に平行な方
向における幅が０．８ｍｍであり、支持体１１の一面に
垂直な方向における奥行きが１ｍｍである。窪み部１３
ａと突部１３ｂとの載置面の高さの差は、例えば、３０
０μｍである。なお、導電性配設基板１３の載置面に対
して垂直方向の厚さは、蓋体１２の大きさに合わせて適
宜に決定されるが、厚い方が高い放熱効果を得ることが
できるので好ましい。

【００２３】導電性配設基板１３の窪み部１３ａには、
絶縁性配設基板１４が配設されている。この絶縁性配設
基板１４は、図３に拡大して示したように、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ），窒化ホウ素（ＢＮ）あるいは炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）などの絶縁性材料よりなる絶縁性基板１
４ａを有している。絶縁性基板１４ａのうち導電性配設
基板１３の側の面には接着層１４ｂが設けられており、
導電性配設基板１３に対して固定することができるよう
になっている。接着層１４ｂは、例えば、絶縁性基板１
４ａの側から順に積層した厚さ１００ｎｍのチタン（Ｔ
ｉ）層，厚さ２００ｎｍの白金（Ｐｔ）層および厚さ５
００ｎｍの金（Ａｕ）層から構成されている。また、絶
縁性基板１４ａのうち導電性配設基板１３と反対側の面
には配線１４ｃが形成されている。配線１４ｃは、例え
ば、絶縁性基板１４ａの側から順に積層した厚さ１００
ｎｍのチタン層，厚さ２００ｎｍの白金層および厚さ５
００ｎｍの金層から構成されている。

【００２４】配線１４ｃの絶縁性基板１４ａの反対側に
おける一部には、半田材料よりなる半田接着層１４ｄが
設けられており、半導体レーザ２０を接着することがで
きるようになっている。半田接着層１４ｄの厚さは、十
分な接着強度を得るために４μｍ以上であることが好ま
しい。半田接着層１４ｄを構成する半田材料としては導
電性配設基板１３の半田膜を構成する半田材料と同一の
ものを用いてもよいが、それよりも融点が低いものを用
いた方が好ましい。これは、後述する製造方法において
説明するように、加熱により導電性配設基板１３，絶縁
性配設基板１４および半導体レーザ２０をそれぞれ接着
する際に、絶縁性配設基板１４は導電性配設基板１３に
比べて熱が伝導しにくいからである。上述した半田材料
においては、インジウムとスズとの合金（Ｉｎ５２％Ｓ
ｎ４８％）、インジウムと鉛との合金（Ｉｎ７５％Ｐｂ
２５％）、スズと鉛との合金（Ｓｎ５０％Ｐｂ５０
％）、スズ、金とスズとの合金（Ａｕ８０％Ｓｎ２０
％）そして鉛の順にはんだ付け温度が低い。よって、例
えば、導電性配設基板１３の表面をスズにより構成する
場合には、絶縁性配設基板１４の半田接着層１４ｄをス
ズと鉛とも合金などにより構成することが好ましい。な
お、上記半田材料において示した組成比は重量比率であ
る。

【００２５】絶縁性配設基板１４の大きさは、例えば、
支持体１１の一面に平行な方向における幅がそれぞれ
０．８ｍｍであり、支持体１１の一面に垂直な方向にお
ける奥行きがそれぞれ１ｍｍである。絶縁性配設基板１
４の載置面に対して垂直方向の厚さは、導電性配設基板
１３における窪み部１３ａと突部１３ｂとの高さの差が
解消される程度であることが好ましい。ここでは、窪み
部１３ａと突部１３ｂとの高さの差が３００μｍである
ので、絶縁性配設基板１４の厚さは、例えば、３００μ
ｍ以上であることが好ましい。なお、絶縁性配設基板１
４の厚さは、導電性配設基板１３との絶縁性を確保する
目的からすると、５００ｎｍ以上であることが好まし
い。

【００２６】支持体１１には、また、図１に示したよう
に、一対のピン１５，１６が蓋体１２の内部から外部に
向かって設けられている。各ピン１５，１６は、銅また
は鉄などの金属により構成されており、表面には金など
よりなる薄膜が被着されている。支持体１１と各ピン１
５，１６との間には、ガラスなどよりなる絶縁リング１
５ａ，１６ａがそれぞれ配設されており、支持体１１と
各ピン１５，１６とは電気的にそれぞれ絶縁されてい
る。すなわち、導電性配設基板１３と各ピン１５，１６
とは電気的にそれぞれ絶縁されている。ピン１５には、
例えば、太さが２０μｍの金よりなるワイヤ１７の一端
部が接合されている。このワイヤ１７の他端部は絶縁性
配設基板１４の配線１４ｃに接合されており、ピン１５
と配線１４ｃとを電気的に接続するようになっている。
支持体１１には、更に、支持体１１および導電性配設基
板１３と電気的に接続されたピン１８が形成されてい
る。

【００２７】半導体レーザ２０は、図４に示したよう
に、対向する一対の面を有する基板２１の一面に、バッ
ファ層２２ａ，下地層２２ｂ，マスク層２３，被覆成長
層２４，第１導電型半導体層であるｎ型半導体層２５，
活性層２６および第２導電型半導体層であるｐ型半導体
層２７が基板２１の側から順に積層されている。基板２
１は、例えば、積層方向の厚さ（以下、単に厚さと言
う）が３００μｍのサファイアにより構成されており、
バッファ層２２ａなどは基板２１のＣ面に形成されてい
る。

【００２８】バッファ層２２ａは、例えば、厚さが３０
ｎｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮにより
構成されている。下地層２２ｂは、例えば、厚さが２μ
ｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮの結晶に
より構成されている。マスク層２３は、例えば、厚さが
０．１μｍであり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）により構
成されている。このマスク層２３は、また、図４におい
て紙面に対して垂直な方向において帯状に延長された複
数の開口部２３ａと、各開口部２３ａの間に形成され同
様に帯状に延長された複数のマスク部２３ｂとを有して
おり、このマスク層２３の上に被覆成長層２４を横方向
に成長させることにより、下地層２２ｂから貫通転位が
伝わるのを遮断するようになっている。被覆成長層２４
は、例えば、厚さが１０μｍであり、不純物を添加しな
いundope−ＧａＮにより構成されている。

【００２９】ｎ型半導体層２５は、被覆成長層２４の側
から順に積層されたｎ側コンタクト層２５ａ，ｎ型クラ
ッド層２５ｂおよび第１のガイド層２５ｃをそれぞれ有
している。ｎ側コンタクト層２５ａは、例えば、厚さが
３μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加
したｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層
２５ｂは、例えば、厚さが１μｍであり、ケイ素などの
ｎ型不純物を添加したｎ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶によ
り構成されている。第１のガイド層２５ｃは、例えば、
厚さが０．１μｍであり、ケイ素などのｎ型不純物を添
加したｎ型ＧａＮにより構成されている。

【００３０】活性層２６は、例えば、不純物を添加しな
いundope−ＩｎＧａＮ混晶により構成されており、厚さ
が３ｎｍのＩｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ混晶よりなる井戸層と、
厚さが４ｎｍのＩｎ_0.02Ｇａ_0.98Ｎ混晶よりなるバリア
層との多重量子井戸構造を有している。この活性層２６
は発光層として機能するものであり、その発光波長はレ
ーザ発振において約４０５ｎｍとなっている。

【００３１】ｐ型半導体層２７は、活性層２６の側から
順に積層された劣化防止層２７ａ，第２のガイド層２７
ｂ，ｐ型クラッド層２７ｃおよびｐ側コンタクト層２７
ｄをそれぞれ有している。劣化防止層２７ａは、例え
ば、厚さが２０ｎｍであり、マグネシウム（Ｍｇ）など
のｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎ混晶に
より構成されている。第２のガイド層２７ｂは、例え
ば、厚さが０．１μｍであり、マグネシウムなどのｐ型
不純物を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。ｐ
型クラッド層２７ｃは、例えば、厚さが０．８μｍであ
り、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ
_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶により構成されている。ｐ側コンタ
クト層２７ｄは、例えば、厚さが０．５μｍであり、マ
グネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＮ混晶
により構成されている。

【００３２】ｎ側コンタクト層２５ａには、積層方向に
おける活性層２６の側に、第１の電極としてのｎ側電極
２８ａが設けられている。ｎ側電極２８ａは、ｎ側コン
タクト層２５ａの側から順にチタン層，アルミニウム
（Ａｌ）層および金層を積層して加熱処理により合金化
した構造を有しており、ｎ側コンタクト層２５ａと電気
的に接続されている。ｐ側コンタクト層２７ｄには、積
層方向における活性層２６と反対側に、第２の電極とし
てのｐ側電極２８ｂが設けられている。ｐ側電極２８ｂ
は、ｐ側コンタクト層２７ｄの側からニッケル（Ｎｉ）
層と金層とを順次積層して加熱処理により合金化された
構造を有しており、ｐ側コンタクト層２７ｄと電気的に
接続されている。ｐ側電極２８ｂは、また、電流狭窄を
するように図４では紙面に対して垂直な方向において帯
状に延長されており、ｐ側電極２８ｂに対応する活性層
２６の領域が発光領域となるようになっている。

【００３３】この半導体レーザ２０は、また、図４にお
いては一方しか示していないが、ｐ側電極２８ｂの長さ
方向の端部に一対の反射鏡膜２９がそれぞれ形成されて
いる。各反射鏡膜２９は、例えば、二酸化ケイ素膜と酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ）膜とを交互に積層してそれぞ
れ構成されており、一方の反射鏡膜２９の反射率は低く
なるように、他方の図示しない反射鏡膜の反射率は高く
なるようにそれぞれ調整されている。これにより、活性
層２６において発生した光は一対の反射鏡膜２９の間を
往復して増幅され、反射鏡膜２９からレーザビームとし
て射出されるようになっている。すなわち、ｐ側電極２
８ｂの長さ方向が共振器方向となっている。

【００３４】なお、この半導体レーザ２０は、図１に示
したように、ｎ側電極２８ａが絶縁性配設基板１４の半
田接着層１４ｄに当接され、ｐ側電極２８ｂが導電性配
設基板１３の突部１３ｂに当接されることによりパッケ
ージ１０の内部に配設されている。すなわち、ｎ側電極
２８ａは絶縁性配設基板１４の配線１４ｃおよびワイヤ
１７を介してピン１５により図示しない電源に対して接
続され、ｐ側電極２８ｂは導電性配設基板１３を介して
ピン１８により図示しない電源に対して電気的に接続さ
れるようになっている。ここで、ｐ側電極２８ｂの方を
導電性配設基板１３に当接させているのは、ｐ側電極２
８ｂと基板２１との間に主な発熱源である活性層２６が
含まれているからである。すなわち、活性層２６と放熱
効果の高い導電性配設基板１３との間の距離を短くする
ことにより、高い放熱効果を得ることができるようにな
っている。

【００３５】このような構成を有する半導体装置および
パッケージ１０は、次のようにしてそれぞれ製造するこ
とができる。

【００３６】まず、次のようにして半導体レーザ２０を
形成する。すなわち、まず、例えば、複数の半導体レー
ザ形成領域を有するサファイアよりなる基板２１を用意
し、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depos
ition ）法により、基板２１の一面（Ｃ面）にundope−
ＧａＮよりなるバッファ層２２ａおよびundope−ＧａＮ
よりなる下地層２２ｂを順次成長させる。次いで、下地
層２２ｂの上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法により、二酸化ケイ素よりなり帯状に延長
された複数のマスク部２３ｂを有するマスク層２３を選
択的に形成する。続いて、マスク層２３の上に、例え
ば、ＭＯＣＶＤ法により、undope−ＧａＮよりなる被覆
成長層２４を横方向に成長させる。

【００３７】被覆成長層２４を形成したのち、その上
に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮよりなる
ｎ側コンタクト層２５ａ，ｎ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶
よりなるｎ型クラッド層２５ｂ，ｎ型ＧａＮよりなる第
１のガイド層２５ｃ，undope−ＧａＩｎＮ混晶よりなる
活性層２６，ｐ型Ａｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎ混晶よりなる劣化
防止層２７ａ，ｐ型ＧａＮよりなる第２のガイド層２７
ｂ，ｐ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶よりなるｐ型クラッド
層２７ｃおよびｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２
７ｄを順次成長させる。

【００３８】ｎ側コンタクト層２５ａからｐ側コンタク
ト層２７ｄまでの各層を成長させたのち、リソグラフィ
技術を用い、ｎ側電極１２の形成位置に対応してｐ側コ
ンタクト層２７ｄ，ｐ型クラッド層２７ｃ，第２のガイ
ド層２７ｂ，劣化防止層２７ａ，活性層２６，第１のガ
イド層２５ｃおよびｎ型クラッド層２５ｂを順次選択的
に除去し、ｎ側コンタクト層２５ａを露出させる。その
のち、ｎ側コンタクト層２５ａの上にｎ側電極２８ｂを
選択的に形成する。ｎ側電極２８ａを形成したのち、ｐ
側コンタクト層２７ｄの上にｐ側電極２８ｂを選択的に
形成する。そののち、加熱処理を行いｎ側電極２８ａお
よびｐ側電極２８ｂを合金化させる。

【００３９】ｎ側電極２８ａおよびｐ側電極２８ｂをそ
れぞれ形成したのち、基板２１を各半導体レーザ形成領
域に対応させてｐ側電極２８ｂの長さ方向に対して垂直
に所定の幅で分割する。そののち、分割した一対の側面
に、例えば、Ｅガン蒸着法により一対の反射鏡膜２９を
それぞれ形成する。各反射鏡膜２９をそれぞれ形成した
のち、基板２１を各半導体レーザ形成領域に対応させて
ｐ側電極２８ｂの長さ方向と平行に所定の幅で分割す
る。これにより、半導体レーザ２０が形成される。

【００４０】次いで、支持体１１と導電性配設基板１３
とを一体成型し、その表面に半田膜を蒸着する。続い
て、別途形成した各ピン１５，１６，１８を支持体１１
にそれぞれ配設する。そののち、別途、絶縁性基板１４
ａを形成し、その一面に接着層１４ｂを蒸着すると共
に、他面に配線１４ｃおよび半田接着層１４ｄを順次蒸
着して絶縁性配設基板１４を形成する。絶縁性配設基板
１４を形成したのち、図示しない加熱装置に導電性配設
基板１３および支持体１１を載置し、導電性配設基板１
３の窪み部１３ａに絶縁性配設基板１４を載置する。更
に、導電性配設基板１３の突部１３ｂに半導体レーザ２
０のｐ側電極２８ｂを当接させると共に絶縁性配設基板
１４の半田接着層１４ｄにｎ側電極２８ａを当接させ
る。

【００４１】そののち、図示しない加熱装置により、導
電性配設基板１３を２４０〜３００℃の範囲内の温度に
５〜２０秒をかけて昇温し、その温度で１０〜６０秒間
保持する。これにより、導電性配設基板１３の半田膜が
溶けて導電性配設基板１３と絶縁性配設基板１４とが接
着されると共に、導電性配設基板１３と半導体レーザ２
０のｐ側電極２８ｂとが接着される。また、絶縁性配設
基板１４の半田接着層１４ｄが溶けて絶縁性配設基板１
４と半導体レーザ２０のｎ側電極２８ａとが接着され
る。

【００４２】なお、その際、絶縁性配設基板１４の半田
接着層１４ｄを導電性配設基板１３の半田膜よりも融点
が低い半田材料により構成するようにしていれば、必要
以上に温度を高くしなくても両方において良好に半田付
けすることができるので好ましい。また、加熱は、半田
材料の酸化を防止するために、窒素ガス（Ｎ₂ ）あるい
は水素ガス（Ｈ₂ ）またはそれらの混合ガスの雰囲気中
において行うことが好ましい。更に、半田材料の表面張
力により絶縁性配設基板１４および半導体レーザ２０の
位置がずれないように、半導体レーザ２０の上から荷重
をかけるなどして押さえておくことが好ましい。

【００４３】そののち、絶縁性配設基板１４の配線１４
ｃとピン１５との間にワイヤ１７を接合する。ワイヤ１
７を接合したのち、例えば、乾燥窒素雰囲気中におい
て、別途形成した蓋体１２を支持体１１に配設する。こ
れにより、図１に示した半導体発光装置およびパッケー
ジ１０がそれぞれ形成される。

【００４４】このようにして形成される半導体発光装置
およびパッケージ１０は、次のようにそれぞれ作用す
る。

【００４５】この半導体発光装置では、パッケージ１０
のピン１５およびピン１８を介して、半導体レーザ２０
のｎ側電極２８ａとｐ側電極２８ｂとの間に所定の電圧
が印加されると、活性層２６に電流が注入され、電子−
正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射
鏡膜２９の間を往復して増幅され、反射鏡膜２９からレ
ーザビームとして射出される。この半導体レーザ２０か
ら射出されたレーザビームは、パッケージ１０の取り出
し窓１２ａを介してパッケージ１０の外部に取り出され
る。

【００４６】また、その際、半導体レーザ２０では主と
して活性層２６において発熱が起こる。ここでは、ｐ側
電極２８ｂに導電性配設基板１３が直接接続されてお
り、活性層２６と導電性配設基板１３との間の距離が短
くなっているので、活性層２６において発生した熱は導
電性配設基板１３を介して積極的に放散される。よっ
て、半導体レーザ２０における温度の上昇が抑制され、
半導体レーザ２０は長時間に渡って安定して動作する。

【００４７】更に、ここでは、導電性配設基板１３の窪
み部１３ａに絶縁性配設基板１４が配設され、絶縁性配
設基板１４に設けられた配線１４ｃにｎ側電極２８ａが
電気的に接続されているので、導電性配設基板１３と配
線１４ｃとの絶縁性が確保され、ｎ側電極２８ａとｐ側
電極２８ｂとの短絡が防止される。

【００４８】このように本実施の形態に係る半導体発光
装置によれば、導電性配設基板１３にｐ側電極２８ｂを
直接接続するようにしたので、活性層２６と導電性配設
基板１３との間の距離を短くすることができ、活性層２
６において発生した熱を導電性配設基板１３により積極
的に放散することができる。よって、半導体レーザ２０
における温度の上昇を抑制することができ、長時間に渡
り安定して動作させることができる。従って、信頼性を
向上させることができる。

【００４９】また、導電性配設基板１３の窪み部１３ａ
に絶縁性配設基板１４を配設し、絶縁性配設基板１４に
設けられた配線１４ｃにｎ側電極２８ａを接続するよう
にしたので、導電性配設基板１３と配線１４ｃとの絶縁
性を確保することができる。よって、半導体レーザ２０
のｎ側電極２８ａとｐ側電極２８ｂとの短絡を防止する
ことができる。

【００５０】更に、本実施の形態に係るパッケージ１０
によれば、導電性配設基板１３に窪み部１３ａと突部１
３ｂとを形成し、窪み部１３ａに絶縁性配設基板１４を
配設するようにしたので、半導体レーザ２０のｎ側電極
２８ａを絶縁性配設基板１４に配設すると共にｐ側電極
２８ｂを導電性配設基板１３に配設することにより、ｎ
側電極２８ａとｐ側電極２８ｂとの短絡を防止すること
ができる。また、半導体レーザ２０の活性層２６におい
て発生した熱を導電性配設基板１３により積極的に放散
することができる。

【００５１】（第２の実施の形態）図５は本発明の第２
の実施の形態に係る半導体発光装置およびパッケージの
一部を取り出してそれぞれ表すものである。この半導体
発光装置およびパッケージは、導電性配設基板３３に分
離部３３ｃが設けられたことを除き、第１の実施の形態
と同一の構成および作用をそれぞれ有している。また、
第１の実施の形態と同様にしてそれぞれ製造することが
できる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の
符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００５２】分離部３３ｃは、導電性配設基板３３の載
置面における窪み部１３ａと突部１３ｂとの間に形成さ
れており、それらの中間程度の高さを有している。この
分離部３３ｃは、導電性配設基板３３と絶縁性配設基板
１４とを間隔を開けて分離することにより、半導体レー
ザ２０のｎ側電極２８ａとｐ側電極２８ｂとの短絡を防
止するためのものである。

【００５３】このように本実施の形態によれば、導電性
配設基板３３において窪み部１３ａと突部１３ｂとの間
に分離部３３ｃを設けるようにしたので、第１の実施の
形態において説明した効果に加えて、更に、半導体レー
ザ２０のｎ側電極２８ａとｐ側電極２８ｂとの短絡を有
効に防止することができる。

【００５４】（第３の実施の形態）図６は本発明の第３
の実施の形態に係る半導体発光装置およびパッケージの
一部を取り出してそれぞれ表すものである。この半導体
発光装置およびパッケージは、導電性配設基板４３に位
置固定部４３ｄが設けられたことを除き、第２の実施の
形態と同一の構成をそれぞれ有している。また、第１の
実施の形態と同一の作用をそれぞれ有し、同様にしてそ
れぞれ製造することができる。よって、ここでは、同一
の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省
略する。

【００５５】位置固定部４３ｄは、導電性配設基板４３
の載置面において突部１３ｂとの間に窪み部１３ａを挟
むように形成されている。この位置固定部４３ｄは、窪
み部１３ａよりも突状となっており、分離部３３ｃとの
間で絶縁性配設基板１４を挟むことにより、導電性配設
基板３４に絶縁性配設基板１４を半田付けする際に絶縁
性配設基板１４の位置がずれることを防止できるように
なっている。

【００５６】このように本実施の形態によれば、導電性
配設基板３３において突部１３ｂとの間に窪み部１３ａ
を挟むように位置固定部４３ｄを設けるようにしたの
で、第１の実施の形態において説明した効果に加えて、
更に、導電性配設基板４３に絶縁性配設基板１４を容易
かつ正確に配設することができる。

【００５７】（第４の実施の形態）図７は本発明の第４
の実施の形態に係る半導体発光装置およびパッケージの
一部を取り出してそれぞれ表すものである。この半導体
発光装置およびパッケージは、導電性配設基板５３およ
び絶縁性配設基板５４の構成が異なることを除き、第１
の実施の形態と同一の構成および作用をそれぞれ有して
いる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符
号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００５８】導電性配設基板５３は、例えば、銅または
鉄などの金属により支持体１１と一体として成型されて
おり、表面には金またはニッケル（Ｎｉ）などの金属よ
りなる薄膜が被着されている。更に、突部１３ｂの表面
には、第１の実施の形態において説明したような半田材
料よりなる半田接着層５３ｅが設けられている。この半
田接着層５３ｅは、半導体レーザ２０のｐ側電極２８ｂ
を接着するためのものである。これ以外は、第１の実施
の形態の導電性配設基板１３と同一の構成を有してい
る。

【００５９】絶縁性配設基板５４は、導電性配設基板５
３の窪み部１３ａに対して被着することにより形成され
た二酸化ケイ素などよりなる絶縁性基板５４ａを有して
いる。絶縁性基板５４ａの導電性配設基板５３と反対側
には、例えば、絶縁性基板５４ａの側から順に積層した
厚さ５０ｎｍのチタン層と厚さ５００ｎｍの金層とから
なる配線５４ｃが形成されている。配線５４ｃの絶縁性
基板５４ａと反対側における一部には、半田接着層５３
ｅと同様の半田材料よりなる半田接着層５４ｄが設けら
れており、半導体レーザ２０のｎ側電極２８ａを接着す
ることができるようになっている。この半田接着層５４
ｄを構成する半田材料は半田接着層５３ｅを構成する半
田材料と異なっていてもよいが、同一の材料により構成
するようにすれば、後述する製造方法において同一の工
程により同時に形成することができるので好ましい。半
田接着層５４ｄの厚さは第１の実施の形態における半田
接着層１４ｄと同様である。絶縁性配設基板５４の大き
さも第１の実施の形態における絶縁性配設基板１４と同
様である。

【００６０】このような構成を有する半導体発光装置お
よびパッケージは、次のようにしてそれぞれ製造するこ
とができる。

【００６１】まず、第１の実施の形態と同様にして半導
体レーザ２０を形成する。次いで、支持体１１と導電性
配設基板５３とを一体成型し、その表面に金などの金属
よりなる薄膜をメッキにより被着する。

【００６２】続いて、洗浄したのち、図８に示したよう
に、導電性配設基板５３の窪み部１３ａに対応して開口
６１ａが形成された金型６１を用意し、その開口６１ａ
を窪み部１３ａに対応させて導電性配設基板５３に金型
６１を配置する。その際、導電性配設基板５３の窪み部
１３ａと突部１３ｂとの境界に開口６１ａの一辺が一致
するように配置することが好ましい。そののち、この金
型６１の上方から、例えば、Ｅガン蒸着法により二酸化
ケイ素を２００℃で被着する。これにより、図８におい
て網かけで示した部分に絶縁性基板５４ａが形成され
る。なお、金型６１の開口６１ａの大きさは窪み部１３
ａの大きさよりも大きい方が好ましい。これは、開口６
１ａの大きさが小さいと絶縁性配設基板５４の大きさが
小さくなってしまい、半導体レーザ２０のｎ側電極２８
ａとｐ側電極２８ｂとの短絡を防止することができない
からである。ここでは、例えば、開口６１ａの支持体１
１に対して平行な方向における幅を０．８ｍｍとし、支
持体１１に対して垂直な方向における奥行きを１．１ｍ
ｍとする。

【００６３】絶縁性基板５４ａを形成したのち、図９に
示したように、絶縁性基板５４ａに対応して開口６２ａ
が形成された金型６２を用意し、その開口６２ａを絶縁
性基板５４ａに対応させて導電性配設基板５３に金型６
２を配置する。そののち、この金型６２の上方から、例
えば、蒸着法によりチタン，白金およびを順次蒸着す
る。これにより、図９において網かけで示した部分に配
線５４ｃが形成される。なお、開口６２ａの大きさは、
半導体レーザ２０のｎ側電極２８ａとｐ側電極２８ｂと
の短絡を防止するために、金型６１の開口６１ａの大き
さよりも小さい方が好ましい。ここでは、例えば、開口
６２ａの幅を０．７ｍｍ、奥行きを１．０ｍｍとし、金
型６１の開口６１ａよりも内側に金型６２の開口６２ａ
が位置するようにする。

【００６４】配線５４ｃを形成したのち、図１０に示し
たように、配線５４ｃに対応して開口６３ａが形成され
かつ導電性配設基板５３の突部１３ｂに対応して開口６
３ｂが形成された金型６３を用意し、開口６３ａを配線
５４ｃに対応させると共に開口６３ｂを突部１３ｂに対
応させて導電性配設基板５３に金型６２を配置する。そ
ののち、この金型６３の上方から、例えば、蒸着法によ
り半田材料を蒸着する。これにより、図１０において網
かけで示した部分に半田接着層５４ｄおよび半田接着層
５３ｅがそれぞれ形成される。なお、開口６３ａの大き
さは、半導体レーザ２０のｎ側電極２８ａとｐ側電極２
８ｂとの短絡を防止するために、金型６１の開口６１ａ
の大きさよりも小さい方が好ましい。ここでは、例え
ば、開口６３ａの幅を０．３５ｍｍ、奥行きを１．０ｍ
ｍとし、金型６１の開口６１ａよりも内側に金型６３の
開口６３ａが位置するようにする。また、開口６３ｂの
大きさは、例えば、幅を８００ｍｍ、奥行きを１．０ｍ
ｍとする。

【００６５】半田接着層５３ｅ，５４ｄをそれぞれ形成
したのち、支持体１１に別途形成したピン１５，１６，
１８をそれぞれ配設する。そののち、第１の実施の形態
と同様にして、半導体レーザ２０を導電性配設基板５３
および絶縁性配設基板５４に対して配設する。半導体レ
ーザ２０を配設したのち、第１の実施の形態と同様にし
て、配線５４ｃとピン１５との間にワイヤ１７を接合
し、別途形成した蓋体１２を支持体１１に配設する。こ
れにより、図７に示した半導体発光装置およびパッケー
ジが形成される。

【００６６】このように本実施の形態によれば、絶縁性
配設基板５４を導電性配設基板５３の窪み部１３ａに対
して被着することにより形成するようにしたので、第１
の実施の形態において説明した効果に加えて、絶縁性配
設基板５４を容易かつ低コストで配設することができ
る。

【００６７】（第５の実施の形態）図１１は本発明の第
５の実施の形態に係る半導体発光装置およびパッケージ
７０の全体構成をそれぞれ表すものである。この半導体
発光装置およびパッケージ７０は、半導体レーザ８０の
構成が異なり、それに合わせて導電性配設基板７３およ
び絶縁性配設基板７４の構成がそれぞれ異なることを除
き、第１の実施の形態と同一の構成をそれぞれ有してい
る。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符号
を付し、その詳細な説明を省略する。

【００６８】半導体レーザ８０は、図１２に拡大して示
したように、同一の基板８１の一面に、共振器方向に対
して垂直な方向にそれぞれ配列された複数（ここでは２
個）の発光部８０ａ，８０ｂを有している。なお、図１
２において共振器方向は紙面に対して垂直な方向となっ
ている。基板８１は、例えば、厚さが１００μｍ程度の
半絶縁性のＧａＡｓにより構成されており、発光部８０
ａ，８０ｂは基板８１の１００面に形成されている。

【００６９】各発光部８０ａ，８０ｂはそれぞれ同一の
構造を有しており、基板８１の側からバッファ層８２を
介して第１導電型半導体層であるｎ型半導体層８３，活
性層８４および第２導電型半導体層であるｐ型半導体層
８５が順次それぞれ積層されている。各バッファ層８２
は、例えば、厚さが５０ｎｍであり、ケイ素（Ｓｉ）ま
たはセレン（Ｓｅ）などのｎ型不純物を添加したｎ型Ｇ
ａＡｓによりそれぞれ構成されている。

【００７０】各ｎ型半導体層８３は、各バッファ層８２
の側から順に積層された各ｎ型クラッド層８３ａと各第
１のガイド層８３ｂとをそれぞれ有している。各ｎ型ク
ラッド層８３ａは、例えば、厚さが１．０μｍであり、
ケイ素またはセレンなどのｎ型不純物を添加したｎ型Ａ
ｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ混晶によりそれぞれ構成されてい
る。各第１のガイド層８３ｂは、例えば、厚さが１０ｎ
ｍであり、ケイ素またはセレンなどのｎ型不純物を添加
したｎ型Ａｌ_0.17Ｇａ_0.83Ａｓ混晶によりそれぞれ構成
されている。

【００７１】各活性層８４は、例えば、不純物を添加し
ないundope−ＡｌＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成され
ており、厚さが１０ｎｍのＡｌ_0.07Ｇａ_0.93Ａｓよりな
る井戸層と、厚さが５ｎｍのＡｌ_0.17Ｇａ_0.83Ａｓより
なるバリア層の多重量子井戸構造をそれぞれ有してい
る。各活性層８４は発光層としてそれぞれ機能するもの
であり、それらの発光波長はそれぞれ約７９０ｎｍとな
っている。

【００７２】各ｐ型半導体層８５は、各活性層８４の側
から順に積層された各第２のガイド層８５ａ，各ｐ型ク
ラッド層８５ｂおよびキャップ層８５ｃをそれぞれ有し
ている。各第２のガイド層８５ａは、例えば、厚さが１
０ｎｍであり、亜鉛（Ｚｎ）などのｐ型不純物を添加し
たｐ型Ａｌ_0.17Ｇａ_0.83Ａｓ混晶によりそれぞれ構成さ
れている。各ｐ型クラッド層８５ｂは、例えば、厚さが
１．０μｍであり、亜鉛などのｐ型不純物を添加したｐ
型Ａｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ混晶によりそれぞれ構成されて
いる。各キャップ層８５ｃは、例えば、厚さが５０ｎｍ
であり、亜鉛などのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＡｓ
によりそれぞれ構成されている。

【００７３】なお、各ｐ型クラッド層８５ｂには、積層
方向における一部において、共振器方向に沿った両側に
電流ブロック層８６がそれぞれ挿入されている。すなわ
ち、各ｐ型クラッド層８５ｂは積層方向の一部で共振器
方向に対して垂直な方向の幅がそれぞれ狭くなってお
り、電流狭窄をするようになっている。各電流ブロック
層８６は、例えば、厚さが７００ｎｍであり、ケイ素ま
たはセレンなどのｎ型不純物を添加したｎ型ＧａＡｓに
よりそれぞれ構成されている。

【００７４】各発光部８０ａ，８０ｂは、また、各ｎ型
クラッド層８３ａの積層方向における各活性層８４の側
に第１の電極としての各ｎ側電極８７ａをそれぞれ有し
ている。各ｎ側電極８７ａは、例えば、金とゲルマニウ
ム（Ｇｅ）との合金層とニッケル層と金層とをｎ型クラ
ッド層８３ａの側から順に積層し加熱処理により合金化
した構造をそれぞれ有しており、各ｎ型クラッド層８３
ａとそれぞれ電気的に接続されている。

【００７５】各発光部８０ａ，８０ｂは、更に、各キャ
ップ層８５ｃの各活性層８４と反対側に第２の電極とし
ての各ｐ側電極８７ｂをそれぞれ有している。各ｐ側電
極８７ｂは、例えば、チタン層と白金（Ｐｔ）層と金層
とをキャップ層８５ｃの側から順に積層し加熱処理によ
り合金化した構造をそれぞれ有しており、各キャップ層
８５ｃとそれぞれ電気的に接続されている。

【００７６】なお、各ｎ側電極８７ａと各ｐ側電極８７
ｂとを積層方向における同一側にそれぞれ形成するの
は、それらと各活性層８４との間の距離を短くすること
により各発光部８０ａ，８０ｂを高速に応答させること
ができるようにするためである。また、ここでは、各発
光部８０ａ，８０ｂの各ｐ側電極８７ｂは互いに隣接し
ており、各ｎ側電極８７ａはこれら各ｐ側電極８７ｂを
挟むようにそれぞれ位置している。

【００７７】各発光部８０ａ，８０ｂは、加えて、図１
２においては一方しか示していないが、共振器方向の端
部に一対の反射鏡膜８８をそれぞれ有している。一方の
反射鏡膜８８は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）
により構成されており、低い反射率を有している。他方
の図示しない端面膜は例えば酸化アルミニウム層と非晶
質ケイ素（アモルファスシリコン）層とを交互に積層し
て構成されており、高い反射率を有している。すなわ
ち、各活性層８４において発生した光は一対の反射鏡膜
８８の間を往復して増幅され、一方の反射鏡膜８８から
レーザビームとしてそれぞれ射出されるようになってい
る。

【００７８】パッケージ７０の導電性配設基板７３は、
図１１に示したように、載置面に一対の窪み部７３ａと
それに挟まれた１つの突部７３ｂとを有している。これ
ら一対の窪み部７３ａは半導体レーザ８０の各ｎ側電極
８７ａに対応してそれぞれ形成されており、突部７３ｂ
は半導体レーザ８０の各ｐ側電極８７ｂに対応して形成
されている。各窪み部７３ａの大きさは、それぞれ、例
えば、幅が０．２ｍｍであり、奥行きが１ｍｍである。
突部７３ｂの大きさは、例えば、幅が０．４ｍｍであ
り、奥行きが１ｍｍである。窪み部７３ａと突部７３ｂ
との載置面の高さの差は、例えば、３００μｍである。
各窪み部７３ａの大きさは互いに同一でなくともよい
が、絶縁性配設基板７４の種類を同一とすることにより
部品種類の数を削減することができるので、生産性を向
上させるためには互いに同一である方が好ましい。それ
以外は、第１の実施の形態における導電性配設基板１３
と同様の構成を有している。

【００７９】パッケージ７０の絶縁性配設基板７４は、
導電性配設基板７３の一対の窪み部７３ａに対してそれ
ぞれ配設されている。これら各絶縁性配設基板７４は、
ここでは図示しないが、第１の実施の形態における絶縁
性配設基板１４と同様に、絶縁性材料よりなる絶縁性基
板と、その導電性配設基板７４の側の面に形成された接
着層と、導電性配設基板７３と反対側の面に形成された
配線と、配線の絶縁性基板と反対側における一部に形成
された半田接着層とをそれぞれ有している。これらの構
成は、第１の実施の形態における絶縁性配設基板１４と
それぞれ同一である。また、各絶縁性配設基板７４の大
きさは、それぞれ、例えば、幅が０．２ｍｍであり、奥
行きが１ｍｍである。各絶縁性配設基板７４の厚さは、
第１の実施の形態における絶縁性配設基板１４と同様で
ある。

【００８０】なお、一方の絶縁性配設基板７４の配線は
ピン１５に対してワイヤ１７により接合されており、他
方の絶縁性配設基板７４の配線はピン１６に対してワイ
ヤ７７により接合されている。また、半導体レーザ８０
は、各ｎ側電極８７ａが各絶縁性配設基板７４の各半田
接着層にそれぞれ当接され、各ｐ側電極８７ｂが導電性
配設基板７３の突部７３ｂにそれぞれ当接されて配設さ
れている。すなわち、発光部８０ａのｎ側電極８７ａは
絶縁性配設基板７４の配線およびワイヤ７７を介してピ
ン１６により図示しない電源に対して接続され、発光部
８０ｂのｎ側電極８７ａは絶縁性配設基板７４の配線お
よびワイヤ１７を介してピン１５により図示しない電源
に対して接続され、各発光部８０ａ，８０ｂの各ｐ側電
極８７ｂは導電性配設基板７３を介してピン１８により
図示しない電源に対してそれぞれ接続されるようになっ
ている。

【００８１】ちなみに、ここでも、第１の実施の形態と
同様に、基板８１との間に各活性層８４を含む各ｐ側電
極８７ｂの方を導電性配設基板７３に当接させることに
より、各活性層８４において発生された熱を導電性配設
基板７３により積極的に放散することができるようにな
っている。

【００８２】このような構成を有する半導体発光装置お
よびパッケージ７０は、次のようにしてそれぞれ製造す
ることができる。

【００８３】まず、次のようにして半導体レーザ８０を
形成する。すなわち、まず、例えば、複数の半導体レー
ザ形成領域を有する半導体絶縁性のＧａＡｓよりなる基
板８１を用意し、ＭＯＣＶＤ法により、基板８１の一面
（１００面）にｎ型ＧａＡｓよりなるバッファ層８２，
ｎ型Ａｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ混晶よりなるｎ型クラッド層
８３ａ，ｎ型Ａｌ_0.17Ｇａ_0.83Ａｓ混晶よりなる第１の
ガイド層８３ｂ，undope−ＡｌＧａＡｓ混晶よりなる活
性層８４，ｐ型Ａｌ_0.17Ｇａ_0.83Ａｓ混晶よりなる第２
のガイド層８５ａおよびｐ型Ａｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ混晶
よりなるｐ型クラッド層８５ｂの一部を順次成長させ
る。

【００８４】そののち、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、
ｐ型クラッド層８５ｂの上にｎ型ＧａＡｓよりなる電流
ブロック層８６を選択的に成長させる。電流ブロック層
８６を選択的に成長させたのち、例えば、ＭＯＣＶＤ法
により、電流ブロック層８６およびｐ型クラッド層８５
ｂの上にｐ型Ａｌ_0.40Ｇａ_0.60Ａｓ混晶よりなるｐ型ク
ラッド層８５ｂの一部およびｐ型ＧａＡｓよりなるキャ
ップ層８５ｃを順次成長させる。

【００８５】キャップ層８５ｃまでを成長させたのち、
リソグラフィ技術を用い、各発光部８０ａ，８０ｂの形
成位置に対応してキャップ層８５ｃ，電流ブロック層８
６，ｐ型クラッド層８５ｂ，第２のガイド層８５ａ，活
性層８４，第１のガイド層８３ｂ，ｎ型クラッド層８３
ａおよびバッファ層８２を順次選択的に除去し、各発光
部８０ａ，８０ｂをそれぞれ分離する。

【００８６】各発光部８０ａ，８０ｂをそれぞれ分離し
たのち、リソグラフィ技術を用い、各ｎ側電極８７ａの
形成位置に対応してキャップ層８５ｃ，電流ブロック層
８６，ｐ型クラッド層８５ｂ，第２のガイド層８５ａ，
活性層８４，第１のガイド層８３ｂおよびｎ型クラッド
層８３ａの一部を順次選択的にそれぞれ除去し、各ｎ型
クラッド層８３ａを露出させる。そののち、各ｎ型クラ
ッド層８３ａの上に各ｎ側電極８７ａをそれぞれ選択的
に形成する。各ｎ側電極８７ａをそれぞれ形成したの
ち、各キャップ層８５ｃの上に各ｐ側電極８７ｂをそれ
ぞれ選択的に形成する。そののち、加熱処理を行い各ｎ
側電極８７ａおよび各ｐ側電極８７ｂをそれぞれ合金化
させる。

【００８７】各ｎ側電極８７ａおよび各ｐ側電極８７ｂ
をそれぞれ形成したのち、基板８１を各半導体レーザ形
成領域に対応させて共振器方向に対して垂直に所定の幅
で分割する。そののち、分割した一対の側面に、例えば
ＣＶＤ法により一対の反射鏡膜８８をそれぞれ形成す
る。各反射鏡膜８８をそれぞれ形成したのち、基板８１
を各半導体レーザ形成領域に対応させて共振器方向と平
行に所定の幅で分割する。これにより、半導体レーザ８
０が形成される。

【００８８】次いで、第１の実施の形態と同様にして、
支持体１１と導電性配設基板７３とを一体成型し、その
表面に半田膜を蒸着したのち、別途形成した各ピン１
５，１６，１８を支持体１１にそれぞれ配設する。続い
て、第１の実施の形態と同様にして、別途、各絶縁性配
設基板７４をそれぞれ形成する。

【００８９】各絶縁性配設基板７４をそれぞれ形成した
のち、第１の実施の形態と同様にして、導電性配設基板
７３の各窪み部７３ａに各絶縁性配設基板７４をそれぞ
れ載置し、導電性配設基板７３の突部７３ｂに半導体レ
ーザ８０の各ｐ側電極８７ｂをそれぞれ当接させると共
に各絶縁性配設基板７４の各半田接着層に各ｎ側電極８
７ａをそれぞれ当接させて、図示しない加熱装置により
加熱する。これにより、導電性配設基板７３の半田膜が
溶けて導電性配設基板７３と各絶縁性配設基板７４とが
それぞれ接着されると共に、導電性配設基板７３と半導
体レーザ８０の各ｐ側電極８７ｂとがそれぞれ接着され
る。また、各絶縁性配設基板７４の半田接着層が溶けて
各絶縁性配設基板７４と半導体レーザ８０の各ｎ側電極
８７ａとがそれぞれ接着される。

【００９０】そののち、一方の絶縁性配設基板７４の配
線とピン１５との間にワイヤ１７を接合し、他方の絶縁
性配設基板７４の配線とピン１６との間にワイヤ７７を
接合する。ワイヤ１７，７７をそれぞれ接合したのち、
第１の実施の形態と同様にして、別途形成した蓋体１２
を支持体１１に配設する。これにより、図１１に示した
半導体発光装置およびパッケージ７０がそれぞれ形成さ
れる。

【００９１】このようにして形成される半導体発光装置
およびパッケージ７０は、次のようにそれぞれ作用す
る。

【００９２】この半導体発光装置では、パッケージ７０
のピン１５，１６，１８をそれぞれ介して、半導体レー
ザ８０の各ｎ側電極８７ａと各ｐ側電極８７ｂとの間に
所定の電圧が印加されると、各活性層８４に電流が注入
され、電子−正孔再結合によりそれぞれ発光が起こる。
これらの光は、一対の反射鏡膜８８の間を往復して増幅
され、反射鏡膜８８からレーザビームとしてそれぞれ射
出される。この半導体レーザ８０から射出された各レー
ザビームは、パッケージ７０の取り出し窓１２ａを介し
てパッケージ７０の外部にそれぞれ取り出される。

【００９３】また、その際、半導体レーザ８０では主と
して各発光部８０ａ，８０ｂの各活性層８４において発
熱が起こる。ここでは、各ｐ側電極８７ｂに導電性配設
基板７３が直接接続されており、各活性層８４と導電性
配設基板７３との間の距離が短くなっているので、各活
性層８４において発生した熱は導電性配設基板７３を介
して積極的に放散される。よって、半導体レーザ８０に
おける各発光部８０ａ，８０ｂの熱干渉が抑制され、閾
値電流の上昇および発光効率の低下が抑制される。

【００９４】更に、ここでは、導電性配設基板７３の各
窪み部７３ａに各絶縁性配設基板７４がそれぞれ配設さ
れ、各絶縁性配設基板７４に設けられた各配線に各ｎ側
電極８７ａがそれぞれ電気的に接続されているので、導
電性配設基板７３と各配線との絶縁性が確保され、ｎ側
電極８７ａとｐ側電極８７ｂとの短絡が防止される。加
えて、各配線同士の絶縁性も確保され、各発光部８０
ａ，８０ｂの独立駆動が確保される。

【００９５】このように本実施の形態に係る半導体発光
装置によれば、導電性配設基板７３に各ｐ側電極８７ｂ
を直接接続するようにしたので、各活性層８４と導電性
配設基板７３との間の距離を短くすることができ、各活
性層８４において発生した熱を導電性配設基板７３によ
り積極的に放散することができる。よって、各発光部８
０ａ，８０ｂにおける熱干渉を抑制することができる。
すなわち、各発光部８０ａ，８０ｂの閾値電流の上昇お
よび発光効率の低下を抑制することができ、高い品質を
長期間に渡って維持することができる。

【００９６】また、導電性配設基板７３の各窪み部７３
ａに各絶縁性配設基板７４をそれぞれ配設し、各絶縁性
配設基板７４に設けられた各配線に各ｎ側電極８７ａを
それぞれ接続するようにしたので、導電性配設基板７３
と各配線との絶縁性を確保することができる。よって、
半導体レーザ８０の各ｎ側電極８７ａと各ｐ側電極８７
ｂとの短絡を防止することができる。更に、各配線同士
の絶縁性も確保することができ、各発光部８０ａ，８０
ｂの独立駆動を確保することができる。

【００９７】更に、本実施の形態に係るパッケージ７０
によれば、導電性配設基板７３に各窪み部７３ａと突部
７３ｂとを形成し、各窪み部７３ａに各絶縁性配設基板
７４をそれぞれ配設するようにしたので、半導体レーザ
８０の各ｎ側電極８７ａを各絶縁性配設基板７４にそれ
ぞれ配設すると共に各ｐ側電極８７ｂを導電性配設基板
７３にそれぞれ配設することにより、各ｎ側電極８７ａ
と各ｐ側電極８７ｂとの短絡を防止することができる。
また、各ｎ側電極８７ａ同士の絶縁性も確保することが
でき、各発光部８０ａ，８０ｂの独立駆動も確保するこ
とができる。更に、半導体レーザ８０の各活性層８４に
おいて発生した熱を導電性配設基板１３により積極的に
放散することができる。

【００９８】なお、ここでは詳細に説明しないが、本実
施の形態に係る半導体発光装置についても、第２の実施
の形態と同様に、導電性配設基板７３に分離部を設ける
ようにしてもよい。また、第３の実施の形態と同様に、
導電性配設基板７３に位置固定部を設けるようにしても
よい。更に、第４の実施の形態と同様に、各絶縁性配設
基板７４を導電性配設基板７３の各窪み部７３ａに対し
て被着することにより形成するようにしてもよい。

【００９９】（第６の実施の形態）図１３は本発明の第
６の実施の形態に係る半導体発光装置およびパッケージ
の一部を取り出してそれぞれ表すものである。この半導
体発光装置およびパッケージは、半導体レーザ１００が
３以上の発光部１００ａを有しており、それに合わせて
導電性配設基板９３および絶縁性配設基板９４の構成が
それぞれ異なることを除き、第５の実施の形態と同一の
構成，作用および効果をそれぞれ有している。また、第
５の実施の形態と同様にしてそれぞれ製造することがで
きる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符
号を付し、その詳細な説明を省略する。

【０１００】半導体レーザ１００は、ここでは５個の発
光部１００ａを有している。各発光部１００ａは、互い
に同一の構成を有しており、各ｎ側電極と各ｐ側電極と
が互い違いに位置するようにそれぞれ形成されている。
それ以外は、第５の実施の形態における半導体レーザ８
０と同様の構成を有している。

【０１０１】導電性配設基板９３は、載置面に、５個の
突部９３ｂと、各突部９３ｂをコの字型にそれぞれ囲む
ように形成された窪み部９３ａとをそれぞれ有してい
る。これら窪み部９３ａは半導体レーザ１００の各ｎ側
電極に対応してそれぞれ形成されており、突部９３ｂは
半導体レーザ１００の各ｐ側電極に対応してそれぞれ形
成されている。それ以外は、第５の実施の形態における
導電性配設基板７３と同様の構成を有している。

【０１０２】絶縁性配設基板９４は、導電性配設基板９
３の窪み部９３ａに対して配設されている。絶縁性配設
基板９４は、導電性配設基板９３の窪み部９３ａに対応
して櫛形状とされた絶縁性材料よりなる絶縁性基板９４
ａを有している。絶縁性基板９４ａの導電性配設基板９
４の側には、全面に接着層９４ｂが形成されている。絶
縁性基板９４ａの導電性配設基板９３と反対側には、半
導体レーザ１００の各ｎ側電極に対応して互いに独立し
た各配線９４ｃがそれぞれ形成されている。各配線９４
ｃの絶縁性基板９４ａと反対側における一部には、半田
接着層９４ｄがそれぞれ形成されている。これら絶縁性
基板９４ａ，接着層９４ｂ，各配線９４ｃおよび各半田
接着層９４ｄを構成する材料などは第５の実施の形態と
同一である。また、絶縁性配設基板９４の厚さは、第５
の実施の形態と同様である。

【０１０３】なお、半導体レーザ１００は、各ｎ側電極
が各絶縁性配設基板９４の各半田接着層９４ｄにそれぞ
れ当接され、各ｐ側電極が導電性配設基板７３の各突部
７３ｂにそれぞれ当接されて配設されている。また、こ
こでは図示しないが、各絶縁性配設基板９４の各配線９
４ｃは、それぞれ別個のピンに対して接続される。すな
わち、本実施の形態によれば、発光部１００ａを３以上
有する半導体レーザについても第５の実施の形態と同様
の効果を得ることができる。

【０１０４】ちなみに、ここでは詳細に説明しないが、
本実施の形態に係る半導体発光装置についても、第２の
実施の形態と同様に、導電性配設基板９３に分離部を設
けるようにしてもよい。また、第３の実施の形態と同様
に、導電性配設基板９３に位置固定部を設けるようにし
てもよい。更に、第４の実施の形態と同様に、各絶縁性
配設基板９４を導電性配設基板９３の窪み部９３ａに対
して被着することにより形成するようにしてもよい。

【０１０５】以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明
したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるもので
はなく、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施
の形態においては、導電性配設基板１３，３３，４３，
５３，７３，９３をそれぞれ金属により構成する場合に
ついて説明したが、他の導電性材料により構成するよう
にしてもよい。

【０１０６】また、上記第１乃至第３および第５および
第６の各実施の形態においては、絶縁性配設基板１４，
７４，９４をそれぞれ窒化アルミニウム，窒化ホウ素あ
るいは炭化ケイ素などの絶縁材料により構成する場合に
ついて説明したが、絶縁性配設基板１４，７４，９４を
二酸化ケイ素，窒化ケイ素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ），酸化アルミ
ニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ），アモルファスシリコン，酸化ジ
ルコニウム（ＺｒＯ）あるいは酸化チタン（ＴｉＯ）な
どの他の絶縁材料によりそれぞれ構成するようにしても
よい。

【０１０７】更に、上記第４の実施の形態においては、
絶縁性配設基板５４を二酸化ケイ素により構成する場合
について説明したが、絶縁性配設基板５４を窒化アルミ
ニウム，窒化ホウ素，炭化ケイ素，窒化ケイ素，酸化ア
ルミニウム，アモルファスシリコン，酸化ジルコニウム
あるいは酸化チタンなどの他の絶縁材料により構成する
ようにしてもよい。

【０１０８】加えて、上記各実施の形態においては、導
電性配設基板１３，３３，４３，５３，７３，９３の窪
み部１３ａ，７３ａ，９３ａおよび突部１３ｂ，７３
ｂ，９３ｂが平坦状となっている場合について説明した
が、図１４および図１５に示したように、導電性配設基
板１１３，１２３の窪み部１１３ａ，１２３ａおよび突
部１１３ｂ，１２３ｂがそれぞれ凹凸を有するようにし
てもよい。但し、導電性配設基板と絶縁性配設基板との
接触面積および導電性配設基板と半導体素子の第２の電
極との接触面積は、大きい方が高い放熱効果を得ること
ができるので好ましい。

【０１０９】更にまた、上記各実施の形態においては、
第１導電型半導体層をｎ型半導体層２５，８３とし、第
２導電型半導体層をｐ型半導体層２７，８５とする場合
についてのみ説明したが、第１導電型半導体層をｐ型半
導体層とし、第２導電型半導体層をｎ型半導体層とする
ようにしてもよい。但し、ｐ型半導体層に比べてｎ型半
導体層の方が優れた結晶性を得ることができる場合に
は、基板にｎ型半導体層，活性層およびｐ型半導体層を
順次成長させた方が良好な半導体発光素子が得られるの
で好ましい。例えば、ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
体などはこの場合に該当する。

【０１１０】加えてまた、上記第１乃至第４の各実施の
形態においては、半導体レーザ２０（例えば、ｎ型半導
体層２５，活性層２６およびｐ型半導体層２７）を構成
するＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体について具体的
な例を挙げて説明したが、本発明は、他の適宜なＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体（すなわち、ガリウム（Ｇ
ａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびイン
ジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種
のＩＩＩ族元素と、窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイト
ライド化合物半導体）によりそれらを構成するようにし
てもよい。

【０１１１】更にまた、上記第１乃至第４の各実施の形
態においては、半導体レーザ２０（例えば、ｎ型半導体
層２５，活性層２６およびｐ型半導体層２７）をＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体について構成する場合につ
いて説明したが、本発明は、それらが他の半導体により
構成される場合であっても広く適用することができる。
但し、本発明は、第１の電極および第２の電極が積層方
向における同一側に位置する半導体素子を配設する場合
において特に有効である。例えば、半導体素子が順次積
層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型
半導体層を有すると共に、第１の電極が第１導電型半導
体層の活性層側に位置し、第２の電極が第２導電型半導
体層の活性層と反対側に位置する場合である。

【０１１２】加えてまた、上記第５および第６の各実施
の形態においては、各発光部８０ａ，８０ｂ，１００ａ
（例えば、ｎ型半導体層８３，活性層８４およびｐ型半
導体層８５）を構成する半導体について具体的な例を挙
げて説明したが、本発明は、それらを他の半導体により
構成するようにしてもよい。例えば、それらが他のＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体またはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
により構成される場合であっても広く適用することがで
きる。

【０１１３】更にまた、上記各実施の形態においては、
半導体レーザの構成について具体的に説明したが、本発
明は、他の構成を有するものであっても広く適用するこ
とができる。例えば、劣化防止層２７ａを備えなくても
よく、第１のガイド層２５ｃ，８３ｂおよび第２のガイ
ド層２７ｂ，８５ａが不純物を添加しない半導体により
それぞれ構成されてもよい。また、他の方法により電流
狭窄をするようにしてもよい。

【０１１４】加えてまた、上記各実施の形態において
は、半導体装置として半導体レーザを備えた半導体発光
装置についてのみ説明したが、本発明は、発光ダイオー
ドなどの他の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に
ついても同様に適用することができる。更にまた、半導
体発光装置に限らず、他の半導体素子を備えた半導体装
置についても同様に適用することができる。

【０１１５】加えてまた、上記各実施の形態において
は、半導体レーザ２０，８０，１００（例えば、第１導
電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層）をＭ
ＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、Ｍ
ＢＥ法やハライド法などの他の気相成長法により形成す
るようにしてもよい。なお、ハライド気相成長法とは、
ハロゲンが輸送もしくは反応に寄与する気相成長法のこ
とであり、ハイドライド気相成長法とも言う。

【０１１６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至１２の
いずれか１に記載の半導体装置によれば、絶縁性配設基
板を導電性配設基板の窪み部に対して配設すると共に、
半導体素子の一部を導電性配設基板に対して配設し、他
の一部を絶縁性配設基板に対して配設するように構成し
たので、絶縁性を確保しつつ半導体素子において発生し
た熱を導電性配設基板により放散することができる。よ
って、半導体素子における温度の上昇を抑制することが
でき、長時間に渡り安定して動作させることができる。
従って、信頼性を向上させることができるという効果を
奏する。

【０１１７】特に、請求項５または６に記載の半導体装
置によれば、第１導電型半導体層の活性層の側に第１の
電極を有し、かつ第２導電型半導体層の活性層と反対側
に第２の電極を有すと共に、第１の電極を絶縁性配設基
板に対して配設し、第２の電極を導電性配設基板に対し
て配設するようにしたので、活性層と導電性配設基板と
の間の距離を短くすることができ、活性層において発生
した熱を導電性配設基板により積極的に放散することが
できる。よって、半導体素子における温度の上昇を抑制
することができるという効果を奏する。また、半導体素
子における第１の電極と第２の電極との短絡を防止する
ことができるという効果も奏する。

【０１１８】また、請求項８または９に記載の半導体装
置によれば、半導体素子が複数の発光部を同一基板に有
するようにしたので、各活性層において発生した熱を導
電性配設基板により放散することができる。よって、各
発光部における熱干渉を抑制することができる。すなわ
ち、各発光部の閾値電流の上昇および発光効率の低下を
抑制することができ、高い品質を長期間に渡って維持す
ることができるという効果を奏する。

【０１１９】更に、請求項１０記載の半導体装置によれ
ば、導電性配設基板において窪み部と突部との間に分離
部を有するようにしたので、半導体素子の絶縁性を更に
有効に確保することができるという効果を奏する。

【０１２０】加えて、請求項１１記載の半導体装置によ
れば、導電性配設基板において突部との間に窪み部を挟
むように位置固定部を有するようにしたので、導電性配
設基板に絶縁性配設基板を容易かつ正確に配設すること
ができるという効果を奏する。

【０１２１】更にまた、請求項１２記載の半導体装置に
よれば、絶縁性配設基板を導電性配設基板の窪み部に対
して被着させることにより形成するようにしたので、絶
縁性配設基板を容易かつ低コストで配設することができ
るという効果を奏する。

【０１２２】加えてまた、請求項１３乃至１５のいずれ
か１に記載のパッケージによれば、絶縁性配設基板を導
電性配設基板の窪み部に対して配設するように構成した
ので、絶縁性配設基板により絶縁性を確保しつつ、導電
性配設基板により放熱性を確保することができるという
効果を奏する。

【０１２３】更にまた、請求項１６または１７に記載の
パッケージによれば、絶縁性配設基板が配設される窪み
部と半導体素子が配設される突部とを有する導電性配設
基板を備えるようにしたので、窪み部に配設される絶縁
性配設基板により絶縁性を確保しつつ、半導体素子にお
いて発生した熱を導電性配設基板により積極的に放散す
ることができるという効果を奏する。

【０１２４】加えてまた、請求項１８乃至２５のいずれ
か１に記載の半導体装置の製造方法によれば、導電性配
設基板の窪み部に対して配設された絶縁性配設基板を形
成すると共に、半導体素子の一部を導電性配設基板に対
して配設し、他の一部を絶縁性配設基板に対して配設す
るようにしたので、本発明の半導体装置を容易に製造す
ることができ、本発明の半導体装置を容易に実現するこ
とができるという効果を奏する。

【０１２５】更にまた、請求項２６または２７に記載の
パッケージの製造方法によれば、導電性配設基板に窪み
部と突部とを形成し、その窪み部に絶縁性配設基板を形
成するようにしたので、本発明のパッケージを容易に製
造することができ、本発明のパッケージを容易に実現す
ることができるという効果を奏する。

【０１２６】加えてまた、請求項２８または２９に記載
のパッケージの製造方法によれば、一面に窪み部と突部
とを有する導電性配設基板を形成するようにしたので、
本発明のパッケージを容易に製造することができ、本発
明のパッケージを容易に実現することができるという効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装
置の構成を表す部分分解斜視図である。

【図２】図１に示した半導体発光装置の導電性配設基板
を取り出して表す斜視図である。

【図３】図１に示した半導体発光装置の絶縁性配設基板
を取り出して表す斜視図である。

【図４】図１に示した半導体発光装置の半導体レーザを
取り出して表す部分断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装
置の一部を取り出して表す分解斜視図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体発光装
置の一部を取り出して表す分解斜視図である。

【図７】本発明の第４の実施の形態に係る半導体発光装
置の一部を取り出して表す分解斜視図である。

【図８】図７に示した半導体発光装置の一製造工程を表
す斜視図である。

【図９】図８に続く製造工程を表す斜視図である。

【図１０】図９に続く製造工程を表す斜視図である。

【図１１】本発明の第５の実施の形態に係る半導体発光
装置の全体構成を表す部分分解斜視図である。

【図１２】図１１に示した半導体発光装置の半導体レー
ザを取り出して表す部分断面図である。

【図１３】本発明の第６の実施の形態に係る半導体発光
装置の一部を取り出して表す分解斜視図である。

【図１４】本発明に係る半導体装置の変形例を表す斜視
図である。

【図１５】本発明に係る半導体装置の他の変形例を表す
斜視図である。

【図１６】従来の半導体発光装置の構成を表す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１０，７０…パッケージ、１１…支持体、１２…蓋体、
１２ａ…取り出し窓、１３，３３，４３，５３，７３，
９３，１１３，１２３，２１３…導電性配設基板、１３
ａ，７３ａ，９３ａ，１１３ａ，１２３ａ…窪み部、１
３ｂ，７３ｂ，９３ｂ，１１３ｂ，１２３ｂ…突部、１
４，５４，７４，９４…絶縁性配設基板、１４ａ，５４
ａ，９４ａ…絶縁性基板、１４ｂ，９４ｂ…接着層、１
４ｃ，５４ｃ，９４ｃ…配線、１４ｄ，５３ｅ，５４
ｄ，９４ｄ…半田接着層、１５，１６，１８…ピン、１
５ａ，１６ａ…絶縁リング、１７，７７…ワイヤ、２
０，８０，１００…半導体レーザ（半導体素子）、２
１，８１…基板、２２ａ，８２…バッファ層、２２ｂ…
下地層、２３…マスク層、２４…被覆成長層、２５，８
３…ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）、２５ａ…ｎ
側コンタクト層、２５ｂ，８３ａ…ｎ型クラッド層、２
５ｃ，８３ｂ…第１のガイド層、２６，８４…活性層、
２７，８５…ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）、２
７ａ…劣化防止層、２７ｂ，８５ａ…第２のガイド層、
２７ｃ，８５ｂ…ｐ型クラッド層、２７ｄ…ｐ側コンタ
クト層、２８ａ，８７ａ…ｎ側電極（第１の電極）、２
８ｂ，８７ｂ…ｐ側電極（第２の電極）、２９，８８…
反射鏡膜、３３ｃ…分離部、４３ｄ…位置固定部，６
１，６２，６３…金型、６１ａ，６２ａ，６３ａ…開
口、８０ａ，８０ｂ，１００ａ…発光部、８６…電流ブ
ロック層，２１９…サブマウント、２２０…半導体発光
素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA33 CA04 CA05 CA33 CA34 CA35 CA36 CA40 CA46 DA01 5F073 AA20 AA74 AB05 CA05 CA07 FA14 FA15 FA16 FA24

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一面に窪み部および突部を有する導電性
   配設基板と、 この導電性配設基板の窪み部に対して配設された絶縁性
   配設基板と、 一部が前記導電性配設基板に対して配設され、他の一部
   が前記絶縁性配設基板に対して配設された半導体素子と
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記絶縁性配設基板は、前記導電性配設
   基板との間の絶縁性が確保された配線を有することを特
   徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記半導体素子は第１の電極および第２
   の電極を有すると共に、第１の電極は前記絶縁性配設基
   板の配線と電気的に接続され、第２の電極は前記導電性
   配設基板と電気的に接続されたことを特徴とする請求項
   ２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記半導体素子は順次積層された第１導
   電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を有す
   ると共に、第１の電極は第１導電型半導体層と電気的に
   接続され、第２の電極は第２導電型半導体層と電気的に
   接続されたことを特徴とする請求項３記載の半導体装
   置。
5. 【請求項５】 前記半導体素子は、第１導電型半導体層
   の活性層の側に第１の電極を有すると共に、第２導電型
   半導体層の活性層と反対側に第２の電極を有することを
   特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記半導体素子における第１導電型半導
   体層はｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層はｐ型
   半導体層であると共に、第１の電極はｎ側電極であり、
   第２の電極はｐ側電極であることを特徴とするとする請
   求項５記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記半導体素子の第１導電型半導体層，
   活性層および第２導電型半導体層は、ガリウム（Ｇ
   ａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびイン
   ジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩ
   ＩＩ族元素と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド
   化合物半導体よりそれぞれなることを特徴とする請求項
   ４記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 前記半導体素子は、順次積層された第１
   導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を有
   する複数の発光部を同一基板に有することを特徴とする
   請求項１記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 前記絶縁性配設基板は前記導電性配設基
   板との間の絶縁性が確保された複数の配線を有すると共
   に、前記半導体素子は、各発光部において、第１導電型
   半導体層の活性層の側に第１の電極を有しかつ第２導電
   型半導体層の活性層と反対側に第２の電極を有してお
   り、各発光部の第１の電極は前記絶縁性配設基板の各配
   線とそれぞれ電気的に接続され、各発光部の第２の電極
   は前記導電性配設基板とそれぞれ電気的に接続されたこ
   とを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記導電性配設基板は、一面において
    窪み部と突部との間に、前記絶縁性配設基板と前記導電
    性配設基板との間隔を開けてそれらを分離する分離部を
    有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
11. 【請求項１１】 前記導電性配設基板は、一面において
    突部との間に窪み部を挟むように、前記絶縁性配設基板
    の位置ずれを防止する突状の位置固定部を有することを
    特徴とする請求項１記載の半導体装置。
12. 【請求項１２】 前記絶縁性配設基板は、前記導電性配
    設基板の窪み部に対して被着されることにより形成され
    たことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
13. 【請求項１３】 一面に窪み部および突部を有する導電
    性配設基板と、 この導電性配設基板の窪み部に対して配設された絶縁性
    配設基板とを備えたことを特徴とするパッケージ。
14. 【請求項１４】 前記絶縁性配設基板は、前記導電性配
    設基板との間の絶縁性が確保された配線を有することを
    特徴とする請求項１３記載のパッケージ。
15. 【請求項１５】 前記導電性配設基板は、一面において
    窪み部と突部との間に、前記絶縁性配設基板と前記導電
    性配設基板との間隔を開けてそれらを分離する分離部を
    有することを特徴とする請求項１３記載のパッケージ。
16. 【請求項１６】 絶縁性配設基板が配設される窪み部と
    半導体素子が配設される突部とを一面に有する導電性配
    設基板を備えたことを特徴とするパッケージ。
17. 【請求項１７】 前記導電性配設基板は、窪み部と突部
    との間に、窪み部に配設される絶縁性配設基板と前記導
    電性配設基板との間隔を開けてそれらを分離する分離部
    を有することを特徴とする請求項１６記載のパッケー
    ジ。
18. 【請求項１８】 一面に窪み部および突部を有する導電
    性配設基板を形成する工程と、 導電性配設基板の窪み部に対して配設された絶縁性配設
    基板を形成する工程と、 半導体素子を形成する工程と、 半導体素子の一部を導電性配設基板に対して配設し、他
    の一部を絶縁性配設基板に対して配設する工程とを含む
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 基板の上に第１導電型半導体層，活性
    層および第２導電型半導体層を順次積層したのち、第１
    導電型半導体層の活性層の側に第１の電極を設けかつ第
    ２導電型半導体層の活性層と反対側に第２の電極を設け
    ることにより半導体素子を形成すると共に、第２の電極
    を導電性配設基板に対して配設し、第１の電極を絶縁性
    配設基板に対して配設することを特徴とする請求項１８
    記載の半導体装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 第１導電型半導体層をｎ型半導体層に
    より形成し、第２導電型半導体層をｐ型半導体層により
    形成することを特徴とする請求項１９記載の半導体装置
    の製造方法。
21. 【請求項２１】 第１導電型半導体層，活性層および第
    ２導電型半導体層を、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム
    （Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）から
    なる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と窒素
    （Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体より
    それぞれ形成することを特徴とする請求項１９記載の半
    導体装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 同一基板の上に順次積層した第１導電
    型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を有する
    複数の発光部を形成し、第１導電型半導体層の活性層の
    側に第１の電極を設けかつ第２導電型半導体層の活性層
    と反対側に第２の電極を設けることにより半導体素子を
    形成すると共に、第２の電極を導電性配設基板に対して
    配設し、第１の電極を絶縁性配設基板に対して配設する
    ことを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方
    法。
23. 【請求項２３】 導電性配設基板の窪み部と突部との間
    に、絶縁性配設基板と導電性配設基板との間隔を開けて
    それらを分離する分離部を形成することを特徴とする請
    求項１８記載の半導体装置の製造方法。
24. 【請求項２４】 導電性配設基板の一面に、窪み部を突
    部との間において挟むように、絶縁性配設基板の位置ず
    れを防止する突状の位置固定部を形成することを特徴と
    する請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
25. 【請求項２５】 絶縁性配設基板を、導電性配設基板の
    窪み部に対して被着することにより形成することを特徴
    とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
26. 【請求項２６】 一面に窪み部および突部を有する導電
    性配設基板を形成する工程と、 導電性配設基板の窪み部に対して配設された絶縁性配設
    基板を形成する工程とを含むことを特徴とするパッケー
    ジの製造方法。
27. 【請求項２７】 導電性配設基板の窪み部と突部との間
    に、絶縁性配設基板と導電性配設基板との間隔を開けて
    それらを分離する分離部を形成することを特徴とする請
    求項２６記載のパッケージの製造方法。
28. 【請求項２８】 絶縁性配設基板が配設される窪み部と
    半導体素子が配設される突部とを一面に有する導電性配
    設基板を形成する工程を含むことを特徴とするパッケー
    ジの製造方法。
29. 【請求項２９】 導電性配設基板の窪み部と突部との間
    に、窪み部に配設される絶縁性配設基板と導電性配設基
    板との間隔を開けてそれらを分離する分離部を形成する
    ことを特徴とする請求項２８記載のパッケージの製造方
    法。