JP2000082717A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JP2000082717A
JP2000082717A JP10251701A JP25170198A JP2000082717A JP 2000082717 A JP2000082717 A JP 2000082717A JP 10251701 A JP10251701 A JP 10251701A JP 25170198 A JP25170198 A JP 25170198A JP 2000082717 A JP2000082717 A JP 2000082717A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
capillary
point
bond point
bond
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10251701A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Nishiura
信一 西浦
Nobuo Takeuchi
信夫 武内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP10251701A priority Critical patent/JP2000082717A/ja
Priority to TW088113514A priority patent/TW510002B/zh
Priority to KR1019990037029A priority patent/KR100317698B1/ko
Priority to US09/391,032 priority patent/US6182885B1/en
Publication of JP2000082717A publication Critical patent/JP2000082717A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】第２ボンド点へのボンディング時におけるワイ
ヤループの膨らみを防止して安定したワイヤループ形状
を可能にし、低段差デバイスにおける低ワイヤループを
可能とする。 【解決手段】キャピラリの先端より突出したワイヤの先
端に形成されたボールを第１ボンド点Ａにボンディング
した後、キャピラリが第２ボンド点Ｃ側に移動する時、
まず第２ボンド点Ｃより僅かに第１ボンド点Ａ側のＥ点
に下降してキャピラリの先端より垂れ下がったワイヤ部
を水平面に押し付け、次にキャピラリはＦ点に上昇及び
第２ボンド点Ｃの上方のＧ点に移動した後、キャピラリ
は下降して第２ボンド点Ｃにワイヤをボンディングす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、キャピラリに挿通
されたワイヤをキャピラリで第１ボンド点と第２ボンド
点との間を接続するワイヤボンディング方法に係り、特
に第１ボンド点と第２ボンド点との段差が小さい低段差
デバイスにおいて、低ワイヤループを形成するに好適な
ワイヤボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ワイヤボンディング方法には種々の方法
が提案されているが、最も一般的な方法を図７に示す。
図７（ａ）に示すように、ワイヤ１をクランプするため
にキャピラリ２の上方にあるクランパ（図示せず）は開
状態で、キャピラリ２が下降してキャピラリ２の先端よ
り突出したワイヤの先端に形成されたボールを第１ボン
ド点Ａにボンディングする。その後、キャピラリ２はＢ
点まで上昇しながらワイヤループを形成するに必要なワ
イヤ長分のワイヤ１を繰り出す。次にクランパは閉じ、
キャピラリ２は円弧運動をして第２ボンド点Ｃの上方の
Ｄ点まで移動する。続いて図７（ｂ）に示すように、キ
ャピラリ２は下降して第２ボンド点Ｃにワイヤ１をボン
ディングする。その後、クランパは開き、キャピラリ２
及びクランパは共に上昇し、この上昇途中でクランパが
閉じ、ワイヤ１を第２ボンド点Ｃの付け根より切断す
る。これにより、１本のワイヤボンディングが完了す
る。なお、この種のワイヤボンディング方法として、例
えば特公平１−２６５３１号公報があげられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンディ
ング方法は、第１ボンド点Ａと第２ボンド点Ｃとの段差
が小さい、例えば５０μｍ以下の低段差デバイスにおい
ては、次のような問題があった。図７（ａ）に示すよう
に、キャピラリ２が第２ボンド点Ｃの僅かに上方に移動
した場合、キャピラリ２の下端から余分のワイヤ１が垂
れ下がり、湾曲部１０を形成したワイヤ形状１１となっ
ている。この湾曲部１０ができることによって、キャピ
ラリ２より繰り出されたワイヤ長は、図７（ａ）に２点
鎖線で示すワイヤ形状１２の理想的ワイヤ長より長くな
る。この余分のワイヤ１により、第２ボンド点Ｃにボン
ディングした時にワイヤ１は塑性変形による反発を起こ
す。その結果、図７（ｂ）に示すような上方に膨らみを
形成したワイヤループ形状１３となる。なお、図７
（ｂ）に示す２点鎖線は、理想的なワイヤループ形状１
９である。
【０００４】このように、膨らみを有するワイヤループ
形状１３は、本来第１ボンド点Ａの上部１４を頂点とす
る低ワイヤループにおいて、ワイヤループ全体の高さを
高くするばかりでなく、ルーピング動作でのワイヤルー
プ高さのコントロールを困難にし、不安定なワイヤルー
プ形状を形成する。
【０００５】本発明の課題は、第２ボンド点へのボンデ
ィング時におけるワイヤループの膨らみを防止して安定
したワイヤループ形状を可能にし、低段差デバイスにお
ける低ワイヤループを可能とするワイヤボンディング方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の手段は、キャピラリに挿通されたワイヤをキ
ャピラリで第１ボンド点と第２ボンド点との間を接続す
るワイヤボンディング方法において、キャピラリの先端
より突出したワイヤの先端に形成されたボールを第１ボ
ンド点にボンディングした後、キャピラリが第２ボンド
点側に移動する時、まず第２ボンド点より僅かに第１ボ
ンド点側に下降してキャピラリの先端より垂れ下がった
ワイヤ部を水平面に押し付け、次にキャピラリは上昇及
び第２ボンド点の上方に移動した後、キャピラリは下降
して第２ボンド点にワイヤをボンディングすることを特
徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１乃至
図３により説明する。なお、図７と同じ又は相当部分に
は同一符号を付して説明する。図１及び図２に示すよう
に、ワイヤ１をクランプするためにキャピラリ２の上方
にあるクランパ（図示せず）は開状態で、キャピラリ２
が下降してキャピラリ２の先端より突出したワイヤの先
端に形成されたボールを第１ボンド点Ａにボンディング
する。その後、キャピラリ２はＢ点まで上昇しながらワ
イヤループを形成するに必要なワイヤ長分のワイヤ１を
繰り出す。
【０００８】次にクランパは閉じ、キャピラリ２は円弧
運動をして第２ボンド点Ｃより僅かに第１ボンド点Ａ側
のＥ点まで移動する。ここで、Ｅ点は、キャピラリ２の
先端より垂れ下がったワイヤ部をボンド面等の水平面２
０の上面に押し付ける位置である。このように、水平面
２０に押し付けられたワイヤ部１５は、前記したように
垂れ下がったワイヤ部が水平面２０に押し付けられた部
分であるので、水平面２０への押し付けによってワイヤ
１の塑性変形による反発が生じ、図２に示すように、膨
らみを形成したワイヤ形状１６となると共に、キャピラ
リ２下端部のワイヤ部１７は第１ボンド点Ａの方向に折
り曲げられる。
【０００９】次にキャピラリ２は、図１及び図３（ａ）
に示すように、Ｆ点まで上昇し、続いて図１及び図３
（ｂ）に示すように、第２ボンド点Ｃの上方のＧ点まで
移動する。このＦ点からＧ点までの移動によりワイヤ１
を引っ張り、図２に示すワイヤ形状１６の膨らみを吸収
し、理想的なワイヤ長を有するワイヤ形状１８となる。
続いて図１及び図３（ｃ）に示すように、キャピラリ２
は下降して第２ボンド点Ｃにワイヤ１をボンディングす
る。その後は従来と同様に、クランパは開き、キャピラ
リ２及びクランパは共に上昇し、この上昇途中でクラン
パが閉じ、ワイヤ１を第２ボンド点Ｃの付け根より切断
する。これにより、１本のワイヤボンディングが完了す
る。
【００１０】このように、第２ボンド点Ｃにボンディン
グする前に、キャピラリ２の下端より垂れ下がったワイ
ヤ１を水平面２０に押し付け、その後キャピラリ２を第
２ボンド点Ｃの上方に移動させて第２ボンド点Ｃにボン
ディングするので、図３（ｃ）に示すように、ワイヤル
ープ形状１９が得られる。このワイヤループ形状１９の
全体の高さは、第１ボンド点Ａの上部１４のワイヤルー
プ高さより低くなり、低段差デバイスにおける低ワイヤ
ループとなる。
【００１１】従来、ワイヤループ高さを低くする限界が
１５０μｍであったものが、本実施の形態によれば５０
〜１５０μｍにすることが可能となった。これによっ
て、フラットパッケージデザインのデバイス、例えば光
デバイス、メモリーカード、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等への適用が広が
る。
【００１２】図４は本発明の第２の実施の形態を、図５
は本発明の第３の実施の形態を、図６は本発明の第４の
実施の形態をそれぞれ示す。これらの実施の形態は、前
記実施の形態におけるＥ点からＣ点までのキャピラリ２
の軌跡の変形例である。図４の場合においては、キャピ
ラリ２はＥ点より上昇しながら第２ボンド点Ｃの上方の
Ｇ点まで移動した後、キャピラリ２は下降して第２ボン
ド点Ｃにワイヤ１をボンディングする。図５の場合にお
いては、キャピラリ２はＥ点よりＨ点まで上昇し、続い
て円弧Ｉを描いて上昇及び下降して第２ボンド点Ｃの上
方のＪ点まで移動した後、キャピラリ２は下降して第２
ボンド点Ｃにワイヤ１をボンディングする。図６の場合
においては、キャピラリ２はＥ点よりＦ点まで上昇した
後、第２ボンド点Ｃに斜めに下降して第２ボンド点Ｃに
ワイヤ１をボンディングする。
【００１３】このように、Ｅ点からＣ点までのキャピラ
リ２の軌跡は、図２に示すワイヤ形状１６の膨らみを吸
収し、図３（ｃ）に示すワイヤループ形状１９とするも
のである。そこで、この目的を達成する軌跡であれば良
く、図示した実施の形態に限定されるものではない。
【００１４】なお、第１ボンド点ＡからＥ点までのキャ
ピラリ２の軌跡そのものは、本発明の要旨とするもので
はないので、種々のキャピラリ軌跡を採用してもよい。
例えば、特公平５−６０６５７号公報に示すように、第
１ボンド点にボンディング後、キャピラリを上昇させ、
次に第２ボンド点と逆方向に移動させる、いわゆるリバ
ース動作を行わせてもよい。また水平面は特に面状に限
定されなく、ワイヤ１を押し付けて上方に膨らませるこ
とができれば、どのような形状でも良い。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、キャピラリの先端より
突出したワイヤの先端に形成されたボールを第１ボンド
点にボンディングした後、キャピラリが第２ボンド点側
に移動する時、まず第２ボンド点より僅かに第１ボンド
点側に下降してキャピラリの先端より垂れ下がったワイ
ヤ部を水平面に押し付け、次にキャピラリは上昇及び第
２ボンド点の上方に移動した後、キャピラリは下降して
第２ボンド点にワイヤをボンディングするので、第２ボ
ンド点へのボンディング時におけるワイヤループの膨ら
みを防止して安定したワイヤループ形状を可能にし、低
段差デバイスにおける低ワイヤループを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のワイヤボンディング方法の一実施の形
態を示すキャピラリ軌跡図である。
【図２】本発明のワイヤボンディング方法の工程を示す
説明図である。
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は図２の工程の続きの工程
を示す説明図である。
【図４】本発明のワイヤボンディング方法の第２の実施
の形態の要部を示すキャピラリ軌跡図である。
【図５】本発明のワイヤボンディング方法の第３の実施
の形態の要部を示すキャピラリ軌跡図である。
【図６】本発明のワイヤボンディング方法の第４の実施
の形態の要部を示すキャピラリ軌跡図である。
【図７】（ａ）（ｂ）は従来のワイヤボンディング方法
の工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１ ワイヤ ２ キャピラリ １５ ワイヤ部 １６ ワイヤ形状 １７ ワイヤ部 １８ ワイヤ形状 １９ ワイヤループ形状 ２０ 水平面 Ａ 第１ボンド点 Ｃ 第２ボンド点

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 キャピラリに挿通されたワイヤをキャピ
    ラリで第１ボンド点と第２ボンド点との間を接続するワ
    イヤボンディング方法において、キャピラリの先端より
    突出したワイヤの先端に形成されたボールを第１ボンド
    点にボンディングした後、キャピラリが第２ボンド点側
    に移動する時、まず第２ボンド点より僅かに第１ボンド
    点側に下降してキャピラリの先端より垂れ下がったワイ
    ヤ部を水平面に押し付け、次にキャピラリは上昇及び第
    ２ボンド点の上方に移動した後、キャピラリは下降して
    第２ボンド点にワイヤをボンディングすることを特徴と
    するワイヤボンディング方法。
JP10251701A 1998-09-07 1998-09-07 ワイヤボンディング方法 Pending JP2000082717A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10251701A JP2000082717A (ja) 1998-09-07 1998-09-07 ワイヤボンディング方法
TW088113514A TW510002B (en) 1998-09-07 1999-08-07 Wire bonding method
KR1019990037029A KR100317698B1 (ko) 1998-09-07 1999-09-02 와이어 본딩방법
US09/391,032 US6182885B1 (en) 1998-09-07 1999-09-07 Wire bonding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10251701A JP2000082717A (ja) 1998-09-07 1998-09-07 ワイヤボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000082717A true JP2000082717A (ja) 2000-03-21

Family

ID=17226725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10251701A Pending JP2000082717A (ja) 1998-09-07 1998-09-07 ワイヤボンディング方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6182885B1 (ja)
JP (1) JP2000082717A (ja)
KR (1) KR100317698B1 (ja)
TW (1) TW510002B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7621436B2 (en) 2005-11-14 2009-11-24 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
JP2013038257A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2013175699A (ja) * 2011-08-26 2013-09-05 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7494042B2 (en) * 2003-10-02 2009-02-24 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of forming low wire loops and wire loops formed using the method
JP2005159267A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Shinkawa Ltd 半導体装置及びワイヤボンディング方法
US7347352B2 (en) * 2003-11-26 2008-03-25 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Low loop height ball bonding method and apparatus
TWI248186B (en) * 2004-01-09 2006-01-21 Unaxis Internat Tranding Ltd Method for producing a wedge-wedge wire connection
US20060011710A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Formation of a wire bond with enhanced pull
JP4787374B2 (ja) * 2010-01-27 2011-10-05 株式会社新川 半導体装置の製造方法並びにワイヤボンディング装置
JP2013143447A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
TWI543284B (zh) * 2014-02-10 2016-07-21 新川股份有限公司 半導體裝置的製造方法以及打線裝置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3643321A (en) * 1970-06-17 1972-02-22 Kulicke & Soffa Ind Inc Method and apparatus for tailless wire bonding
JPS6281738A (ja) * 1985-10-07 1987-04-15 Hitachi Micro Comput Eng Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPH0228587B2 (ja) 1987-07-22 1990-06-25 Nippon Light Metal Co Shibosankuroraidonoseizohoho
DE58908123D1 (de) * 1988-02-23 1994-09-08 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur gesteuerten Zuführung eines Bonddrahtes zum wedge oder zur Kapillare eines Bondkopfes.
JP2530224B2 (ja) * 1989-05-15 1996-09-04 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
JPH0560657A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Nippon Seiko Kk 複列玉軸受の外輪軌道のピツチを測定する装置
US5111989A (en) * 1991-09-26 1992-05-12 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Method of making low profile fine wire interconnections
JP3230691B2 (ja) * 1992-03-31 2001-11-19 芝浦メカトロニクス株式会社 ワイヤボンディング方法
JP3124653B2 (ja) * 1993-04-26 2001-01-15 株式会社カイジョー ワイヤボンディング方法
US5437405A (en) * 1994-08-22 1995-08-01 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for stitch bonding of wires to integrated circuit bonding pads
JP3400269B2 (ja) 1996-10-17 2003-04-28 株式会社新川 ワイヤボンディングにおけるボール形成装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7621436B2 (en) 2005-11-14 2009-11-24 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
JP2013038257A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2013175699A (ja) * 2011-08-26 2013-09-05 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW510002B (en) 2002-11-11
US6182885B1 (en) 2001-02-06
KR100317698B1 (ko) 2001-12-22
KR20000022851A (ko) 2000-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3189115B2 (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
US7815095B2 (en) Wire loop, semiconductor device having same and wire bonding method
JP3370539B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2004172477A (ja) ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置
KR960000697B1 (ko) 와이어 본딩방법
JP2000114304A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH11135538A (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JP2000082717A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3333413B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3377747B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2814151B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3377748B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH10256297A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3455126B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
KR100346514B1 (ko) 와이어 본딩방법
JPS5917974B2 (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2002280412A (ja) ワイヤボンディング方法
JP3420905B2 (ja) ワイヤボンディング装置におけるリード線のループ形成方法
JPH11135542A (ja) ワイヤボンディング装置用キャピラリ
JPH02189942A (ja) ワイヤボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041015

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050725

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051125