JP2000077583A - 電子部品用パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱用金属板と放熱用フィンとの密着度を向
上させ、半導体素子と放熱用フィンとの間の熱抵抗を低
減する電子部品用パッケージを提供する。 【解決手段】 放熱用金属板１０は、銅−モリブデン
板１１の上下両面に銅のめっき膜１２および１３が形成
されている。放熱用金属板１０の上面にパッケージ本体
２０が半導体素子搭載部３１の全周を囲むように接合さ
れている。放熱用金属板１０の下面には研磨面６１が形
成されている。この研磨面６１に放熱用フィン６０を取
付けることにより、放熱用金属板１０と放熱用フィン６
０との密着度が向上する。このため、半導体素子搭載部
３１に半導体素子３０を載置固定したとき、半導体素子
３０と放熱用フィン６０との間の熱抵抗を低減すること
ができる。したがって、半導体素子３０の作動時に発生
する熱を外部に良好に放散させ、半導体素子３０を長期
間正常に安定して作動させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用パッケ
ージおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置において、ＳｉチップやＧａ
Ａｓチップ等の半導体素子やチップコンデンサ等の電子
部品が電子部品用パッケージに設けられた電子部品搭載
部に搭載されて実用に供されている。アルミナ等のセラ
ミックスは耐熱性、耐久性、熱伝導性等に優れるため、
この電子部品用パッケージの本体の材料として適してお
り、セラミック製の電子部品用パッケージは現在盛んに
使用されている。

【０００３】このセラミック製の電子部品用パッケージ
は、パッケージサイズを縮小し、搭載ボードへの搭載密
度を向上させ、また電気特性を向上させるため、一般に
複数枚のグリーンシートを積層および焼成して絶縁枠部
材としてのセラミックスパッケージ本体が製造される。

【０００４】さらに、パワーモジュールに代表されるよ
うな半導体素子からの発熱量が大きなものでは、半導体
素子を通常の方法で搭載したのみでは、発熱により半導
体装置が正常に作動しなくなる恐れがある。そこで、半
導体素子の作動時に発生する熱を大気中に良好に放散さ
せるようにした電子部品用パッケージとして、例えば熱
伝導性に優れた金属からなる放熱用金属板を備えたセラ
ミックスパッケージが知られている。さらに、半導体素
子の温度上昇を抑制する対策として、放熱用金属板に放
熱用フィンを取付けて自然空冷あるいはファンによる強
制空冷で半導体素子の熱を奪う方法が最も広く採用され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の技術によ
るセラミックスパッケージに用いられる放熱用金属板を
構成する技術は、例えば熱膨張率がセラミックスパッケ
ージ本体の熱膨張率に近似しかつ熱伝導率が約２００Ｗ
／ｍＫ程度の材料であって、タングステンあるいはモリ
ブデンの多孔質焼結体に溶融銅を含浸してなる複合材料
が公知である。

【０００６】また、放熱用フィンとしては、軽量である
こと、経済的であることなどの理由から、アルミニウム
あるいはアルミニウム合金が一般に用いられており、熱
伝導性が良いことから銅あるいは銅合金が用いられる場
合もある。

【０００７】しかしながら、放熱用金属板の上面にセラ
ミックスパッケージ本体を銀ろう等のろう材を用いてろ
う付けにより接合した場合、放熱用金属板とセラミック
スパッケージ本体との熱膨張率の相違に起因した熱応力
が発生し、放熱用金属板とセラミックスパッケージ本体
とのろう付け接合強度が低下する恐れがある。さらに、
放熱用金属板に反りが発生し、放熱用金属板の下面に放
熱用フィンを取付けた場合、放熱用金属板と放熱用フィ
ンとの密着度が低下し、その結果、半導体素子と放熱用
フィンとの間の熱抵抗が増大するという問題がある。

【０００８】半導体素子と放熱用フィンとの間の熱抵抗
が増大すると、放熱用金属板および放熱用フィンを介し
て半導体素子の作動時に発生する熱を外部に完全に放散
させるのが困難である。したがって、半導体素子は半導
体素子の作動時に発生する熱で高温となり、半導体素子
が物理的に破壊されたり、半導体素子の特性に熱変化が
起こり、半導体素子に誤動作が生じたりするという問題
があった。

【０００９】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、放熱用金属板と放熱用フィンと
の密着度を向上させ、半導体素子と放熱用フィンとの間
の熱抵抗を低減する電子部品用パッケージを提供するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
電子部品用パッケージによると、放熱用金属板の下面に
放熱用フィンを取付けるための研磨面を形成しているの
で、放熱用金属板の上面に絶縁枠部材を接合したとき、
放熱用金属板と絶縁枠部材との熱膨張率の相違に起因し
た熱応力が発生し、たとえ放熱用金属板に反りが発生し
たとしても、上記の研磨面に放熱用フィンを取付けるこ
とにより、放熱用金属板と放熱用フィンとの密着度が向
上する。このため、半導体素子と放熱用フィンとの間の
熱抵抗を簡便に低減することができる。したがって、半
導体素子の作動時に発生する熱を外部に良好に放散さ
せ、半導体素子を長期間正常に安定して作動させること
ができる。

【００１１】ここで、放熱用金属板の端部が鉛直上方に
反るのを凹反りとして反りの値を＋の数値で表し、放熱
用金属板の端部が鉛直下方に反るのを凸反りとして反り
の値を−の数値で表すと、上記の研磨面の反りは、０〜
＋１０μｍの範囲であることが好ましい。

【００１２】研磨面の反りが＋１０μｍを越えると、こ
の研磨面に放熱用フィンを取付けたとき、放熱用金属板
と放熱用フィンとの間に隙間が生じ、放熱用金属板と放
熱用フィンとの密着度が低下して半導体素子と放熱用フ
ィンとの間の熱抵抗が増大する恐れがある。

【００１３】また、研磨面の反りが０μｍ未満、すなわ
ち−の値であると、放熱用フィンはネジあるいはクリッ
プ等の専用部材を用いて放熱用金属板に固定されるの
で、研磨面に放熱用フィンを取付けたとき、放熱用金属
板の略中央部、すなわち半導体素子直下の部分に相当す
る放熱用金属板と放熱用フィンとの間に隙間が生じ、放
熱用金属板と放熱用フィンとの密着度が低下して半導体
素子と放熱用フィンとの間の熱抵抗が増大する恐れがあ
る。

【００１４】本発明の請求項２記載の電子部品用パッケ
ージ、または請求項４記載の電子部品用パッケージの製
造方法によると、放熱用金属板は、モリブデン、銅−モ
リブデン、銅−タングステンから選ばれるいずれかの金
属材料からなる金属板と、この金属板の片面あるいは両
面に形成される銅のめっき膜、銅の溶射膜、銅の印刷焼
成膜から選ばれるいずれかの銅の膜、または金属板の片
面あるいは両面にろう付けにより接合される銅板とを有
する。このため、適度な熱膨張率を有するモリブデン、
銅−モリブデン、銅−タングステンから選ばれるいずれ
かの金属材料からなる金属板を用いることにより、適度
な熱膨張率と高い熱伝導率とを有する放熱用金属板を得
ることができる。

【００１５】金属板に銅のめっき膜、銅の溶射膜、銅の
印刷焼成膜から選ばれるいずれかの銅の膜を形成する、
または金属板にろう付けにより銅板を接合することで、
圧延加工により金属板に銅板を一体的に接合させたもの
に比べて金属板や銅の膜に厚みのばらつきが発生せず、
放熱用金属板は所定の均一厚みとなる。したがって、放
熱用金属板の熱膨張率が部分的に異なることがないの
で、例えば放熱用金属板とセラミックス等の絶縁枠部材
とを銀ろう等のろう材を用いてろう付けし、放熱用金属
板上に半導体素子を搭載した場合、放熱用金属板の変形
が小さく、放熱用金属板と絶縁体とを強固に接合するこ
とができ、放熱用金属板上に半導体素子を強固に固定す
ることができる。

【００１６】金属板の両面に銅の膜を形成、または金属
板の両面にろう付けにより銅板を接合してなる放熱用金
属板は、金属板と銅の膜、または金属板と銅板との間に
発生する両者の熱膨張差に起因した熱応力が金属板の両
面で相殺されるので、放熱用金属板を常に平坦とするこ
とができる。このため、放熱用金属板上に半導体素子を
搭載した場合、放熱用金属板上に半導体素子を強固に固
定することができる。

【００１７】また、放熱用金属板上に半導体素子を搭載
した場合、放熱用金属板の熱伝導率は、放熱用金属板全
体の値よりも半導体素子直下の放熱用金属板の上層部の
値が重要であるので、半導体素子直下の部分に相当する
金属板の片面にのみ銅の膜を形成、または金属板の片面
にのみろう付けにより銅板を接合してもよい。銅のめっ
き方法、溶射方法あるいは印刷法は、公知の方法により
行うことが可能であり、特に限定されることはない。

【００１８】本発明の請求項３記載の電子部品用パッケ
ージの製造方法によると、放熱用金属板の上面に絶縁枠
部材を接合した後、放熱用金属板の下面を研磨するの
で、放熱用金属板と絶縁枠部材とを接合したとき、放熱
用金属板と絶縁枠部材との熱膨張率の相違に起因した熱
応力が発生し、たとえ放熱用金属板に反りが発生したと
しても、放熱用金属板の研磨面に放熱用フィンを取付け
ることにより、放熱用金属板と放熱用フィンとの密着度
が向上する。このため、半導体素子と放熱用フィンとの
間の熱抵抗を簡便に低減することができる。したがっ
て、半導体素子の作動時に発生する熱を外部に良好に放
散させ、半導体素子を長期間正常に安定して作動させる
ことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の複数の実施例を図
面に基づいて説明する。 （第１実施例）表面実装型のセラミックス製半導体用パ
ッケージに本発明を適用した第１実施例について、図１
〜図５を用いて説明する。

【００２０】図１に示すように、セラミックス製半導体
用パッケージ１００は、放熱用金属板１０、アルミナ製
のパッケージ本体２０およびリードフレーム５０等から
構成される。

【００２１】放熱用金属板１０は、その上面に半導体素
子３０が搭載されて固定される半導体素子搭載部３１を
有しており、半導体素子３０は、半導体素子搭載部３１
上にガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を用いて搭載され
て固定される。

【００２２】放熱用金属板１０の下面には研磨面６１が
形成されており、この研磨面６１に放熱用フィン６０が
取付けられている。また、放熱用金属板１０の端部に
は、ネジ７０を用いて放熱用フィン６０を固定するため
の複数の切欠き７１が形成されている。放熱用フィン６
０は、ネジ７０により放熱用金属板１０に固定されてお
り、放熱用フィン６０の放熱用金属板取付け面６２と放
熱用金属板１０の研磨面６１とは密着している。

【００２３】放熱用金属板１０は、モリブデンの多孔質
焼結体に溶融銅を４０％含浸する金属材料からなる金属
板としての銅−モリブデン板１１の上下両面に銅のめっ
き膜１２および１３を形成した構成である。そして、下
面側の銅のめっき膜１３の下面に研磨面６１が形成され
ている。

【００２４】また、放熱用金属板１０の上面には、枠状
に形成された絶縁枠部材としてのアルミナ製のパッケー
ジ本体２０が半導体素子搭載部３１の全周を囲むように
銀ろう等のろう材１５を用いて接合されている。放熱用
金属板１０とパッケージ本体２０とで半導体素子３０を
搭載するための空間が形成される。この空間は、パッケ
ージ本体２０の上面２１にはんだ、低融点ガラス、樹
脂、ろう材等の封止材により図示しないリッド等を接合
させて気密に封止されている。

【００２５】パッケージ本体２０は、下面２２にろう材
１５を介して放熱用金属板１０に接合されるタングステ
ン、モリブデン等の接合パターン２３を有しており、内
周部から外周部にかけてタングステン、モリブデン等の
配線パターン２４を複数個有している。接合パターン２
３および配線パターン２４の表面にはニッケル、金等の
めっきが施されている。配線パターン２４の一端は、半
導体素子３０の電極部がボンディングワイヤ４０を介し
て電気的に接続され、導体配線層２４の他端は、プリン
ト基板等の外部電気回路に接続されるリードフレーム５
０が電気的に接続されている。

【００２６】次に、研磨面形成前の放熱用金属板の作製
方法について述べる。 (1) 図２に示すように、例えば硫酸銅、硝酸銅等を主成
分とするめっき液を用いて電解めっき法により、銅−モ
リブデン板１１の上下両面に銅のめっき膜１２および１
３０を形成して研磨面形成前の放熱用金属板９０が得ら
れる。このとき、下面側の銅のめっき膜１３０の下面に
は、まだ研磨面は形成されていない。

【００２７】次に、パッケージ本体２０の作製方法につ
いて述べる。

【００２８】(2) アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、
焼成タルク、炭酸カルシウム等の焼結助剤と、酸化チタ
ン、酸化クロム、酸化モリブデン等の着色剤とを少量加
えた粉体に、ジオキシルフタレート等の可塑剤、アクリ
ル樹脂やブチラール樹脂等のバインダおよびトルエン、
キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し
て粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリを作製し、
ドクターブレード法によって例えば０．３ｍｍ厚の複数
枚のアルミナのグリーンシートを形成する。

【００２９】(3) 各グリーンシートに打ち抜き型やパン
チングマシーン等を用いて所望の形状に加工し、さら
に、複数のビアホールを打ち抜き加工して各ビアホール
にタングステン粉末、モリブデン粉末等を用いた導体ぺ
ーストを充填し、ビアを形成する。パッケージ本体の内
層に相当するグリーンシートにビアと同じ導体ペースト
で内層パターンを形成する。パッケージ本体の表面およ
び裏面層に相当するグリーンシートにビアと同じ導体ペ
ーストを使用して導体パターンをスクリーン印刷する。

【００３０】(4) ビアおよび内層パターンを形成した内
層に相当するグリーンシートと導体パターンをスクリー
ン印刷した表面層に相当するグリーンシートを積層し、
このグリーンシート積層体を例えば８０〜１５０℃、５
０〜２５０ｋｇ／ｃｍ²の条件で熱圧着して一体化す
る。

【００３１】(5) 一体化されたグリーンシート積層体を
窒素−水素混合ガス雰囲気中で１５００〜１６００℃で
焼成する。これにより、導体ペースト中の樹脂分を分解
および消失させ、アルミナ製のパッケージ本体の表面に
配線パターンを形成し、裏面に接合パターンを形成す
る。 (6) 形成された配線パターンの電極部および接合パター
ンにニッケル、金等のめっきを施して、図３に示すパッ
ケージ本体２０が得られる。

【００３２】(7) 次に、上記の(1)の工程で作製した研
磨面形成前の放熱用金属板９０と、上記の(2)〜(6)の工
程で作製したパッケージ本体２０とを銀ろう等のろう材
を用いて接合する。このとき、研磨面形成前の放熱用金
属板９０とパッケージ本体２０との熱膨張率の相違に起
因した熱応力が発生し、例えば図４に示すように、研磨
面形成前の放熱用金属板９０の端部が鉛直下方に反る、
いわゆる凸反りが発生する場合がある。なお図４には、
研磨面形成前の放熱用金属板９０とパッケージ本体２０
とを接合したとき、研磨面形成前の放熱用金属板９０に
発生する反りの理解のし易さを考慮して、反りを誇張し
て示した。また図示しないが、放熱用金属板とパッケー
ジ本体とを接合したとき、放熱用金属板の端部が鉛直上
方に反る、いわゆる凹反りが発生する場合がある。

【００３３】(8) 研磨面形成前の放熱用金属板９０の上
面にパッケージ本体２０を接合した後、反りが発生した
研磨面形成前の放熱用金属板９０の下面、すなわち下面
側の銅のめっき膜１３０の下面を例えば＃１０００のエ
メリペーパで研磨して、図５に示す研磨後の放熱用金属
板１０が得られる。このようにして作製された放熱用金
属板１０の下面、すなわち下面側の銅のめっき膜１３の
下面には、研磨面６１が形成されている。そして研磨
後、洗浄し、腐食防止のため、金属部分にニッケル、金
等のめっきを施す。

【００３４】(9) 配線パターンの電極部にリードフレー
ムを電気的に接続し、半導体パッケージの半導体素子搭
載部に半導体素子を搭載し、この半導体素子の電極部と
配線パターンの電極部とをワイヤボンディングにより電
気的に接続する。その後、リッド等で半導体素子搭載部
を気密に封止した後、図１に示すように、放熱用金属板
１０の研磨面６１に放熱用フィン６０を取付ける。そし
て、ネジ７０を用いて放熱用フィン６０を放熱用金属板
１０に固定する。

【００３５】次に、図５に示す放熱用金属板１０の研磨
面６１の反り、および図１に示すセラミックス製半導体
用パッケージ１００について熱抵抗を測定した結果を表
１に示す。また、図４に示す研磨面形成前の放熱用金属
板９０の下面の反り、および研磨面形成前の放熱用金属
板９０とパッケージ本体２０とを用いて上記の(9)と同
様の工程で作製したセラミックス製半導体用パッケージ
について熱抵抗を測定した比較例１の結果を表１に示
す。なお、表１に示す反りの値は、すべて長さ×幅×厚
み＝２４ｍｍ×１７ｍｍ×２．０ｍｍの寸法の放熱用金
属板、および長さ×幅×厚み＝１０ｍｍ×１０ｍｍ×
１．０ｍｍの寸法のパッケージ本体を用いて長手方向の
反りを測定した結果であり、＋の数値は放熱用金属板の
凹反りを意味し、−の数値は放熱用金属板の凸反りを意
味する。また、表１に示す熱抵抗の値は、例えば図１に
示す半導体素子３０の上面Ａと放熱用フィン６０の下面
Ｂとの間の熱抵抗を測定した結果である。

【００３６】

【表１】 表１に示すように、比較例１においては、反りが−１１
μｍであり、熱抵抗が２．２８℃／Ｗである。このた
め、研磨面形成前の放熱用金属板９０の下面に放熱用フ
ィンを取付けたとき、研磨面形成前の放熱用金属板９０
と放熱用フィンとの密着度が低下し、その結果、半導体
素子と放熱用フィンとの間の熱抵抗が増大している。こ
のため、研磨面形成前の放熱用金属板９０および放熱用
フィンを介して半導体素子の作動時に発生する熱を外部
に完全に放散させるのが困難である。したがって、半導
体素子は半導体素子の作動時に発生する熱で高温とな
り、半導体素子が物理的に破壊されたり、半導体素子の
特性に熱変化が起こり、半導体素子に誤動作が生じたり
する恐れがある。

【００３７】一方、第１実施例においては、表１に示す
ように、反りが＋２μｍであり、熱抵抗が１．９０℃／
Ｗである。このため、図１に示すように、放熱用金属板
１０の研磨面６１に放熱用フィン６０を取付けることに
より、放熱用金属板１０と放熱用フィン６０との密着度
が向上する。このため、半導体素子搭載部３１に半導体
素子３０を載置固定しても、半導体素子３０と放熱用フ
ィン６０との間の熱抵抗を簡便に低減することができ
る。したがって、半導体素子３０の作動時に発生する熱
を外部に良好に放散させ、半導体素子３０を長期間正常
に安定して作動させることができる。

【００３８】さらに第１実施例においては、放熱用金属
板１０の研磨面６１の反りが０〜＋１０μｍの範囲にあ
るので、放熱用フィン６０をネジ７０により放熱用金属
板に固定することにより、放熱用金属板１０の略中央
部、すなわち半導体素子３０の直下の部分に相当する放
熱用金属板１０と放熱用フィン６０との間に隙間が生じ
るのを防止することができる。したがって、放熱用金属
板１０と放熱用フィン６０との密着度がさらに向上し、
半導体素子３０と放熱用フィン６０との間の熱抵抗をさ
らに低減することができる。

【００３９】（第２実施例）本発明の第２実施例につい
て説明する。第２実施例においては、図１に示す第１実
施例の金属板１１の替りにモリブデンの多孔質焼結体に
溶融銅を３５％含浸する金属材料からなる銅−モリブデ
ン板を用いたものであり、その他は第１実施例と同一構
成であるので、構成および製造方法の説明を省略する。

【００４０】第２実施例について、放熱用金属板の研磨
面の反り、およびセラミックス製半導体用パッケージに
ついて熱抵抗を測定した結果を表１に示す。また、第２
実施例における研磨面形成前の放熱用金属板を用いた比
較例２について、研磨面形成前の放熱用金属板の下面の
反り、およびこれを用いたセラミックス製半導体用パッ
ケージについて熱抵抗を測定した結果を表１に示す。

【００４１】比較例２においては、表１に示すように、
反りが−２０μｍであり、熱抵抗が２．７３℃／Ｗであ
る。このため、研磨面形成前の放熱用金属板の下面に放
熱用フィンを取付けたとき、研磨面形成前の放熱用金属
板と放熱用フィンとの密着度が低下し、その結果、半導
体素子と放熱用フィンとの間の熱抵抗が増大している。
このため、研磨面形成前の放熱用金属板および放熱用フ
ィンを介して半導体素子の作動時に発生する熱を外部に
完全に放散させるのが困難である。したがって、半導体
素子は半導体素子の作動時に発生する熱で高温となり、
半導体素子が物理的に破壊されたり、半導体素子の特性
に熱変化が起こり、半導体素子に誤動作が生じたりする
恐れがある。

【００４２】一方、第２実施例においては、表１に示す
ように、反りが＋３μｍであり、熱抵抗が２．０３℃／
Ｗである。このため、放熱用金属板の研磨面に放熱用フ
ィンを取付けることにより、放熱用金属板と放熱用フィ
ンとの密着度が向上する。このため、半導体素子搭載部
に半導体素子を載置固定しても、半導体素子と放熱用フ
ィンとの間の熱抵抗を簡便に低減することができる。し
たがって、半導体素子の作動時に発生する熱を外部に良
好に放散させ、半導体素子を長期間正常に安定して作動
させることができる。

【００４３】以上説明した第１および第２実施例におい
ては、放熱用金属板は、銅−モリブデン板の上下両面に
銅のめっき膜を形成する構成としたが、本発明において
は、モリブデン板あるいは銅−タングステン板の上下両
面に銅のめっき膜を形成する構成としてもよいし、モリ
ブデン板、銅−モリブデン板あるいは銅−タングステン
板の上下両面に銅の溶射膜あるいは銅の印刷焼成膜膜を
形成する構成としてもよい。また本発明においては、放
熱用金属板上に半導体素子を載置固定した場合、半導体
素子直下の部分に相当する金属板の片面にのみ銅のめっ
き膜、銅の溶射膜あるいは印刷焼成膜を形成してもよ
い。

【００４４】（第３実施例）本発明の第３実施例につい
て説明する。第３実施例においては、図１に示す第１実
施例の銅のめっき膜１２および１３の替りに銀ろう等に
よるろう付けにより接合される銅板を用いたものであ
り、その他は第１実施例と同一構成であるので、構成お
よび製造方法の説明を省略する。

【００４５】第３実施例について、放熱用金属板の研磨
面の反り、およびセラミックス製半導体用パッケージに
ついて熱抵抗を測定した結果を表１に示す。また、第３
実施例における研磨面形成前の放熱用金属板を用いた比
較例３について、研磨面形成前の放熱用金属板の下面の
反り、およびこれを用いたセラミックス製半導体用パッ
ケージについて熱抵抗を測定した結果を表１に示す。

【００４６】比較例３においては、表１に示すように、
反りが−２２μｍであり、熱抵抗が２．８６℃／Ｗであ
る。このため、研磨面形成前の放熱用金属板の下面に放
熱用フィンを取付けたとき、研磨面形成前の放熱用金属
板と放熱用フィンとの密着度が低下し、その結果、半導
体素子と放熱用フィンとの間の熱抵抗が増大している。
このため、研磨面形成前の放熱用金属板および放熱用フ
ィンを介して半導体素子の作動時に発生する熱を外部に
完全に放散させるのが困難である。したがって、半導体
素子は半導体素子の作動時に発生する熱で高温となり、
半導体素子が物理的に破壊されたり、半導体素子の特性
に熱変化が起こり、半導体素子に誤動作が生じたりする
恐れがある。

【００４７】一方、第３実施例においては、表１に示す
ように、反りが＋３μｍであり、熱抵抗が２．１１℃／
Ｗである。このため、放熱用金属板の研磨面に放熱用フ
ィンを取付けることにより、放熱用金属板と放熱用フィ
ンとの密着度が向上する。このため、半導体素子搭載部
に半導体素子を載置固定しても、半導体素子と放熱用フ
ィンとの間の熱抵抗を簡便に低減することができる。し
たがって、半導体素子の作動時に発生する熱を外部に良
好に放散させ、半導体素子を長期間正常に安定して作動
させることができる。

【００４８】第３実施例においては、放熱用金属板は、
金属板の両面にろう付けにより銅板を接合する構成とし
たが、本発明では、放熱用金属板上に半導体素子を載置
固定した場合、半導体素子直下の部分に相当する金属板
の片面にのみろう付けにより銅板を接合してもよい。

【００４９】以上説明した本発明の複数の実施例におい
ては、放熱用金属板の下面に放熱用フィンを取付けるた
めの研磨面を形成しているので、放熱用金属板の上面に
パッケージ本体を接合したとき、放熱用金属板とパッケ
ージ本体との熱膨張率の相違に起因した熱応力が発生
し、たとえ放熱用金属板に反りが発生したとしても、放
熱用金属板の研磨面に放熱用フィンを取付けることによ
り、放熱用金属板と放熱用フィンとの密着度が向上す
る。このため、半導体素子と放熱用フィンとの間の熱抵
抗を簡便に低減することができる。したがって、半導体
素子の作動時に発生する熱を外部に良好に放散させ、半
導体素子を長期間正常に安定して作動させることができ
る。

【００５０】さらに、上記複数の実施例においては、放
熱用金属板は、モリブデン、銅−モリブデン、銅−タン
グステンから選ばれるいずれかの金属材料からなる金属
板と、この金属板の片面あるいは両面に形成される銅の
めっき膜、銅の溶射膜、銅の印刷焼成膜から選ばれるい
ずれかの銅の膜、または金属板の片面あるいは両面にろ
う付けにより接合される銅板とを有する。このため、適
度な熱膨張率を有するモリブデン、銅−モリブデン、銅
−タングステンから選ばれるいずれかの金属材料からな
る金属板を用いることにより、適度な熱膨張率と高い熱
伝導率とを有する放熱用金属板を得ることができる。

【００５１】上記複数の実施例では、表面実装型の半導
体用パッケージに本発明を適用したが、例えばＰＧＡ(P
in Grid Array)等の挿入型や他の型のパッケージに本発
明を適用してもよい。

【００５２】また本発明では、アルミナ製の電子部品用
パッケージに限らず、窒化アルミニウム製、ムライト
製、低温焼成のガラスセラミックス製等あらゆるセラミ
ックス製の電子部品用パッケージに適用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による半導体用パッケージ
を示す断面図である。

【図２】本発明の第１実施例による研磨面形成前の放熱
用金属板を示す断面図である。

【図３】本発明の第１実施例によるパッケージ本体を示
す断面図である。

【図４】本発明の第１実施例による研磨面形成前の放熱
用金属板とパッケージ本体とを接合した状態を示す断面
図である。

【図５】本発明の第１実施例による研磨後の放熱用金属
板およびパッケージ本体を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ 放熱用金属板 １１ 銅−モリブデン板（金属板） １２、１３ 銅のめっき膜 １５ ろう材 ２０ パッケージ本体（絶縁枠部材） ３０ 半導体素子（電子部品） ３１ 半導体素子搭載部（電子部品搭載部） ６０ 放熱用フィン ６１ 研磨面 １００ 半導体用パッケージ（電子部品用パッケー
ジ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品を搭載するための電子部品搭載
   部を上面に有する放熱用金属板と、 前記放熱用金属板の上面に接合され、前記電子部品を収
   容するための空間を内側に有する絶縁枠部材と、 前記放熱用金属板の下面に形成され、放熱用フィンを取
   付けるための研磨面と、 を備えることを特徴とする電子部品用パッケージ。
2. 【請求項２】 前記放熱用金属板は、モリブデン、銅−
   モリブデン、銅−タングステンから選ばれるいずれかの
   金属材料からなる金属板と、前記金属板の片面あるいは
   両面に形成される銅のめっき膜、銅の溶射膜、銅の印刷
   焼成膜から選ばれるいずれかの銅の膜、または前記金属
   板の片面あるいは両面にろう付けにより接合される銅板
   とを有することを特徴とする請求項１記載の電子部品用
   パッケージ。
3. 【請求項３】 電子部品を搭載するための電子部品搭載
   部を上面に有する放熱用金属板と、前記放熱用金属板の
   上面に接合され、前記電子部品を収容するための空間を
   内側に有する絶縁枠部材とを備える電子部品用パッケー
   ジを製造する方法であって、 前記放熱用金属板と前記絶縁枠部材とを接合した後、前
   記放熱用金属板の下面を研磨することを特徴とする電子
   部品用パッケージの製造方法。
4. 【請求項４】 前記放熱用金属板は、モリブデン、銅−
   モリブデン、銅−タングステンから選ばれるいずれかの
   金属材料からなる金属板と、前記金属板の片面あるいは
   両面に形成される銅のめっき膜、銅の溶射膜、銅の印刷
   焼成膜から選ばれるいずれかの銅の膜、または前記金属
   板の片面あるいは両面にろう付けにより接合される銅板
   とを有することを特徴とする請求項３記載の電子部品用
   パッケージの製造方法。