JP2000077564A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止し、しかも、安価に製造
できる半導体装置を提供すること。 【解決手段】 ベアチップＩＣ５を搭載した側の背部と
なるフレキシブルプリント配線基板２の他方の面３Ｂに
接着剤層を介することなくベアチップＩＣ５の背部を被
覆するように配線パターンの導体と同様の材質からなる
遮光膜８を形成し、ベアチップＩＣへの背部からの外光
による照射を長期にわたって確実に阻止することができ
るようにしたもの。
射を長期にわたって確実に阻止し、しかも、安価に製造
できる半導体装置を提供すること。 【解決手段】 ベアチップＩＣ５を搭載した側の背部と
なるフレキシブルプリント配線基板２の他方の面３Ｂに
接着剤層を介することなくベアチップＩＣ５の背部を被
覆するように配線パターンの導体と同様の材質からなる
遮光膜８を形成し、ベアチップＩＣへの背部からの外光
による照射を長期にわたって確実に阻止することができ
るようにしたもの。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブルプリ
ント配線基板にベアチップＩＣを搭載した半導体装置に
係り、特に、ベアチップＩＣの遮光構造の改良に関する
ものである。
ント配線基板にベアチップＩＣを搭載した半導体装置に
係り、特に、ベアチップＩＣの遮光構造の改良に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】前述したフレキシブルプリント配線基板
にベアチップＩＣを搭載した半導体装置は、そのフレキ
シブルプリント配線基板が可撓性であるため、フレキシ
ブルプリント配線基板の折り曲げなどによる薄型化や小
型化が可能であるし、また、部品の配線作業の合理化も
はかれるので、液晶ディスプレイの駆動装置などに適用
されている。
にベアチップＩＣを搭載した半導体装置は、そのフレキ
シブルプリント配線基板が可撓性であるため、フレキシ
ブルプリント配線基板の折り曲げなどによる薄型化や小
型化が可能であるし、また、部品の配線作業の合理化も
はかれるので、液晶ディスプレイの駆動装置などに適用
されている。
【０００３】まず、この種の半導体装置の従来のものを
図２により説明する。
図２により説明する。
【０００４】図２に示す半導体装置１は、ポリイミド、
ポリエステルといった絶縁性材料により構成されたフレ
キシブルプリント配線基板としてのベースフィルム２を
有しており、このベースフィルム２の表面３Ａには、銅
箔のような材料からなる配線パターン４がめっきあるい
はエッチングなどにより形成されている。
ポリエステルといった絶縁性材料により構成されたフレ
キシブルプリント配線基板としてのベースフィルム２を
有しており、このベースフィルム２の表面３Ａには、銅
箔のような材料からなる配線パターン４がめっきあるい
はエッチングなどにより形成されている。
【０００５】そして、前記配線パターン４には、ベアチ
ップＩＣ５やその他の図示しないチップ部品が搭載され
ている。また、前記配線パターン４上には、レジスト材
料からなる保護膜６が積層され、配線パターン４を保護
するようになっている。
ップＩＣ５やその他の図示しないチップ部品が搭載され
ている。また、前記配線パターン４上には、レジスト材
料からなる保護膜６が積層され、配線パターン４を保護
するようになっている。
【０００６】ところで、前記ベアチップＩＣ５には、外
部からの入射光により動作電圧が変化して、動作不良を
起こしたりあるいは動作が停止してしまうという電気的
誤動作の問題が指摘されており、このため、ベアチップ
ＩＣ５に対する遮光が従来から行われていた。
部からの入射光により動作電圧が変化して、動作不良を
起こしたりあるいは動作が停止してしまうという電気的
誤動作の問題が指摘されており、このため、ベアチップ
ＩＣ５に対する遮光が従来から行われていた。
【０００７】そして、図２に示すような半導体装置１に
おいては、前記ベアチップＩＣ５を搭載した側の背部と
なるベースフィルム２の裏面３Ｂ側からの外光がベアチ
ップＩＣ５を照射してしまう構造となっているため、ベ
ースフィルム２の裏面３Ｂ側からの外光を遮断するため
の構造を設ける必要があった。
おいては、前記ベアチップＩＣ５を搭載した側の背部と
なるベースフィルム２の裏面３Ｂ側からの外光がベアチ
ップＩＣ５を照射してしまう構造となっているため、ベ
ースフィルム２の裏面３Ｂ側からの外光を遮断するため
の構造を設ける必要があった。
【０００８】このため、従来の半導体装置１において
は、ベースフィルム２の裏面３Ｂに、黒色ポリエステル
フィルムやアルミニウム蒸着テープからなる遮光テープ
７Ａを接着剤もしくは粘着剤層７Ｂを介して貼着してい
た。
は、ベースフィルム２の裏面３Ｂに、黒色ポリエステル
フィルムやアルミニウム蒸着テープからなる遮光テープ
７Ａを接着剤もしくは粘着剤層７Ｂを介して貼着してい
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように、ベースフィルム２の裏面３Ｂに、黒色ポリエ
ステルフィルムやアルミニウム蒸着テープからなる遮光
テープ７Ａを貼着して遮光するのでは、高温高湿のよう
な厳しい環境下においてこの種の半導体装置１を使用す
ると、遮光テープ７Ａがベースフィルム２から剥離して
しまうという信頼性に関する問題点があった。
たように、ベースフィルム２の裏面３Ｂに、黒色ポリエ
ステルフィルムやアルミニウム蒸着テープからなる遮光
テープ７Ａを貼着して遮光するのでは、高温高湿のよう
な厳しい環境下においてこの種の半導体装置１を使用す
ると、遮光テープ７Ａがベースフィルム２から剥離して
しまうという信頼性に関する問題点があった。
【００１０】また、ベースフィルム２の裏面３Ｂに遮光
テープ７Ａを貼着するためには、半導体装置１の製造工
程に遮光テープ７Ａの貼着工程を加えなければならず、
工程が増えることにより作業性が低下するし、また、専
用の貼着装置や遮光テープ７Ａの材料費が掛かることに
より半導体装置２の製造コストの面での問題点もあっ
た。
テープ７Ａを貼着するためには、半導体装置１の製造工
程に遮光テープ７Ａの貼着工程を加えなければならず、
工程が増えることにより作業性が低下するし、また、専
用の貼着装置や遮光テープ７Ａの材料費が掛かることに
より半導体装置２の製造コストの面での問題点もあっ
た。
【００１１】本発明は、このような点に鑑み、ベアチッ
プＩＣへの背部からの外光による照射を長期にわたって
確実に阻止し、しかも、安価に製造できる半導体装置を
提供することを目的とする。
プＩＣへの背部からの外光による照射を長期にわたって
確実に阻止し、しかも、安価に製造できる半導体装置を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため請求項１に係る本発明の半導体装置の特徴は、ベア
チップＩＣを搭載した側の背部となるフレキシブルプリ
ント配線基板の他方の面に接着剤層を介することなくベ
アチップＩＣの背部を被覆するように配線パターンの導
体と同様の材質からなる遮光膜を形成した点にある。そ
して、このような構成を採用したことにより、フレキシ
ブルプリント配線基板の裏面に直接遮光膜が形成されて
いるので、ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止することができる。
ため請求項１に係る本発明の半導体装置の特徴は、ベア
チップＩＣを搭載した側の背部となるフレキシブルプリ
ント配線基板の他方の面に接着剤層を介することなくベ
アチップＩＣの背部を被覆するように配線パターンの導
体と同様の材質からなる遮光膜を形成した点にある。そ
して、このような構成を採用したことにより、フレキシ
ブルプリント配線基板の裏面に直接遮光膜が形成されて
いるので、ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止することができる。
【００１３】請求項２に係る本発明の半導体装置の特徴
は、ベアチップＩＣを搭載した側の背部となるフレキシ
ブルプリント配線基板の他方の面に接着剤層を介するこ
となくベアチップＩＣの背部を被覆するように配線パタ
ーンの導体と同様の材質からなる遮光膜を形成し、この
遮光膜を外周も含めて保護膜により被覆した点にある。
そして、このような構成を採用したことにより、ベアチ
ップＩＣへの背部からの外光による照射をさらに長期に
わたって確実に阻止することができる。
は、ベアチップＩＣを搭載した側の背部となるフレキシ
ブルプリント配線基板の他方の面に接着剤層を介するこ
となくベアチップＩＣの背部を被覆するように配線パタ
ーンの導体と同様の材質からなる遮光膜を形成し、この
遮光膜を外周も含めて保護膜により被覆した点にある。
そして、このような構成を採用したことにより、ベアチ
ップＩＣへの背部からの外光による照射をさらに長期に
わたって確実に阻止することができる。
【００１４】請求項３に係る本発明の半導体装置の特徴
は、配線パターンの表面を被覆する保護膜と遮光膜を被
覆する保護膜とを熱膨張係数の等しい材料により同一膜
厚に形成した点にある。そして、このような構成を採用
したことにより、温度変化によるフレキシブルプリント
配線基板の反りを防止することができる。
は、配線パターンの表面を被覆する保護膜と遮光膜を被
覆する保護膜とを熱膨張係数の等しい材料により同一膜
厚に形成した点にある。そして、このような構成を採用
したことにより、温度変化によるフレキシブルプリント
配線基板の反りを防止することができる。
【００１５】請求項４に係る本発明の半導体装置の特徴
は、遮光膜を接地した点にある。そして、このような構
成を採用したことにより、ベアチップＩＣが防磁性や耐
静電性を得ることができる。
は、遮光膜を接地した点にある。そして、このような構
成を採用したことにより、ベアチップＩＣが防磁性や耐
静電性を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態を示すも
のであるが、図２において前述した従来のものと同一な
いしは相当するものにおいては図面中に同一の符号を付
して説明する。
のであるが、図２において前述した従来のものと同一な
いしは相当するものにおいては図面中に同一の符号を付
して説明する。
【００１７】図１に示す半導体装置１は、前述した従来
のものと同様、ポリイミド、ポリエステルといった絶縁
性材料により構成されたフレキシブルプリント配線基板
としてのベースフィルム２を有しており、このベースフ
ィルム２の表面３Ａには、銅箔のような材料からなる配
線パターン４がめっきあるいはエッチングなどにより形
成されている。
のものと同様、ポリイミド、ポリエステルといった絶縁
性材料により構成されたフレキシブルプリント配線基板
としてのベースフィルム２を有しており、このベースフ
ィルム２の表面３Ａには、銅箔のような材料からなる配
線パターン４がめっきあるいはエッチングなどにより形
成されている。
【００１８】そして、前記配線パターン４には、ベアチ
ップＩＣ５やその他の図示しないチップ部品が搭載され
ている。また、前記配線パターン４上には、レジスト材
料からなる保護膜６が積層され、配線パターン４を保護
するようになっている。
ップＩＣ５やその他の図示しないチップ部品が搭載され
ている。また、前記配線パターン４上には、レジスト材
料からなる保護膜６が積層され、配線パターン４を保護
するようになっている。
【００１９】ここまでの構成は、前述した従来の半導体
装置１と同様である。
装置１と同様である。
【００２０】そして、本実施形態においては、特に、ベ
アチップＩＣ５を搭載した側の背部となるベースフィル
ム２の裏面３Ｂに、ベアチップＩＣ５の背部を被覆し、
ベースフィルム２を介してベアチップＩＣ５に外光が到
達しないようにするための遮光膜８が接着剤層あるいは
粘着剤層を介することなく直接形成されている。この遮
光膜８は、前述した配線パターン４の導体と同様、銅箔
からなり、めっきあるいはエッチングなどにより前記配
線パターン４と同一工程において同一膜厚となるように
形成されている。
アチップＩＣ５を搭載した側の背部となるベースフィル
ム２の裏面３Ｂに、ベアチップＩＣ５の背部を被覆し、
ベースフィルム２を介してベアチップＩＣ５に外光が到
達しないようにするための遮光膜８が接着剤層あるいは
粘着剤層を介することなく直接形成されている。この遮
光膜８は、前述した配線パターン４の導体と同様、銅箔
からなり、めっきあるいはエッチングなどにより前記配
線パターン４と同一工程において同一膜厚となるように
形成されている。
【００２１】さらに、前記遮光膜８の外周を含め遮光膜
８および前記ベースフィルム２上は、前記配線パターン
４を被覆する保護膜６と同様のレジスト材料からなる保
護膜９により被覆されている。この保護膜９の膜厚は前
記保護膜６の膜厚と等しくされている。なお、この保護
膜９の材料は、必ずしも前記保護膜６と同一のレジスト
材料でなくとも、同一の熱膨張係数を有する材料であれ
ばよい。
８および前記ベースフィルム２上は、前記配線パターン
４を被覆する保護膜６と同様のレジスト材料からなる保
護膜９により被覆されている。この保護膜９の膜厚は前
記保護膜６の膜厚と等しくされている。なお、この保護
膜９の材料は、必ずしも前記保護膜６と同一のレジスト
材料でなくとも、同一の熱膨張係数を有する材料であれ
ばよい。
【００２２】さらにまた、前記導電性のよい銅製の遮光
膜８は図示しないアース線により接地されている。
膜８は図示しないアース線により接地されている。
【００２３】つぎに、前述した構成からなる本実施形態
の作用ならびに効果について説明する。
の作用ならびに効果について説明する。
【００２４】本実施形態の半導体装置１Ａは、搭載され
ているベアチップＩＣ５にベースフィルム２を介して対
向する裏面３Ｂに遮光膜８が直接形成されているので、
ベアチップＩＣ５に対する外光の照射を確実に防止し
て、ベアチップＩＣ５の誤作動を確実に防止することが
できる。
ているベアチップＩＣ５にベースフィルム２を介して対
向する裏面３Ｂに遮光膜８が直接形成されているので、
ベアチップＩＣ５に対する外光の照射を確実に防止し
て、ベアチップＩＣ５の誤作動を確実に防止することが
できる。
【００２５】また、この遮光膜８は保護膜９により被覆
されているので、高温高湿のような厳しい環境下におい
てこの半導体装置１Ａを長期にわたって使用しても、遮
光膜８がベースフィルム２から剥離するおそれがなく、
長期にわたってベアチップＩＣ５に対する外光の照射を
確実に防止することができる。
されているので、高温高湿のような厳しい環境下におい
てこの半導体装置１Ａを長期にわたって使用しても、遮
光膜８がベースフィルム２から剥離するおそれがなく、
長期にわたってベアチップＩＣ５に対する外光の照射を
確実に防止することができる。
【００２６】さらに、前記保護膜９は、前記保護膜６と
熱膨張係数が同じでしかも保護膜６と同一膜厚とされて
いるので、環境温度が変化してもベースフィルム２に反
りが生じることがなく、半導体装置１Ａとしての信頼性
を確保することができる。
熱膨張係数が同じでしかも保護膜６と同一膜厚とされて
いるので、環境温度が変化してもベースフィルム２に反
りが生じることがなく、半導体装置１Ａとしての信頼性
を確保することができる。
【００２７】さらにまた、ベースフィルム２の裏面３Ｂ
への遮光膜８の形成は、ベースフィルム２の表面３Ａへ
の配線パターン４の形成と同一工程において行われ、ま
た、ベースフィルム２の裏面３Ｂおよび遮光膜８への保
護膜の形成は、ベースフィルム２の表面３Ａへの配線パ
ターン４の形成と同一工程において行われるので、製造
工程が単純化され、製造コストも従来のものと比較して
安価にできる。
への遮光膜８の形成は、ベースフィルム２の表面３Ａへ
の配線パターン４の形成と同一工程において行われ、ま
た、ベースフィルム２の裏面３Ｂおよび遮光膜８への保
護膜の形成は、ベースフィルム２の表面３Ａへの配線パ
ターン４の形成と同一工程において行われるので、製造
工程が単純化され、製造コストも従来のものと比較して
安価にできる。
【００２８】また、遮光膜８が接地されているので、ベ
アチップＩＣ５が防磁性や耐静電性を得ることができ
る。
アチップＩＣ５が防磁性や耐静電性を得ることができ
る。
【００２９】ここで、本実施形態のさらに具体的な実施
例について記載すると、膜厚２５〜５０μｍのポリイミ
ド製のベースフィルム２の表面３ＡにベアチップＩＣ５
を搭載し、このベアチップＩＣ５にベースフィルム２を
介して対向する裏面３Ｂに膜厚８〜１８μｍの銅箔製の
遮光膜８を形成し、この遮光膜８を被覆するように膜厚
４〜１５μｍの保護膜９をレジスト材料により積層して
半導体装置１Ａを形成した。
例について記載すると、膜厚２５〜５０μｍのポリイミ
ド製のベースフィルム２の表面３ＡにベアチップＩＣ５
を搭載し、このベアチップＩＣ５にベースフィルム２を
介して対向する裏面３Ｂに膜厚８〜１８μｍの銅箔製の
遮光膜８を形成し、この遮光膜８を被覆するように膜厚
４〜１５μｍの保護膜９をレジスト材料により積層して
半導体装置１Ａを形成した。
【００３０】そして、ベースフィルム２の裏面３Ｂから
ベアチップＩＣ５の光誤動作に影響する１１００ｎｍ以
下の短波長成分を含むの光を照射して、ベアチップＩＣ
５の動作確認を行ったところ、ベアチップＩＣ５の誤作
動は生じなかった。また、高温高湿の環境下における信
頼性加速試験においても、遮光性能の劣化やベースフィ
ルム２の反りは生じなかった。
ベアチップＩＣ５の光誤動作に影響する１１００ｎｍ以
下の短波長成分を含むの光を照射して、ベアチップＩＣ
５の動作確認を行ったところ、ベアチップＩＣ５の誤作
動は生じなかった。また、高温高湿の環境下における信
頼性加速試験においても、遮光性能の劣化やベースフィ
ルム２の反りは生じなかった。
【００３１】なお、本発明は、前述した実施の形態に限
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば、ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止し、しかも、安価に製造
できる。
によれば、ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射を長期にわたって確実に阻止し、しかも、安価に製造
できる。
【００３３】すなわち、ベアチップＩＣを搭載した側の
背部となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に
接着剤層を介することなくベアチップＩＣの背部を被覆
するように配線パターンの導体と同様の材質からなる遮
光膜を形成したので、ベアチップＩＣへの背部からの外
光による照射を長期にわたって確実に阻止することがで
き、半導体装置としての信頼性を長期にわたって確保す
ることができる。
背部となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に
接着剤層を介することなくベアチップＩＣの背部を被覆
するように配線パターンの導体と同様の材質からなる遮
光膜を形成したので、ベアチップＩＣへの背部からの外
光による照射を長期にわたって確実に阻止することがで
き、半導体装置としての信頼性を長期にわたって確保す
ることができる。
【００３４】また、ベアチップＩＣを搭載した側の背部
となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に接着
剤層を介することなくベアチップＩＣの背部を被覆する
ように配線パターンの導体と同様の材質からなる遮光膜
を形成し、この遮光膜を外周も含めて保護膜により被覆
したので、ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射をさらに長期にわたって確実に阻止することができ
る。
となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に接着
剤層を介することなくベアチップＩＣの背部を被覆する
ように配線パターンの導体と同様の材質からなる遮光膜
を形成し、この遮光膜を外周も含めて保護膜により被覆
したので、ベアチップＩＣへの背部からの外光による照
射をさらに長期にわたって確実に阻止することができ
る。
【００３５】さらに、配線パターンの表面を被覆する保
護膜と遮光膜を被覆する保護膜とを熱膨張係数の等しい
材料により同一膜厚に形成することにより、温度変化に
よるフレキシブルプリント配線基板の反りを防止するこ
とができ、半導体装置としての信頼性を確保することが
できる。
護膜と遮光膜を被覆する保護膜とを熱膨張係数の等しい
材料により同一膜厚に形成することにより、温度変化に
よるフレキシブルプリント配線基板の反りを防止するこ
とができ、半導体装置としての信頼性を確保することが
できる。
【００３６】さらにまた、遮光膜を接地したことによ
り、ベアチップＩＣが防磁性や耐静電性を得ることがで
き、この点においても半導体装置としての信頼性を確保
することができる。
り、ベアチップＩＣが防磁性や耐静電性を得ることがで
き、この点においても半導体装置としての信頼性を確保
することができる。
【図１】 本発明に係る半導体装置の実施の形態を示す
縦断面図
縦断面図
【図２】 従来の半導体装置を示す縦断面図
１，１Ａ 半導体装置 ２ ベースフィルム ３Ａ ベースフィルム２の片面 ３Ｂ ベースフィルム２の他方の面 ４ 配線パターン ５ ベアチップＩＣ ６，９ 保護膜 ７Ａ 遮光フィルム ７Ｂ 接着剤層（粘着剤層） ８ 遮光膜
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性材料からなるフレキシブルプリン
ト配線基板の片面に配線パターンを形成し、この配線パ
ターンに接続されるようにベアチップＩＣを搭載した半
導体装置において、前記ベアチップＩＣを搭載した側の
背部となるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に
接着剤層を介することなく前記ベアチップＩＣの背部を
被覆するように前記配線パターンの導体と同様の材質か
らなる遮光膜を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 絶縁性材料からなるフレキシブルプリン
ト配線基板の片面に配線パターンを形成し、この配線パ
ターンに接続されるようにベアチップＩＣを搭載し、前
記配線パターンの表面を保護膜により被覆した半導体装
置において、前記ベアチップＩＣを搭載した側の背部と
なるフレキシブルプリント配線基板の他方の面に接着剤
層を介することなく前記ベアチップＩＣの背部を被覆す
るように前記配線パターンの導体と同様の材質からなる
遮光膜を形成し、この遮光膜を外周も含めて保護膜によ
り被覆したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記配線パターンの表面を被覆する保護
膜と前記遮光膜を被覆する保護膜とを熱膨張係数の等し
い材料により同一膜厚に形成したことを特徴とする請求
項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記遮光膜を接地したことを特徴とする
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24638198A JP2000077564A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24638198A JP2000077564A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077564A true JP2000077564A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17147705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24638198A Pending JP2000077564A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077564A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142248A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008091587A (ja) * | 2006-09-30 | 2008-04-17 | Nippon Chemicon Corp | 光学機器モジュール |
| JP2009026985A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP24638198A patent/JP2000077564A/ja active Pending
Cited By (4)
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