JP2000071374A5 - - Google Patents

Description

透明導電膜層は、酸化インジウムを主成分とする層から形成されるが、抵抗率の低下、膜質改善等を考慮すると、錫を３〜５０重量％含有してもよい。また、通常、膜厚は１０〜１００ｎｍが好ましい。膜厚は表面抵抗率及び可視光線透過率に影響するため、要求される表面抵抗率と可視光線透過率を勘案して、上記範囲において最適な厚みとすることが好ましい。透明導電膜層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の公知技術のいずれも採用できる。これらの内、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が好ましい。透明導電膜層を形成するターゲットとしては、酸化インジウム、錫を含有した酸化インジウム、金属インジウム、インジウム錫合金等が挙げられる。 The transparent conductive film layer is formed of a layer containing indium oxide as a main component, but may contain 3 to 50% by weight of tin in consideration of a decrease in resistivity, an improvement in film quality, and the like. Also, usually, the film thickness is preferably 10 to 100 nm. Since the film thickness affects the surface resistivity and the visible light transmittance, it is preferable to set an optimum thickness in the above range in consideration of the required surface resistivity and the visible light transmittance. As a film-forming method of a transparent conductive film layer, any of well-known techniques, such as a vacuum evaporation method, sputtering method, an ion plating method, are employable. Among these, DC magnetron sputtering is preferred. As a target for forming a transparent conductive film layer , indium oxide, indium oxide containing tin, metallic indium, an indium tin alloy and the like can be mentioned.