JP2000068641A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板の製造方法

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JP2000068641A
JP2000068641A JP25044698A JP25044698A JP2000068641A JP 2000068641 A JP2000068641 A JP 2000068641A JP 25044698 A JP25044698 A JP 25044698A JP 25044698 A JP25044698 A JP 25044698A JP 2000068641 A JP2000068641 A JP 2000068641A
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printed wiring
metal foil
resin
metal
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Morio Take
杜夫 岳
Nobuyuki Ikeguchi
信之 池口
Toshihiko Kobayashi
敏彦 小林
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Landscapes

  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライシステムの製造方法によってスルーホ
ールの信頼性に優れたプリント配線板を作成する。 【解決手段】 金属板の片面に、スルーホールとする、
円錐台形突起或いは導電性接着剤付着円錐台形の突起を
形成し、突起側に、突起よりやや薄目の絶縁層を形成
し、その外側に金属箔を置いて、加熱、加圧下に積層成
形した両面金属箔張積層板を用い、回路形成、貴金属メ
ッキを施してプリント配線板とする。 【効果】 スルーホール接続信頼性、吸湿後の耐熱性、
プレッシャークッカー後の電気絶縁性、耐マイグレーシ
ョン性等に優れたプリント配線板を製造することができ
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なドライシス
テムのプリント配線板の製造方法に関する。得られたプ
リント配線板は半導体チップを搭載して使用するパッケ
ージ用途として主に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント配線板に使用する両面金
属箔張積層板は、ガラス織布等の基材に熱硬化性樹脂組
成物を含浸、乾燥させてＢステージとしたプリプレグを
複数枚重ねて、加熱、加圧下に積層成形して作成され
る。この両面金属箔張積層板に貫通スルーホール用孔を
所定の位置にあけ、金属メッキを施して表裏回路を導通
する。スルーホールに付着した金属は、厚さが15〜25μ
mであり、メッキの付着が悪いと、加熱冷却時のストレ
スによりメッキの剥離、切断が発生し、信頼性に問題の
生じることがあった。また、工程が煩雑であり、更に板
厚が厚く、孔径の小さいものは、スルーホールメッキが
困難であり、信頼性の点で問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を改善したプリント配線板を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は金属板の片面
の、少なくともスルーホールを形成する位置に円錐台形
の突起を形成し、必要により表面処理を行ない、導電性
接着剤を円錐台形突起上に付着させるか、円錐台形突起
を形成する前に導電性接着剤を付着させてからエッチン
グ等の方法で導電性接着剤付き円錐台形突起を作成し、
その突起側に、突起全体の高さよりやや薄めの半硬化プ
リプレグ、樹脂シート、樹脂付き金属箔、或いは塗布樹
脂層を配置し、金属箔の付着してない樹脂層の外側には
金属箔を配置して、加熱、加圧下に積層成形して両面金
属箔張積層板を作成し、ついで、この両面金属箔張積層
板に回路を形成後、貴金属メッキを行なって作成された
プリント配線板を提供する。本発明はさらに樹脂層とし
て、好適には多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を使
用するプリント配線板を提供する。本発明によれば、上
記構成のプリント配線板とすることにより、吸湿後の耐
熱性、耐湿性、プレッシシャークッカー処理後の電気絶
縁性、耐マイグレーション性に優れ、デスミア処理やス
ルーホールメッキの必要もなく、信頼性に優れた小径の
スルーホールがドライシステムで製造でき、作業性の改
善された新規なプリント配線板が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のプリント配線板は、プリ
ント配線板のスルーホール等として、金属板の片面に円
錐台形の突起を形成し、必要により表面化学処理を施
し、好適には円錐台形上に導電性接着剤が付着した金属
板を作成し、この突起側に、突起の高さよりやや薄目の
半硬化のプリプレグ、樹脂シート、樹脂付き金属箔、或
いは塗布樹脂層を配置し、金属箔の付いてない樹脂層の
外側には金属箔を配置して、加熱、加圧下に積層成形
し、回路形成し、貴金属メッキを施して製造される。
【０００６】公知のスルーホールを有するプリント配線
板は、スルーホールをメカニカルドリル等であけ、金属
メッキを施す。板厚みに比べてスルーホール径が小さい
と、金属メッキがうまく付着しない、信頼性に欠ける等
の問題点が発生してくる。本発明は、まず金属芯とする
金属板をあらかじめ公知のエッチング等の方法で、表裏
回路導通用、半導体チップ放熱用スルーホール等を形成
する位置に、円錐台形の突起を形成し、好適にはその台
形上に、エッチング前、或いはエッチング後にハンダペ
ースト、銀ペースト等の導電性接着剤を付着させてお
き、突起側に樹脂シート又は基材に樹脂を含浸、乾燥さ
せて、半硬化としたプリプレグを配置し、必要により、
金属箔を配置して、加熱、加圧、真空下に積層成形して
両面金属箔張積層板を作成する。
【０００７】該円錐台形突起が形成された金属板の表面
を公知の方法で酸化処理、微細凹凸形成、皮膜形成等の
接着性や電気絶縁性向上のための表面処理を必要に応じ
て施す。
【０００８】円錐台形上に導電性接着剤を付着した突起
を形成し、積層成形後に内層回路等と接着させて接続信
頼性を向上させる。導電性接着剤としては、一般に公知
のものが使用される。具体的には、ハンダペースト、鉛
フリーハンダ、銀ペースト、銅ペースト等が挙げられ
る。
【０００９】積層成形条件は、使用する樹脂によって異
なり、特に限定はしないが、一般には100〜300℃、好適
には150〜250℃で加熱される。圧力は、3〜50kgf/cm2、
好適には5〜35kgf/cm2、時間は1〜5時間である。
【００１０】表裏の回路を形成後、貴金属メッキを、少
なくともワイヤボンディングパッド表面に形成してプリ
ント配線板を完成させる。この場合、貴金属メッキの必
要のない箇所は、事前にメッキレジストで被覆してお
く。または、メッキ後に、必要により公知の熱硬化性樹
脂組成物、或いは光選択熱硬化性樹脂組成物で、少なく
とも半導体チップ搭載部、ボンディングパッド、反対面
のハンダボール接着用パッド以外の表面に皮膜を形成す
る。
【００１１】本発明に用いる金属板は、特に限定しない
が、高弾性率、高熱伝導性で、厚さ70〜300μmのものが
好適である。具体的には、純銅、無酸素銅、その他、銅
が95重量％以上のFe、Sn、P, Cr, Zr. Zn等との合金が
好適に使用される。また、合金の表面を銅メッキした金
属板等も使用され得る。
【００１２】本発明の金属板の円錐台形突起部の高さ
は、特に限定はないが、50〜150μmが好適である。ま
た、プリプレグ、樹脂シート、樹脂付き金属箔、塗布樹
脂等の絶縁層の厚さは、円錐台形突起部或いは導電性接
着剤付着金属円錐台形突起の高さよりやや低め、好まし
くは5〜15μm低めとし、積層成形後に該突起部と表層金
属箔とを導電性接着剤で接続させる。この円錐台形突起
部にあたる部分は、エッチング法等の一般に公知の加工
法によって作成される。また、残った金属板の厚みは10
〜70μmとする。できるだけプリプレグの上に配置する
反対面の金属箔の厚みと同じ厚みにするのが、ソリを防
ぐ点からも好ましい。
【００１３】本発明の製造方法によれば、金属メッキを
して表裏回路導通するためのスルーホール用のクリアラ
ンスホールまたはスリット孔を形成する必要はなく、ド
ライシステムでプリント配線板を作成することができ
る。
【００１４】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、これらの１種或いは２
種類以上を組み合わせて使用する。耐熱性、耐湿性、耐
マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から多
官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。
【００１５】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。
【００１６】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いら得る。また、これら多官能性シ
アン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形
成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000 のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
【００１７】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブ
タジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシ
クロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポ
リエポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン
樹脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポ
リグリシジル化合物類等が挙げられる。これらは１種或
いは２種以上を組み合わせて使用する。
【００１８】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406号公報に
記載の末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。
【００１９】これらの熱硬化性樹脂は、単独でも使用さ
れるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせて使用
するのが良い。
【００２０】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、Ａ
Ｓ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、スチレン-イソプレ
ンゴム、ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化
エチレン-6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネー
ト、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエス
テル、ポリフェニレンサルファイド等の高分子量プレポ
リマー若しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示さ
れ、適宜使用される。また、その他、公知の無機或いは
有機の充填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分
散剤、レベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合
禁止剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じ
て適宜組み合わせて用いられる。必要により、反応基を
有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。
【００２１】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。
【００２２】プリプレグの補強基材として使用するもの
は、一般に公知の無機或いは有機の織布、不織布が使用
される。具体的には、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス等
の公知のガラス繊維布、全芳香族ポリアミド繊維布、液
晶ポリエステル繊維布等が挙げられる。これらは、混抄
でも良い。積層成形時に突起が基材間を突き抜けるよう
な密度の基材とする。
【００２３】対面に使用する金属箔は、一般に公知のも
のが使用できる。好適には厚さ3〜18μmの銅箔、ニッケ
ル箔等が使用される。材質は、円錐台形状突起を形成す
る金属箔と同一にするのが、ソリを防ぐ点からも好まし
い。
【００２４】金属板に形成する円錐台形状のスルーホー
ル代替用突起部は、特に限定はしないが、金属板に接着
している底部は、一般には0.2〜1.0mm、頂上部は、0〜
0.5mmに形成するのが良い。頂上部が0mmで、先端が尖っ
ている場合、積層成形時に対面の金属箔に突き刺して接
続するようにする。この場合、先端が圧しつぶされて平
らになってもよい。
【００２５】本発明のプリント配線板用プリプレグを作
成する場合、基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥
し、半硬化状態の積層材料とする。また基材を使用しな
い半硬化状態とした樹脂シートも使用できる。或いは塗
料も使用できる。プリプレグ等を作成する温度は一般的
には100〜180℃である。時間は5〜60分である。
【００２６】本発明の金属芯の入った半導体プラスチッ
クパッケージを作成する方法は特に限定しないが、例え
ば図１に示す以下の方法による。 (1) 金属板両面を液状エッチングレジストで被覆し、
加熱して溶剤を除去した後、片面のスルーホールとなる
箇所の上のレジストを円形に残して除去し、下側は全面
レジストを残し、エッチングにて上側に円錐台形状の突
起ｆが形成された金属板ｃを作成する。この円錐台形上
に導電性接着剤ｄを付着させ、その上に、円錐台形の高
さよりやや厚みの薄いプリプレグＢ（ｂ）を配置し、そ
の上側に金属箔ａを置く。 (2) 加熱、加圧、真空下に積層成形して一体化する。 (3) 金属箔が厚い場合、片面の金属箔と厚みをあわせ
るために、厚い面をエッチング除去し（図１、ｇ）、 (4) 上下に回路を形成し、貴金属メッキを施してプリ
ント配線板を作成する。
【００２７】
【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。 実施例１ 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に熔融させ、
攪拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業＜株＞製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルクBST-200、日本タルク＜株＞製)500部を加え、均
一攪拌混合してワニスＡを得た。これを50μmのガラス
織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間(at 170℃）103秒、
絶縁層の厚さ75μmのプリプレグ（積層材料Ｂ）を作成
した。一方、内層金属板となる厚さ120μmのCu:99.9%,F
e:0.07%,P:0.03%の合金板を用意し、上下に液状エッチ
ングレジストを25μm塗布、乾燥し、表面には大きさ50m
m角のパッケージの、スルーホール形成部に、径350μm
のレジストが残るように作成したネガフィルムを被せ、
エッチングして、円錐台形上部の径130μm、下部の径60
0μｍ、高さ80μmの突起を作成した。又、半導体チップ
搭載部範囲13mm角内にも同様に400個の円錐台形突起を
形成し、この突起上に銀ペーストを厚さ6μm付着させ、
その上側に上記積層材料Ｂを配置し、18μmの電解銅箔
をその外側に置き、200℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真
空下で2時間積層成形して、金属突起のスルーホールを
有する両面銅張積層板を得た。この上面にエッチングレ
ジストを付着させ、厚い下側の銅箔面を18μmまで薬液
で溶解した後、回路を形成し、半導体チップ搭載部、ボ
ンディングパッド部及び仮面のボールパッド部以外にメ
ッキレジストを形成し、ニッケル、金メッキを施してプ
リント配線板を完成した。半導体チップを銀ペーストで
接着固定した後、ワイヤボンディングを行い、次いでシ
リカ入り封止用エポキシ樹脂コンパウンドを用い、半導
体チップ、ワイヤ及びボンディングパッドを樹脂封止
し、ハンダボールを接合して半導体プラスチックパッケ
ージを作成した。評価結果を表１に示す。
【００２８】実施例２ 実施例１において、銀ペーストを使用しない以外は実施
例１と同様に操作して半導体プラスチックパッケージを
作成した。評価結果を表１に示す。
【００２９】比較例１ 実施例１のプリプレグＢ（ｂ）を１枚使用し、上下に18
μmの電解銅箔ａを配置し、200℃、20kgf/cm2、30mmHg
以下の真空下に2時間積層成形し、両面銅張積層板を得
た。この両面銅張積層板を用い、所定の位置に孔径0.15
mmφのスルーホールをドリルであけ、スルーホールに銅
メッキを施した（ｈ，ｏ）。この板の上下に公知の方法
で回路を形成し、メッキレジストｍで被覆後、ニッケ
ル、金メッキを施した。これは半導体チップを搭載する
箇所に放熱用のスルーホールｏが形成されている。この
上の領域に半導体チップｉを搭載し、樹脂封止した（図
２、ｎ）。評価結果を表１に示す。
【００３０】比較例２ エポキシ樹脂(商品名:エピコート5045)700部及びエポキ
シ樹脂(商品名:ESCN220F)300部、ジシアンジアミド35
部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に均一溶解さ
せ、これを厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥させ
て、ゲル化時間150秒のプリプレグ(プリプレグＤ)及び
ゲル化時間１０秒のプリプレグ（プリプレグＥ、ｅ）を
作成した。プリプレグＤを１枚使用し、190℃、20kgf/c
m2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形し、両面銅張
積層板を作成した。後は比較例１と同様にしてプリント
配線板を作成し、半導体チップ搭載部分をザグリマシー
ンを用いてくりぬき、裏面に厚さ100μｍの銅板ｐを上
記プリプレグＥ（ｅ）を打ち抜いたものを使用して、加
熱加圧下に接着させ、放熱板付きプリント配線板を作成
した。この放熱板に直接銀ペーストｋで半導体チップｉ
を接着させ、ワイヤボンディングで接続後液状エポキシ
樹脂ｎで封止した（図３）。評価結果を表１に示す。
【００３１】 表１ 項 目 実 施 例 比 較 例 １ ２ １ ２ 吸湿後の耐熱性1) 常 態 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 24hrs. 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 48hrs. 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 72hrs. 異常なし 異常なし 異常なし 一部剥離 96hrs. 異常なし 異常なし 一部剥離 一部剥離 120hrs. 異常なし 異常なし 一部剥離 一部剥離 144hrs. 異常なし 異常なし 一部剥離 一部剥離 168hrs. 異常なし 異常なし 一部剥離 一部剥離 吸湿後の耐熱性2) 常 態 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 24hrs. 異常なし 異常なし 一部剥離 一部剥離 48hrs. 異常なし 異常なし 一部剥離 剥離大 72hrs. 異常なし 異常なし 剥離大 ワイヤ切れ 96hrs. 異常なし 異常なし ワイヤ切れ ワイヤ切れ 120hrs. 異常なし 異常なし ワイヤ切れ ワイヤ切れ 144hrs. 異常なし 異常なし − − 168hrs. 異常なし 異常なし − − ガラス転移温度(℃) ２３４ ２３４ ２３４ １６０
【００３２】 表１（続） 項 目 実 施 例 比 較 例 １ ２ １ ２ プレッシャークッカ 処理後の絶縁抵抗値（Ω） 常 態 ５ｘ１０14 ５×１０14 ６ｘ１０14 ５ｘ１０14 200hrs. ６ｘ１０12 ６×１０12 ６ｘ１０12 ３ｘ１０8 500hrs. ８ｘ１０11 ８×１０11 ５ｘ１０11 ＜１０8 700hrs. ５ｘ１０10 ５×１０10 ４ｘ１０10 − 1000hrs. ２ｘ１０10 ２×１０10 ３ｘ１０10 − 耐マイグレーション性（Ω） 常 態 ６ｘ１０13 ６×１０13 ４ｘ１０13 ６ｘ１０13 200hrs. ４ｘ１０11 ４×１０11 ５ｘ１０11 ３ｘ１０9 500hrs. ６ｘ１０11 ６×１０11 ４ｘ１０11 ＜１０8 700hrs. ３ｘ１０11 ３×１０11 １ｘ１０11 − 1000hrs. ９ｘ１０10 ９×１０10 ８ｘ１０10 − スルーホール・ヒートサイクル試験（％） １．７ ２．９ ２．３ ４．０ 放熱性 ３３ ３５ ５７ ４８
【００３３】＜測定方法＞ 1) 吸湿後の耐熱性1) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3:30℃・60%
RHで所定時間処理後、220℃リフローソルダー3サイクル
後の基板の異常の有無について、断面観察及び電気的チ
ェックによって確認した。 2) 吸湿後の電気絶縁性2) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2:85℃・60%
RHで所定時間(Max.168hrs.)処理後、220℃リフローソル
ダー3サイクル後の基板の異常の有無を断面観察及び電
気的チェックによって確認した。 3) ガラス転移温度 ＤＭＡ法にて測定した。 4) プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 端子間(ライン/スペース=70/70 μｍ）の櫛形パターン
を作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレグ、又
は樹脂層を形成し、加熱硬化させたものを、121℃・2気
圧で所定時間処理した後、25℃・60%RHで2時間後処理を
行ない、500VDCを印加60秒後に、 その端子間の絶縁抵
抗値を測定した。 5) 耐マイグレーション性 上記4)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 6) スルーホール・ヒートサイクル試験 各スルーホール部にランド径200μｍを作成し、900孔を
表裏交互につなぎ、１サイクルが、260℃・半田浸せき3
0秒→室温5分 で200サイクル実施し、抵抗値の変化率
の最大値を示した。 7) 放熱性 パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接続させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、デスミア処理、スルーホール
メッキ等の薬液を使用せずに、ドライシステムにて両面
金属箔張積層板を製造し、これを用いて製造されるプリ
ント配線板であり、得られたプリント配線板は、スルー
ホールの信頼性、放熱性に優れ、量産性にも優れてい
る。即ち、金属板の片面の、少なくともスルーホールを
形成する位置に、円錐台形の突起を形成し、必要により
表面化学処理を施し、この円錐台形突起上あるいは円錐
台形突起上に導電性接着剤を付着した金属板の突起側
に、その突起の高さよりやや薄目の半硬化状態のプリプ
レグ、樹脂シート、樹脂付き金属箔或いは塗布樹脂層を
配置し、金属箔が付着していない樹脂層の外側には金属
箔を配置し、加熱加圧、好適には真空下に、積層成形し
て直接或いは導電性接着剤で金属箔と接合させて得られ
る両面金属箔張積層板を用い、これに回路を形成し、少
なくともワイヤボンディングパッドに貴金属メッキを施
し、プリント配線板とする。樹脂層として、多官能性シ
アン酸エステル樹脂組成物を使用することが好ましい。
得られたプリント配線板は、耐熱性、吸湿後の絶縁性、
耐マイグレーション性、プレッシャークッカー処理後の
絶縁性等に優れており、スルーホールの加熱による接続
信頼性にも優れ、加えて大量生産性にも適しており、経
済性の改善された、新規な構造のプリント配線板を得る
ことができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図２】比較例１のプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図３】比較例２のプリント配線板の製造工程図であ
る。
【符号の説明】
ａ 金属箔 ｂ プリプレグＢ ｃ 片面円錐台形金属板 ｄ 導電性接着剤 ｅ プリプレグＥ ｆ 円錐台形突起 ｇ エッチングされた銅箔 ｈ 表裏回路導通用スルーホール ｉ 半導体チップ ｊ ボンディングワイヤ ｋ 銀ペースト ｌ ハンダボール ｍ メッキレジスト ｎ 封止樹脂 ｏ 放熱用スルーホール ｐ 銅板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 敏彦 東京都葛飾区新宿６丁目１番１号 三菱瓦 斯化学株式会社東京工場内 Ｆターム(参考） 5E315 AA11 CC15 CC16 DD05 DD13 GG01 GG11 GG13 5E317 AA24 AA30 BB01 BB12 BB14 BB18 CC33 CD05 GG09 GG17 5E346 AA41 CC02 CC08 CC32 CC38 CC39 CC40 CC42 DD02 DD12 DD22 EE02 EE08 EE09 EE12 EE13 FF22 FF24 FF36 FF41 GG08 GG27 GG28 HH11 HH33

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板の片面の、少なくとも、スルーホ
    ールを形成する位置に円錐台形の突起を形成し、円錐台
    形突起側に、その突起の高さよりやや薄目の半硬化のプ
    リプレグ、樹脂シート、樹脂付き金属箔或いは塗布樹脂
    層を配置し、金属箔のない樹脂層の外側には金属箔を配
    置し、加熱、加圧下に積層成形して、該金属箔に円錐台
    形突起部の先端が接触した両面金属箔張積層板を作成
    し、表裏に回路形成し、貴金属メッキを行なうことを特
    徴とするプリント配線板の製造方法。
  2. 【請求項２】 該円錐台形突起部先端に導電性接着剤を
    付着し、加熱、加圧下に積層成形して、該突起部先端を
    該金属箔に接合した請求項１記載のプリント配線板の製
    造方法。
  3. 【請求項３】 該金属板が銅95重量％以上の銅合金、或
    いは純銅である請求項１記載のプリント配線板の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 プリプレグ、樹脂シート、樹脂付き金属
    箔或いは塗布樹脂層に使用される絶縁樹脂組成物が、多
    官能性シアン酸エステル、該シアン酸エステルプレポリ
    マーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物である請求項
    １又は２記載のプリント配線板の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020511A (ja) * 2000-07-04 2002-01-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc プリプレグの製造方法及びそれを用いたプリント配線板
JP2008141156A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
WO2011058978A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 株式会社フジクラ 配線基板の製造方法
US7989359B2 (en) 2007-01-31 2011-08-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor module manufacturing method, semiconductor module, and mobile device
US8237258B2 (en) 2008-02-29 2012-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor module including a semiconductor device, a device mounting board, and a protecting layer therebetween
WO2014045721A1 (ja) * 2012-09-20 2014-03-27 株式会社村田製作所 配線基板、および、配線基板の製造方法
JP2014216599A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 株式会社村田製作所 配線基板およびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020511A (ja) * 2000-07-04 2002-01-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc プリプレグの製造方法及びそれを用いたプリント配線板
JP2008141156A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
US7989359B2 (en) 2007-01-31 2011-08-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor module manufacturing method, semiconductor module, and mobile device
US8237258B2 (en) 2008-02-29 2012-08-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor module including a semiconductor device, a device mounting board, and a protecting layer therebetween
WO2011058978A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 株式会社フジクラ 配線基板の製造方法
WO2014045721A1 (ja) * 2012-09-20 2014-03-27 株式会社村田製作所 配線基板、および、配線基板の製造方法
JP5928601B2 (ja) * 2012-09-20 2016-06-01 株式会社村田製作所 配線基板、および、配線基板の製造方法
JP2014216599A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 株式会社村田製作所 配線基板およびその製造方法

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