JP2000068626A - Manufacture of printed wiring board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a printed wiring board, which is excellent in electrical characteristics, by a method wherein nickel-plated layers are respectively formed reliably in apertures formed in a solder resist layer and bonding of the nickel-plated layers to solder bumps is ensured. SOLUTION: This method of manufacturing a printed wiring board has a process, wherein a solder resist layer 10 is formed on conductor circuits 3 a board then, apertures having such a hole diameter as at least one part of a pad part forming one part of each conductor circuit 3 is exposed are formed at the positions, where correspond to the pad parts, on the layer 10 and after that, after nickel-plated layers 12 and gold-plated layers 13 are respectively formed in order in these apertures, solder bumps 14 are formed. At the the time of formation of the layers 12, the board is vibrated 20 times/minute or more respectively in the directions parallel and vertical to the board.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ソルダ−レジス
ト層の開口部内にニッケルめっき層を確実に形成し、か
つ、半田バンプとの接合不良のないプリント配線板の製
造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board in which a nickel plating layer is reliably formed in an opening of a solder-resist layer and there is no defective connection with a solder bump.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般にプリント配線板の表層は、ＩＣチ
ップ等を実装するために、半田バンプ等を形成し、これ
ら半田バンプが互い融着しないようにソルダーレジスト
層を設ける。具体的には、基板上に形成された導体回路
上にソルダーレジスト層を形成し、次いで、ソルダーレ
ジスト層の、前記導体回路の一部をなすパッド部に対応
する位置に、パッド部の少なくとも一部が露出する穴径
をもつ開口部を形成し、その後、この開口部内に、ニッ
ケルめっき層及び金めっき層を順次形成した後に半田ペ
ースト等を印刷し、リフローすることによって半田バン
プを形成する。2. Description of the Related Art In general, a solder bump or the like is formed on a surface layer of a printed wiring board for mounting an IC chip or the like, and a solder resist layer is provided so that these solder bumps are not fused to each other. Specifically, a solder resist layer is formed on the conductor circuit formed on the substrate, and then at least one of the pad portions is provided on the solder resist layer at a position corresponding to the pad portion forming a part of the conductor circuit. An opening having a hole diameter at which the portion is exposed is formed. Thereafter, a nickel plating layer and a gold plating layer are sequentially formed in the opening, and then a solder paste or the like is printed and reflowed to form a solder bump.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ソルダ−レジスト層の
開口部にニッケルめっき層を形成する手段としては、均
一電着性の点から無電解めっき法を用いるのが好ましい
が、この方法の場合には、めっきの析出反応が開口部内
で生じなかったり、或いは反応停止などを理由として、
ニッケル層の厚みが薄くなる、または、ニッケル層が形
成されないことがあり、それにより、半田バンプとの接
合がとれず、ＩＣチップとプリント配線板との接続不良
が発生するという問題が起こった。As a means for forming a nickel plating layer in the opening of the solder-resist layer, it is preferable to use an electroless plating method from the viewpoint of uniform electrodeposition. Is because the plating deposition reaction does not occur in the opening or because the reaction is stopped, etc.
In some cases, the thickness of the nickel layer is reduced, or the nickel layer is not formed. As a result, there has been a problem that the bonding with the solder bumps cannot be performed, and a poor connection between the IC chip and the printed wiring board occurs.

【０００４】この発明の主たる目的は、ソルダーレジス
ト層の開口部にニッケルめっき層を確実に形成し、半田
バンプとの接合を確実にすることによって、電気接続性
に優れたプリント配線板の製造方法を提供することにあ
る。A main object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed wiring board having excellent electrical connectivity by reliably forming a nickel plating layer in an opening of a solder resist layer and ensuring bonding with a solder bump. Is to provide.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】ソルダーレジスト層の開
口部にニッケルめっき層を形成させる際に、めっき反応
が生じなかったり、反応が停止する場合がある点につい
ては上述した通りである。As described above, when a nickel plating layer is formed in an opening of a solder resist layer, a plating reaction may not occur or may stop.

【０００６】そこで、発明者がこの原因を鋭意検討した
ところ、開口部内に気泡が残留し、または、ニッケルめ
っき層形成の際に発生する水素ガスにより、開口部内に
ニッケルめっき液が十分に供給されないことによって、
未反応や反応停止が生じることを知見した。Therefore, the present inventors diligently studied the cause, and found that bubbles remained in the opening or that the nickel plating solution was not sufficiently supplied into the opening due to hydrogen gas generated when the nickel plating layer was formed. By
It was found that unreaction and reaction termination occurred.

【０００７】そして、その知見に基づいてさらに研究し
た結果、ニッケルめっき層を形成させる際の層厚みを均
一にするために、基板を、それに対して平行及び垂直な
方向に揺動させながらめっきを行っているが、その揺動
回数を２０回／分以上にすることにより、さらに、開口
部に残留する気泡及び水素ガスを排除することにより、
開口部内へのニッケルめっき液の供給が安定するように
なり、ニッケルめっき層を確実に形成できることがわか
った。Further, as a result of further research based on the findings, in order to make the thickness of the nickel plating layer uniform, plating was performed while rocking the substrate in directions parallel and perpendicular thereto. However, by setting the number of swings to 20 times / minute or more, and by eliminating bubbles and hydrogen gas remaining in the opening,
It was found that the supply of the nickel plating solution into the opening became stable, and the nickel plating layer could be formed reliably.

【０００８】すなわち、ソルダ−レジスト層の開口部に
ニッケルめっき層を形成させる際、基板に対して平行及
び垂直な方向への揺動回数を多くして、ソルダ−レジス
ト層の開口部及び表面に付着した気泡や水素ガスを排除
することにより、めっき層の形成が安定かつ確実に行え
るようになり、その結果、半田バンプとの接合が安定す
るようになり、優れた電気接続性を得ることに成功し、
この発明を完成するに至ったのである。That is, when the nickel plating layer is formed in the opening of the solder-resist layer, the number of swings in the directions parallel and perpendicular to the substrate is increased, and the opening and the surface of the solder-resist layer are formed. By eliminating attached air bubbles and hydrogen gas, the plating layer can be formed stably and reliably, and as a result, the bonding with the solder bumps becomes stable and excellent electrical connectivity can be obtained. Success,
The present invention has been completed.

【０００９】この発明の要旨構成は、以下のとおりであ
る。基板上に形成された導体回路上にソルダーレジスト
層を形成し、次いで、ソルダーレジスト層の、前記導体
回路の一部をなすパッド部に対応する位置に、パッド部
の少なくとも一部が露出する穴径をもつ開口部を形成
し、その後、この開口部内に、ニッケルめっき層及び金
めっき層を順次形成した後に半田バンプを形成する工程
を有するプリント配線板の製造方法において、前記ニッ
ケルめっき層の形成の際、前記基板を、それに対して平
行及び垂直な方向に、それぞれ２０回／分以上揺動させ
ることにある。The gist configuration of the present invention is as follows. Forming a solder resist layer on the conductor circuit formed on the substrate, and then exposing at least a part of the pad portion at a position of the solder resist layer corresponding to the pad portion forming a part of the conductor circuit; Forming an opening having a diameter, and then forming a nickel plating layer and a gold plating layer in this opening in order to form a solder bump, and then forming the nickel plating layer. In this case, the substrate is oscillated at least 20 times / min in directions parallel and perpendicular to the substrate.

【００１０】ここで、「前記基板に対して平行方向への
揺動」とは、具体的には前記基板表面を含む平面上での
揺動を意味し、また、「前記基板に対して垂直方向への
揺動」とは、具体的には前記基板の厚さ方向への揺動を
意味する。[0010] Here, "oscillation in a direction parallel to the substrate" specifically means oscillation on a plane including the substrate surface, and "oscillation in a direction perpendicular to the substrate". "Swing in the direction" specifically means a swing in the thickness direction of the substrate.

【００１１】また、前記ニッケルめっき層は、無電解め
っきで形成することが好ましい。さらに、前記基板の前
記平行及び垂直な方向への揺動は同時に行うか、又は、
１往復ごとに交互に行うことが好ましい。加えて、前記
基板の前記平行及び垂直方向への揺動距離はいずれも５
〜３０ｃｍの範囲にすることがより好適である。Further, it is preferable that the nickel plating layer is formed by electroless plating. Further, the swinging of the substrate in the parallel and vertical directions is performed simultaneously, or
It is preferable to alternately perform each reciprocation. In addition, the swing distance of the substrate in the parallel and vertical directions is 5
More preferably, it is in the range of ３０30 cm.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】次に、この発明に従うプリント配
線板の製造方法について説明する。尚、以下に示す製造
方法は、セミアディティブ法を用いてプリント配線板を
製造した場合であるが、この発明は、この方法だけには
限定されず、例えば、フルアディティブ法を用いてプリ
ント配線板を製造してもよい。Next, a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described. The manufacturing method described below is a case where a printed wiring board is manufactured using a semi-additive method. However, the present invention is not limited to this method. For example, a printed wiring board is manufactured using a full additive method. May be manufactured.

【００１３】プリント配線板は、図１〜図10に示す手順
によって製造する。基板としては、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
基板等の樹脂絶縁基板、セラミック基板、金属基板等の
基板１を用いる。The printed wiring board is manufactured according to the procedure shown in FIGS. As the substrate, a substrate 1 such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a resin insulating substrate such as a bismaleimide-triazine resin substrate, a ceramic substrate, or a metal substrate is used.

【００１４】プリント配線板の製造は、まず、図１に示
すように、上記基板１にスルーホール２及び導体回路３
を形成し、導体回路３上にめっき又はエッチングによっ
て粗化層を形成した後、スルーホール２内に穴埋め樹脂
４を充填する。次に、無電解めっき用接着剤層５を形成
し、この接着剤層５の所定位置にバイアホール形成用開
口６を形成する（図２）。その後、この接着剤層５の表
面を粗化して粗化面とし（図３）、この粗化面全体に薄
付けの無電解めっき層７を形成する（図４）。そして、
めっきレジスト８を形成し（図５）、めっきレジスト非
形成部分に厚付けの電気めっき層９を形成した（図６）
後、めっきレジスト８を除去し、エッチング処理して、
電気めっき層９と無電解めっき層７とからなる導体回路
を形成する（図７）。また、必要に応じて、図３〜図７
の工程を繰り返し行うことによって、上層にさらに多層
の導体回路を形成することができる（図８）。尚、導体
回路はいずれも銅パタ−ンで形成するのが好ましい。In the manufacture of a printed wiring board, first, as shown in FIG.
After forming a roughened layer on the conductive circuit 3 by plating or etching, the filling resin 4 is filled in the through hole 2. Next, an adhesive layer 5 for electroless plating is formed, and an opening 6 for forming a via hole is formed at a predetermined position of the adhesive layer 5 (FIG. 2). Thereafter, the surface of the adhesive layer 5 is roughened to a roughened surface (FIG. 3), and a thin electroless plating layer 7 is formed on the entire roughened surface (FIG. 4). And
A plating resist 8 was formed (FIG. 5), and a thick electroplating layer 9 was formed in a portion where no plating resist was formed (FIG. 6).
Thereafter, the plating resist 8 is removed, and etching treatment is performed.
A conductor circuit including the electroplating layer 9 and the electroless plating layer 7 is formed (FIG. 7). 3 to 7 if necessary.
By repeating this step, a further multilayered conductor circuit can be formed on the upper layer (FIG. 8). It is preferable that all the conductor circuits are formed of a copper pattern.

【００１５】無電解めっき用接着剤層は、硬化処理さ
れ、酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂からなる粒
子（以下、「樹脂粒子」という。）を、未硬化で、酸あ
るいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂からなるマトリック
ス（以下、「樹脂マトリックス」という。）中に分散さ
せた混合物で形成するのが最適である。[0015] The adhesive layer for electroless plating is cured, and particles made of a heat-resistant resin which is soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as "resin particles") are uncured and converted into an acid or an oxidizing agent. Optimally, it is formed of a mixture dispersed in a matrix of a hardly soluble heat-resistant resin (hereinafter referred to as “resin matrix”).

【００１６】即ち、無電解めっき用接着剤層を上記混合
物で形成した場合には、酸あるいは酸化剤で処理するこ
とによって、樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ
状のアンカーからなる粗化面を形成できる。That is, when the adhesive layer for electroless plating is formed from the above mixture, the resin particles are dissolved and removed by treating with an acid or an oxidizing agent, and the surface is formed of a coarse octopus-shaped anchor. Surface can be formed.

【００１７】樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン
樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂の粉
末等を使用するのが好ましい。As the resin particles, it is preferable to use amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), epoxy resin powder and the like.

【００１８】樹脂粒子に用いられる粉末等としては、
平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径
が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、
平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径
が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径
が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少な
くとも１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が
０．１〜０．８μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が０．
８μｍを超え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合
物、平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性樹脂粉末
を用いることが望ましい。これらを用いることによっ
て、より複雑なアンカーを形成できるからである。As the powder used for the resin particles,
Heat-resistant resin powder having an average particle size of 10 μm or less, aggregated particles obtained by aggregating a heat-resistant resin powder having an average particle size of 2 μm or less,
A mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm on the surface of the heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm.
m, a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm, and a pseudo particle obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder and an inorganic powder having an average particle diameter of 0.1 to 0.8 μm.
It is desirable to use a mixture with a heat-resistant resin powder having a diameter of more than 8 μm and less than 2 μm, and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 1.0 μm. By using these, a more complicated anchor can be formed.

【００１９】樹脂マトリックスとしては、「熱硬化性樹
脂及び熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性
樹脂及び熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなるこ
とが望ましい。即ち、前者は耐熱性が高く、後者はバイ
アホ−ル用の開口をフォトリソグラフィ−により形成で
きるからである。The resin matrix is preferably composed of a "resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin" or a "resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin". That is, the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for via hole by photolithography.

【００２０】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂などを使用するこ
とが好ましく、また、感光性樹脂としては、メタクリル
酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させた
もの、特にエポキシ樹脂のアクリレ−トを使用するのが
最適である。As the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin or the like, and as the photosensitive resin, methacrylic acid, acrylic acid or the like is used to acrylate the thermosetting group. It is most preferable to use a reaction product, particularly an acrylate of an epoxy resin.

【００２１】エポキシ樹脂としては、フェノ−ルノボラ
ック型、クレゾ−ルノボラック型などのノボラック型エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポ
キシ樹脂などを使用することが好ましい。As the epoxy resin, it is preferable to use a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type or a cresol novolak type, or an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene.

【００２２】熱可塑性樹脂としては、ポリエ−テルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＥＳ），ポリフェニルエ−テル（ＰＰ
Ｅ）、ポリエ−テルイミド（ＰＩ）などを使用するのが
好ましい。Examples of the thermoplastic resin include polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), and polyphenyl ether (PP).
It is preferable to use E), polyetherimide (PI) and the like.

【００２３】熱硬化性樹脂の熱可塑性樹脂に対する混合
割合、及び感光性樹脂の熱可塑性樹脂に対する混合割合
はいずれも、耐熱性を損なうことなく、熱硬化樹脂が有
する優れた強靱性や耐久性等の物性を確保する点から、
９５／５〜５０／５０の範囲にするのが好ましい。The mixing ratio of the thermosetting resin to the thermoplastic resin and the mixing ratio of the photosensitive resin to the thermoplastic resin are both excellent in toughness and durability without impairing the heat resistance. From the point of securing the physical properties of
It is preferable to set it in the range of 95/5 to 50/50.

【００２４】前記樹脂粒子の混合比は、樹脂マトリック
スの固形分に対して５〜５０重量％の範囲、望ましくは
１０〜４０重量％の範囲にするのがよい。尚、無電解め
っき用接着剤層は、組成の異なる２層により構成しても
よい。The mixing ratio of the resin particles is in the range of 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight, based on the solid content of the resin matrix. The adhesive layer for electroless plating may be composed of two layers having different compositions.

【００２５】基板上に前記導体回路を形成した後、この
導体回路上に層間絶縁樹脂層を形成する。After forming the conductor circuit on the substrate, an interlayer insulating resin layer is formed on the conductor circuit.

【００２６】この場合には、導体回路と層間絶縁樹脂層
との密着性を向上させるために、導体回路上に粗化層を
形成する。その方法としては、無電解めっきで粗化層を
析出させる方法、あるいは、エッチングにより粗化層を
形成させる方法がある。In this case, a roughened layer is formed on the conductor circuit in order to improve the adhesion between the conductor circuit and the interlayer insulating resin layer. As the method, there is a method of depositing a roughened layer by electroless plating, or a method of forming a roughened layer by etching.

【００２７】この導体回路上に粗化層を形成させる方法
は、ソルダ−レジスト層に粗化層を形成する場合にも適
用できるが、この場合には、前記粗化層にＳｎ層は形成
させない。The method of forming a roughened layer on a conductor circuit can be applied to the case where a roughened layer is formed on a solder-resist layer. In this case, however, the Sn layer is not formed on the roughened layer. .

【００２８】層間絶縁樹脂層には、前述した無電解めっ
き用接着剤層と同じものを使用することができる。As the interlayer insulating resin layer, the same one as the above-mentioned adhesive layer for electroless plating can be used.

【００２９】次に、層間絶縁樹脂層を硬化させる一方
で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口
を設ける。層間絶縁樹脂層の硬化処理は、熱又は紫外線
を利用して行う。層間樹脂樹脂層に設けるバイアホ−ル
形成用の開口は、層間絶縁樹脂層が熱硬化樹脂である場
合には、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて形成し、
また、層間絶縁樹脂層が感光性樹脂である場合には、露
光現像処理にて形成する。Next, an opening for forming a via hole is provided in the interlayer resin layer while the interlayer insulating resin layer is cured. The curing treatment of the interlayer insulating resin layer is performed using heat or ultraviolet rays. The via hole forming opening provided in the interlayer resin layer is formed using laser light, oxygen plasma or the like when the interlayer insulating resin layer is a thermosetting resin,
When the interlayer insulating resin layer is a photosensitive resin, it is formed by exposure and development processing.

【００３０】尚、露光現像処理は、バイアホ−ル形成用
の開口を形成するための円パタ−ンが描画されたフォト
マスク（好ましくはガラス基板）を、円パタ−ン側を感
光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露
光、現像処理するものである。In the exposure and development processing, a photomask (preferably a glass substrate) on which a circular pattern for forming an opening for forming a via hole is drawn is placed on the circular pattern side with a photosensitive interlayer. After being placed in close contact with the resin insulating layer, exposure and development are performed.

【００３１】そして、バイアホ−ル形成用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面を粗化する。特にこの発明では、
層間樹脂絶縁層を無電解めっき用接着剤層と同じ構成に
した場合には、その表面に存在する樹脂粒子を酸又は酸
化剤で溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層の表面
が粗化処理され、層間絶縁樹脂層に粗化層が形成され
る。Then, the surface of the interlayer resin insulating layer provided with the via hole forming opening is roughened. In particular, in the present invention,
When the interlayer resin insulation layer has the same structure as the adhesive layer for electroless plating, the surface of the interlayer resin insulation layer is roughened by dissolving and removing the resin particles present on the surface with an acid or an oxidizing agent. Thus, a roughened layer is formed on the interlayer insulating resin layer.

【００３２】前記酸処理としては、リン酸、塩酸、硫
酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。
特に有機酸は、粗化処理した場合にバイアホ−ルから露
出する金属導体層を腐食させにくいため、酸処理液に適
している。As the acid treatment, phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, or an organic acid such as formic acid or acetic acid can be used.
Particularly, an organic acid is suitable for an acid treatment solution because it hardly corrodes a metal conductor layer exposed from a via hole when a roughening treatment is performed.

【００３３】前記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸
塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望まし
い。In the oxidation treatment, it is desirable to use chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate).

【００３４】前記粗化層の表面粗さは、それを表すパラ
メータの１つである最大高さＲy が０．１〜２０μｍの
範囲になるようにするのが好ましい。The surface roughness of the roughened layer is preferably such that the maximum height Ry, which is one of the parameters representing the surface roughness, is in the range of 0.1 to 20 μm.

【００３５】最大高さＲy の値が２０μｍよりも大きく
なると、粗化層自体が損傷や剥離しやすくなるからであ
り、また、最大高さＲy の値が０．１μｍよりも小さい
と、密着性が低下する傾向があるからである。特にセミ
アディティブ法では、密着性を確保しつつ、無電解めっ
き層の除去を可能にするため、最大高さＲy の値を０．
１〜５μｍの範囲にするのが好ましい。If the value of the maximum height Ry is larger than 20 μm, the roughened layer itself is liable to be damaged or peeled off. On the other hand, if the value of the maximum height Ry is smaller than 0.1 μm, the adhesion becomes poor. Is likely to decrease. In particular, in the semi-additive method, the value of the maximum height Ry is set to 0. 0 in order to enable the removal of the electroless plating layer while securing the adhesion.
It is preferable to set it in the range of 1 to 5 μm.

【００３６】次に、粗化層を形成した層間絶縁樹脂上に
触媒核を付与した後、その全面に薄付けの無電解めっき
層を形成する。この無電解めっき層は、無電解銅めっき
で形成するのが好ましく、その厚みは、１〜５μｍ，よ
り望ましくは２〜３μｍとする。Next, after a catalyst nucleus is provided on the interlayer insulating resin having the roughened layer formed thereon, a thin electroless plating layer is formed on the entire surface thereof. This electroless plating layer is preferably formed by electroless copper plating, and has a thickness of 1 to 5 μm, more preferably 2 to 3 μm.

【００３７】尚、無電解銅めっき液としては、一般的な
液組成のものを使用することができ、例えば、硫酸銅：
２９ｇ／ｌ、炭酸ナトリウム：２５ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ：
１４０ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム：４０ｇ／ｌ、３７％
ホルムアルデヒド：１５０ｍｌ、（ＰＨ＝11.5）からな
る液組成のものが考えられる。Incidentally, as the electroless copper plating solution, those having a general solution composition can be used.
29 g / l, sodium carbonate: 25 g / l, EDTA:
140 g / l, sodium hydroxide: 40 g / l, 37%
A liquid composition consisting of 150 ml of formaldehyde (PH = 11.5) is conceivable.

【００３８】さらに、このように形成した無電解めっき
層上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネ
−トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジスト
パタ−ンが描画されたフォトマスク（好ましくはガラス
基板）を密着させて載置し、露光・現像処理することに
より、めっきレジストパタ−ンを配設して非導体部分を
形成する。Further, a photosensitive resin film (dry film) is laminated on the electroless plating layer formed as described above, and a photomask (preferably, a plating resist pattern is drawn on the photosensitive resin film). A glass substrate) is placed in close contact with the substrate and exposed and developed to form a plating resist pattern to form a non-conductive portion.

【００３９】その後、無電解銅めっき層上の非導体部分
以外の導体部分に電気めっき層を形成し、導体回路とバ
イアホ−ルとなる導体部とを設ける。電気めっき層とし
ては、電気銅めっきで形成することが望ましく、その厚
みは、１０〜２０μｍがよい。Thereafter, an electroplating layer is formed on a conductor portion other than the non-conductor portion on the electroless copper plating layer, and a conductor circuit and a conductor portion serving as a via hole are provided. The electroplating layer is preferably formed by electrocopper plating, and its thickness is preferably 10 to 20 μm.

【００４０】次に、非導体回路部分のめっきレジストを
除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や、過
硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩
化第二銅等のエッチング液にて無電解めっき層を除去
し、無電解めっき層と電気めっき層の２層からなる独立
した導体回路とバイアホ−ルを得る。尚、非導体部分に
露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫
酸過水等により溶解除去する。Next, after removing the plating resist of the non-conductive circuit portion, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an etching solution such as sodium persulfate, ammonium persulfate, ferric chloride, cupric chloride, etc. To remove the electroless plating layer to obtain an independent conductor circuit and a via hole consisting of two layers, an electroless plating layer and an electroplating layer. The palladium catalyst nuclei on the roughened surface exposed to the non-conductive portion are dissolved and removed with chromic acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide.

【００４１】その後、表層の導体回路に粗化層を形成す
る。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、
酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面又
もしくはめっき被膜により形成された粗化面であること
が望ましい。この発明に用いられる導体回路は、無電解
めっき層又はこれと電気めっき層の複合層で形成するこ
とが望ましい。圧延銅箔をエッチングした導体回路で
は、粗化面が形成されにくいからである。Thereafter, a roughened layer is formed on the surface conductor circuit. The formed roughened layer is etched, polished,
It is desirable that the surface be a roughened surface of copper formed by an oxidation treatment or a redox treatment or a roughened surface formed by a plating film. The conductor circuit used in the present invention is desirably formed of an electroless plating layer or a composite layer of the electroless plating layer and the electroplating layer. This is because a roughened surface is not easily formed in a conductor circuit obtained by etching a rolled copper foil.

【００４２】次いで、図９に示すように、前記粗化層を
形成した導体回路３上にソルダ−レジスト層１０を形成
する。ソルダーレジスト層１０の厚さは、５〜４０μｍ
の範囲にするのが好ましい。この厚さが５μｍよりも薄
いと、ソルダーダムとして十分に機能できなくなるおそ
れがあるからであり、また、前記厚さが４０μｍよりも
厚くなると、その後にソルダーレジスト層１０に設ける
開口部の形成が難しくなることに加えて、半田バンプと
接触し半田バンプに生じるクラックの原因となるからで
ある。Next, as shown in FIG. 9, a solder-resist layer 10 is formed on the conductor circuit 3 on which the roughened layer has been formed. The thickness of the solder resist layer 10 is 5 to 40 μm
It is preferable to set it in the range. If the thickness is less than 5 μm, it may not be possible to function sufficiently as a solder dam. If the thickness is more than 40 μm, it is difficult to form an opening provided in the solder resist layer 10 thereafter. In addition to this, the contact with the solder bumps causes cracks to occur in the solder bumps.

【００４３】ソルダーレジスト層１０としては、種々の
樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレー
ト、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬
化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。As the solder resist layer 10, various resins can be used. For example, bisphenol A type epoxy resin, acrylate of bisphenol A type epoxy resin, novolak type epoxy resin, acrylate of novolak type epoxy resin may be used as an amine-based curing agent or the like. A resin cured with an imidazole curing agent or the like can be used.

【００４４】特に、ソルダーレジスト層１０に開口を設
けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エ
ポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レート」からなり、「イミダゾール硬化剤」を硬化剤と
して含むものが好ましい。In particular, when an opening is provided in the solder resist layer 10 to form a solder bump, the solder bump is formed of "novolak-type epoxy resin or acrylate of novolak-type epoxy resin" and containing "imidazole curing agent" as a curing agent. Is preferred.

【００４５】このような構成のソルダーレジスト層１０
は、鉛のマイグレーション（鉛イオンがソルダーレジス
ト層内を拡散する現象）が少ないという利点を持つ。し
かも、このソルダーレジスト層１０は、ノボラック型エ
ポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化
した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はん
だが溶融する温度（200 ℃前後）でも劣化しないし、ニ
ッケルめっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で
分解することもない。The solder resist layer 10 having such a configuration
Has the advantage that the migration of lead (the phenomenon that lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, the solder resist layer 10 is a resin layer obtained by curing an acrylate of a novolak type epoxy resin with an imidazole curing agent, is excellent in heat resistance and alkali resistance, does not deteriorate even at a temperature at which the solder melts (around 200 ° C.), It is not decomposed by a strongly basic plating solution such as nickel plating or gold plating.

【００４６】しかしながら、このようなソルダーレジス
ト層１０は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるため剥離
が生じやすい。このため、ソルダーレジスト層10を形成
する表面を前記粗化層にすれば、このような剥離を有効
に防止できる。However, since such a solder resist layer 10 is formed of a resin having a rigid skeleton, peeling is likely to occur. Therefore, if the surface on which the solder resist layer 10 is formed is the roughened layer, such peeling can be effectively prevented.

【００４７】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などが好ま
しい。The acrylate of the novolak type epoxy resin is preferably an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid or methacrylic acid.

【００４８】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル−
2-エチル−4-メチルイミダゾール、4-メチル−2-エチル
イミダゾールを用いることが好ましい。このイミダゾー
ル硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総
固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。こ
の理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合が得や
すいからである。The above imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed. As such a liquid imidazole curing agent,
1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-
It is preferable to use 2-ethyl-4-methylimidazole and 4-methyl-2-ethylimidazole. The addition amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing can be easily obtained.

【００４９】上記ソルダーレジスト層10の硬化前組成物
は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用する
ことが望ましい。このような組成物を用いたソルダーレ
ジスト層10は、遊離酸素の発生がなく、銅パッド表面を
酸化させることもなく、しかも、人体に対する有害性も
少ない。The composition before curing of the solder resist layer 10 desirably uses a glycol ether-based solvent as a solvent. The solder resist layer 10 using such a composition does not generate free oxygen, does not oxidize the copper pad surface, and has little harm to the human body.

【００５０】グリコールエーテル系溶剤としては、下記
(A) 式に示す構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）及びトリエ
チレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）のうち
の少なくとも１種を用いるのがより好適である。これら
の溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤である
ベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させるこ
とができるからである。The glycol ether solvents include the following
It is more preferable to use at least one of the structural formulas represented by the formula (A), particularly preferably diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG). This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C.

【００５１】 ＣＨ₃ Ｏ-(ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ) _n −ＣＨ₃ （ｎ＝１〜５）----（Ａ） このグリコールエーテル系の溶剤は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜40wt％の範囲にするのが好
ましい。CH ₃ O— (CH ₂ CH ₂ O) _n —CH ₃ (n = 1 to 5) --- (A) The glycol ether solvent is based on the total weight of the solder resist composition. Preferably, it is in the range of 10 to 40% by weight.

【００５２】以上説明したようなソルダーレジスト層１
０を構成する組成物には、上記組成物に加えて、さら
に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改
善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のた
めに感光性モノマーなどを添加することができる。The solder resist layer 1 as described above
0, in addition to the above composition, furthermore, various antifoaming agents and leveling agents, thermosetting resin for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility, and improving resolution. For this purpose, a photosensitive monomer or the like can be added.

【００５３】例えば、レベリング剤としてはアクリル酸
エステルの重合体からなるものを使用するのが好まし
く、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ
９０７を使用するのが好ましく、光増感剤としては日本
化薬製のＤＥＴＸ−Ｓを使用するのが好ましい。For example, it is preferable to use an acrylic ester polymer as the leveling agent, and to use Irgacure I manufactured by Ciba Geigy as the initiator.
907 is preferably used, and DETX-S manufactured by Nippon Kayaku is preferably used as the photosensitizer.

【００５４】さらに、ソルダーレジスト層10に、配線パ
ターンを隠蔽する役割を担わせる必要がある場合には、
ソルダーレジスト層10を構成する組成物に、さらに色素
や顔料を添加することが好ましい。色素としては、例え
ばフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。Further, when the solder resist layer 10 needs to play a role of hiding the wiring pattern,
It is preferable to further add a dye or pigment to the composition constituting the solder resist layer 10. It is desirable to use, for example, phthalocyanine green as the dye.

【００５５】上記添加成分としての熱硬化性樹脂として
は、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂を用いること
ができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂と、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂とがあり、前者は耐塩基性を重視する場
合、後者は低粘度化が要求される場合（塗布性を重視す
る場合）にそれぞれ用いるのが好ましい。As the thermosetting resin as the additional component, for example, a bisphenol type epoxy resin can be used. The bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin. The former is a case where basic resistance is emphasized, and the latter is a case where low viscosity is required (evaluation of applicability). It is preferable to use each of them.

【００５６】上記添加成分としての感光性モノマーとし
ては、例えば多価アクリル系モノマーを用いることがで
きる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させる
ことができるからである。例えば、多価アクリル系モノ
マーが望ましい。As the photosensitive monomer as the additional component, for example, a polyvalent acrylic monomer can be used. This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, a polyacrylic monomer is desirable.

【００５７】また、これらのソルダーレジスト層10を構
成する組成物の粘度は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ
にするのが好ましく、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓ
である。前記粘度が上記範囲であれば、ロールコータで
の塗布が容易であるからである。The composition of the solder resist layer 10 has a viscosity of 0.5 to 10 Pa · s at 25 ° C.
And more preferably 1 to 10 Pa · s
It is. This is because if the viscosity is within the above range, application with a roll coater is easy.

【００５８】そして、ソルダ−レジスト層１０の形成
後、導体回路３の一部をなすパッド部１９に対応する位
置に、パッド部１９の少なくとも一部が露出する穴径を
もつ開口部11を露光・現像処理によって形成し、その
後、ソルダ−レジスト層１０の開口部１１に無電解めっ
きにてニッケルめっき層12を形成する（図10参照）。After the formation of the solder-resist layer 10, the opening 11 having a hole diameter at which at least a part of the pad 19 is exposed is exposed at a position corresponding to the pad 19 forming a part of the conductor circuit 3. A nickel plating layer 12 is formed in the opening 11 of the solder-resist layer 10 by electroless plating (see FIG. 10).

【００５９】ニッケルめっき層１２の形成に先立って、
まず、脱脂液により、ソルダ−レジスト層１０の開口部
１１の表面を洗浄し、パラジウムなどの触媒を開口部１
１より露出した導体部分に付与し、活性化させる処理を
行う。Prior to the formation of the nickel plating layer 12,
First, the surface of the opening 11 of the solder-resist layer 10 is washed with a degreasing solution, and a catalyst such as palladium is applied to the opening 1.
A process of applying and activating the conductor portion exposed from the step 1 is performed.

【００６０】そして、この発明では、ニッケルめっき層
１２の形成の際に、前記基板を、それに対して平行及び
垂直な方向に、それぞれ２０回／分以上揺動させること
を必須の発明特定事項とし、この構成を採用することに
よって、開口部１１に残留する気泡及び水素ガスを排除
することができ、開口部11内へのニッケルめっき液の供
給が安定するようになり、ニッケルめっき層12を確実に
形成でき、その結果、半田バンプ14との接合が安定する
ようになり、優れた電気接続性を得ることができる。In the present invention, when forming the nickel plating layer 12, it is essential that the substrate be rocked at least 20 times / min in directions parallel and perpendicular to the substrate, respectively. By adopting this configuration, bubbles and hydrogen gas remaining in the opening 11 can be eliminated, the supply of the nickel plating solution into the opening 11 can be stabilized, and the nickel plating layer 12 can be reliably formed. As a result, bonding with the solder bumps 14 is stabilized, and excellent electrical connectivity can be obtained.

【００６１】また、前記基板の前記平行及び垂直な方向
への揺動は、同時に行っても、１往復ごとに交互にずら
して行ってもよいが、前者の方が、開口部11に残留する
気泡及び水素ガスをより有効に排除できるため好まし
い。The swinging of the substrate in the parallel and vertical directions may be performed simultaneously or alternately with each reciprocation, but the former remains in the opening 11. This is preferable because bubbles and hydrogen gas can be removed more effectively.

【００６２】前記基板の前記平行及び垂直方向への揺動
距離はいずれも、５〜３０ｃｍの範囲にすることが好ま
しい。The swing distance of the substrate in the parallel and vertical directions is preferably in the range of 5 to 30 cm.

【００６３】前記平行方向への揺動の距離（以下、「縦
揺動」という。）は、５ｃｍよりも小さいと、開口部11
に残留する気泡及び水素ガスを十分に排除することがで
きなくなるからであり、また、３０ｃｍよりも大きくな
ると、基板への衝撃が大きくなるからである。If the distance of the swing in the parallel direction (hereinafter referred to as "vertical swing") is smaller than 5 cm, the opening 11
This is because it is not possible to sufficiently eliminate bubbles and hydrogen gas remaining in the substrate, and if it exceeds 30 cm, the impact on the substrate increases.

【００６４】前記垂直方向への揺動の距離（以下、「横
揺動」という。）は、５ｃｍよりも小さいと、開口部11
に残留する気泡及び水素ガスを十分に排除することがで
きなくなるからであり、また、３０ｃｍよりも大きくな
ると、基板が反ったりする傾向があるからである。When the vertical swing distance (hereinafter referred to as “lateral swing”) is smaller than 5 cm, the opening 11
This is because it is not possible to sufficiently remove bubbles and hydrogen gas remaining in the substrate, and if it exceeds 30 cm, the substrate tends to warp.

【００６５】上記方法でニッケルめっき層12を形成する
場合の具体例を参考のため記載しておくが、例えば、所
定の無電解ニッケルめっき液に浸漬した後に、縦揺動の
距離を２０ｃｍ、縦揺動の揺動回数を２０回／分、横揺
動の距離を１５ｃｍ、横揺動の揺動回数を３５回／分と
する条件で前記基板を揺動させながら、ニッケルめっき
層12を形成すればよい。A specific example in which the nickel plating layer 12 is formed by the above method will be described for reference. For example, after immersion in a predetermined electroless nickel plating solution, the vertical swing distance is set to 20 cm and the vertical The nickel plating layer 12 is formed while the substrate is oscillated under the conditions that the number of oscillations is 20 times / minute, the distance of the horizontal oscillation is 15 cm, and the number of times of the horizontal oscillation is 35 times / minute. do it.

【００６６】ニッケルめっき層12の厚みは、０．５〜２
０μｍの範囲にするのが好ましく、より好ましくは３〜
１０μｍの範囲にする。ニッケルめっき層12の厚みは、
０．５μｍ未満だと、半田バンプ14とニッケルめっき層
12の十分な接続がとれにくいからであり、また、２０μ
ｍを超えると、開口部11内に半田バンプ14が収まりきれ
なくなり、隣合うバンプ同士が接合したり、半田バンプ
14とニッケルめっき層12とが剥がれやすくなるからであ
る。The thickness of the nickel plating layer 12 is 0.5 to 2
It is preferably in the range of 0 μm, more preferably 3 to
The range is 10 μm. The thickness of the nickel plating layer 12 is
If it is less than 0.5 μm, the solder bump 14 and the nickel plating layer
This is because it is difficult to obtain a sufficient connection of 12
m, the solder bumps 14 cannot be completely accommodated in the openings 11, and the adjacent bumps may be bonded to each other,
This is because 14 and the nickel plating layer 12 are easily peeled off.

【００６７】前記ニッケルめっき層12の形成に使用され
る無電解めっき液について説明する。無電解めっき液
は、ニッケル化合物、還元剤、錯化剤、緩衝剤及び添加
剤で構成されている。The electroless plating solution used for forming the nickel plating layer 12 will be described. The electroless plating solution is composed of a nickel compound, a reducing agent, a complexing agent, a buffer, and an additive.

【００６８】ニッケル化合物としては、硫酸ニッケル、
塩化ニッケル、酢酸ニッケル、炭酸ニッケル、スルファ
ミン酸ニッケル、ギ酸ニッケルなどが用いられ、特に硫
酸ニッケル、塩化ニッケルを使用することが望ましい。As the nickel compound, nickel sulfate,
Nickel chloride, nickel acetate, nickel carbonate, nickel sulfamate, nickel formate and the like are used, and it is particularly preferable to use nickel sulfate and nickel chloride.

【００６９】還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム、
ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、ホルムアルデヒ
ド、テトラヒドロホウ酸ナトリウム、グリオキシル酸な
どが用いられ、特に、次亜リン酸ナトリウムを使用する
ことが望ましい。As the reducing agent, sodium hypophosphite,
Dimethylamine borane (DMAB), formaldehyde, sodium tetrahydroborate, glyoxylic acid and the like are used, and it is particularly preferable to use sodium hypophosphite.

【００７０】錯化剤としては、酢酸、酢酸ナトリウム、
乳酸、シュウ酸、シュウ酸塩、クエン酸、クエン酸塩、
酒石酸、酒石酸塩、コハク酸、コハク酸塩、グルタミン
酸、サリチル酸、マロン酸、リンゴ酸などのＯ−配位系
の化合物、チアグリコ−ル酸などのＮ−配位系の化合
物、アンモニア、ヒドラジン、トリエタノ−ルアミン、
グリシン、アラニン、アスラパラギン、イミノジ酢酸、
ピリジン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢
酸、クアドロ−ル、ｏ−アミノフェノ−ルなどのＮ−配
位の化合物らの化合物群から少なくとも１種類以上用い
る。特にクエン酸、アンモニア、ヒドラジン、エチレン
ジアミン四酢酸を使用するのが望ましい。Acetic acid, sodium acetate,
Lactic acid, oxalic acid, oxalate, citric acid, citrate,
O-coordination compounds such as tartaric acid, tartrate, succinic acid, succinate, glutamic acid, salicylic acid, malonic acid and malic acid; N-coordination compounds such as thiaglycolic acid; ammonia, hydrazine and triethano -Lamine,
Glycine, alanine, asuraparagine, iminodiacetic acid,
At least one compound is used from the compound group of N-coordination compounds such as pyridine, ethylenediamine, ethylenediaminetetraacetic acid, quadrol and o-aminophenol. In particular, it is desirable to use citric acid, ammonia, hydrazine, and ethylenediaminetetraacetic acid.

【００７１】緩衝剤としては、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、アクリル酸、トリメチル酢酸などのモノカル
ボン酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、マレイン酸、
イタコン酸などのジカルボン酸、グリコ−ル酸、乳酸、
サリチル酸、酒石酸、クエン酸などのオキシカルボン
酸、ホウ酸、炭酸、亜硫酸などの無機酸などを用いて、
特にギ酸、酢酸、ホウ酸を使用することが望ましい。Examples of the buffer include monocarboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, acrylic acid and trimethylacetic acid, oxalic acid, succinic acid, malonic acid, maleic acid, and the like.
Dicarboxylic acids such as itaconic acid, glycolic acid, lactic acid,
Salicylic acid, tartaric acid, oxycarboxylic acids such as citric acid, boric acid, carbonic acid, using inorganic acids such as sulfurous acid,
In particular, it is desirable to use formic acid, acetic acid, and boric acid.

【００７２】添加剤として、めっき皮膜に光沢を与える
界面活性剤、触媒活性を低下させる硫黄化合物、窒素化
合物、鉛イオン、めっき反応を促進させる硫化物やフッ
化物アンモニウム塩、硝酸塩、塩素酸塩、モリブデン
塩、タングステン塩、めっきの分解を抑制する塩化鉛、
硫化鉛、硝酸鉛、反応の水素ガスの発生を抑制するチオ
尿素、ロダン酸カリウム、セレン酸などを微量を使用
し、めっき浴やめっき皮膜をの安定させる。Examples of the additives include a surfactant which gives a gloss to the plating film, a sulfur compound which reduces the catalytic activity, a nitrogen compound, a lead ion, a sulfide or a fluoride ammonium salt which promotes the plating reaction, a nitrate, a chlorate, Molybdenum salt, tungsten salt, lead chloride which suppresses decomposition of plating,
Stabilize plating baths and plating films by using trace amounts of lead sulfide, lead nitrate, thiourea, potassium rhodanate, and selenic acid, which suppress the generation of hydrogen gas in the reaction.

【００７３】ニッケルめっき層12を形成するためのめっ
き液の組成の具体例を参考のため記載しておくが、例え
ば、硫酸ニッケル４．５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム
２５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、ホウ酸１
２ｇ／ｌ、チオ尿素０．１ｇ／ｌ（ＰＨ＝４．５）でめ
っき液を構成すればよい。また、市販のめっき液、例え
ば、上村工業製、商品名「ニムデンＮＰＲ−４」を使用
することもできる。Specific examples of the composition of the plating solution for forming the nickel plating layer 12 will be described for reference. For example, nickel sulfate 4.5 g / l, sodium hypophosphite 25 g / l, citric acid Sodium 40g / l, boric acid 1
The plating solution may be composed of 2 g / l and thiourea 0.1 g / l (PH = 4.5). Alternatively, a commercially available plating solution, for example, “Nimden NPR-4” manufactured by Uemura Kogyo can be used.

【００７４】そして、上記ニッケルめっき層12を形成し
た後、図10に示すように、金めっきにて金めっき層13を
形成させる。金めっき層13の厚みは０．０１〜０．１０
μｍの範囲にするのが好ましく、より好適には0.03μｍ
前後とする。After forming the nickel plating layer 12, as shown in FIG. 10, a gold plating layer 13 is formed by gold plating. The thickness of the gold plating layer 13 is 0.01 to 0.10
μm, more preferably 0.03 μm
Before and after.

【００７５】上記金めっき層13を形成した後、図11に示
すように半田バンプ14を形成する。半田バンプ14の形成
は、例えば半田ペーストを塗布し、リフロー処理するこ
とによって行うことが好ましい。After forming the gold plating layer 13, solder bumps 14 are formed as shown in FIG. The formation of the solder bumps 14 is preferably performed, for example, by applying a solder paste and performing a reflow process.

【００７６】尚、上述したところは、この発明の実施形
態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々の
変更を加えることができる。The above is only an example of the embodiment of the present invention, and various changes can be made within the scope of the claims.

【００７７】[0077]

【実施例】次に、この発明の製造方法に従ってプリント
配線板を製造したので以下で説明する。EXAMPLE A printed wiring board was manufactured according to the manufacturing method of the present invention, and will be described below.

【００７８】（実施例） (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレ
イミドトリアジン）樹脂からなる基板の両面に18μｍの
銅箔がラミネートされている銅張積層板を出発材料とし
た。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっ
き処理を施し、パターン状にエッチングすることによ
り、基板の両面に内層銅パターンとスルーホールを形成
した。(Examples) (1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil is laminated on both surfaces of a substrate made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm was used as a starting material. First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form an inner copper pattern and through holes on both surfaces of the substrate.

【００７９】(2) 内層銅パターン及びスルーホールを形
成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）
として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClＯ₂ （40ｇ／ｌ），
Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／
ｌ），NaBH₄ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理によ
り、内層銅パターンおよびスルーホールの内面に粗化層
を設けた。(2) The substrate on which the inner layer copper pattern and the through hole are formed is washed with water, dried, and then subjected to an oxidation bath (blackening bath).
NaOH (10 g / l), NaClO ₂ (40 g / l),
Na ₃ PO ₄ (6 g / l), NaOH (10 g /
1) A roughened layer was provided on the inner surface of the inner layer copper pattern and the through hole by oxidation-reduction treatment using NaBH ₄ (6 g / l).

【００８０】(3) 樹脂組成物と硬化剤組成物とから
なる樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練すること
によって作製した樹脂充填剤１５を、図１２(a) に示す
ように、調製後24時間以内にスルーホール１６内に充填
し、１００℃，２０分間で乾燥させた後、基板１７の両
面に印刷により塗布することにより、導体回路１８間に
充填し（図１２(b))、１００℃，２０分間で乾燥させ、
他方の面についても同様にして樹脂充填剤15を導体回路
18間あるいはスルーホール１６内に充填し、１００℃，
２０分間で加熱乾燥させた。(3) As shown in FIG. 12 (a), a resin filler 15 produced by mixing and kneading a raw material composition for preparing a resin filler composed of a resin composition and a curing agent composition was mixed with After filling the inside of the through hole 16 within 24 hours after the preparation, drying it at 100 ° C. for 20 minutes, it is applied to both sides of the substrate 17 by printing to fill the space between the conductor circuits 18 (FIG. 12B). ), Dried at 100 ° C for 20 minutes,
In the same manner, apply the resin filler 15 to the other
Fill between 18 or through hole 16
Heat drying for 20 minutes.

【００８１】樹脂組成物は、ビスフェノールＦ型エポ
キシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 1
00重量部、表面にシランカップリング剤がコーティング
された平均粒径１．６μｍのＳｉＯ₂ 球状粒子（アドマ
テック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは
後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする）
170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノール
Ｓ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合
物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整するこ
とによって得られ、硬化剤組成物としては、イミダゾ
ール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）６．５重量部を使
用した。The resin composition is a bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U).
00 parts by weight, SiO ₂ spherical particles having an average particle size of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where the maximum particle size is the thickness of an inner copper pattern described later (Less than 15μm)
170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) are obtained by adjusting the viscosity of the mixture to 45,000 to 49,000 cps at 23 ± 1 ° C. by stirring and mixing. Used 6.5 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals).

【００８２】(4) 前記(3) の処理を終えた基板17の片面
を、図12(c) に示すように、＃600 のベルト研磨紙（三
共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層
銅パターン18の表面やスルーホール16を構成するランド
の表面に樹脂充填剤15が残らないように研磨し、次い
で、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くための
バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方
の面についても同様に行った。(4) As shown in FIG. 12 (c), one side of the substrate 17 after the processing of (3) is subjected to belt sanding using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Polishing was performed so that the resin filler 15 did not remain on the surface of the inner layer copper pattern 18 and the surface of the land constituting the through hole 16, and then buffing was performed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.

【００８３】次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１
時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を硬化した。このよ
うにして、スルーホール等に充填された樹脂充填剤の表
層部および内層導体回路上面の粗化層を除去して基板両
面を平滑化し、樹脂充填剤と内層導体回路の側面とが粗
化層を介して強固に密着し、またスルーホールの内壁面
と樹脂充填剤とが粗化層を介して強固に密着した配線板
を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤の表面と内
層銅パターンの表面が同一平面となる。Next, at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour.
The resin filler was cured by performing a heat treatment for a time. In this way, the surface layer of the resin filler filled in the through holes and the roughened layer on the upper surface of the inner conductor circuit are removed to smooth both surfaces of the substrate, and the resin filler and the side surfaces of the inner conductor circuit are roughened. A wiring board was firmly adhered through the layer, and the inner wall surface of the through hole and the resin filler were firmly adhered through the roughened layer. That is, by this step, the surface of the resin filler and the surface of the inner layer copper pattern become flush with each other.

【００８４】(5) 上記導体回路を形成したプリント配線
板をアルカリ脱脂しソフトエッチングして、次いで、塩
化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐ
ｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．
２×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０^-3ｍ
ｏｌ／ｌ、クエン酸７．８×１０^-3ｍｏｌ／ｌ、次亜り
ん酸ナトリウム２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．
０×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、
サーフィール４６５）１．１×１０^-4ｍｏｌ／ｌ、ＰＨ
＝９からなる無電解めっき液に浸漬し、浸漬１分後に、
４秒当たり１回の割合で縦、および、横揺動させて、導
体回路及びスルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−
Ｐからなる針状合金めっきの被覆層と粗化層を設けた。(5) The printed wiring board on which the conductor circuit is formed is degreased with an alkali and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to form
After the catalyst was activated and the catalyst was activated, copper sulfate was added.
2 × 10 ^-2 mol / l, nickel sulfate 3.9 × 10 ^-3 m
ol / l, citric acid 7.8 × 10 ^-3 mol / l, sodium hypophosphite 2.3 × 10 ^-1 mol / l, boric acid 5.
0 × 10 ⁻¹ mol / l, surfactant (manufactured by Nissin Chemical Industry,
Surfel 465) 1.1 × 10 ^-4 mol / l, PH
= 9 and immersed in an electroless plating solution consisting of
Vertically and horizontally oscillating at a rate of once every 4 seconds, the Cu-Ni-
A coating layer of a needle-like alloy plating made of P and a roughened layer were provided.

【００８５】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層表面
に、厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた。Further, tin borofluoride 0.1 mol /
1, thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C., PH =
A Cu—Sn substitution reaction was performed under the conditions of 1.2, and a 0.3 μm thick Sn layer was provided on the surface of the roughened layer.

【００８６】(6) 前記(5) の基板の両面に、層間樹脂絶
縁剤（下層用）を調製後24時間以内にロールコータで塗
布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾
燥（プリベーク）を行い、次いで、感光性の無電解めっ
き用接着剤溶液（上層用）を調製後24時間以内に塗布
し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分
の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ３５μｍの接着剤層
を形成した。(6) An interlayer resin insulating agent (for lower layer) is applied to both sides of the substrate of the above (5) by a roll coater within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes. After drying (pre-baking) for 30 minutes, a photosensitive adhesive solution for electroless plating (for the upper layer) is applied within 24 hours after preparation, left in a horizontal state for 20 minutes, and then left at 60 ° C. for 30 minutes. (Prebaking) to form an adhesive layer having a thickness of 35 μm.

【００８７】層間樹脂絶縁剤（下層用）は、樹脂組成物
、樹脂組成物及び硬化剤組成物からなる原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整したものであ
る。The interlayer resin insulator (for the lower layer) is prepared by stirring and mixing a raw material composition comprising a resin composition, a resin composition and a curing agent composition to adjust the viscosity to 1.5 Pa · s.

【００８８】樹脂組成物は、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリ
ル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を
35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックス
Ｍ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.
5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合することによっ
て得た。The resin composition was prepared by dissolving a 25% acrylated cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) in DMDG at a concentration of 80 wt%.
35 parts by weight, 4 parts by weight of photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toa Gosei), 0. Antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco)
5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.

【００８９】樹脂組成物は、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合することによって得た。The resin composition was composed of 12 parts by weight of polyether sulfone (PES) and epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.).
After mixing 14.49 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP were further added,
It was obtained by stirring and mixing with a bead mill.

【００９０】硬化剤組成物は、イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合することによって得た。The curing agent composition was composed of 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) and 1.5 parts by weight of NMP.

【００９１】無電解めっき用接着剤（上層用）は、樹脂
組成物、樹脂組成物及び硬化剤組成物からなる原
料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整したもので
ある。The adhesive for electroless plating (for the upper layer) is prepared by stirring and mixing a raw material composition comprising a resin composition, a resin composition and a curing agent composition to adjust the viscosity to 7 Pa · s.

【００９２】樹脂組成物は、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の２５％アク
リル化物を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂
液を３５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニ
ックスＭ315 ）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ
製、Ｓ−65）０．５重量部、ＮＭＰ３．６重量部を攪拌
混合することによって得た。The resin composition was prepared by dissolving 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) in DMDG at a concentration of 80% by weight, and a photosensitive monomer (Toa) 3.15 parts by weight of a synthetic product, Aronix M315), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65), and 3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.

【００９３】樹脂組成物は、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2
重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合
した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで
攪拌混合することによって得た。The resin composition used was composed of 12 parts by weight of polyether sulfone (PES) and an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) having an average particle size of 1.0 μm.
After mixing 30 parts by weight of NMP and 30 parts by weight of NMP, the mixture was stirred and mixed with a bead mill.

【００９４】硬化剤組成物は、イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合することによって得た。The curing agent composition was composed of 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Kasei), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight with stirring.

【００９５】(7) 前記(6) で接着剤層を形成した基板の
両面に、85μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィ
ルムを密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm² で露
光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さら
に、当該基板を超高圧水銀灯により3000mJ／cm² で露光
し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で
３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、
フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μ
ｍφの開口（バイアホール形成用開口）を有する厚さ35
μｍの（２層構造）の層間樹脂絶縁層を形成した。尚、
バイアホールとなる開口には、スズめっき層を部分的に
露出させた。(7) A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both surfaces of the substrate on which the adhesive layer was formed in the above (6), and was exposed at 500 mJ / cm ² by an ultra-high pressure mercury lamp. This was spray-developed with a DMTG solution, and the substrate was exposed at 3000 mJ / cm ² using an ultra-high pressure mercury lamp, followed by heat treatment (100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours (post-baking). )
85μ with excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film
Thickness 35 with mφ opening (via hole forming opening)
An interlayer resin insulating layer of μm (two-layer structure) was formed. still,
The tin plating layer was partially exposed in the opening serving as the via hole.

【００９６】(8) 開口が形成された基板を、クロム酸に
19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在するエポキ
シ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶
縁層の表面を粗化とし、その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗いした。(8) The substrate having the openings formed is treated with chromic acid.
By immersing for 19 minutes, the surface of the interlayer resin insulation layer is roughened by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulation layer, and then immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley). And washed with water.

【００９７】さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）し
た該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を
付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイ
アホール用開口の内壁面に触媒核を付けた。Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 6 μm), the surface of the interlayer resin insulating layer and the inner wall surface of the opening for the via hole are formed. The catalyst core was attached.

【００９８】(9) 以下に示す組成の無電解銅めっき液
（液温：70℃）中に、基板を30分間浸漬して、粗面全体
に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっき層を形成した。(9) The substrate is immersed in an electroless copper plating solution (solution temperature: 70 ° C.) having the following composition for 30 minutes to form an electroless copper plating layer having a thickness of 0.6 μm on the entire rough surface. did.

【００９９】〔無電解めっき液の組成〕 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ３０ ml／ｌ ＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ mg／ｌ ＰＥＧ ０．１ ｇ／ｌ[Composition of electroless plating solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l

【０１００】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき層
上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを
載置して、100 mJ／cm² で露光、0.8 ％炭酸ナトリウム
で現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジストを設けた。(10) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating layer formed in the above (9), a mask was placed, exposed at 100 mJ / cm ² , and developed with 0.8% sodium carbonate. After processing, a plating resist having a thickness of 15 μm was provided.

【０１０１】(11)ついで、レジスト非形成部分の導体部
分に、以下のめっき条件で電気銅めっきを施し、厚さ15
μｍの電解銅めっき層を形成した。(11) Next, the conductor portion where the resist is not formed is subjected to electrolytic copper plating under the following plating conditions to a thickness of 15%.
A μm electrolytic copper plating layer was formed.

【０１０２】〔電気めっき液〕 硫酸 １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ 添加剤 １ ml／ｌ 但し、添加剤はアトテックジャパン製のカパラシドＧＬ
とする。 〔電気めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 ３０分 温度 室温[Electroplating solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive 1 ml / l Additive: Capparaside GL manufactured by Atotech Japan
And [Electroplating conditions] Current density 1A / dm ² hours 30 minutes Temperature Room temperature

【０１０３】(12)めっきレジストを５％ＫＯＨで剥離除
去した後、そのめっきレジスト下の無電気めっき層を硫
酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去
し、無電解銅めっき層と電気銅めっき層からなる厚さ18
μｍの導体回路（バイアホールを含む）を形成した。(12) After the plating resist is peeled off with 5% KOH, the electroless plating layer under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to remove the electroless copper plating layer. And a thickness of 18 consisting of electrolytic copper plating layer
A μm conductive circuit (including via holes) was formed.

【０１０４】(13)(5) と同様の処理を行い、Cu-Ni-P か
らなる粗化面を形成し、さらにその表面にSn置換を行っ
た。(13) The same treatment as in (5) was performed to form a roughened surface made of Cu-Ni-P, and the surface was further substituted with Sn.

【０１０５】(14)前記(6) 〜(13)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線基板
を得た。但し、最上層の粗化面にはSn層の形成を行わな
かった。(14) By repeating the above steps (6) to (13), a conductor circuit of an upper layer was further formed to obtain a multilayer wiring board. However, no Sn layer was formed on the roughened surface of the uppermost layer.

【０１０６】(15)前記(14)で得られた多層プリント配線
基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を20μｍの厚さ
で塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０
分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密
着させて載置し、1000mJ／cm² の紫外線で露光し、DMTG
現像処理した。そしてさらに、８０℃で１時間、１００
℃で１時間、１２０℃で１時間、 150℃で３時間の条件
で加熱処理し、半田パッド部１９（バイアホールとその
ランド部分を含む）を含む開口部11を設けた（開口径 2
00μｍ）ソルダーレジスト層１０（厚み20μｍ）を形成
した（図10参照）。(15) A solder resist composition having a thickness of 20 μm was applied to both sides of the multilayer printed wiring board obtained in the above (14). Then at 70 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes.
After performing a drying process for 5 minutes, a 5 mm-thick photomask film on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is placed in close contact with the substrate, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm ² , and DMTG
Developed. Then, at 80 ° C. for one hour, 100
C. for 1 hour, 120.degree. C. for 1 hour, and 150.degree. C. for 3 hours to form an opening 11 including a solder pad 19 (including a via hole and its land) (opening diameter 2).
(00 μm) A solder resist layer 10 (thickness: 20 μm) was formed (see FIG. 10).

【０１０７】ソルダーレジスト組成物は、ＤＭＤＧに溶
解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化し
た感光性付与のオリゴマー（分子量4000） 46.67ｇ、メ
チルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート100
1）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-C
N）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマ
ー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモ
ノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤
（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこ
の混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関
東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
ｓに調整することによって得た。なお、粘度測定は、Ｂ
型粘度計（東京計器製、 DVL-B型）で 60rpmの場合はロ
ーターＮo.４により、また、６rpm の場合はローターＮ
o.３により行った。The solder resist composition was prepared by dissolving 50% by weight of an epoxy group of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) of 60% by weight dissolved in DMDG, and sensitizing oligomer (molecular weight: 4000) 46.67 g; 80% by weight bisphenol A type epoxy resin dissolved in methyl ethyl ketone (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 100
1) 15.0 g, imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, 2E4MZ-C
N) 1.6 g, 3 g of a polyvalent acrylic monomer (R604, manufactured by Nippon Kayaku) as a photosensitive monomer, 1.5 g of the same polyvalent acrylic monomer (DPE6A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) -65) was mixed with 0.71 g, and 2 g of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixture to give a viscosity of 25. 2.0Pa at ℃
s. In addition, the viscosity was measured by B
Using a viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) with rotor No. 4 at 60 rpm and rotor N at 6 rpm
o.3

【０１０８】(16)その後、塩化ニッケル2.3 ×10^-1ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^-1ｍｏｌ／ｌ及
びクエン酸ナトリウム1.6 ×10^-1ｍｏｌ／ｌからなるｐ
Ｈ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に、縦揺動距離２
０ｃｍ、縦揺動回数３０回／分、また、横揺動距離２０
ｃｍ、横揺動回数２０回／分の条件で基板を揺動させな
がら20分間浸漬し、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層を形成した。(16) Then, nickel chloride 2.3 × 10 ^-1 mo
l / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 ^-1 mol / l and sodium citrate 1.6 × 10 ^-1 mol / l
A vertical swing distance of 2 is applied to the electroless nickel plating solution of H = 4.5.
0cm, vertical swing frequency 30 times / min, and horizontal swing distance 20
The substrate was immersed for 20 minutes while oscillating the substrate under the condition of 20 cm / min and the number of horizontal oscillations of 20 times / min.

【０１０９】(17)さらに、その基板を、シアン化金カリ
ウム7.6 ×10^-3ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.9 ×10
^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.2 ×10^-1ｍｏｌ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10^-1ｍｏｌ／ｌからな
る無電解金めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬し
て、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき層を
形成した。(17) Further, the substrate was washed with 7.6 × 10 ⁻³ mol / l of potassium gold cyanide and 1.9 × 10 ³ ammonium chloride.
^-1 mol / l, sodium citrate 1.2 × 10 ^-1 mol /
immersed in an electroless gold plating solution consisting of 1.7 × 10 ^-1 mol / l sodium hypophosphite at 80 ° C. for 7.5 minutes to form a 0.03 μm thick gold plating layer on the nickel plating layer. Formed.

【０１１０】(18)そして、ソルダーレジスト層の開口部
に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすること
により、半田バンプ（半田体）を形成し、半田バンプを
有するプリント配線板を製造した。(18) Then, a solder paste was printed on the opening of the solder resist layer and reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body), thereby producing a printed wiring board having the solder bump. .

【０１１１】（比較例）基本的に実施例と同様である
が、上記(16)のニッケルめっき層の形成時に行う縦およ
び横揺動の回数をいずれも１０回／分とした。(Comparative Example) Basically the same as Example, except that the number of vertical and horizontal swings performed at the time of forming the nickel plating layer of (16) was 10 times / min.

【０１１２】( 性能評価)上述した実施例及び比較例で
製造したプリント配線板について、ニッケルめっき層及
び金めっき層の反応不良発生率、並びに半田バンプとの
接続不良の発生率について検査し、電気接続性の良否を
評価した。(Evaluation of Performance) The printed wiring boards manufactured in the above Examples and Comparative Examples were inspected for the occurrence rate of reaction failure of the nickel plating layer and the gold plating layer and the occurrence rate of connection failure with the solder bumps. The quality of the connectivity was evaluated.

【０１１３】ニッケルめっき層及び金めっき層の反応不
良発生率は、光学顕微鏡（倍率：５０倍）で測定した結
果から割合を算出したものであり、また、半田バンプと
の接続不良の発生率は、半田バンプと該当する導体配線
との導通試験による結果から割合を算出した。The rate of occurrence of a reaction failure of the nickel plating layer and the gold plating layer was calculated from the result of measurement with an optical microscope (magnification: 50 times). The ratio was calculated from the result of a continuity test between the solder bumps and the corresponding conductor wiring.

【０１１４】尚、ニッケルめっき層及び金めっき層の厚
みを電子顕微鏡（倍率：１０００倍）で測定したとこ
ろ、ニッケルめっき層の厚みはいずれも５μｍであり、
金めっき層の厚みはいずれも０．０３μｍであった。表
１にこれらの評価結果を示す。When the thickness of the nickel plating layer and the thickness of the gold plating layer were measured by an electron microscope (magnification: 1000 times), the thickness of each of the nickel plating layers was 5 μm.
The thickness of each of the gold plating layers was 0.03 μm. Table 1 shows the results of these evaluations.

【０１１５】[0115]

【表１】 [Table 1]

【０１１６】表１の結果から、比較例では、ニッケルめ
っき層及び金めっき層の反応不良が発生し、半田バンプ
と該当する導体配線との間で導通不良が生じているプリ
ント配線板が存在したが、実施例では、ニッケルめっき
層及び金めっき層の反応不良並びに半田バンプとの接続
不良が発生しているプリント配線板はなかった。From the results shown in Table 1, in the comparative example, there was a printed wiring board in which a poor reaction between the nickel plating layer and the gold plating layer occurred and a conduction failure occurred between the solder bump and the corresponding conductor wiring. However, in the example, there was no printed wiring board in which a reaction failure of the nickel plating layer and the gold plating layer and a connection failure with the solder bump occurred.

【０１１７】[0117]

【発明の効果】この発明の製造方法によれば、ソルダー
レジスト層の開口部にニッケルめっき層を確実に形成で
き、半田バンプとの接合を確実にすることによって、電
気接続性に優れたプリント配線板を提供することが可能
になった。According to the manufacturing method of the present invention, a nickel plating layer can be reliably formed in an opening of a solder resist layer, and a printed wiring having excellent electrical connectivity can be obtained by ensuring bonding with a solder bump. It became possible to provide boards.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 1 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate among steps of a method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図２】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 2 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate in the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図３】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 3 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate in the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図４】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 4 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate among the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図５】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 5 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate in the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図６】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 6 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate in the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図７】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 7 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate in the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図８】この発明に従うプリント配線板の製造方法の工
程のうち、基板上に導体回路を形成する工程を説明する
ための図である。FIG. 8 is a view for explaining a step of forming a conductive circuit on a substrate among the steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図９】導体回路を形成した基板上に、ソルダーレジス
ト層10を形成し、その開口部11内に半田バンプ14を形成
するまでの工程を説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a process from forming a solder resist layer 10 on a substrate on which a conductor circuit is formed to forming a solder bump 14 in an opening 11 thereof.

【図１０】導体回路を形成した基板上に、ソルダーレジ
スト層10を形成し、その開口部11内に半田バンプ14を形
成するまでの工程を説明するための図である。FIG. 10 is a view for explaining steps from forming a solder resist layer 10 on a substrate on which a conductor circuit is formed to forming a solder bump 14 in an opening 11 thereof.

【図１１】導体回路を形成した基板上に、ソルダーレジ
スト層10を形成し、その開口部11内に半田バンプ14を形
成するまでの工程を説明するための図である。FIG. 11 is a view for explaining steps from forming a solder resist layer 10 on a substrate on which a conductor circuit is formed to forming a solder bump 14 in an opening 11 thereof.

【図１２】(a) 〜(c) は、実施例の製造工程を説明する
ため、その一部の工程を示した図である。FIGS. 12 (a) to 12 (c) are views showing some of the steps in order to explain the manufacturing steps of the example.

【符号の説明】 １ 基板 ２ スルーホール ３ 導体回路 ４ 穴埋め樹脂 ５ 無電解めっき用接着剤層 ６ バイアホール形成用開口 ７ 無電解めっき層 ８ めっきレジスト ９ 電気めっき層 １０ ソルダーレジスト層 １１ 開口部 １２ ニッケルめっき層 １３ 金めっき層 １４ 半田バンプ １５ 樹脂充填剤 １６ スルーホール １７ 基板 １８ 導体回路 １９ パッド部[Description of Signs] 1 Substrate 2 Through Hole 3 Conductor Circuit 4 Filling Resin 5 Electroless Plating Adhesive Layer 6 Via Hole Forming Opening 7 Electroless Plating Layer 8 Plating Resist 9 Electroplating Layer 10 Solder Resist Layer 11 Opening 12 Nickel plating layer 13 Gold plating layer 14 Solder bump 15 Resin filler 16 Through hole 17 Substrate 18 Conductor circuit 19 Pad part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M105 AA02 AA10 AA13 AA15 AA19 5E343 AA07 AA15 AA16 AA17 AA18 AA22 AA24 BB23 BB34 BB44 BB54 BB55 BB67 BB72 CC33 CC34 CC36 CC38 CC46 CC47 CC48 CC67 CC78 DD32 DD33 DD34 DD35 DD43 ER18 ER33 GG13 5E346 AA53 CC09 CC10 CC16 CC32 CC37 CC38 CC54 DD25 DD33 EE33 FF04 FF13 GG17 HH07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M105 AA02 AA10 AA13 AA15 AA19 5E343 AA07 AA15 AA16 AA17 AA18 AA22 AA24 BB23 BB34 BB44 BB54 BB55 BB67 BB72 CC33 CC34 CC36 CC38 CC46 CC47 CC48 CC67 CC18 DD33 DD33 DD33 DD33 DD33 DD33 DD33 DD33 5E346 AA53 CC09 CC10 CC16 CC32 CC37 CC38 CC54 DD25 DD33 EE33 FF04 FF13 GG17 HH07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に形成された導体回路上にソルダ
ーレジスト層を形成し、次いで、ソルダーレジスト層
の、前記導体回路の一部をなすパッド部に対応する位置
に、パッド部の少なくとも一部が露出する穴径をもつ開
口部を形成し、その後、この開口部内に、ニッケルめっ
き層及び金めっき層を順次形成した後に半田バンプを形
成する工程を有するプリント配線板の製造方法におい
て、 前記ニッケルめっき層の形成の際、前記基板を、それに
対して平行及び垂直な方向に、それぞれ２０回／分以上
揺動させることを特徴とするプリント配線板の製造方
法。A solder resist layer is formed on a conductor circuit formed on a substrate, and at least one of the pad portions is provided on the solder resist layer at a position corresponding to the pad portion forming a part of the conductor circuit. Forming an opening having a hole diameter at which the portion is exposed, and then, in this opening, forming a nickel plating layer and a gold plating layer, and then forming a solder bump after forming the solder bump. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: swinging the substrate in a direction parallel to and perpendicular to the nickel plating layer at least 20 times / minute when forming the nickel plating layer. 【請求項２】 前記ニッケルめっき層は、無電解めっき
で形成する請求項１に記載のプリント配線板の製造方
法。2. The method according to claim 1, wherein the nickel plating layer is formed by electroless plating. 【請求項３】 前記基板の前記平行及び垂直な方向への
揺動は同時に行う請求項１又は２に記載のプリント配線
板の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the swinging of the substrate in the parallel and vertical directions is performed simultaneously. 【請求項４】 前記基板の前記平行及び垂直な方向への
揺動は、１往復ごとに交互に行う請求項１又は２に記載
のプリント配線板の製造方法。4. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the swinging of the substrate in the parallel and vertical directions is performed alternately for each reciprocation. 【請求項５】 前記基板の前記平行方向への揺動距離は
５〜３０ｃｍの範囲である請求項１〜４のいずれか１項
に記載のプリント配線板の製造方法。5. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein a swing distance of the substrate in the parallel direction is in a range of 5 to 30 cm. 【請求項６】 前記基板の前記垂直方向への揺動距離は
５〜３０ｃｍの範囲である請求項１〜５のいずれか１項
に記載のプリント配線板の製造方法。6. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein a swing distance of the substrate in the vertical direction is in a range of 5 to 30 cm.