JP2000059157A - Gain controller and gain control method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To turn the temperature dependency of gain control characteristics in a gain controller to almost zero. SOLUTION: This gain controller is provided with a variable gain device 1 for varying gain by a gain control voltage Vcd0 supplied to gain control terminals Vc and Vcx and a gain control voltage application device 2 for supplying the gain control voltage to the control gain terminal of the variable gain device. The gain control voltage Vcd0 is provided with a temperature coefficient equivalent to a thermal voltage. In such a manner the temperature dependency of the gain is turned to almost zero.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば移動体通信
システムの送受信機に用いて好適な利得制御装置と利得
制御方法、及び、その利得制御装置を具備する携帯端末
装置や基地局装置に関し、特に、利得制御特性の温度依
存性をほぼ零にしたものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gain control device and a gain control method suitable for use in, for example, a transceiver of a mobile communication system, and a portable terminal device and a base station device equipped with the gain control device. In particular, the temperature dependence of the gain control characteristic is made substantially zero.

【０００２】[0002]

【従来の技術】移動体通信の送受信機では、送信出力制
御などのために利得制御装置が用いられている。2. Description of the Related Art In a mobile communication transceiver, a gain control device is used for transmission output control and the like.

【０００３】図８には、従来の利得制御装置に用いられ
ている可変利得装置の回路を示している。入力電圧Ｖｉ
ｄはトランジスタ101、111の各ベース（Ｖｉｎ端子）と
トランジスタ102、112の各ベース（Ｖｉｎｘ端子）との
間に入力される。トランジスタ101、102の各エミッタ
は、抵抗183を介して接続され、電流源181、182を介し
て接地されており、また、トランジスタ111、112の各エ
ミッタは、抵抗193を介して接続され、電流源191、192
を介して接地されている。トランジスタ103、104の各エ
ミッタはトランジスタ101のコレクタに接続されてお
り、トランジスタ105、106の各エミッタは102のコレク
タに接続され、トランジスタ113、114の各エミッタはト
ランジスタ111のコレクタに接続され、トランジスタ11
5、116の各エミッタは112のコレクタに接続されてい
る。また、利得制御電圧Ｖｃｄはトランジスタ103、10
6、114、115の各ベース（Ｖｃ端子）及びトランジスタ1
04、105、113、116の各ベース（Ｖｃｘ端子）との間に
入力されている。さらに、トランジスタ103、113の各コ
レクタ（Ｖｏｕｔｘ端子）は抵抗171を介して電源に接
続され、トランジスタ106、116の各コレクタ（Ｖｏｕｔ
端子）は抵抗172を介して電源に接続されている。トラ
ンジスタ104、105、114、115の各コレクタは電源に接続
されており、トランジスタ113、116の各コレクタ間から
出力電圧Ｖｏｄが出力される。FIG. 8 shows a circuit of a variable gain device used in a conventional gain control device. Input voltage Vi
d is input between each base (Vin terminal) of the transistors 101 and 111 and each base (Vinx terminal) of the transistors 102 and 112. The respective emitters of the transistors 101 and 102 are connected via a resistor 183 and are grounded via current sources 181 and 182, and the respective emitters of the transistors 111 and 112 are connected via a resistor 193 and have a current Source 191, 192
Grounded. Each emitter of transistors 103 and 104 is connected to the collector of transistor 101, each emitter of transistors 105 and 106 is connected to the collector of 102, each emitter of transistors 113 and 114 is connected to the collector of transistor 111, 11
Each emitter at 5, 116 is connected to a collector at 112. The gain control voltage Vcd is applied to the transistors 103 and 10
6, 114, 115 base (Vc terminal) and transistor 1
It is input between the bases (Vcx terminal) of 04, 105, 113 and 116. Further, each collector (Voutx terminal) of the transistors 103 and 113 is connected to a power supply via a resistor 171, and each collector (Voutx terminal) of the transistors 106 and 116 is connected.
Terminal) is connected to a power supply via a resistor 172. The collectors of the transistors 104, 105, 114, and 115 are connected to a power supply, and an output voltage Vod is output from between the collectors of the transistors 113 and 116.

【０００４】次に、図８に示した回路の動作を説明す
る。入力電圧Ｖｉｄが与えられ、トランジスタ101のコ
レクタ電流が＋△Ｉ１となり、トランジスタ102のコレ
クタ電流が−△Ｉ１となるとする。ここで、△Ｉ１は、
抵抗183の抵抗値をＲＥ１とすると、（式１）で表され
る。 △Ｉ１＝Ｖｉｄ／（２ＶＴ／Ｉ１＋ＲＥ１） （式１） ここで、Ｉ１は電流源181、182の各電流値であり、ＶＴ
は熱電圧であり、ＶＴは（式２）で与えられる。 ＶＴ＝ｋＴ／ｑ （式２） ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電荷
量である。Next, the operation of the circuit shown in FIG. 8 will be described. It is assumed that the input voltage Vid is applied, the collector current of the transistor 101 becomes + ΔI1, and the collector current of the transistor 102 becomes −ΔI1. Here, ΔI1 is
Assuming that the resistance value of the resistor 183 is RE1, it is expressed by (Equation 1). ΔI1 = Vid / (2VT / I1 + RE1) (Equation 1) Here, I1 is each current value of the current sources 181 and 182, and VT
Is a thermal voltage, and VT is given by (Equation 2). VT = kT / q (Equation 2) where k is Boltzmann's constant, T is absolute temperature, and q is the amount of charge.

【０００５】△Ｉ１は利得制御電圧Ｖｃｄに応じて、ト
ランジスタ103から106によって電流分割される。トラン
ジスタ103のコレクタ電流を△Ｉ１ａとすると、△Ｉ１
ａは（式３）で表される。 △Ｉ１ａ＝Ｍ△Ｉ１／（１＋Ｍ） （式３） ここで、Ｍは（式４）で表される。 Ｍ＝ｅｘｐ（Ｖｃｄ／ＶＴ） （式４）The current ΔI1 is divided by the transistors 103 to 106 according to the gain control voltage Vcd. Assuming that the collector current of the transistor 103 is △ I1a, △ I1
a is represented by (Equation 3). ΔI1a = M △ I1 / (1 + M) (Equation 3) Here, M is represented by (Equation 4). M = exp (Vcd / VT) (Equation 4)

【０００６】同様にして、トランジスタ106のコレクタ
電流を△Ｉ１ｂとすると、△Ｉ１ｂは（式５）で表され
る。 △Ｉ１ｂ＝−△Ｉ１ａ （式５）Similarly, assuming that the collector current of transistor 106 is ΔI1b, ΔI1b is expressed by (Equation 5). ΔI1b = −ΔI1a (Equation 5)

【０００７】同様にして、入力電圧Ｖｉｄが与えられ、
トランジスタ111のコレクタ電流が＋△Ｉ２となり、ト
ランジスタ112のコレクタ電流が−△Ｉ２となるとす
る。ここで、△Ｉ２は、抵抗193の抵抗値をＲＥ２とす
ると、（式６）で表される。 △Ｉ２＝Ｖｉｄ／（２ＶＴ／Ｉ２＋ＲＥ２） （式６） ここで、Ｉ２は電流源191、192の各電流値であり、ＶＴ
は熱電圧である。Similarly, an input voltage Vid is given,
It is assumed that the collector current of the transistor 111 is + ΔI2 and the collector current of the transistor 112 is −ΔI2. Here, ΔI2 is expressed by (Equation 6), where the resistance value of the resistor 193 is RE2. ΔI2 = Vid / (2VT / I2 + RE2) (Equation 6) where I2 is each current value of the current sources 191 and 192, and VT
Is the thermal voltage.

【０００８】△Ｉ２は、利得制御電圧Ｖｃｄに応じて、
トランジスタ113から116によって電流分割される。トラ
ンジスタ113のコレクタ電流を△Ｉ２ａとすると、△Ｉ
２ａは（式７）で表される。 △Ｉ２ａ＝△Ｉ２／（１＋Ｍ） （式７）[0008] ΔI2 is determined according to the gain control voltage Vcd.
The current is divided by the transistors 113 to 116. Assuming that the collector current of the transistor 113 is ａI2a, △ I2a
2a is represented by (Equation 7). ΔI2a = ΔI2 / (1 + M) (Equation 7)

【０００９】同様にして、トランジスタ116のコレクタ
電流を△Ｉ２ｂとすると、△Ｉ２ｂは（式８）で表され
る。 △Ｉ２ｂ＝−△Ｉ２ａ （式８）Similarly, assuming that the collector current of transistor 116 is ΔI2b, ΔI2b is represented by (Equation 8). ΔI2b = −ΔI2a (Equation 8)

【００１０】出力電圧Ｖｏｄは、抵抗171、172の各抵抗
値をＲＬとすると、（式９）で表される。 Ｖｏｄ＝ＲＬ｛（△Ｉ１ａ＋△Ｉ２ａ）−（△Ｉ１ｂ＋△Ｉ２ｂ）｝ （式９）The output voltage Vod is represented by (Equation 9), where RL is the resistance value of each of the resistors 171 and 172. Vod = RL {({I1a + {I2a)-({I1b + {I2b)}} (Equation 9)

【００１１】（式９）に（式３）、（式５）、（式７）
及び（式８）を代入して整理すると、（式１０）が得ら
れる。 Ｖｏｄ＝２ＲＬ（Ｍ△Ｉ１＋△Ｉ２）／（１＋Ｍ） （式１０）(Equation 9) is replaced by (Equation 3), (Equation 5), (Equation 7)
And (Equation 8) are substituted and rearranged to obtain (Equation 10). Vod = 2RL (M △ I1 + △ I2) / (1 + M) (Equation 10)

【００１２】（式１０）に（式１）、（式６）を代入し
て整理すると、利得Ｇ（＝Ｖｏｄ／Ｖｉｄ）を表す（式
１１）が得られる。 Ｇ＝ＲＬ（Ｍ・ｇｍ１＋ｇｍ２）／（１＋Ｍ） （式１１） ただし、ｇｍ１、ｇｍ２はそれぞれ（式１２）、（式１
３）で与えらえる。 ｇｍ１＝１／（ＶＴ／Ｉ１＋ＲＥ１／２） （式１２） ｇｍ２＝１／（ＶＴ／Ｉ２＋ＲＥ２／２） （式１３）By substituting (Equation 1) and (Equation 6) into (Equation 10) and rearranging, (Equation 11) representing the gain G (= Vod / Vid) is obtained. G = RL (Mgm1 + gm2) / (1 + M) (Equation 11) where gm1 and gm2 are (Equation 12) and (Equation 1), respectively.
Given in 3). gm1 = 1 / (VT / I1 + RE1 / 2) (Equation 12) gm2 = 1 / (VT / I2 + RE2 / 2) (Equation 13)

【００１３】Ｍは、（式４）に示すように、利得制御電
圧Ｖｃｄの項を含んでおり、利得Ｇを利得制御電圧Ｖｃ
ｄに対して変化させることができる。M includes the term of the gain control voltage Vcd as shown in (Equation 4), and the gain G is changed to the gain control voltage Vc
can be varied for d.

【００１４】今、ｇｍ１＞＞ｇｍ２とする。このとき最
大ゲインＧｍａｘは、Ｖｃｄ＞＞０の場合であり、この
とき（式４）からＭは無限大に収束し、（式１１）か
ら、Ｇｍａｘは（式１４）となる。 Ｇｍａｘ＝ＲＬ・ｇｍ１ （式１４）It is assumed that gm1 >> gm2. At this time, the maximum gain Gmax is a case where Vcd >> 0. At this time, M converges to infinity from (Equation 4), and Gmax becomes (Equation 14) from (Equation 11). Gmax = RL · gm1 (Equation 14)

【００１５】同様に、最小ゲインＧｍｉｎは、Ｖｃｄ＜
＜０の場合であり、このとき（式４）からＭは零に収束
し、（式１２）から、Ｇｍｉｎは（式１５）となる。 Ｇｍｉｎ＝ＲＬ・ｇｍ２ （式１５）Similarly, the minimum gain Gmin is Vcd <
<0, where M converges to zero from (Equation 4) and Gmin becomes (Equation 15) from (Equation 12). Gmin = RL · gm2 (Equation 15)

【００１６】利得制御幅△Ｇは、ＧｍａｘとＧｍｉｎと
の比で表され、（式１６）のようになる。 △Ｇ＝Ｇｍａｘ／Ｇｍｉｎ＝ｇｍ１／ｇｍ２ （式１６）The gain control width ΔG is represented by the ratio between Gmax and Gmin, and is expressed by (Equation 16). ΔG = Gmax / Gmin = gm1 / gm2 (Equation 16)

【００１７】図１１にＩ１＝１ｍＡ、Ｉ２＝０．１ｍ
Ａ、ＲＥ１＝１００Ω、ＲＥ２＝１ｋΩ、ＲＬ＝５００
Ωとした場合の常温での利得制御特性を示している。FIG. 11 shows that I1 = 1 mA and I2 = 0.1 m
A, RE1 = 100Ω, RE2 = 1kΩ, RL = 500
It shows the gain control characteristic at room temperature when Ω is set.

【００１８】[0018]

【発明が解決しようとする課題】ところが、（式１１）
で与えられる利得Ｇは、温度に依存する変数として、Ｍ
やｇｍ１（ｇｍ２）を含んでいる。さらに、図８の可変
利得装置を集積回路化したとすると、集積回路内部の抵
抗は温度係数を持つため、（式１１）のＲＬも温度に依
存する変数となる。However, (Equation 11)
The gain G given by
And gm1 (gm2). Further, assuming that the variable gain device of FIG. 8 is integrated, the resistance inside the integrated circuit has a temperature coefficient, so that RL in (Equation 11) is also a variable that depends on temperature.

【００１９】これらの温度に依存する変数のうち、（式
１２）、（式１３）で与えられるｇｍ１、ｇｍ２につい
ては、電流源181、182、191及び192の電流値をＶＴ／Ｒ
比例になるように設定することで、ｇｍ１、ｇｍ２の温
度特性をＲ比例、すなわち抵抗の温度係数を持つように
設定することは容易であるため、（式１１）のＲＬの温
度係数と打ち消し合うように設定できる。そして、（式
４）で与えられるＭは、Ｖｃｄ＝０のときに限り、常に
Ｍ＝１となり、温度特性を持たないため、Ｖｃｄ＝０の
時に限り、利得Ｇは温度に依存しないで一定となる図１
２のような特性を示す。Of these temperature-dependent variables, for gm1 and gm2 given by (Equation 12) and (Equation 13), the current values of the current sources 181, 182, 191 and 192 are represented by VT / R
It is easy to set the temperature characteristics of gm1 and gm2 to be R-proportional, that is, to have the temperature coefficient of resistance by setting the temperature characteristics of gm1 and gm2 to be proportional, so that they cancel out the temperature coefficient of RL in (Equation 11). It can be set as follows. Then, M given by (Equation 4) is always M = 1 only when Vcd = 0, and has no temperature characteristic. Therefore, only when Vcd = 0, the gain G is constant independent of temperature. Fig. 1
It shows characteristics such as 2.

【００２０】Ｖｃｄ＝０（Ｍ＝１）のときのゲインＧ０
は、（式１１）から（式１７）で与えられる。 Ｇ０＝ＲＬ（ｇｍ１＋ｇｍ２）／２ （式１７） （式１７）はｇｍ１＞＞ｇｍ２とすると、（式１８）の
ように近似できる。 Ｇ０＝ＲＬ・ｇｍ１／２＝Ｇｍａｘ／２ （式１８）Gain G0 when Vcd = 0 (M = 1)
Is given by (Equation 11) to (Equation 17). G0 = RL (gm1 + gm2) / 2 (Equation 17) If (Equation 17) is gm1 >> gm2, it can be approximated as (Equation 18). G0 = RL · gm1 / 2 = Gmax / 2 (Equation 18)

【００２１】すなわち、Ｇ０は最大ゲインＧｍａｘから
約６ｄＢ低下した点となる。よって、図１２に示すよう
に利得可変幅を約２０ｄＢ確保する例では、高ゲインで
の温度特性の変動と比較すると、低ゲインでの温度特性
の変動が大きくなっている。That is, G0 is a point that is reduced by about 6 dB from the maximum gain Gmax. Therefore, as shown in FIG. 12, in the example in which the gain variable width is secured by about 20 dB, the fluctuation of the temperature characteristic at a low gain is larger than the fluctuation of the temperature characteristic at a high gain.

【００２２】ところで、ＣＤＭＡ（Code Division Mult
iple Access）に代表されるような通信方式に使用され
る送受信機には８０〜９０ｄＢの利得制御幅を持ち、か
つ、直線性に優れた利得制御特性が要求されている。そ
のため、図８に示した可変利得装置を複数段に継続接続
し、各段の可変利得装置の利得制御電圧にオフセット電
圧を与えて、各段の可変利得装置の利得制御幅を適当に
重ね合わせることで、より広い利得制御幅を持ち、直線
性に優れた利得制御特性が得られるようにしている。By the way, CDMA (Code Division Mult)
Transceivers used in communication systems typified by iple Access) are required to have a gain control width of 80 to 90 dB and gain control characteristics with excellent linearity. Therefore, the variable gain devices shown in FIG. 8 are continuously connected to a plurality of stages, an offset voltage is applied to the gain control voltages of the variable gain devices of each stage, and the gain control widths of the variable gain devices of each stage are appropriately overlapped. Thus, a gain control characteristic having a wider gain control width and excellent linearity can be obtained.

【００２３】この場合の総合利得ＧＴは（式１９）で表
される。 ＧＴ＝Ｇ１・Ｇ２・Ｇ３・Ｇ４・Ｇ５ （式１９） ここで、Ｇｎ（ｎは１から５の整数）は、（式１１）か
ら、（式２０）で表される。 Ｇｎ＝ＲＬ（Ｍｎ・ｇｍ１＋ｇｍ２）／（１＋Ｍｎ） （式２０） ただし、Ｍｎ（ｎは１から５の整数）は（式２１）で表
される。 Ｍｎ＝ｅｘｐ｛（Ｖｃｄ＋Ｖｏｆｆｎ）／ＶＴ｝ （式２１）The total gain GT in this case is expressed by (Equation 19). GT = G1, G2, G3, G4, G5 (Equation 19) Here, Gn (n is an integer from 1 to 5) is represented by (Equation 20) from (Equation 11). Gn = RL (Mn · gm1 + gm2) / (1 + Mn) (Equation 20) Here, Mn (n is an integer of 1 to 5) is represented by (Equation 21). Mn = exp {(Vcd + Voffn) / VT} (Equation 21)

【００２４】図８に示した可変利得装置において、回路
定数をＩ１＝１ｍＡ、Ｉ２＝０．１ｍＡ、ＲＥ１＝１０
０Ω、ＲＥ２＝１ｋΩ、ＲＬ＝５００Ωとしたものを５
段継続接続し、各段のオフセット電圧Ｖｏｆｆｎを
｛０．１×（ｎ―３）｝Ｖ（ｎは１から５の整数）とし
た場合の常温での利得制御特性を図１３に示し、温度特
性を図１４に示す。In the variable gain device shown in FIG. 8, the circuit constants are I1 = 1 mA, I2 = 0.1 mA, RE1 = 10
0Ω, RE2 = 1kΩ, RL = 500Ω
FIG. 13 shows gain control characteristics at normal temperature when the stages are continuously connected and the offset voltage Voffn of each stage is set to {0.1 × (n−3)} V (n is an integer of 1 to 5). The characteristics are shown in FIG.

【００２５】しかしながら、図１４に示すように、温度
特性は、高ゲインでの温度特性の変動と比較して低ゲイ
ンでの温度特性の変動が大きくなるという影響がさらに
顕著に現れる。この問題を緩和する方法として、特開平
８−４６４６３号公報では、利得制御電圧Ｖｃｄに温度
特性を持った補正電圧を加えて、温度に依存しない点
を、最大ゲインＧｍａｘから約６ｄＢ低下した点ではな
く、最大ゲインＧｍａｘと最小ゲインＧｍｉｎとの中点
（センターゲイン）にシフトすることにより、高ゲイン
での温度特性の変動と低ゲインでの温度特性の変動とを
同一にすることで、温度特性の変動を低減している。し
かしながら、システムからさらに厳しい温度特性が要求
された場合に応えられない可能性がある。However, as shown in FIG. 14, the effect of the temperature characteristic that the fluctuation of the temperature characteristic at a low gain becomes larger than the fluctuation of the temperature characteristic at a high gain appears more remarkably. As a method of alleviating this problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-46463 discloses a method in which a correction voltage having a temperature characteristic is added to the gain control voltage Vcd so that the temperature-independent point is reduced by about 6 dB from the maximum gain Gmax. Instead, by shifting to the middle point (center gain) between the maximum gain Gmax and the minimum gain Gmin, the fluctuation of the temperature characteristic at the high gain and the fluctuation of the temperature characteristic at the low gain are made the same to obtain the temperature characteristic. Has been reduced. However, there is a possibility that the system may not be able to respond to a demanding temperature characteristic.

【００２６】本発明は、こうした課題を解決するもので
あり、利得制御特性の温度依存性をほぼ零にすることが
できる利得制御装置を提供し、また、その利得制御方法
を提供し、さらに、厳しい温度特性の要求に応えること
ができる携帯端末装置及び基地局装置を提供することを
目的としている。The present invention solves such a problem, and provides a gain control device capable of making the temperature dependence of the gain control characteristic substantially zero, and a gain control method thereof. It is an object of the present invention to provide a mobile terminal device and a base station device that can meet demands for severe temperature characteristics.

【００２７】[0027]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、可
変利得装置の利得制御特性の温度依存性が、（式４）に
おけるＭの温度依存性に支配されることから、利得制御
電圧Ｖｃｄの温度特性をＶＴ比例に、即ち、熱電圧の温
度係数を持つように、設定することで、利得制御性の温
度依存性をほぼ零にしている。Therefore, in the present invention, since the temperature dependence of the gain control characteristic of the variable gain device is governed by the temperature dependence of M in (Equation 4), the gain control voltage Vcd By setting the temperature characteristic to be proportional to VT, that is, to have a temperature coefficient of the thermal voltage, the temperature dependence of the gain controllability is made substantially zero.

【００２８】また、複数段に継続接続された可変利得装
置にオフセット電圧を加えた利得制御電圧を与えて、利
得制御幅を広げ、利得制御特性の直線性を拡張する場合
では、この利得制御特性の温度依存性が、（式２１）に
おけるＭｎの温度依存性に支配されることから、利得制
御電圧Ｖｃｄとオフセット電圧Ｖｏｆｆｎとを加えた電
圧、（Ｖｃｄ＋Ｖｏｆｆｎ）の温度特性をＶＴ比例に設
定することで、利得制御特性の温度依存性をほぼ零にし
ている。Further, when a gain control voltage to which an offset voltage is added is applied to a variable gain device continuously connected to a plurality of stages to increase the gain control width and extend the linearity of the gain control characteristic, the gain control characteristic is increased. Since the temperature dependency of Mn is governed by the temperature dependency of Mn in (Equation 21), the voltage obtained by adding the gain control voltage Vcd and the offset voltage Voffn, and the temperature characteristic of (Vcd + Voffn) are set to be VT proportional. Thus, the temperature dependence of the gain control characteristic is made substantially zero.

【００２９】[0029]

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、利得制御端子に与えられる利得制御電圧により利得
を可変する可変利得装置と、この可変利得装置の制御利
得端子に利得制御電圧を与える利得制御電圧印加装置と
を設けた利得制御装置において、この利得制御電圧に、
熱電圧と同等の温度係数を持たせるようにしたものであ
り、利得の温度依存性をほぼ零にすることができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to a variable gain device for varying a gain by a gain control voltage applied to a gain control terminal, and a gain control voltage applied to a control gain terminal of the variable gain device. And a gain control voltage applying device that provides
It has a temperature coefficient equivalent to the thermal voltage, and the temperature dependence of the gain can be made almost zero.

【００３０】請求項２に記載の発明は、利得制御端子に
与えられる利得制御電圧により利得を可変する複数の可
変利得装置と、この複数の可変利得装置の各利得制御端
子に電圧を与える利得制御電圧印加装置と、この複数の
可変利得装置に印加される各利得制御電圧に対して、互
いに異なるオフセット電圧を与えるオフセット電圧印加
手段とを設け、複数の可変利得装置を継続接続した利得
装置において、この利得制御電圧とオフセット電圧とを
加えた電圧に、熱電圧と同等の温度係数を持たせるよう
にしたものであり、広い利得制御幅を持ち、直線性に優
れた利得制御特性を持つとともに、利得の温度依存性を
ほぼ零にすることができる。According to a second aspect of the present invention, there are provided a plurality of variable gain devices for varying a gain by a gain control voltage applied to a gain control terminal, and a gain control for applying a voltage to each gain control terminal of the plurality of variable gain devices. A voltage application device, and an offset voltage application unit that provides an offset voltage different from each other for each of the gain control voltages applied to the plurality of variable gain devices, wherein in the gain device in which the plurality of variable gain devices are continuously connected, The voltage obtained by adding the gain control voltage and the offset voltage has a temperature coefficient equivalent to that of the thermal voltage, has a wide gain control width, and has excellent linearity gain control characteristics. The temperature dependence of the gain can be made almost zero.

【００３１】請求項３に記載の発明は、利得制御電圧に
応じて利得を可変する可変利得装置の利得制御方法にお
いて、可変利得装置に、熱電圧と同等の温度係数を持つ
利得制御電圧を与えるようにしたものであり、この可変
利得装置の利得制御特性の温度依存性をほぼ零にするこ
とができる。According to a third aspect of the present invention, in the gain control method of the variable gain device for varying the gain in accordance with the gain control voltage, a gain control voltage having a temperature coefficient equivalent to a thermal voltage is applied to the variable gain device. Thus, the temperature dependency of the gain control characteristic of the variable gain device can be made substantially zero.

【００３２】請求項４に記載の発明は、利得制御電圧に
応じて利得を可変する複数の可変利得装置を継続接続し
た利得制御装置の利得制御方法において、複数の可変利
得装置の各々に、共通の利得制御電圧と互いに異なるオ
フセット電圧とを加えた電圧に熱電圧と同等の温度係数
を持たせて与えるようにしたものであり、広い利得制御
幅を持ち、優れた直線性を持つ利得制御特性の温度依存
性をほぼ零にすることができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a gain control method for a gain control device in which a plurality of variable gain devices for varying a gain in accordance with a gain control voltage are continuously connected. The gain control voltage and the offset voltage different from each other are added to give a voltage with the same temperature coefficient as the thermal voltage.The gain control characteristic has a wide gain control width and excellent linearity. Can be made substantially zero in temperature dependence.

【００３３】請求項５に記載の発明は、請求項１または
２の利得制御装置において、利得制御電圧をディジタル
信号により生成するようにしたものであり、素子バラツ
キなどの影響を受けにくくすることができる。According to a fifth aspect of the present invention, in the gain control device of the first or second aspect, the gain control voltage is generated by a digital signal. it can.

【００３４】請求項６に記載の発明は、請求項３または
４の利得制御方法において、利得制御電圧をディジタル
信号により生成するようにしたものであり、素子バラツ
キなどの影響を受けにくくすることができる。According to a sixth aspect of the present invention, in the gain control method according to the third or fourth aspect, the gain control voltage is generated by a digital signal. it can.

【００３５】請求項７に記載の発明は、請求項１、２ま
たは５に記載の利得制御装置を携帯端末装置に持たせた
ものであり、通信システムの厳しい温度特性の要求に応
え得る携帯端末装置を構成することができる。According to a seventh aspect of the present invention, the gain control device according to the first, second, or fifth aspect is provided in a portable terminal device, and the portable terminal device can respond to a demand for strict temperature characteristics of a communication system. The device can be configured.

【００３６】請求項８に記載の発明は、請求項１、２ま
たは５に記載の利得制御装置を基地局装置に持たせたも
のであり、通信システムの厳しい温度特性の要求に応え
得る基地局装置を構成することができる。According to an eighth aspect of the present invention, the base station apparatus has the gain control device according to the first, second, or fifth aspect, and the base station apparatus can respond to a demand for strict temperature characteristics of a communication system. The device can be configured.

【００３７】請求項９に記載の発明は、請求項７の携帯
端末装置と請求項８の基地局装置とで通信システムを構
成したものであり、携帯端末装置と基地局装置との間
で、安定した、高品質な通信を行なうことが可能とな
る。According to a ninth aspect of the present invention, a communication system is constituted by the portable terminal device according to the seventh aspect and the base station device according to the eighth aspect. It is possible to perform stable, high-quality communication.

【００３８】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００３９】（第１の実施形態）本発明の第１実施形態
における利得制御装置を図１に示す。可変利得装置１の
利得制御端子Ｖｃ、Ｖｃｘには、利得制御電圧印加装置
２が接続されており、利得制御電圧印加装置２によって
利得制御電圧Ｖｃｄから変換された実利得制御電圧Ｖｃ
ｄ０が与えられている。なお、可変利得装置１は図８の
可変利得装置と同一のものである。(First Embodiment) FIG. 1 shows a gain control device according to a first embodiment of the present invention. A gain control voltage application device 2 is connected to the gain control terminals Vc and Vcx of the variable gain device 1, and the actual gain control voltage Vc converted from the gain control voltage Vcd by the gain control voltage application device 2.
d0 is given. Note that the variable gain device 1 is the same as the variable gain device of FIG.

【００４０】利得制御電圧印加装置２の回路例を図２に
示す。利得制御電圧Ｖｃｄにより制御される電圧制御電
流源13は、２出力カレントミラー回路11の入力端子ＩＮ
に接続されている。カレントミラー回路11の第１の出力
端子ＯＵＴ１は、電流源14と温度係数補正用カレントミ
ラー回路12の出力端子ＯＵＴと抵抗16とに接続されてい
る。カレントミラー回路11の第２の出力端子ＯＵＴ２
は、利得制御電圧Ｖｃｄにより制御される電圧制御電流
源15と温度係数補正用カレントミラー回路12の入力端子
ＩＮとに接続されている。抵抗16に発生する電圧が可変
利得装置１の実利得制御電圧Ｖｃｄ０となる。FIG. 2 shows a circuit example of the gain control voltage applying device 2. The voltage control current source 13 controlled by the gain control voltage Vcd is connected to the input terminal IN of the two-output current mirror circuit 11.
It is connected to the. The first output terminal OUT1 of the current mirror circuit 11 is connected to the current source 14, the output terminal OUT of the current mirror circuit 12 for temperature coefficient correction, and the resistor 16. The second output terminal OUT2 of the current mirror circuit 11
Is connected to the voltage control current source 15 controlled by the gain control voltage Vcd and the input terminal IN of the current mirror circuit 12 for temperature coefficient correction. The voltage generated at the resistor 16 becomes the actual gain control voltage Vcd0 of the variable gain device 1.

【００４１】次に、図２に示した回路の動作について説
明する。電圧制御電流源13は、利得制御電圧Ｖｃｄが入
力されると、（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）の電圧値に比例
し（ＶｃｄｍａｘはＶｃｄの最大値）、かつ１／Ｒ比例
の電流を出力する。このような特性を持つ電流は、電圧
（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）を、温度特性をもつ抵抗に与
えることで容易に得ることができる。電圧制御電流源13
の電流値ＩＲは、抵抗の温度係数を＋α（α＞０）とす
ると、常温での抵抗値をＲＡ、常温からの温度変化を△
Ｔとすると、（式２２）で表される。 ＩＲ＝（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式２２）Next, the operation of the circuit shown in FIG. 2 will be described. When the gain control voltage Vcd is input, the voltage control current source 13 outputs a current proportional to the voltage value of (Vcdmax−Vcd) (Vcdmax is the maximum value of Vcd) and proportional to 1 / R. A current having such characteristics can be easily obtained by applying a voltage (Vcdmax−Vcd) to a resistor having temperature characteristics. Voltage control current source 13
When the temperature coefficient of the resistance is + α (α> 0), the current value IR is represented by RA at a normal temperature, and Δ = temperature change from the normal temperature.
If T, it is represented by (Equation 22). IR = (Vcdmax−Vcd) / {RA (1 + α △ T)} (Equation 22)

【００４２】電流源14は、常温で（Ｖｃｄｍａｘ／Ｒ
Ａ）の電流源を持ち、かつ、ＶＴ／Ｒ比例の電流を出力
する。このような特性を持つ電流は、通称バンドギャッ
プ回路と呼ばれる回路により容易に得ることができる。
電流源14の電流値ＩＶＴＲは、熱電圧の温度係数を＋β
（β＞０；約＋３３００ｐｐｍ）とすると、（式２３）
で表される。 ＩＶＴＲ＝｛Ｖｃｄｍａｘ（１＋β△Ｔ）｝／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式２３）The current source 14 operates at normal temperature (Vcdmax / R
It has a current source of A) and outputs a current that is proportional to VT / R. A current having such characteristics can be easily obtained by a circuit generally called a band gap circuit.
The current value IVTR of the current source 14 is obtained by adding the temperature coefficient of the thermal voltage to + β
(Β>0; about +3300 ppm), (Equation 23)
It is represented by IVTR = {Vcdmax (1 + β △ T)} / {RA (1 + α △ T)} (Equation 23)

【００４３】カレントミラー回路11の入力端子ＩＮに流
れる電流と第１の出力端子ＯＵＴ１に流れる電流との比
を１に設定すれば、カレントミラー回路11の入力端子Ｉ
Ｎに電流値ＩＲの電流が流れるので、カレントミラー回
路11の第１の出力端子ＯＵＴ１からは電流値ＩＲの電流
が流れる。よって、図２のＡ点から流れ出す電流ＩＯＵ
ＴＡの電流値は、（ＩＶＴＲ−ＩＲ）となり、（式２
２）、（式２３）から（式２４）で表される。 ＩＯＵＴＡ＝（Ｖｃｄ＋Ｖｃｄｍａｘ・β△Ｔ）／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式２４）If the ratio of the current flowing through the input terminal IN of the current mirror circuit 11 to the current flowing through the first output terminal OUT1 is set to 1, the input terminal I of the current mirror circuit 11 can be changed.
Since a current having a current value IR flows through N, a current having a current value IR flows from the first output terminal OUT1 of the current mirror circuit 11. Therefore, the current IOU flowing from the point A in FIG.
The current value of TA is (IVTR-IR),
2), expressed by (Equation 23) to (Equation 24). IOUTA = (Vcd + Vcdmax · β △ T) / {RA (1 + α △ T)} (Equation 24)

【００４４】電圧制御電流源15は、利得制御電圧Ｖｃｄ
が入力されると、（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）の電圧値に
比例し、かつ、温度に依存しない電力を出力する。この
ような特性を持つ電力は、電圧（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃ
ｄ）を温度特性を持たない抵抗に与えることで容易に得
ることができる。電圧制御電流源15の電流値Ｉ０は、抵
抗値をＲＡとすると、（式２５）で表される。 Ｉ０＝（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）／ＲＡ （式２５）The voltage control current source 15 has a gain control voltage Vcd
Is input, power that is proportional to the voltage value of (Vcdmax−Vcd) and independent of temperature is output. The power having such characteristics is represented by a voltage (Vcdmax−Vc
It can be easily obtained by giving d) to a resistor having no temperature characteristic. The current value I0 of the voltage control current source 15 is represented by (Equation 25), where RA is the resistance value. I0 = (Vcdmax−Vcd) / RA (Equation 25)

【００４５】カレントミラー回路11の入力端子ＩＮに流
れる電流と第２の出力端子ＯＵＴ２に流れる電流との比
を１に設定すれば、カレントミラー回路11の入力端子Ｉ
Ｎに電流値ＩＲの電流が流れるので、カレントミラー回
路11の第２の出力端子ＯＵＴ２からは電流値ＩＲの電流
が流れる。よって、図２のＢ点から流れ出す電流ＩＯＵ
ＴＢの電流値は、（Ｉ０−ＩＲ）となり、（式２２）、
（式２５）から（式２６）で表される。 ＩＯＵＴＢ＝｛（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）α△Ｔ／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式２６）If the ratio between the current flowing through the input terminal IN of the current mirror circuit 11 and the current flowing through the second output terminal OUT2 is set to 1, the input terminal I of the current mirror circuit 11 can be changed.
Since a current having a current value IR flows through N, a current having a current value IR flows from the second output terminal OUT2 of the current mirror circuit 11. Therefore, the current IOU flowing from the point B in FIG.
The current value of TB becomes (I0-IR), and (Equation 22),
It is expressed by (Equation 25) to (Equation 26). IOUTB = {(Vcdmax−Vcd) α} T / {RA (1 + α △ T)} (Equation 26)

【００４６】温度係数補正用カレントミラー回路12の入
力端子ＩＮに流れる電流と出力端子ＯＵＴに流れる電流
との比を（β／α）に設定すれば、温度係数補正用カレ
ントミラー回路12の入力端子ＩＮに電流値ＩＯＵＴＢの
電流が流れるので、出力端子ＯＵＴから流れ出す電流Ｉ
ＯＵＴＣの電流値は、（β／α）ＩＯＵＴＢとなり、
（式２７）で表される。 ＩＯＵＴＣ＝｛（Ｖｃｄｍａｘ−Ｖｃｄ）β△Ｔ／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式２７）If the ratio of the current flowing through the input terminal IN of the current mirror circuit 12 for temperature coefficient correction to the current flowing through the output terminal OUT is set to (β / α), the input terminal of the current mirror circuit 12 for temperature coefficient correction can be obtained. Since the current having the current value IOUTB flows through IN, the current I flowing out of the output terminal OUT
The current value of OUTC is (β / α) IOUTB,
(Expression 27). IOUTC = {(Vcdmax−Vcd) β} T / {RA (1 + α △ T)} (Equation 27)

【００４７】よって、抵抗16に流れ出す電流ＩＯＵＴの
電流値は、（ＩＯＵＴＡ−ＩＯＵＴＣ）となり、（式２
４）、（式２７）から（式２８）で表される。 ＩＯＵＴ＝｛Ｖｃｄ（１＋β△Ｔ）｝／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式２８）Therefore, the current value of the current IOUT flowing to the resistor 16 is (IOUTA-IOUTC), and
4), expressed by (Equation 27) to (Equation 28). IOUT = {Vcd (1 + β △ T)} / {RA (1 + α △ T)} (Equation 28)

【００４８】電流ＩＯＵＴが抵抗16に流れることによっ
て得られる実利得制御電圧Ｖｃｄ０は、抵抗16の温度係
数を＋α（α＞０）、常温での抵抗値をＲＡとすると、
抵抗16の抵抗値はＲＡ（１＋α△Ｔ）で表されるため、
（式２９）で表される。 Ｖｃｄ０＝Ｖｃｄ（１＋β△Ｔ） （式２９） よって、実利得制御電圧Ｖｃｄ０をＶＴ比例に設定する
ことができる。The actual gain control voltage Vcd0 obtained by the current IOUT flowing through the resistor 16 is as follows: When the temperature coefficient of the resistor 16 is + α (α> 0) and the resistance at room temperature is RA,
Since the resistance value of the resistor 16 is represented by RA (1 + α △ T),
It is expressed by (Equation 29). Vcd0 = Vcd (1 + β △ T) (Equation 29) Accordingly, the actual gain control voltage Vcd0 can be set in VT proportion.

【００４９】その結果、（式４）のＭの温度依存性がほ
ぼ零になるため、このＭの温度依存性によって支配され
る可変利得装置１の利得制御特性の温度依存性がほぼ零
になる。As a result, since the temperature dependence of M in (Equation 4) becomes substantially zero, the temperature dependence of the gain control characteristic of the variable gain device 1 governed by this temperature dependence becomes substantially zero. .

【００５０】可変利得装置１（図８と同一）の回路定数
をＩ１＝１ｍＡ、Ｉ２＝０．１ｍＡ、ＲＥ１＝１００
Ω、ＲＥ２＝１ｋΩ、ＲＬ＝５００Ωとし、実利得制御
電圧Ｖｃｄ０を与えた場合の利得制御特性を図９に示し
ている。図１２と比較して、利得制御特性の温度依存性
がほぼ零となり、大幅に改善されていることが分かる。The circuit constants of the variable gain device 1 (same as FIG. 8) are I1 = 1 mA, I2 = 0.1 mA, RE1 = 100
FIG. 9 shows gain control characteristics when Ω, RE2 = 1 kΩ, RL = 500 Ω, and the actual gain control voltage Vcd0 is applied. As compared with FIG. 12, the temperature dependency of the gain control characteristic is almost zero, and it can be seen that the gain control characteristic is greatly improved.

【００５１】なお、ここでは抵抗の温度係数αを正の値
として説明したが、αが負の値であっても、ＩＯＵＴの
電流値が（ＩＯＵＴＡ＋ＩＯＵＴＣ）となるように回路
を構成すれば（カレントミラー回路を１つ追加するだけ
で容易である）、実利得制御電圧Ｖｃｄ０をＶＴ比例に
設定することができる。Although the temperature coefficient α of the resistor has been described as a positive value here, if the circuit is configured so that the current value of IOUT becomes (IOUTA + IOUTC) even if α is a negative value, It is easy only by adding one mirror circuit), and the actual gain control voltage Vcd0 can be set in VT proportion.

【００５２】また、図２の利得制御電圧印加装置を集積
回路化した場合、電圧制御電流源15の電流値Ｉ０を、外
付けの抵抗を用いて発生させることになる。このとき、
集積回路内部の抵抗値（電圧制御電流源13の電流値ＩＲ
及び電圧制御電流源14の電流値ＩＶＴＲを得るための抵
抗値）は±１０％程度のバラツキがあるが、外付けの抵
抗値が、集積回路内部の抵抗値に一致すれば、利得制御
特性に温度依存性が見られなくなるため、外付けの抵抗
値を調整することで対処できる。When the gain control voltage application device of FIG. 2 is integrated, the current value I0 of the voltage control current source 15 is generated using an external resistor. At this time,
The resistance value inside the integrated circuit (the current value IR of the voltage control current source 13)
And the resistance value of the voltage control current source 14 for obtaining the current value IVTR) has a variation of about ± 10%. However, if the external resistance value matches the resistance value inside the integrated circuit, the gain control characteristic becomes poor. Since the temperature dependency is no longer seen, it can be dealt with by adjusting the external resistance value.

【００５３】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態における利得制御装置を図３に示す。可変利得装置１
が５段に継続接続され、各段の可変利得装置１の利得制
御端子Ｖｃ、Ｖｃｘには、利得制御電圧印加装置３とオ
フセット電圧印加装置４とによってオフセット接続用実
利制御電圧Ｖｃｔｎ（ｎは１から５の整数）が与えられ
ている。このＶｃｔｎは、利得制御電圧Ｖｃｄと、各段
の可変利得装置に与えられるオフセット電圧Ｖｏｆｆｎ
とを加えた電圧から変換された電圧である。なお、各段
の可変利得装置１は図８の可変利得装置と同一のもので
ある。(Second Embodiment) FIG. 3 shows a gain control device according to a second embodiment of the present invention. Variable gain device 1
Are continuously connected in five stages, and the gain control terminals Vc and Vcx of the variable gain devices 1 in each stage are connected to the gain control voltage application device 3 and the offset voltage application device 4 by the offset connection utility control voltage Vctn (n is 1). To 5). This Vctn is equal to the gain control voltage Vcd and the offset voltage Voffn applied to the variable gain device of each stage.
Is a voltage converted from the voltage obtained by adding Note that the variable gain devices 1 at each stage are the same as the variable gain devices of FIG.

【００５４】利得制御電圧印加装置３とオフセット電圧
印加装置４とをまとめた回路例を図４に示す。利得制御
電圧Ｖｃｄにより制御される電圧制御電流源21から25
は、それぞれ、オフセット電圧設定用電流源26から30及
び抵抗31から35に接続している。図３におけるオフセッ
ト接続用実利得制御電圧Ｖｃｔｎは、抵抗31から35に発
生する電圧として出力される。FIG. 4 shows a circuit example in which the gain control voltage applying device 3 and the offset voltage applying device 4 are combined. Voltage control current sources 21 to 25 controlled by gain control voltage Vcd
Are connected to offset voltage setting current sources 26 to 30 and resistors 31 to 35, respectively. The actual gain control voltage Vctn for offset connection in FIG. 3 is output as a voltage generated in the resistors 31 to 35.

【００５５】次に、図４に示した回路の動作について説
明する。利得制御電圧Ｖｃｄにより制御される電圧制御
電流源21から25の電流値ＩＯＵＴは、図２の利得制御電
圧印加装置のＩＯＵＴと等しくなるように設定する。Next, the operation of the circuit shown in FIG. 4 will be described. The current value IOUT of the voltage control current sources 21 to 25 controlled by the gain control voltage Vcd is set to be equal to IOUT of the gain control voltage application device in FIG.

【００５６】オフセット電圧設定用電流源26から30の各
電流値Ｉｏｆｆｎ（ｎは１〜５の整数）は、常温で（Ｖ
ｏｆｆｎ／ＲＡ）の電流値を持ち、かつ、ＶＴ／Ｒ比例
の電流を出力する。このような特性を持つ電流は、通称
バンドギャップ回路と呼ばれる回路により、容易に得る
ことができる。オフセット電圧設定用電流源26から30の
各電流値Ｉｏｆｆｎは、（式２３）と同様にして、（式
３０）で表される。 Ｉｏｆｆｎ＝｛Ｖｏｆｆｎ（１＋β△Ｔ）｝／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式３０）Each current value Ioffn (n is an integer of 1 to 5) of the offset voltage setting current sources 26 to 30 is (V
offn / RA), and outputs a current proportional to VT / R. A current having such characteristics can be easily obtained by a circuit generally called a band gap circuit. Each current value Ioffn of the offset voltage setting current sources 26 to 30 is expressed by (Equation 30) in the same manner as in (Equation 23). Ioffn = {Voffn (1 + β △ T)} / {RA (1 + α △ T)} (Equation 30)

【００５７】抵抗31から35に流れる電流値Ｉｃｎ（ｎは
１〜５の整数）は、（ＩＯＵＴ＋Ｉｏｆｆｎ）となるた
め、（式２８）、（式３９）により（式３１）で表され
る。 Ｉｃｎ＝｛（Ｖｃｄ＋Ｖｏｆｆｎ）・（１＋β△Ｔ）｝ ／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝ （式３１）Since the current value Icn (n is an integer of 1 to 5) flowing through the resistors 31 to 35 is (IOUT + Ioffn), it is expressed by (Equation 31) by (Equation 28) and (Equation 39). Icn = {(Vcd + Voffn) ・ (1 + β △ T)} / {RA (1 + α △ T)} (Equation 31)

【００５８】電流Ｉｃｎが抵抗31から35に流れることに
よって得られるオフセット接続用実利得制御電圧Ｖｃｔ
ｎは、抵抗31から35の温度係数を＋α（α＞０）、常温
での抵抗値をＲＡとすると、抵抗31から35の抵抗値はＲ
Ａ（１＋α△Ｔ）で表されるため、（式３２）で表され
る。 Ｖｃｔｎ＝（Ｖｃｄ＋Ｖｏｆｆｎ）・（１＋β△Ｔ） （式３２）Actual gain control voltage Vct for offset connection obtained by current Icn flowing through resistors 31 to 35
n is + α (α> 0) for the temperature coefficient of the resistors 31 to 35 and RA is the resistance value at room temperature, and the resistance value of the resistors 31 to 35 is R
Since it is represented by A (1 + α △ T), it is represented by (Equation 32). Vctn = (Vcd + Voffn) · (1 + β △ T) (Equation 32)

【００５９】よって、実利得制御電圧Ｖｃｄとオフセッ
ト電圧Ｖｏｆｆｎとを加えた電圧、（Ｖｃｄ＋Ｖｏｆｆ
ｎ）をＶＴ比例に設定することができる。Therefore, a voltage obtained by adding the actual gain control voltage Vcd and the offset voltage Voffn, (Vcd + Voff
n) can be set proportional to VT.

【００６０】その結果、（式２１）のＭｎの温度依存性
がほぼ零になり、可変利得装置の利得制御特性の温度依
存性がほぼ零になる。As a result, the temperature dependency of Mn in (Equation 21) becomes almost zero, and the temperature dependency of the gain control characteristic of the variable gain device becomes almost zero.

【００６１】各段の可変利得装置１（図８と同一）にお
いて、回路定数をＩ１＝１ｍＡ、Ｉ２＝０．１ｍＡ、Ｒ
Ｅ１＝１００Ω、ＲＥ２＝１ｋΩ、ＲＬ＝５００Ωとし
たものを５段継続接続し、各段のオフセット電圧Ｖｏｆ
ｆｎを｛０．１×（ｎ−３）｝Ｖ（ｎは１から５の整
数）とした場合の利得制御特性を図１０に示している。
図１４と比較して、利得制御特性の温度依存性がほぼ零
となり、大幅に改善されていることが分かる。In the variable gain device 1 of each stage (same as FIG. 8), the circuit constants are I1 = 1 mA, I2 = 0.1 mA, R
E1 = 100Ω, RE2 = 1kΩ, RL = 500Ω are connected continuously for 5 stages, and the offset voltage Vof of each stage is connected.
FIG. 10 shows gain control characteristics when fn is set to {0.1 × (n−3)} V (n is an integer of 1 to 5).
As compared with FIG. 14, the temperature dependence of the gain control characteristic is almost zero, and it can be seen that the gain control characteristic is greatly improved.

【００６２】（第３の実施形態）第３の実施形態では、
図２の利得制御電圧印加装置に比して、近似的にではあ
るが、より簡潔に実利得制御電圧Ｖｃｄ０をＶＴ比例に
設定できる利得制御電圧印加装置の例を図５の回路図で
示す。(Third Embodiment) In the third embodiment,
FIG. 5 is a circuit diagram of an example of a gain control voltage application device capable of setting the actual gain control voltage Vcd0 in a more simplified manner, though approximately, as compared with the gain control voltage application device of FIG.

【００６３】トランジスタ41と42の各エミッタ、トラン
ジスタ43と44の各エミッタ、トランジスタ45と46の各エ
ミッタ、及びトランジスタ47と48の各エミッタは、それ
ぞれ同一の電流値をもった電流源51、電流源52、電流源
53、及び電流源54を介して接地されている。トランジス
タ41と42の各ベース間には利得制御電圧Ｖｃｄとオフセ
ット電圧３Ｖｄとの差電圧（Ｖｃｄ−３Ｖｄ）が与えら
れ、同様にして、トランジスタ43と44の各ベース間には
（Ｖｃｄ−Ｖｄ）が与えられている。また、トランジス
タ45と46の各ベース間には利得制御電圧Ｖｃｄとオフセ
ット電圧Ｖｄとの和電圧（Ｖｃｄ＋Ｖｄ）が与えられ、
同様にして、トランジスタ47と48の各ベース間には（Ｖ
ｃｄ＋３Ｖｄ）が与えられている。トランジスタ41、4
3、45及び47の各コレクタは、抵抗49を介して電源に接
続されている。また、トランジスタ42、44、46及び48の
各コレクタは、抵抗50を介して電源に接続されている。
トランジスタ47、48の各コレクタ間から発生する電圧が
可変利得装置１の実利得制御電圧Ｖｃｄ０となる。The emitters of the transistors 41 and 42, the emitters of the transistors 43 and 44, the emitters of the transistors 45 and 46, and the emitters of the transistors 47 and 48 are connected to a current source 51 having the same current value. Source 52, current source
53, and a current source 54 are grounded. A difference voltage (Vcd−3Vd) between the gain control voltage Vcd and the offset voltage 3Vd is applied between the bases of the transistors 41 and 42, and similarly, (Vcd−Vd) is applied between the bases of the transistors 43 and 44. Is given. A sum voltage (Vcd + Vd) of the gain control voltage Vcd and the offset voltage Vd is applied between the bases of the transistors 45 and 46,
Similarly, between each base of transistors 47 and 48, (V
cd + 3Vd). Transistors 41, 4
The collectors of 3, 45 and 47 are connected to a power supply via a resistor 49. The collectors of the transistors 42, 44, 46 and 48 are connected to a power supply via a resistor 50.
The voltage generated between the collectors of the transistors 47 and 48 becomes the actual gain control voltage Vcd0 of the variable gain device 1.

【００６４】次に、図５に示した回路の動作について説
明する。電流源51は常温で（Ｖｃｄ０ａ／ＲＡ）の電流
値を持ち、ＶＴ／Ｒ比例の電流を出力する。このような
特性をもつ電流は、通称バンドギャップ回路と呼ばれる
回路により、容易に得ることができる。電流源51の電流
値Ｉ51は（式２３）と同様に、（式３３）で与えられ
る。 Ｉ５１＝Ｖｃｄ０ａ（１＋β△Ｔ）／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝（式３３）Next, the operation of the circuit shown in FIG. 5 will be described. The current source 51 has a current value of (Vcd0a / RA) at normal temperature and outputs a current proportional to VT / R. A current having such characteristics can be easily obtained by a circuit generally called a band gap circuit. The current value I51 of the current source 51 is given by (Equation 33), similarly to (Equation 23). I51 = Vcd0a (1 + β △ T) / {RA (1 + α △ T)} (Equation 33)

【００６５】Ｖｃｄ０は利得制御電圧Ｖｃｄに応じて、
電流源51から54の電流が分割され抵抗49、50に流れるこ
とで得られる。抵抗49、50の常温での抵抗値をそれぞれ
ＲＡとすると、抵抗49、50の抵抗値はＲＡ（１＋α△
Ｔ）で与えられるため、Ｖｃｄ０は（式３４）のように
表される。 Ｖｃｄ０＝ＭＴ・Ｖｃｄ０ａ（１＋β△Ｔ） （式３４） ただし、ＭＴは、（式３５）で表される。 ＭＴ＝{(Ｍ１−１）/（Ｍ１＋１）＋・・・＋（Ｍ４−１）/（Ｍ４＋１)｝ （式３５） ここで、Ｍｎ（ｎは１から４の整数）は、（式３６）で
表される。 Ｍｎ＝ｅｘｐ〔｛Ｖｃｄ−（２ｎ−５）Ｖｄ｝／ＶＴ〕 （式３６）Vcd0 is determined according to the gain control voltage Vcd.
The current is obtained by dividing the current from the current sources 51 to 54 and flowing through the resistors 49 and 50. Assuming that the resistance values of the resistors 49 and 50 at normal temperature are RA, the resistance values of the resistors 49 and 50 are RA (1 + α △
Tcd), Vcd0 is expressed as (Equation 34). Vcd0 = MT · Vcd0a (1 + β △ T) (Expression 34) where MT is expressed by (Expression 35). MT = {(M1-1) / (M1 + 1) +... + (M4-1) / (M4 + 1)} (Equation 35) Here, Mn (n is an integer of 1 to 4) is expressed by (Equation 36) It is represented by Mn = exp [{Vcd- (2n-5) Vd} / VT] (Equation 36)

【００６６】ここで、可変利得装置を複数段に継続接続
し、各段の可変利得装置の利得制御電圧にオフセット電
圧を与えて、各段の利得制御幅を適当に重ね合わせるこ
とで、より広い利得制御幅を持たせたように、Ｖｄの値
を適当な値（ＶＴ程度）に設定すると、ＭＴはより広い
Ｖｃｄの範囲で、近似的にＶｃｄに比例する。この範囲
は、図５に示した差動対の数を増やすことで、拡大可能
である。Here, the variable gain devices are continuously connected to a plurality of stages, an offset voltage is applied to the gain control voltages of the variable gain devices of each stage, and the gain control widths of the stages are appropriately overlapped, so that a wider range is obtained. When the value of Vd is set to an appropriate value (approximately VT) so as to have a gain control width, MT is approximately proportional to Vcd in a wider Vcd range. This range can be expanded by increasing the number of differential pairs shown in FIG.

【００６７】ＭＴがＶｃｄに比例するならば、ＭＴはｋ
・Ｖｃｄの形で表せるので、（式３４）は（式３７）の
ように書き表せる。 Ｖｃｄ０＝ｋ・Ｖｃｄ・Ｖｃｄ０ａ（１＋β△Ｔ） （式３７） この式は、（式２９）と本質的に等価であり、Ｖｃｄ０
がＶＴ比例に設定できていることが分かる。If MT is proportional to Vcd, then MT is k
Since it can be expressed in the form of Vcd, (Equation 34) can be expressed as (Equation 37). Vcd0 = k · Vcd · Vcd0a (1 + β △ T) (Expression 37) This expression is essentially equivalent to (Expression 29), and Vcd0
Can be set in proportion to VT.

【００６８】この方法によれば、図２に示した利得制御
電圧印加装置と異なり、集積回路化した場合でも、外付
けの抵抗を必要とせず、かつ、集積回路内部の抵抗値の
バラツキを補償するために、外付けの抵抗値を調整する
ことも不必要となる。According to this method, unlike the gain control voltage applying device shown in FIG. 2, even when an integrated circuit is formed, an external resistor is not required and the variation in the resistance value inside the integrated circuit is compensated. Therefore, it is not necessary to adjust the external resistance value.

【００６９】さらに、図４のオフセット電圧印加装置を
併用することで、図３に示すような複数段に継続接続し
た可変利得装置からなる利得制御装置を構成することも
可能である。Further, by using the offset voltage applying device of FIG. 4 together, it is possible to configure a gain control device including variable gain devices continuously connected in a plurality of stages as shown in FIG.

【００７０】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態における利得制御装置を図６に示す。可変利得装置１
の利得制御端子Ｖｃ、Ｖｃｘには、利得制御電圧印加装
置５が接続されており、利得制御電圧印加装置５によっ
てｎビットのディジタル信号（Ｄ１〜Ｄｎ）から変換さ
れた実利得制御電圧Ｖｃｄ０が与えられている。なお、
可変利得装置１は図８の可変利得装置と同一のものであ
る。(Fourth Embodiment) FIG. 6 shows a gain control device according to a fourth embodiment of the present invention. Variable gain device 1
A gain control voltage application device 5 is connected to the gain control terminals Vc and Vcx, and an actual gain control voltage Vcd0 converted from n-bit digital signals (D1 to Dn) by the gain control voltage application device 5 is applied. Have been. In addition,
The variable gain device 1 is the same as the variable gain device of FIG.

【００７１】利得制御電圧印加装置５の回路例として、
ディジタル信号が４ビットの場合を図７に示す。トラン
ジスタ61と62の各エミッタは電流源71を介して接地さ
れ、トランジスタ63と64の各エミッタは電流源71の２倍
の電流値をもつ電流源72を介して接地され、トランジス
タ65と66の各エミッタは電流源71の４倍の電流値をもつ
電流源73を介して接地され、トランジスタ67と68の各エ
ミッタは電流源71の８倍の電流値をもつ電流源74を介し
て接地されている。トランジスタ62、64、66及び68の各
ベースにディジタル信号Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３及びＤ４が与
えられ（Ｄ１が最下位ビット、Ｄ４が最上位ビットとす
る）、各コレクタは抵抗69を介して、電源に接続されて
いる。また、トランジスタ61、63、65及び67の各ベース
にスレショルド電圧ＶＴＨが与えられ、各コレクタは電
源に接続されている。抵抗69に発生する電圧が可変利得
装置１の実利得制御電圧Ｖｃｄ０となる。As a circuit example of the gain control voltage application device 5,
FIG. 7 shows a case where the digital signal is 4 bits. The emitters of the transistors 61 and 62 are grounded via a current source 71, the emitters of the transistors 63 and 64 are grounded via a current source 72 having twice the current value of the current source 71, and the transistors 65 and 66 Each emitter is grounded via a current source 73 having a current value four times the current source 71, and each emitter of transistors 67 and 68 is grounded via a current source 74 having a current value eight times the current source 71. ing. Digital signals D1, D2, D3 and D4 are applied to the bases of the transistors 62, 64, 66 and 68 (D1 is the least significant bit and D4 is the most significant bit). It is connected to the. A threshold voltage VTH is applied to each base of the transistors 61, 63, 65 and 67, and each collector is connected to a power supply. The voltage generated at the resistor 69 becomes the actual gain control voltage Vcd0 of the variable gain device 1.

【００７２】次に、図７に示した回路の動作について説
明する。ディジタル信号（Ｄ１〜Ｄ４）は論理が“１”
のとき、電源電圧を出力し、論理が“０”のとき、０Ｖ
を出力するものとし、スレショルド電圧ＶＴＨを電源電
圧の１／２に設定したとする。電流源71は常温で（Ｖｃ
ｄ０ｂ／ＲＡ）の電流値を持ち、ＶＴ／Ｒ比例の電流を
出力する。このような特性を持つ電流は、通称バンドギ
ャップ回路と呼ばれる回路により、容易に得ることがで
きる。電流源71の電流値Ｉ71は（式２３）と同様に、
（式３８）で与えられる。 Ｉ７１＝Ｖｃｄ０ｂ（１＋β△Ｔ）／｛ＲＡ（１＋α△Ｔ）｝（式３８） ここで、抵抗69の常温での抵抗値をＲＡとすると、抵抗
69の抵抗値はＲＡ（１＋α△Ｔ）で与えられるため、デ
ィジタル信号Ｄ１〜Ｄ４に応じて出力される実利得制御
電圧Ｖｃｄ０は、抵抗Ｒ69に発生する電圧差として（式
３９）のように表される。 Ｖｃｄ０＝(Ｄ１＋２・Ｄ２＋４・Ｄ３＋８・Ｄ４)Ｖｃｄ０ｂ(１＋β△Ｔ) （式３９） ただし、ディジタル信号Ｄ１〜Ｄ４は０か１の値をとる
ものとする。Next, the operation of the circuit shown in FIG. 7 will be described. The logic of the digital signals (D1 to D4) is "1".
When the logic is “0”, the power supply voltage is output.
And the threshold voltage VTH is set to の of the power supply voltage. The current source 71 is at room temperature (Vc
d0b / RA), and outputs a VT / R proportional current. A current having such characteristics can be easily obtained by a circuit generally called a band gap circuit. The current value I71 of the current source 71 is given by
It is given by (Equation 38). I71 = Vcd0b (1 + β △ T) / {RA (1 + α △ T)} (Equation 38) Here, assuming that the resistance value of the resistor 69 at room temperature is RA,
Since the resistance value of 69 is given by RA (1 + α △ T), the actual gain control voltage Vcd0 output according to the digital signals D1 to D4 is expressed as a voltage difference generated in the resistor R69 as shown in (Equation 39). Is done. Vcd0 = (D1 + 2 · D2 + 4 · D3 + 8 · D4) Vcd0b (1 + β △ T) (Equation 39) Here, the digital signals D1 to D4 assume a value of 0 or 1.

【００７３】よって、Ｖｃｄ０はディジタル信号Ｄ１か
らＤ４に応じて、離散的（Ｖｃｄ０ｂ（１＋β△Ｔ）ス
テップで１６値）にではあるが、ＶＴ比例に設定するこ
とができる。Therefore, Vcd0 can be set discretely (16 values in steps of Vcd0b (1 + β △ T)) but proportional to VT according to digital signals D1 to D4.

【００７４】ところで、図１に示した利得制御装置にお
ける利得制御電圧Ｖｃｄは、実際にはＤＡコンバータ出
力により得られる電圧であることが多く、図６のような
構成をとることで、利得制御装置としての機能が損なわ
れることはない。また、利得制御電圧印加装置５は、図
２に使用される利得制御印加装置と異なり、ディジタル
信号により制御されるため、利得制御電圧印加装置出力
が素子バラツキの影響を受けにくいという利点がある。Incidentally, the gain control voltage Vcd in the gain control device shown in FIG. 1 is often a voltage actually obtained from the output of the DA converter, and the gain control device shown in FIG. Function is not impaired. Further, since the gain control voltage applying device 5 is controlled by a digital signal, unlike the gain control applying device used in FIG. 2, there is an advantage that the output of the gain control voltage applying device is hardly affected by element variations.

【００７５】なお、図６ではディジタル信号のビット数
と同数の制御端子を必要としているが、ディジタル信号
をパラレル−シリアル変換することにより、制御端子を
１本にすることも可能である。Although FIG. 6 requires the same number of control terminals as the number of bits of the digital signal, the number of control terminals can be reduced to one by converting the digital signal from parallel to serial.

【００７６】さらに、図４のオフセット電圧印加装置を
併用することで、図３に示すような複数段に継続接続し
た可変利得制御装置からなる利得制御装置を構成するこ
とも可能である。Further, by using the offset voltage applying device shown in FIG. 4 together, it is possible to construct a gain control device comprising variable gain control devices continuously connected in a plurality of stages as shown in FIG.

【００７７】[0077]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の利得制御装置は、利得制御電圧に、熱電圧と同等の温
度係数を持たせることで、可変利得装置の利得制御特性
の温度依存性をほぼ零にすることができる。As is apparent from the above description, the gain control device according to the present invention provides the gain control voltage with the same temperature coefficient as the thermal voltage, so that the gain control characteristic of the variable gain device depends on the temperature. Sex can be made almost zero.

【００７８】また、複数段に継続接続した可変利得装置
を具備する利得制御装置では、広い利得制御幅を持ち、
優れた直線性を持つとともに、温度依存性がほぼ零の利
得制御特性を持つことができる。Also, a gain control device having a variable gain device continuously connected to a plurality of stages has a wide gain control width,
It has excellent linearity and gain control characteristics with almost zero temperature dependence.

【００７９】また、利得制御電圧印加装置を完全に集積
回路化することで、外付け部品による調整が不要とな
る。Further, by completely integrating the gain control voltage applying device with an integrated circuit, adjustment by external components becomes unnecessary.

【００８０】また、利得制御電圧印加装置をディジタル
信号で制御できる構成にすることにより、素子バラツキ
などの影響を受けにくくなる。Further, by configuring the gain control voltage applying device to be able to be controlled by a digital signal, it is less susceptible to variations in elements.

【００８１】また、本発明の利得制御方法は、単一また
は継続接続した複数の可変利得装置から成る利得制御装
置の利得制御特性を、その温度依存性がほぼ零になるよ
うに制御することができる。Further, according to the gain control method of the present invention, it is possible to control a gain control characteristic of a gain control device comprising a single or a plurality of continuously connected variable gain devices such that its temperature dependence becomes substantially zero. it can.

【００８２】また、この利得制御装置を装備した携帯端
末装置や基地局は、通信システムの厳しい温度特性の要
求に応えることができる。Further, a portable terminal device and a base station equipped with this gain control device can meet the demands of severe temperature characteristics of the communication system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施形態における利得制御装置
を示すブロック図、FIG. 1 is a block diagram showing a gain control device according to a first embodiment of the present invention;

【図２】本発明の第１の実施形態における利得制御電圧
印加装置を示すブロック図、FIG. 2 is a block diagram showing a gain control voltage application device according to the first embodiment of the present invention;

【図３】本発明の第２の実施形態における利得制御装置
を示すブロック図、FIG. 3 is a block diagram showing a gain control device according to a second embodiment of the present invention;

【図４】本発明の第２の実施形態における利得制御電圧
印加装置及びオフセット電圧印加装置を示す回路図、FIG. 4 is a circuit diagram showing a gain control voltage application device and an offset voltage application device according to a second embodiment of the present invention;

【図５】本発明の第３の実施形態における利得制御電圧
印加装置を示す回路図、FIG. 5 is a circuit diagram showing a gain control voltage application device according to a third embodiment of the present invention;

【図６】本発明の第４の実施形態における利得制御装置
を示すブロック図、FIG. 6 is a block diagram showing a gain control device according to a fourth embodiment of the present invention;

【図７】本発明の第４の実施形態における利得制御電圧
印加装置を示す回路図、FIG. 7 is a circuit diagram showing a gain control voltage application device according to a fourth embodiment of the present invention;

【図８】従来の利得制御装置に用いられる可変利得装置
の具体回路図、FIG. 8 is a specific circuit diagram of a variable gain device used in a conventional gain control device;

【図９】本発明の第１の実施形態における利得制御特性
の温度特性、FIG. 9 shows a temperature characteristic of a gain control characteristic according to the first embodiment of the present invention,

【図１０】本発明の第２の実施形態における利得制御特
性の温度特性、FIG. 10 shows a temperature characteristic of a gain control characteristic according to the second embodiment of the present invention;

【図１１】従来の利得制御装置に用いられる可変利得装
置の利得制御特性（常温）、FIG. 11 shows a gain control characteristic (normal temperature) of a variable gain device used in a conventional gain control device,

【図１２】従来の利得制御装置に用いられる可変利得装
置の利得制御特性（温度特性）、FIG. 12 shows gain control characteristics (temperature characteristics) of a variable gain device used in a conventional gain control device;

【図１３】従来の利得制御装置に用いられる可変利得装
置を５段継続接続した場合の利得制御特性（常温）、FIG. 13 shows gain control characteristics (normal temperature) when five stages of variable gain devices used in a conventional gain control device are continuously connected;

【図１４】従来の利得制御装置に用いられる可変利得装
置を５段継続接続した場合の利得制御特性（温度特性）
である。FIG. 14 shows gain control characteristics (temperature characteristics) when five stages of variable gain devices used in a conventional gain control device are continuously connected.
It is.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 可変利得装置 ２、３、５ 利得制御電圧印加装置 ４ オフセット電圧印加装置 11 ２出力カレントミラー回路 12 温度係数補正用カレントミラー回路 13、15、21〜25 電圧制御電流源 14、51〜54、71〜74、181、182、191、192 電流源 16、31〜35、49、50、69、171、172、183、193 抵抗 26〜30 オフセット電圧設定用電流源 41〜48、61〜68、101〜106、111〜116 トランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Variable gain device 2, 3, 5 Gain control voltage application device 4 Offset voltage application device 11 2 output current mirror circuit 12 Current mirror circuit for temperature coefficient correction 13, 15, 21 to 25 Voltage control current source 14, 51 to 54, 71-74, 181, 182, 191, 192 Current source 16, 31-35, 49, 50, 69, 171, 172, 183, 193 Resistance 26-30 Current source for offset voltage setting 41-48, 61-68, 101-106, 111-116 transistors

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J090 AA01 CA02 CA13 CA91 CN04 FA07 FN11 HA02 HA25 KA02 KA05 KA07 KA09 KA33 SA13 TA04 5J100 AA18 AA25 CA00 CA01 CA05 CA15 CA18 CA19 CA29 FA01 FA02 Continued on the front page F term (reference) 5J090 AA01 CA02 CA13 CA91 CN04 FA07 FN11 HA02 HA25 KA02 KA05 KA07 KA09 KA33 SA13 TA04 5J100 AA18 AA25 CA00 CA01 CA05 CA15 CA18 CA19 CA29 FA01 FA02

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 利得制御端子に与えられる利得制御電圧
により利得を可変する可変利得装置と、前記可変利得装
置の利得制御端子に利得制御電圧を与える利得制御電圧
印加装置とを備えた利得制御装置であって、前記利得制
御電圧が、熱電圧と同等の温度係数を持つことを特徴と
する利得制御装置。1. A gain control device comprising: a variable gain device that varies a gain by a gain control voltage applied to a gain control terminal; and a gain control voltage application device that applies a gain control voltage to a gain control terminal of the variable gain device. Wherein the gain control voltage has a temperature coefficient equivalent to a thermal voltage. 【請求項２】 利得制御端子に与えられる利得制御電圧
により利得を可変する複数の可変利得装置と、前記複数
の可変利得装置の各利得制御端子に電圧を与える利得制
御電圧印加装置と、前記複数の可変利得装置に印加され
る各利得制御電圧に対して、互いに異なるオフセット電
圧を与えるオフセット電圧印加装置とを備え、前記複数
の可変利得装置が継続接続されている利得制御装置であ
って、前記利得制御電圧と前記オフセット電圧とを加え
た電圧が、熱電圧と同等の温度係数を持つことを特徴と
する利得制御装置。2. A plurality of variable gain devices for varying a gain by a gain control voltage applied to a gain control terminal; a gain control voltage applying device for applying a voltage to each gain control terminal of the plurality of variable gain devices; For each gain control voltage applied to the variable gain device, comprising an offset voltage applying device that gives a different offset voltage, a gain control device wherein the plurality of variable gain devices are continuously connected, A gain control device, wherein a voltage obtained by adding a gain control voltage and the offset voltage has a temperature coefficient equivalent to a thermal voltage. 【請求項３】 利得制御電圧に応じて利得を可変する可
変利得装置の利得制御方法において、前記可変利得装置
に、熱電圧と同等の温度係数を持つ利得制御電圧を与え
ることを特徴とする利得制御方法。3. A gain control method for a variable gain device that varies a gain according to a gain control voltage, wherein a gain control voltage having a temperature coefficient equivalent to a thermal voltage is applied to the variable gain device. Control method. 【請求項４】 利得制御電圧に応じて利得を可変する複
数の可変利得装置を継続接続した利得制御装置の利得制
御方法において、前記複数の可変利得装置の各々に、共
通の利得制御電圧と互いに異なるオフセット電圧とを加
えた電圧に熱電圧と同等の温度係数を持たせて与えるこ
とを特徴とする利得制御方法。4. A gain control method for a gain control device, wherein a plurality of variable gain devices for varying a gain according to a gain control voltage are continuously connected, wherein each of the plurality of variable gain devices has a common gain control voltage and a common gain control voltage. A gain control method characterized in that a voltage obtained by adding a different offset voltage has a temperature coefficient equivalent to that of a thermal voltage and is given. 【請求項５】 前記利得制御電圧をディジタル信号によ
り生成することを特徴とする請求項１または２に記載の
利得制御装置。5. The gain control device according to claim 1, wherein the gain control voltage is generated by a digital signal. 【請求項６】 前記利得制御電圧をディジタル信号によ
り生成することを特徴とする請求項３または４に記載の
利得制御方法。6. The gain control method according to claim 3, wherein the gain control voltage is generated by a digital signal. 【請求項７】 請求項１、２または５に記載の利得制御
装置を具備する携帯端末装置。7. A portable terminal device comprising the gain control device according to claim 1. 【請求項８】 請求項１、２または５に記載の利得制御
装置を具備する基地局装置。8. A base station device comprising the gain control device according to claim 1. 【請求項９】 請求項７の携帯端末装置と請求項８の基
地局装置とから成る通信システム。9. A communication system comprising the portable terminal device according to claim 7 and the base station device according to claim 8.