JP2000058416A - Substrate processor and substrate processing method - Google Patents
Substrate processor and substrate processing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を回転させつ
つ基板上に塗布液を塗り広げる基板処理装置および基板
処理方法に関する。The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for spreading a coating liquid on a substrate while rotating the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板にフォトレジスト液等の塗布液を塗布するた
めに回転式の基板処理装置が用いられている。2. Description of the Related Art A rotary substrate processing apparatus is used to apply a coating liquid such as a photoresist liquid to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, and a glass substrate for an optical disk. ing.
【０００３】図５は従来の回転式の基板処理装置の一例
を示す概略断面図である。図５において、基板処理装置
は、基板１００を水平姿勢で保持して回転する回転保持
部１を備える。回転保持部１はモータ３の回転軸２の先
端に取り付けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。FIG. 5 is a schematic sectional view showing an example of a conventional rotary type substrate processing apparatus. In FIG. 5, the substrate processing apparatus includes a rotation holding unit 1 that holds and rotates the substrate 100 in a horizontal posture. The rotation holding unit 1 is attached to the tip of the rotation shaft 2 of the motor 3 and is driven to rotate around a vertical axis.
【０００４】回転保持部１に保持された基板１００の周
囲を取り囲むように飛散防止用カップ４が設けられてい
る。このカップ４は、上カップ４ａと下カップ４ｂとか
ら構成され、上カップ４ａは下カップ４ｂに着脱自在に
取り付けられている。上カップ４ａには開口部２０が設
けられ、下カップ４ｂの下部には廃液口７および複数の
排気口８が設けられている。排気口８は工場内の排気設
備に接続される。A scattering prevention cup 4 is provided so as to surround the periphery of the substrate 100 held by the rotation holding unit 1. The cup 4 includes an upper cup 4a and a lower cup 4b, and the upper cup 4a is detachably attached to the lower cup 4b. An opening 20 is provided in the upper cup 4a, and a waste liquid port 7 and a plurality of exhaust ports 8 are provided below the lower cup 4b. The exhaust port 8 is connected to exhaust equipment in the factory.
【０００５】回転保持部１の下方には、整流板６が配置
されている。この整流板６は、外周部に向かって斜め下
方に傾斜する傾斜面を有する。A current plate 6 is arranged below the rotation holding unit 1. The current plate 6 has an inclined surface inclined obliquely downward toward the outer peripheral portion.
【０００６】回転保持部１の上方には、基板１００上に
レジスト液を吐出するレジストノズル９が上下動可能か
つ基板１００の上方位置とカップ４外の待機位置との間
で移動可能に設けられている。また、基板１００の周縁
部の上方には、基板１００の周縁部のレジスト膜を除去
するためのリンス液を吐出するエッジリンスノズル１０
が上下動可能かつ基板１００の上方位置と待機位置との
間で移動可能に設けられている。さらに、基板１００の
下方には、基板１００の裏面を洗浄するためのリンス液
を吐出する複数のバックリンスノズル１１が配置されて
いる。A resist nozzle 9 for discharging a resist solution onto the substrate 100 is provided above the rotation holder 1 so as to be vertically movable and movable between a position above the substrate 100 and a standby position outside the cup 4. ing. An edge rinsing nozzle 10 for discharging a rinsing liquid for removing the resist film on the peripheral portion of the substrate 100 is provided above the peripheral portion of the substrate 100.
Are provided so as to be vertically movable and movable between a position above the substrate 100 and a standby position. Further, below the substrate 100, a plurality of back rinse nozzles 11 for discharging a rinse liquid for cleaning the back surface of the substrate 100 are arranged.
【０００７】レジスト液の塗布処理時には、上方から清
浄な空気流が上カップ４ａの開口部２０を通して基板１
００の表面に供給される。レジストノズル９から回転保
持部１に保持された基板１００上にレジスト液が吐出さ
れ、基板１００が回転することにより基板１００表面の
全体にレジスト液が塗り広げられる。At the time of applying the resist solution, a clean air flow is applied from above to the substrate 1 through the opening 20 of the upper cup 4a.
00 surface. The resist liquid is discharged from the resist nozzle 9 onto the substrate 100 held by the rotation holding unit 1, and the resist liquid is spread over the entire surface of the substrate 100 by rotating the substrate 100.
【０００８】このとき、余剰のレジスト液は基板１００
の回転による遠心力で基板１００の外方へ飛散し、カッ
プ４の内面に付着する。カップ４の内面に付着したレジ
スト液の一部は付着したまま残り、さらに残りはカップ
４の内面を伝って流れ落ち、廃液口７から外部へ排出さ
れる。At this time, the excess resist solution is supplied to the substrate 100
The particles are scattered out of the substrate 100 by the centrifugal force caused by the rotation of, and adhere to the inner surface of the cup 4. A part of the resist liquid adhering to the inner surface of the cup 4 remains adhering, and the rest flows down along the inner surface of the cup 4 and is discharged from the waste liquid port 7 to the outside.
【０００９】また、一部のレジスト液は、カップ４の内
面に衝突した際の衝撃でミスト（液体粒子）となる。こ
のミストは、基板１００の回転により生じるカップ４内
の旋回流に乗じて浮遊する。カップ４内に浮遊するミス
トは、上方から供給される清浄な空気流とともに基板１
００の外周部から整流板６の傾斜面に沿って下降し、整
流板６の下面側から排気口８に吸い込まれて外部の排気
設備により排出される。Further, some resist liquids become mist (liquid particles) by an impact when the resist liquid collides with the inner surface of the cup 4. The mist floats by multiplying the swirling flow in the cup 4 generated by the rotation of the substrate 100. The mist floating in the cup 4 is mixed with the clean air flow supplied from above,
From the outer peripheral portion of the rectifier plate 6, it descends along the inclined surface of the rectifier plate 6, is sucked into the exhaust port 8 from the lower surface side of the rectifier plate 6, and is discharged by an external exhaust facility.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】最近の高解像プロセス
では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少さ
せるために、レジスト膜の上部または下部に反射防止膜
を形成することが多くなっている。レジスト膜の上部に
形成される反射防止膜は、上部反射防止（ＴＡＲＣ；To
p Anti-reflection Coating)膜と呼ばれ、レジスト膜の
下部に形成される反射防止膜は、下部反射防止（ＢＡＲ
Ｃ；Bottom Anti-reflection Coating) 膜と呼ばれてい
る。In recent high-resolution processes, an antireflection film is often formed above or below a resist film in order to reduce standing waves and halation generated during exposure. I have. The anti-reflection film formed on the resist film has a top anti-reflection (TARC; To
p Anti-reflection Coating) film, which is formed under the resist film, is an anti-reflection coating (BAR).
C; Bottom Anti-reflection Coating)
【００１１】通常、下部反射防止膜の形成には、レジス
ト液と同様に有機溶媒が含まれた下部反射防止液が用い
られる。これに対して、上部反射防止膜の形成には、レ
ジスト膜を溶解しないようにかつ次工程の現像時に簡単
に除去できるように水溶性の酸性液からなる上部反射防
止液が用いられる。Normally, a lower anti-reflection solution containing an organic solvent is used for forming the lower anti-reflection film, similarly to the resist solution. On the other hand, in forming the upper anti-reflection film, an upper anti-reflection solution made of a water-soluble acidic solution is used so as not to dissolve the resist film and to easily remove the resist film during the development in the next step.
【００１２】このような産業廃棄物である有機溶媒と酸
性液とは分離して別々に廃棄する必要がある。そのた
め、下部反射防止液の塗布処理およびレジスト液の塗布
処理は同じ基板処理装置を用いて行うことが可能である
が、レジスト液の塗布処理および上部反射防止膜の塗布
処理は、別々の基板処理装置を用いて行う必要がある。It is necessary to separate the organic solvent and the acidic liquid, which are such industrial wastes, and discard them separately. Therefore, the coating treatment of the lower anti-reflection liquid and the coating treatment of the resist liquid can be performed using the same substrate processing apparatus. However, the coating treatment of the resist liquid and the coating treatment of the upper anti-reflection film are performed by different substrate treatments. It is necessary to use an apparatus.
【００１３】また、下部反射防止膜の形成を含むプロセ
スおよび上部反射防止膜の形成を含むプロセスを同じ基
板処理装置を用いて行うことはできない。Further, a process including formation of a lower antireflection film and a process including formation of an upper antireflection film cannot be performed using the same substrate processing apparatus.
【００１４】その結果、基板の処理コストが高くなると
ともに、基板の処理のためのスペースが大きくなる。As a result, the cost for processing the substrate increases, and the space for processing the substrate increases.
【００１５】本発明の目的は、別々に廃棄する必要があ
る複数の塗布液の塗布処理を行うことが可能な基板処理
装置および基板処理方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing a coating process of a plurality of coating solutions that need to be separately disposed.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手
段と、基板保持手段を回転駆動する回転駆動手段と、基
板保持手段に保持された基板上に第１の塗布液を供給す
る第１の塗布液供給手段と、基板保持手段に保持された
基板上に第２の塗布液を供給する第２の塗布液供給手段
と、基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むよ
うに設けられ、第１および第２の廃液口を有するカップ
と、第１の塗布液供給手段による第１の塗布液の供給時
に基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散する第
１の塗布液を第１の廃液口に導き、第２の塗布液供給手
段による第２の塗布液の供給時に基板保持手段に保持さ
れた基板から外方へ飛散する第２の塗布液を第２の廃液
口に導く塗布液案内手段とを備えたものである。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a substrate holding means for holding a substrate, a rotation driving means for rotating and driving the substrate holding means, and a holding means for holding the substrate. A first coating liquid supply unit for supplying a first coating liquid onto the substrate, a second coating liquid supply unit for supplying a second coating liquid onto the substrate held by the substrate holding unit, A cup provided to surround the periphery of the substrate held by the holding means and having first and second waste liquid ports, and a cup held by the substrate holding means when the first coating liquid supply means supplies the first coating liquid The first coating liquid scattered outward from the substrate is guided to the first waste liquid port, and the second coating liquid is supplied from the substrate held by the substrate holding means when the second coating liquid is supplied by the second coating liquid supply means. Coating solution that guides the second coating solution that scatters to the second waste liquid port It is obtained by a means.
【００１７】本発明に係る基板処理装置においては、基
板が基板保持手段に保持された状態で回転駆動される。
第１の塗布液の供給時には、基板上に第１の塗布液供給
手段により第１の塗布液が供給され、基板の回転による
遠心力で基板上に第１の塗布液が塗り広げられる。この
場合、基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散す
る第１の塗布液は、塗布液案内手段により第１の廃液口
に導かれ、第１の廃液口からカップの外部へ排出され
る。In the substrate processing apparatus according to the present invention, the substrate is rotated while being held by the substrate holding means.
When the first coating liquid is supplied, the first coating liquid is supplied to the substrate by the first coating liquid supply unit, and the first coating liquid is spread over the substrate by centrifugal force generated by the rotation of the substrate. In this case, the first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is guided to the first waste liquid port by the coating liquid guide means, and is discharged from the first waste liquid port to the outside of the cup. You.
【００１８】また、第２の塗布液の供給時には、基板上
に第２の塗布液供給手段により第２の塗布液が供給さ
れ、基板の回転による遠心力で基板上に第２の塗布液が
塗り広げられる。この場合、基板保持手段に保持された
基板から外方へ飛散する第２の塗布液は、塗布液案内手
段により第２の廃液口に導かれ、カップの外部へ排出さ
れる。When the second coating liquid is supplied, the second coating liquid is supplied onto the substrate by the second coating liquid supply means, and the second coating liquid is supplied onto the substrate by centrifugal force caused by the rotation of the substrate. Can be spread. In this case, the second coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is guided to the second waste liquid port by the coating liquid guiding means, and is discharged to the outside of the cup.
【００１９】このように、第１の塗布液および第２の塗
布液をそれぞれ第１の廃液口および第２の廃液口から排
出し、別々に廃棄することができるので、同じ基板処理
装置で第１の塗布液の塗布処理および第２の塗布液の塗
布処理を行うことが可能となる。したがって、基板の処
理コストが低減されるとともに、基板の処理のためのス
ペースが小さくなる。As described above, the first coating liquid and the second coating liquid can be discharged from the first waste liquid port and the second waste liquid port, respectively, and can be discarded separately. It is possible to perform the first coating liquid application processing and the second coating liquid application processing. Therefore, the processing cost of the substrate is reduced, and the space for processing the substrate is reduced.
【００２０】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、塗布液案内手
段は、基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲む
ようにカップ内に上下動可能に設けられた環状の遮蔽部
材と、第１の塗布液供給手段による第１の塗布液の供給
時に基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散する
第１の塗布液がカップの内面に当たりかつ第１の塗布液
供給手段による第２の塗布液の供給時に基板保持手段に
保持された基板から外方へ飛散する第２の塗布液が遮蔽
部材の内面に当たるように遮蔽部材を上下動させる遮蔽
部材駆動手段とを備え、第１の廃液口はカップの内面に
当たった第１の塗布液を排出可能な位置に設けられ、第
２の廃液口は遮蔽部材の内面に当たった第２の塗布液を
排出可能な位置に設けられたものである。The substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the coating liquid guiding means is provided in the cup so as to surround the periphery of the substrate held by the substrate holding means. An annular shielding member movably provided up and down, and a first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means when the first coating liquid is supplied by the first coating liquid supply means; When the second coating liquid supplied by the first coating liquid supply means is supplied by the first coating liquid supply means, the second coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means hits the inner surface of the shielding member. A first waste liquid port is provided at a position where the first coating liquid hitting the inner surface of the cup can be discharged, and a second waste liquid port hits the inner surface of the shielding member. At a position where the second coating liquid can be discharged It is what was kicked.
【００２１】この場合、第１の塗布液供給手段による第
１の塗布液の供給時には、基板保持手段に保持された基
板から外方へ飛散する第１の塗布液がカップの内面に当
たるように遮蔽部材駆動手段により遮蔽部材が上下動さ
れる。カップの内面に当たった第１の塗布液は、カップ
の内面を伝って第１の廃液口に流れ込み、第１の廃液口
からカップの外部に排出される。In this case, when the first coating liquid is supplied by the first coating liquid supply means, the first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is shielded so as to hit the inner surface of the cup. The shielding member is moved up and down by the member driving means. The first coating liquid that has hit the inner surface of the cup flows along the inner surface of the cup, flows into the first waste liquid port, and is discharged from the first waste liquid port to the outside of the cup.
【００２２】また、第２の塗布液供給手段による第２の
塗布液の供給時には、基板保持手段に保持された基板か
ら外方へ飛散する第２の塗布液が遮蔽部材の内面に当た
るように遮蔽部材駆動手段により遮蔽部材が上下動され
る。遮蔽部材の内面に当たった第２の塗布液は、遮蔽部
材の内面を伝って第２の廃液口に流れ込み、第２の廃液
口からカップの外部に排出される。Further, when the second coating liquid is supplied by the second coating liquid supply means, the second coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is shielded so as to hit the inner surface of the shielding member. The shielding member is moved up and down by the member driving means. The second coating liquid that has hit the inner surface of the shielding member flows along the inner surface of the shielding member, flows into the second waste liquid port, and is discharged from the second waste liquid port to the outside of the cup.
【００２３】第３の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、塗布液案内手
段は、カップ内で基板保持手段に保持された基板の周囲
を取り囲む環状の上部開口部を有する環状の第１の空間
と残りの第２の空間とを仕切る環状の仕切り部と、第１
の塗布液供給手段による第１の塗布液の供給時に基板保
持手段に保持された基板から外方へ飛散する第１の塗布
液が上部開口部を通して第１の空間に導かれかつ第２の
塗布液供給手段による第２の塗布液の供給時に基板保持
手段に保持された基板から外方へ飛散する第２の塗布液
が第２の空間に導かれるようにカップを上下動させるカ
ップ駆動手段とを備え、第１の廃液口は第１の空間に導
かれた第１の塗布液を排出可能な位置に設けられ、第２
の廃液口は第２の空間に導かれた第２の塗布液を排出可
能な位置に設けられたものである。According to a third aspect of the present invention, in the configuration of the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the coating liquid guiding means has an annular shape surrounding the periphery of the substrate held by the substrate holding means in the cup. An annular partition portion that separates an annular first space having an upper opening from the remaining second space;
When the first coating liquid is supplied by the first coating liquid supply means, the first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is guided to the first space through the upper opening, and the second coating liquid is supplied. Cup driving means for moving the cup up and down so that the second coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means when the second coating liquid is supplied by the liquid supply means is guided to the second space; A first waste liquid port is provided at a position where the first coating liquid guided to the first space can be discharged, and a second waste liquid port is provided.
The waste liquid port is provided at a position where the second coating liquid guided to the second space can be discharged.
【００２４】この場合、第１の塗布液供給手段による第
１の塗布液の供給時には、基板保持手段に保持された基
板から外方へ飛散する第１の塗布液が環状の上部開口部
を通して第１の空間に導かれるようにカップ駆動手段に
よりカップが上下動される。第１の空間に導かれた第１
の塗布液は、第１の廃液口からカップの外部に排出され
る。In this case, when the first coating liquid is supplied by the first coating liquid supply means, the first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means passes through the ring-shaped upper opening. The cup is moved up and down by the cup driving means so as to be guided to the space 1. The first led to the first space
Is discharged from the first waste liquid port to the outside of the cup.
【００２５】また、第２の塗布液供給手段による第２の
塗布液の供給時には、基板保持手段に保持された基板か
ら外方へ飛散する第２の塗布液が第２の空間に導かれる
ようにカップ駆動手段によりカップが上下動される。第
２の空間に導かれた第２の塗布液は、第２の廃液口から
カップの外部に排出される。When the second coating liquid is supplied by the second coating liquid supply means, the second coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is guided to the second space. The cup is moved up and down by the cup driving means. The second coating liquid guided to the second space is discharged to the outside of the cup from the second waste liquid port.
【００２６】第４の発明に係る基板処理装置は、第５の
発明に係る基板処理装置の構成において、第１および第
２の塗布液の一方は有機溶媒を含む液であり、第１およ
び第２の塗布液の他方は酸性液であることを特徴とす
る。A substrate processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, wherein one of the first and second coating liquids is a liquid containing an organic solvent, The other of the two coating solutions is an acidic solution.
【００２７】この場合、有機溶媒を含む液および酸性液
の一方が第１の廃液口からカップの外部に排出され、有
機溶媒を含む液および酸性液の他方が第２の廃液口から
カップの外部に排出される。それにより、有機溶媒を含
む液および酸性液を別々に廃棄することが可能になる。
したがって、有機溶媒を含む液の塗布処理および酸性液
の塗布処理を同じ基板処理装置で行うことが可能とな
る。In this case, one of the liquid containing the organic solvent and the acidic liquid is discharged from the first waste liquid port to the outside of the cup, and the other of the liquid containing the organic solvent and the acidic liquid is discharged from the second waste liquid port to the outside of the cup. Is discharged. This makes it possible to separately discard the liquid containing the organic solvent and the acidic liquid.
Therefore, it is possible to perform the application processing of the liquid containing the organic solvent and the application processing of the acidic liquid by the same substrate processing apparatus.
【００２８】第５の発明に係る基板処理装置は、第１、
第２または第３の発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第１および第２の塗布液の一方は下部反射防止膜の
形成のための下部反射防止液であり、第１および第２の
塗布液の他方は上部反射防止膜の形成のための上部反射
防止液であることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising:
In the configuration of the substrate processing apparatus according to the second or third invention, one of the first and second coating solutions is a lower antireflection solution for forming a lower antireflection film, and the first and second coating solutions are used. The other of the liquid is an upper anti-reflection liquid for forming an upper anti-reflection film.
【００２９】この場合、第１の反射防止液および第２の
反射防止液の一方が第１の廃液口からカップの外部に排
出され、第１の反射防止液および第２の反射防止液の他
方が第２の廃液口からカップの外部に排出される。それ
により、第１の反射防止液および第２の反射防止液を別
々に廃棄することが可能になる。したがって、第１の反
射防止液の塗布処理および第２の反射防止液の塗布処理
を同じ基板処理装置で行うことが可能となる。In this case, one of the first antireflection liquid and the second antireflection liquid is discharged to the outside of the cup from the first waste liquid port, and the other of the first antireflection liquid and the second antireflection liquid is used. Is discharged from the second waste liquid port to the outside of the cup. This makes it possible to separately discard the first anti-reflection liquid and the second anti-reflection liquid. Therefore, it is possible to perform the application processing of the first antireflection liquid and the application processing of the second antireflection liquid in the same substrate processing apparatus.
【００３０】第６の発明に係る基板処理装置は、第１、
第２または第３の発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第１および第２の塗布液の一方はレジスト膜の形成
のためのレジスト液であり、第１および第２の塗布液の
他方は上部反射防止膜の形成のための上部反射防止液で
あることを特徴とする。A substrate processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention comprises:
In the configuration of the substrate processing apparatus according to the second or third invention, one of the first and second coating liquids is a resist liquid for forming a resist film, and the other of the first and second coating liquids is It is an upper anti-reflection liquid for forming an upper anti-reflection film.
【００３１】この場合、レジスト液および上部反射防止
液の一方が第１の廃液口からカップの外部に排出され、
レジスト液および上部反射防止液の他方が第２の廃液口
からカップの外部に排出される。それにより、レジスト
液および上部反射防止液を別々に廃棄することができ
る。したがって、レジスト液の塗布処理および上部反射
防止液の塗布処理を同じ基板処理装置で行うことが可能
となる。In this case, one of the resist liquid and the upper antireflection liquid is discharged from the first waste liquid port to the outside of the cup,
The other of the resist liquid and the upper anti-reflection liquid is discharged to the outside of the cup from the second waste liquid port. Thereby, the resist liquid and the upper antireflection liquid can be separately disposed. Therefore, the application processing of the resist liquid and the application processing of the upper antireflection liquid can be performed by the same substrate processing apparatus.
【００３２】第７の発明に係る基板処理方法は、基板の
周囲を取り囲むように設けられ、第１および第２の廃液
口を有するカップ内で基板に処理を行う基板処理方法で
あって、第１の塗布液の塗布処理時に、基板を回転させ
つつ基板上に第１の塗布液を供給するとともに、基板か
ら外方へ飛散する第１の塗布液を塗布液案内手段により
第１の廃液口に導く工程と、第２の塗布液の塗布処理時
に、基板を回転させつつ基板上に第２の塗布液を供給す
るとともに、基板から外方へ飛散する第２の塗布液を塗
布液案内手段により第２の廃液口に導く工程とを備えた
ものである。A substrate processing method according to a seventh aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate in a cup provided so as to surround the periphery of the substrate and having first and second waste liquid ports. In applying the first coating liquid, the first coating liquid is supplied onto the substrate while rotating the substrate, and the first coating liquid scattered outward from the substrate is supplied to the first waste liquid port by the coating liquid guiding means. And supplying the second coating solution onto the substrate while rotating the substrate during the coating process of the second coating solution, and guiding the second coating solution scattered outward from the substrate to the coating solution guiding means. And a step of leading to the second waste liquid port.
【００３３】本発明に係る基板処理方法においては、第
１の塗布液の塗布処理時に、回転する基板上に第１の塗
布液が供給され、基板から外方へ飛散する第１の塗布液
が塗布液案内手段により第１の廃液口に導かれる。ま
た、第２の塗布液の塗布処理時に、回転する基板上に第
２の塗布液が供給され、基板から外方へ飛散する第２の
塗布液が塗布液案内手段により第２の廃液口に導かれ
る。In the substrate processing method according to the present invention, at the time of applying the first coating liquid, the first coating liquid is supplied onto the rotating substrate, and the first coating liquid scattered outward from the substrate is removed. The liquid is guided to the first waste liquid port by the coating liquid guiding means. Further, during the coating process of the second coating liquid, the second coating liquid is supplied onto the rotating substrate, and the second coating liquid scattered outward from the substrate is applied to the second waste liquid port by the coating liquid guiding means. Be guided.
【００３４】このように、第１の塗布液および第２の塗
布液をそれぞれ第１の廃液口および第２の廃液口から排
出し、別々に廃棄することができるので、同じ基板処理
装置で第１の塗布液の塗布処理および第２の塗布液の塗
布処理を行うことが可能となる。したがって、基板の処
理コストが低減されるとともに、基板の処理のためのス
ペースが小さくなる。As described above, the first coating liquid and the second coating liquid can be discharged from the first waste liquid port and the second waste liquid port, respectively, and discarded separately. It is possible to perform the first coating liquid application processing and the second coating liquid application processing. Therefore, the processing cost of the substrate is reduced, and the space for processing the substrate is reduced.
【００３５】[0035]
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例にお
ける回転式の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a rotary type substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【００３６】図１において、基板処理装置は、基板１０
０を水平姿勢で保持して回転する回転保持部１を備え
る。回転保持部１はモータ３の回転軸２の先端に取り付
けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。In FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a substrate 10
0 is provided in a horizontal posture, and the rotation holding unit 1 rotates. The rotation holding unit 1 is attached to the tip of the rotation shaft 2 of the motor 3 and is driven to rotate around a vertical axis.
【００３７】回転保持部１に保持された基板１００の周
囲を取り囲むように飛散防止用の外側カップ５ａが設け
られている。また、外側カップ５ａの内側に、回転保持
部１に保持された基板１００の周囲を取り囲むように内
側カップ５ｂが上下動自在に設けられている。内側カッ
プ５ｂの上端は内方へ屈曲している。内側カップ５ｂ
は、エアシリンダ等の内側カップ駆動装置３３により上
下方向に駆動される。An outer cup 5a for preventing scattering is provided so as to surround the periphery of the substrate 100 held by the rotation holder 1. Further, inside the outer cup 5a, an inner cup 5b is provided to be vertically movable so as to surround the periphery of the substrate 100 held by the rotation holder 1. The upper end of the inner cup 5b is bent inward. Inner cup 5b
Is driven up and down by an inner cup driving device 33 such as an air cylinder.
【００３８】外側カップ５ａの上面側には開口部２０が
設けられている。また、外側カップ５ａの下部の外周部
側に有機溶媒用の廃液口７ａが設けられ、内側カップ５
ｂよりも内側における外側カップ５ａの下部に酸性液用
の廃液口７ｂが設けられている。廃液口７ａは、有機溶
媒用の配管を介して工場内の有機溶媒処理設備に接続さ
れ、廃液口７ｂは、酸性液用の配管を介して工場内の酸
性液処理設備に接続される。また、廃液口７ａおよび７
ｂは択一的に自動開閉されるものである。An opening 20 is provided on the upper surface side of the outer cup 5a. A waste liquid port 7a for an organic solvent is provided on the outer peripheral side at the lower portion of the outer cup 5a.
A waste liquid port 7b for an acidic liquid is provided below the outer cup 5a inside b. The waste liquid port 7a is connected to an organic solvent processing facility in the factory via an organic solvent pipe, and the waste liquid port 7b is connected to an acidic liquid processing facility in the factory via an acidic solution pipe. Further, the waste liquid ports 7a and 7
b is one that is automatically opened and closed alternatively.
【００３９】外側カップ５ａの下部のさらに内側に複数
の排気口８が設けられている。排気口８は、工場内の排
気設備に接続される。A plurality of exhaust ports 8 are provided further inside the lower portion of the outer cup 5a. The exhaust port 8 is connected to exhaust equipment in a factory.
【００４０】回転保持部１の下方には、整流板６が配置
されている。この整流板６は外周部に向かって斜め下方
に傾斜する傾斜面を有する。A current plate 6 is arranged below the rotation holding unit 1. The current plate 6 has an inclined surface inclined obliquely downward toward the outer peripheral portion.
【００４１】回転保持部１の上方には、基板１００上に
レジスト膜を形成するためのレジスト液を吐出するレジ
ストノズル９、基板１００上に下部反射防止膜（以下、
ＢＡＲＣ膜と呼ぶ）を形成するための下部反射防止液
（以下、ＢＡＲＣ液と呼ぶ）を吐出するＢＡＲＣノズル
３１および基板１００上に上部反射防止膜（以下、ＴＡ
ＲＣ膜と呼ぶ）を形成するための上部反射防止液（以
下、ＴＡＲＣ液と呼ぶ）を吐出するＴＡＲＣノズル３２
が、上下動可能かつ基板１００の上方位置と外側カップ
５ａ外の待機位置との間で移動可能に設けられている。A resist nozzle 9 for discharging a resist solution for forming a resist film on the substrate 100 is provided above the rotation holding unit 1, and a lower anti-reflection film (hereinafter, referred to as “resist”) is provided on the substrate 100.
A BARC nozzle 31 for discharging a lower anti-reflection liquid (hereinafter referred to as a BARC liquid) for forming a BARC film and an upper anti-reflection film (hereinafter referred to as a TARC film) are formed on the substrate 100.
TARC nozzle 32 for discharging an upper anti-reflection liquid (hereinafter, referred to as TARC liquid) for forming an RC film.
Are provided so as to be movable up and down and movable between a position above the substrate 100 and a standby position outside the outer cup 5a.
【００４２】レジスト液およびＢＡＲＣ液は有機溶媒を
含み、ＴＡＲＣ液は水溶性の酸性液からなる。The resist solution and the BARC solution contain an organic solvent, and the TARC solution is a water-soluble acidic solution.
【００４３】また、基板１００の周縁部の上方には、基
板１００の周縁部のレジスト膜を除去するためのシンナ
ー等のリンス液を吐出するエッジリンスノズル１０が上
下動可能かつ基板１００の上方位置と待機位置との間で
移動可能に設けられている。さらに、基板１００の下方
には、基板１００の裏面を洗浄するためのシンナー等の
リンス液を吐出する複数のバックリンスノズル１１が配
置されている。An edge rinsing nozzle 10 for discharging a rinsing liquid such as a thinner for removing the resist film on the peripheral portion of the substrate 100 is movable above and below the peripheral portion of the substrate 100 and can be moved vertically. And a standby position. Further, below the substrate 100, a plurality of back rinse nozzles 11 for discharging a rinse liquid such as a thinner for cleaning the back surface of the substrate 100 are arranged.
【００４４】制御部１２は、モータ３の回転数、レジス
トノズル９によるレジスト液の吐出タイミング、ＢＡＲ
Ｃノズル３１によるＢＡＲＣ液の吐出タイミング、ＴＡ
ＲＣノズル３２によるＴＡＲＣ液の吐出タイミング、エ
ッジリンスノズル１０によるリンス液の吐出タイミン
グ、バックリンスノズル１１によるリンス液の吐出タイ
ミング、および内側カップ駆動装置３３による内側カッ
プ５ｂの昇降動作を制御する。The control unit 12 controls the number of rotations of the motor 3, the timing at which the resist nozzle 9 discharges the resist solution,
BARC liquid ejection timing by C nozzle 31, TA
The discharge timing of the TARC liquid by the RC nozzle 32, the discharge timing of the rinse liquid by the edge rinse nozzle 10, the discharge timing of the rinse liquid by the back rinse nozzle 11, and the raising / lowering operation of the inner cup 5 b by the inner cup driving device 33 are controlled.
【００４５】本実施例では、回転保持部１が基板保持手
段に相当し、モータ３が回転駆動手段に相当し、レジス
トノズル９またはＢＡＲＣノズル３１が第１の塗布液供
給手段に相当し、ＴＡＲＣノズル３２が第２の塗布液供
給手段に相当する。また、内側カップ５ｂおよび内側カ
ップ駆動装置３３が塗布液案内手段を構成する。さら
に、内側カップ５ｂが遮蔽部材に相当し、内側カップ駆
動装置３３が遮蔽部材駆動手段に相当する。In this embodiment, the rotation holding unit 1 corresponds to the substrate holding means, the motor 3 corresponds to the rotation driving means, the resist nozzle 9 or the BARC nozzle 31 corresponds to the first coating liquid supply means, and the TARC The nozzle 32 corresponds to a second application liquid supply unit. Further, the inner cup 5b and the inner cup driving device 33 constitute a coating liquid guiding means. Further, the inner cup 5b corresponds to a shielding member, and the inner cup driving device 33 corresponds to a shielding member driving unit.
【００４６】次に、図１の基板処理装置の動作を説明す
る。まず、基板１００上にレジスト膜を形成した後、レ
ジスト膜上にＴＡＲＣ膜を形成する場合を説明する。Next, the operation of the substrate processing apparatus of FIG. 1 will be described. First, a case where a TARC film is formed on a resist film after forming a resist film on the substrate 100 will be described.
【００４７】図２は図１の基板処理装置の動作を説明す
るための要部断面図であり、（ａ）はレジスト液の塗布
処理を示し、（ｂ）はＴＡＲＣ液の塗布処理を示す。FIGS. 2A and 2B are main-portion cross-sectional views for explaining the operation of the substrate processing apparatus of FIG. 1, wherein FIG. 2A shows a coating process of a resist solution, and FIG. 2B shows a coating process of a TARC solution.
【００４８】レジスト液の塗布処理時には、図２（ａ）
に示すように、内側カップ５ｂは基板１００よりも下方
に位置している。上方から清浄な空気流が外側カップ５
ａの開口部２０を通して基板１００の表面に供給され
る。この状態で、回転保持部１に保持された基板１００
が所定の回転数で回転しつつ、レジストノズル９から基
板１００上にレジスト液が供給される。基板１００上に
供給されたレジスト液は、基板１００の回転により基板
１００の表面の全体に塗り広げられる。それにより、基
板１００上にレジスト膜が形成される。At the time of applying the resist solution, FIG.
As shown in the figure, the inner cup 5b is located below the substrate 100. Clean air flow from above
The liquid is supplied to the surface of the substrate 100 through the opening 20 of FIG. In this state, the substrate 100 held by the rotation holding unit 1
The resist liquid is supplied onto the substrate 100 from the resist nozzle 9 while rotating at a predetermined number of revolutions. The resist liquid supplied onto the substrate 100 is spread over the entire surface of the substrate 100 by the rotation of the substrate 100. Thereby, a resist film is formed on substrate 100.
【００４９】このとき、余剰のレジスト液２１は基板１
００の回転による遠心力で基板１００の外方へ飛散す
る。レジスト液２１の飛散方向は、基板１００の中心か
ら基板１００の水平面に対して上下に角度αの範囲内と
なる。この角度αは数°（例えば３°）である。この場
合、外側カップ５ａと内側カップ５ｂとの間に角度αに
相当する開口部が形成されるように内側カップ５ｂを下
降させておく必要がある。At this time, the excess resist solution 21
The particles are scattered outside the substrate 100 by the centrifugal force generated by the rotation of 00. The scattering direction of the resist liquid 21 is within a range of an angle α vertically from the center of the substrate 100 to the horizontal plane of the substrate 100. This angle α is several degrees (for example, 3 degrees). In this case, it is necessary to lower the inner cup 5b so that an opening corresponding to the angle α is formed between the outer cup 5a and the inner cup 5b.
【００５０】飛散したレジスト液２１は外側カップ５ａ
の内面に当たり、その内面を伝って下方に流れ落ち、廃
液口７ａに流れ込む。廃液口７ａに流れ込んだレジスト
液２１は、有機溶媒用の配管を通して有機溶媒処理設備
に導かれる。このとき、廃液口７ｂは閉止されていて、
逆流を防止している。The scattered resist solution 21 is applied to the outer cup 5a.
And flows down along the inner surface to flow into the waste liquid port 7a. The resist solution 21 flowing into the waste liquid port 7a is led to an organic solvent processing facility through an organic solvent pipe. At this time, the waste liquid port 7b is closed,
Prevents backflow.
【００５１】ＴＡＲＣ液の塗布処理時には、図２（ｂ）
に示すように、内側カップ５ｂが基板１００の外周部を
取り囲む位置まで上昇する。この状態で、回転保持部１
に保持された基板１００が所定の回転数で回転しつつ、
ＴＡＲＣノズル３２から基板１００上にＴＡＲＣ液が供
給される。基板１００上に供給されたＴＡＲＣ液は、基
板１００の回転による遠心力で基板１００上のレジスト
膜の表面の全体に塗り広げられる。それにより、基板１
００上のレジスト膜上にＴＡＲＣ膜が形成される。At the time of the TARC solution coating process, FIG.
As shown in (2), the inner cup 5b rises to a position surrounding the outer peripheral portion of the substrate 100. In this state, the rotation holding unit 1
While the substrate 100 held at a predetermined number of rotations,
The TARC liquid is supplied onto the substrate 100 from the TARC nozzle 32. The TARC liquid supplied on the substrate 100 is spread over the entire surface of the resist film on the substrate 100 by centrifugal force generated by the rotation of the substrate 100. Thereby, the substrate 1
Then, a TARC film is formed on the resist film on the substrate.
【００５２】このとき、余剰のＴＡＲＣ液２２は基板１
００の回転による遠心力で基板１００の外方へ飛散す
る。飛散したＴＡＲＣ液２２は内側カップ５ｂの内面に
当たり、その内面を伝って下方に流れ落ち、廃液口７ｂ
に流れ込む。廃液口７ｂに流れ込んだＴＡＲＣ液２２
は、酸性液用の配管を通して酸性液処理設備に導かれ
る。このとき、廃液口７ａは閉止されていて、逆流を防
止している。At this time, the excess TARC solution 22
The particles are scattered outside the substrate 100 by the centrifugal force generated by the rotation of 00. The scattered TARC liquid 22 hits the inner surface of the inner cup 5b, flows down along the inner surface, and flows down the waste liquid port 7b.
Flow into TARC liquid 22 flowing into waste liquid port 7b
Is led to an acidic liquid treatment facility through an acidic liquid pipe. At this time, the waste liquid port 7a is closed to prevent backflow.
【００５３】その後、基板１００が所定の回転数で回転
しつつ、エッジリンスノズル１０により回転する基板１
００の表面の周縁部にリンス液が吐出される。また、バ
ックリンスノズル１１により基板１００の裏面にリンス
液が吐出される。これにより、基板１００の周縁部に付
着したレジスト液が除去されるとともに基板１００の裏
面が洗浄される。さらに、基板１００が高速回転するこ
とにより基板１００上のリンス液が振り切られて基板１
００が乾燥する。Thereafter, the substrate 1 is rotated by the edge rinse nozzle 10 while the substrate 100 is rotating at a predetermined rotation speed.
The rinsing liquid is discharged to the peripheral edge of the surface of the surface No. 00. Further, the rinsing liquid is discharged to the back surface of the substrate 100 by the back rinsing nozzle 11. As a result, the resist liquid attached to the peripheral portion of the substrate 100 is removed, and the back surface of the substrate 100 is cleaned. Further, the rinsing liquid on the substrate 100 is shaken off by the high-speed rotation of the substrate 100, so that the substrate 1
00 dries.
【００５４】上記のように、レジスト液の塗布処理時に
内側カップ５ｂが下降し、ＴＡＲＣ液の塗布処理時に内
側カップ５ｂが上昇することにより、レジスト液は外側
カップ５ａの内面に当たって廃液口７ａに導かれ、ＴＡ
ＲＣ液は内側カップ５ｂの内面に当たって廃液口７ｂに
導かれる。それにより、有機溶媒を含むレジスト液と酸
性液からなるＴＡＲＣ液とを別々の配管を通して廃棄す
ることができる。As described above, when the inner cup 5b is lowered during the coating process of the resist solution and the inner cup 5b is raised during the coating process of the TARC solution, the resist solution hits the inner surface of the outer cup 5a and is guided to the waste liquid port 7a. He, TA
The RC liquid hits the inner surface of the inner cup 5b and is led to the waste liquid port 7b. Thereby, the resist solution containing the organic solvent and the TARC solution made of the acidic solution can be discarded through separate pipes.
【００５５】基板１００上にＢＡＲＣ膜を形成した後に
ＢＡＲＣ膜上にレジスト膜を形成する場合には、図２
（ａ）に示すように、内側カップ５ｂを基板１００より
も下方に下降させた状態で、ＢＡＲＣノズル３１から回
転する基板１００上にＢＡＲＣ液を供給することによ
り、基板１００上にＢＡＲＣ膜を形成する。このとき、
余剰のＢＡＲＣ液は基板１００の回転による遠心力で基
板１００の外方へ飛散し、飛散したＢＡＲＣ液は外側カ
ップ５ａの内面に当たり、その内面を伝って下方へ流れ
落ち、廃液口７ａに流れ込む。When a resist film is formed on the BARC film after forming the BARC film on the substrate 100, FIG.
As shown in (a), a BARC liquid is supplied from the BARC nozzle 31 onto the rotating substrate 100 with the inner cup 5b lowered below the substrate 100, thereby forming a BARC film on the substrate 100. I do. At this time,
Excess BARC liquid scatters outside the substrate 100 due to centrifugal force caused by the rotation of the substrate 100, and the scattered BARC liquid strikes the inner surface of the outer cup 5a, flows down along the inner surface, and flows into the waste liquid port 7a.
【００５６】その後、内側カップ５ｂを基板１００より
も下方に下降させたままで、レジストノズル９から回転
する基板１００上にレジスト液を供給することにより、
基板１００上のＢＡＲＣ膜上にレジスト膜を形成する。
このとき、余剰のレジスト液は基板１００の回転による
遠心力で基板１００の外方へ飛散し、飛散したレジスト
液は外側カップ５ａの内面に当たり、その内面を伝って
下方へ流れ落ち、廃液口７ａに流れ込む。Thereafter, a resist liquid is supplied from the resist nozzle 9 onto the rotating substrate 100 while the inner cup 5b is lowered below the substrate 100.
A resist film is formed on the BARC film on the substrate 100.
At this time, the excess resist liquid scatters outside the substrate 100 due to the centrifugal force caused by the rotation of the substrate 100, and the scattered resist liquid hits the inner surface of the outer cup 5a, flows down along the inner surface, and falls down to the waste liquid port 7a Flow in.
【００５７】このようにして、ＢＡＲＣ液およびレジス
ト液は、両方とも有機溶媒用の配管を通して有機溶媒処
理設備に導かれる。In this way, both the BARC solution and the resist solution are led to the organic solvent processing facility through the piping for the organic solvent.
【００５８】また、基板１００上にＢＡＲＣ膜、レジス
ト膜およびＴＡＲＣ液を形成する場合には、図２（ａ）
に示すように、内側カップ５ｂを基板１００よりも下方
に下降させた状態で、ＢＡＲＣノズル３１から回転する
基板１００上にＢＡＲＣ液を供給することにより、基板
１００上にＢＡＲＣ膜を形成した後、レジストノズル９
から回転する基板１００上にレジスト液を供給すること
により、基板１００上のＢＡＲＣ膜上にレジスト膜を形
成する。このとき、基板１００の外方へ飛散するＢＡＲ
Ｃ液およびレジスト液は外側カップ５ａの内面に当た
り、その内面を伝って下方へ流れ落ち、廃液口７ａに流
れ込む。When a BARC film, a resist film, and a TARC solution are formed on the substrate 100, FIG.
As shown in FIG. 5, after the BARC liquid is supplied from the BARC nozzle 31 onto the rotating substrate 100 in a state where the inner cup 5b is lowered below the substrate 100, a BARC film is formed on the substrate 100. Resist nozzle 9
By supplying a resist solution onto the substrate 100 that rotates from above, a resist film is formed on the BARC film on the substrate 100. At this time, the BAR scattered outside the substrate 100
The liquid C and the resist liquid hit the inner surface of the outer cup 5a, flow down along the inner surface, and flow into the waste liquid port 7a.
【００５９】その後、図２（ｂ）に示すように、内側カ
ップ５ｂを基板１００の外周部を取り囲む位置まで上昇
させた状態で、ＴＡＲＣノズル３２から回転する基板１
００上にＴＡＲＣ液を供給することにより、基板１００
上にＴＡＲＣ膜を形成する。このとき、基板１００の外
方へ飛散するＴＡＲＣ液は内側カップ５ｂの内面に当た
り、その内面を伝って下方へ流れ落ち、廃液口７ｂに流
れ込む。After that, as shown in FIG. 2B, the substrate 1 rotating from the TARC nozzle 32 with the inner cup 5b raised to a position surrounding the outer peripheral portion of the substrate 100.
By supplying the TARC liquid on the substrate 100, the substrate 100
A TARC film is formed thereon. At this time, the TARC liquid scattered outside the substrate 100 hits the inner surface of the inner cup 5b, flows down along the inner surface, and flows into the waste liquid port 7b.
【００６０】このようにして、ＢＡＲＣ液およびレジス
ト液は有機溶媒用の配管を通して有機溶媒処理設備に導
かれ、ＴＡＲＣ液は酸性液用の配管を通して酸性液処理
設備に導かれる。As described above, the BARC solution and the resist solution are led to the organic solvent processing facility through the pipe for the organic solvent, and the TARC solution is guided to the acidic solution processing facility through the pipe for the acidic solution.
【００６１】本実施例の基板処理装置においては、レジ
スト液の塗布処理およびＴＡＲＣ液の塗布処理を同一の
基板処理装置を用いて行うことができる。また、ＢＡＲ
Ｃ膜の形成を含むプロセスおよびＴＡＲＣ膜の形成を含
むプロセスを同じ基板処理装置を用いて行うことができ
る。In the substrate processing apparatus of the present embodiment, the coating processing of the resist solution and the coating processing of the TARC liquid can be performed using the same substrate processing apparatus. Also, BAR
The process including the formation of the C film and the process including the formation of the TARC film can be performed using the same substrate processing apparatus.
【００６２】その結果、基板の処理コストが低減される
とともに、基板の処理に要するスペースが小さくなる。
また、産業廃棄物である有機溶媒および酸性液を別々に
廃棄することができるので、環境保全に貢献することが
できる。As a result, the cost for processing the substrate is reduced, and the space required for processing the substrate is reduced.
Further, since the organic solvent and the acidic liquid, which are industrial wastes, can be separately disposed, it is possible to contribute to environmental conservation.
【００６３】図３は本発明の第２の実施例における回転
式の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of a rotary substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【００６４】図３の基板処理装置が図１の基板処理装置
と異なるのは、外側カップ５ａの代わりにカップ５が設
けられ、内側カップ５ｂの代わりに環状の仕切り部３５
が設けられ、内側カップ駆動装置３３の代わりにカップ
駆動装置３４が設けられている点である。The substrate processing apparatus of FIG. 3 is different from the substrate processing apparatus of FIG. 1 in that a cup 5 is provided in place of the outer cup 5a and an annular partition 35 instead of the inner cup 5b.
Are provided, and a cup driving device 34 is provided instead of the inner cup driving device 33.
【００６５】カップ駆動装置３４は、エアシリンダ等か
らなり、カップ５を上下方向に駆動する。仕切り部３５
は、カップ５内でそのカップ５の下部から上方に延びか
つ回転保持部１に保持された基板１００の周囲を取り囲
むように設けられている。仕切り部３５の上端は内方へ
屈曲している。この仕切り部３５によりカップ５内の外
周部の環状の第１の空間Ａとカップ５の中央部の第２の
空間Ｂとが仕切られている。The cup driving device 34 comprises an air cylinder or the like, and drives the cup 5 in the vertical direction. Partition part 35
Is provided in the cup 5 so as to extend upward from a lower portion of the cup 5 and surround the periphery of the substrate 100 held by the rotation holding unit 1. The upper end of the partition 35 is bent inward. The partition 35 divides an annular first space A in the outer periphery of the cup 5 and a second space B in the center of the cup 5.
【００６６】カップ５の上面と仕切り部３５の上端との
間には、環状開口部３６が形成されている。第１の空間
Ａは廃液口７ａにつながり、第２の空間Ｂは廃液口７ｂ
につながっている。図３の基板処理装置の他の部分の構
成は、図１の基板処理装置の構成と同様である。An annular opening 36 is formed between the upper surface of the cup 5 and the upper end of the partition 35. The first space A is connected to the waste liquid outlet 7a, and the second space B is connected to the waste liquid outlet 7b.
Is connected to The configuration of the other parts of the substrate processing apparatus of FIG. 3 is the same as the configuration of the substrate processing apparatus of FIG.
【００６７】本実施例では、仕切り部３５およびカップ
駆動装置３４が塗布液案内手段を構成する。In the present embodiment, the partition 35 and the cup driving device 34 constitute the application liquid guiding means.
【００６８】次に、図３の基板処理装置の動作を説明す
る。まず、基板１００上にレジスト膜を形成した後、レ
ジスト膜上にＴＡＲＣ膜を形成する場合を説明する。Next, the operation of the substrate processing apparatus shown in FIG. 3 will be described. First, a case where a TARC film is formed on a resist film after forming a resist film on the substrate 100 will be described.
【００６９】図４は図３の基板処理装置の動作を説明す
るための要部断面図であり、（ａ）はレジスト膜の塗布
処理を示し、（ｂ）はＴＡＲＣ膜の塗布処理を示す。FIGS. 4A and 4B are main-portion cross-sectional views for explaining the operation of the substrate processing apparatus of FIG. 3, wherein FIG. 4A shows a resist film coating process, and FIG. 4B shows a TARC film coating process.
【００７０】レジスト液の塗布処理時には、図４（ａ）
に示すように、カップ５が下降し、仕切り部３５が基板
１００よりも下方に位置する。この状態で、回転保持部
１に保持された基板１００が所定の回転数で回転しつ
つ、レジストノズル９から基板１００上にレジスト液が
供給される。基板１００上に供給されたレジスト液は、
基板１００の回転により基板１００の表面の全体に塗り
広げるられる。それにより、基板１００上にレジスト膜
が形成される。At the time of the resist solution coating process, FIG.
As shown in (5), the cup 5 is lowered, and the partitioning portion 35 is located below the substrate 100. In this state, the resist liquid is supplied onto the substrate 100 from the resist nozzle 9 while the substrate 100 held by the rotation holding unit 1 rotates at a predetermined rotation speed. The resist solution supplied on the substrate 100 is
The rotation of the substrate 100 spreads the entire surface of the substrate 100. Thereby, a resist film is formed on substrate 100.
【００７１】このとき、余剰のレジスト液２１は基板１
００の回転による遠心力で基板１００の外方へ飛散す
る。飛散したレジスト液２１は環状開口部３６を通って
第１の空間Ａに導かれ、カップ５の内面に当たり、さら
にその内面を伝って下方に流れ落ち、廃液口７ａに流れ
込む。廃液口７ａに流れ込んだレジスト液２１は、有機
溶媒用の配管を通して有機溶媒処理設備に導かれる。At this time, the excess resist solution 21
The particles are scattered outside the substrate 100 by the centrifugal force generated by the rotation of 00. The scattered resist solution 21 is guided to the first space A through the annular opening 36, hits the inner surface of the cup 5, further flows down along the inner surface, and flows into the waste liquid port 7a. The resist solution 21 flowing into the waste liquid port 7a is led to an organic solvent processing facility through an organic solvent pipe.
【００７２】ＴＡＲＣ液の塗布処理時には、図４（ｂ）
に示すように、カップ５が上昇し、仕切り部３５が基板
１００の外周部を取り囲む位置まで上昇する。この状態
で、回転保持部１に保持された基板１００が所定の回転
数で回転しつつ、ＴＡＲＣノズル３２から基板１００上
にＴＡＲＣ液が供給される。基板１００上に供給された
ＴＡＲＣ液は、基板１００の回転により基板１００上の
レジスト膜の表面の全体に塗り広げられる。それによ
り、基板１００上のレジスト膜上にＴＡＲＣ膜が形成さ
れる。In the process of applying the TARC solution, FIG.
As shown in (5), the cup 5 rises, and the partition 35 rises to a position surrounding the outer peripheral portion of the substrate 100. In this state, the TARC liquid is supplied from the TARC nozzle 32 onto the substrate 100 while the substrate 100 held by the rotation holding unit 1 rotates at a predetermined rotation speed. The TARC liquid supplied on the substrate 100 is spread over the entire surface of the resist film on the substrate 100 by the rotation of the substrate 100. Thus, a TARC film is formed on the resist film on the substrate 100.
【００７３】このとき、余剰のＴＡＲＣ液２２は基板１
００の回転による遠心力で基板１００の外方へ飛散す
る。飛散したＴＡＲＣ液２２は第２の空間Ｂ内で仕切り
部３５の内面に当たり、その内面を伝って下方に流れ落
ち、廃液口７ｂに流れ込む。廃液口７ｂに流れ込んだＴ
ＡＲＣ液２２は、酸性液用の配管を通して酸性液処理設
備に導かれる。At this time, the excess TARC solution 22
The particles are scattered outside the substrate 100 by the centrifugal force generated by the rotation of 00. The scattered TARC liquid 22 hits the inner surface of the partition portion 35 in the second space B, flows down along the inner surface, and flows into the waste liquid port 7b. T flowing into waste liquid port 7b
The ARC liquid 22 is led to an acidic liquid processing facility through an acidic liquid pipe.
【００７４】上記のように、レジスト液の塗布処理時に
カップ５が下降し、ＴＡＲＣ液の塗布処理時にカップ５
が上昇することにより、レジスト液はカップ５の内面に
当たって廃液口７ａに導かれ、ＴＡＲＣ液は仕切り部３
５の内面に当たって廃液口７ｂに導かれる。それによ
り、有機溶媒を含むレジスト液と酸性液からなるＴＡＲ
Ｃ液とを別々の配管を通して廃棄することができる。As described above, the cup 5 is lowered during the coating process of the resist solution, and the cup 5 is lowered during the coating process of the TARC solution.
Rises, the resist liquid hits the inner surface of the cup 5 and is guided to the waste liquid port 7a, and the TARC liquid
5 and is guided to the waste liquid port 7b. As a result, a TAR comprising a resist solution containing an organic solvent and an acidic solution
The liquid C can be discarded through a separate pipe.
【００７５】基板１００上にＢＡＲＣ膜を形成した後に
ＢＡＲＣ膜上にレジスト膜を形成する場合には、図４
（ａ）に示すように、カップ５を下降させて仕切り部３
５を基板１００よりも下方に下降させた状態で、ＢＡＲ
Ｃノズル３１から回転する基板１００上にＢＡＲＣ液を
供給することにより、基板１００上にＢＡＲＣ膜を形成
する。このとき、余剰のＢＡＲＣ液は基板１００の回転
による遠心力で基板１００の外方へ飛散し、飛散したＢ
ＡＲＣ液は環状開口部３６を通してカップ５の内面に当
たり、その内面を伝って下方へ流れ落ち、廃液口７ａに
流れ込む。When a resist film is formed on the BARC film after forming the BARC film on the substrate 100, FIG.
(A) As shown in FIG.
5 is lowered below the substrate 100, and the BAR
By supplying the BARC liquid onto the rotating substrate 100 from the C nozzle 31, a BARC film is formed on the substrate 100. At this time, the excess BARC liquid is scattered outside the substrate 100 by centrifugal force due to the rotation of the substrate 100, and the scattered B
The ARC liquid hits the inner surface of the cup 5 through the annular opening 36, flows down along the inner surface, and flows into the waste liquid port 7a.
【００７６】その後、仕切り部３５を基板１００よりも
下方に下降させたままで、レジストノズル９から回転す
る基板１００上にレジスト液を供給することにより、基
板１００上のＢＡＲＣ膜上にレジスト膜を形成する。こ
のとき、余剰のレジスト液は基板１００の回転による遠
心力で基板１００の外方へ飛散し、飛散したレジスト液
は環状開口部３６を通してカップ５の内面に当たり、そ
の内面を伝って下方へ流れ落ち、廃液口７ａに流れ込
む。Thereafter, a resist liquid is supplied from the resist nozzle 9 onto the rotating substrate 100 while the partitioning portion 35 is lowered below the substrate 100, thereby forming a resist film on the BARC film on the substrate 100. I do. At this time, the excess resist liquid scatters outward of the substrate 100 due to centrifugal force caused by the rotation of the substrate 100, and the scattered resist liquid strikes the inner surface of the cup 5 through the annular opening 36, flows down along the inner surface, and falls down. It flows into the waste liquid port 7a.
【００７７】このようにして、ＢＡＲＣ液およびレジス
ト液は、両方とも有機溶媒用の配管を通して有機溶媒処
理設備に導かれる。As described above, both the BARC solution and the resist solution are led to the organic solvent processing equipment through the piping for the organic solvent.
【００７８】また、基板１００上にＢＡＲＣ膜、レジス
ト膜およびＴＡＲＣ液を形成する場合には、図４（ａ）
に示すように、カップ５を下降させて仕切り部３５を基
板１００よりも下方に下降させた状態で、ＢＡＲＣノズ
ル３１から回転する基板１００上にＢＡＲＣ液を供給す
ることにより、基板１００上にＢＡＲＣ膜を形成した
後、レジストノズル９から回転する基板１００上にレジ
スト液を供給することにより、基板１００上のＢＡＲＣ
膜上にレジスト膜を形成する。このとき、基板１００の
外方へ飛散するＢＡＲＣ液およびレジスト液は環状開口
部３６を通してカップ５の内面に当たり、その内面を伝
って下方へ流れ落ち、廃液口７ａに流れ込む。When a BARC film, a resist film, and a TARC solution are formed on the substrate 100, FIG.
As shown in the figure, the BARC liquid is supplied from the BARC nozzle 31 onto the rotating substrate 100 in a state where the cup 5 is lowered and the partition portion 35 is lowered below the substrate 100, so that the BARC liquid is supplied onto the substrate 100. After the film is formed, the resist solution is supplied from the resist nozzle 9 onto the rotating substrate 100, thereby forming the BARC on the substrate 100.
A resist film is formed on the film. At this time, the BARC solution and the resist solution scattered outside the substrate 100 hit the inner surface of the cup 5 through the annular opening 36, flow down along the inner surface, and flow into the waste liquid port 7a.
【００７９】その後、図４（ｂ）に示すように、カップ
５を上昇させて仕切り部３５を基板１００の外周部を取
り囲む位置まで上昇させた状態で、ＴＡＲＣノズル３２
から回転する基板１００上にＴＡＲＣ液を供給すること
により、基板１００上にＴＡＲＣ膜を形成する。このと
き、基板１００の外方へ飛散するＴＡＲＣ液は仕切り部
３５の内面に当たり、その内面を伝って下方へ流れ落
ち、廃液口７ｂに流れ込む。Thereafter, as shown in FIG. 4B, the TARC nozzle 32 is lifted up by raising the cup 5 to a position surrounding the outer peripheral portion of the substrate 100.
The TARC liquid is supplied onto the substrate 100 that rotates from above to form a TARC film on the substrate 100. At this time, the TARC liquid scattered outside the substrate 100 hits the inner surface of the partition portion 35, flows down along the inner surface, and flows into the waste liquid port 7b.
【００８０】このようにして、ＢＡＲＣ液およびレジス
ト液は有機溶媒用の配管を通して有機溶媒処理設備に導
かれ、ＴＡＲＣ液は酸性液用の配管を通して酸性液処理
設備に導かれる。As described above, the BARC solution and the resist solution are led to the organic solvent processing facility through the pipe for the organic solvent, and the TARC solution is guided to the acidic solution processing facility through the pipe for the acidic solution.
【００８１】本実施例の基板処理装置においても、レジ
スト液の塗布処理およびＴＡＲＣ液の塗布処理を同一の
基板処理装置を用いて行うことができる。また、ＢＡＲ
Ｃ膜の形成を含むプロセスおよびＴＡＲＣ膜の形成を含
むプロセスを同じ基板処理装置を用いて行うことができ
る。In the substrate processing apparatus of this embodiment, the coating processing of the resist liquid and the coating processing of the TARC liquid can be performed using the same substrate processing apparatus. Also, BAR
The process including the formation of the C film and the process including the formation of the TARC film can be performed using the same substrate processing apparatus.
【００８２】その結果、基板の処理コストが低減される
とともに、基板の処理に要するスペースが小さくなる。
また、産業廃棄物である有機溶媒および酸性液を別々に
廃棄することができるので、環境保全に貢献することが
できる。As a result, the cost for processing the substrate is reduced, and the space required for processing the substrate is reduced.
Further, since the organic solvent and the acidic liquid, which are industrial wastes, can be separately disposed, it is possible to contribute to environmental conservation.
【００８３】なお、上記実施例では、有機溶媒を含む塗
布液としてレジスト液またはＢＡＲＣ液を基板に塗布
し、酸性液からなるＴＡＲＣ液を基板に塗布する塗布装
置について説明しているが、本発明は、別々に廃棄する
必要のある複数の塗布液を塗布する他の基板処理装置に
も同様にして適用することができる。In the above embodiment, a coating apparatus for applying a resist liquid or a BARC liquid as a coating liquid containing an organic solvent to a substrate and applying a TARC liquid composed of an acidic liquid to the substrate is described. Can be similarly applied to other substrate processing apparatuses that apply a plurality of coating liquids that need to be discarded separately.
【図１】本発明の第１の実施例における基板処理装置の
概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の基板処理装置のレジスト液の塗布処理時
およびＴＡＲＣ液の塗布処理時の動作を説明するための
要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part for describing operations of the substrate processing apparatus of FIG. 1 during a coating process of a resist solution and a coating process of a TARC solution.
【図３】本発明の第２の実施例における基板処理装置の
概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】図３の基板処理装置のレジスト液の塗布処理時
およびＴＡＲＣ液の塗布処理時の動作を説明するための
要部断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a principal part for describing operations of the substrate processing apparatus of FIG. 3 during a resist solution coating process and a TARC solution coating process.
【図５】従来の基板処理装置の一例を示す概略断面図で
ある。FIG. 5 is a schematic sectional view showing an example of a conventional substrate processing apparatus.
１ 回転保持部 ３ モータ ５ カップ ５ａ 外側カップ ５ｂ 内側カップ ７ａ，７ｂ 廃液口 ９ レジストノズル １２ 制御部 ２１ レジスト液 ２２ ＴＡＲＣ液 ３１ ＢＡＲＣノズル ３２ ＴＡＲＣノズル ３３ 内側カップ駆動装置 ３４ カップ駆動装置 ３５ 仕切り部 ３６ 環状開口部 １００ 基板 Ａ 第１の空間 Ｂ 第２の空間 Reference Signs List 1 rotation holding unit 3 motor 5 cup 5a outer cup 5b inner cup 7a, 7b waste liquid port 9 resist nozzle 12 control unit 21 resist liquid 22 TARC liquid 31 BARC nozzle 32 TARC nozzle 33 inner cup drive unit 34 cup drive unit 35 partition unit 36 Annular opening 100 Substrate A First space B Second space
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB08 AB16 AB17 DA01 DA34 EA05 4D075 AC64 AC84 AC86 CA48 DA08 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 CC09 EB05 EB28 EB29 ED02 5F046 JA02 JA08 JA27 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AB08 AB16 AB17 DA01 DA34 EA05 4D075 AC64 AC84 AC86 CA48 DA08 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 CC09 EB05 EB28 EB29 ED02 5F046 JA02 JA08 JA27
Claims (7)
供給する第１の塗布液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板上に第２の塗布液を
供給する第２の塗布液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むよ
うに設けられ、第１および第２の廃液口を有するカップ
と、 前記第１の塗布液供給手段による第１の塗布液の供給時
に前記基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散す
る第１の塗布液を前記第１の廃液口に導き、前記第２の
塗布液供給手段による第２の塗布液の供給時に前記基板
保持手段に保持された基板から外方へ飛散する第２の塗
布液を第２の廃液口に導く塗布液案内手段とを備えたこ
とを特徴とする基板処理装置。1. A substrate holding means for holding a substrate, a rotary driving means for rotating and driving the substrate holding means, and a first coating for supplying a first coating liquid onto the substrate held by the substrate holding means. A liquid supply unit, a second coating liquid supply unit that supplies a second coating liquid onto the substrate held by the substrate holding unit, and a second coating liquid supply unit that surrounds the periphery of the substrate held by the substrate holding unit. A cup having first and second waste liquid ports, and a first coating scattered outward from a substrate held by the substrate holding means when the first coating liquid is supplied by the first coating liquid supply means. The liquid is guided to the first waste liquid port, and when the second coating liquid is supplied by the second coating liquid supply means, the second coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means is removed by the second coating liquid supply means. And a coating liquid guiding means for leading to the waste liquid port of (2). The substrate processing apparatus according to.
うに前記カップ内に上下動可能に設けられた環状の遮蔽
部材と、 前記第１の塗布液供給手段による第１の塗布液の供給時
に前記基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散す
る第１の塗布液が前記カップの内面に当たりかつ前記第
２の塗布液供給手段による第２の塗布液の供給時に前記
基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散する第２
の塗布液が前記遮蔽部材の内面に当たるように前記遮蔽
部材を上下動させる遮蔽部材駆動手段とを備え、 前記第１の廃液口は前記カップの内面に当たった第１の
塗布液を排出可能な位置に設けられ、前記第２の廃液口
は前記遮蔽部材の内面に当たった第２の塗布液を排出可
能な位置に設けられたことを特徴とする請求項１記載の
基板処理装置。2. The coating liquid guiding means includes: an annular shielding member provided vertically movably in the cup so as to surround a periphery of the substrate held by the substrate holding means; and the first coating liquid. When the first coating liquid is supplied by the supply means, the first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means hits the inner surface of the cup and the second coating liquid is supplied by the second coating liquid supply means. A second scattered outward from the substrate held by the substrate holding means when the coating liquid is supplied;
And a shielding member driving means for moving the shielding member up and down so that the coating liquid comes into contact with the inner surface of the shielding member. The first waste liquid port is capable of discharging the first coating liquid that has hit the inner surface of the cup. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second waste liquid port is provided at a position where the second coating liquid that has hit the inner surface of the shielding member can be discharged.
囲を取り囲む環状の上部開口部を有する環状の第１の空
間と残りの第２の空間とを仕切る環状の仕切り部と、 前記第１の塗布液供給手段による第１の塗布液の供給時
に前記基板保持手段に保持された基板から外方へ飛散す
る第１の塗布液が前記上部開口部を通して第１の空間に
導かれかつ前記第２の塗布液供給手段による第２の塗布
液の供給時に前記基板保持手段に保持された基板から外
方へ飛散する第２の塗布液が前記第２の空間に導かれる
ように前記カップを上下動させるカップ駆動手段とを備
え、 前記第１の廃液口は前記第１の空間に導かれた第１の塗
布液を排出可能な位置に設けられ、前記第２の廃液口は
前記第２の空間に導かれた第２の塗布液を排出可能な位
置に設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板処
理装置。3. The coating liquid guiding means includes: an annular first space having an annular upper opening surrounding a periphery of a substrate held by the substrate holding means in the cup; and a remaining second space. An annular partition portion for partitioning the first coating liquid; and a first coating liquid scattered outward from the substrate held by the substrate holding means when the first coating liquid is supplied by the first coating liquid supply means. The second coating liquid is guided to the first space through the second coating liquid and scatters outward from the substrate held by the substrate holding means when the second coating liquid is supplied by the second coating liquid supply means. Cup driving means for vertically moving the cup so as to be guided to the space, wherein the first waste liquid port is provided at a position where the first coating liquid guided to the first space can be discharged, The second waste liquid port is connected to the second space led to the second space. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is provided at a position where the coating liquid can be discharged.
機溶媒を含む液であり、前記第１および第２の塗布液の
他方は酸性液であることを特徴とする請求項１、２また
は３記載の基板処理装置。4. The method according to claim 1, wherein one of the first and second coating liquids is a liquid containing an organic solvent, and the other of the first and second coating liquids is an acidic liquid. 4. The substrate processing apparatus according to 2 or 3.
部反射防止膜の形成のための第１の反射防止液であり、
前記第１および第２の塗布液の他方は上部反射防止膜の
形成のための第２の反射防止液であることを特徴とする
請求項１、２または３記載の基板処理装置。5. One of the first and second coating liquids is a first antireflection liquid for forming a lower antireflection film,
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the other of the first and second coating liquids is a second antireflection liquid for forming an upper antireflection film.
ジスト膜の形成のためのレジスト液であり、前記第１お
よび第２の塗布液の他方は上部反射防止膜の形成のため
の上部反射防止液であることを特徴とする請求項１、２
または３記載の基板処理装置。6. One of the first and second coating solutions is a resist solution for forming a resist film, and the other of the first and second coating solutions is for forming an upper anti-reflection film. 3. An anti-reflective liquid at the top, characterized in that it is an upper anti-reflective liquid.
Or the substrate processing apparatus according to 3.
第１および第２の廃液口を有するカップ内で基板に処理
を行う基板処理方法であって、 第１の塗布液の塗布処理時に、基板を回転させつつ基板
上に第１の塗布液を供給するとともに、基板から外方へ
飛散する第１の塗布液を塗布液案内手段により第１の廃
液口に導く工程と、 第２の塗布液の塗布処理時に、基板を回転させつつ基板
上に第２の塗布液を供給するとともに、基板から外方へ
飛散する第２の塗布液を前記塗布液案内手段により第２
の廃液口に導く工程とを備えたことを特徴とする基板処
理方法。7. It is provided so as to surround the periphery of the substrate,
A substrate processing method for processing a substrate in a cup having first and second waste liquid ports, wherein the first coating liquid is supplied onto the substrate while rotating the substrate during the coating processing of the first coating liquid. And a step of guiding the first coating liquid scattered outward from the substrate to the first waste liquid port by the coating liquid guiding means, and a step of rotating the substrate during the coating processing of the second coating liquid onto the substrate. And applying the second coating liquid scattered outward from the substrate to the second coating liquid by the coating liquid guiding means.
And a step of leading to a waste liquid port.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22306498A JP2000058416A (en) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | Substrate processor and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22306498A JP2000058416A (en) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | Substrate processor and substrate processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058416A true JP2000058416A (en) | 2000-02-25 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000058416A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104064500A (en) * | 2014-06-24 | 2014-09-24 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Cleaning device and method for slice disc-shaped object |
-
1998
- 1998-08-06 JP JP22306498A patent/JP2000058416A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104064500A (en) * | 2014-06-24 | 2014-09-24 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Cleaning device and method for slice disc-shaped object |
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