JP2000054183A - 基板に対する改良された結合性を有する金属箔およびその金属箔の製造方法 - Google Patents
基板に対する改良された結合性を有する金属箔およびその金属箔の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高い剥離強度を示し、積層体中に
組み入れられた場合に処理転移がわずかであるか、ある
いは処理転移しない金属箔を提供することが可能とな
る。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の錯形成金属イオ
ンを含むため、処理性が改良された廃棄物を発生する方
法および箔を提供する。 【解決手段】 1つの実施態様において、本発明は金属
箔の処理方法に関する。この方法は金属箔を酸性溶液に
接触させる工程;この金属箔をニッケル処理浴中に配置
し、そしてこのニッケル処理浴を通じて電流を印加する
工程であって、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2
つのメッキ領域、約1〜約50g/lのアンモニウム塩、
および約10〜約100g/lのニッケル化合物を含む、
工程;および金属箔にニッケルフラッシュ層を施工する
工程を順次包含する。他の実施態様において、本発明
は、上記本発明の方法に従って処理された金属箔に関す
る。
組み入れられた場合に処理転移がわずかであるか、ある
いは処理転移しない金属箔を提供することが可能とな
る。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の錯形成金属イオ
ンを含むため、処理性が改良された廃棄物を発生する方
法および箔を提供する。 【解決手段】 1つの実施態様において、本発明は金属
箔の処理方法に関する。この方法は金属箔を酸性溶液に
接触させる工程;この金属箔をニッケル処理浴中に配置
し、そしてこのニッケル処理浴を通じて電流を印加する
工程であって、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2
つのメッキ領域、約1〜約50g/lのアンモニウム塩、
および約10〜約100g/lのニッケル化合物を含む、
工程;および金属箔にニッケルフラッシュ層を施工する
工程を順次包含する。他の実施態様において、本発明
は、上記本発明の方法に従って処理された金属箔に関す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は金属箔の処理方法お
よび得られる処理された金属箔を提供する。詳細には、
本発明は、金属箔を処理することに関連し、ここで加工
廃棄物は容易に廃棄物処理され得、他方、得られる処理
された金属箔は結合特性を維持するか、あるいは改良さ
れた結合特性を有する。
よび得られる処理された金属箔を提供する。詳細には、
本発明は、金属箔を処理することに関連し、ここで加工
廃棄物は容易に廃棄物処理され得、他方、得られる処理
された金属箔は結合特性を維持するか、あるいは改良さ
れた結合特性を有する。
【0002】
【従来の技術】金属箔、たとえば銅箔はしばしば基板に
積層される。得られた積層体は数多くの加工技術に供さ
れると同時に、必然的に摩耗および引き裂き(tear)にさ
らされる。これに関して、高い剥離強度を有する積層体
を提供することが望ましい。高い剥離強度により、積層
体は加工(化学物質および種々のエッチングへの暴露)
の間、および通常の摩耗および引き裂きの過程(熱分
解、物理的振動など)にわたって、その構造保全(struc
tural integrity)を維持することが可能となる。
積層される。得られた積層体は数多くの加工技術に供さ
れると同時に、必然的に摩耗および引き裂き(tear)にさ
らされる。これに関して、高い剥離強度を有する積層体
を提供することが望ましい。高い剥離強度により、積層
体は加工(化学物質および種々のエッチングへの暴露)
の間、および通常の摩耗および引き裂きの過程(熱分
解、物理的振動など)にわたって、その構造保全(struc
tural integrity)を維持することが可能となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】金属箔は典型的には表
面粗さが増大するように処理され、その結果、得られる
積層体の剥離強度が増大する。しかし、増大した高レベ
ルな表面粗さを有する金属箔は「処理転移(treatment t
ransfer)」する。処理転移は金属箔から基板への金属物
質の所望されない移動である。処理転移はまた金属箔を
エッチングした後、見苦しい黄色の汚れをもたらす。従
って、積層体中に組み入れられた場合に高い剥離強度を
示すのみならず、誘電体基板の絶縁特性に影響を与えな
い金属箔を提供することが望ましい。
面粗さが増大するように処理され、その結果、得られる
積層体の剥離強度が増大する。しかし、増大した高レベ
ルな表面粗さを有する金属箔は「処理転移(treatment t
ransfer)」する。処理転移は金属箔から基板への金属物
質の所望されない移動である。処理転移はまた金属箔を
エッチングした後、見苦しい黄色の汚れをもたらす。従
って、積層体中に組み入れられた場合に高い剥離強度を
示すのみならず、誘電体基板の絶縁特性に影響を与えな
い金属箔を提供することが望ましい。
【0004】アンモニウムイオンは金属イオンと錯体を
形成するので、両方が溶液中に存在する場合、溶液中の
アンモニウムイオン濃度が増大すると、その溶液が金属
イオンを可溶化する能力が増大する。金属イオンを含む
溶液は廃棄物を構成し、これは廃棄する前に処理されな
ければならない。通常、廃溶液中の錯形成した金属イオ
ンの濃度が高いほど、その廃溶液を処理することはより
困難になる。従って、処理が容易な廃棄物流を発生する
プロセスを提供することが望ましい。
形成するので、両方が溶液中に存在する場合、溶液中の
アンモニウムイオン濃度が増大すると、その溶液が金属
イオンを可溶化する能力が増大する。金属イオンを含む
溶液は廃棄物を構成し、これは廃棄する前に処理されな
ければならない。通常、廃溶液中の錯形成した金属イオ
ンの濃度が高いほど、その廃溶液を処理することはより
困難になる。従って、処理が容易な廃棄物流を発生する
プロセスを提供することが望ましい。
【0005】
【課題を解決するための手段】1つの実施態様におい
て、本発明は金属箔の処理方法に関し、この方法は、金
属箔を酸性溶液に接触させる工程;金属箔をニッケル処
理浴中に配置し、そしてニッケル処理浴を通じて電流を
印加する工程であって、ここでニッケル処理浴が少なく
とも約2つのメッキ領域、約1〜約50g/lのアンモニ
ウム塩、および約10〜約100g/lのニッケル化合物
を含む、工程;および金属箔にニッケルフラッシュ層を
施工する工程を順次包含する。
て、本発明は金属箔の処理方法に関し、この方法は、金
属箔を酸性溶液に接触させる工程;金属箔をニッケル処
理浴中に配置し、そしてニッケル処理浴を通じて電流を
印加する工程であって、ここでニッケル処理浴が少なく
とも約2つのメッキ領域、約1〜約50g/lのアンモニ
ウム塩、および約10〜約100g/lのニッケル化合物
を含む、工程;および金属箔にニッケルフラッシュ層を
施工する工程を順次包含する。
【0006】他の実施態様において、本発明は金属箔の
処理方法に関し、この方法は、金属箔を酸性溶液に接触
させる工程;金属箔をニッケル処理浴中に配置し、そし
て該ニッケル処理浴を通じて電流を印加する工程であっ
て、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2つのメッキ
領域、約1〜約50g/lの塩化アンモニウム、および約
10〜約100g/lの塩化ニッケルを含む、工程;およ
び電着浴中で金属箔にニッケルフラッシュ層を施工する
工程を順次包含する。
処理方法に関し、この方法は、金属箔を酸性溶液に接触
させる工程;金属箔をニッケル処理浴中に配置し、そし
て該ニッケル処理浴を通じて電流を印加する工程であっ
て、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2つのメッキ
領域、約1〜約50g/lの塩化アンモニウム、および約
10〜約100g/lの塩化ニッケルを含む、工程;およ
び電着浴中で金属箔にニッケルフラッシュ層を施工する
工程を順次包含する。
【0007】さらに他の実施態様において、本発明は金
属の処理方法に関し、この方法は、金属箔を酸性溶液に
接触させる工程であって、ここでこの金属箔が銅処理層
を含まない、工程;金属箔をニッケル処理浴中に配置
し、そしてニッケル処理浴を通じて電流を印加する工程
であって、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2つの
メッキ領域、約25〜約45g/lのアンモニウム塩、お
よび約10〜約100g/lのニッケル化合物を含む、工
程;および電着浴中で金属箔にニッケルフラッシュ層を
施工する工程を順次包含する。
属の処理方法に関し、この方法は、金属箔を酸性溶液に
接触させる工程であって、ここでこの金属箔が銅処理層
を含まない、工程;金属箔をニッケル処理浴中に配置
し、そしてニッケル処理浴を通じて電流を印加する工程
であって、ここでニッケル処理浴が少なくとも約2つの
メッキ領域、約25〜約45g/lのアンモニウム塩、お
よび約10〜約100g/lのニッケル化合物を含む、工
程;および電着浴中で金属箔にニッケルフラッシュ層を
施工する工程を順次包含する。
【0008】さらに他の実施態様において、本発明は上
記のいずれかの方法に従って処理された金属箔に関す
る。
記のいずれかの方法に従って処理された金属箔に関す
る。
【0009】本発明の結果、高い剥離強度を示し、そし
て積層体中に組み入れられた場合に処理転移がわずかで
あるか、あるいは処理転移しない金属箔を提供すること
が可能となる。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の錯形
成金属イオンを含むため、処理性が改良された廃棄物を
発生する方法および箔を提供する。
て積層体中に組み入れられた場合に処理転移がわずかで
あるか、あるいは処理転移しない金属箔を提供すること
が可能となる。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の錯形
成金属イオンを含むため、処理性が改良された廃棄物を
発生する方法および箔を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明で使用される金属箔は好ま
しくは電気伝導性であり、銅箔および銅をベースとした
合金が特に好ましい。他の例としては、アルミニウム、
ニッケル、錫、銀、金およびそれらの合金が挙げられ
る。金属箔は2つの技術のうちの1つを用いて作製され
る。鍛錬した(wrought)金属または圧延金属の箔は、銅
または銅合金のスプリットまたはインゴットの厚みを、
圧延のようなプロセスによって機械的に薄くすることに
よって製造される。電着箔は、銅イオンのような金属イ
オンを、回転するカソードドラム上に電気的に析出さ
せ、そして次にその析出したスプリットをカソードから
剥がすことによって製造される。電着銅箔が特に好まし
い。
しくは電気伝導性であり、銅箔および銅をベースとした
合金が特に好ましい。他の例としては、アルミニウム、
ニッケル、錫、銀、金およびそれらの合金が挙げられ
る。金属箔は2つの技術のうちの1つを用いて作製され
る。鍛錬した(wrought)金属または圧延金属の箔は、銅
または銅合金のスプリットまたはインゴットの厚みを、
圧延のようなプロセスによって機械的に薄くすることに
よって製造される。電着箔は、銅イオンのような金属イ
オンを、回転するカソードドラム上に電気的に析出さ
せ、そして次にその析出したスプリットをカソードから
剥がすことによって製造される。電着銅箔が特に好まし
い。
【0011】金属箔は典型的には名目上厚みが約0.0
002インチから約0.02インチの範囲である。金属
箔の厚みは時には重量で表され、そして典型的には本発
明の箔は約1/8〜約14oz/ft2の範囲の重量および厚
みを有する。特に有用な金属箔は1/2、1または2oz
/ft2の重量を有する金属箔であり、そして特に1/2、
1または2oz/ft2の重量を有する銅箔である。
002インチから約0.02インチの範囲である。金属
箔の厚みは時には重量で表され、そして典型的には本発
明の箔は約1/8〜約14oz/ft2の範囲の重量および厚
みを有する。特に有用な金属箔は1/2、1または2oz
/ft2の重量を有する金属箔であり、そして特に1/2、
1または2oz/ft2の重量を有する銅箔である。
【0012】電着金属箔は、滑らかな、あるいは光沢の
ある(ドラム)側面と、粗いまたはつや消しの(金属の
析出成長端)側面を有する。本発明に従って処理され得
る金属箔(電着または鍛錬)の片側または両側は、粗い
またはつや消しの側面、光沢側面、または両方の側面で
あり得る。これらの側面は、「標準プロフィール表
面」、「低プロフィール表面」または「極低プロフィー
ル表面」であり得る。特に好ましい実施態様は、つや消
しの面および標準プロフィール表面を有する箔の使用を
伴う。用語「標準プロフィール表面」は、本明細書にお
いて、約7ミクロンから約12ミクロンのRtmを有する
箔表面を意味する。用語「低プロフィール表面」は、約
7ミクロン以下のRtmを有する箔表面を意味する。用語
「極低プロフィール表面」は、約4ミクロン以下のRtm
を有する箔表面を意味する。Rtmは5つの連続的なサン
プリングの測定の各々からの極大ピーク−谷垂直測定(p
eak-to-valley vertical measurement)の平均であり、
そしてRank Taylor Hobson, Ltd., Leicester, England
から市販の、Surtronic 3プロフィールメータを用いて
測定され得る。
ある(ドラム)側面と、粗いまたはつや消しの(金属の
析出成長端)側面を有する。本発明に従って処理され得
る金属箔(電着または鍛錬)の片側または両側は、粗い
またはつや消しの側面、光沢側面、または両方の側面で
あり得る。これらの側面は、「標準プロフィール表
面」、「低プロフィール表面」または「極低プロフィー
ル表面」であり得る。特に好ましい実施態様は、つや消
しの面および標準プロフィール表面を有する箔の使用を
伴う。用語「標準プロフィール表面」は、本明細書にお
いて、約7ミクロンから約12ミクロンのRtmを有する
箔表面を意味する。用語「低プロフィール表面」は、約
7ミクロン以下のRtmを有する箔表面を意味する。用語
「極低プロフィール表面」は、約4ミクロン以下のRtm
を有する箔表面を意味する。Rtmは5つの連続的なサン
プリングの測定の各々からの極大ピーク−谷垂直測定(p
eak-to-valley vertical measurement)の平均であり、
そしてRank Taylor Hobson, Ltd., Leicester, England
から市販の、Surtronic 3プロフィールメータを用いて
測定され得る。
【0013】1つの実施態様において、本発明の金属箔
は、本発明の方法が実施される片側または両側のベース
表面上にいかなる付加粗面処理をも施さないことで特徴
づけられ得る。箔の側面の「ベース表面」との用語は、
以下で説明するタイプの箔特性の改良または増強、およ
び/または表面粗さの増大のための、引き続くいかなる
処理にも供されていない、未加工の箔表面を意味する。
用語「付加粗面処理(added surface roughening)」は、
箔の表面の粗さを増大させる目的で箔のベース表面上で
行われる、本発明の方法によらない任意の処理を意味す
る。1つの実施態様において、付加粗面処理はRtmを3
ミクロン以上増加させ、そして他の実施態様において、
付加粗面処理はRtmを10ミクロン以上増加させる。
は、本発明の方法が実施される片側または両側のベース
表面上にいかなる付加粗面処理をも施さないことで特徴
づけられ得る。箔の側面の「ベース表面」との用語は、
以下で説明するタイプの箔特性の改良または増強、およ
び/または表面粗さの増大のための、引き続くいかなる
処理にも供されていない、未加工の箔表面を意味する。
用語「付加粗面処理(added surface roughening)」は、
箔の表面の粗さを増大させる目的で箔のベース表面上で
行われる、本発明の方法によらない任意の処理を意味す
る。1つの実施態様において、付加粗面処理はRtmを3
ミクロン以上増加させ、そして他の実施態様において、
付加粗面処理はRtmを10ミクロン以上増加させる。
【0014】1つの実施態様において、表面粗さを追加
する銅処理のような金属処理は本発明の方法から除外さ
れる。金属処理は、箔のベース表面上で、結節状(nodu
lar)または樹状形態で電気分解的に析出する銅または亜
鉛、および結節状または樹状形態で成長する酸化銅を含
む。そのベース表面のつや消し側上に天然の比較的粗い
層(鋸歯形状)を有する金属箔は、本発明の範囲から除
外されない。
する銅処理のような金属処理は本発明の方法から除外さ
れる。金属処理は、箔のベース表面上で、結節状(nodu
lar)または樹状形態で電気分解的に析出する銅または亜
鉛、および結節状または樹状形態で成長する酸化銅を含
む。そのベース表面のつや消し側上に天然の比較的粗い
層(鋸歯形状)を有する金属箔は、本発明の範囲から除
外されない。
【0015】1つの実施態様において、標準プロフィー
ル表面の粗さを越えて粗さを増大させる、圧延の間ある
いは引き続く研磨によって鍛錬金属箔に与えられる機械
的粗さは、付加粗面処理と見なされ、従ってこれは本発
明によれば除外される。1つの実施態様において、標準
プロフィール表面の粗さを越えて粗さを増大させる、電
着の間に電着金属箔に与えられる粗さは、付加粗面処理
と見なされる。1つの実施態様において、標準プロフィ
ール表面の粗さを越えてその箔の粗さを増大させる、金
属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、付加粗面
処理と見なされる。1つの実施態様において、低プロフ
ィール表面の粗さを越えてその箔の粗さを増大させる、
金属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、付加粗
面処理と見なされる。1つの実施態様において、極低プ
ロフィール表面の粗さを越えてその箔の粗さを増大させ
る、金属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、付
加粗面処理と見なされる。
ル表面の粗さを越えて粗さを増大させる、圧延の間ある
いは引き続く研磨によって鍛錬金属箔に与えられる機械
的粗さは、付加粗面処理と見なされ、従ってこれは本発
明によれば除外される。1つの実施態様において、標準
プロフィール表面の粗さを越えて粗さを増大させる、電
着の間に電着金属箔に与えられる粗さは、付加粗面処理
と見なされる。1つの実施態様において、標準プロフィ
ール表面の粗さを越えてその箔の粗さを増大させる、金
属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、付加粗面
処理と見なされる。1つの実施態様において、低プロフ
ィール表面の粗さを越えてその箔の粗さを増大させる、
金属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、付加粗
面処理と見なされる。1つの実施態様において、極低プ
ロフィール表面の粗さを越えてその箔の粗さを増大させ
る、金属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、付
加粗面処理と見なされる。
【0016】1つの実施態様において、金属箔の片側ま
たは両側のベース表面は、本発明の方法に供される前に
は未処理である。用語「未処理」は、本明細書におい
て、箔特性の改良または増強、および/または表面粗さ
の増大を目的とする引き続く処理を受けていない、金属
箔のベース表面を意味する。1つの実施態様において、
未処理の箔は、そのベース表面に接着した天然の非樹状
または非結節状の酸化銅または他の金属あるいは合金の
層を有する。この天然の非樹状層は付加金属処理ではな
い。
たは両側のベース表面は、本発明の方法に供される前に
は未処理である。用語「未処理」は、本明細書におい
て、箔特性の改良または増強、および/または表面粗さ
の増大を目的とする引き続く処理を受けていない、金属
箔のベース表面を意味する。1つの実施態様において、
未処理の箔は、そのベース表面に接着した天然の非樹状
または非結節状の酸化銅または他の金属あるいは合金の
層を有する。この天然の非樹状層は付加金属処理ではな
い。
【0017】1つの実施態様において、箔の片側または
両側のベース表面は、本発明の方法に供される前に、箔
特性の改良または増強を目的として(しかし表面粗さの
付加のためでなく)、1つまたはそれ以上の表面処理層
で処理される。本発明の方法に供されない箔のいずれの
側面も、任意に、その面に付加されたそのような1つま
たはそれ以上の処理層を有し得る。これらの表面処理は
当該分野で公知である。
両側のベース表面は、本発明の方法に供される前に、箔
特性の改良または増強を目的として(しかし表面粗さの
付加のためでなく)、1つまたはそれ以上の表面処理層
で処理される。本発明の方法に供されない箔のいずれの
側面も、任意に、その面に付加されたそのような1つま
たはそれ以上の処理層を有し得る。これらの表面処理は
当該分野で公知である。
【0018】たとえば、表面処理は、本発明の方法を実
施する前に、表面粗さを増大させない金属層を施工する
ことを包含し、ここでこの金属は、インジウム、亜鉛、
錫、ニッケル、コバルト、銅−亜鉛合金、銅−錫合金、
およびそれらの2つ以上の混合物である。このタイプの
金属層は時としてバリア層と呼ばれる。これらの金属層
は、好ましくは約0.01〜約1ミクロン、より好まし
くは約0.05〜約0.1ミクロンの範囲の厚みを有す
る。
施する前に、表面粗さを増大させない金属層を施工する
ことを包含し、ここでこの金属は、インジウム、亜鉛、
錫、ニッケル、コバルト、銅−亜鉛合金、銅−錫合金、
およびそれらの2つ以上の混合物である。このタイプの
金属層は時としてバリア層と呼ばれる。これらの金属層
は、好ましくは約0.01〜約1ミクロン、より好まし
くは約0.05〜約0.1ミクロンの範囲の厚みを有す
る。
【0019】表面処理はまた、本発明の方法を実施する
前に、表目粗さを増大させない金属層を施工することを
包含し、ここでこの金属は、錫、クロム−亜鉛混合物、
ニッケル、モリブデン、アルミニウム、またはこれらの
2つ以上の混合物である。このタイプの金属層は時とし
て、安定化層と呼ばれる。これらの安定化層は、箔のベ
ース表面に施工され得、あるいはこれらはバリア層の施
工の前に施工され得る。これらの安定化層は、好ましく
は約0.005〜約0.05ミクロン、より好ましくは
約0.01〜約0.02ミクロンの範囲の厚みを有す
る。
前に、表目粗さを増大させない金属層を施工することを
包含し、ここでこの金属は、錫、クロム−亜鉛混合物、
ニッケル、モリブデン、アルミニウム、またはこれらの
2つ以上の混合物である。このタイプの金属層は時とし
て、安定化層と呼ばれる。これらの安定化層は、箔のベ
ース表面に施工され得、あるいはこれらはバリア層の施
工の前に施工され得る。これらの安定化層は、好ましく
は約0.005〜約0.05ミクロン、より好ましくは
約0.01〜約0.02ミクロンの範囲の厚みを有す
る。
【0020】1つの実施態様において、箔の片側または
両側が、まず少なくとも1つのバリア層で処理される。
他の実施態様において、箔の片側または両側が、まず少
なくとも1つの安定化層で処理される。さらに他の実施
態様において、本発明の方法の実施の前に、箔の片側ま
たは両側が、まず少なくとも1つのバリア層で処理さ
れ、次に処理された層のうち少なくとも1つが少なくと
も1つの安定化層で処理される。
両側が、まず少なくとも1つのバリア層で処理される。
他の実施態様において、箔の片側または両側が、まず少
なくとも1つの安定化層で処理される。さらに他の実施
態様において、本発明の方法の実施の前に、箔の片側ま
たは両側が、まず少なくとも1つのバリア層で処理さ
れ、次に処理された層のうち少なくとも1つが少なくと
も1つの安定化層で処理される。
【0021】本発明による金属箔は、単層の金属箔、た
とえば銅箔、アルミニウム箔またはニッケル箔、あるい
は合金の箔であり得る。本発明による金属箔は、金属ま
たは合金の複数の層を含む箔であり得、たとえば銅およ
び真鍮の層から構成される箔である。いずれの所与の金
属箔においても金属層の数に特に限定はない。本発明の
方法は少なくとも3つの工程を順次行うことを伴う。第
1に、金属箔を酸性溶液に接触させる。この金属箔を次
にニッケル処理工程に供する。その後、ニッケルフラッ
シュ層を金属箔に施工する。用語「順次」は3工程を列
挙した順番に行うことを意味する。すなわち、ニッケル
処理工程は、金属箔を酸性溶液に接触させた後であっ
て、かつニッケルフラッシュ層を施工する前に行わなけ
ればならない。しかし、この3工程は必ずしも互いの工
程の直後に行う必要はなく、追加の工程を行い得る。た
とえば、すすぎ工程を、金属箔を酸性溶液に接触させた
後であるが、金属箔をニッケル処理工程に供する前に行
い得る。従って、用語「順次」は本発明の3つの必須の
工程に関し、本発明の方法の種々の実施態様における任
意の追加工程には関しない。
とえば銅箔、アルミニウム箔またはニッケル箔、あるい
は合金の箔であり得る。本発明による金属箔は、金属ま
たは合金の複数の層を含む箔であり得、たとえば銅およ
び真鍮の層から構成される箔である。いずれの所与の金
属箔においても金属層の数に特に限定はない。本発明の
方法は少なくとも3つの工程を順次行うことを伴う。第
1に、金属箔を酸性溶液に接触させる。この金属箔を次
にニッケル処理工程に供する。その後、ニッケルフラッ
シュ層を金属箔に施工する。用語「順次」は3工程を列
挙した順番に行うことを意味する。すなわち、ニッケル
処理工程は、金属箔を酸性溶液に接触させた後であっ
て、かつニッケルフラッシュ層を施工する前に行わなけ
ればならない。しかし、この3工程は必ずしも互いの工
程の直後に行う必要はなく、追加の工程を行い得る。た
とえば、すすぎ工程を、金属箔を酸性溶液に接触させた
後であるが、金属箔をニッケル処理工程に供する前に行
い得る。従って、用語「順次」は本発明の3つの必須の
工程に関し、本発明の方法の種々の実施態様における任
意の追加工程には関しない。
【0022】本発明の方法の第1の工程は、金属箔を酸
性溶液に接触させることを伴う。酸性溶液は、約5未
満、そして好ましくは約3未満、そしてより好ましくは
約2未満のpHを有する。酸性溶液は、酸と、水、極性
有機溶媒(たとえばアルコールおよびグリコール)、お
よびそれらの混合物のような溶媒とを含む。
性溶液に接触させることを伴う。酸性溶液は、約5未
満、そして好ましくは約3未満、そしてより好ましくは
約2未満のpHを有する。酸性溶液は、酸と、水、極性
有機溶媒(たとえばアルコールおよびグリコール)、お
よびそれらの混合物のような溶媒とを含む。
【0023】金属箔を酸性溶液と接触させることは、金
属箔から表面の酸化物を除去するか、他の方法で金属箔
の表面を清浄にする働きをする。次のニッケル処理工程
を有害に妨害する屑(debris)が酸性溶液で除去される。
酸性溶液はまた、金属箔の表面を活性化させる働きを
し、これは次いで、次の処理工程を促進する。特に、次
のニッケル処理工程の有効性は、金属箔を酸性溶液に接
触させることによって向上する。金属箔は、その金属箔
を清浄にするに十分な時間、通常約1秒間から約2分
間、好ましくは約10秒間から約40秒間、酸性溶液と
接触する。
属箔から表面の酸化物を除去するか、他の方法で金属箔
の表面を清浄にする働きをする。次のニッケル処理工程
を有害に妨害する屑(debris)が酸性溶液で除去される。
酸性溶液はまた、金属箔の表面を活性化させる働きを
し、これは次いで、次の処理工程を促進する。特に、次
のニッケル処理工程の有効性は、金属箔を酸性溶液に接
触させることによって向上する。金属箔は、その金属箔
を清浄にするに十分な時間、通常約1秒間から約2分
間、好ましくは約10秒間から約40秒間、酸性溶液と
接触する。
【0024】金属箔は、ディッピング(dipping)、噴
霧、ぬぐい操作(wipe)、浸漬(immerse)などを包含する
が、これらに限定されない任意の従来の手段によって、
酸性溶液と接触する。好ましい実施態様において、金属
箔は酸性溶液中に浸漬される。他の好ましい実施態様に
おいて、酸性溶液の温度は約20℃から約60℃、そし
てより好ましくは約30℃から約40℃である。
霧、ぬぐい操作(wipe)、浸漬(immerse)などを包含する
が、これらに限定されない任意の従来の手段によって、
酸性溶液と接触する。好ましい実施態様において、金属
箔は酸性溶液中に浸漬される。他の好ましい実施態様に
おいて、酸性溶液の温度は約20℃から約60℃、そし
てより好ましくは約30℃から約40℃である。
【0025】酸性溶液は少なくとも1種の酸と適切な溶
媒とを含み、この溶媒は、極性溶媒または水と極性溶媒
との組み合わせも使用され得るが、典型的には水であ
る。無機酸または有機酸のいずれもが使用され得るが、
無機酸が好ましい。酸性溶液において使用され得る無機
酸の具体例としては、フッ化水素酸、塩酸、臭化水素
酸、およびヨウ化水素酸のようなハロゲン酸、硫酸、亜
硫酸、硝酸、過塩素酸、ホウ酸、ならびに亜リン酸およ
びリン酸のようなリン含有酸、ならびにこれらの組み合
わせが挙げられる。硝酸および硫酸が好ましい無機酸で
ある。有機酸の例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、クエン酸、シュウ酸などのようなカルボン酸および
ポリカルボン酸;ジメチルリン酸およびジメチルホスフ
ィン酸のような有機リン酸;またはメタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、1-ペンタンスルホン酸、1-ヘキサン
スルホン酸、1-ヘプタンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸などのようなスルホン酸、なら
びにこれらの組み合わせが挙げられる。
媒とを含み、この溶媒は、極性溶媒または水と極性溶媒
との組み合わせも使用され得るが、典型的には水であ
る。無機酸または有機酸のいずれもが使用され得るが、
無機酸が好ましい。酸性溶液において使用され得る無機
酸の具体例としては、フッ化水素酸、塩酸、臭化水素
酸、およびヨウ化水素酸のようなハロゲン酸、硫酸、亜
硫酸、硝酸、過塩素酸、ホウ酸、ならびに亜リン酸およ
びリン酸のようなリン含有酸、ならびにこれらの組み合
わせが挙げられる。硝酸および硫酸が好ましい無機酸で
ある。有機酸の例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、クエン酸、シュウ酸などのようなカルボン酸および
ポリカルボン酸;ジメチルリン酸およびジメチルホスフ
ィン酸のような有機リン酸;またはメタンスルホン酸、
エタンスルホン酸、1-ペンタンスルホン酸、1-ヘキサン
スルホン酸、1-ヘプタンスルホン酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸などのようなスルホン酸、なら
びにこれらの組み合わせが挙げられる。
【0026】好ましい実施態様において、金属箔を酸性
溶液と接触させた後、金属箔は任意に、中性またはわず
かにアルカリ性の溶液、そしてほとんどの場合水ベース
の溶液(たとえば任意に緩衝剤を含む水)ですすがれ
る。この中和またはすすぎ溶液は、過剰の酸および/ま
たは屑を金属箔表面から除去する働きをする。
溶液と接触させた後、金属箔は任意に、中性またはわず
かにアルカリ性の溶液、そしてほとんどの場合水ベース
の溶液(たとえば任意に緩衝剤を含む水)ですすがれ
る。この中和またはすすぎ溶液は、過剰の酸および/ま
たは屑を金属箔表面から除去する働きをする。
【0027】金属箔を酸性溶液と接触させた後、金属箔
をニッケル処理工程に供する。この工程は、金属箔をニ
ッケル処理浴中に配置し、そしてこのニッケル処理浴を
通じて電流を印加することによって行われる。ニッケル
処理工程は金属箔表面のコンホメーションを変化させ
る。より詳細には、ニッケル処理工程は、金属箔表面上
に結節または樹状形態を形成することによって、表面積
を増大させる。
をニッケル処理工程に供する。この工程は、金属箔をニ
ッケル処理浴中に配置し、そしてこのニッケル処理浴を
通じて電流を印加することによって行われる。ニッケル
処理工程は金属箔表面のコンホメーションを変化させ
る。より詳細には、ニッケル処理工程は、金属箔表面上
に結節または樹状形態を形成することによって、表面積
を増大させる。
【0028】ニッケル処理浴は、アンモニウム塩、ニッ
ケル化合物および適切な溶媒を含む。溶媒は典型的には
水ベースであるが、極性有機溶媒も使用され得る。アン
モニウム塩は、塩化テトラメチルアンモニウムおよび塩
化テトラエチルアンモニウムのような四級有機アンモニ
ウム塩、ならびに塩化アンモニウム、臭化アンモニウ
ム、安息香酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、リン酸
二水素アンモニウム、フッ化アンモニウム、炭酸水素ア
ンモニウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アンモニウム、
リン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、および重硫酸
アンモニウム(ammonium bisulfate)を包含する。アン
モニウム塩は、約1〜約50g/l、および好ましくは約
25〜45g/l、および最も好ましくは約30〜約40g
/lの量で存在する。本発明の方法の重要な局面は、ニッ
ケル処理浴中のアンモニウム塩の量が50g/lを越えな
いこと、そして望ましくは45g/lを越えないことであ
る。アンモニウムイオンは廃棄物として廃棄することが
困難であり得る。さらにアンモニウムイオン濃度が高い
ほど、錯形成を通じての金属イオンの溶解度が高くな
り、そのためアンモニウム廃棄物はより危険になり、そ
して/あるいは処理が困難になる。
ケル化合物および適切な溶媒を含む。溶媒は典型的には
水ベースであるが、極性有機溶媒も使用され得る。アン
モニウム塩は、塩化テトラメチルアンモニウムおよび塩
化テトラエチルアンモニウムのような四級有機アンモニ
ウム塩、ならびに塩化アンモニウム、臭化アンモニウ
ム、安息香酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、リン酸
二水素アンモニウム、フッ化アンモニウム、炭酸水素ア
ンモニウム、ヨウ化アンモニウム、硝酸アンモニウム、
リン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、および重硫酸
アンモニウム(ammonium bisulfate)を包含する。アン
モニウム塩は、約1〜約50g/l、および好ましくは約
25〜45g/l、および最も好ましくは約30〜約40g
/lの量で存在する。本発明の方法の重要な局面は、ニッ
ケル処理浴中のアンモニウム塩の量が50g/lを越えな
いこと、そして望ましくは45g/lを越えないことであ
る。アンモニウムイオンは廃棄物として廃棄することが
困難であり得る。さらにアンモニウムイオン濃度が高い
ほど、錯形成を通じての金属イオンの溶解度が高くな
り、そのためアンモニウム廃棄物はより危険になり、そ
して/あるいは処理が困難になる。
【0029】ニッケル化合物は、溶液中で解離し得るニ
ッケルを含む任意の化合物、たとえばニッケル塩であ
る。ニッケル化合物は、塩化ニッケル、臭化ニッケル、
酢酸ニッケル、炭酸ニッケル、フッ化ニッケル、ヨウ化
ニッケル、硝酸ニッケル、酸化ニッケル、および硫酸ニ
ッケルを包含する。塩化ニッケルが好適に使用される。
ニッケル化合物は、ニッケル処理浴中に約10〜約10
0g/l、そして好ましくは約20〜約60g/l、そして最
も好ましくは約30〜約50g/lの量で存在する。
ッケルを含む任意の化合物、たとえばニッケル塩であ
る。ニッケル化合物は、塩化ニッケル、臭化ニッケル、
酢酸ニッケル、炭酸ニッケル、フッ化ニッケル、ヨウ化
ニッケル、硝酸ニッケル、酸化ニッケル、および硫酸ニ
ッケルを包含する。塩化ニッケルが好適に使用される。
ニッケル化合物は、ニッケル処理浴中に約10〜約10
0g/l、そして好ましくは約20〜約60g/l、そして最
も好ましくは約30〜約50g/lの量で存在する。
【0030】1つの実施態様において、ニッケル処理浴
に印加される電流密度は約150〜約500ASFであ
る。他の実施態様において、電流密度は約200〜約4
00ASFであり、そして好ましくは約250〜約30
0ASFである。1つの実施態様において、ニッケル処
理浴の温度は約20℃から約50℃である。他の実施態
様において、温度は約25℃から約45℃であり、そし
て好ましくは約30℃から約40℃である。1つの実施
態様において、ニッケル処理浴のpHは約4から約7未
満である。他の実施態様において、pHは約5から約
6.5であり、そして好ましくは約5.5から約6であ
る。金属箔は、表面上に結節が形成されるに十分な時
間、ニッケル処理浴中に置かれる。1つの実施態様にお
いて、金属箔は約10〜約60秒間、ニッケル処理浴中
に置かれる。好ましい実施態様において、金属箔は約2
0〜約40秒間ニッケル処理浴中に置かれる。
に印加される電流密度は約150〜約500ASFであ
る。他の実施態様において、電流密度は約200〜約4
00ASFであり、そして好ましくは約250〜約30
0ASFである。1つの実施態様において、ニッケル処
理浴の温度は約20℃から約50℃である。他の実施態
様において、温度は約25℃から約45℃であり、そし
て好ましくは約30℃から約40℃である。1つの実施
態様において、ニッケル処理浴のpHは約4から約7未
満である。他の実施態様において、pHは約5から約
6.5であり、そして好ましくは約5.5から約6であ
る。金属箔は、表面上に結節が形成されるに十分な時
間、ニッケル処理浴中に置かれる。1つの実施態様にお
いて、金属箔は約10〜約60秒間、ニッケル処理浴中
に置かれる。好ましい実施態様において、金属箔は約2
0〜約40秒間ニッケル処理浴中に置かれる。
【0031】本発明の他の重要な局面は、ニッケル処理
浴が少なくとも約2つのメッキ領域を含むことである。
好ましい実施態様において、少なくとも約3つのメッキ
領域を含み、そしてより好ましくはニッケル処理浴は少
なくとも約4つのメッキ領域を含む。少なくとも約2つ
のメッキ領域を用いると、得られた処理金属箔を用いる
積層体における剥離強度の向上がもたらされる。複数の
メッキ領域はニッケル処理工程の均一な施工に寄与す
る。
浴が少なくとも約2つのメッキ領域を含むことである。
好ましい実施態様において、少なくとも約3つのメッキ
領域を含み、そしてより好ましくはニッケル処理浴は少
なくとも約4つのメッキ領域を含む。少なくとも約2つ
のメッキ領域を用いると、得られた処理金属箔を用いる
積層体における剥離強度の向上がもたらされる。複数の
メッキ領域はニッケル処理工程の均一な施工に寄与す
る。
【0032】好ましい実施態様において、電流密度はニ
ッケル処理工程が行われるにつれて変化する。すなわ
ち、1つの実施態様において、電流密度は許容範囲内の
比較的高レベルに一時的に維持され、次いで電流密度は
許容範囲内の比較的低レベルに調節される。電流を高−
低−高−低などで印加することによって、より望ましい
ニッケル処理が提供され、これが次に、処理金属箔を基
板に積層した後の高い剥離強度をもたらす。
ッケル処理工程が行われるにつれて変化する。すなわ
ち、1つの実施態様において、電流密度は許容範囲内の
比較的高レベルに一時的に維持され、次いで電流密度は
許容範囲内の比較的低レベルに調節される。電流を高−
低−高−低などで印加することによって、より望ましい
ニッケル処理が提供され、これが次に、処理金属箔を基
板に積層した後の高い剥離強度をもたらす。
【0033】1つの実施態様において、ニッケル処理層
の平均厚は、約0.5ミクロンから約4ミクロンであ
る。好ましい実施態様において、ニッケル処理層の平均
厚は約1.5ミクロンから約2.5ミクロンである。ニ
ッケル処理層の厚みは従来の装置で測定され得る。
の平均厚は、約0.5ミクロンから約4ミクロンであ
る。好ましい実施態様において、ニッケル処理層の平均
厚は約1.5ミクロンから約2.5ミクロンである。ニ
ッケル処理層の厚みは従来の装置で測定され得る。
【0034】ニッケル処理層を金属箔に施工する条件の
結果として、ニッケル処理層は針状構造(特に金属箔ま
たはニッケルフラッシュ層の粒構造と比較した場合)を
有する。針状構造は得られる処理金属箔に不均一な表面
を与え、これが次に、処理金属箔を基板に積層したとき
に改良された剥離強度をもたらす。
結果として、ニッケル処理層は針状構造(特に金属箔ま
たはニッケルフラッシュ層の粒構造と比較した場合)を
有する。針状構造は得られる処理金属箔に不均一な表面
を与え、これが次に、処理金属箔を基板に積層したとき
に改良された剥離強度をもたらす。
【0035】好ましい実施態様において、ニッケル処理
工程を行った後、金属箔は任意に、中性またはわずかに
アルカリ性の溶液、そしてほとんどの場合水ベースの溶
液(たとえば任意に緩衝剤を含む水)ですすがれる。こ
の中和またはすすぎ溶液は、過剰のアンモニウムイオン
および/またはゆるんだ屑を金属箔表面から除去する働
きをする。
工程を行った後、金属箔は任意に、中性またはわずかに
アルカリ性の溶液、そしてほとんどの場合水ベースの溶
液(たとえば任意に緩衝剤を含む水)ですすがれる。こ
の中和またはすすぎ溶液は、過剰のアンモニウムイオン
および/またはゆるんだ屑を金属箔表面から除去する働
きをする。
【0036】ニッケルフラッシュ層を金属箔に施工する
ことを伴う工程は、好ましくは電着浴中でニッケルまた
はニッケル合金の電着によって行われる。この工程はニ
ッケル処理工程の後に行われる。用語「ニッケルフラッ
シュ層」は、被覆される表面と比較して低プロフィール
を有する薄いニッケル被覆のことをいう。換言すれば、
ニッケルフラッシュ層は平坦であるか、あるいは通常は
非樹状である。樹状表面に施工されたとき、ニッケルフ
ラッシュ層は、結節形状または樹状形状の輪郭に追従
し、その厚みがフラッシュ層を施工する金属箔の全領域
にわたって実質的に一定であるという点で、かなり均一
である。
ことを伴う工程は、好ましくは電着浴中でニッケルまた
はニッケル合金の電着によって行われる。この工程はニ
ッケル処理工程の後に行われる。用語「ニッケルフラッ
シュ層」は、被覆される表面と比較して低プロフィール
を有する薄いニッケル被覆のことをいう。換言すれば、
ニッケルフラッシュ層は平坦であるか、あるいは通常は
非樹状である。樹状表面に施工されたとき、ニッケルフ
ラッシュ層は、結節形状または樹状形状の輪郭に追従
し、その厚みがフラッシュ層を施工する金属箔の全領域
にわたって実質的に一定であるという点で、かなり均一
である。
【0037】1つの実施態様において、ニッケルフラッ
シュ層は、フラッシュ層を析出させる結節状または樹状
層のプロフィール未満の厚みで施工される。より好まし
い実施態様において、ニッケルフラッシュ層は、金属箔
の結節状または樹状形態の平均高さの約20%を越えな
い平均厚を有する。金属箔の結節状または樹状形態の平
均高さとは、金属箔からの結節状または樹状形態の間の
谷間の平均深さから、結節状または樹状形態のピークの
平均高さまでをいう。これに関して、平均プロフィール
高さはRtmと相似である。平均プロフィール高さはRtm
と同様の方法で決定され得る。好ましい実施態様におい
て、ニッケルフラッシュ層の平均厚は平均プロフィール
高さの約10%を越えない。より好ましい実施態様にお
いて、ニッケルフラッシュ層の平均厚は平均プロフィー
ル高さの約5%を越えない。
シュ層は、フラッシュ層を析出させる結節状または樹状
層のプロフィール未満の厚みで施工される。より好まし
い実施態様において、ニッケルフラッシュ層は、金属箔
の結節状または樹状形態の平均高さの約20%を越えな
い平均厚を有する。金属箔の結節状または樹状形態の平
均高さとは、金属箔からの結節状または樹状形態の間の
谷間の平均深さから、結節状または樹状形態のピークの
平均高さまでをいう。これに関して、平均プロフィール
高さはRtmと相似である。平均プロフィール高さはRtm
と同様の方法で決定され得る。好ましい実施態様におい
て、ニッケルフラッシュ層の平均厚は平均プロフィール
高さの約10%を越えない。より好ましい実施態様にお
いて、ニッケルフラッシュ層の平均厚は平均プロフィー
ル高さの約5%を越えない。
【0038】1つの実施態様において、ニッケルフラッ
シュ層の平均厚は約0.2ミクロンから約3ミクロンで
ある。好ましい実施態様において、ニッケルフラッシュ
層の平均厚は約0.7ミクロンから約1.5ミクロンで
ある。他の好ましい実施態様において、ニッケルフラッ
シュ層の平均厚はニッケル処理層の平均厚より小さい。
ニッケルフラッシュ層の厚みは従来の自動化装置によっ
て測定され得る。金属箔にニッケルフラッシュ層を施工
するための電着浴は、少なくとも1種のニッケル化合物
を適切な溶媒中に含む。電着浴はまた、均一で比較的平
坦な非樹状のニッケルフラッシュ層の析出を促進するた
めに、種々の添加剤を含み得る。ニッケル化合物は、ニ
ッケル処理浴に関して説明したものと同様である。硫酸
ニッケルが、ニッケルフラッシュ電着浴のための好まし
いニッケル化合物である。種々の添加剤は、ホウ酸のよ
うな緩衝剤、サッカリンのような平坦化剤(flattening
agent)、および界面活性剤のような抗ピッチング(anti-
pitting)化合物を包含する。ホウ酸が緩衝剤として浴中
に存在する場合、約10〜約100g/l、好ましくは約
20〜約60g/l、および最も好ましくは約30〜約5
0g/lで存在する。
シュ層の平均厚は約0.2ミクロンから約3ミクロンで
ある。好ましい実施態様において、ニッケルフラッシュ
層の平均厚は約0.7ミクロンから約1.5ミクロンで
ある。他の好ましい実施態様において、ニッケルフラッ
シュ層の平均厚はニッケル処理層の平均厚より小さい。
ニッケルフラッシュ層の厚みは従来の自動化装置によっ
て測定され得る。金属箔にニッケルフラッシュ層を施工
するための電着浴は、少なくとも1種のニッケル化合物
を適切な溶媒中に含む。電着浴はまた、均一で比較的平
坦な非樹状のニッケルフラッシュ層の析出を促進するた
めに、種々の添加剤を含み得る。ニッケル化合物は、ニ
ッケル処理浴に関して説明したものと同様である。硫酸
ニッケルが、ニッケルフラッシュ電着浴のための好まし
いニッケル化合物である。種々の添加剤は、ホウ酸のよ
うな緩衝剤、サッカリンのような平坦化剤(flattening
agent)、および界面活性剤のような抗ピッチング(anti-
pitting)化合物を包含する。ホウ酸が緩衝剤として浴中
に存在する場合、約10〜約100g/l、好ましくは約
20〜約60g/l、および最も好ましくは約30〜約5
0g/lで存在する。
【0039】好ましい実施態様において、ニッケルフラ
ッシュ電着浴中には少なくとも2種のニッケル化合物が
存在する。この実施態様において、ニッケル化合物は好
ましくは硫酸ニッケルおよび塩化ニッケルである。1つ
の実施態様において、ニッケルフラッシュ電着浴中に存
在するニッケル化合物の量は約200〜約500g/lで
ある。好ましい実施態様において、総量は約250〜約
450g/l、および好ましくは約300〜約400g/lで
ある。ニッケルフラッシュ電着浴中に2種以上のニッケ
ル化合物が存在する場合、第1のニッケル化合物と第2
のニッケル化合物との比は、約3:1から約10:1、
そして好ましくは約4:1から約8:1である。
ッシュ電着浴中には少なくとも2種のニッケル化合物が
存在する。この実施態様において、ニッケル化合物は好
ましくは硫酸ニッケルおよび塩化ニッケルである。1つ
の実施態様において、ニッケルフラッシュ電着浴中に存
在するニッケル化合物の量は約200〜約500g/lで
ある。好ましい実施態様において、総量は約250〜約
450g/l、および好ましくは約300〜約400g/lで
ある。ニッケルフラッシュ電着浴中に2種以上のニッケ
ル化合物が存在する場合、第1のニッケル化合物と第2
のニッケル化合物との比は、約3:1から約10:1、
そして好ましくは約4:1から約8:1である。
【0040】1つの実施態様において、ニッケルフラッ
シュ電着浴に印加される電流密度は約10〜約100A
SFである。他の実施態様において、電流密度は約20
〜約90ASFであり、そして好ましくは約40〜約8
0ASFである。1つの実施態様において、ニッケルフ
ラッシュ電着浴に印加される電流密度は、ニッケル処理
浴に印加される電流密度の約半分未満である。
シュ電着浴に印加される電流密度は約10〜約100A
SFである。他の実施態様において、電流密度は約20
〜約90ASFであり、そして好ましくは約40〜約8
0ASFである。1つの実施態様において、ニッケルフ
ラッシュ電着浴に印加される電流密度は、ニッケル処理
浴に印加される電流密度の約半分未満である。
【0041】好ましい実施態様において、電流密度はニ
ッケルフラッシュ層が施工されるにつれて変化する。す
なわち、1つの実施態様において、電流密度は許容範囲
内の比較的高レベルに一時的に維持され、次いで電流密
度は許容範囲内の比較的低レベルに調節される。電流を
高−低−高−低などで印加することによって、より望ま
しいニッケルフラッシュ層が提供され、これが次に、高
品質の処理金属箔をもたらす。
ッケルフラッシュ層が施工されるにつれて変化する。す
なわち、1つの実施態様において、電流密度は許容範囲
内の比較的高レベルに一時的に維持され、次いで電流密
度は許容範囲内の比較的低レベルに調節される。電流を
高−低−高−低などで印加することによって、より望ま
しいニッケルフラッシュ層が提供され、これが次に、高
品質の処理金属箔をもたらす。
【0042】1つの実施態様において、ニッケルフラッ
シュ電着浴の温度は約30℃から約80℃である。他の
実施態様において、温度は約40℃から約70℃であ
り、そして好ましくは約50℃から約60℃である。1
つの実施態様において、ニッケルフラッシュ電着浴の温
度はニッケル処理浴の温度より高い。
シュ電着浴の温度は約30℃から約80℃である。他の
実施態様において、温度は約40℃から約70℃であ
り、そして好ましくは約50℃から約60℃である。1
つの実施態様において、ニッケルフラッシュ電着浴の温
度はニッケル処理浴の温度より高い。
【0043】1つの実施態様において、ニッケルフラッ
シュ電着浴のpHは約2.5から約5.5未満である。
他の実施態様において、pHは約3から約5であり、そ
して好ましくは約3.5から約4.5である。1つの実
施態様において、ニッケルフラッシュ電着浴のpHはニ
ッケル処理浴のpHより低い。
シュ電着浴のpHは約2.5から約5.5未満である。
他の実施態様において、pHは約3から約5であり、そ
して好ましくは約3.5から約4.5である。1つの実
施態様において、ニッケルフラッシュ電着浴のpHはニ
ッケル処理浴のpHより低い。
【0044】金属箔は、表面上に均一な比較的平坦なニ
ッケル析出が形成されるに十分な時間、ニッケルフラッ
シュ電着浴中に置かれる。1つの実施態様において、金
属箔は約10〜約60秒間、ニッケルフラッシュ電着浴
中に置かれる。好ましい実施態様において、金属箔は約
20〜約40秒間、ニッケルフラッシュ電着浴中に置か
れる。1つの実施態様において、金属箔は、金属箔をニ
ッケル処理浴に置く時間より長時間、ニッケルフラッシ
ュ電着浴中に置かれる。
ッケル析出が形成されるに十分な時間、ニッケルフラッ
シュ電着浴中に置かれる。1つの実施態様において、金
属箔は約10〜約60秒間、ニッケルフラッシュ電着浴
中に置かれる。好ましい実施態様において、金属箔は約
20〜約40秒間、ニッケルフラッシュ電着浴中に置か
れる。1つの実施態様において、金属箔は、金属箔をニ
ッケル処理浴に置く時間より長時間、ニッケルフラッシ
ュ電着浴中に置かれる。
【0045】1つの実施態様において、金属箔にニッケ
ルフラッシュ層を施工する際、電着浴は少なくとも1つ
のメッキ領域を含む。好ましい実施態様において、ニッ
ケルフラッシュ層のメッキのための電着浴は、少なくと
も2つのメッキ領域を含む。他の好ましい実施態様にお
いて、ニッケルフラッシュ層のメッキのための電着浴を
少なくとも3つのメッキ領域を含み、そしてより好まし
くは少なくとも4つのメッキ領域を含む。
ルフラッシュ層を施工する際、電着浴は少なくとも1つ
のメッキ領域を含む。好ましい実施態様において、ニッ
ケルフラッシュ層のメッキのための電着浴は、少なくと
も2つのメッキ領域を含む。他の好ましい実施態様にお
いて、ニッケルフラッシュ層のメッキのための電着浴を
少なくとも3つのメッキ領域を含み、そしてより好まし
くは少なくとも4つのメッキ領域を含む。
【0046】ニッケルフラッシュ層を施工する条件の結
果として、ニッケルフラッシュ層は微細な粒構造(特に
金属箔またはニッケル処理層の粒構造と比較した場合)
を有する。この微細粒構造は、得られる処理金属箔に改
良された強度を提供し、これが次に、処理金属箔を基板
に積層したときに改良された剥離強度をもたらす。
果として、ニッケルフラッシュ層は微細な粒構造(特に
金属箔またはニッケル処理層の粒構造と比較した場合)
を有する。この微細粒構造は、得られる処理金属箔に改
良された強度を提供し、これが次に、処理金属箔を基板
に積層したときに改良された剥離強度をもたらす。
【0047】処理金属箔は、箔と基板との間の接着をさ
らに増強するために適した1つ以上の接着促進層を含み
得る。接着促進層は少なくとも1種のシラン化合物およ
び/または少なくとも1種の熱硬化性および熱可塑性ポ
リマーおよびコポリマーを含み得る。熱硬化性および熱
可塑性ポリマーおよびコポリマーは、エポキシ樹脂(単
官能性および多官能性のエポキシ樹脂を包含する)、ホ
ルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹
脂、ポリエステル樹脂、ブタジエンゴムおよびアクリロ
ニトリルゴム、ポリビニルブチラール樹脂、および/ま
たはフェノール樹脂を包含する。1つの実施態様におい
て、接着促進層は、混合されたクロムが存在しないこと
で特徴づけられる・1つの実施態様において、接着促進
層は、1種またはそれ以上のシラン化合物を金属箔の少
なくとも片側または表面に施工することによって作製さ
れ得る。シラン化合物は、溶液中に、約0.1〜約10
%v/v、そして好ましくは約0.2〜約5%v/v、そして
より好ましくは約0.3〜約3%v/vの量で存在する。
好ましいシラン化合物は、シランカップリング剤であ
る。好ましいシランカップリング剤は、アミノシラン化
合物、エポキシシラン化合物、およびアルコキシシラン
化合物である。
らに増強するために適した1つ以上の接着促進層を含み
得る。接着促進層は少なくとも1種のシラン化合物およ
び/または少なくとも1種の熱硬化性および熱可塑性ポ
リマーおよびコポリマーを含み得る。熱硬化性および熱
可塑性ポリマーおよびコポリマーは、エポキシ樹脂(単
官能性および多官能性のエポキシ樹脂を包含する)、ホ
ルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹
脂、ポリエステル樹脂、ブタジエンゴムおよびアクリロ
ニトリルゴム、ポリビニルブチラール樹脂、および/ま
たはフェノール樹脂を包含する。1つの実施態様におい
て、接着促進層は、混合されたクロムが存在しないこと
で特徴づけられる・1つの実施態様において、接着促進
層は、1種またはそれ以上のシラン化合物を金属箔の少
なくとも片側または表面に施工することによって作製さ
れ得る。シラン化合物は、溶液中に、約0.1〜約10
%v/v、そして好ましくは約0.2〜約5%v/v、そして
より好ましくは約0.3〜約3%v/vの量で存在する。
好ましいシラン化合物は、シランカップリング剤であ
る。好ましいシランカップリング剤は、アミノシラン化
合物、エポキシシラン化合物、およびアルコキシシラン
化合物である。
【0048】1つの実施態様において、シラン化合物は
式
式
【0049】
【化1】
【0050】で表され得る。ここでG1,G2、G3、
G4、G5およびG6は独立して、ハロゲン、ヒドロカル
ビルオキシ、またはヒドロキシ基であり;R1は炭化水
素基または窒素含有炭化水素基であり;そしてnは0ま
たは1である。1つの実施態様において、G1,G2、G
3、G4、G5およびG6の各々は独立して、クロロ、アル
コキシ、アルコキシアルコキシまたはアルコキシアルコ
キシアルコキシであり、そしてR1は炭素原子約10個
までのアルキレンまたはアレーン基、あるいはモノアミ
ノ−またはポリアミノ−置換の炭素原子約10個までの
アルキレンまたはアレーン基である。1つの実施態様に
おいて、G1,G2、G3およびG6の各々は、炭素原子約
10個までのアルコキシ、アルキルアルコキシ、アルコ
キシアルコキシ、またはアルコキシアルコキシアルコキ
シ基であり、そしてnは0である。
G4、G5およびG6は独立して、ハロゲン、ヒドロカル
ビルオキシ、またはヒドロキシ基であり;R1は炭化水
素基または窒素含有炭化水素基であり;そしてnは0ま
たは1である。1つの実施態様において、G1,G2、G
3、G4、G5およびG6の各々は独立して、クロロ、アル
コキシ、アルコキシアルコキシまたはアルコキシアルコ
キシアルコキシであり、そしてR1は炭素原子約10個
までのアルキレンまたはアレーン基、あるいはモノアミ
ノ−またはポリアミノ−置換の炭素原子約10個までの
アルキレンまたはアレーン基である。1つの実施態様に
おいて、G1,G2、G3およびG6の各々は、炭素原子約
10個までのアルコキシ、アルキルアルコキシ、アルコ
キシアルコキシ、またはアルコキシアルコキシアルコキ
シ基であり、そしてnは0である。
【0051】シラン化合物の例としては、テトラメトキ
シシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシ
ラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトラキス(2-エトキ
シエトキシ)シラン、テトラキス(2-エチルブトキシ)シ
ラン、テトラキス(2-エチルヘキソキシ)シラン、テトラ
キス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、テトラキス(2
-メトキシエトキシ)シラン、テトラキス(1-メトキシ-2-
プロポキシ)シラン、ビス[3-(トリエトキシシリル)プロ
ピル] アミン、ビス[3-(トリメトキシシリル)プロピル]
エチレンジアミン、1 ,2-ビス(トリメトキシシリル)エ
タン、ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン、1 ,6
-ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン、1,2-ビス(トリク
ロロシリル)エタン、1 ,6-ビス(トリクロロシリル)ヘキ
サン、および 1 ,8-ビス(トリクロロシリル)オクタンが
含まれる。
シシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシ
ラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトラキス(2-エトキ
シエトキシ)シラン、テトラキス(2-エチルブトキシ)シ
ラン、テトラキス(2-エチルヘキソキシ)シラン、テトラ
キス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、テトラキス(2
-メトキシエトキシ)シラン、テトラキス(1-メトキシ-2-
プロポキシ)シラン、ビス[3-(トリエトキシシリル)プロ
ピル] アミン、ビス[3-(トリメトキシシリル)プロピル]
エチレンジアミン、1 ,2-ビス(トリメトキシシリル)エ
タン、ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン、1 ,6
-ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン、1,2-ビス(トリク
ロロシリル)エタン、1 ,6-ビス(トリクロロシリル)ヘキ
サン、および 1 ,8-ビス(トリクロロシリル)オクタンが
含まれる。
【0052】他の実施態様において、シラン化合物は式
【0053】
【化2】
【0054】で表され得る化合物である。ここでR2、
R3、R4およびR5は、独立して水素、ハロゲン基、ヒ
ドロカルビルオキシ基、ヒドロキシ基、有機官能性基で
あり、この有機官能基は、他の基板(たとえばプリプレ
グ)と反応性であるか、あるいは親和性を有する。有機
官能基の例としては、アミノ含有、アミド含有、ヒドロ
キシ含有、アルコキシ含有の炭化水素、ビニル含有炭化
水素、芳香族、複素環、アリル含有、エポキシ含有、メ
ルカプト含有、カルボキシ含有、イソシアナト含有、グ
リシドキシ含有、およびアクリルオキシ含有基が挙げら
れる。1つの実施態様において、R3、R4およびR5の
各々は、クロロ、メトキシまたはエトキシであり、そし
てR2は有機官能性基である。1つの実施態様におい
て、R4およびR 5の各々は、クロロ、メトキシまたはエ
トキシであり、そしてR2およびR3は有機官能性基であ
る。
R3、R4およびR5は、独立して水素、ハロゲン基、ヒ
ドロカルビルオキシ基、ヒドロキシ基、有機官能性基で
あり、この有機官能基は、他の基板(たとえばプリプレ
グ)と反応性であるか、あるいは親和性を有する。有機
官能基の例としては、アミノ含有、アミド含有、ヒドロ
キシ含有、アルコキシ含有の炭化水素、ビニル含有炭化
水素、芳香族、複素環、アリル含有、エポキシ含有、メ
ルカプト含有、カルボキシ含有、イソシアナト含有、グ
リシドキシ含有、およびアクリルオキシ含有基が挙げら
れる。1つの実施態様において、R3、R4およびR5の
各々は、クロロ、メトキシまたはエトキシであり、そし
てR2は有機官能性基である。1つの実施態様におい
て、R4およびR 5の各々は、クロロ、メトキシまたはエ
トキシであり、そしてR2およびR3は有機官能性基であ
る。
【0055】これらのシラン化合物の例としては、テト
ラメトキシシラン; テトラエトキシシラン; ジアミノシ
ラン; N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメト
キシシラン; 3-(N-スチリルメチル-2-アミノエチルアミ
ノ)プロピルトリメトキシシラン; 3-アミノプロピルト
リエトキシシラン; ビス(2-ヒドロキシエチル)-3-アミ
ノプロピルトリエトキシシラン; β-(3,4-エポキシシク
ロヘキシル)エチルトリメトキシシラン; 3-グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン; 3-メタクリルオキシプ
ロピルトリメトキシシラン; 3-クロロプロピルトリメト
キシシラン; ビニルトリクロロシラン; ビニルトリエト
キシシラン; ビニル-トリス(2-メトキシエトキシ)シラ
ン; アミノプロピルトリメトキシシラン; N-メチルアミ
ノプロピルトリメトキシシラン; N-フェニルアミノプロ
ピルトリメトキシシラン; 3-アセトキシプロピルトリメ
トキシシラン; N-(3-アクリルオキシ-2-ヒドロキシプロ
ピル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン ; 3-アク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン; アリルトリエ
トキシシラン; アリルトリメトキシシラン; 4-アミノブ
チルトリエトキシシラン; (アミノエチルアミノメチル)
フェネチルトリメトキシシラン; N-(2-アミノエチル-3
アミノプロピル)トリメトキシシラン; N-(2-アミノエチ
ル-3-アミノプロピル)トリス (2-エチルヘキソキシ)シ
ラン; 6-(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシ
シラン; アミノ-フェニルトリメトキシシラン; 3-(1-ア
ミノプロポキシ)-3、3-ジメチル-1-プロペニルトリメト
キシシラン; 3-アミノプロピルトリス(メトキシエトキ
シエトキシ)シラン; 3-アミノプロピルトリエトキシシ
ラン; 3-アミノプロピルトリメトキシシラン; ω-)アミ
ノウンデシルトリメトキシシラン; 3-[2-N-ベンジルア
ミノエチルアミノプロピル]トリメトキシシラン; ビス
(2-ヒドロキシエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシ
シラン; 8-ブロモオクチルトリメトキシシラン; ブロモ
フェニルトリメトキシシラン; 3-ブロモプロピルトリメ
トキシシラン; 2-クロロエチルトリエトキシシラン; p-
(クロロメチル)フェニルトリメトキシシラン; クロロメ
チルトリエトキシシラン; クロロフェニルトリエトキシ
シラン; 3-クロロプロピルトリエトキシシラン; 3-クロ
ロプロピルトリメトキシシラン; 2-(4-クロロスルホニ
ルフェニル)エチルトリメトキシシラン; 3-(シアノエト
キシ)-3, 3-ジメチル-1-プロペニルトリメトキシシラ
ン; 2-シアノエチルトリエトキシシラン; 2-シアノエチ
ルトリメトキシシラン; (シアノメチルフェネチル)トリ
メトキシシラン; 3-シアノプロピルトリエトキシシラ
ン; 3-シクロペンタジエニルプロピルトリエトキシシラ
ン; (N,N-ジエチル-3-アミノプロピル)トリメトキシシ
ラン; ジエチルホスフェートエチルトリエトキシシラ
ン; (N, N-ジメチル-3-アミノプロピル)トリメトキシシ
ラン; 2-(ジフェニルホスフィノ)エチルトリエトキシシ
ラン; 2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメト
キシシラン; 3-ヨードプロピルトリメトキシシラン; 3-
イソシアネートプロピルトリエトキシシラン; 3-メルカ
プトプロピルトリエトキシシラン; 3-メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン; メタクリルオキシプロペニルト
リメトキシシラン; 3-メタクリルオキシプロピルトリメ
トキシシラン; 3-メタクリルオキシプロピルトリス(メ
トキシエトキシ)シラン;3-メトキシプロピルトリメトキ
シシラン; N-メチルアミノプロピルトリメトキシシラ
ン; 0-4-メチルクマリニル-N-[3-(トリエトキシシリル)
プロピル]カルバメート; 7-オクト-1-エニルトリメトキ
シシラン; N-フェネチル-N'-トリエトキシシリルプロピ
ルウレア(N-phenethl-N'-triethoxysilyl propyloure
a); N-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン; 3-
(N-スチリルメチル-2アミノエチルアミノ)プロピルトリ
メトキシシラン; 3-チオシアネートプロピルトトリエト
キシシラン; N-(3-トリエトキシシリルプロピル)アセチ
ルグリシンアミド; N-(トリエトキシシリルプロピル)ダ
ンシイルアミド; N-[3-(トリエトキシシリル)プロピル]
-2,4-ジニトロフェニルアミン; トリエトキシシリルプ
ロピルエチルカルバメート; N-[3-(トリエトキシシリ
ル)プロピル]-4,5-ジヒドロイミダソール; N-トリエト
キシシリルプロピル-o-メントカルバメート; 3-(トリエ
トキシシリルプロピル)-p-ニトロベンズアミド; N-[3-
(トリエトキシシリル)プロピル]フタルアミド酸; N-(ト
リエトキシシリルプロピル)ウレア; 1-トリメトキシシ
リル2-(p,m-クロロメチル)フェニルエタン; 2-(トリメ
トキシシリル)エチルフェニルスルホニルアジド; β-ト
リメトキシシリルエチル-2-ピリジン; トリメトキシシ
リルオクチルトリメチルアンモニウムブロミド; トリメ
トキシシリルプロピルシナメート; N-(3-トリメトキシ
シリルプロピル)-N-メチル-N,N-ジアリルアンモニウム
クロリド; トリメトキシシリルプロピルジエチレントリ
アミン; N-[(3-トリメトキシシリル)プロピル]エチレン
ジアミントリ酢酸三ナトリウム塩; トリメトキシシリル
プロピルイソチオウロニウムクロリド; N-(3-トリメト
キシシリルプロピル)ピロール; N-トリメトキシシリル
プロピルトリ-N-ブチルアンモニウムブロミド;N-トリメ
トキシシリルプロピル-N,N,N-トリメチルアンモニウム
クロリド; ビニルトリエトキシシラン; ビニルトリイソ
プロポキシシラン; ビニルトリメトキシシラン; ビニル
トリス-t-ブトキシシラン; ビニルトリス(2-メトキシエ
トキシ)シラン; ビニルトリイソプロペンオキシシラン;
ビニルトリス(t-ブチルペルオキシ)シラン; 2-アセト
キシエチルトリクロロシラン; 3-アクリルオキシプロピ
ルトリクロロシラン; アリイルトリクロロシラン; 8-ブ
ロモオクチルトリクロロシラン; ブロモフェニルトリク
ロロシラン; 3-ブロモプロピルトリクロロシラン; 2-
(カルボメトキシ)エチルトリクロロシラン; 1-クロロエ
チルトリクロロシラン; 2-クロロエチルトリクロロシラ
ン; p-(クロロメチル)フェニルトリクロロシラン; クロ
ロメチルトリクロロシラン; クロロフェニルトリクロロ
シラン; 3-クロロプロピルトリクロロシラン; 2-(4-ク
ロロスルホニルフェニル)エチルトリクロロシラン; (3-
シアノブチル)トリクロロシラン; 2-シアノエチルトリ
クロロシラン; 3-シアノプロピルトリクロロシラン;
(ジクロロメチル)トリクロロシラン; (ジクロロフェニ
ル)トリクロロシラン; 6-ヘキソ-1-エニルトリクロロシ
ラン;3-メタクリルオキシプロピルトリクロロシラン; 3
-(4-メトキシフェニル)プロピルトリクロロシラン; 7-
オクト-1-エニルトリクロロシラン; 3-(N-フタルイミ
ド)プロピルトリクロロシラン; 1-トリクロロシリル2-
(p,m-クロロメチルフェニル)エタン; 4-[2(トリクロロ
シリル)エチル]シクロヘキセン; 2-[2-(トリクロロシリ
ル)エチル]ピリジン; 4-[2(トリクロロシリル)エチル]
ピリジン; 3-(トリクロロシリル)プロピルクロロホルメ
ート; およびビニルトリクロロシランが含まれる。
ラメトキシシラン; テトラエトキシシラン; ジアミノシ
ラン; N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメト
キシシラン; 3-(N-スチリルメチル-2-アミノエチルアミ
ノ)プロピルトリメトキシシラン; 3-アミノプロピルト
リエトキシシラン; ビス(2-ヒドロキシエチル)-3-アミ
ノプロピルトリエトキシシラン; β-(3,4-エポキシシク
ロヘキシル)エチルトリメトキシシラン; 3-グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン; 3-メタクリルオキシプ
ロピルトリメトキシシラン; 3-クロロプロピルトリメト
キシシラン; ビニルトリクロロシラン; ビニルトリエト
キシシラン; ビニル-トリス(2-メトキシエトキシ)シラ
ン; アミノプロピルトリメトキシシラン; N-メチルアミ
ノプロピルトリメトキシシラン; N-フェニルアミノプロ
ピルトリメトキシシラン; 3-アセトキシプロピルトリメ
トキシシラン; N-(3-アクリルオキシ-2-ヒドロキシプロ
ピル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン ; 3-アク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン; アリルトリエ
トキシシラン; アリルトリメトキシシラン; 4-アミノブ
チルトリエトキシシラン; (アミノエチルアミノメチル)
フェネチルトリメトキシシラン; N-(2-アミノエチル-3
アミノプロピル)トリメトキシシラン; N-(2-アミノエチ
ル-3-アミノプロピル)トリス (2-エチルヘキソキシ)シ
ラン; 6-(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシ
シラン; アミノ-フェニルトリメトキシシラン; 3-(1-ア
ミノプロポキシ)-3、3-ジメチル-1-プロペニルトリメト
キシシラン; 3-アミノプロピルトリス(メトキシエトキ
シエトキシ)シラン; 3-アミノプロピルトリエトキシシ
ラン; 3-アミノプロピルトリメトキシシラン; ω-)アミ
ノウンデシルトリメトキシシラン; 3-[2-N-ベンジルア
ミノエチルアミノプロピル]トリメトキシシラン; ビス
(2-ヒドロキシエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシ
シラン; 8-ブロモオクチルトリメトキシシラン; ブロモ
フェニルトリメトキシシラン; 3-ブロモプロピルトリメ
トキシシラン; 2-クロロエチルトリエトキシシラン; p-
(クロロメチル)フェニルトリメトキシシラン; クロロメ
チルトリエトキシシラン; クロロフェニルトリエトキシ
シラン; 3-クロロプロピルトリエトキシシラン; 3-クロ
ロプロピルトリメトキシシラン; 2-(4-クロロスルホニ
ルフェニル)エチルトリメトキシシラン; 3-(シアノエト
キシ)-3, 3-ジメチル-1-プロペニルトリメトキシシラ
ン; 2-シアノエチルトリエトキシシラン; 2-シアノエチ
ルトリメトキシシラン; (シアノメチルフェネチル)トリ
メトキシシラン; 3-シアノプロピルトリエトキシシラ
ン; 3-シクロペンタジエニルプロピルトリエトキシシラ
ン; (N,N-ジエチル-3-アミノプロピル)トリメトキシシ
ラン; ジエチルホスフェートエチルトリエトキシシラ
ン; (N, N-ジメチル-3-アミノプロピル)トリメトキシシ
ラン; 2-(ジフェニルホスフィノ)エチルトリエトキシシ
ラン; 2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメト
キシシラン; 3-ヨードプロピルトリメトキシシラン; 3-
イソシアネートプロピルトリエトキシシラン; 3-メルカ
プトプロピルトリエトキシシラン; 3-メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン; メタクリルオキシプロペニルト
リメトキシシラン; 3-メタクリルオキシプロピルトリメ
トキシシラン; 3-メタクリルオキシプロピルトリス(メ
トキシエトキシ)シラン;3-メトキシプロピルトリメトキ
シシラン; N-メチルアミノプロピルトリメトキシシラ
ン; 0-4-メチルクマリニル-N-[3-(トリエトキシシリル)
プロピル]カルバメート; 7-オクト-1-エニルトリメトキ
シシラン; N-フェネチル-N'-トリエトキシシリルプロピ
ルウレア(N-phenethl-N'-triethoxysilyl propyloure
a); N-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン; 3-
(N-スチリルメチル-2アミノエチルアミノ)プロピルトリ
メトキシシラン; 3-チオシアネートプロピルトトリエト
キシシラン; N-(3-トリエトキシシリルプロピル)アセチ
ルグリシンアミド; N-(トリエトキシシリルプロピル)ダ
ンシイルアミド; N-[3-(トリエトキシシリル)プロピル]
-2,4-ジニトロフェニルアミン; トリエトキシシリルプ
ロピルエチルカルバメート; N-[3-(トリエトキシシリ
ル)プロピル]-4,5-ジヒドロイミダソール; N-トリエト
キシシリルプロピル-o-メントカルバメート; 3-(トリエ
トキシシリルプロピル)-p-ニトロベンズアミド; N-[3-
(トリエトキシシリル)プロピル]フタルアミド酸; N-(ト
リエトキシシリルプロピル)ウレア; 1-トリメトキシシ
リル2-(p,m-クロロメチル)フェニルエタン; 2-(トリメ
トキシシリル)エチルフェニルスルホニルアジド; β-ト
リメトキシシリルエチル-2-ピリジン; トリメトキシシ
リルオクチルトリメチルアンモニウムブロミド; トリメ
トキシシリルプロピルシナメート; N-(3-トリメトキシ
シリルプロピル)-N-メチル-N,N-ジアリルアンモニウム
クロリド; トリメトキシシリルプロピルジエチレントリ
アミン; N-[(3-トリメトキシシリル)プロピル]エチレン
ジアミントリ酢酸三ナトリウム塩; トリメトキシシリル
プロピルイソチオウロニウムクロリド; N-(3-トリメト
キシシリルプロピル)ピロール; N-トリメトキシシリル
プロピルトリ-N-ブチルアンモニウムブロミド;N-トリメ
トキシシリルプロピル-N,N,N-トリメチルアンモニウム
クロリド; ビニルトリエトキシシラン; ビニルトリイソ
プロポキシシラン; ビニルトリメトキシシラン; ビニル
トリス-t-ブトキシシラン; ビニルトリス(2-メトキシエ
トキシ)シラン; ビニルトリイソプロペンオキシシラン;
ビニルトリス(t-ブチルペルオキシ)シラン; 2-アセト
キシエチルトリクロロシラン; 3-アクリルオキシプロピ
ルトリクロロシラン; アリイルトリクロロシラン; 8-ブ
ロモオクチルトリクロロシラン; ブロモフェニルトリク
ロロシラン; 3-ブロモプロピルトリクロロシラン; 2-
(カルボメトキシ)エチルトリクロロシラン; 1-クロロエ
チルトリクロロシラン; 2-クロロエチルトリクロロシラ
ン; p-(クロロメチル)フェニルトリクロロシラン; クロ
ロメチルトリクロロシラン; クロロフェニルトリクロロ
シラン; 3-クロロプロピルトリクロロシラン; 2-(4-ク
ロロスルホニルフェニル)エチルトリクロロシラン; (3-
シアノブチル)トリクロロシラン; 2-シアノエチルトリ
クロロシラン; 3-シアノプロピルトリクロロシラン;
(ジクロロメチル)トリクロロシラン; (ジクロロフェニ
ル)トリクロロシラン; 6-ヘキソ-1-エニルトリクロロシ
ラン;3-メタクリルオキシプロピルトリクロロシラン; 3
-(4-メトキシフェニル)プロピルトリクロロシラン; 7-
オクト-1-エニルトリクロロシラン; 3-(N-フタルイミ
ド)プロピルトリクロロシラン; 1-トリクロロシリル2-
(p,m-クロロメチルフェニル)エタン; 4-[2(トリクロロ
シリル)エチル]シクロヘキセン; 2-[2-(トリクロロシリ
ル)エチル]ピリジン; 4-[2(トリクロロシリル)エチル]
ピリジン; 3-(トリクロロシリル)プロピルクロロホルメ
ート; およびビニルトリクロロシランが含まれる。
【0056】1つの実施態様において、好ましいシラン
は3-アミノプロピルトリエトキシシラン;3-グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン;およびN-[3-(トリエ
トキシシリル)プロピル]-4,5-ジヒドロイミダゾール
を包含する。上記のシラン化合物の2つ以上の混合物も
また使用され得る。たとえば、1つの実施態様におい
て、シラン化合物はN-(2-アミノエチル-3-グリシドキシ
プロピル)トリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリ
メトキシシラン、または3-グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランをテトラエトキシシランまたはテトラメト
キシシランと組み合わせたものである。
は3-アミノプロピルトリエトキシシラン;3-グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン;およびN-[3-(トリエ
トキシシリル)プロピル]-4,5-ジヒドロイミダゾール
を包含する。上記のシラン化合物の2つ以上の混合物も
また使用され得る。たとえば、1つの実施態様におい
て、シラン化合物はN-(2-アミノエチル-3-グリシドキシ
プロピル)トリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリ
メトキシシラン、または3-グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランをテトラエトキシシランまたはテトラメト
キシシランと組み合わせたものである。
【0057】シラン溶液は水、水とアルコールとの混合
物、または適切な有機溶媒中の分散体または溶液の形態
であり得、あるいはシラン混合物の水性乳濁液、または
適切な有機溶媒中のシラン化合物の溶液の水性乳濁液で
あり得る。従来の有機溶媒が使用され得る。これらは、
アルコール、エーテル、ケトン、およびそれらと脂肪族
または芳香族の炭化水素との混合物、あるいはN,N-ジメ
チルホルムアミドのようなアミドとの混合物を包含す
る。有用な溶媒は、良好な湿潤特性および乾燥特性を有
する溶媒であり、そしてたとえば、水、エタノール、イ
ソプロパノール、およびメチルエチルケトンが挙げられ
る。シラン化合物の水性懸濁液は、従来の分散剤および
界面活性剤(非イオン性界面活性剤を包含する)を使用
して従来の方法で形成され得る。金属箔をシラン溶液に
接触する工程は、所望であれば数回繰り返され得る。し
かし、通常1回の工程で有用な結果が得られ、それゆえ
1回の工程が通常は好ましい。接触は、逆ローラーコー
ティング、ドクターブレードコーティング、ディッピン
グ、浸漬、ペイント塗および噴霧を包含する公知の施工
方法によって達成される。
物、または適切な有機溶媒中の分散体または溶液の形態
であり得、あるいはシラン混合物の水性乳濁液、または
適切な有機溶媒中のシラン化合物の溶液の水性乳濁液で
あり得る。従来の有機溶媒が使用され得る。これらは、
アルコール、エーテル、ケトン、およびそれらと脂肪族
または芳香族の炭化水素との混合物、あるいはN,N-ジメ
チルホルムアミドのようなアミドとの混合物を包含す
る。有用な溶媒は、良好な湿潤特性および乾燥特性を有
する溶媒であり、そしてたとえば、水、エタノール、イ
ソプロパノール、およびメチルエチルケトンが挙げられ
る。シラン化合物の水性懸濁液は、従来の分散剤および
界面活性剤(非イオン性界面活性剤を包含する)を使用
して従来の方法で形成され得る。金属箔をシラン溶液に
接触する工程は、所望であれば数回繰り返され得る。し
かし、通常1回の工程で有用な結果が得られ、それゆえ
1回の工程が通常は好ましい。接触は、逆ローラーコー
ティング、ドクターブレードコーティング、ディッピン
グ、浸漬、ペイント塗および噴霧を包含する公知の施工
方法によって達成される。
【0058】シラン溶液は典型的には好ましくは約15
℃から約45℃、より好ましくは約20℃から約30℃
の温度である。処理金属箔をシラン溶液と接触させた
後、金属箔は、表面の乾燥を促進するため、好ましくは
約60℃から約170℃、より好ましくは約90℃から
約150℃の温度まで、好ましくは約0.03〜約5分
間、より好ましくは約0.2〜約2分間加熱され得る。
金属箔上のシラン化合物の乾燥膜厚は、好ましくは約
0.002〜約0.1ミクロン、より好ましくは約0.
005〜約0.02ミクロンである。
℃から約45℃、より好ましくは約20℃から約30℃
の温度である。処理金属箔をシラン溶液と接触させた
後、金属箔は、表面の乾燥を促進するため、好ましくは
約60℃から約170℃、より好ましくは約90℃から
約150℃の温度まで、好ましくは約0.03〜約5分
間、より好ましくは約0.2〜約2分間加熱され得る。
金属箔上のシラン化合物の乾燥膜厚は、好ましくは約
0.002〜約0.1ミクロン、より好ましくは約0.
005〜約0.02ミクロンである。
【0059】本発明の方法によって処理された金属箔は
基板は結合されて、寸法安定性および構造安定性を与え
得る。本発明の処理金属箔は、処理金属箔と基板との間
の結合強度および剥離強度を増強する。この処理金属箔
の利点は、この箔が付加銅粗面処理を回避しながらな
お、基板との有効な結合強度または剥離強度を示すこと
である。他の利点は、処理金属箔の金属粒子が、次いで
積層する基板に移動または拡散しないことである。これ
らの箔は標準プロフィール表面、低プロフィール表面、
および極低プロフィール表面さえを有し得、そしてなお
所望の剥離強度を提供する。処理金属箔のさらに他の利
点は、つや消し側または光沢側のいずれもが、処理後、
基板に有効に結合し得ることである。
基板は結合されて、寸法安定性および構造安定性を与え
得る。本発明の処理金属箔は、処理金属箔と基板との間
の結合強度および剥離強度を増強する。この処理金属箔
の利点は、この箔が付加銅粗面処理を回避しながらな
お、基板との有効な結合強度または剥離強度を示すこと
である。他の利点は、処理金属箔の金属粒子が、次いで
積層する基板に移動または拡散しないことである。これ
らの箔は標準プロフィール表面、低プロフィール表面、
および極低プロフィール表面さえを有し得、そしてなお
所望の剥離強度を提供する。処理金属箔のさらに他の利
点は、つや消し側または光沢側のいずれもが、処理後、
基板に有効に結合し得ることである。
【0060】有用な基板は、部分的に硬化した樹脂(通
常、エポキシ樹脂(たとえば、二官能性、4官能性、お
よび多官能性のエポキシド))で含浸されたガラス織布
強化材料であり得る。他の有用な樹脂は、ホルムアルデ
ヒドと尿素、またはホルムアルデヒドとメラミンとの反
応から製造されるアミノタイプ樹脂、ポリエステル、フ
ェノール樹脂、シリコーン、ポリアミド、ポリイミド、
ジアリルフタレート、フェニルシラン、ポリベンズイミ
ダゾール、ジフェニルオキシド、ポリテトラフルオロエ
チレン、シアネートエステルなどを包含する。これらの
基板は時として、誘電体基板またはプリプレグと呼ばれ
る。
常、エポキシ樹脂(たとえば、二官能性、4官能性、お
よび多官能性のエポキシド))で含浸されたガラス織布
強化材料であり得る。他の有用な樹脂は、ホルムアルデ
ヒドと尿素、またはホルムアルデヒドとメラミンとの反
応から製造されるアミノタイプ樹脂、ポリエステル、フ
ェノール樹脂、シリコーン、ポリアミド、ポリイミド、
ジアリルフタレート、フェニルシラン、ポリベンズイミ
ダゾール、ジフェニルオキシド、ポリテトラフルオロエ
チレン、シアネートエステルなどを包含する。これらの
基板は時として、誘電体基板またはプリプレグと呼ばれ
る。
【0061】一般的に、積層体を作製する方法は当該分
野で公知である。積層体を調製する際に、処理金属箔お
よびプリプレグ材料はシート状に切断され得、そして次
に積層に供され得る。プリプレグは、部分的に硬化した
2段階樹脂(two-stage resinn)を含浸したガラス強化繊
維織布から構成され得る。熱および圧力をかけること
で、処理金属箔はプリプレグに強固に押しつけられ、そ
してこの集合物(assemblage)が供される温度によって樹
脂が活性化されて硬化が起こり、すなわち樹脂が架橋
し、そのため箔がプリプレグ基板に強固に結合する。
野で公知である。積層体を調製する際に、処理金属箔お
よびプリプレグ材料はシート状に切断され得、そして次
に積層に供され得る。プリプレグは、部分的に硬化した
2段階樹脂(two-stage resinn)を含浸したガラス強化繊
維織布から構成され得る。熱および圧力をかけること
で、処理金属箔はプリプレグに強固に押しつけられ、そ
してこの集合物(assemblage)が供される温度によって樹
脂が活性化されて硬化が起こり、すなわち樹脂が架橋
し、そのため箔がプリプレグ基板に強固に結合する。
【0062】処理金属箔は多くの可能な最終用途で使用
され得るが、通常は電子デバイスまたは電子関連用途の
ために用いられる。これらの方法および最終用途は当該
分野で公知である。
され得るが、通常は電子デバイスまたは電子関連用途の
ために用いられる。これらの方法および最終用途は当該
分野で公知である。
【0063】限定を意図しないが、以下の実施例は、本
発明の種々の新規な局面を例示する。別段の指示のない
限り、以下の実施例ならびに明細書および特許請求の範
囲全体にわたって、すべての部および百分率は重量によ
り、すべての温度は摂氏であり、そしてすべての圧力は
大気圧である。
発明の種々の新規な局面を例示する。別段の指示のない
限り、以下の実施例ならびに明細書および特許請求の範
囲全体にわたって、すべての部および百分率は重量によ
り、すべての温度は摂氏であり、そしてすべての圧力は
大気圧である。
【0064】
【実施例】実施例1 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして202ASFの電流密度下、25℃で
約25秒間、40g/lの塩化アンモニウムと40g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は2つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約30秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。 実施例2 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして278ASFの電流密度下、25℃で
約25秒間、40g/lの塩化アンモニウムと40g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は4つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約30秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。 比較例1 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして202ASFの電流密度下、25℃で
約25秒間、40g/lの塩化アンモニウムと40g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は1つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約30秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。 比較例2 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして202ASFの電流密度下、25℃で
約35秒間、70g/lの塩化アンモニウムと28g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は1つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約35秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。
ですすぎ、そして202ASFの電流密度下、25℃で
約25秒間、40g/lの塩化アンモニウムと40g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は2つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約30秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。 実施例2 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして278ASFの電流密度下、25℃で
約25秒間、40g/lの塩化アンモニウムと40g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は4つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約30秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。 比較例1 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして202ASFの電流密度下、25℃で
約25秒間、40g/lの塩化アンモニウムと40g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は1つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約30秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。 比較例2 銅箔を硫酸の希薄溶液に接触させる。次にこの銅箔を水
ですすぎ、そして202ASFの電流密度下、25℃で
約35秒間、70g/lの塩化アンモニウムと28g/lの塩
化ニッケルを含む水性浴を通じて進める。この浴は1つ
のメッキ領域を含む。次に、この金属箔を、320g/l
の硫酸ニッケル、40g/lの塩化ニッケル、および30g
/lのホウ酸を水中に含むニッケルフラッシュ電着浴中に
置く。金属箔はニッケルフラッシュ電着浴中に、約40
ASFの電流密度下、温度50℃で約35秒間置かれ
る。ニッケルフラッシュ電着浴は2つのメッキ領域を含
む。
【0065】これらの4種の処理銅箔をGeneral Electr
ic FR-4エポキシプリプレグに積層し、そして剥離強度
を試験し、表1に報告する。4種の銅箔積層体の製造に
関しての金属イオン廃棄物の処理性もまた表1に報告す
る。
ic FR-4エポキシプリプレグに積層し、そして剥離強度
を試験し、表1に報告する。4種の銅箔積層体の製造に
関しての金属イオン廃棄物の処理性もまた表1に報告す
る。
【0066】
【表1】
【0067】本発明をその好適な実施態様に関連して説
明したが、その種々の方法は、本明細書を読めば、当業
者に明らかとなることが理解される。従って、本明細書
中に開示される発明は、添付の請求項の範囲内に入るよ
うな改変をカバーすることを意図することが理解され
る。
明したが、その種々の方法は、本明細書を読めば、当業
者に明らかとなることが理解される。従って、本明細書
中に開示される発明は、添付の請求項の範囲内に入るよ
うな改変をカバーすることを意図することが理解され
る。
【0068】
【発明の効果】本発明によれば、高い剥離強度を示し、
そして積層体中に組み入れられた場合に処理転移がわず
かであるか、あるいは処理転移しない金属箔を提供する
ことが可能となる。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の
錯形成金属イオンを含むため、処理性が改良された廃棄
物を発生する方法および箔を提供する。
そして積層体中に組み入れられた場合に処理転移がわず
かであるか、あるいは処理転移しない金属箔を提供する
ことが可能となる。本発明は、廃溶液が比較的低濃度の
錯形成金属イオンを含むため、処理性が改良された廃棄
物を発生する方法および箔を提供する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 594064150 35129 Curtis Boulevar d,Eastlake,Ohio 44095, United States of Am erica (72)発明者 チン ホ リー アメリカ合衆国 オハイオ 44124, リ ンドハースト, エデンホール ドライブ 2060 (72)発明者 ロナルド ケイ. ヘインズ アメリカ合衆国 オハイオ 44060, メ ンター, エヌ. ウェザーバイ ドライ ブ 6699 (72)発明者 エドワード ザポル アメリカ合衆国 オハイオ 44129, パ ルマ, ハバーヒル アベニュー 5810 Fターム(参考) 4K023 AA12 BA06 BA07 BA08 BA09 BA21 BA29 CA09 DA03 DA06 DA07 4K024 AA03 AB01 AB02 AB03 AB04 BA06 BA09 BB11 BC02 CA01 CA02 CA03 CA04 CA06 DA03 GA01 5E343 AA15 AA16 AA17 AA18 BB04 BB23 BB24 BB25 BB28 BB34 BB44 BB55 BB67 CC33 CC34 CC46 CC78 DD43 GG01 GG20
Claims (28)
- 【請求項1】 金属箔の処理方法であって、 金属箔を酸性溶液に接触させる工程;該金属箔をニッケ
ル処理浴中に配置し、そして該ニッケル処理浴を通じて
電流を印加する工程であって、ここで該ニッケル処理浴
が少なくとも約2つのメッキ領域、約1〜約50g/lの
アンモニウム塩、および約10〜約100g/lのニッケ
ル化合物を含む、工程;および該金属箔にニッケルフラ
ッシュ層を施工する工程を順次包含する、方法。 - 【請求項2】 前記金属箔が銅処理層を含まない、請求
項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記酸性溶液が硫酸を含む、請求項1に
記載の方法。 - 【請求項4】 前記ニッケル処理浴が少なくとも約3つ
のメッキ領域を含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 前記ニッケル処理浴が少なくとも約4つ
のメッキ領域を含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項6】 前記ニッケル処理浴が約25〜約45g/
lのアンモニウム塩を含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項7】 前記ニッケル処理浴のニッケル化合物が
塩化ニッケルを含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項8】 前記ニッケルフラッシュ層が、電着浴に
おける電着によって施工される、請求項1に記載の方
法。 - 【請求項9】 前記電着浴が硫酸ニッケルおよび塩化ニ
ッケルを含む、請求項8に記載の方法。 - 【請求項10】 前記電着浴において約20〜約100
ASFの電流が印加される、請求項8に記載の方法。 - 【請求項11】 前記ニッケルフラッシュ層が交流電流
密度で電着される、請求項8に記載の方法。 - 【請求項12】 前記アンモニウム塩が塩化アンモニウ
ムおよび硫酸アルミニウムの少なくとも1つを含む、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項13】 前記ニッケルフラッシュ層を施工した
後に、前記金属箔にシランカップリング剤を施工する工
程をさらに包含する、請求項1に記載の方法。 - 【請求項14】 金属箔の処理方法であって、 金属箔を酸性溶液に接触させる工程;該金属箔をニッケ
ル処理浴中に配置し、そして該ニッケル処理浴を通じて
電流を印加する工程であって、ここで該ニッケル処理浴
が少なくとも約2つのメッキ領域、約1〜約50g/lの
塩化アンモニウム、および約10〜約100g/lの塩化
ニッケルを含む、工程;および電着浴中で該金属箔にニ
ッケルフラッシュ層を施工する工程を順次包含する、方
法。 - 【請求項15】 前記金属箔が銅処理層を含まない、請
求項14に記載の方法。 - 【請求項16】 前記ニッケル処理浴が少なくとも約3
つのメッキ領域を含む、請求項14に記載の方法。 - 【請求項17】 前記ニッケル処理浴が少なくとも約4
つのメッキ領域を含む、請求項14に記載の方法。 - 【請求項18】 前記ニッケル処理浴が約25〜約45
g/lのアンモニウム塩を含む、請求項14に記載の方
法。 - 【請求項19】 前記ニッケルフラッシュ層が交流電流
密度で電着される、請求項14に記載の方法。 - 【請求項20】 前記ニッケルフラッシュ層を施工した
後に、前記金属箔にシランカップリング剤を施工する工
程をさらに包含する、請求項14に記載の方法。 - 【請求項21】 金属箔の処理方法であって、 金属箔を酸性溶液に接触させる工程であって、ここで該
金属箔が銅処理層を含まない、工程;該金属箔をニッケ
ル処理浴中に配置し、そして該ニッケル処理浴を通じて
電流を印加する工程であって、ここで該ニッケル処理浴
が少なくとも約2つのメッキ領域、約25〜約45g/l
のアンモニウム塩、および約10〜約100g/lのニッ
ケル化合物を含む、工程;および電着浴中で該金属箔に
ニッケルフラッシュ層を施工する工程を順次包含する、
方法。 - 【請求項22】 前記ニッケル処理浴が少なくとも約3
つのメッキ領域を含む、請求項21に記載の方法。 - 【請求項23】 前記ニッケル処理浴が少なくとも約4
つのメッキ領域を含む、請求項21に記載の方法。 - 【請求項24】 前記ニッケルフラッシュ層が交流電流
密度で電着される、請求項21に記載の方法。 - 【請求項25】 前記ニッケルフラッシュ層を施工した
後に前記金属箔にシランカップリング剤を施工する工程
をさらに包含する、請求項21に記載の方法。 - 【請求項26】 請求項1に記載の方法で処理された金
属箔。 - 【請求項27】 請求項14に記載の方法で処理された
金属箔。 - 【請求項28】 請求項21に記載の方法で処理された
金属箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10217743A JP2000054183A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 基板に対する改良された結合性を有する金属箔およびその金属箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10217743A JP2000054183A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 基板に対する改良された結合性を有する金属箔およびその金属箔の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000054183A true JP2000054183A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16709065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10217743A Pending JP2000054183A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 基板に対する改良された結合性を有する金属箔およびその金属箔の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000054183A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005015861A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nikko Materials Co Ltd | 銅箔及びその製造方法 |
WO2007040196A1 (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法並びにその表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
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1998
- 1998-07-31 JP JP10217743A patent/JP2000054183A/ja active Pending
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