JP2000052072A - Device and method for correcting patterns - Google Patents
Device and method for correcting patternsInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に形成された
パターンの修正装置および修正方法に関し、なかでも、
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ:Liquid Crystal Display ）
基板、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Displa
y Panel ）基板、マスク基板に形成されたパターンの修
正装置および修正方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for repairing a pattern formed on a substrate.
Liquid crystal display (LCD)
Substrate, plasma display (PDP: Plasma Displa)
y Panel) The present invention relates to a device and a method for correcting a pattern formed on a substrate and a mask substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＣＤ基板、ＰＤＰ基板、マスク基板な
どにパターンを形成する場合、エッチング条件の過剰や
異物の混入によって、パターンの断線や抜けなどの欠陥
が発生する。この欠陥発生の傾向は、基板が大型化し高
精細化され、電極線の線幅が細くなるにつれて顕著にな
る傾向がある。2. Description of the Related Art When a pattern is formed on an LCD substrate, a PDP substrate, a mask substrate, or the like, a defect such as disconnection or omission of the pattern occurs due to excessive etching conditions or inclusion of foreign matter. This tendency of the occurrence of defects tends to be remarkable as the size of the substrate is increased and the definition is increased, and the line width of the electrode line is reduced.
【０００３】これらの断線等の欠陥の修正は、特開平８
−２９２４４２号公報等に開示されているように、欠陥
部にペーストを移行させ、焼成することによって行な
う。ペーストを焼成する方法としては基板全体を電気炉
等に入れて焼成する方法と、ＹＡＧ(Yttrium Aluminiu
m Garnet) レーザ、ＹＬＦ(LiYF4) レーザ、半導体レー
ザ、ＣＯ2 レーザ等によりペースト部分のみを部分的に
焼成する方法がある。[0003] The correction of these defects such as disconnection is disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
As disclosed in JP-A-292442 or the like, the paste is transferred to a defective portion and baked. As a method of firing the paste, there is a method of firing the whole substrate in an electric furnace or the like, and a method of firing the paste by YAG (Yttrium Aluminiu).
m Garnet) laser, a YLF (LiYF 4 ) laser, a semiconductor laser, a CO 2 laser, or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】電気炉を用いて基板全
体を焼成する場合、基板の大型化に伴い電気炉等の設備
も大型化せざるを得なくなり、その結果、価格の上昇等
が避けられない。また、価格だけでなく、基板全体を焼
成することにより、大型化した基板が熱により歪むなど
の問題が生ずる。When the entire substrate is fired using an electric furnace, equipment such as an electric furnace must be increased in size with the increase in the size of the substrate. I can't. In addition to the cost, firing the entire substrate causes a problem that the enlarged substrate is distorted by heat.
【０００５】一方、レーザ光等の照射を利用して焼成す
る場合には、修正装置にレーザ光出射装置を搭載するこ
とにより、コンパクトな装置を構成することができる。
しかしながら、レーザ光照射領域内での、パターン部と
パターンが形成されていない基板部との比率によって
は、焼成が適正に行なわれない場合が生じる。On the other hand, in the case of baking utilizing irradiation of laser light or the like, a compact apparatus can be constructed by mounting a laser light emitting device on a correction device.
However, depending on the ratio between the pattern portion and the substrate portion where the pattern is not formed in the laser beam irradiation region, firing may not be performed properly.
【０００６】本発明の目的は、レーザ光照射領域内にお
けるパターン部の比率の大小にかかわらず、常に、適正
なレーザ光照射による焼成を行なうことができるパター
ンの修正装置および修正方法に関する。An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for correcting a pattern which can always perform firing by appropriate laser light irradiation regardless of the ratio of the pattern portion in the laser light irradiation area.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の基本的な構成は
次のとおりである。すなわち、基板上に形成されたパタ
ーンを観察用光学手段によって観察し、修正個所を認識
して、その修正個所にペーストを塗布して修正するパタ
ーン修正装置であって、レーザ光出射装置と、そのレー
ザ光を基板上に集光するレーザ光学系と、上記の観察用
光学手段によって得られた画像から、レーザ光が照射さ
れている領域内の、パターン部およびペースト部を合わ
せた面積と、パターンが形成されていない基板部の面積
との比率を求める画像処理機構と、その比率から、ペー
スト付近にレーザ光を照射することによって焼成する条
件を決定する手段とを備えた構成とする。The basic structure of the present invention is as follows. That is, the pattern formed on the substrate is observed by the observation optical means, the correction portion is recognized, a pattern correction device that corrects by applying paste to the correction portion, and a laser light emitting device, A laser optical system that focuses the laser light on the substrate, and an image obtained by the above-described observation optical means, the area where the laser light is irradiated, the combined area of the pattern part and the paste part, and the pattern An image processing mechanism for obtaining a ratio with respect to the area of the substrate portion on which is not formed, and means for determining a firing condition by irradiating a laser beam near the paste based on the ratio.
【０００８】上記のような手段を備えることにより、レ
ーザ光照射によって焼成されるペーストの温度は、レー
ザ光照射領域内のパターン部とペースト部を合わせた面
積と基板部の面積との比率によらず一定となり、適正な
焼成がいつでも可能となる。また、基板を電気炉等の中
に入れて焼成しないので、基板が大型化しても歪むこと
はない。By providing the above means, the temperature of the paste fired by laser light irradiation depends on the ratio of the area of the pattern part and the paste part in the laser light irradiation area to the area of the substrate part. And constant firing is possible at any time. Further, since the substrate is not placed in an electric furnace or the like and fired, there is no distortion even if the substrate is enlarged.
【０００９】なお、レーザ光照射条件のうち、レーザ光
照射エネルギは、レーザ光出射装置とレーザ光伝播中に
通過する出力コントロール機構とによって制御すること
ができる。[0009] Among the laser light irradiation conditions, the laser light irradiation energy can be controlled by a laser light emitting device and an output control mechanism that passes during the propagation of the laser light.
【００１０】上記のパターンの修正装置は、レーザ光を
照射して焼成中の照射領域の温度を測定する温度測定機
構と、その温度測定結果に基づき、レーザ光の照射の条
件を決定する手段を備える場合が多い。The above-described pattern correcting apparatus includes a temperature measuring mechanism for irradiating a laser beam to measure a temperature of an irradiation area during firing, and a means for determining a laser beam irradiating condition based on the temperature measurement result. Often prepared.
【００１１】上記のような機構をさらに備えることによ
り、ペーストをさらに安定して焼成することが可能とな
る。[0011] By further providing the above mechanism, the paste can be fired more stably.
【００１２】上記のパターンの修正装置におけるレーザ
光出射装置とレーザ光学系とは、基板上に形成されたパ
ターンの余剰部を削除するためにも用いられるものであ
る場合が多い。In many cases, the laser beam emitting device and the laser optical system in the above-described pattern correcting device are also used for removing a surplus portion of a pattern formed on a substrate.
【００１３】上記のような機能もレーザ光出射装置とそ
の光学系に備えさせることにより、各種の形態の欠陥を
適正に修正することが可能となる。By providing the above functions in the laser beam emitting device and its optical system, it is possible to appropriately correct various types of defects.
【００１４】上記の装置を操作する場合は、次の方法に
基づく。すなわち、基板上に形成されたパターンを観察
用光学手段によって観察し、修正個所を認識して、その
修正個所にペーストを塗布し、そのペーストにレーザ光
を照射し焼成して修正するパターンの修正方法であっ
て、その観察用光学手段によって得られた画像から、レ
ーザ光が照射されている領域内の、パターン部およびペ
ースト部を合わせた面積と、パターンが形成されていな
い基板部の面積との比率を求める過程を含み、パターン
材のレーザ光に対する吸収率が基板材のそれよりも大き
い場合には、その比率が小さい範囲でレーザ光の照射エ
ネルギを高め、比率が大きくなるにつれ、レーザ光の照
射エネルギを低くするパターンの修正方法に基づく。The operation of the above-mentioned device is based on the following method. That is, the pattern formed on the substrate is observed by the observation optical means, the repaired portion is recognized, the paste is applied to the repaired portion, and the paste is irradiated with laser light and baked to correct the pattern to be repaired. The method, from the image obtained by the observation optical means, from the area irradiated with the laser light, the combined area of the pattern and paste, and the area of the substrate portion on which no pattern is formed If the ratio of the pattern material to the laser light is higher than that of the substrate material, the irradiation energy of the laser light is increased in a range where the ratio is small, and as the ratio increases, the laser light Based on the method of correcting the pattern to lower the irradiation energy of the pattern.
【００１５】上記の方法により、レーザ光照射によって
焼成されるペーストの温度は、レーザ光照射領域内のパ
ターン部とペースト部を合わせた面積と基板部の面積と
の比率によらず一定となり、適正な焼成がいつでも可能
となる。According to the above method, the temperature of the paste fired by laser light irradiation is constant regardless of the ratio of the area of the pattern part and the paste part in the laser light irradiation area to the area of the substrate part. Baking is always possible.
【００１６】上記のパターンの修正方法は、レーザ光を
照射して焼成中のレーザ光照射領域内の温度を測定する
過程を含み、その温度測定結果に基づき、レーザ光の照
射エネルギを増減するものとする場合が多い。The above method of correcting a pattern includes a step of irradiating a laser beam and measuring a temperature in a laser beam irradiation area during firing, and increasing or decreasing the irradiation energy of the laser beam based on the temperature measurement result. In many cases.
【００１７】レーザ光照射中の温度情報に基づき、レー
ザ光照射条件をさらに制御することにより、さらに安定
したペーストの焼成が可能となる。By further controlling the laser light irradiation conditions based on the temperature information during the laser light irradiation, it is possible to fire the paste more stably.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】レーザ光の照射領域内でのパター
ン部とペースト部を合わせた面積と残りの面積との比率
が変化することによって、適正なレーザ光照射による焼
成ができなくなるのは、同じレーザ光照射エネルギが投
入されても、パターン材と基板材のレーザ光に対する吸
収率が異なるため、温度上昇が変動する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A change in the ratio between the combined area of the pattern portion and the paste portion in the laser light irradiation area and the remaining area makes it impossible to perform firing by proper laser light irradiation. Even if the same laser light irradiation energy is applied, the temperature rise varies because the pattern material and the substrate material have different absorptivity to laser light.
【００１９】図１は、パターン材である電極線を形成す
るクロムと、基板材であるガラスのレーザ光吸収率に及
ぼすレーザ光の波長の影響を示す図である。同図によれ
ば、波長が８００ｎｍのレーザ光に対しては、クロムは
吸収率が高く、ガラスは吸収率が低い。したがって、レ
ーザ光の照射領域内におけるクロムの面積率の大小を考
慮しないで、レーザ光を一定の照射条件で照射すると、
クロムの比率が小さい場合は、レーザ光照射領域の温度
は十分上がらず、焼成は不十分となる。一方、クロムの
比率が大きい場合には、熱の吸収が多いために高温にな
り過ぎ、基板に歪みが発生する。FIG. 1 is a diagram showing the effect of the wavelength of laser light on the laser light absorption of the chromium forming the electrode lines as the pattern material and the glass of the substrate material. According to the figure, chromium has a high absorptivity and glass has a low absorptivity for a laser beam having a wavelength of 800 nm. Therefore, irradiating the laser beam under certain irradiation conditions without considering the magnitude of the area ratio of chromium in the irradiation region of the laser beam,
When the ratio of chromium is small, the temperature of the laser beam irradiation area does not rise sufficiently, and the firing becomes insufficient. On the other hand, when the ratio of chromium is large, the temperature becomes too high due to absorption of heat, and the substrate is distorted.
【００２０】図２は、波長８００ｎｍのレーザ光照射に
より適正な焼成を行なうためのクロム部とガラス部との
面積比率と、レーザ光出力との関係を示す図である。上
記のように、クロムは波長８００ｎｍのレーザ光の吸収
率が高いので、クロムの比率が大きい場合にはレーザ光
出力を小さくする必要がある。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the laser beam output and the area ratio between the chrome portion and the glass portion for performing proper firing by irradiating a laser beam having a wavelength of 800 nm. As described above, chromium has a high absorptance of laser light having a wavelength of 800 nm, and therefore, when the ratio of chromium is large, it is necessary to reduce the laser light output.
【００２１】パターン材のレーザ光吸収率と面積比率に
応じて、上記のようにレーザ光照射条件を調整すること
により、適正な焼成をすることが可能となる。また、基
板が大型化しても、基板に大きな歪が発生することはな
い。By adjusting the laser light irradiation conditions as described above in accordance with the laser light absorptivity and the area ratio of the pattern material, it is possible to carry out appropriate baking. In addition, even if the substrate becomes large, no large distortion occurs in the substrate.
【００２２】図３は、上記の知見に基づいて組み立てた
本発明の実施例であるパターンの修正装置を示す図であ
る。装置は、大きく分類すると、レーザ光学系３および
そのレーザ光学系に同軸に取付けられた補修箇所の観察
を行なう観察用光学系と、パターン部およびペースト部
を合わせた面積とそれらが無いガラス部の面積の比率を
計算するための画像処理機構７と、装置全体を制御する
制御用コンピュータ８からなる。その他に、基板である
ワーク１９を搭載するＸＹテーブル１と、ＸＹテーブル
上でワーク１９を保持するチャック台２と、レーザ光学
系を上下に駆動するＺ軸テーブル４、および観察用のモ
ニタ５などが設けられている。FIG. 3 is a diagram showing a pattern correcting apparatus according to an embodiment of the present invention assembled on the basis of the above findings. The apparatus can be roughly classified into a laser optical system 3 and an observation optical system coaxially mounted on the laser optical system for observing a repaired part, an area including a pattern part and a paste part, and a glass part without them. An image processing mechanism 7 for calculating the area ratio and a control computer 8 for controlling the entire apparatus. In addition, an XY table 1 on which a work 19 as a substrate is mounted, a chuck table 2 for holding the work 19 on the XY table, a Z-axis table 4 for driving a laser optical system up and down, and a monitor 5 for observation. Is provided.
【００２３】図４は、レーザ光学系３およびそのレーザ
光学系に同軸に取付けられた観察用光学系の構成を示す
図である。レーザ光学系３は、レーザ光出射装置９、ス
リット機構１２、結像レンズ１４、対物レンズ１６等か
らなり、観察用光学系は、ＣＣＤカメラ１７と温度測定
機構１８等を備える。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the laser optical system 3 and the observation optical system coaxially mounted on the laser optical system. The laser optical system 3 includes a laser light emitting device 9, a slit mechanism 12, an imaging lens 14, an objective lens 16, and the like. The observation optical system includes a CCD camera 17, a temperature measuring mechanism 18, and the like.
【００２４】これらの手段を備えることにより、レーザ
光照射中の照射領域の温度を知ることができ、その温度
に基づきさらに制御を精密に行うことが可能になる。そ
の結果、パターン材の組成等が通常のものから外れ、レ
ーザ光に対する吸収率に変動があったとしても、安定し
て焼成を遂行することが可能となる。そのような変動が
ない場合には、さらに精密で安定した焼成が可能とな
る。By providing these means, it is possible to know the temperature of the irradiation area during laser light irradiation, and it is possible to perform more precise control based on the temperature. As a result, even if the composition or the like of the pattern material deviates from the normal one and the absorptance to the laser beam fluctuates, it is possible to stably perform the baking. If there is no such variation, more precise and stable firing can be performed.
【００２５】次に、本装置の操作方法について説明す
る。まず、ＸＹテーブル１に搭載された基板中のペース
トが塗布された部分２０をＣＣＤカメラ１７によって観
察すると、図５のような像が得られる。レーザ光照射領
域２１の大きさを、スリット機構１２により決定し、照
射領域２１内のパターン部２３およびペースト部２０を
合わせた面積と、ガラス部２２の面積との比率を画像処
理機構７によって求め、レーザ光の照射エネルギと照射
時間とを決定する。レーザ光の照射は、レーザ光出射装
置９本体と出力コントロール機構１０とによって調整す
ることができる。Next, a method of operating the present apparatus will be described. First, when the portion 20 on which the paste is applied in the substrate mounted on the XY table 1 is observed by the CCD camera 17, an image as shown in FIG. 5 is obtained. The size of the laser beam irradiation area 21 is determined by the slit mechanism 12, and the ratio of the area of the glass section 22 to the combined area of the pattern section 23 and the paste section 20 in the irradiation area 21 is determined by the image processing mechanism 7. , The irradiation energy and the irradiation time of the laser beam are determined. The irradiation of the laser light can be adjusted by the laser light emitting device 9 main body and the output control mechanism 10.
【００２６】さらに安定した焼成が必要な場合には、焼
成時にレーザ光照射領域２１内の温度を温度測定機構１
８により測定し、レーザ光出射装置９と出力コントロー
ル機構１０とにフィードバックをかけることにより、焼
成状態を一定に保つことができる。When more stable firing is required, the temperature in the laser beam irradiation area 21 is measured at the time of firing.
By applying the feedback measurement to the laser light emitting device 9 and the output control mechanism 10 by using the measurement in step 8, the firing state can be kept constant.
【００２７】このような装置を用いることにより、パタ
ーン部の比率の大小にかかわらず、レーザ光照射により
ペーストを焼成することができ、基板に歪みを残さずに
簡便に高精度の修正をすることが可能となる。温度測定
機構１８の利用により、工業上、日常的に発生する変動
にも柔軟に対応することができ、また、そのような変動
がない場合には、より安定した精度の高い焼成が可能と
なる。By using such an apparatus, the paste can be fired by irradiating a laser beam regardless of the ratio of the pattern portion, and the correction can be easily performed with high precision without leaving any distortion on the substrate. Becomes possible. By using the temperature measuring mechanism 18, it is possible to flexibly cope with fluctuations that occur on a daily basis on an industrial scale, and if there is no such fluctuations, more stable and accurate firing becomes possible. .
【００２８】なお、上記に開示された実施の形態は、あ
くまで例示であって、本発明の範囲は上記の実施の形態
に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求
の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図さ
れている。The embodiments disclosed above are merely examples, and the scope of the present invention is not limited to the above embodiments. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明に係る装置および方法を適用する
ことにより、パターン部の比率の大小によらず、安定し
たペーストの焼成が可能となり、簡便に高精度のパター
ンの修正が可能となる。さらに、焼成時の温度を測定し
て、レーザ光照射にフィードバックをかけることによ
り、より一層安定した高精度の焼成が可能となる。By applying the apparatus and method according to the present invention, a stable paste can be fired irrespective of the ratio of the pattern portions, and a highly accurate pattern can be easily corrected. Further, by measuring the temperature at the time of firing and applying feedback to laser beam irradiation, more stable and accurate firing can be achieved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】電極線を形成するクロムと基板材であるガラス
のレーザ光吸収率に及ぼす波長の影響を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the influence of wavelength on laser light absorption of chromium forming an electrode wire and glass as a substrate material.
【図２】適正な焼成を行なうためのクロムとガラスの面
積比率とレーザ光出力の関係を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between an area ratio of chromium and glass and laser light output for performing appropriate firing.
【図３】本発明のパターンの修正装置の全体図である。FIG. 3 is an overall view of a pattern correcting apparatus according to the present invention.
【図４】本発明のレーザ光学系とそのレーザ光学系に同
軸に取付けられた観察用光学系の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a laser optical system of the present invention and an observation optical system coaxially mounted on the laser optical system.
【図５】レーザ光の照射領域の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a laser light irradiation area.
１ ＸＹテーブル ２ チャック台 ３ レーザ光学系 ４ Ｚ軸テーブル ５ 観察用モニタ ６ ペースト塗布機構 ７ 画像処理機構 ８ 制御用コンピュータ ９ レーザ光出射装置 １０ 出力コントロール機構 １１ ビームスプリッタ １２ スリット機構 １３ ビームスプリッタ １４ 結像レンズ １５ ビームスプリッタ １６ 対物レンズ １７ 観察用ＣＣＤカメラ １８ 温度測定機構 １９ ワーク ２０ ペースト部 ２１ レーザ光照射領域 ２２ ガラス部 ２３ パターン部 ３１ レーザ光 ３２ スリット光 ３３ 落射照明光 ３４ 透過照明光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 XY table 2 Chuck table 3 Laser optical system 4 Z-axis table 5 Observation monitor 6 Paste application mechanism 7 Image processing mechanism 8 Control computer 9 Laser beam emitting device 10 Output control mechanism 11 Beam splitter 12 Slit mechanism 13 Beam splitter 14 Coupling Image lens 15 Beam splitter 16 Objective lens 17 Observation CCD camera 18 Temperature measurement mechanism 19 Work 20 Paste part 21 Laser light irradiation area 22 Glass part 23 Pattern part 31 Laser light 32 Slit light 33 Epi-illumination light 34 Transmitted illumination light
Claims (5)
学手段によって観察し、修正個所を認識して、その修正
個所にペーストを塗布して修正するパターンの修正装置
であって、 レーザ光出射装置と、 そのレーザ光を基板上に集光するレーザ光学系と、 前記観察用光学手段によって得られた画像から、前記レ
ーザ光が照射されている領域内の、パターン部およびペ
ースト部を合わせた面積と、パターンが形成されていな
い基板部の面積との比率を求める画像処理機構と、 前記比率から、前記ペースト付近に前記レーザ光を照射
することによって焼成する条件を決定する手段とを備え
たパターンの修正装置。1. A pattern correction device for observing a pattern formed on a substrate by an observation optical means, recognizing a correction portion, applying a paste to the correction portion, and correcting the pattern. An apparatus, a laser optical system for condensing the laser light on a substrate, and a pattern part and a paste part in an area irradiated with the laser light from an image obtained by the observation optical unit. An image processing mechanism for determining a ratio between an area and an area of a substrate portion on which no pattern is formed; and a unit for determining a firing condition by irradiating the laser light near the paste from the ratio. Pattern correction device.
射して焼成中の照射領域の温度を測定する温度測定機構
と、その温度測定結果に基づき、前記レーザ光の照射の
条件を決定する手段を備えた請求項１に記載のパターン
の修正装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the pattern correction device irradiates a laser beam to measure a temperature of an irradiation region during firing, and determines a condition of the laser beam irradiation based on the temperature measurement result. The pattern correcting apparatus according to claim 1, further comprising:
は、基板上に形成されたパターンの余剰部を削除するた
めにも用いられるものである請求項１〜２に記載のパタ
ーンの修正装置。3. The pattern correcting device according to claim 1, wherein the laser beam emitting device and the laser optical system are also used to delete a surplus portion of the pattern formed on the substrate. .
学手段によって観察し、修正個所を認識して、その修正
個所にペーストを塗布し、そのペーストにレーザ光を照
射し焼成して修正するパターンの修正方法であって、 前記観察用光学手段によって得られた画像から、前記レ
ーザ光が照射されている領域内の、パターン部およびペ
ースト部を合わせた面積と、パターンが形成されていな
い基板部の面積との比率を求める過程を含み、 パターン材の前記レーザ光に対する吸収率が、基板材の
それよりも大きい場合には、前記比率が小さい範囲で前
記レーザ光の照射エネルギを高め、前記比率が大きくな
るにつれ、レーザ光の照射エネルギを低くするパターン
の修正方法。4. A pattern formed on a substrate is observed by an observation optical means, a correction portion is recognized, a paste is applied to the correction portion, and the paste is irradiated with a laser beam and baked to correct the paste. A method for correcting a pattern, wherein, from an image obtained by the observation optical unit, an area including a pattern portion and a paste portion in a region irradiated with the laser light, and a substrate on which no pattern is formed Including the step of determining the ratio of the pattern material to the area of the portion, if the absorptance of the pattern material to the laser light is larger than that of the substrate material, increase the irradiation energy of the laser light in a range where the ratio is small, A pattern correction method in which the irradiation energy of laser light is reduced as the ratio increases.
を照射して焼成中のレーザ光照射領域内の温度を測定す
る過程を含み、その温度測定結果に基づき、レーザ光の
照射エネルギを増減するものである請求項４に記載のパ
ターンの修正方法。5. The method for correcting a substrate pattern includes a step of irradiating a laser beam to measure a temperature in a laser beam irradiation area during firing, and increasing or decreasing an irradiation energy of the laser beam based on the temperature measurement result. The pattern correction method according to claim 4, wherein the pattern is modified.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP21915098A JP3732659B2 (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Pattern correcting apparatus and correcting method |
| TW88108291A TW436354B (en) | 1998-07-29 | 1999-05-20 | Pattern correcting device and its method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21915098A JP3732659B2 (en) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | Pattern correcting apparatus and correcting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000052072A true JP2000052072A (en) | 2000-02-22 |
| JP3732659B2 JP3732659B2 (en) | 2006-01-05 |
Family
ID=16730999
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP21915098A Expired - Lifetime JP3732659B2 (en) | 1998-07-29 | 1998-08-03 | Pattern correcting apparatus and correcting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3732659B2 (en) |
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