JP2000038673A - クリーニングガス - Google Patents
クリーニングガスInfo
- Publication number
- JP2000038673A JP2000038673A JP10206704A JP20670498A JP2000038673A JP 2000038673 A JP2000038673 A JP 2000038673A JP 10206704 A JP10206704 A JP 10206704A JP 20670498 A JP20670498 A JP 20670498A JP 2000038673 A JP2000038673 A JP 2000038673A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- gas
- cleaning gas
- unnecessary deposits
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置
において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除
去するためのクリーニングガスを提供する。 【解決手段】 化学式(1): ただし、Xは、F、Cl、Br、I、Hを示し、Rは、
H、CH2F、CHF2、CF3を示す。で示される化合
物からなるガスを含むガス。
において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除
去するためのクリーニングガスを提供する。 【解決手段】 化学式(1): ただし、Xは、F、Cl、Br、I、Hを示し、Rは、
H、CH2F、CHF2、CF3を示す。で示される化合
物からなるガスを含むガス。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CVD法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガスに関する。
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガスに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、CVD
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には膜、ウイスカや粉体が堆積させる
べき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具
等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイ
スカを製造することが困難になるため随時除去しなけれ
ばならない。また、半導体やTFT等において回路を構
成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために
薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要
があり、さらに、CVM(ケミカルヴェーパーマシーニ
ング)においては、Siインゴット等をガスエッチング
により切断する必要がある。
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、CVD
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には膜、ウイスカや粉体が堆積させる
べき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具
等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイ
スカを製造することが困難になるため随時除去しなけれ
ばならない。また、半導体やTFT等において回路を構
成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために
薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要
があり、さらに、CVM(ケミカルヴェーパーマシーニ
ング)においては、Siインゴット等をガスエッチング
により切断する必要がある。
【0003】現在、回路形成のためのエッチング及びC
VD装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはCF4、
C2F6、CHF3、SF6、NF3などのガスが使用され
ているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題と
なっている。また、これらは比較的安定なガスであるた
め、エッチャントとして有用なCF3・ラジカルやF・
ラジカル等を発生させるためには高いエネルギーが必要
であり電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガス処
理が困難であるなどの問題がある。
VD装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはCF4、
C2F6、CHF3、SF6、NF3などのガスが使用され
ているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題と
なっている。また、これらは比較的安定なガスであるた
め、エッチャントとして有用なCF3・ラジカルやF・
ラジカル等を発生させるためには高いエネルギーが必要
であり電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガス処
理が困難であるなどの問題がある。
【0004】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者らは、鋭
意検討の結果、化学式(1)で示される化合物からなる
ガスがクリーニング能力に優れることを見いだし本発明
に到達したものである。
意検討の結果、化学式(1)で示される化合物からなる
ガスがクリーニング能力に優れることを見いだし本発明
に到達したものである。
【0005】すなわち本発明は、化学式(1)
【0006】
【化3】
【0007】からなる化合物からなるガスを1種以上含
むクリーニングガスを提供するものである。本発明のク
リーニングガスは、B、P、W、Si、Ti、V、N
b、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ir、S
b、Ge、Au、Ag、As、Cr及びその化合物、具
体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金を堆
積させる装置の反応器壁、配管、基板搬送室をクリーニ
ングするためのクリーニングガスとして使用するもので
ある。
むクリーニングガスを提供するものである。本発明のク
リーニングガスは、B、P、W、Si、Ti、V、N
b、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ir、S
b、Ge、Au、Ag、As、Cr及びその化合物、具
体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金を堆
積させる装置の反応器壁、配管、基板搬送室をクリーニ
ングするためのクリーニングガスとして使用するもので
ある。
【0008】本発明のクリーニングガスは、従来汎用さ
れていたCF4、C2F6、CHF3、SF6、NF3などと
比較すると供給分子量に対して高いエッチング速度が取
れる特徴がある。
れていたCF4、C2F6、CHF3、SF6、NF3などと
比較すると供給分子量に対して高いエッチング速度が取
れる特徴がある。
【0009】本発明のクリーニングガスは、マルチチャ
ンバ型CVD装置や各種バッチ型CVD装置、エピタキ
シャル成長用CVD装置などのクリーニングとして適応
可能である。ガスの励起方式は特に限定されず、例え
ば、高周波、マイクロ波など装置形態に合わせて使用す
ればよい。また、ガスを反応器内部で励起させても良い
し、反応器の外部で励起させ、ラジカルあるいはイオン
を反応器に導入するリーモートプラズマ方式でも実施可
能である。
ンバ型CVD装置や各種バッチ型CVD装置、エピタキ
シャル成長用CVD装置などのクリーニングとして適応
可能である。ガスの励起方式は特に限定されず、例え
ば、高周波、マイクロ波など装置形態に合わせて使用す
ればよい。また、ガスを反応器内部で励起させても良い
し、反応器の外部で励起させ、ラジカルあるいはイオン
を反応器に導入するリーモートプラズマ方式でも実施可
能である。
【0010】また、クリーニングには、He、N2、A
rなどの不活性ガスあるいはHI、HBr、HCl、C
O、NO、O2、CH4、NH3、H2、C2H2などのガス
と適切な割合で混合して使用しても良い。特に、クリー
ニングに使用する場合は、クリーニングに有用なFラジ
カルの寿命を永くするためと、炭素系化合物の堆積を防
止するためにO2、CO、NOなどの酸素または酸素含
有化合物ガスを、化学式(1)に示した化合物ガスに対
して流量比で4倍量以下の流量で混合して使用すること
が望ましい。4倍量以上の酸素または酸素含有化合物ガ
スを混合すると堆積物自体が著しく酸化され、エッチン
グ速度が低下するため好ましくない。さらにクリーニン
グの場合、反応速度を高く取るために室温(18℃)以
上の温度でクリーニングすることが好ましいが、910
℃以上の温度に加熱されたものをクリーニングすると下
地の金属などが腐蝕を受けるため好ましくない。また、
クリーニングする場合の圧力は、反応速度を高く取るた
めには圧力も高い方が好ましいが、10Torr以上の
圧力では良好なプラズマ状態を維持できないために好ま
しくない。また、0.01Torr以下の圧力では反応
速度が遅くなるため好ましくない。使用する化学式
(1)で示した化合物ガス流量は、堆積物量、薄膜堆積
装置の反応器容量にもよるが、通常10SCCM〜10
000SCCMの間の流量で適宜選択すればよい。この
場合、10SCCM以下の流量であると大量の堆積物の
除去が困難になり、また10000SCCM以上の流量
だと未反応排ガスの処理量が多くなるため好ましくな
い。
rなどの不活性ガスあるいはHI、HBr、HCl、C
O、NO、O2、CH4、NH3、H2、C2H2などのガス
と適切な割合で混合して使用しても良い。特に、クリー
ニングに使用する場合は、クリーニングに有用なFラジ
カルの寿命を永くするためと、炭素系化合物の堆積を防
止するためにO2、CO、NOなどの酸素または酸素含
有化合物ガスを、化学式(1)に示した化合物ガスに対
して流量比で4倍量以下の流量で混合して使用すること
が望ましい。4倍量以上の酸素または酸素含有化合物ガ
スを混合すると堆積物自体が著しく酸化され、エッチン
グ速度が低下するため好ましくない。さらにクリーニン
グの場合、反応速度を高く取るために室温(18℃)以
上の温度でクリーニングすることが好ましいが、910
℃以上の温度に加熱されたものをクリーニングすると下
地の金属などが腐蝕を受けるため好ましくない。また、
クリーニングする場合の圧力は、反応速度を高く取るた
めには圧力も高い方が好ましいが、10Torr以上の
圧力では良好なプラズマ状態を維持できないために好ま
しくない。また、0.01Torr以下の圧力では反応
速度が遅くなるため好ましくない。使用する化学式
(1)で示した化合物ガス流量は、堆積物量、薄膜堆積
装置の反応器容量にもよるが、通常10SCCM〜10
000SCCMの間の流量で適宜選択すればよい。この
場合、10SCCM以下の流量であると大量の堆積物の
除去が困難になり、また10000SCCM以上の流量
だと未反応排ガスの処理量が多くなるため好ましくな
い。
【0011】さらに、本発明のクリーニングガスは、分
解が容易である。水、アルカリ水溶液、酸性水溶液に溶
解もしくはこれらの溶液で分解可能であり環境負荷が少
ない。
解が容易である。水、アルカリ水溶液、酸性水溶液に溶
解もしくはこれらの溶液で分解可能であり環境負荷が少
ない。
【0012】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、かかる実施例に制限されるものではない。
が、かかる実施例に制限されるものではない。
【0013】実施例1〜8 CVD法によりW(実施例1)、WSix(実施例
2)、Ta2O5(実施例3)、poly−Si(実施例
4)、TiN(実施例5)、Ti(実施例6)、Si3
N4(実施例7)、SiO2(実施例8)をそれぞれ成膜
した。これらの膜を成膜した後の反応器壁には、膜状不
要物(1〜20μm)及び粉体が堆積していた。これら
の堆積物を除去するために下記条件でクリーニングし
た。
2)、Ta2O5(実施例3)、poly−Si(実施例
4)、TiN(実施例5)、Ti(実施例6)、Si3
N4(実施例7)、SiO2(実施例8)をそれぞれ成膜
した。これらの膜を成膜した後の反応器壁には、膜状不
要物(1〜20μm)及び粉体が堆積していた。これら
の堆積物を除去するために下記条件でクリーニングし
た。
【0014】それぞれ30分クリーニングした後、反応
器内部の状態を観察したところ堆積物が少し残っていた
ので、そのまま続けてクリーニングした。再度反応器内
部の状態を観察したところ堆積していた膜及び粉体は完
全に除去できていた。
器内部の状態を観察したところ堆積物が少し残っていた
ので、そのまま続けてクリーニングした。再度反応器内
部の状態を観察したところ堆積していた膜及び粉体は完
全に除去できていた。
【0015】実施例9〜16 CVD法によりW(実施例9)、WSix(実施例1
0)、Ta2O5(実施例11)、poly−Si(実施
例12)、TiN(実施例13)、Ti(実施例1
4)、Si3N4(実施例15)、SiO2(実施例1
6)をそれぞれ成膜した。これらの膜を成膜した後の反
応器壁には、膜状不要物(1〜20μm)及び粉体が堆
積していた。これらの堆積物を除去するために下記条件
でクリーニングした。 それぞれクリーニングした後、反応器内部の状態を観察
したところ堆積していた膜及び粉体は完全に除去できて
いた。
0)、Ta2O5(実施例11)、poly−Si(実施
例12)、TiN(実施例13)、Ti(実施例1
4)、Si3N4(実施例15)、SiO2(実施例1
6)をそれぞれ成膜した。これらの膜を成膜した後の反
応器壁には、膜状不要物(1〜20μm)及び粉体が堆
積していた。これらの堆積物を除去するために下記条件
でクリーニングした。 それぞれクリーニングした後、反応器内部の状態を観察
したところ堆積していた膜及び粉体は完全に除去できて
いた。
【0016】
【発明の効果】本発明のクリーニングガスを用いること
により、地球温暖化の問題もなく、高速で清浄なクリー
ニングを行うことができる。
により、地球温暖化の問題もなく、高速で清浄なクリー
ニングを行うことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/205 H01L 21/205 5F045 21/3065 21/285 C // H01L 21/285 21/302 F (72)発明者 大橋 満也 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Fターム(参考) 4H003 BA28 DA15 EA31 ED30 4K029 BA02 BA17 BA35 BA43 BA46 BA52 BA58 BA60 CA01 CA05 EA05 FA09 4K030 BA18 BA20 BA29 BA38 BA40 BA42 BA44 BA48 DA06 JA06 4M104 BB01 BB14 BB18 BB28 BB30 DD34 DD37 DD43 5F004 AA15 DA00 DA26 DB01 DB08 DB12 DB13 5F045 BB14 EB06
Claims (2)
- 【請求項1】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、化学式(1) 【化1】 で示される化合物からなるガスを含むクリーニングガ
ス。 - 【請求項2】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、化学式(1) 【化2】 で示される化合物からなるガスと酸素または酸素含有化
合物ガスとを含むクリーニングガス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10206704A JP2000038673A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10206704A JP2000038673A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000038673A true JP2000038673A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16527744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10206704A Pending JP2000038673A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000038673A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
JP2021528857A (ja) * | 2018-06-19 | 2021-10-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 金属酸化物膜を除去するための温度制御システムおよびその方法 |
-
1998
- 1998-07-22 JP JP10206704A patent/JP2000038673A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
JP2021528857A (ja) * | 2018-06-19 | 2021-10-21 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 金属酸化物膜を除去するための温度制御システムおよびその方法 |
JP7420754B2 (ja) | 2018-06-19 | 2024-01-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 金属酸化物膜を除去するための温度制御システムおよびその方法 |
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