JP2000034184A - Ｓｏｉ基板熱酸化処理炉用部品 - Google Patents
Ｓｏｉ基板熱酸化処理炉用部品Info
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- JP2000034184A JP2000034184A JP19829498A JP19829498A JP2000034184A JP 2000034184 A JP2000034184 A JP 2000034184A JP 19829498 A JP19829498 A JP 19829498A JP 19829498 A JP19829498 A JP 19829498A JP 2000034184 A JP2000034184 A JP 2000034184A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳｉＯ2 膜の剥離し難くいＳＯＩ基板熱酸化
処理炉用部品とする。 【解決手段】 少なくとも外周部分が緻密なＳｉＣで形
成された基材１の表面に、多孔性の窒化珪素が成膜され
ている。窒化珪素の剥離防止層は、開気孔率が５〜３０
体積％、好ましくは１０〜２０体積％である。また、剥
離防止層の層厚は、１０〜５０μｍ、好ましくは２０〜
４０μｍである。
処理炉用部品とする。 【解決手段】 少なくとも外周部分が緻密なＳｉＣで形
成された基材１の表面に、多孔性の窒化珪素が成膜され
ている。窒化珪素の剥離防止層は、開気孔率が５〜３０
体積％、好ましくは１０〜２０体積％である。また、剥
離防止層の層厚は、１０〜５０μｍ、好ましくは２０〜
４０μｍである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉウエハを高温
で熱酸化処理してＳＯＩ構造の基板を作製するＳＯＩ基
板熱酸化処理炉用部品に関するものである。
で熱酸化処理してＳＯＩ構造の基板を作製するＳＯＩ基
板熱酸化処理炉用部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年においては、ＬＳＩ(large scale i
ntegration) の高集積化や高速化、低消費電力化の要請
に伴って、ＬＳＩを構成するトランジスタ間を完全に絶
縁分離することができるＳＯＩ(Silicon on insulatin
g) 構造の基板が注目されている。特に、ＳＩＭＯＸ(se
paration by implanted oxygen)基板は、均一な厚さの
薄膜Ｓｉ層および埋め込みＳｉＯ2 膜を高品質に得るこ
とができる点で各種のＳＯＩ構造の基板の中でも有力な
基板として注目されている。
ntegration) の高集積化や高速化、低消費電力化の要請
に伴って、ＬＳＩを構成するトランジスタ間を完全に絶
縁分離することができるＳＯＩ(Silicon on insulatin
g) 構造の基板が注目されている。特に、ＳＩＭＯＸ(se
paration by implanted oxygen)基板は、均一な厚さの
薄膜Ｓｉ層および埋め込みＳｉＯ2 膜を高品質に得るこ
とができる点で各種のＳＯＩ構造の基板の中でも有力な
基板として注目されている。
【０００３】上記のＳＩＭＯＸ基板は、Ｓｉウエハの内
部に酸素イオンを注入した後、ＳＯＩ基板熱酸化処理炉
において高温アニール処理および１３００℃以上の高温
で熱酸化処理を施してＳｉＯ2 膜を形成することにより
製造されている。従って、１２００℃以上で軟化する石
英は、熱酸化処理時に機械的強度が著しく低下するた
め、従来は、例えばＣＶＤ法により形成されたバルクＳ
ｉＣやＣＶＤ法によりＳｉＣを成膜された焼結ＳｉＣが
ＳＩＭＯＸ基板熱酸化処理炉の構造部材の材料として使
用されている。
部に酸素イオンを注入した後、ＳＯＩ基板熱酸化処理炉
において高温アニール処理および１３００℃以上の高温
で熱酸化処理を施してＳｉＯ2 膜を形成することにより
製造されている。従って、１２００℃以上で軟化する石
英は、熱酸化処理時に機械的強度が著しく低下するた
め、従来は、例えばＣＶＤ法により形成されたバルクＳ
ｉＣやＣＶＤ法によりＳｉＣを成膜された焼結ＳｉＣが
ＳＩＭＯＸ基板熱酸化処理炉の構造部材の材料として使
用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、熱酸化処理時にＳｉＣが酸化され、Ｓｉ
Ｃとは熱膨張率等の物性の異なったＳｉＯ2 が構造部材
の表面に成膜されるため、熱酸化処理を繰り返すと、Ｓ
ｉＯ2 の成膜の進行に伴ってＳｉＯ2 膜が剥離し易くな
る。そして、ＳｉＯ2 膜が剥離すると、剥離した膜片が
パーティクルとして炉内を浮遊して清浄度を低下させる
ことになるため、従来は、ＳＩＭＯＸ基板熱酸化処理炉
の構造部材を頻繁に酸洗浄してＳｉＯ2 膜を除去する等
の対策が採られている。
来の構成では、熱酸化処理時にＳｉＣが酸化され、Ｓｉ
Ｃとは熱膨張率等の物性の異なったＳｉＯ2 が構造部材
の表面に成膜されるため、熱酸化処理を繰り返すと、Ｓ
ｉＯ2 の成膜の進行に伴ってＳｉＯ2 膜が剥離し易くな
る。そして、ＳｉＯ2 膜が剥離すると、剥離した膜片が
パーティクルとして炉内を浮遊して清浄度を低下させる
ことになるため、従来は、ＳＩＭＯＸ基板熱酸化処理炉
の構造部材を頻繁に酸洗浄してＳｉＯ2 膜を除去する等
の対策が採られている。
【０００５】また、最近においては、ＳｉＣの表面にＳ
ｉ3 Ｎ4 膜を形成することによって、熱酸化処理時にＳ
ｉＯ2 膜を成膜させ難くする方法も考えられている。と
ころが、このようにＳｉＯ2 膜を成膜させ難くした場合
でも、ＳｉＯ2 膜が僅かにでも形成されると、膜片が容
易に剥離してパーティクルとして炉内を浮遊することに
なるため、ＳｉＣの場合と同様に、ＳｉＯ2 膜を酸洗浄
等により頻繁に除去する対策を採る必要がある。
ｉ3 Ｎ4 膜を形成することによって、熱酸化処理時にＳ
ｉＯ2 膜を成膜させ難くする方法も考えられている。と
ころが、このようにＳｉＯ2 膜を成膜させ難くした場合
でも、ＳｉＯ2 膜が僅かにでも形成されると、膜片が容
易に剥離してパーティクルとして炉内を浮遊することに
なるため、ＳｉＣの場合と同様に、ＳｉＯ2 膜を酸洗浄
等により頻繁に除去する対策を採る必要がある。
【０００６】そこで、本発明は、酸洗浄の周期を長くす
ることができるように、ＳｉＯ2 膜の剥離し難くいＳＩ
ＭＯＸ基板熱酸化処理炉に代表されるＳＯＩ基板熱酸化
処理炉用の部品を提供しようとするものである。
ることができるように、ＳｉＯ2 膜の剥離し難くいＳＩ
ＭＯＸ基板熱酸化処理炉に代表されるＳＯＩ基板熱酸化
処理炉用の部品を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品は、少なく
とも外周部分が緻密な炭化珪素で形成された基材と、前
記基材の表面に形成され、窒化珪素からなる多孔性の剥
離防止層とを有したことを特徴としている。
に、本発明のＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品は、少なく
とも外周部分が緻密な炭化珪素で形成された基材と、前
記基材の表面に形成され、窒化珪素からなる多孔性の剥
離防止層とを有したことを特徴としている。
【０００８】上記の構成によれば、図１に示すように、
ＳＯＩ基板熱酸化処理炉の構成部材３は、多数の孔部２
ａを有した窒化珪素の剥離防止層２が基材１の表面に形
成された構成となる。従って、ＳＩＭＯＸ基板等のＳＯ
Ｉ基板の熱酸化処理時に、１３００℃以上の温度で酸素
（Ｏ2 ）雰囲気下に構成部材３が存在すると、酸素と接
触する構成部材３の剥離防止層２が酸化することによっ
て、外部に露出した孔部２ａも含めて剥離防止層２の全
表面にＳｉＯ2 膜４が形成されることになる。
ＳＯＩ基板熱酸化処理炉の構成部材３は、多数の孔部２
ａを有した窒化珪素の剥離防止層２が基材１の表面に形
成された構成となる。従って、ＳＩＭＯＸ基板等のＳＯ
Ｉ基板の熱酸化処理時に、１３００℃以上の温度で酸素
（Ｏ2 ）雰囲気下に構成部材３が存在すると、酸素と接
触する構成部材３の剥離防止層２が酸化することによっ
て、外部に露出した孔部２ａも含めて剥離防止層２の全
表面にＳｉＯ2 膜４が形成されることになる。
【０００９】この際、ＳｉＯ2 と窒化珪素とは熱膨張率
等の物性が異なっているため、例えば図２に示すよう
に、ＳｉＣのみからなる平坦な表面の構成部材３にＳｉ
Ｏ2 膜４が形成されると、ＳｉＯ2 の膜片が容易に剥離
することになるが、本発明においては、図１に示すよう
に、ＳｉＯ2 膜４が剥離防止層２の表面から孔部２ａを
介して内部深くにまで形成されているため、ＳｉＯ2 膜
４と剥離防止層２との間にアンカー効果が作用する。こ
れにより、ＳｉＯ2 膜４が剥離防止層２に強固に接合し
た状態になっているため、ＳｉＯ2 膜４の成膜が相当程
度に進行した場合でも、膜片が剥離してパーティクルと
して炉内を浮遊することがなく、結果としてＳｉＯ2 膜
４の酸洗浄の周期を長くすることが可能になる。
等の物性が異なっているため、例えば図２に示すよう
に、ＳｉＣのみからなる平坦な表面の構成部材３にＳｉ
Ｏ2 膜４が形成されると、ＳｉＯ2 の膜片が容易に剥離
することになるが、本発明においては、図１に示すよう
に、ＳｉＯ2 膜４が剥離防止層２の表面から孔部２ａを
介して内部深くにまで形成されているため、ＳｉＯ2 膜
４と剥離防止層２との間にアンカー効果が作用する。こ
れにより、ＳｉＯ2 膜４が剥離防止層２に強固に接合し
た状態になっているため、ＳｉＯ2 膜４の成膜が相当程
度に進行した場合でも、膜片が剥離してパーティクルと
して炉内を浮遊することがなく、結果としてＳｉＯ2 膜
４の酸洗浄の周期を長くすることが可能になる。
【００１０】ここで、上記の基材には、ＣＶＤ法により
形成されたバルクＳｉＣやＣＶＤ法によりＳｉＣが成膜
された焼結ＳｉＣ、ＣＶＤ法によりＳｉＣが成膜された
黒鉛、Ｓｉが含浸された反応ＳｉＣを用いることができ
る。尚、基材に適用可能な炭化珪素としては、ＳｉＣを
挙げることができる。一方、剥離防止層に適用可能な窒
化珪素としては、Ｓｉ3 Ｎ4 やＳｉ2 Ｎ3 、ＳｉＮを挙
げることができる。
形成されたバルクＳｉＣやＣＶＤ法によりＳｉＣが成膜
された焼結ＳｉＣ、ＣＶＤ法によりＳｉＣが成膜された
黒鉛、Ｓｉが含浸された反応ＳｉＣを用いることができ
る。尚、基材に適用可能な炭化珪素としては、ＳｉＣを
挙げることができる。一方、剥離防止層に適用可能な窒
化珪素としては、Ｓｉ3 Ｎ4 やＳｉ2 Ｎ3 、ＳｉＮを挙
げることができる。
【００１１】また、剥離防止層は、開気孔率が５〜３０
体積％、好ましくは１０〜２０体積％であることが望ま
しい。この理由は、開気孔率が５体積％未満であると、
剥離防止層が酸化されてＳｉＯ2 膜が形成されたとき
に、孔部の周囲へのＳｉＯ2 の形成が僅かとなって上述
のアンカー効果が不十分となり、ＳｉＯ2 膜の剥離を十
分に防止することができなくなるからである。一方、開
気孔率が３０体積％以上であると、剥離防止層の形成が
困難になるからである。また、１０〜２０体積％の開気
孔率の範囲を特に好ましいとした理由は、この範囲であ
れば、ＳｉＯ2 膜の剥離を十分に防止することができる
と共に剥離防止層を容易に形成することができるからで
ある。
体積％、好ましくは１０〜２０体積％であることが望ま
しい。この理由は、開気孔率が５体積％未満であると、
剥離防止層が酸化されてＳｉＯ2 膜が形成されたとき
に、孔部の周囲へのＳｉＯ2 の形成が僅かとなって上述
のアンカー効果が不十分となり、ＳｉＯ2 膜の剥離を十
分に防止することができなくなるからである。一方、開
気孔率が３０体積％以上であると、剥離防止層の形成が
困難になるからである。また、１０〜２０体積％の開気
孔率の範囲を特に好ましいとした理由は、この範囲であ
れば、ＳｉＯ2 膜の剥離を十分に防止することができる
と共に剥離防止層を容易に形成することができるからで
ある。
【００１２】さらに、剥離防止層は、層厚が１０〜５０
μｍ、好ましくは２０〜４０μｍであることが望まし
い。この理由は、層厚が１０μｍ未満であると、剥離防
止層が酸化されてＳｉＯ2 膜が形成されたときに、この
ＳｉＯ2 膜が孔部を介して内部深くにまで形成されない
ため、上述のアンカー効果が不十分となってＳｉＯ2 膜
の剥離を十分に防止することができなくなるからであ
る。一方、層厚が５０μｍ以上であると、成膜の製造コ
ストの増大に見合うだけの剥離の防止効果を得ることが
できないからである。また、２０〜４０μｍの開気孔率
の範囲を特に好ましいとした理由は、この範囲であれ
ば、ＳｉＯ2 膜の剥離を十分に防止することができると
共に、容易且つ低コストで剥離防止層を形成することが
できるからである。
μｍ、好ましくは２０〜４０μｍであることが望まし
い。この理由は、層厚が１０μｍ未満であると、剥離防
止層が酸化されてＳｉＯ2 膜が形成されたときに、この
ＳｉＯ2 膜が孔部を介して内部深くにまで形成されない
ため、上述のアンカー効果が不十分となってＳｉＯ2 膜
の剥離を十分に防止することができなくなるからであ
る。一方、層厚が５０μｍ以上であると、成膜の製造コ
ストの増大に見合うだけの剥離の防止効果を得ることが
できないからである。また、２０〜４０μｍの開気孔率
の範囲を特に好ましいとした理由は、この範囲であれ
ば、ＳｉＯ2 膜の剥離を十分に防止することができると
共に、容易且つ低コストで剥離防止層を形成することが
できるからである。
【００１３】尚、剥離防止層は、基材にＣＶＤ法により
Ｓｉを被覆した後、窒素（Ｎ2 ）雰囲気下において加熱
し、Ｓｉの被覆層をＳｉ3 Ｎ4 に転化することにより形
成することができる。これは、Ｓｉの被覆層が高温に加
熱されながらＳｉ3 Ｎ4 に転化されると、被覆層中の一
部のＳｉが蒸発したり、生成したＳｉ3 Ｎ4 が分解する
ため、そこで形成された空隙が所定の開口率の孔部とし
て残存するからであると考えられる。
Ｓｉを被覆した後、窒素（Ｎ2 ）雰囲気下において加熱
し、Ｓｉの被覆層をＳｉ3 Ｎ4 に転化することにより形
成することができる。これは、Ｓｉの被覆層が高温に加
熱されながらＳｉ3 Ｎ4 に転化されると、被覆層中の一
部のＳｉが蒸発したり、生成したＳｉ3 Ｎ4 が分解する
ため、そこで形成された空隙が所定の開口率の孔部とし
て残存するからであると考えられる。
【００１４】また、上記のＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部
品が使用されるＳＯＩ基板熱酸化処理炉は、図３に示す
ように、Ｓｉウエハ１１を載せるサセプター１２と、複
数のサセプター１２を着脱自在に支持するボート１３
と、これらサセプター１２およびボート１３を収容する
チューブ１４とを構成部材として備えており、この構成
部材がＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品とされている。こ
の構成によれば、Ｓｉウエハ１１に対して１３００℃以
上で熱酸化処理を施したとき、サセプター１２、ボート
１３およびチューブ１４が酸化されることによって、こ
れらの構成部材の表面にＳｉＯ2 膜が形成されることに
なるが、構成部材の表面が多孔性の窒化珪素の剥離防止
層からなっているため、ＳｉＯ2 膜が容易に剥離するこ
とはない。これにより、ＳｉＯ2 膜が剥離することによ
るパーティクルの発生が十分に防止されているため、Ｓ
ｉウエハ１１の熱酸化処理を高品質に行うことができる
と共に、構成部材を酸洗浄する周期を長くすることがで
きる。
品が使用されるＳＯＩ基板熱酸化処理炉は、図３に示す
ように、Ｓｉウエハ１１を載せるサセプター１２と、複
数のサセプター１２を着脱自在に支持するボート１３
と、これらサセプター１２およびボート１３を収容する
チューブ１４とを構成部材として備えており、この構成
部材がＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品とされている。こ
の構成によれば、Ｓｉウエハ１１に対して１３００℃以
上で熱酸化処理を施したとき、サセプター１２、ボート
１３およびチューブ１４が酸化されることによって、こ
れらの構成部材の表面にＳｉＯ2 膜が形成されることに
なるが、構成部材の表面が多孔性の窒化珪素の剥離防止
層からなっているため、ＳｉＯ2 膜が容易に剥離するこ
とはない。これにより、ＳｉＯ2 膜が剥離することによ
るパーティクルの発生が十分に防止されているため、Ｓ
ｉウエハ１１の熱酸化処理を高品質に行うことができる
と共に、構成部材を酸洗浄する周期を長くすることがで
きる。
【００１５】
【実施例】本発明を以下の実施例により具体的に説明す
るが、本発明の実施態様は、以下の実施例に限定される
ものではない。
るが、本発明の実施態様は、以下の実施例に限定される
ものではない。
【００１６】実施例１ 先ず、ＣＶＤ法により形成されたバルクＳｉＣをサセプ
ターの形状に加工した後、このバルクＳｉＣの表面にＣ
ＶＤ法によりＳｉを被覆した。この後、窒素（Ｎ2 ）雰
囲気下において加熱し、Ｓｉの被覆層をＳｉ3 Ｎ4 に転
化することによって、表面にＳｉ3 Ｎ4 からなる多孔性
の剥離防止層を有したサセプターを作製した。次に、作
製したサセプターにおける剥離防止層の開気孔率を水銀
ポロシメトリーにより測定した。また、この剥離防止層
の層厚を顕微鏡により測定した。この結果、開気孔率が
５体積％および層厚が３０μｍであった。さらに、サセ
プターを１３９０℃の酸素雰囲気（Ｏ2 ：６０体積％，
Ａｒ：４０体積％）下に放置し、１時間毎にサセプター
の表面を観察することによって、Ｓｉ3 Ｎ4 の酸化によ
り形成されたＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間を測定
したところ、９１２時間であった。
ターの形状に加工した後、このバルクＳｉＣの表面にＣ
ＶＤ法によりＳｉを被覆した。この後、窒素（Ｎ2 ）雰
囲気下において加熱し、Ｓｉの被覆層をＳｉ3 Ｎ4 に転
化することによって、表面にＳｉ3 Ｎ4 からなる多孔性
の剥離防止層を有したサセプターを作製した。次に、作
製したサセプターにおける剥離防止層の開気孔率を水銀
ポロシメトリーにより測定した。また、この剥離防止層
の層厚を顕微鏡により測定した。この結果、開気孔率が
５体積％および層厚が３０μｍであった。さらに、サセ
プターを１３９０℃の酸素雰囲気（Ｏ2 ：６０体積％，
Ａｒ：４０体積％）下に放置し、１時間毎にサセプター
の表面を観察することによって、Ｓｉ3 Ｎ4 の酸化によ
り形成されたＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間を測定
したところ、９１２時間であった。
【００１７】実施例２ 実施例１と同様の方法によりサセプターを作製し、剥離
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が３０体積％および層厚が３０μｍであった。そし
て、このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の
酸素雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの
時間を測定したところ、９２２時間であった。
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が３０体積％および層厚が３０μｍであった。そし
て、このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の
酸素雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの
時間を測定したところ、９２２時間であった。
【００１８】実施例３ 実施例１と同様の方法によりサセプターを作製し、剥離
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が１５体積％および層厚が１０μｍであった。そし
て、このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の
酸素雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの
時間を測定したところ、８７２時間であった。
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が１５体積％および層厚が１０μｍであった。そし
て、このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の
酸素雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの
時間を測定したところ、８７２時間であった。
【００１９】実施例４ 実施例１と同様の方法によりサセプターを作製し、剥離
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が１５体積％および層厚が５０μｍであった。そし
て、このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の
酸素雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの
時間を測定したところ、１０５０時間であった。
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が１５体積％および層厚が５０μｍであった。そし
て、このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の
酸素雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの
時間を測定したところ、１０５０時間であった。
【００２０】比較例１ ＣＶＤ法により形成されたバルクＳｉＣをサセプターの
形状に形成し、実施例１と同様に、１３９０℃の酸素雰
囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間を
測定したところ、２９０時間であった。尚、ＣＶＤ法に
より形成されたバルクＳｉＣは、緻密であると共に剥離
防止層を有していないため、開気孔率および層厚は測定
していない。
形状に形成し、実施例１と同様に、１３９０℃の酸素雰
囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間を
測定したところ、２９０時間であった。尚、ＣＶＤ法に
より形成されたバルクＳｉＣは、緻密であると共に剥離
防止層を有していないため、開気孔率および層厚は測定
していない。
【００２１】比較例２ ＣＶＤ法により形成されたバルクＳｉＣをサセプターの
形状に形成した後、このバルクＳｉＣの表面にＳｉＨ4
とＮＨ3 とを反応させることによって、Ｓｉ3Ｎ4 から
なる被覆層を形成した。そして、この被覆層の開気孔率
および層厚を測定したところ、開気孔率が０体積％およ
び層厚が３０μｍであった。この後、このサセプターを
実施例１と同様に、１３９０℃の酸素雰囲気下に放置し
てＳｉＯ 2 膜が剥離に至るまでの時間を測定したとこ
ろ、３２５時間であった。
形状に形成した後、このバルクＳｉＣの表面にＳｉＨ4
とＮＨ3 とを反応させることによって、Ｓｉ3Ｎ4 から
なる被覆層を形成した。そして、この被覆層の開気孔率
および層厚を測定したところ、開気孔率が０体積％およ
び層厚が３０μｍであった。この後、このサセプターを
実施例１と同様に、１３９０℃の酸素雰囲気下に放置し
てＳｉＯ 2 膜が剥離に至るまでの時間を測定したとこ
ろ、３２５時間であった。
【００２２】比較例３ 実施例１と同様の方法によりサセプターを作製し、剥離
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が３体積％および層厚が３０μｍであった。そして、
このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の酸素
雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間
を測定したところ、５３０時間であった。
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が３体積％および層厚が３０μｍであった。そして、
このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の酸素
雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間
を測定したところ、５３０時間であった。
【００２３】比較例４ 実施例１と同様の方法によりサセプターを作製し、剥離
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が１５体積％および層厚が８μｍであった。そして、
このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の酸素
雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間
を測定したところ、５４０時間であった。
防止層の開気孔率および層厚を測定したところ、開気孔
率が１５体積％および層厚が８μｍであった。そして、
このサセプターを実施例１と同様に、１３９０℃の酸素
雰囲気下に放置してＳｉＯ2 膜が剥離に至るまでの時間
を測定したところ、５４０時間であった。
【００２４】以上の測定結果を表１に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】本発明は、以上のように、少なくとも外
周部分が緻密な炭化珪素で形成された基材と、前記基材
の表面に形成され、窒化珪素からなる多孔性の剥離防止
層とを有した構成であるため、熱酸化処理においてＳｉ
Ｏ2 膜の成膜が相当程度に進行した場合でも、膜片が剥
離してパーティクルとして炉内を浮遊することがなく、
結果としてＳｉＯ2 膜の酸洗浄の周期を長くすることが
可能であるという効果を奏する。
周部分が緻密な炭化珪素で形成された基材と、前記基材
の表面に形成され、窒化珪素からなる多孔性の剥離防止
層とを有した構成であるため、熱酸化処理においてＳｉ
Ｏ2 膜の成膜が相当程度に進行した場合でも、膜片が剥
離してパーティクルとして炉内を浮遊することがなく、
結果としてＳｉＯ2 膜の酸洗浄の周期を長くすることが
可能であるという効果を奏する。
【図１】多孔性の剥離防止層にＳｉＯ2 膜が形成された
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図２】ＳｉＣの表面にＳｉＯ2 膜が形成された状態を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】ＳＯＩ基板熱酸化処理炉の概略構成図である。
１ 基材 ２ 剥離防止層 ２ａ 孔部 ３ 構成部材 ４ ＳｉＯ2 膜 １１ Ｓｉウエハ １２ サセプター １３ ボート １４ チューブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中嶋 定夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 4K055 AA08 HA02 HA23 HA25
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも外周部分が緻密な炭化珪素で
形成された基材と、 前記基材の表面に形成され、窒化珪素からなる多孔性の
剥離防止層とを有したことを特徴とするＳＯＩ基板熱酸
化処理炉用部品。 - 【請求項２】 前記基材は、ＣＶＤ法により形成された
バルクＳｉＣ、ＣＶＤ法によりＳｉＣが成膜された焼結
ＳｉＣ、ＣＶＤ法によりＳｉＣが成膜された黒鉛、また
はＳｉが含浸された反応ＳｉＣからなることを特徴とす
る請求項１記載のＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品。 - 【請求項３】 前記剥離防止層は、開気孔率が５〜３０
体積％であることを特徴とする請求項１または２記載の
ＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品。 - 【請求項４】 前記剥離防止層は、層厚が１０〜５０μ
ｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
１項に記載のＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項に記載
のＳＯＩ基板熱酸化処理炉用部品であって、 前記部品は、ＳＯＩ基板熱酸化処理炉におけるＳｉウエ
ハを載せるサセプター、該サセプターを支持するボー
ト、またはこれらサセプターおよびボートを収容するチ
ューブであることを特徴とするＳＯＩ基板熱酸化処理炉
用部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19829498A JP2000034184A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | Ｓｏｉ基板熱酸化処理炉用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19829498A JP2000034184A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | Ｓｏｉ基板熱酸化処理炉用部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000034184A true JP2000034184A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16388746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19829498A Pending JP2000034184A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | Ｓｏｉ基板熱酸化処理炉用部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000034184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666233A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片 |
| CN113698231A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 揖斐电株式会社 | 碳复合构件 |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP19829498A patent/JP2000034184A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666233A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片 |
| CN108666233B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-02-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片 |
| CN113698231A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 揖斐电株式会社 | 碳复合构件 |
| CN113698231B (zh) * | 2020-05-22 | 2023-07-07 | 揖斐电株式会社 | 碳复合构件 |
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