JP2000031530A - Semiconductor light emitter and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｎ接合に注入さ
れた電子と正孔が再結合するときに発生する光を利用す
るＬＥＤチップを備えた半導体発光装置に関し、特に、
ＬＥＤチップから放射された光の波長を蛍光体で変換す
る技術を対象とする。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light emitting device provided with an LED chip utilizing light generated when electrons and holes injected into a pn junction are recombined.
The technology is intended to convert the wavelength of light emitted from an LED chip with a phosphor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＥＤ(Light Emitting Diode)チップを
蛍光体に埋め込んで本来の発光色以外の発光色を得る手
法が実用化されている。この手法では、中心波長が約45
0nmの青色で発光するGaＮ系ＬＥＤを用いるのが一般的
である。2. Description of the Related Art A technique of embedding an LED (Light Emitting Diode) chip in a phosphor to obtain a luminescent color other than the original luminescent color has been put to practical use. In this method, the center wavelength is about 45
It is common to use a GaN-based LED that emits blue light of 0 nm.
【０００３】この手法を用いた半導体発光装置は、リー
ドフレーム上にマウントされるGaＮ系ＬＥＤチップと、
このＬＥＤチップの周囲を覆うプレディップ材と、プレ
ディップ材の外側に形成されるキャスティング材とを有
し、プレディップ材には蛍光体が混入される。蛍光体と
しては、例えばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・
ガーネット）蛍光体が用いられる。A semiconductor light emitting device using this technique includes a GaN LED chip mounted on a lead frame,
It has a pre-dip material covering the periphery of the LED chip and a casting material formed outside the pre-dip material, and a phosphor is mixed in the pre-dip material. As the phosphor, for example, YAG (yttrium aluminum
Garnet) phosphors are used.
【０００４】以下、この種の従来の半導体発光装置の製
造方法を簡単に説明する。GaＮ系ＬＥＤチップをリード
フレーム上にマウントした後、ワイヤボンディングを行
う。次に、ＬＥＤチップとボンディングワイヤの周囲を
プレディップ材で覆って熱処理を行い、プレディップ材
を硬化させた後、その外側をレンズを兼ねたキャスティ
ング材で覆う。Hereinafter, a method of manufacturing a conventional semiconductor light emitting device of this type will be briefly described. After mounting the GaN LED chip on the lead frame, wire bonding is performed. Next, heat treatment is performed by covering the periphery of the LED chip and the bonding wire with a pre-dip material, and after curing the pre-dip material, the outside thereof is covered with a casting material also serving as a lens.
【０００５】プレディップ材とキャスティング材はいず
れも熱硬化性の樹脂等からなり、プレディップ材には予
めＹＡＧ蛍光体が混入される。プレディップ材を設ける
理由は、ＬＥＤチップやボンディングワイヤがキャステ
ィング材に対して濡れ性がよくなるようにするためであ
る。このように、プレディップ材とキャスティング材を
２重にキャスティング(casting：鋳造)する手法は、ダ
ブルキャストと呼ばれる。Both the pre-dip material and the casting material are made of a thermosetting resin or the like, and a YAG phosphor is mixed in the pre-dip material in advance. The reason for providing the pre-dipping material is to make the LED chip and the bonding wire have good wettability to the casting material. Such a method of casting the pre-dip material and the casting material in a double manner is called double casting.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダブル
キャストを採用すると、キャスティングが２回必要とな
るだけでなく、プレディップ材とキャスティング材を硬
化するのに必要な熱処理もそれぞれ別個に必要となる。
例えば、２インチ基板から400μm角のチップを１万個以
上切り出すことができるが、これら全チップに対してそ
れぞれ２回ずつキャスティングと熱処理を行わなければ
ならないため、製造工程が複雑になり、製造コストも高
くなってしまう。However, when double casting is employed, not only casting is required twice, but also heat treatment required for hardening the pre-dip material and the casting material is required separately.
For example, more than 10,000 chips of 400 μm square can be cut out from a 2-inch substrate, but casting and heat treatment must be performed twice for each of these chips, which complicates the manufacturing process and reduces the manufacturing cost. Will also be higher.
【０００７】また、プレディップ材に蛍光体を混入する
と、熱処理の最中に蛍光体が沈殿するという問題があ
る。図１２は、赤色（Ｒ）発光用、緑色（Ｇ）発光用、
青色（Ｂ）発光用の３種類の蛍光体の粒子形状を模式的
に示した図である。図示のように、通常は、各蛍光体の
粒径はほぼ一定である。Further, if a phosphor is mixed into the pre-dip material, there is a problem that the phosphor precipitates during the heat treatment. FIG. 12 is for red (R) emission, green (G) emission,
It is the figure which showed typically the particle shape of three types of fluorescent substances for blue (B) light emission. As shown in the figure, usually, the particle size of each phosphor is substantially constant.
【０００８】図１２に示す３種類の蛍光体を溶剤に混ぜ
て放置すると、図１３のように各蛍光体は層状に分離す
る。これは、各蛍光体の比重がそれぞれ異なるためであ
る。例えば、各蛍光体の比重が、赤色発光用＞青色発光
用＞緑色発光用の順番であるとすると、図１３の最下層
には赤色発光用の蛍光体１０１が、次に青色発光用の蛍
光体１０２が、次に緑色発光用の蛍光体１０３が順に配
置される。When three types of phosphors shown in FIG. 12 are mixed with a solvent and allowed to stand, each phosphor is separated into layers as shown in FIG. This is because each phosphor has a different specific gravity. For example, assuming that the specific gravity of each phosphor is in the order of red emission> blue emission> green emission, the lowermost layer in FIG. A body 102 is then arranged, followed by a phosphor 103 for emitting green light.
【０００９】したがって、プレディップ材に３種類の蛍
光体１０１〜１０３を混ぜると、プレディップ材の熱処
理時に各蛍光体１０１〜１０３が層状に分離してしま
い、複数の蛍光体が均一に分布した場合の蛍光体配合比
と異なった配合比になり、所望の発光色が得られなくな
る。Therefore, when three kinds of phosphors 101 to 103 are mixed with the pre-dip material, the respective phosphors 101 to 103 are separated into layers at the time of heat treatment of the pre-dip material, and a plurality of phosphors are uniformly distributed. The mixing ratio becomes different from the mixing ratio of the phosphor in the case, and a desired emission color cannot be obtained.
【００１０】ところで、活性層をクラッド層で挟み込ん
だダブルへテロ構造のＬＥＤは、活性層から放射された
光をクラッド層を介して発光面に導くようにしている。
ところが、従来のＬＥＤでは、活性層から基板側に出射
された光はほとんど無効になっていた。この理由は、Ｌ
ＥＤの発光波長は紫外域であるため、基板側に出射され
た紫外光は、サファイア基板の上面のn-GaＮ層を通過す
る際にほとんど吸収されるためである。また、裏面で反
射された光に対してもn-GaＮ層で吸収が起こり、結果的
に、活性層で発生した光の半分近くは外部に取り出すこ
とができなかった。By the way, in an LED having a double hetero structure in which an active layer is sandwiched between cladding layers, light emitted from the active layer is guided to a light emitting surface via the cladding layer.
However, in the conventional LED, the light emitted from the active layer toward the substrate is almost ineffective. The reason is that L
This is because the emission wavelength of the ED is in the ultraviolet region, and the ultraviolet light emitted to the substrate side is almost absorbed when passing through the n-GaN layer on the upper surface of the sapphire substrate. Also, the light reflected on the back surface was absorbed in the n-GaN layer, and as a result, nearly half of the light generated in the active layer could not be extracted outside.
【００１１】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、所望の色での発光が可能で、
発光輝度の高い半導体発光装置を提供することにある。[0011] The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to emit light of a desired color.
An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device having high light emission luminance.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明は、発光チップをリードフレー
ム上にマウントして、発光チップとリードフレームとを
ボンディングワイヤにより接続する半導体発光装置の製
造方法において、半導体ウエハ上に複数の発光チップを
形成する第１の工程と、前記半導体ウエハ上の前記複数
の発光チップ上面に、少なくとも１種類の蛍光体を含む
コート材を塗布する第２の工程と、熱処理を行って前記
コート材を硬化させる第３の工程と、前記半導体ウエハ
をチップ分割した後に、個々の前記発光チップを前記リ
ードフレーム上にマウントする第４の工程と、前記発光
チップの周囲をレンズを兼ねた透明樹脂層で覆う第５の
工程と、を備えたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device in which a light emitting chip is mounted on a lead frame and the light emitting chip and the lead frame are connected by bonding wires. In the method of manufacturing a device, a first step of forming a plurality of light emitting chips on a semiconductor wafer and a step of applying a coating material containing at least one kind of phosphor on an upper surface of the plurality of light emitting chips on the semiconductor wafer A second step, a third step of curing the coating material by performing a heat treatment, a fourth step of mounting the individual light emitting chips on the lead frame after dividing the semiconductor wafer into chips, and A fifth step of covering the periphery of the light-emitting chip with a transparent resin layer also serving as a lens.
【００１３】請求項３の発明は、リードフレーム上に固
定されボンディングワイヤによりリードフレームに接続
される発光チップと、前記発光チップと前記ボンディン
グワイヤとの周囲を覆うコート材層と、前記コート材層
の外側を覆う樹脂層と、を備えた半導体発光装置におい
て、前記コート材層は、それぞれ異なる色で発光する複
数種類の蛍光体を含んでおり、これら蛍光体が前記コー
ト材層内に均一に分布するように、前記複数種類の蛍光
体の比重に基づいて、各蛍光体の粒径比を調整する。According to a third aspect of the present invention, there is provided a light emitting chip fixed on a lead frame and connected to the lead frame by a bonding wire, a coating material layer covering the periphery of the light emitting chip and the bonding wire, and the coating material layer. A resin layer that covers the outside of the coating material layer, the coating material layer includes a plurality of types of phosphors that emit light of different colors, and the phosphors are uniformly distributed in the coating material layer. The particle diameter ratio of each phosphor is adjusted based on the specific gravity of the plurality of kinds of phosphors so as to be distributed.
【００１４】請求項５の発明は、紫外光を発光する活性
層をクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造の発光チ
ップの基板面側を、接着剤によりリードフレーム上に固
定した半導体発光装置において、前記接着剤は、少なく
とも１種類の蛍光体を含む透明材料からなり、前記活性
層から基板面側に出射された光を、前記蛍光体で可視光
に変換して前記発光面側に反射させるようにしたもので
ある。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device wherein a substrate surface side of a light emitting chip having a double hetero structure in which an active layer emitting ultraviolet light is sandwiched between cladding layers is fixed on a lead frame with an adhesive. The adhesive is made of a transparent material containing at least one kind of phosphor, and converts the light emitted from the active layer to the substrate surface side into visible light with the phosphor and reflects the light to the light emitting surface side. It was done.
【００１５】請求項６の発明は、発光チップをリードフ
レーム上に固定して、発光チップとリードフレームとを
ボンディングワイヤにより接続した半導体発光装置にお
いて、前記発光チップの上面に、それぞれ異なる色成分
を吸収する複数種類の蛍光体を層状に形成したものであ
る。According to a sixth aspect of the present invention, in a semiconductor light emitting device in which a light emitting chip is fixed on a lead frame and the light emitting chip and the lead frame are connected by bonding wires, different color components are respectively provided on the upper surface of the light emitting chip. A plurality of phosphors to be absorbed are formed in layers.
【００１６】請求項９の発明は、発光チップをリードフ
レーム上に固定して、発光チップとリードフレームとを
ボンディングワイヤにより接続した半導体発光装置にお
いて、前記発光チップの本来の発光色と同じ色で発光す
るように、前記発光チップから放射された可視光以外の
光成分を可視光に変換する蛍光体層を前記発光チップの
上面に形成したことを特徴とする半導体発光装置。According to a ninth aspect of the present invention, in a semiconductor light emitting device in which a light emitting chip is fixed on a lead frame and the light emitting chip and the lead frame are connected by bonding wires, the light emitting chip has the same color as the original light emitting color. A semiconductor light emitting device, wherein a phosphor layer for converting light components other than visible light emitted from the light emitting chip into visible light so as to emit light is formed on an upper surface of the light emitting chip.
【００１７】上述した各発明において、例えば、一般式
が(La1-x-yEuxSmy)2O2の蛍光体が用いられる。また、半
導体発光装置は、例えば、AlxInyGa1-x-yＮ（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）、およびAlxＢyGa1-x-yＮ（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）の少なくとも一方を含む。In each of the above-mentioned inventions, for example, a phosphor of the general formula (La 1-xyE x Sm y ) 2 O 2 is used. In addition, the semiconductor light emitting device may include, for example, Al x In y Ga 1 -xy N (0 ≦ x ≦
1,0 ≦ y ≦ 1), and Al x B y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦
1,0 ≦ y ≦ 1).
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体発光装
置について、図面を参照しながら具体的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor light emitting device according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
【００１９】（第１の実施形態）図１は本発明に係る半
導体発光装置の第１の実施形態の概略断面図である。図
１の半導体発光装置は、InGaＮ活性層を有する中心波長
が370nm付近の紫外ＬＥＤチップで発光された光を、そ
れぞれ赤・緑・青の発光を行う３種類の蛍光体に導き、
結果的に白色発光を得るものである。(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic sectional view of a first embodiment of a semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device of FIG. 1 guides light emitted from an ultraviolet LED chip having a center wavelength of about 370 nm having an InGaN active layer to three types of phosphors that emit red, green, and blue light, respectively.
As a result, white light emission is obtained.
【００２０】図１の半導体発光装置は、InGaＮ活性層を
有するダブルヘテロ構造のＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチ
ップ１の周囲を覆うプレディップ材２と、プレディップ
材２の周囲を覆うキャスティング材３とを備える。プレ
ディップ材２は、例えば無機の溶剤を用いて形成され
る。The semiconductor light emitting device shown in FIG. 1 has an LED chip 1 having a double hetero structure having an InGaN active layer, a pre-dip material 2 covering the periphery of the LED chip 1, and a casting material 3 covering the periphery of the pre-dip material 2. Is provided. The pre-dip material 2 is formed using, for example, an inorganic solvent.
【００２１】プレディップ材２とキャスティング材３は
ともに透明の樹脂等で形成されるが、図１では、説明を
わかりやすくするため、プレディップ材２の外縁を点線
で示している。The pre-dip material 2 and the casting material 3 are both formed of a transparent resin or the like. In FIG. 1, the outer edge of the pre-dip material 2 is indicated by a dotted line for easy understanding.
【００２２】図２はＬＥＤチップ１の断面構造を示す図
である。図２のＬＥＤチップ１は、サファイア基板１１
上に、MO-CVD法により、GaＮバッファ層１２、n-GaＮ層
１３、n-AlGaＮクラッド層１４、InGaＮ活性層１５、p-
AlGaＮクラッド層１６、p+-GaＮコンタクト層１７を順
に形成した構造になっている。FIG. 2 is a view showing a sectional structure of the LED chip 1. As shown in FIG. The LED chip 1 shown in FIG.
The GaN buffer layer 12, the n-GaN layer 13, the n-AlGaN cladding layer 14, the InGaN active layer 15, and the p-
The structure is such that an AlGaN cladding layer 16 and ap + -GaN contact layer 17 are sequentially formed.
【００２３】p+-GaＮコンタクト層１７の上面にはｐ側
電極層１８が形成され、その上面の一部にはｐ型ボンデ
ィングパッド１９が形成される。n-AlGaＮクラッド層１
４、InGaＮ活性層１５、p-AlGaＮクラッド層１６、p+-G
aＮコンタクト層１７の一部はエッチング除去され、露
出されたn-GaＮ層１３の上面にはｎ側ボンディングパッ
ド２０が形成される。また、ＬＥＤチップ１の上面はSi
O2からなる表面保護膜２１で保護される。A p-side electrode layer 18 is formed on the upper surface of the p + -GaN contact layer 17, and a p-type bonding pad 19 is formed on a part of the upper surface. n-AlGaN cladding layer 1
4, InGaN active layer 15, p-AlGaN cladding layer 16, p + -G
A part of the aN contact layer 17 is removed by etching, and an n-side bonding pad 20 is formed on the exposed upper surface of the n-GaN layer 13. The upper surface of the LED chip 1 is Si
It is protected by a surface protection film 21 made of O 2 .
【００２４】次に、図１の半導体発光装置の製造工程を
説明する。まず、ウエハ上に図２に示したＬＥＤチップ
１を多数形成する。例えば、１個のＬＥＤチップ１のサ
イズが400μｍ程度であれば、２インチのウエハ上に
は、１万個以上のＬＥＤチップ１を形成することができ
る。Next, the manufacturing process of the semiconductor light emitting device of FIG. 1 will be described. First, many LED chips 1 shown in FIG. 2 are formed on a wafer. For example, if the size of one LED chip 1 is about 400 μm, 10,000 or more LED chips 1 can be formed on a 2-inch wafer.
【００２５】次に、それぞれ赤・緑・青の発光を行う３
種類の蛍光体を混ぜたコート材をウエハ上に塗布する。
コート材を塗布する方法として、例えばスピンコート法
などが用いられる。コート材の厚さは、例えば１〜500
μｍ程度に設定される。Next, light emission of red, green, and blue, respectively, 3
A coating material containing a mixture of phosphors is applied on a wafer.
As a method of applying the coating material, for example, a spin coating method or the like is used. The thickness of the coating material is, for example, 1 to 500
It is set to about μm.
【００２６】図３はスピンコート法の概略を説明する図
である。図２に示したＬＥＤチップ１が多数形成された
ウエハ３１を真空チャック３２の上面に載置した状態で
ウエハ３１を回転させる。このとき、遠心力でウエハ３
１が移動しないように、不図示のバキュームチェックで
空気を吸い込んでウエハ３１を真空チャック３２の上面
に吸い付けながら、ウエハ３１を回転させる。FIG. 3 is a diagram for explaining the outline of the spin coating method. The wafer 31 on which the LED chips 1 shown in FIG. 2 are formed is mounted on the upper surface of the vacuum chuck 32 and the wafer 31 is rotated. At this time, the wafer 3
The wafer 31 is rotated while sucking air by a vacuum check (not shown) to suck the wafer 31 onto the upper surface of the vacuum chuck 32 so that the wafer 1 does not move.
【００２７】次に、回転するウエハ３１の上方にノズル
３３を配置して、プレディップ材２の材料となる無機の
コート材３４をウエハ３１上に滴下する。ウエハ３１上
に滴下されたコート材３４は、ウエハ３１の回転に応じ
てウエハ３１全体に一様に広がる。すなわち、コート材
３４は、コート材３４の粘度とウエハ３１の回転数で決
定される膜厚でウエハ３１上に広がる。Next, a nozzle 33 is arranged above the rotating wafer 31, and an inorganic coating material 34 serving as a material of the pre-dip material 2 is dropped on the wafer 31. The coating material 34 dropped on the wafer 31 uniformly spreads over the entire wafer 31 according to the rotation of the wafer 31. That is, the coating material 34 spreads on the wafer 31 with a film thickness determined by the viscosity of the coating material 34 and the rotation speed of the wafer 31.
【００２８】次に、図４に示すように、熱処理炉３５の
中にウエハ３１を収納して熱処理を行う。これにより、
コート材３４が硬化してプレディップ材２が形成され
る。Next, as shown in FIG. 4, the wafer 31 is accommodated in a heat treatment furnace 35 and heat treatment is performed. This allows
The coating material 34 is cured to form the pre-dip material 2.
【００２９】次に、ウエハ３１をチップ単位で分割し、
分割された各ＬＥＤチップ１を、図１に示すように接着
剤４を用いてリードフレーム５上に固定する。接着剤４
は、絶縁性のものが望ましい。Next, the wafer 31 is divided into chip units.
Each of the divided LED chips 1 is fixed on a lead frame 5 using an adhesive 4 as shown in FIG. Adhesive 4
Is desirably an insulating material.
【００３０】次に、ＬＥＤチップ１上のパッド１９，２
０をリードフレーム５上にボンディングワイヤ６で接続
する。次に、プレディップ材２の周囲を、レンズを兼ね
たキャスティング材３で覆った後、熱処理を行ってキャ
スティング材３を硬化させる。Next, the pads 19, 2 on the LED chip 1
0 is connected to the lead frame 5 by a bonding wire 6. Next, after surrounding the pre-dip material 2 with a casting material 3 also serving as a lens, a heat treatment is performed to cure the casting material 3.
【００３１】このように、第１の実施形態では、ＬＥＤ
チップ１が形成されたウエハ３１をチップ分割する前
に、ウエハ３１のチップ形成面全体に蛍光体を含むコー
ト材３４を塗布し、予めプレディップ材２を形成するよ
うにしたため、各ＬＥＤチップ１をリードフレーム５に
マウントした後にプレディップ材２を形成する工程が不
要となり、半導体発光装置の製造工程を簡略化すること
ができる。As described above, in the first embodiment, the LED
Before dividing the wafer 31 on which the chips 1 are formed into chips, a coating material 34 containing a phosphor is applied to the entire chip forming surface of the wafer 31 to form the pre-dip material 2 in advance. The step of forming the pre-dip material 2 after mounting on the lead frame 5 becomes unnecessary, and the manufacturing process of the semiconductor light emitting device can be simplified.
【００３２】（第２の実施形態）第２の実施形態は、プ
レディップ材２に混入する各蛍光体の粒径比を、各蛍光
体の比重を考慮に入れて調整するものである。(Second Embodiment) In the second embodiment, the particle size ratio of each phosphor mixed in the pre-dip material 2 is adjusted in consideration of the specific gravity of each phosphor.
【００３３】第２の実施形態は、第１の実施形態と同様
に、紫外光を発光するＬＥＤチップ１から放射された光
を、それぞれ赤・緑・青で発光する３種類の蛍光体で発
光波長の変換を行い、結果として白色発光を得る。In the second embodiment, similarly to the first embodiment, light emitted from the LED chip 1 that emits ultraviolet light is emitted by three types of phosphors that emit red, green, and blue light, respectively. The wavelength is converted, and white light emission is obtained as a result.
【００３４】以下、説明を簡略化するために、それぞれ
赤・緑・青で発光する３種類の蛍光体の重量比（Wt／
％）が、赤：緑：青＝１：１：１のときに完全な白色が
得られるものとする。In order to simplify the description, the weight ratio (Wt /
%) Is red: green: blue = 1: 1: 1, a perfect white color is obtained.
【００３５】第２の実施形態では、各蛍光体の粒径比
が、各蛍光体の比重の比の逆数になるようにする。例え
ば、各蛍光体の比重の比が、赤：緑：青＝6.4：3.8：4.
2である場合には、各蛍光体の粒径比を(1/6.4)：(1/3.
8)：(1/4.2)に定める。これにより、各蛍光体の比重を
変えなくても、各蛍光体の単位体積当たりの重量が略等
しくなり、各蛍光体を溶媒に混ぜたときに、各蛍光体が
層状に分離せずに、均一に分布するようになる。In the second embodiment, the particle size ratio of each phosphor is set to be the reciprocal of the specific gravity ratio of each phosphor. For example, the specific gravity ratio of each phosphor is red: green: blue = 6.4: 3.8: 4.
In the case of 2, the particle size ratio of each phosphor is (1 / 6.4) :( 1/3.
8): Defined in (1 / 4.2). Thereby, even if the specific gravity of each phosphor is not changed, the weight per unit volume of each phosphor becomes substantially equal, and when each phosphor is mixed with a solvent, each phosphor is not separated into a layer, It becomes evenly distributed.
【００３６】ただし、蛍光体の種類によっては、粒径を
変更しにくいものがあるため、粒径を変更しにくい蛍光
体、例えば緑の蛍光体を基準とし、基準とした蛍光体以
外の蛍光体の粒径を変更するのが望ましい。However, depending on the type of the phosphor, it is difficult to change the particle size of some phosphors. Therefore, the phosphor whose particle size is difficult to change, for example, a green phosphor, and a phosphor other than the reference phosphor It is desirable to change the particle size of the particles.
【００３７】図５は各蛍光体の粒径を模式的に示した図
であり、赤色発光用の蛍光体を丸形状で、緑色発光用の
蛍光体を星形状で、青色発光用の蛍光体を多角形状で示
している。これら蛍光体の比重が、大きい方から順に、
赤、青、緑である場合には、図５に示すように、各蛍光
体の粒径を、大きい方から順に、緑、青、赤にすればよ
い。これにより、各蛍光体の単位体積当たりの重量は略
等しくなり、各蛍光体を溶媒中で均一に分布させること
ができる。FIG. 5 is a diagram schematically showing the particle size of each phosphor. The phosphor for red emission has a round shape, the phosphor for green emission has a star shape, and the phosphor for blue emission. Is shown in a polygonal shape. The specific gravities of these phosphors are, in descending order,
In the case of red, blue, and green, as shown in FIG. 5, the particle size of each phosphor may be set to green, blue, and red in order from the largest. Thereby, the weight per unit volume of each phosphor becomes substantially equal, and each phosphor can be uniformly distributed in the solvent.
【００３８】また、それぞれ赤・緑・青で発光する３種
類の蛍光体に加えて、ＹＡＧ（イットリウム、アルミニ
ウム、ガーネット）蛍光体を用いる場合には、これら４
種類の蛍光体の粒径比が、各蛍光体の比重の逆数の比に
等しくなるように各蛍光体の粒径を調整すればよい。When a YAG (yttrium, aluminum, garnet) phosphor is used in addition to the three kinds of phosphors that emit red, green, and blue light, respectively.
The particle size of each phosphor may be adjusted so that the particle size ratio of the phosphors is equal to the reciprocal of the specific gravity of each phosphor.
【００３９】このように、第２の実施形態は、各蛍光体
の粒径比を調整することにより各蛍光体の比重の違いを
相殺するようにしたため、複数種類の蛍光体を溶媒中で
均一に分布させることができ、設計値通りの発光色を得
ることができる。As described above, in the second embodiment, since the difference in specific gravity of each phosphor is offset by adjusting the particle size ratio of each phosphor, a plurality of types of phosphors can be uniformly dispersed in a solvent. And the luminescent color according to the design value can be obtained.
【００４０】また、プレディップ材２を形成する際に、
図３と同様のスピンコート法を用いる場合には、各蛍光
体の粒径比を調整しないと図６（ａ）に示すように各蛍
光体が分離して配置されるが、本実施形態のように各蛍
光体の粒径比を比重の比に基づいて調整すると、図６
（ｂ）に示すように各蛍光体を均一に分布させることが
できる。When the pre-dip material 2 is formed,
When the same spin coating method as in FIG. 3 is used, each phosphor is separated and arranged as shown in FIG. 6A unless the particle size ratio of each phosphor is adjusted. When the particle diameter ratio of each phosphor is adjusted based on the specific gravity ratio as described above, FIG.
As shown in (b), each phosphor can be uniformly distributed.
【００４１】ところで、上述した第１および第２の実施
形態では、赤・緑・青で発光する３種類の蛍光体をプレ
ディップ材２に混ぜる例を説明したが、白色以外の色で
発光させたい場合には、発光色に応じた種類の蛍光体を
プレディップ材２に混ぜればよい。例えば紫色で発光さ
せたい場合には、それぞれ赤と青で発光する２種類の蛍
光体をプレディップ材２に混ぜればよい。In the first and second embodiments described above, an example has been described in which three types of phosphors that emit red, green, and blue light are mixed in the pre-dip material 2, but light is emitted in colors other than white. If desired, a phosphor of a type corresponding to the emission color may be mixed into the pre-dip material 2. For example, when it is desired to emit light in purple, two kinds of phosphors emitting light in red and blue, respectively, may be mixed in the pre-dip material 2.
【００４２】より具体的には、GaＮ系のＬＥＤチップの
発光色を赤色に変換する蛍光体の一例としては、例えば
La2O2が用いられる。この蛍光体の標準的な粒径は4.6μ
ｍである。また、緑色に変換する蛍光体の一例として
は、例えば３Ba0.8Al2O3が用いられる。この蛍光体の標
準的な粒径は5.3μｍである。また、青色に変換する蛍
光体の一例としては、例えばSr10(PO4)6C12が用いられ
る。この蛍光体の標準的な粒径は4.6μｍである。ま
た、黄色に変換する蛍光体の一例としては、例えばY3Al
5O12が用いられる。この蛍光体の標準的な粒径は5.3μ
ｍである。More specifically, as an example of a phosphor for converting the emission color of a GaN-based LED chip to red, for example,
La 2 O 2 is used. The standard particle size of this phosphor is 4.6μ
m. Further, as an example of a phosphor that converts the green, for example 3Ba0.8Al 2 O 3 is used. The standard particle size of this phosphor is 5.3 μm. Sr 10 (PO 4 ) 6 C 12 is used as an example of a phosphor that converts to blue. The standard particle size of this phosphor is 4.6 μm. As an example of a phosphor that converts to yellow, for example, Y 3 Al
5 O 12 is used. The standard particle size of this phosphor is 5.3μ
m.
【００４３】（第３の実施形態）第３の実施形態は、活
性層から発光面の反対側（基板面側）に放射された光を
発光面側に反射させるようにしたことを特徴とする。(Third Embodiment) The third embodiment is characterized in that light emitted from the active layer to the side opposite to the light emitting surface (substrate surface side) is reflected to the light emitting surface side. .
【００４４】第３の実施形態の半導体発光装置は、図２
と同じ構造のＬＥＤチップ１を図１と同様にリードフレ
ーム５にマウントしたものである。図１と異なる点は、
透明な接着剤４ａを用い、かつ、接着剤４ａの中に蛍光
体１０を混入したことである。The semiconductor light emitting device according to the third embodiment is shown in FIG.
An LED chip 1 having the same structure as that of FIG. 1 is mounted on a lead frame 5 as in FIG. The difference from FIG.
The reason is that the transparent adhesive 4a is used, and the phosphor 10 is mixed in the adhesive 4a.
【００４５】図７は半導体発光装置の第３の実施形態の
断面構造を模式的に示した図である。図示のように、活
性層１５からサファイア基板１１側に出射された紫外光
は、透明の接着剤４ａの内部に入射されて接着剤４ａ中
の蛍光体１０で可視光に変換され、発光面側に反射され
る。ＬＥＤチップ１を構成する各層は、可視光を自由に
通すため、蛍光体１０により発光波長が変換された可視
光は吸収されることなく図７の上面（発光面）から出射
される。FIG. 7 is a diagram schematically showing a sectional structure of a third embodiment of the semiconductor light emitting device. As shown in the figure, ultraviolet light emitted from the active layer 15 toward the sapphire substrate 11 enters the transparent adhesive 4a, is converted into visible light by the phosphor 10 in the adhesive 4a, and is converted into visible light. Is reflected by Since each layer constituting the LED chip 1 allows visible light to pass freely, the visible light whose emission wavelength has been converted by the phosphor 10 is emitted from the upper surface (light emitting surface) in FIG. 7 without being absorbed.
【００４６】なお、接着剤４ａは、360nm〜800nmの波長
域において、少なくとも10％以上の透過率を有するのが
望ましい。The adhesive 4a desirably has a transmittance of at least 10% or more in a wavelength range of 360 nm to 800 nm.
【００４７】従来は、サファイア基板１１側に出射され
た紫外光は発光に全く寄与していなかったが、第３の実
施形態では、発光面の反対側に出射された紫外光を可視
光に変換して効率よく発光面側に反射させることができ
るため、ＬＥＤチップ１自体の構造を変えずに輝度を高
めることができる。Conventionally, ultraviolet light emitted to the sapphire substrate 11 did not contribute to light emission at all, but in the third embodiment, ultraviolet light emitted to the opposite side of the light emitting surface is converted to visible light. As a result, the light can be efficiently reflected to the light emitting surface side, so that the brightness can be increased without changing the structure of the LED chip 1 itself.
【００４８】（第４の実施形態）第４の実施形態は、発
光チップの上面に、それぞれ異なる色成分を吸収する複
数種類の蛍光体を層状に形成するものである。(Fourth Embodiment) In a fourth embodiment, a plurality of types of phosphors, each absorbing a different color component, are formed in layers on the upper surface of a light emitting chip.
【００４９】図８は半導体発光装置の第４の実施形態の
断面構造を示す図である。図８の半導体発光装置は、発
光チップ５１から放射された光の発光波長を変換する波
長変換層５２を有する。発光チップ５１は、例えば図２
と同じ構造を有する。FIG. 8 is a view showing a sectional structure of a fourth embodiment of the semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device of FIG. 8 has a wavelength conversion layer 52 that converts the emission wavelength of light emitted from the light emitting chip 51. The light emitting chip 51 is, for example, as shown in FIG.
Has the same structure as
【００５０】波長変換層５２は、図９に拡大して示すよ
うに、それぞれ異なる色成分を吸収する複数の蛍光体層
１０ａ，１０ｂ，１０ｃを視感度の低い順に積層したも
のである。具体的には、発光チップ５１に一番近い側に
青色成分を吸収する蛍光体層１０ａを形成し、その上面
に、赤色成分を吸収する蛍光体層１０ｂを形成し、その
上面に、緑色成分を吸収する蛍光体層１０ｃを形成す
る。As shown in FIG. 9, the wavelength conversion layer 52 is formed by laminating a plurality of phosphor layers 10a, 10b, and 10c each absorbing a different color component in ascending order of visibility. Specifically, a phosphor layer 10a that absorbs a blue component is formed on the side closest to the light emitting chip 51, a phosphor layer 10b that absorbs a red component is formed on the upper surface, and a green component is formed on the upper surface. Is formed.
【００５１】青色成分は、他の色成分よりも光強度が高
くて散乱する可能性も高いため、青色成分を吸収する蛍
光体層１０ａを発光チップ５１に近接して配置して、青
色成分の散乱を抑える。一方、緑色成分は、他の色成分
よりも光強度が低くて散乱する可能性も少ないため、緑
色成分を吸収する蛍光体１０ｃは発光チップ５１から最
も離れた位置に形成する。Since the blue component has a higher light intensity than other color components and is more likely to be scattered, the phosphor layer 10a absorbing the blue component is arranged close to the light emitting chip 51, and the blue component is Reduce scattering. On the other hand, since the green component has a lower light intensity than other color components and is less likely to be scattered, the phosphor 10 c absorbing the green component is formed at a position farthest from the light emitting chip 51.
【００５２】このように、第４の実施形態では、発光チ
ップ５１の発光面側に、それぞれ赤・緑・青の各色成分
を吸収する３種類の蛍光体層を層状に形成するため、少
量の蛍光体で高輝度の白色発光を得ることができる。As described above, in the fourth embodiment, a small amount of a small amount of phosphor layers are formed on the light-emitting surface side of the light-emitting chip 51 because the three types of phosphor layers that absorb the respective red, green, and blue color components are formed. High luminance white light emission can be obtained with the phosphor.
【００５３】なお、図９の３種類の蛍光体は必ずしも必
須ではなく、白色以外の発光色を得たい場合には、発光
色に応じた種類の蛍光体を発光チップ５１上に積層すれ
ばよい。Note that the three types of phosphors shown in FIG. 9 are not necessarily essential, and if it is desired to obtain a luminescent color other than white, a type of phosphor corresponding to the luminescent color may be laminated on the light emitting chip 51. .
【００５４】（第５の実施形態）第５の実施形態は、発
光チップ５１から放射される可視光以外の光成分を可視
光に変換して、発光チップ５１の本来の発光色と同じ色
で発光させるものである。(Fifth Embodiment) In the fifth embodiment, light components other than visible light emitted from the light emitting chip 51 are converted into visible light, and are converted into the same color as the original light emitting color of the light emitting chip 51. It emits light.
【００５５】図１０は半導体発光装置の第５の実施形態
の断面構造を示す図である。図１０の半導体発光装置
は、リードフレーム５上に固定されボンディングワイヤ
６でリードフレーム５に接続される発光チップ５１と、
発光チップ５１の発光面側を覆う蛍光体層５２ａと、蛍
光体層５２ａやリードフレーム５の周囲を覆うレンズを
兼ねた封止樹脂５３とを備える。FIG. 10 is a diagram showing a sectional structure of a fifth embodiment of the semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device of FIG. 10 includes a light emitting chip 51 fixed on the lead frame 5 and connected to the lead frame 5 by the bonding wire 6,
A phosphor layer 52a covering the light emitting surface side of the light emitting chip 51, and a sealing resin 53 also serving as a lens covering the periphery of the phosphor layer 52a and the lead frame 5 are provided.
【００５６】蛍光体層５２ａは、発光チップ５１から放
射された光のうち、可視光以外の光成分を可視光に変換
する作用を行う。図１１は、発光チップ５１の発光特性
を示す図であり、横軸は発光波長、縦軸は光強度であ
る。図１１に示すように、発光チップ５１は、本来の発
光波長以外に、紫外域に発光成分を有する。このような
光を図１０の蛍光体層５２ａに通すことにより、紫外域
の発光成分が可視光成分に変換され、結果として、図１
１の点線波形に示すように、可視光の光強度が高くな
り、輝度が向上する。The phosphor layer 52a has a function of converting light components other than visible light of the light emitted from the light emitting chip 51 into visible light. FIG. 11 is a diagram showing the light emission characteristics of the light emitting chip 51. The horizontal axis represents the emission wavelength, and the vertical axis represents the light intensity. As shown in FIG. 11, the light emitting chip 51 has a light emitting component in the ultraviolet region in addition to the original light emitting wavelength. By passing such light through the phosphor layer 52a shown in FIG. 10, the ultraviolet light emission component is converted into a visible light component.
As shown by the dotted waveform in FIG. 1, the light intensity of the visible light increases, and the luminance improves.
【００５７】このように、第５の実施形態は、発光チッ
プ５１から放射された光に含まれる可視光以外の光成分
を、蛍光体層５２ａを用いて可視光に変換するようにし
たため、従来よりも可視光成分の光強度が高くなり、輝
度を向上できる。As described above, in the fifth embodiment, light components other than visible light included in light emitted from the light emitting chip 51 are converted into visible light by using the phosphor layer 52a. The light intensity of the visible light component is higher than that, and the luminance can be improved.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、半導体ウエハ上に形成された発光チップをチップ
分割する前に、半導体ウエハのチップ形成面上に蛍光体
を含むコート材を塗布して熱処理を行い、プレディップ
材を予め形成するようにしたため、チップ分割後に各チ
ップごとにプレディップ材を形成する工程が不要とな
り、製造工程を簡略化でき、製造コストの低減が図れ
る。As described above in detail, according to the present invention, before the light emitting chips formed on the semiconductor wafer are divided into chips, the coating material containing the phosphor is formed on the chip forming surface of the semiconductor wafer. Since the pre-dip material is formed beforehand by applying and heat-treating, a step of forming a pre-dip material for each chip after chip division becomes unnecessary, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
【００５９】また、発光チップの周囲を複数種類の蛍光
体を含んだコート材層で覆う際に、各蛍光体の粒径比を
予め調整するようにしたため、各蛍光体をコート材層内
で均一に分布させることができ、蛍光体の層分離による
色ずれが起きなくなる。When the periphery of the light emitting chip is covered with a coating material layer containing a plurality of types of phosphors, the particle size ratio of each phosphor is adjusted in advance, so that each phosphor is coated in the coating material layer. It can be uniformly distributed, and no color shift due to layer separation of the phosphor occurs.
【００６０】また、発光チップとリードフレームとを接
着する接着剤を透明にし、かつ、接着剤中に蛍光体を混
ぜるようにしたため、発光チップ内の活性層から基板側
に放射された光を、接着剤中の蛍光体で可視光に変換さ
せて発光面側に反射させることができ、発光効率を向上
できる。Further, since the adhesive for bonding the light emitting chip and the lead frame is made transparent and the phosphor is mixed in the adhesive, the light radiated from the active layer in the light emitting chip to the substrate side is reduced. The phosphor in the adhesive can be converted into visible light and reflected on the light emitting surface side, thereby improving the light emission efficiency.
【００６１】また、発光チップの上面に、特定の色成分
を吸収する蛍光体層を形成するため、発光チップの発光
色とは異なる所望の色で発光可能な半導体発光装置を得
ることができる。Further, since a phosphor layer absorbing a specific color component is formed on the upper surface of the light emitting chip, a semiconductor light emitting device capable of emitting light of a desired color different from the light emitting color of the light emitting chip can be obtained.
【００６２】また、発光チップから放射された光のう
ち、可視光成分以外の光成分を蛍光体を用いて可視光に
変換するようにしたため、発光チップの本来の発光色で
発光が可能になり、また、輝度を向上できる。Also, of the light emitted from the light emitting chip, light components other than the visible light component are converted into visible light by using the phosphor, so that the light emitting chip can emit light in the original emission color. Also, the brightness can be improved.
【図１】本発明に係る半導体発光装置の第１の実施形態
の概略断面図。FIG. 1 is a schematic sectional view of a first embodiment of a semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図２】ＬＥＤチップの断面構造を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional structure of an LED chip.
【図３】スピンコート法の概要を説明する図。FIG. 3 is a diagram illustrating an outline of a spin coating method.
【図４】ウエハの熱処理を説明する図。FIG. 4 is a diagram illustrating heat treatment of a wafer.
【図５】各蛍光体の粒径を模式的に示した図。FIG. 5 is a diagram schematically showing the particle size of each phosphor.
【図６】スピンコート時の各蛍光体の分布状態を示す
図。FIG. 6 is a view showing a distribution state of each phosphor during spin coating.
【図７】本発明に係る半導体発光装置の第３の実施形態
の断面構造を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of a third embodiment of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図８】本発明に係る半導体発光装置の第４の実施形態
の断面構造を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a sectional structure of a fourth embodiment of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図９】図８中の波長変換層を拡大した図。9 is an enlarged view of the wavelength conversion layer in FIG.
【図１０】本発明に係る半導体発光装置の第５の実施形
態の断面構造を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a cross-sectional structure of a fifth embodiment of the semiconductor light emitting device according to the present invention.
【図１１】発光チップの発光特性を示す図。FIG. 11 is a diagram illustrating light emission characteristics of a light emitting chip.
【図１２】３種類の蛍光体の粒子形状を模式的に示した
図。FIG. 12 is a diagram schematically showing particle shapes of three kinds of phosphors.
【図１３】各蛍光体が層状に分離する状態を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a state where each phosphor is separated into layers.
１ ＬＥＤチップ ２ プレディップ材 ３ キャスティング材 １１ サファイア基板 １２ GaＮバッファ層 １３ n-GaＮ層 １４ n-AlGaＮクラッド層 １５ InGaＮ活性層 １６ p-AlGaＮクラッド層 １７ p+-GaＮコンタクト層DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LED chip 2 Pre-dip material 3 Casting material 11 Sapphire substrate 12 GaN buffer layer 13 n-GaN layer 14 n-AlGaN cladding layer 15 InGaN active layer 16 p-AlGaN cladding layer 17 p + -GaN contact layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新 田 康 一 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 須 藤 伸 行 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 寺 島 賢 二 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 河 本 聡 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 Ｆターム(参考） 5F041 AA11 AA12 CA73 CA77 DA16 DA43 DA57 EE25 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Koichi Nitta 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Kawasaki Office (72) Inventor Nobuyuki Sudo Nisshin-cho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 7-1 Inside Toshiba Electronics Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kenji Terashima 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba Yokohama Office (72) Inventor Satoshi Kawamoto Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 72 Horikawa-cho Toshiba Kawasaki Office F-term (reference) 5F041 AA11 AA12 CA73 CA77 DA16 DA43 DA57 EE25
Claims (9)
して、発光チップとリードフレームとをボンディングワ
イヤにより接続する半導体発光装置の製造方法におい
て、 半導体ウエハ上に複数の発光チップを形成する第１の工
程と、 前記半導体ウエハ上の前記複数の発光チップ上面に、少
なくとも１種類の蛍光体を含むコート材を塗布する第２
の工程と、 熱処理を行って前記コート材を硬化させる第３の工程
と、 前記半導体ウエハをチップ分割した後に、個々の前記発
光チップを前記リードフレーム上にマウントする第４の
工程と、 前記発光チップの周囲をレンズを兼ねた透明樹脂層で覆
う第５の工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光
装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which a light emitting chip is mounted on a lead frame and the light emitting chip and the lead frame are connected by a bonding wire, wherein a plurality of light emitting chips are formed on a semiconductor wafer. And a second step of applying a coating material containing at least one kind of phosphor on an upper surface of the plurality of light emitting chips on the semiconductor wafer.
A third step of performing heat treatment to cure the coating material; a fourth step of dividing the semiconductor wafer into chips and mounting individual light emitting chips on the lead frame; A fifth step of covering the periphery of the chip with a transparent resin layer also serving as a lens.
回転させながら前記コート材を塗布することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein in the second step, the coating material is applied while rotating the semiconductor wafer.
ワイヤによりリードフレームに接続される発光チップ
と、 前記発光チップの周囲を覆うコート材層と、 前記コート材層の外側を覆う樹脂層と、を備えた半導体
発光装置において、 前記コート材層は、それぞれ異なる色で発光する複数種
類の蛍光体を含んでおり、これら蛍光体が前記コート材
層内に均一に分布するように、前記複数種類の蛍光体の
比重に基づいて、各蛍光体の粒径比を調整することを特
徴とする半導体発光装置。3. A light emitting chip fixed on a lead frame and connected to the lead frame by a bonding wire, a coating material layer covering the periphery of the light emitting chip, and a resin layer covering the outside of the coating material layer. In the semiconductor light emitting device, the coating material layer includes a plurality of types of phosphors each emitting light of a different color, and the plurality of types of phosphors are uniformly distributed in the coating material layer. A semiconductor light emitting device wherein the particle size ratio of each phosphor is adjusted based on the specific gravity of the body.
が各蛍光体の比重の逆数の比に略一致するように、各蛍
光体の粒径を定めたことを特徴とする請求項３に記載の
半導体発光装置。4. The particle size of each phosphor is determined so that the particle size ratio of the phosphor contained in the coating material layer substantially matches the reciprocal ratio of the specific gravity of each phosphor. Item 4. A semiconductor light emitting device according to item 3.
み込んだダブルヘテロ構造の発光チップの基板面側を、
接着剤によりリードフレーム上に固定した半導体発光装
置において、 前記接着剤は、少なくとも１種類の蛍光体を含む透明材
料からなり、 前記活性層から基板面側に出射された光を、前記蛍光体
で可視光に変換して前記発光面側に反射させるようにし
たことを特徴とする半導体発光装置。5. A light-emitting chip having a double hetero structure in which an active layer emitting ultraviolet light is sandwiched by a cladding layer,
In a semiconductor light emitting device fixed on a lead frame by an adhesive, the adhesive is made of a transparent material containing at least one kind of phosphor, and light emitted from the active layer to the substrate surface side is emitted by the phosphor. A semiconductor light emitting device wherein the light is converted into visible light and reflected on the light emitting surface side.
て、発光チップとリードフレームとをボンディングワイ
ヤにより接続した半導体発光装置において、 前記発光チップの上面に、それぞれ異なる色成分を吸収
する複数種類の蛍光体を層状に形成したことを特徴とす
る半導体発光装置。6. A semiconductor light-emitting device in which a light-emitting chip is fixed on a lead frame and the light-emitting chip and the lead frame are connected by a bonding wire, wherein a plurality of types of light-emitting chips, each absorbing a different color component, are provided on the upper surface of the light-emitting chip. A semiconductor light-emitting device comprising a phosphor formed in a layer.
に近い側から視感度の低い順に層状に形成したことを特
徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。7. The semiconductor light emitting device according to claim 6, wherein said plurality of types of phosphors are formed in a layered form from the side closer to said light emitting chip in order of lower visibility.
であり、 前記発光チップの発光面の上面に形成され青色成分を吸
収する第１の蛍光体層と、 前記第１の蛍光体層の上面に形成され赤色成分を吸収す
る第２の蛍光体層と、 前記第２の蛍光体層の上面に形成され緑色成分を吸収す
る第３の蛍光体層と、を有することを特徴とする請求項
７に記載の半導体発光装置。8. The light emitting chip emits ultraviolet light, a first phosphor layer formed on an upper surface of a light emitting surface of the light emitting chip and absorbing a blue component, and the first phosphor layer. A second phosphor layer formed on an upper surface of the second phosphor layer and absorbing a red component; and a third phosphor layer formed on an upper surface of the second phosphor layer and absorbing a green component. A semiconductor light emitting device according to claim 7.
て、発光チップとリードフレームとをボンディングワイ
ヤにより接続した半導体発光装置において、 前記発光チップの本来の発光色と同じ色で発光するよう
に、前記発光チップから放射された可視光以外の光成分
を可視光に変換する蛍光体層を前記発光チップの上面に
形成したことを特徴とする半導体発光装置。9. A semiconductor light emitting device in which a light emitting chip is fixed on a lead frame and the light emitting chip and the lead frame are connected by bonding wires, wherein the light emitting chip emits light in the same color as the original light emitting color. A semiconductor light emitting device, wherein a phosphor layer for converting light components other than visible light emitted from the light emitting chip into visible light is formed on an upper surface of the light emitting chip.
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