JP2000031029A - Semiconductor aligner and method of producing device - Google Patents
Semiconductor aligner and method of producing deviceInfo
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造に用いられる半導体露光装置並びに該装置を用いた
デバイス製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit and a device manufacturing method using the apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体露光装置において、マスキングブ
レードと呼ばれるレチクルパターンを覆う遮光板を使い
露光範囲外部分を覆うことで、ユーザがあらかじめ指定
したレイアウトの通りに露光範囲を変化させながら、ウ
エハ上に焼付けを行うことが出来る。2. Description of the Related Art In a semiconductor exposure apparatus, a light-shielding plate called a masking blade for covering a reticle pattern is used to cover a portion outside the exposure range, thereby changing the exposure range according to a layout specified in advance by a user. Baking can be performed.
【０００３】この工程において、従来はショットレイア
ウトがどのようなものであっても、露光順序はある一定
方向からのみであった。すなわち、マスキングブレード
の駆動する回数を必要以上に増大させ、スループットの
点から言っても常に効率的な順序で露光が行われている
とは言い難い面があった。しかし従来の技術では、これ
らを解消するための最も効率の良い露光順序を自動で算
出する手段が無かった。[0003] In this step, conventionally, no matter what the shot layout is, the exposure order is only from a certain direction. That is, the number of times the masking blade is driven is increased more than necessary, and from the viewpoint of throughput, it is difficult to say that exposure is always performed in an efficient order. However, in the prior art, there is no means for automatically calculating the most efficient exposure order for solving these problems.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】マスキングブレードは
駆動させる回数が多いほど、機械的な消耗による寿命の
低下をもたらすだけでなく、スループットの低下にもつ
ながる。As the number of times the masking blade is driven is increased, not only the life is shortened due to mechanical wear, but also the throughput is reduced.
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決するべく、自動的にマスキングブレードの駆動回数
を最小にするだけでなく、スループットを向上させる為
のショット順番を自動で算出することが出来る露光装置
および該装置を用いたデバイス製造方法を提供する事を
目的とする。According to the present invention, in order to solve such a problem of the prior art, not only the number of driving of the masking blade is automatically minimized, but also the shot order for improving the throughput is automatically calculated. And a device manufacturing method using the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板上に回路パターンを焼き付けるため
の半導体露光装置において、あらかじめ決められたレイ
アウトに基づき基板上の複数ショットに対して露光を行
う際に、マスキングブレードの駆動を行わず露光するこ
とができるショットのうち隣接したものを連続して露光
するためのグループとする手段を有することを特徴とす
る。According to the present invention, there is provided a semiconductor exposure apparatus for printing a circuit pattern on a substrate, the method comprising exposing a plurality of shots on the substrate based on a predetermined layout. When performing the above, there is provided a means for forming a group for continuously exposing adjacent shots that can be exposed without driving the masking blade.
【０００７】そして、グループ内での全てのショットに
対する露光が終了した後、他のグループの露光を行うた
めにグループ間の移動を行う際には、マスキングブレー
ドの駆動量が最小になるグループを選択してもよく、最
後に露光を行ったショット位置から未露光の各グループ
における移動距離が最小になるショット位置への移動時
間およびマスキングブレードの駆動に要する時間から、
露光を行うまでに要する時間が最も短くなるグループを
選択してもよい。After the exposure for all shots in the group is completed, when moving between groups to perform exposure of another group, a group that minimizes the amount of driving of the masking blade is selected. It may be, from the time required to drive the masking blade and the movement time from the shot position that was last exposed to the shot position where the movement distance in each unexposed group is minimized,
A group that requires the shortest time to perform exposure may be selected.
【０００８】いずれの場合も、選択したグループのショ
ットの中で、最後に露光を行ったショット位置からの移
動距離が最小になるショットを選択し、そのショット位
置に移動することが望ましい。In any case, it is desirable to select a shot having the smallest moving distance from the shot position where exposure was last performed among the shots of the selected group, and move to the shot position.
【０００９】また、同一グループ内で次に露光するショ
ットの位置へ移動する際にも、ショット間の距離を参照
して移動量が最小になるショットを選択し、そのショッ
ト位置へ移動することが望ましい。Also, when moving to the position of the next shot to be exposed in the same group, it is possible to select the shot with the smallest moving amount with reference to the distance between the shots and move to the shot position. desirable.
【００１０】本発明のデバイス製造方法は、基板上に回
路パターンを焼き付けて半導体デバイスを製造する方法
であって、あらかじめ決められたレイアウトに基づき露
光を行う際に、マスキングブレードの駆動を行わず露光
することができる同一ショットのうち隣接したものをグ
ループ化し、このグループ毎に露光を行うことを特徴と
する。A device manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device by printing a circuit pattern on a substrate, and performing exposure based on a predetermined layout without driving a masking blade. Adjacent shots among the same shots that can be performed are grouped, and exposure is performed for each group.
【００１１】[0011]
【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施例の露光装
置の装置の構成を示す図である。ＲＴは半導体素子製造
用のパターンＰＴが形成されているレチクル、ＷＦは多
数のショットを有する半導体ウエハ、ＬＮはレチクルＲ
Ｔ上のパターンＰＴをウエハＷＦの一つのショットに縮
小投影する投影レンズ、ＣＵはステッパ全体を制御する
制御ユニットである。また、ＳＴはウエハＷＦを移動す
るためのウエハステージ（ＸＹステージ）であり、この
ウエハステージＳＴの位置はウエハステージ駆動系ＳＭ
によって駆動される。(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus of the present embodiment. RT is a reticle on which a pattern PT for manufacturing a semiconductor element is formed, WF is a semiconductor wafer having many shots, LN is a reticle R
A projection lens CU for reducing and projecting the pattern PT on T onto one shot of the wafer WF is a control unit for controlling the entire stepper. ST denotes a wafer stage (XY stage) for moving the wafer WF, and the position of the wafer stage ST is determined by a wafer stage driving system SM.
Driven by
【００１２】半導体ウエハＷＦは、以下の手順で露光さ
れる。まずレチクルＲＴが投影レンズＬＮに対して位置
合わせされ、次に半導体ウエハＷＦ上のいくつかのショ
ットの上のアライメントマークの位置をアライメントス
コープが検出する。この位置は、制御ユニットＣＵに記
憶される。制御ユニットＣＵは、アライメントマークを
検出したショット位置から全体のショットの位置を推定
し、推定したショット位置が投影レンズＬＮの直下にく
るように、順次ウエハステージＳＴを駆動しながら露光
する。The semiconductor wafer WF is exposed in the following procedure. First, the reticle RT is aligned with respect to the projection lens LN, and then the alignment scope detects the positions of the alignment marks on some shots on the semiconductor wafer WF. This position is stored in the control unit CU. The control unit CU estimates the position of the entire shot from the shot position where the alignment mark is detected, and performs exposure while sequentially driving the wafer stage ST so that the estimated shot position is immediately below the projection lens LN.
【００１３】図２は本実施例において使用するレチクル
パターンである。完成した半導体デバイスになるとき、
その性能が所望のものとなっているかどうかを調査する
為に特性測定専用の素子を別に作るかＬＳＩの一部に入
れておいたりする。このような素子（部分）をＴＥＧ
（ｔｅｓｔ ｅｌｅｍｅｎｔ ｇｒｏｕｐ）と呼ぶ。FIG. 2 shows a reticle pattern used in this embodiment. When it comes to completed semiconductor devices,
In order to investigate whether or not the performance is the desired one, a device dedicated for characteristic measurement is separately made or put in a part of the LSI. Such an element (part) is called TEG
(Test element group).
【００１４】本実施例は、こういったＴＥＧ用ショット
の混在したショットレイアウトにおいて、マスキングブ
レードＭＢの駆動量が最小になるように露光経路を算出
し、露光を行うものである。In this embodiment, in such a shot layout in which TEG shots are mixed, an exposure path is calculated so that the driving amount of the masking blade MB is minimized, and exposure is performed.
【００１５】図２のＴ、Ｂ、Ｌ、ＲはＴＥＧであり、Ｔ
をＴｏｐ ＴＥＧ、ＢをＢｏｔｔｏｍ ＴＥＧ、ＬをＬ
ｅｆｔ ＴＥＧ、ＲをＲｉｇｈｔ ＴＥＧと呼ぶ。Ａは
通常ショットである。T, B, L, and R in FIG. 2 are TEGs, and T
Is Top TEG, B is Bottom TEG, L is L
The left TEG, R is called a Right TEG. A is a normal shot.
【００１６】このレチクルを用いてウエハ上に図３のレ
イアウトで露光を行うことをコンソールの画面から指定
する。Using the reticle to specify exposure on the wafer in the layout shown in FIG. 3 is designated from the screen of the console.
【００１７】本実施例の場合、図３のショットレイアウ
トからも分かるように、マスキングブレードＭＢを駆動
させＡ＋Ｔ、Ａ＋Ｂ、Ａ＋Ｌ、Ａ＋Ｒ、そしてＡのみの
５つのパターンのショットで露光を行うことになる。In the case of this embodiment, as can be seen from the shot layout of FIG. 3, the masking blade MB is driven to perform exposure with five pattern shots of A + T, A + B, A + L, A + R, and A only. .
【００１８】次に、本実施例の露光装置における処理の
流れを説明する。図７は本実施例における露光処理の流
れを示すフローチャートである。まず、ステップＦ８−
Ｓ１では、露光順の決定を行うために必要なパラメータ
を設定する。本実施例において必要なパラメータは、レ
チクルに関する情報、ショットレイアウトに関する情報
である。Next, the flow of processing in the exposure apparatus of this embodiment will be described. FIG. 7 is a flowchart showing the flow of the exposure processing in this embodiment. First, Step F8-
In S1, parameters necessary for determining the exposure order are set. The parameters required in this embodiment are information on the reticle and information on the shot layout.
【００１９】ステップＦ８−Ｓ２では、レイアウト上の
複数のショットのうちマスキングブレードの駆動を行う
必要のない、隣接したショットを同一グループとしてグ
ループ化する処理である。この処理の詳細は後で述べ
る。Step F8-S2 is a process of grouping adjacent shots that do not need to drive the masking blade among a plurality of shots on the layout into the same group. Details of this processing will be described later.
【００２０】ステップＦ８−Ｓ３では、第１ショットを
画面上で指定する。指定の仕方はさまざまな方法が考え
られるが、画面上に表示された図３のショットレイアウ
トからマウスなどのポインティングデバイス等で指定す
る方法を取ることとする。本例の場合、図３の（Ｘ）の
領域を第１ショットして指定する。In step F8-S3, a first shot is designated on the screen. Various methods can be used for the designation, but a method of designating the shot layout shown in FIG. 3 on the screen with a pointing device such as a mouse is used. In the case of the present example, the region (X) in FIG. 3 is designated as the first shot.
【００２１】ステップＦ８−Ｓ４で、全てのグループの
露光順番、即ち全てのショットにおいて露光順番が決定
しているかどうかの判定を行い、決定していなければス
テップＦ８−Ｓ５において同一グループ内での露光を開
始する。この処理の詳細は後で述べる。At step F8-S4, it is determined whether the exposure order of all groups, that is, whether the exposure order is determined for all shots, and if not, the exposure within the same group is determined at step F8-S5. To start. Details of this processing will be described later.
【００２２】同一グループ内での露光を終えた後、ステ
ップＦ８−Ｓ６において他のグループへの移動を行う。
この処理の詳細も後で述べる。ステップＦ８−Ｓ４から
ステップＦ８−Ｓ６までの処理を全てのグループにおい
て露光順番の決定が終了するまで行う。最終的に図４に
矢印で示したような露光順序が得られる。After the exposure in the same group is completed, the movement to another group is performed in steps F8-S6.
The details of this processing will be described later. The processes from Step F8-S4 to Step F8-S6 are performed until the determination of the exposure order is completed in all the groups. Finally, the exposure sequence shown by the arrow in FIG. 4 is obtained.
【００２３】＜グループ化処理の詳細＞図７のステップ
Ｆ８−Ｓ２におけるグループ化処理を図面を用いて詳細
に説明する。図８は、ステップＦ８−Ｓ２のグループ化
処理の処理の流れを示したフローチャートである。ただ
し、この処理を行う前に、ショットには各々番号付けが
なされており、その番号順にこのグループ化処理が行わ
れる。<Details of Grouping Process> The grouping process in step F8-S2 of FIG. 7 will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 8 is a flowchart showing the flow of the grouping process in step F8-S2. However, before performing this processing, the shots are numbered, and the grouping processing is performed in the order of the numbers.
【００２４】まず、番号の最も小さいショットを現在の
ショットとする。ステップＦ９−Ｓ１では、現在のショ
ットに隣接する上下左右４方向のショットに対し、マス
キングブレードの駆動量を取得する。First, the shot with the smallest number is set as the current shot. In step F9-S1, the drive amount of the masking blade is acquired for shots in four directions (up, down, left, and right) adjacent to the current shot.
【００２５】ステップＦ９−Ｓ２では、ステップＦ９−
Ｓ１で取得した上下左右４方向のショットのマスキング
ブレードの駆動量のなかに、現在のショットのマスキン
グブレード駆動量と同じものがあるかどうか比較する。
同じものがあれば、ステップＦ９−Ｓ３へ進み、無けれ
ばステップＦ９−Ｓ４へ進む。In Step F9-S2, Step F9-
It is compared whether the driving amount of the masking blade for the four shots in the up, down, left, and right directions acquired in S1 is the same as the driving amount of the masking blade for the current shot.
If they are the same, the process proceeds to step F9-S3, and if not, the process proceeds to step F9-S4.
【００２６】ステップＦ９−Ｓ３では、現在ショットと
マスキングブレードの駆動量が同じものが存在する場
合、そのマスキングブレード駆動量が同じであるショッ
トが属しているグループに現在のショットを追加登録す
る。存在しない場合は、新規のグループを作成し、その
グループに現在のショットを登録する（ステップＦ９−
Ｓ４）。In step F9-S3, if there is a shot with the same driving amount of the masking blade as the current shot, the current shot is additionally registered in the group to which the shot having the same masking blade driving amount belongs. If not, a new group is created and the current shot is registered in that group (step F9-
S4).
【００２７】ステップＦ９−Ｓ５では、ステップＦ９−
Ｓ１からステップＦ９−Ｓ４までの処理が全てのショッ
トに対して行われたか、即ち全てのショットに対してグ
ループ分けが行われたかを判断し、まだであればステッ
プＦ９−Ｓ６より、次の番号のショットを現在のショッ
トとしその情報を取得する。In Step F9-S5, Step F9-
It is determined whether the processing from S1 to steps F9 to S4 has been performed for all shots, that is, whether grouping has been performed for all shots. If not, the next number is determined from step F9 to S6. The current shot is set as the current shot and its information is obtained.
【００２８】＜同一グループ内露光処理の詳細＞ステッ
プＦ８−Ｓ５における、同一グループ内ショットの露光
に関する処理を図面を用いて詳細に説明する。図９はス
テップＦ８−Ｓ５の同一グループ内ショットの露光処理
の流れを示したフローチャートである。<Details of Exposure Processing in Same Group> The processing related to exposure of shots in the same group in step F8-S5 will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 9 is a flowchart showing the flow of exposure processing for shots in the same group in steps F8 to S5.
【００２９】まず、ステップＦ１０−Ｓ１では、同一グ
ループ内において全てのショットの露光順番が決定して
いるかどうか判断する。終了していなければステップＦ
１０−Ｓ２へ進む。First, in step F10-S1, it is determined whether or not the exposure order of all shots in the same group has been determined. Step F if not completed
Proceed to 10-S2.
【００３０】ステップＦ１０−Ｓ２では、同一グループ
内において、現在のショットと隣接する上下左右のショ
ットとの距離を測定する。距離の測定方法であるが、本
実施例の場合、レイアウト上に図３のように座標軸を取
り、各ショットの上右端の座標をそのショットの位置と
してショット間の距離を測る。In step F10-S2, the distance between the current shot and adjacent upper, lower, left and right shots in the same group is measured. In the case of the present embodiment, a coordinate axis is set on the layout as shown in FIG. 3, and the distance between shots is measured using the coordinates of the upper right end of each shot as the position of the shot.
【００３１】ステップＦ１０−Ｓ３は、ステップＦ１０
−Ｓ２の処理の結果、得られた上下左右のショット間の
距離を各々比較し、最も距離の短いショットを次のショ
ットとする。例えば、現在のショットが図３の（Ｘ）だ
とすると、上記処理により、次のショットは（Ｙ）とな
る。Step F10-S3 corresponds to step F10.
The distance between the upper, lower, left, and right shots obtained as a result of the processing in -S2 is compared, and the shot with the shortest distance is determined as the next shot. For example, if the current shot is (X) in FIG. 3, the next shot becomes (Y) by the above processing.
【００３２】ステップＦ１０−Ｓ１からステップＦ１０
−Ｓ３までの一連の処理をグループ内の全てのショット
に対して行い、決定したショット順に従って全てのショ
ットに対する露光が終了した時点でこの処理を終了す
る。Step F10-S1 to Step F10
A series of processing up to -S3 is performed on all shots in the group, and this processing ends when exposure for all shots is completed according to the determined shot order.
【００３３】＜グループ間移動処理の詳細＞ステップＦ
８−Ｓ６において、グループ内の露光が終了した後、他
のグループヘ移動する際の処理を図面を用いて詳細に説
明する。<Details of Movement Between Groups> Step F
The process of moving to another group after the exposure in the group is completed in 8-S6 will be described in detail with reference to the drawings.
【００３４】図１０はステップＦ８−Ｓ６のグループ間
移動の処理の流れを示したフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart showing the flow of the processing of the movement between groups in steps F8-S6.
【００３５】ステップＦ１１−Ｓ１において、露光の終
了していない他のグループのショット情報を取得する。
ここで取得した情報を参照して以下の処理の計算を行
う。In step F11-S1, shot information of another group for which exposure has not been completed is obtained.
The following processing is calculated with reference to the information acquired here.
【００３６】ステップＦ１１−Ｓ２において、現在のシ
ョットと未露光グループとのマスキングブレード駆動量
の差分を計算する。In step F11-S2, the difference between the driving amount of the masking blade between the current shot and the unexposed group is calculated.
【００３７】ステップＦ１１−Ｓ３では、ステップＦ１
１−Ｓ２で得たマスキングブレード駆動量の差分が全て
のグループにおいて求められたかどうかを判断し、全て
のグループとのマスキングブレード駆動量の差分を求め
るまでステップＦｌｌ−ＳｌからステップＦｌｌ−Ｓ３
までを繰り返す。In Step F11-S3, Step F1
It is determined whether or not the difference between the masking blade drive amounts obtained in 1-S2 has been obtained in all the groups, and steps F11-S1 to F11-S3 until the difference in the masking blade drive amounts with all the groups is obtained.
Repeat until
【００３８】ステップＦ１１−Ｓ４では、ステップＦｌ
１−Ｓ１からステップＦ１１−Ｓ３において求められた
現在ショットと全ての未露光グループとのマスキングブ
レードの駆動量差分が、最小であるグループを選択し、
ステップＦ１１−Ｓ５で、それらのグループのショット
中、現在ショットに最近傍のショットを選択して、その
ショットを現在のショットとする。In Step F11-S4, Step Fl
1-S1 to select a group in which the difference in the driving amount of the masking blade between the current shot and all the unexposed groups obtained in steps F11 to S3 is the smallest,
In step F11-S5, the shot closest to the current shot among the shots in the group is selected, and the shot is set as the current shot.
【００３９】現在のショットが図３の（Ｚ）だとする
と、他のグループのマスキングブレード駆動量を考慮す
ると、次ショットは（Ｑ）となる。If the current shot is (Z) in FIG. 3, the next shot is (Q) in consideration of the driving amount of the masking blade of another group.
【００４０】（実施例２）本発明における２つめの実施
例を図面に基づいて詳細に説明する。本実施例はステッ
プＦ８−Ｓ６のグループ間移動処理以外は、上述の実施
例１と同じものである。すなわち、本実施例の露光装置
はグループ内の露光順番の決定を終了しグループ間の移
動を行う際、ショット間の距離、マスキングブレードの
駆動に要する時間から、未露光グループの露光を行うま
でに要する時間が最も短くなるように制御する手段を備
えたことを特徴とするものである。(Embodiment 2) A second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. This embodiment is the same as the above-described first embodiment, except for the inter-group movement processing in steps F8 to S6. That is, when the exposure apparatus of the present embodiment finishes the determination of the exposure order within the group and moves between the groups, the distance between shots, the time required for driving the masking blade, and the exposure of the unexposed group are performed. It is characterized by comprising means for controlling the time required to be the shortest.
【００４１】図１１は本実施例におけるグループ間移動
処理の詳細を示したフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart showing details of the inter-group movement processing in this embodiment.
【００４２】ステップＦ１２−Ｓ１では、露光の終了し
ていない他グループの情報を取得する。ここで得られた
情報はその後のステップで参照される。In step F12-S1, information of another group for which exposure has not been completed is obtained. The information obtained here is referred to in subsequent steps.
【００４３】ステップＦ１２−Ｓ２では、現在のショッ
トから未露光グループの最近傍ショットまでのステージ
移動に要する時間（α）を算出する。この時間を算出す
るには、ショット間の距離、一定距離をステージが移動
する時の平均時間といったパラメータが必要となる。シ
ョット間の距離は先の実施例と同じ方法を用いて測定す
る。一定距離をステージが移動する時の平均時間は、露
光装置毎に異なる値であるので、前もって測定が行われ
ている必要がある。In step F12-S2, the time (α) required for moving the stage from the current shot to the nearest shot of the unexposed group is calculated. In order to calculate this time, parameters such as the distance between shots and the average time when the stage moves over a certain distance are required. The distance between shots is measured using the same method as in the previous embodiment. Since the average time when the stage moves by a certain distance is different for each exposure apparatus, it is necessary that the measurement be performed in advance.
【００４４】ステップＦ１２−Ｓ３では、現在のショッ
トから未露光グループのショットのパターンヘ露光範囲
を変化させる際、マスキングブレードの駆動に要する時
間（β）を算出する。マスキングブレード駆動に要する
時間は、露光装置毎に異なるので、前もって測定が行わ
れている必要がある。In step F12-S3, the time (β) required to drive the masking blade when changing the exposure range from the current shot to the pattern of the shot in the unexposed group is calculated. Since the time required for driving the masking blade differs for each exposure apparatus, the measurement needs to be performed in advance.
【００４５】ステップＦ１２−Ｓ４では、現在のから次
ショット候補（各々の未露光グループの最近傍ショッ
ト）を露光するまでの準備にかかる時間を算出する。こ
の露光準備時間は、マスキングブレードの駆動をウエハ
ステージの駆動と同時に行う事が出来ないとすると、ス
テップＦ１２−Ｓ２、ステップＦ１２−Ｓ３より、以下
のようになる。 露光準備時間＝α＋βIn step F12-S4, the time required to prepare for exposing the next shot candidate (the nearest shot of each unexposed group) from the current time is calculated. If the masking blade cannot be driven at the same time as the wafer stage is driven, the exposure preparation time is as follows from steps F12-S2 and F12-S3. Exposure preparation time = α + β
【００４６】ステップＦ１２−Ｓ５では、全ての未露光
グループにおいて上記情報を取得したかどうかを判断
し、全ての未露光グループに対して露光準備時間が算出
されるまで、ステップＦ１２−Ｓ１からステップＦ１２
−Ｓ４までの処理が繰り返される。In step F12-S5, it is determined whether or not the above information has been acquired in all the unexposed groups. Until the exposure preparation time has been calculated for all the unexposed groups, steps F12-S1 to F12 are performed.
The processing up to -S4 is repeated.
【００４７】ステップＦ１２−Ｓ６では、ステップＦ１
２−Ｓ４において算出された露光準備時間を全ての未露
光グループにおいて比較し、最短時間のものを次ショッ
トとしてそのショット位置までの移動を行い、マスキン
グブレードの駆動を行う。以上の処理により、実施例１
の時よりもスループットを向上させた露光を行う事が出
来る。In Step F12-S6, Step F1
The exposure preparation time calculated in 2-S4 is compared in all the non-exposure groups, and the shortest time is taken as the next shot, moved to the shot position, and the masking blade is driven. According to the above processing, the first embodiment
Exposure can be performed with a higher throughput than in the case of (1).
【００４８】（実施例３）本発明における３つめの実施
例を図面に基づいて説明する。本実施例では、図５のよ
うなレチクルを用いて図６のようなレイアウトの露光を
行う。ここで、処理の流れは実施例２と同じなので省略
する。本実施例の場合、ショット順番算出処理を終えた
結果得られるショット順番は以下の表１のようになる。(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, exposure is performed with a layout as shown in FIG. 6 using a reticle as shown in FIG. Here, the flow of the processing is the same as that of the second embodiment, and a description thereof will be omitted. In the case of this embodiment, the shot order obtained as a result of finishing the shot order calculation processing is as shown in Table 1 below.
【００４９】[0049]
【表１】 [Table 1]
【００５０】（実施例４）次に、上記説明した露光装置
を利用したデバイスの生産方法を説明する。図１２は微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップＦ１３−Ｓ１（回路設計）
では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＦ１３
−Ｓ２（マスク製作）では設計したパターンを形成した
マスクを製作する。一方、ステップＦ１３−Ｓ３（ウエ
ハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップＦ１３−Ｓ４（ウエハプロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用い
て、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を
形成する。次のステップＦ１３−Ｓ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップＦ１３−Ｓ４によって作製され
たウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＦ
１３−Ｓ６（検査）では、ステップＦ１３−Ｓ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップＦ１３−Ｓ７）される。(Embodiment 4) Next, a method of manufacturing a device using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 12 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.). Step F13-S1 (circuit design)
Now, we will design the circuit of the semiconductor device. Step F13
In step S2 (mask production), a mask having a designed pattern is produced. On the other hand, in step F13-S3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step F13-S4 (wafer process)
Is called a preprocess, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step F13-S5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step F13-S4, and includes an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). ). Step F
In 13-S6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step F13-S5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step F13-S7).
【００５１】図１３は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップＦ１４−Ｓ１１（酸化）ではウエハ
の表面を酸化させる。ステップＦ１４−Ｓ１２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＦ１
４−Ｓ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によ
って形成する。ステップＦ１４−Ｓ１４（イオン打込
み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＦ１４−
Ｓ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布す
る。ステップＦ１４−Ｓ１６（露光）では上記説明した
露光の適否を確認する手段を有する露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
Ｆ１４−Ｓ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップＦ１４−Ｓ１８（エッチング）では現像し
たレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＦ１４−
Ｓ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要と
なったレジストを取り除く。これらのステップＦ１４−
Ｓ１１〜１９を繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。FIG. 13 shows a detailed flow of the wafer process. In step F14-S11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. Step F14-S12 (CV
In D), an insulating film is formed on the wafer surface. Step F1
In 4-S13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In steps F14-S14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step F14-
In S15 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In Steps F14 to S16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed on the wafer by exposure using an exposure apparatus having means for confirming the suitability of the above-described exposure. In steps F14-S17 (development), the exposed wafer is developed. In steps F14 to S18 (etching), portions other than the developed resist image are scraped off. Step F14-
In S19 (resist removal), unnecessary resist after etching is removed. These steps F14-
By repeating S11 to S19, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００５２】本実施例ではこの繰り返しの各プロセスに
おいて、露光時にマスキングブレードの駆動回数を最小
に抑えることで機械的消耗による寿命の低下を抑え、且
つスループットを向上させるための露光順番を自動で算
出するため、半導体デバイスを効率的に製造することを
可能としている。In this embodiment, in each of the repetitive processes, the number of times the masking blade is driven at the time of exposure is minimized to suppress a decrease in life due to mechanical wear and to automatically calculate an exposure order for improving throughput. Therefore, it is possible to efficiently manufacture a semiconductor device.
【００５３】[0053]
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体露光装置
は、マスキングブレードを駆動させながらさまざまなシ
ョットパターンをウエハ上に露光する際、マスキングブ
レードの駆動回数を最小に抑えることで機械的消耗によ
る寿命の低下を抑え、且つスループットを向上させるた
めの露光順番を自動で算出することができる。As described above, in the semiconductor exposure apparatus of the present invention, when exposing various shot patterns on a wafer while driving the masking blade, the number of times the masking blade is driven is reduced to minimize the mechanical consumption. , The exposure order for suppressing the reduction of the lifetime and improving the throughput can be automatically calculated.
【図１】 本発明を構成する装置全体を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an entire apparatus constituting the present invention.
【図２】 実施例１、２におけるレチクルパターンの図
である。FIG. 2 is a diagram of a reticle pattern in Examples 1 and 2.
【図３】 実施例１、２におけるウエハ上のショットレ
イアウトを示す図である。FIG. 3 is a view showing a shot layout on a wafer in Examples 1 and 2;
【図４】 実施例１においてショット順番算出処理を終
えた結果得られるショット順番を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a shot order obtained as a result of finishing the shot order calculation process in the first embodiment.
【図５】 実施例３におけるレチクルパターンの図であ
る。FIG. 5 is a diagram of a reticle pattern according to a third embodiment.
【図６】 実施例３におけるウエハ上のショットレイア
ウトを示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a shot layout on a wafer according to a third embodiment.
【図７】 実施例１、２の処理全体の流れを示すフロー
チャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a flow of an entire process according to the first and second embodiments.
【図８】 実施例１、２のグループ化処理の流れを示す
フローチャートである。FIG. 8 is a flowchart illustrating a flow of a grouping process according to the first and second embodiments.
【図９】 実施例１、２のグループ内ショット処理の流
れを示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart illustrating a flow of intra-group shot processing according to the first and second embodiments.
【図１０】 実施例１のグループ間移動の制御処理の流
れを示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart illustrating a flow of an inter-group movement control process according to the first embodiment.
【図１１】 実施例２のグループ間移動の制御処理の流
れを示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart illustrating a flow of control processing for movement between groups according to the second embodiment.
【図１２】 微小デバイスの製造工程を示すフローチャ
ートである。FIG. 12 is a flowchart showing a manufacturing process of a micro device.
【図１３】 図１２のウエハプロセスの詳細なフローチ
ャートである。FIG. 13 is a detailed flowchart of the wafer process of FIG. 12;
ＭＢ：マスキングブレード、ＲＴ：レチクル、ＷＦ：半
導体ウエハ、ＰＴ：パターン、ＬＮ：投影レンズ、Ｃ
Ｕ：制御ユニット、ＳＴ：ウエハステージ、ＳＭ：ウエ
ハステージ駆動系。MB: masking blade, RT: reticle, WF: semiconductor wafer, PT: pattern, LN: projection lens, C
U: control unit, ST: wafer stage, SM: wafer stage drive system.
Claims (6)
の半導体露光装置において、あらかじめ決められたレイ
アウトに基づき前記基板上の複数ショットに対して露光
を行う際に、マスキングブレードの駆動を行わず露光す
ることができるショットのうち隣接したものを連続して
露光するためのグループとする手段を有することを特徴
とする露光装置。In a semiconductor exposure apparatus for printing a circuit pattern on a substrate, when exposing a plurality of shots on the substrate based on a predetermined layout, the exposure is performed without driving a masking blade. An exposure apparatus comprising: means for forming a group for continuously exposing adjacent shots among the shots that can be performed.
する露光が終了した後、他のグループの露光を行うため
にグループ間の移動を行う際、前記マスキングブレード
の駆動量が最小になるグループを選択する手段を有する
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。2. After the exposure for all shots in the group is completed, when moving between groups to perform exposure of another group, a group that minimizes the driving amount of the masking blade is selected. 2. An exposure apparatus according to claim 1, further comprising means for performing an operation.
のショットの中で、最後に露光を行ったショット位置か
らの移動距離が最小になるショットを選択し、そのショ
ット位置に移動するものであることを特徴とする請求項
２記載の露光装置。3. The selecting means selects a shot having a minimum moving distance from a shot position at which exposure was last performed among shots of a selected group, and moves to the shot position. 3. An exposure apparatus according to claim 2, wherein:
の位置へ移動する際に、ショット間の距離を参照して移
動量が最小になるショットを選択し、そのショット位置
へ移動する手段を有することを特徴とする請求項１〜３
に記載の露光装置。4. When moving to the position of the next shot to be exposed in the same group, there is provided a means for selecting a shot with the smallest moving amount with reference to the distance between the shots and moving to the shot position. Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
3. The exposure apparatus according to claim 1.
する露光が終了した後、他のグループの露光を行うため
にグループ間の移動を行う際、最後に露光を行ったショ
ット位置から未露光の各グループにおける移動距離が最
小になるショット位置への移動時間およびマスキングブ
レードの駆動に要する時間から、露光を行うまでに要す
る時間が最も短くなるグループを選択し、そのグループ
の前記移動距離が最小になるショット位置に移動する手
段を有することを特徴とする請求項１または４記載の露
光装置。5. After the exposure for all the shots in the group is completed, when moving between groups to perform exposure for another group, each of the unexposed shots is moved from the shot position at which the exposure was last performed. From the time required to move the shot position and the time required to drive the masking blade to minimize the moving distance in the group, select the group that requires the shortest time to perform exposure, and minimize the moving distance of the group. 5. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a unit for moving to a shot position.
体デバイスを製造する方法において、あらかじめ決めら
れたレイアウトに基づき露光を行う際に、マスキングブ
レードの駆動を行わず露光することができる同一ショッ
トのうち隣接したものをグループ化し、このグループ毎
に露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。6. In a method of manufacturing a semiconductor device by printing a circuit pattern on a substrate, when performing exposure based on a predetermined layout, the same shot can be exposed without driving a masking blade. A device manufacturing method, wherein adjacent devices are grouped, and exposure is performed for each group.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10207088A JP2000031029A (en) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | Semiconductor aligner and method of producing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10207088A JP2000031029A (en) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | Semiconductor aligner and method of producing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031029A true JP2000031029A (en) | 2000-01-28 |
| JP2000031029A5 JP2000031029A5 (en) | 2004-07-15 |
Family
ID=16534009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10207088A Pending JP2000031029A (en) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | Semiconductor aligner and method of producing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031029A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2305401A1 (en) | 2001-08-15 | 2011-04-06 | Cabot Supermetals K.K. | Nitrogen containing metal powder and method for producing the same, and porous sintered and solid electrolytic capacitor using the same |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP10207088A patent/JP2000031029A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2305401A1 (en) | 2001-08-15 | 2011-04-06 | Cabot Supermetals K.K. | Nitrogen containing metal powder and method for producing the same, and porous sintered and solid electrolytic capacitor using the same |
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