JP2000026957A - 半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の金属薄膜であるＧｅ−Ｓｉ系薄
膜を、広い面積に亘って密着性に優れた均一な膜厚を高
速で形成することができるスパッタリングターゲットを
提供する。 【解決手段】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢ、ＩｎおよびＧａの内の１種または２種以上を合
計で０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および
炭素の内の１種または２種以上を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有したＧｅ−Ｓｉ系焼結体で構成す
る。
膜を、広い面積に亘って密着性に優れた均一な膜厚を高
速で形成することができるスパッタリングターゲットを
提供する。 【解決手段】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢ、ＩｎおよびＧａの内の１種または２種以上を合
計で０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および
炭素の内の１種または２種以上を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有したＧｅ−Ｓｉ系焼結体で構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、広い面積に亘っ
て均一な膜厚で、高速成膜が可能であると共に密着性が
一層優れたＧｅ−Ｓｉ系薄膜を形成することができるス
パッタリングターゲットに関するものである。
て均一な膜厚で、高速成膜が可能であると共に密着性が
一層優れたＧｅ−Ｓｉ系薄膜を形成することができるス
パッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の一つに電界効果型ト
ランジスタがあることは知られており、この電界効果型
トランジスタは、Ｓｉ半導体の上面にＳｉＯ2 からなる
酸化物薄膜を形成し、この酸化物薄膜の上にさらに厚
さ：５０〜１００ｎｍのＧｅ−Ｓｉ系薄膜からなる金属
薄膜を形成した構造を有しており、この金属薄膜はゲー
ト電極の役目を果たしていることは知られている。この
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜からなる金属薄膜は、通常、ＧｅＨ4
（ゲルマンガス）とＳｉＨ4 （シランガス）の混合ガス
を用いて化学蒸着法により形成しているが、これらＧｅ
Ｈ4 （ゲルマンガス）やＳｉＨ4 （シランガス）は極め
て爆発性が高いためその取扱が難しい。そのため、近
年、前記Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜からなる金属薄膜を純Ｇｅ粉
末と純Ｓｉ粉末とを混合し、焼結して得られたＧｅ−Ｓ
ｉ系焼結体からなるターゲットを用いてスパッタリング
法により形成しようとする試みも行われている。
ランジスタがあることは知られており、この電界効果型
トランジスタは、Ｓｉ半導体の上面にＳｉＯ2 からなる
酸化物薄膜を形成し、この酸化物薄膜の上にさらに厚
さ：５０〜１００ｎｍのＧｅ−Ｓｉ系薄膜からなる金属
薄膜を形成した構造を有しており、この金属薄膜はゲー
ト電極の役目を果たしていることは知られている。この
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜からなる金属薄膜は、通常、ＧｅＨ4
（ゲルマンガス）とＳｉＨ4 （シランガス）の混合ガス
を用いて化学蒸着法により形成しているが、これらＧｅ
Ｈ4 （ゲルマンガス）やＳｉＨ4 （シランガス）は極め
て爆発性が高いためその取扱が難しい。そのため、近
年、前記Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜からなる金属薄膜を純Ｇｅ粉
末と純Ｓｉ粉末とを混合し、焼結して得られたＧｅ−Ｓ
ｉ系焼結体からなるターゲットを用いてスパッタリング
法により形成しようとする試みも行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、半導体素子製造
に際しての省力化および省エネ化に対する要求は強く、
これに伴い、半導体素子を構成するＧｅ−Ｓｉ系薄膜の
成膜速度は高速化し、かつ成膜面積は拡大化の傾向にあ
るが、前記従来のＧｅ−Ｓｉ系焼結体からなるターゲッ
ト用いたスパッタリング法によるＧｅ−Ｓｉ系薄膜の形
成は、その成膜速度が遅く、また、成膜面積を広くする
と膜厚に局部的にバラツキが生じ、均一な膜厚の成膜は
困難であるところから、前述の要求に十分答えられない
のが現状であった。また、従来のＧｅ−Ｓｉ系焼結体か
らなるターゲットを用いスパッタリングして得られたＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜は、Ｓｉ半導体またはＳｉＯ2 酸化物薄
膜に対する密着性が十分でなく、さらに成膜面積を広く
すると膜の密着強度に局部的なバラツキが生じ、半導体
素子製造に際しての歩留まり低下の原因にもなってい
た。
に際しての省力化および省エネ化に対する要求は強く、
これに伴い、半導体素子を構成するＧｅ−Ｓｉ系薄膜の
成膜速度は高速化し、かつ成膜面積は拡大化の傾向にあ
るが、前記従来のＧｅ−Ｓｉ系焼結体からなるターゲッ
ト用いたスパッタリング法によるＧｅ−Ｓｉ系薄膜の形
成は、その成膜速度が遅く、また、成膜面積を広くする
と膜厚に局部的にバラツキが生じ、均一な膜厚の成膜は
困難であるところから、前述の要求に十分答えられない
のが現状であった。また、従来のＧｅ−Ｓｉ系焼結体か
らなるターゲットを用いスパッタリングして得られたＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜は、Ｓｉ半導体またはＳｉＯ2 酸化物薄
膜に対する密着性が十分でなく、さらに成膜面積を広く
すると膜の密着強度に局部的なバラツキが生じ、半導体
素子製造に際しての歩留まり低下の原因にもなってい
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、スパッタリング法によるＧｅ−
Ｓｉ系薄膜の成膜速度の高速化および均一な膜厚での成
膜面積の拡大化を図ると共に、得られたＧｅ−Ｓｉ系薄
膜の密着性を向上させ、さらに成膜面積を広くしても密
着強度に局部的なバラツキの少ないＧｅ−Ｓｉ系焼結体
からなるターゲットを得るべく研究を行った結果、
（ａ）Ｇｅ−Ｓｉ系焼結体にＢ、ＩｎまたはＧａの内の
いずれか１種または２種以上を合計で０．００００５〜
１．０重量％含有させ、これにさらに酸素、窒素および
炭素の内の１種または２種以上を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有させた組成の焼結体からなるターゲ
ットを作製し、このターゲットを用いてスパッタする
と、Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜の成膜速度が著しく速くなると共
に、成膜面積が広くなっても均一な膜厚での成膜が可能
となり、得られたＧｅ−Ｓｉ系薄膜の密着強度が向上
し、成膜面積が広くなっても場所による密着強度のバラ
ツキが極めて少なくなる、（ｂ）前記Ｇｅ−Ｓｉ系焼結
体に含まれるＳｉは、Ｇｅに対して広い範囲の割合で含
有させることができ、Ｓｉを０．５〜９５重量％の広範
囲に渡って含有させることができる、という研究結果が
得られたのである。
上述のような観点から、スパッタリング法によるＧｅ−
Ｓｉ系薄膜の成膜速度の高速化および均一な膜厚での成
膜面積の拡大化を図ると共に、得られたＧｅ−Ｓｉ系薄
膜の密着性を向上させ、さらに成膜面積を広くしても密
着強度に局部的なバラツキの少ないＧｅ−Ｓｉ系焼結体
からなるターゲットを得るべく研究を行った結果、
（ａ）Ｇｅ−Ｓｉ系焼結体にＢ、ＩｎまたはＧａの内の
いずれか１種または２種以上を合計で０．００００５〜
１．０重量％含有させ、これにさらに酸素、窒素および
炭素の内の１種または２種以上を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有させた組成の焼結体からなるターゲ
ットを作製し、このターゲットを用いてスパッタする
と、Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜の成膜速度が著しく速くなると共
に、成膜面積が広くなっても均一な膜厚での成膜が可能
となり、得られたＧｅ−Ｓｉ系薄膜の密着強度が向上
し、成膜面積が広くなっても場所による密着強度のバラ
ツキが極めて少なくなる、（ｂ）前記Ｇｅ−Ｓｉ系焼結
体に含まれるＳｉは、Ｇｅに対して広い範囲の割合で含
有させることができ、Ｓｉを０．５〜９５重量％の広範
囲に渡って含有させることができる、という研究結果が
得られたのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果に基づいてな
されたものであって、（１）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、酸素：０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．００００
５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０重量％
を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成
の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用
スパッタリングターゲット、（３）Ｓｉ：０．５〜９５
重量％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素：
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素
子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（４）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらに
ＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重量％、
酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（６）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有
し、さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含
有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼
結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（７）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％を含有し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．０
０００５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット、（８）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、窒
素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅ
および不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導
体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲ
ット、（９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．０
０００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット、（１０）Ｓｉ：０．
５〜９５重量％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量
％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（１１）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜
１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含
有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼
結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（１２）Ｓｉ：０．５〜９５重
量％を含有し、さらにＢおよびＧａを合計で０．０００
０５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０重量
％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組
成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成
用スパッタリングターゲット、（１３）Ｓｉ：０．５〜
９５重量％を含有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（１４）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢ、Ｉｎおよ
びＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、窒素：
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素
子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（１５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．００
００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット、（１６）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、
炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（１７）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（１８）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＩｎ
を合計で０．００００５〜１．０重量％、炭素：０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（１
９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよ
びＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、炭素：
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素
子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（２０）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さら
にＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（２１）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００
５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜１．０重量％
を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成
の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用
スパッタリングターゲット、（２２）Ｓｉ：０．５〜９
５重量％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、酸素お
よび窒素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（２３）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、酸素および
窒素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（２４）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇ
ａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を
合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（２５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット、（２６）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（２７）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さら
にＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０重量
％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組
成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成
用スパッタリングターゲット、（２８）Ｓｉ：０．５〜
９５重量％を含有し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計
で０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合
計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅ
および不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導
体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲ
ット、（２９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．０
０００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（３
０）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．００００５
〜１．０重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１
〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純
物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓ
ｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（３１）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：０．００００５〜１．
０重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．
０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物から
なる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄
膜形成用スパッタリングターゲット、（３２）Ｓｉ：
０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＩｎを合
計で０．００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を
合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（３３）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット、（３４）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％を含有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（３５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さら
にＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット、（３６）Ｓｉ：０．
５〜９５重量％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、
酸素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を
含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の
焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用ス
パッタリングターゲット、（３７）Ｓｉ：０．５〜９５
重量％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、酸素お
よび炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（３８）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素および
炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（３９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（４０）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＧａ
を合計で０．００００５〜１．０重量％、酸素および炭
素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（４１）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（４２）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢ、Ｉｎおよ
びＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、酸素お
よび炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４３）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素お
よび炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４４）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素
および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４５）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素
および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４６）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％を含有し、さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００
５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．
０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不
可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、
（４７）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢ
およびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、酸
素、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量
％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組
成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成
用スパッタリングターゲット、（４８）Ｓｉ：０．５〜
９５重量％を含有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素
を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：
Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる
半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングタ
ーゲット、（４９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有
し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５
〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、に特
徴を有するものである。
されたものであって、（１）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、酸素：０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．００００
５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０重量％
を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成
の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用
スパッタリングターゲット、（３）Ｓｉ：０．５〜９５
重量％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素：
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素
子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（４）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらに
ＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重量％、
酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（６）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有
し、さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含
有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼
結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（７）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％を含有し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．０
０００５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット、（８）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、窒
素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅ
および不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導
体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲ
ット、（９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．０
０００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット、（１０）Ｓｉ：０．
５〜９５重量％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量
％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（１１）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜
１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含
有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼
結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（１２）Ｓｉ：０．５〜９５重
量％を含有し、さらにＢおよびＧａを合計で０．０００
０５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０重量
％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組
成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成
用スパッタリングターゲット、（１３）Ｓｉ：０．５〜
９５重量％を含有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（１４）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢ、Ｉｎおよ
びＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、窒素：
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素
子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（１５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．００
００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット、（１６）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、
炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（１７）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（１８）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＩｎ
を合計で０．００００５〜１．０重量％、炭素：０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（１
９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよ
びＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、炭素：
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素
子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（２０）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さら
にＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（２１）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００
５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜１．０重量％
を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成
の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用
スパッタリングターゲット、（２２）Ｓｉ：０．５〜９
５重量％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、酸素お
よび窒素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（２３）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、酸素および
窒素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（２４）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇ
ａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を
合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（２５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット、（２６）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（２７）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さら
にＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０重量
％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組
成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成
用スパッタリングターゲット、（２８）Ｓｉ：０．５〜
９５重量％を含有し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計
で０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合
計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅ
および不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導
体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲ
ット、（２９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．０
０００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（３
０）Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．００００５
〜１．０重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１
〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純
物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓ
ｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（３１）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：０．００００５〜１．
０重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．
０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物から
なる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄
膜形成用スパッタリングターゲット、（３２）Ｓｉ：
０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＩｎを合
計で０．００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を
合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇ
ｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半
導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングター
ゲット、（３３）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット、（３４）Ｓｉ：０．５
〜９５重量％を含有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（３５）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さら
にＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット、（３６）Ｓｉ：０．
５〜９５重量％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、
酸素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を
含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の
焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用ス
パッタリングターゲット、（３７）Ｓｉ：０．５〜９５
重量％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、酸素お
よび炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（３８）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素および
炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（３９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（４０）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢおよびＧａ
を合計で０．００００５〜１．０重量％、酸素および炭
素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット、（４１）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含
有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット、（４２）Ｓ
ｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢ、Ｉｎおよ
びＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、酸素お
よび炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４３）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｂ：０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素お
よび炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４４）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｉｎ：０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素
および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４５）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％、Ｇａ：０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素
および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット、（４６）Ｓｉ：０．５〜９５重量
％を含有し、さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００
５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．
０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不
可避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、
（４７）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さらにＢ
およびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量％、酸
素、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重量
％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組
成の焼結体からなる半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成
用スパッタリングターゲット、（４８）Ｓｉ：０．５〜
９５重量％を含有し、さらにＩｎおよびＧａを合計で
０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素
を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：
Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる
半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングタ
ーゲット、（４９）Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有
し、さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５
〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．０
００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可
避不純物からなる組成の焼結体からなる半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット、に特
徴を有するものである。
【０００６】この発明のターゲットを構成する焼結体の
成分組成を前記のごとく限定した理由を説明する。 （イ）Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ これら成分は、いずれもＧｅ−Ｓｉ系薄膜をｐ型にする
と共に、スパッタに際して、ターゲット表面からのスパ
ッタ速度を著しく促進し、もって蒸発雰囲気濃度を上昇
させて広い面積に亘っての成膜速度の高速化並びに膜厚
の均一化を可能ならしめる作用を持つが、Ｂ、Ｉｎおよ
びＧａの内のいずれか１種またはこれら２種以上を合計
で０．００００５重量％未満含有しても前記作用に所望
の効果が得られず、一方、１．０重量％を越えて含有す
ると、Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜に要求される、例えばゲート電
極特性が損なわれるようになることから、その含有量を
０．００００５〜１．０重量％、望ましくは０．００５
〜０．５重量％と定めた。
成分組成を前記のごとく限定した理由を説明する。 （イ）Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ これら成分は、いずれもＧｅ−Ｓｉ系薄膜をｐ型にする
と共に、スパッタに際して、ターゲット表面からのスパ
ッタ速度を著しく促進し、もって蒸発雰囲気濃度を上昇
させて広い面積に亘っての成膜速度の高速化並びに膜厚
の均一化を可能ならしめる作用を持つが、Ｂ、Ｉｎおよ
びＧａの内のいずれか１種またはこれら２種以上を合計
で０．００００５重量％未満含有しても前記作用に所望
の効果が得られず、一方、１．０重量％を越えて含有す
ると、Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜に要求される、例えばゲート電
極特性が損なわれるようになることから、その含有量を
０．００００５〜１．０重量％、望ましくは０．００５
〜０．５重量％と定めた。
【０００７】（ロ）酸素、窒素、炭素 これら成分は、いずれも基板となるＳｉウエハ上の酸化
物薄膜との密着強度を向上させると共に成膜面積を広く
しても膜の密着強度に局部的なバラツキを少なくする作
用を有するが、酸素、窒素および炭素の内のいずれか１
種またはこれら２種以上を合計で０．０００１重量％未
満含有しても前記作用に所望の効果が得られず、一方、
１．０重量％を越えて含有すると、ターゲットの強度が
低下すると共にスパッタリング中に割れが発生するので
好ましくない。したがって、その含有量を０．０００１
〜１．０重量％、望ましくは０．００５〜０．５重量％
と定めた。前記酸素、窒素および炭素の内でも特に酸素
はＳｉウエハ上の酸化物薄膜との密着強度を向上させる
のに有効な成分であり、酸素単独、または酸素と窒素お
よび炭素を共存して含有させることが好ましい。
物薄膜との密着強度を向上させると共に成膜面積を広く
しても膜の密着強度に局部的なバラツキを少なくする作
用を有するが、酸素、窒素および炭素の内のいずれか１
種またはこれら２種以上を合計で０．０００１重量％未
満含有しても前記作用に所望の効果が得られず、一方、
１．０重量％を越えて含有すると、ターゲットの強度が
低下すると共にスパッタリング中に割れが発生するので
好ましくない。したがって、その含有量を０．０００１
〜１．０重量％、望ましくは０．００５〜０．５重量％
と定めた。前記酸素、窒素および炭素の内でも特に酸素
はＳｉウエハ上の酸化物薄膜との密着強度を向上させる
のに有効な成分であり、酸素単独、または酸素と窒素お
よび炭素を共存して含有させることが好ましい。
【０００８】（ハ）Ｓｉ Ｓｉ成分は、ゲート電極に要求される特性を具備したＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜を形成するのに不可欠な成分であり、ま
た使用者の要求に沿った広範囲な組成範囲が要求される
が、その含有量が０．５重量％未満でも、また９５重量
％を越えてもゲート電極に要求されるＧｅ−Ｓｉ系薄膜
の特性を確保することができなくなることから、その割
合を０．５〜９５重量％、望ましくは１５〜６５重量％
と定めた。
ｅ−Ｓｉ系薄膜を形成するのに不可欠な成分であり、ま
た使用者の要求に沿った広範囲な組成範囲が要求される
が、その含有量が０．５重量％未満でも、また９５重量
％を越えてもゲート電極に要求されるＧｅ−Ｓｉ系薄膜
の特性を確保することができなくなることから、その割
合を０．５〜９５重量％、望ましくは１５〜６５重量％
と定めた。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明のターゲットを
実施例により具体的に説明する。いずれも純度が９９．
９９９重量％のＳｉ、Ｇｅ、Ｂ、ＩｎおよびＧａを用意
した。ＳｉとＢ、ＳｉとＩｎ、ＳｉとＧａの組み合わせ
でそれぞれ純度：９９．９９９重量％の高純度Ａｒガス
雰囲気中に設置した窒化ボロン坩堝に装入し、溶解して Ｓｉ−０．０１１重量％Ｂ合金（以下、Ｓｉ−Ｂ合金
と云う）、Ｓｉ−０．４８重量％Ｂ合金（以下、Ｓｉ−
Ｂ合金と云う）、Ｓｉ−５．２重量％Ｂ合金（以下、
Ｓｉ−Ｂ合金と云う）、Ｓｉ−０．０１２重量％Ｉｎ
合金（以下、Ｓｉ−Ｉｎ合金と云う）、Ｓｉ−０．５
０重量％Ｉｎ合金（以下、Ｓｉ−Ｉｎ合金と云う）、
Ｓｉ−５．０重量％Ｉｎ合金（以下、Ｓｉ−Ｉｎ合金
と云う）、Ｓｉ−０．０１１重量％Ｇａ合金（以下、Ｓ
ｉ−Ｇａ合金と云う）、Ｓｉ−０．４９重量％Ｇａ合
金（以下、Ｓｉ−Ｇａ合金と云う）、Ｓｉ−５．１重
量％Ｇａ合金（以下、Ｓｉ−Ｇａ合金と云う）、を作
製し、冷却後のこれらＳｉ−Ｂ合金、Ｓｉ−Ｂ合金
、Ｓｉ−Ｂ合金、Ｓｉ−Ｉｎ合金、Ｓｉ−Ｉｎ合
金、Ｓｉ−Ｉｎ合金、Ｓｉ−Ｇａ合金、Ｓｉ−Ｇ
ａ合金、Ｓｉ−Ｇａ合金をそれぞれ純度：９９．９
９９重量％の高純度窒素を満たしたグローブボックス中
のジョークラッシャーとボールミルにて粉砕し、平均粒
径：１．２〜２．５μｍの範囲内のＳｉ−Ｂ粉末、
および、Ｓｉ−Ｉｎ粉末、および、並びにＳｉ
−Ｇａ粉末、およびを作製した。
実施例により具体的に説明する。いずれも純度が９９．
９９９重量％のＳｉ、Ｇｅ、Ｂ、ＩｎおよびＧａを用意
した。ＳｉとＢ、ＳｉとＩｎ、ＳｉとＧａの組み合わせ
でそれぞれ純度：９９．９９９重量％の高純度Ａｒガス
雰囲気中に設置した窒化ボロン坩堝に装入し、溶解して Ｓｉ−０．０１１重量％Ｂ合金（以下、Ｓｉ−Ｂ合金
と云う）、Ｓｉ−０．４８重量％Ｂ合金（以下、Ｓｉ−
Ｂ合金と云う）、Ｓｉ−５．２重量％Ｂ合金（以下、
Ｓｉ−Ｂ合金と云う）、Ｓｉ−０．０１２重量％Ｉｎ
合金（以下、Ｓｉ−Ｉｎ合金と云う）、Ｓｉ−０．５
０重量％Ｉｎ合金（以下、Ｓｉ−Ｉｎ合金と云う）、
Ｓｉ−５．０重量％Ｉｎ合金（以下、Ｓｉ−Ｉｎ合金
と云う）、Ｓｉ−０．０１１重量％Ｇａ合金（以下、Ｓ
ｉ−Ｇａ合金と云う）、Ｓｉ−０．４９重量％Ｇａ合
金（以下、Ｓｉ−Ｇａ合金と云う）、Ｓｉ−５．１重
量％Ｇａ合金（以下、Ｓｉ−Ｇａ合金と云う）、を作
製し、冷却後のこれらＳｉ−Ｂ合金、Ｓｉ−Ｂ合金
、Ｓｉ−Ｂ合金、Ｓｉ−Ｉｎ合金、Ｓｉ−Ｉｎ合
金、Ｓｉ−Ｉｎ合金、Ｓｉ−Ｇａ合金、Ｓｉ−Ｇ
ａ合金、Ｓｉ−Ｇａ合金をそれぞれ純度：９９．９
９９重量％の高純度窒素を満たしたグローブボックス中
のジョークラッシャーとボールミルにて粉砕し、平均粒
径：１．２〜２．５μｍの範囲内のＳｉ−Ｂ粉末、
および、Ｓｉ−Ｉｎ粉末、および、並びにＳｉ
−Ｇａ粉末、およびを作製した。
【００１０】さらに、ＧｅとＢ、ＧｅとＩｎ、ＧｅとＧ
ａの組み合わせでそれぞれ純度：９９．９９９重量％の
高純度Ａｒガス雰囲気中に設置した窒化ボロン坩堝に装
入し、溶解して Ｇｅ−０．０１３重量％Ｂ合金（以下、Ｇｅ−Ｂ合金
と云う）、Ｇｅ−０．５２重量％Ｂ合金（以下、Ｇｅ−
Ｂ合金と云う）、Ｇｅ−５．３重量％Ｂ合金（以下、
Ｇｅ−Ｂ合金と云う）、Ｇｅ−０．０１５重量％Ｉｎ
合金（以下、Ｇｅ−Ｉｎ合金と云う）、Ｇｅ−０．４
８重量％Ｉｎ合金（以下、Ｇｅ−Ｉｎ合金と云う）、
Ｇｅ−５．１重量％Ｉｎ合金（以下、Ｇｅ−Ｉｎ合金
と云う）、Ｇｅ−０．０１２重量％Ｇａ合金（以下、Ｇ
ｅ−Ｇａ合金と云う）、Ｇｅ−０．５１重量％Ｇａ合
金（以下、Ｇｅ−Ｇａ合金と云う）、Ｇｅ−５．２重
量％Ｇａ合金（以下、Ｇｅ−Ｇａ合金と云う）、を作
製し、冷却後のこれらＧｅ−Ｂ合金、Ｇｅ−Ｂ合金
、Ｇｅ−Ｂ合金、Ｇｅ−Ｉｎ合金、Ｇｅ−Ｉｎ合
金、Ｇｅ−Ｉｎ合金、Ｇｅ−Ｇａ合金、Ｇｅ−Ｇ
ａ合金、Ｇｅ−Ｇａ合金をそれぞれ純度：９９．９
９９重量％の高純度窒素を満たしたグローブボックス中
のジョークラッシャーとボールミルにて粉砕し、平均粒
径：１．２〜２．５μｍの範囲内のＧｅ−Ｂ粉末、
および、Ｇｅ−Ｉｎ粉末、および、並びにＧｅ
−Ｇａ粉末、およびを作製した。
ａの組み合わせでそれぞれ純度：９９．９９９重量％の
高純度Ａｒガス雰囲気中に設置した窒化ボロン坩堝に装
入し、溶解して Ｇｅ−０．０１３重量％Ｂ合金（以下、Ｇｅ−Ｂ合金
と云う）、Ｇｅ−０．５２重量％Ｂ合金（以下、Ｇｅ−
Ｂ合金と云う）、Ｇｅ−５．３重量％Ｂ合金（以下、
Ｇｅ−Ｂ合金と云う）、Ｇｅ−０．０１５重量％Ｉｎ
合金（以下、Ｇｅ−Ｉｎ合金と云う）、Ｇｅ−０．４
８重量％Ｉｎ合金（以下、Ｇｅ−Ｉｎ合金と云う）、
Ｇｅ−５．１重量％Ｉｎ合金（以下、Ｇｅ−Ｉｎ合金
と云う）、Ｇｅ−０．０１２重量％Ｇａ合金（以下、Ｇ
ｅ−Ｇａ合金と云う）、Ｇｅ−０．５１重量％Ｇａ合
金（以下、Ｇｅ−Ｇａ合金と云う）、Ｇｅ−５．２重
量％Ｇａ合金（以下、Ｇｅ−Ｇａ合金と云う）、を作
製し、冷却後のこれらＧｅ−Ｂ合金、Ｇｅ−Ｂ合金
、Ｇｅ−Ｂ合金、Ｇｅ−Ｉｎ合金、Ｇｅ−Ｉｎ合
金、Ｇｅ−Ｉｎ合金、Ｇｅ−Ｇａ合金、Ｇｅ−Ｇ
ａ合金、Ｇｅ−Ｇａ合金をそれぞれ純度：９９．９
９９重量％の高純度窒素を満たしたグローブボックス中
のジョークラッシャーとボールミルにて粉砕し、平均粒
径：１．２〜２．５μｍの範囲内のＧｅ−Ｂ粉末、
および、Ｇｅ−Ｉｎ粉末、および、並びにＧｅ
−Ｇａ粉末、およびを作製した。
【００１１】さらに、平均粒径：１．４〜２．７μｍを
有する純度：９９．９９９重量％の純Ｓｉ粉末、純Ｇｅ
粉末、平均粒径：２．６〜３．５μｍを有するＳｉＣ粉
末および平均粒径：２．８〜３．７μｍを有するＳｉ3
Ｎ4 粉末を用意した。
有する純度：９９．９９９重量％の純Ｓｉ粉末、純Ｇｅ
粉末、平均粒径：２．６〜３．５μｍを有するＳｉＣ粉
末および平均粒径：２．８〜３．７μｍを有するＳｉ3
Ｎ4 粉末を用意した。
【００１２】実施例１ これらＳｉ−Ｂ粉末、および、Ｓｉ−Ｉｎ粉末
、および、Ｓｉ−Ｇａ粉末、および、Ｇｅ
−Ｂ粉末、および、Ｇｅ−Ｉｎ粉末、および
、Ｇｅ−Ｇａ粉末、および、純Ｓｉ粉末、純Ｇ
ｅ粉末、ＳｉＣ粉末、並びにＳｉ3 Ｎ4 粉末を純度：９
９．９９９重量％の高純度窒素雰囲気中で表１〜４に示
される割合に配合し、純度：９９．９９９重量％の高純
度窒素雰囲気中で充填・密封したボールミルポット内に
て２時間混合した後、酸素濃度：１〜１０００ｐｐｍの
窒素雰囲気中または大気中に温度：２５〜２００℃、時
間：５分〜９６時間の範囲の所定の範囲で暴露し、この
暴露した混合粉末を純度：９９．９９９重量％の黒鉛モ
ールドに充填し、５×１０-5ｔｏｒｒの真空雰囲気中、
９３０〜１１５０℃の範囲内の所定温度に、１５０〜２
５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲内の所定の圧力を付加した状
態で５時間保持の条件の真空加圧焼結を行うことにより
表５〜８に示される成分組成および理論密度比をもった
焼結体からなる本発明ターゲット１〜４９をそれぞれ製
造した。
、および、Ｓｉ−Ｇａ粉末、および、Ｇｅ
−Ｂ粉末、および、Ｇｅ−Ｉｎ粉末、および
、Ｇｅ−Ｇａ粉末、および、純Ｓｉ粉末、純Ｇ
ｅ粉末、ＳｉＣ粉末、並びにＳｉ3 Ｎ4 粉末を純度：９
９．９９９重量％の高純度窒素雰囲気中で表１〜４に示
される割合に配合し、純度：９９．９９９重量％の高純
度窒素雰囲気中で充填・密封したボールミルポット内に
て２時間混合した後、酸素濃度：１〜１０００ｐｐｍの
窒素雰囲気中または大気中に温度：２５〜２００℃、時
間：５分〜９６時間の範囲の所定の範囲で暴露し、この
暴露した混合粉末を純度：９９．９９９重量％の黒鉛モ
ールドに充填し、５×１０-5ｔｏｒｒの真空雰囲気中、
９３０〜１１５０℃の範囲内の所定温度に、１５０〜２
５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲内の所定の圧力を付加した状
態で５時間保持の条件の真空加圧焼結を行うことにより
表５〜８に示される成分組成および理論密度比をもった
焼結体からなる本発明ターゲット１〜４９をそれぞれ製
造した。
【００１３】ついで、これらの各種のターゲットを、ダ
イヤモンド砥石により直径：１５２ｍｍ×厚さ：５ｍｍ
の寸法に加工し、無酸素銅のバッキングプレートに純
度：９９．９９重量％のＩｎろう材により接合し、これ
らを高周波マグネトロンスパッタリング装置に装着し、 初期排気真空度：５×１０-7Ｔｏｒｒ、 スパッタガス：Ａｒ、 スパッタガス圧：１０ｍＴｏｒｒ、 スパッタ電力：７５０Ｗ、 基板：直径１２０ｍｍのＳｉ単結晶ウエハ、 基板加熱温度：室温、 スパッタ時間：３分間、 の条件で高周波スパッタを行い、上記Ｓｉ単結晶ウエハ
の表面にＧｅ−Ｓｉ系薄膜を形成した。
イヤモンド砥石により直径：１５２ｍｍ×厚さ：５ｍｍ
の寸法に加工し、無酸素銅のバッキングプレートに純
度：９９．９９重量％のＩｎろう材により接合し、これ
らを高周波マグネトロンスパッタリング装置に装着し、 初期排気真空度：５×１０-7Ｔｏｒｒ、 スパッタガス：Ａｒ、 スパッタガス圧：１０ｍＴｏｒｒ、 スパッタ電力：７５０Ｗ、 基板：直径１２０ｍｍのＳｉ単結晶ウエハ、 基板加熱温度：室温、 スパッタ時間：３分間、 の条件で高周波スパッタを行い、上記Ｓｉ単結晶ウエハ
の表面にＧｅ−Ｓｉ系薄膜を形成した。
【００１４】これらＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成のＳｉ単結晶
ウエハを任意直径線にそって２分割し、これの断面にお
ける中心位置、中心からそれぞれ左右に２５ｍｍ離れた
位置（左中位置および右中位置と云う）、および中心か
らそれぞれ左右に５０ｍｍ離れた位置（左外位置および
右外位置と云う）の膜厚を高分解能走査型電子顕微鏡を
用いて測定し、これらの結果を表９〜１２に２分割断面
のそれぞれの測定結果の平均値として示し、成膜速度お
よび膜厚の局部的バラツキを評価した。
ウエハを任意直径線にそって２分割し、これの断面にお
ける中心位置、中心からそれぞれ左右に２５ｍｍ離れた
位置（左中位置および右中位置と云う）、および中心か
らそれぞれ左右に５０ｍｍ離れた位置（左外位置および
右外位置と云う）の膜厚を高分解能走査型電子顕微鏡を
用いて測定し、これらの結果を表９〜１２に２分割断面
のそれぞれの測定結果の平均値として示し、成膜速度お
よび膜厚の局部的バラツキを評価した。
【００１５】さらに、上記Ｓｉ単結晶ウエハの表面にＳ
ｉＯ2 薄膜を形成し、このＳｉＯ2薄膜の上に同じ条件
で高周波スパッタを行うことによりＧｅ−Ｓｉ系薄膜を
形成した。このＳｉＯ2 薄膜を介してＧｅ−Ｓｉ系薄膜
を形成したＳｉ単結晶ウエハに対して、成膜側のウエハ
面内の任意直径線に沿って、中心位置、中心からそれぞ
れ左右に２５ｍｍ離れた位置（左中位置および右中位置
と云う）、および中心からそれぞれ左右に５０ｍｍ離れ
た位置（左外位置および右外位置と云う）において、ダ
イヤモンドポイントペンを用いて２０ｍｍ×２０ｍｍの
範囲内に、５ｍｍ角の碁盤の目状に１６個の升目を入
れ、布製のガムテープを張り付けた後、そのテープを剥
がし、目視にて升目の一部でも剥がれた場合、「剥がれ
個数１個」として勘定し、それぞれの位置での剥がれ個
数を計測し、その結果を表９〜１２に示した。
ｉＯ2 薄膜を形成し、このＳｉＯ2薄膜の上に同じ条件
で高周波スパッタを行うことによりＧｅ−Ｓｉ系薄膜を
形成した。このＳｉＯ2 薄膜を介してＧｅ−Ｓｉ系薄膜
を形成したＳｉ単結晶ウエハに対して、成膜側のウエハ
面内の任意直径線に沿って、中心位置、中心からそれぞ
れ左右に２５ｍｍ離れた位置（左中位置および右中位置
と云う）、および中心からそれぞれ左右に５０ｍｍ離れ
た位置（左外位置および右外位置と云う）において、ダ
イヤモンドポイントペンを用いて２０ｍｍ×２０ｍｍの
範囲内に、５ｍｍ角の碁盤の目状に１６個の升目を入
れ、布製のガムテープを張り付けた後、そのテープを剥
がし、目視にて升目の一部でも剥がれた場合、「剥がれ
個数１個」として勘定し、それぞれの位置での剥がれ個
数を計測し、その結果を表９〜１２に示した。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】
【表５】
【００２１】
【表６】
【００２２】
【表７】
【００２３】
【表８】
【００２４】
【表９】
【００２５】
【表１０】
【００２６】
【表１１】
【００２７】
【表１２】
【００２８】実施例２ Ｓｉ−Ｂ粉末、および、Ｓｉ−Ｉｎ粉末、お
よび、Ｓｉ−Ｇａ粉末、および、Ｇｅ−Ｂ粉末
、および、Ｇｅ−Ｉｎ粉末、および、Ｇｅ
−Ｇａ粉末、および、純Ｓｉ粉末、純Ｇｅ粉末、
ＳｉＣ粉末、並びにＳｉ3 Ｎ4 粉末を純度：９９．９９
９重量％の高純度窒素雰囲気中で表１３〜１４に示され
る割合に配合し、純度：９９．９９９重量％の高純度窒
素雰囲気中で充填・密封したボールミルポット内にて２
時間混合した後、酸素含有窒素雰囲気中または大気中に
暴露することなく、得られた混合粉末を純度：９９．９
９９重量％の黒鉛モールドに充填し、５×１０-5ｔｏｒ
ｒの真空雰囲気中、９３０〜１１５０℃の範囲内の所定
温度に、１５０〜２５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲内の所定
の圧力を付加した状態で５時間保持の条件の真空加圧焼
結を行うことにより表１５〜１６に示される成分組成お
よび理論密度比をもった焼結体からなる本発明ターゲッ
ト５０〜７０をそれぞれ製造した。
よび、Ｓｉ−Ｇａ粉末、および、Ｇｅ−Ｂ粉末
、および、Ｇｅ−Ｉｎ粉末、および、Ｇｅ
−Ｇａ粉末、および、純Ｓｉ粉末、純Ｇｅ粉末、
ＳｉＣ粉末、並びにＳｉ3 Ｎ4 粉末を純度：９９．９９
９重量％の高純度窒素雰囲気中で表１３〜１４に示され
る割合に配合し、純度：９９．９９９重量％の高純度窒
素雰囲気中で充填・密封したボールミルポット内にて２
時間混合した後、酸素含有窒素雰囲気中または大気中に
暴露することなく、得られた混合粉末を純度：９９．９
９９重量％の黒鉛モールドに充填し、５×１０-5ｔｏｒ
ｒの真空雰囲気中、９３０〜１１５０℃の範囲内の所定
温度に、１５０〜２５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲内の所定
の圧力を付加した状態で５時間保持の条件の真空加圧焼
結を行うことにより表１５〜１６に示される成分組成お
よび理論密度比をもった焼結体からなる本発明ターゲッ
ト５０〜７０をそれぞれ製造した。
【００２９】これらＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成のＳｉ単結晶
ウエハを任意直径線にそって２分割し、これの断面にお
ける中心位置、左中位置および右中位置、並びに左外位
置および右外位置の膜厚を高分解能走査型電子顕微鏡を
用いて測定し、これらの結果を表１７〜１８に２分割断
面のそれぞれの測定結果の平均値として示し、成膜速度
および膜厚の局部的バラツキを評価した。
ウエハを任意直径線にそって２分割し、これの断面にお
ける中心位置、左中位置および右中位置、並びに左外位
置および右外位置の膜厚を高分解能走査型電子顕微鏡を
用いて測定し、これらの結果を表１７〜１８に２分割断
面のそれぞれの測定結果の平均値として示し、成膜速度
および膜厚の局部的バラツキを評価した。
【００３０】さらに、上記Ｓｉ単結晶ウエハの表面にＳ
ｉＯ2 薄膜を形成し、このＳｉＯ2薄膜の上に同じ条件
で高周波スパッタを行うことによりＧｅ−Ｓｉ系薄膜を
形成した。このＳｉＯ2 薄膜を介してＧｅ−Ｓｉ系薄膜
を形成したＳｉ単結晶ウエハに対して、成膜側のウエハ
面内の任意直径線に沿って、中心位置、左中位置および
右中位置、並びに左外位置および右外位置において、ダ
イヤモンドポイントペンを用いて２０ｍｍ×２０ｍｍの
範囲内に、５ｍｍ角の碁盤の目状に１６個の升目を入
れ、布製のガムテープを張り付けた後、そのテープを剥
がし、目視にて升目の一部でも剥がれた場合、「剥がれ
個数１個」として勘定し、それぞれの位置での剥がれ個
数を計測し、その結果を表１７〜１８に示した。
ｉＯ2 薄膜を形成し、このＳｉＯ2薄膜の上に同じ条件
で高周波スパッタを行うことによりＧｅ−Ｓｉ系薄膜を
形成した。このＳｉＯ2 薄膜を介してＧｅ−Ｓｉ系薄膜
を形成したＳｉ単結晶ウエハに対して、成膜側のウエハ
面内の任意直径線に沿って、中心位置、左中位置および
右中位置、並びに左外位置および右外位置において、ダ
イヤモンドポイントペンを用いて２０ｍｍ×２０ｍｍの
範囲内に、５ｍｍ角の碁盤の目状に１６個の升目を入
れ、布製のガムテープを張り付けた後、そのテープを剥
がし、目視にて升目の一部でも剥がれた場合、「剥がれ
個数１個」として勘定し、それぞれの位置での剥がれ個
数を計測し、その結果を表１７〜１８に示した。
【００３１】
【表１３】
【００３２】
【表１４】
【００３３】
【表１５】
【００３４】
【表１６】
【００３５】
【表１７】
【００３６】
【表１８】
【００３７】比較例 また、比較の目的で、上記の純Ｓｉ粉末および純Ｇｅ粉
末を表１９に示される通りに配合し、混合し、焼結して
表１９に示される成分組成および理論密度比をもった焼
結体からなる比較ターゲット１〜５をそれぞれ製造し
た。これら比較ターゲット１〜５を用いて実施例１と同
じ条件でＧｅ−Ｓｉ系薄膜を形成し、実施例１と同様に
して膜厚を高分解能走査型電子顕微鏡を用いて測定し、
これらの結果を表２０に２分割断面のそれぞれの測定結
果の平均値として示し、成膜速度および膜厚の局部的バ
ラツキを評価した。さらにＳｉ単結晶ウエハの表面にＳ
ｉＯ 2 薄膜を形成し、このＳｉＯ2 薄膜の上に同じ条件
で高周波スパッタを行うことによりＧｅ−Ｓｉ系薄膜を
形成した。このＳｉＯ2 薄膜を介してＧｅ−Ｓｉ系薄膜
を形成したＳｉ単結晶ウエハに対して、実施例１と同様
にして、中心位置、左中位置および右中位置、並びに左
外位置および右外位置において、ダイヤモンドポイント
ペンを用いて２０ｍｍ×２０ｍｍの範囲内に、５ｍｍ角
の碁盤の目状に１６個の升目を入れ、布製のガムテープ
を張り付けた後、そのテープを剥がし、目視にて升目の
一部でも剥がれた場合、「剥がれ個数１個」として勘定
し、それぞれの位置での剥がれ個数を計測し、その結果
を表２０に示した。
末を表１９に示される通りに配合し、混合し、焼結して
表１９に示される成分組成および理論密度比をもった焼
結体からなる比較ターゲット１〜５をそれぞれ製造し
た。これら比較ターゲット１〜５を用いて実施例１と同
じ条件でＧｅ−Ｓｉ系薄膜を形成し、実施例１と同様に
して膜厚を高分解能走査型電子顕微鏡を用いて測定し、
これらの結果を表２０に２分割断面のそれぞれの測定結
果の平均値として示し、成膜速度および膜厚の局部的バ
ラツキを評価した。さらにＳｉ単結晶ウエハの表面にＳ
ｉＯ 2 薄膜を形成し、このＳｉＯ2 薄膜の上に同じ条件
で高周波スパッタを行うことによりＧｅ−Ｓｉ系薄膜を
形成した。このＳｉＯ2 薄膜を介してＧｅ−Ｓｉ系薄膜
を形成したＳｉ単結晶ウエハに対して、実施例１と同様
にして、中心位置、左中位置および右中位置、並びに左
外位置および右外位置において、ダイヤモンドポイント
ペンを用いて２０ｍｍ×２０ｍｍの範囲内に、５ｍｍ角
の碁盤の目状に１６個の升目を入れ、布製のガムテープ
を張り付けた後、そのテープを剥がし、目視にて升目の
一部でも剥がれた場合、「剥がれ個数１個」として勘定
し、それぞれの位置での剥がれ個数を計測し、その結果
を表２０に示した。
【００３８】
【表１９】
【００３９】
【表２０】
【００４０】
【発明の効果】表１〜２０に示される結果から、本発明
ターゲット１〜７０を用いて、スパッタリングによりＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜を形成した場合、これを構成する焼結体
のＢ、ＩｎおよびＧａの内の１種または２種以上の作用
で、上記の通り成膜面積がきわめて広いのにもかかわら
ず、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、酸素、窒素および炭素をいずれも
含まない比較ターゲット１〜５を用いた場合に比して、
膜厚の局部的バラツキが著しく小さく、かつ成膜速度も
きわめて速くなるとともに、得られたＧｅ−Ｓｉ系薄膜
の密着強度が向上し、成膜面積が広くなっても場所によ
る密着強度のバラツキが極めて少なくなることが明らか
である。上述のようにこの発明のターゲットによれば、
半導体素子の金属薄膜であるＧｅ−Ｓｉ系薄膜の高速成
膜が可能となるばかりでなく、広い面積に亘って密着性
に優れた均一な膜厚での成膜も可能であり、したがって
半導体素子製造に際しての省力化および省エネ化に大い
に寄与するものである。
ターゲット１〜７０を用いて、スパッタリングによりＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜を形成した場合、これを構成する焼結体
のＢ、ＩｎおよびＧａの内の１種または２種以上の作用
で、上記の通り成膜面積がきわめて広いのにもかかわら
ず、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、酸素、窒素および炭素をいずれも
含まない比較ターゲット１〜５を用いた場合に比して、
膜厚の局部的バラツキが著しく小さく、かつ成膜速度も
きわめて速くなるとともに、得られたＧｅ−Ｓｉ系薄膜
の密着強度が向上し、成膜面積が広くなっても場所によ
る密着強度のバラツキが極めて少なくなることが明らか
である。上述のようにこの発明のターゲットによれば、
半導体素子の金属薄膜であるＧｅ−Ｓｉ系薄膜の高速成
膜が可能となるばかりでなく、広い面積に亘って密着性
に優れた均一な膜厚での成膜も可能であり、したがって
半導体素子製造に際しての省力化および省エネ化に大い
に寄与するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 姜 仁鎬 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 小田 淳一 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BA21 BA46 BB02 BD01 DC04 DC09
Claims (49)
- 【請求項１】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．０
０００５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．
００００５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．
０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物から
なる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子
のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：０．
００００５〜１．０重量％、酸素：０．０００１〜１．
０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物から
なる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子
のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重量
％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重量
％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項６】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項７】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、さ
らにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．
０重量％、酸素：０．０００１〜１．０重量％を含有
し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結
体からなることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系
薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項８】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．０
０００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項９】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：０．
００００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．
０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物から
なる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子
のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１０】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、窒素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項１１】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１２】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１３】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、
残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体か
らなることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１４】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、窒素：０．０００１〜１．０重量％を含
有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼
結体からなることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１５】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．
００００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜１．
０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物から
なる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子
のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１６】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：
０．００００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項１７】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、炭素：０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項１８】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項１９】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、残
部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体から
なることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形
成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２０】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、炭素：０．０００１〜１．０重量％を含有し、
残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体か
らなることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜
形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２１】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、炭素：０．０００１〜１．０重量％を含
有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼
結体からなることを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ
系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２２】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．
００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合計で
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを特
徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタ
リングターゲット。 - 【請求項２３】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：
０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを
特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項２４】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、酸素および窒素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを
特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項２５】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２６】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２７】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２８】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素および窒素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項２９】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．
００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計０．
０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不
可避不純物からなる組成の焼結体からなることを特徴と
する半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリン
グターゲット。 - 【請求項３０】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：
０．００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを
特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項３１】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、窒素および炭素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを
特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項３２】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３３】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３４】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３５】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、窒素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項３６】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．
００００５〜１．０重量％、酸素および炭素を合計で
０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよ
び不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを特
徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタ
リングターゲット。 - 【請求項３７】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：
０．００００５〜１．０重量％、酸素および炭素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを
特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項３８】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、酸素および炭素を合計
で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅお
よび不可避不純物からなる組成の焼結体からなることを
特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項３９】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項４０】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜１．０重
量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からなる
組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子のＧ
ｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項４１】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜１．０
重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物からな
る組成の焼結体からなることを特徴とする半導体素子の
Ｇｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項４２】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項４３】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｂ：０．
００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素を合
計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅ
および不可避不純物からなる組成の焼結体からなること
を特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項４４】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｉｎ：
０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素
を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：
Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる
ことを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用
スパッタリングターゲット。 - 【請求項４５】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％、Ｇａ：
０．００００５〜１．０重量％、酸素、窒素および炭素
を合計で０．０００１〜１．０重量％を含有し、残部：
Ｇｅおよび不可避不純物からなる組成の焼結体からなる
ことを特徴とする半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用
スパッタリングターゲット。 - 【請求項４６】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＩｎを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項４７】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０重
量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項４８】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜１．０
重量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．０００１〜
１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避不純物
からなる組成の焼結体からなることを特徴とする半導体
素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項４９】 Ｓｉ：０．５〜９５重量％を含有し、
さらにＢ、ＩｎおよびＧａを合計で０．００００５〜
１．０重量％、酸素、窒素および炭素を合計で０．００
０１〜１．０重量％を含有し、残部：Ｇｅおよび不可避
不純物からなる組成の焼結体からなることを特徴とする
半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングタ
ーゲット。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10195504A JP2000026957A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195504A JP2000026957A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000026957A true JP2000026957A (ja) | 2000-01-25 |
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ID=16342192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195504A Pending JP2000026957A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000026957A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069624A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
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| WO2005031028A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10195504A patent/JP2000026957A/ja active Pending
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| JP4791825B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜およびその製造方法、ディスプレイ装置 |
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