JP2000021299A - Manufacture of electron source board - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance uniformity of a conductive thin film in the case using an ink jet liquid drop giving method in the conductive thin film of an element part in a large area electron source board having a plurality of surface conductive type electron emission elements and improve an ink jet form without largely changing a driving system of the conventional device. SOLUTION: This electron source board 1 is manufactured in such a way that a pair of facing element electrodes 2, 3 is formed on a substrate, conductive liquid drops 8 containing a conductive substance are given to between the element electrodes, a conductive thin film is formed by heating the conductive liquid drops 8, part of the conductive thin film is foaming-treated to form an electron emission part, and electron emission elements are two-dimensionally arranged. When the conductive liquid drops 8 are given, an ink jet device equipped with nozzles 9 two-dimensionally arranged in pieces of M×N is used, nozzles of pieces of (m)×(n) (m<=M, n<=N) are selected from the nozzles 9, and the conductive liquid drops 8 are given to portions of (m)×(n) at the same time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に一対の対
向する素子電極を設け、前記素子電極間に導電性物質を
含む導電性液滴を付与し、前記導電性液滴を加熱するこ
とにより導電性薄膜を形成し、前記導電性薄膜の一部を
フォーミング処理して電子放出部となした電子放出素子
を２次元配列した電子源基板の製造方法に関し、特に、
導電性液滴を付与する際には、Ｍ個×Ｎ個の２次元配列
されたノズルを備えたインクジェット装置を用いて導電
性液滴を付与する工程を含む電子源基板の製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of providing a pair of opposed device electrodes on a substrate, applying a conductive droplet containing a conductive substance between the device electrodes, and heating the conductive droplet. Forming a conductive thin film, forming a part of the conductive thin film and forming an electron emitting element as an electron emitting portion two-dimensionally arrayed electron source substrate manufacturing method, particularly,
The present invention relates to a method for manufacturing an electron source substrate including a step of applying conductive droplets using an inkjet apparatus having M × N two-dimensionally arranged nozzles when applying conductive droplets.

【従来の技術】従来、電子源を利用して画像を表示する
画像形成装置としては、ＣＲＴが広く用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, a CRT has been widely used as an image forming apparatus for displaying an image using an electron source.

【０００２】一方、近年になって液晶を用いた平板型表
示装置が、ＣＲＴに替わって、復及してきたが、自発光
型でないため、バックライトを持たなければならない等
の問題点があり、自発光型の表示装置の開発が、望まれ
てきた。自発光型表示装置としては、最近ではプラズマ
ディスプレイが商品化され始めているが、従来のＣＲＴ
とは発光の原理が異なり、画像のコントラストや、発光
の良さなどでＣＲＴに比べるとやや劣ると言わざるを得
ないのが現状である。電子放出素子を複数配列して電子
源を形成し、これを平板型画像形成装置に用いれば、Ｃ
ＲＴと同じ品位の発光を得られることが期待され、多く
の研究開発が行なわれてきた。On the other hand, in recent years, flat panel display devices using liquid crystal have been replaced by CRTs. However, since they are not self-luminous, they have problems such as having to have a backlight. Development of a self-luminous display device has been desired. As a self-luminous display device, a plasma display has recently begun to be commercialized.
The principle of light emission is different from that of the CRT, and the present situation is that it is somewhat inferior to the CRT due to the contrast of the image and the good light emission. If an electron source is formed by arranging a plurality of electron-emitting devices, and this is used in a flat plate type image forming apparatus, C
It is expected that light emission of the same quality as RT can be obtained, and much research and development has been carried out.

【０００３】例えば、本出願人は冷陰極型の電子放出素
子の一種である表面伝導型電子放出素子を基体上に多数
配置した電子源と、これを用いた画像形成装置に関して
いくつかの提案を行なっている。For example, the present applicant has proposed several proposals regarding an electron source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices, which are a kind of cold cathode electron-emitting devices, are arranged on a substrate, and an image forming apparatus using the same. I do.

【０００４】該表面伝導型電子放出素子の構成や特性、
これを用いた電子源の構成などに関しては例えば特開平
７−２３５２５５号公報に詳しく述べられているので、
簡単に説明する。図５（ａ）（ｂ）に表面伝導型電子放
出素子の構成の一例を示す。１は基体、２，３は一対の
素子電極、４は導電性薄膜でその一部に電子放出部５を
有する。該電子放出部を形成する方法としては、上記一
対の素子電極の間に電圧を印加して、上記導電性薄膜の
一部を変形、変質ないし破壊して高抵抗にすることによ
り行う方法があり、これを「通電フォーミング処理」と
称する。この方法により電子放出特性の良い電子放出部
を形成するためには、上記導電性薄膜は導電性微粒子に
より構成されたものであることが好ましい。その材質と
しては、例えばＰｄＯ微粒子が挙げられる。通電フォー
ミング処理において印加される電圧は、パルス電圧が好
ましく、図１２（ａ）に示す様な波高値が一定のパルス
を印加する方法、あるいは図１２（ｂ）に示すような、
波高値が漸増するパルスを印加する方法のいずれも適用
できる。[0004] The structure and characteristics of the surface conduction electron-emitting device,
Since the configuration of the electron source using this is described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235255,
A brief description will be given. FIGS. 5A and 5B show an example of the configuration of a surface conduction electron-emitting device. Reference numeral 1 denotes a base, reference numerals 2 and 3 denote a pair of device electrodes, and reference numeral 4 denotes a conductive thin film having an electron emitting portion 5 in a part thereof. As a method for forming the electron-emitting portion, there is a method in which a voltage is applied between the pair of element electrodes to deform, alter, or break a part of the conductive thin film to have high resistance. This is referred to as “energization forming processing”. In order to form an electron emission portion having good electron emission characteristics by this method, it is preferable that the conductive thin film is formed of conductive fine particles. Examples of the material include PdO fine particles. The voltage applied in the energization forming process is preferably a pulse voltage, a method of applying a pulse having a constant peak value as shown in FIG. 12A, or a method as shown in FIG.
Any method of applying a pulse whose peak value gradually increases can be applied.

【０００５】素子電極と導電性薄膜を形成するには、一
般的な真空蒸着技術やガスデポジション法、フォトリソ
グラフィ技術により形成できるが、素子電極や導電性薄
膜の構成元素を含む化合物（例えば有機金属化合物）の
溶液を塗布し、これを熱処理などによって所望の素子電
極や導電性薄膜とする方法も真空装置を必要とせず、製
造コストが安く、大型の電子源を形成するのに適用しや
すい、等の理由から望ましい方法である。また、上記有
機金属化合物の溶液を塗布する方法としてはインクジェ
ット装置を用いて必要な部分のみに塗布する方法が、素
子電極や導電性薄膜のパターニングのための余分な工程
を必要としないため、一層望ましいものである。A device electrode and a conductive thin film can be formed by a general vacuum deposition technique, a gas deposition method, or a photolithography technique. A method of applying a solution of (metal compound) and forming it into a desired device electrode or conductive thin film by heat treatment or the like does not require a vacuum device, is low in manufacturing cost, and is easily applicable to forming a large electron source. This is a desirable method for such reasons. Further, as a method of applying the solution of the organometallic compound, a method of applying only a necessary portion using an ink jet device does not require an extra step for patterning an element electrode or a conductive thin film. It is desirable.

【０００６】電子放出部を形成した後、有機物質を含む
適当な雰囲気中で、素子電極間にパルス電圧を印加する
ことにより（これを「活性化処理」と呼ぶ）、電子放出
部とその近傍に炭素を主成分とする堆積膜が形成され、
素子に流れる電流が増大し、電子放出特性も向上する。After the formation of the electron-emitting portion, a pulse voltage is applied between the device electrodes in an appropriate atmosphere containing an organic substance (this is referred to as an “activation process”), whereby the electron-emitting portion and its vicinity are formed. A deposited film containing carbon as a main component is formed,
The current flowing through the device increases, and the electron emission characteristics also improve.

【０００７】次いで、好ましくは「安定化処理」と呼ば
れる工程を行なう。これは、真空容器や電子放出素子を
加熱しながら排気を続けることにより、有機物質などを
十分に除去し、電子放出素子の特性を劣化させる処理で
ある。Next, a step called "stabilization treatment" is preferably performed. This is a process in which the evacuation is continued while heating the vacuum container and the electron-emitting device, thereby sufficiently removing organic substances and the like and deteriorating the characteristics of the electron-emitting device.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本出願人らは特開平８
−１７１８５０号公報で表面伝導型電子放出素子及びそ
れを有する電子源基板、画像形成装置、及びそれらの製
造方法として金属含有溶液を液滴の状態で基板上に付与
して電子放出部を形成することを検討している。その結
果、以下の問題点を見いだした。SUMMARY OF THE INVENTION The present applicants disclose Japanese Patent Application Laid-Open
JP-A-171850 discloses a surface-conduction electron-emitting device, an electron source substrate having the same, an image forming apparatus, and a method of manufacturing the same, in which a metal-containing solution is applied to the substrate in the form of droplets to form an electron-emitting portion. I'm considering that. As a result, the following problems were found.

【０００９】特開平８−１７１８５０号公報に記載の従
来のインクジェット方式では、図１５のような単一ヘッ
ドで単一ノズルで直接液滴付与するものであり、基板が
より大面積化していった際、一枚の基板を描画するのに
非常に多くの時間を要し、スループットを上げるのには
限界があった。In the conventional ink jet system described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-171850, droplets are directly applied by a single nozzle with a single head as shown in FIG. 15, and the substrate becomes larger in area. In this case, it takes a very long time to draw one substrate, and there is a limit in increasing the throughput.

【００１０】そこで、本発明は、複数の表面伝導型電子
放出素子を有する大面積の電子源基板において素子部の
導電性薄膜をインクジェット液滴付与方法を用いる場合
の導電性薄膜の均一性を向上させ、しかも従来装置の駆
動系を大きく変えることなくインクジェット方式の改善
を図るもので、電子源およびそれを有する画像形成装置
に対し均一性に優れ、低コストでかつ容易な製造方法を
提供することを課題としている。Therefore, the present invention improves the uniformity of the conductive thin film when the conductive thin film of the element portion is applied to the large-area electron source substrate having a plurality of surface conduction electron-emitting devices by using the ink jet droplet applying method. An object of the present invention is to improve the ink jet system without largely changing the drive system of the conventional apparatus, and to provide an electron source and an image forming apparatus having the same with excellent uniformity, low cost, and an easy manufacturing method. Is an issue.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、基板上に一対の対向する素子電極を設
け、前記素子電極間に導電性物質を含む導電性液滴を付
与し、前記導電性液滴を加熱することにより導電性薄膜
を形成し、前記導電性薄膜の一部をフォーミング処理し
て電子放出部となした電子放出素子を２次元配列した電
子源基板の製造方法であって、前記導電性液滴を付与す
る際には、M個×N個の２次元配列されたノズルを備えた
インクジェット装置を用い、前記ノズルの中からｍ個×
ｎ個（ｍ≦M、ｎ≦N）のノズルを選択して、ｍ個所×ｎ
個所に同時に前記導電性液滴を付与するようにしてい
る。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method in which a pair of opposing element electrodes are provided on a substrate, and a conductive droplet containing a conductive substance is applied between the element electrodes. A method of manufacturing an electron source substrate in which a conductive thin film is formed by heating the conductive liquid droplets, and a part of the conductive thin film is subjected to a forming process to form an electron emitting element in a two-dimensional array. When applying the conductive droplets, using an inkjet apparatus having M × N two-dimensionally arranged nozzles, m × × from the nozzles
Select n (m ≦ M, n ≦ N) nozzles and select m locations × n
The conductive droplets are simultaneously applied to the locations.

【００１２】又、本発明の画像形成装置の製造方法にお
いては、上述のように電子源基板を製造し、更に、その
電子源基板を搭載した画像形成装置を製造している。In the method of manufacturing an image forming apparatus according to the present invention, an electron source substrate is manufactured as described above, and an image forming apparatus having the electron source substrate mounted thereon is manufactured.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００１４】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の特徴を最
もよく表す図であり、５ノズル×１３ノズル計６５ノズ
ルを有する一つのインクジェットヘッド中の３ノズル×
３ノズルの計９ノズルを用いた電子源基板の素子の製造
方法を示す模式図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）の拡大
図であり、インクジェットヘッドと素子電極部と液滴の
位置関係を示した概略図で、図２は本発明の製造方法に
より作製される表面伝導性電子放出素子の一例を示す図
である。図１の方法は、電子放出素子領域を、個々の素
子電極のピッチに対応したインクジェットヘッドの複数
のノズルにより導電性薄膜材料を含む液滴を付与するも
のである。FIGS. 1 (a) and 1 (b) best illustrate the features of the present invention, in which three nozzles in one ink jet head having 5 nozzles × 13 nozzles and 65 nozzles in total.
FIG. 1B is a schematic view showing a method of manufacturing an element on an electron source substrate using a total of 9 nozzles of 3 nozzles. FIG. 1B is an enlarged view of FIG. FIG. 2 is a view showing one example of a surface conduction electron-emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention. In the method of FIG. 1, a droplet containing a conductive thin film material is applied to an electron-emitting device region by a plurality of nozzles of an ink jet head corresponding to the pitch of individual device electrodes.

【００１５】また、図３、４は塗布の際のインクジェッ
トヘッドと基板との相対移動を説明する概略図である。FIGS. 3 and 4 are schematic views for explaining the relative movement between the ink jet head and the substrate during coating.

【００１６】図１乃至図４において、１は基板、２、３
は素子電極、４は導電性薄膜、５は電子放出部、８は液
滴、９はインクジェット装置である。1 to 4, reference numeral 1 denotes a substrate, 2, 3
Is an element electrode, 4 is a conductive thin film, 5 is an electron emitting portion, 8 is a droplet, and 9 is an ink jet device.

【００１７】インクジェット装置９としては、任意の液
滴を形成できる装置であればどのような装置でもかまわ
ないが、特に十数ｎｇから数十ｎｇ程度の範囲で制御が
可能で、且つ数十ｎｇ程度以上の微少量の液滴が容易に
形成できるインクジェット方式の装置がよい。また、液
滴の材料としては、液滴が形成できる状態であればどの
ような状態でもかまわないが、水、溶剤等に前述の金属
等を分散、溶解した、溶液、有機金属溶液等がある。As the ink jet device 9, any device can be used as long as it can form an arbitrary droplet. In particular, the device can be controlled in a range of about several tens to several tens of ng, and several tens of ng can be controlled. It is preferable to use an ink-jet type apparatus which can easily form a very small amount of liquid droplets of a degree or more. The material of the droplet may be in any state as long as the droplet can be formed, and examples thereof include a solution in which the above-described metal or the like is dispersed and dissolved in water, a solvent, or the like, an organic metal solution, or the like. .

【００１８】インクジェット装置について簡単に説明す
る。インクジェット装置のインクを吐出する方式には大
きく分けて２つの種類がある。第一の方法は、ノズルに
配設されたピエゾ素子の収縮圧力により液体の液滴を吐
出する方法で、ピエゾジェット方式と呼ぶ。第二の方法
は発熱抵抗体により液体を加熱発泡させ、これにより液
滴を吐出する方法で、バブルジェット方式と呼ぶ。The ink jet device will be briefly described. There are roughly two types of methods for ejecting ink in an ink jet device. The first method is a method of discharging liquid droplets by the contraction pressure of a piezo element provided in a nozzle, and is called a piezo jet method. The second method is a method in which a liquid is heated and bubbled by a heating resistor, thereby discharging droplets, and is called a bubble jet method.

【００１９】上記２種類のインクジェット装置の構造の
一例を、図６および図７に模式的に示す。図６はピエゾ
ジェット方式によるインクジェット装置を示し、２１は
ガラス製第１ノズル、２２はガラス製第２ノズル、２３
は円筒型ピエゾ、２５，２６は吐出する液体、例えば有
機金属化合物の溶液、の供給チューブ、２７は電気信号
入力端子をそれぞれ示す。該電気信号入力端子に所定の
電圧を印加することにより、上記円筒形ピエゾが収縮
し、液体を液滴として吐出させるものである。FIGS. 6 and 7 schematically show an example of the structure of the above two types of ink jet devices. FIG. 6 shows an ink jet apparatus using a piezo jet method, 21 is a first glass nozzle, 22 is a second glass nozzle, and 23 is a glass nozzle.
Is a cylindrical piezo, 25 and 26 are supply tubes for a liquid to be discharged, for example, a solution of an organic metal compound, and 27 is an electric signal input terminal. When a predetermined voltage is applied to the electric signal input terminal, the cylindrical piezo contracts, and the liquid is ejected as droplets.

【００２０】図７はバブルジェット方式によりインクジ
ェット装置を示すもので、３１は基板、３２は発熱抵抗
体、３３は支持板、３４は液体流路、３５は第１ノズ
ル、３６は第２ノズル、３７はインク流路隔壁、３８、
３９は所定の液体を内部に有する液体室、３１０、３１
１は液体供給口、３１２は天井板である。上記発熱抵抗
体が発熱して、液体が発泡し、これによりノズルから液
滴が吐出される。FIG. 7 shows an ink jet apparatus using a bubble jet method, wherein 31 is a substrate, 32 is a heating resistor, 33 is a support plate, 34 is a liquid flow path, 35 is a first nozzle, 36 is a second nozzle, 37 is an ink flow path partition, 38,
Reference numeral 39 denotes a liquid chamber having a predetermined liquid therein, 310, 31
1 is a liquid supply port and 312 is a ceiling plate. The heating resistor generates heat, and the liquid foams, whereby droplets are ejected from the nozzle.

【００２１】なお、本発明では、４つ（２×２）以上の
ノズルを有するインクジェット装置を用いるが、上記の
例では、簡単のために、いずれもノズルは２本のみ示し
た図で説明した。In the present invention, an ink jet apparatus having four (2 × 2) or more nozzles is used. However, in the above example, for simplicity, each of the drawings has been described with only two nozzles. .

【００２２】上述のようなインクジェット装置を用い、
所定の位置にのみ有機金属化合物の溶液を液滴として付
与し乾燥させた後、加熱処理により該有機金属化合物を
熱分解することにより、金属あるいは金属酸化物などの
導電膜が形成される。Using the ink jet device as described above,
After applying a solution of the organometallic compound as droplets only at predetermined positions and drying the solution, the organic metal compound is thermally decomposed by heat treatment to form a conductive film such as a metal or a metal oxide.

【００２３】図１乃至図３を用いて電子源基板の作製方
法を順次説明する。A method for manufacturing an electron source substrate will be sequentially described with reference to FIGS.

【００２４】図１（ａ）において、６はステージで、そ
の上に導電性薄膜が形成される前の電子源基板１があ
る。ここで、１０は電子放出素子領域であり、この部分
とインクジェットヘッドの駆動領域が対応している。ま
た、ヘッドと素子部の一部を拡大表示した図１（ｂ）に
おいて、ノズル座標（１，３）（１，６）（１，９）
（３，３）（３，６）（３，９）（５，３）（５，６）
（５，９）の９ノズルが９個の素子電極２，３の形成す
る導電性薄膜４の塗布する場所すなわち素子電極のピッ
チにそれぞれ対応している。In FIG. 1A, reference numeral 6 denotes a stage on which an electron source substrate 1 before a conductive thin film is formed. Here, reference numeral 10 denotes an electron-emitting device region, and this portion corresponds to a driving region of the inkjet head. In FIG. 1B in which the head and a part of the element portion are enlarged and displayed, the nozzle coordinates (1, 3), (1, 6), (1, 9)
(3,3) (3,6) (3,9) (5,3) (5,6)
The nine nozzles (5, 9) correspond to the location where the conductive thin film 4 formed by the nine element electrodes 2 and 3 is applied, that is, the pitch of the element electrodes.

【００２５】また、同一素子に複数回液滴を付与する際
には、液滴付与時の温度、湿度、および付与する溶液の
溶媒組成によって決まる時間間隔以上の間隔をとること
が可能なようにすることが好ましい。When a droplet is applied to the same element a plurality of times, an interval longer than a time interval determined by the temperature and humidity at the time of applying the droplet and the solvent composition of a solution to be applied can be set. Is preferred.

【００２６】次に電子源基板の作製手順について述べ
る。Next, a procedure for manufacturing the electron source substrate will be described.

【００２７】まず、絶縁性基板１を有機溶剤等で充分洗
浄し乾燥させた後、真空蒸着技術およびフォトリソグラ
フィ技術を用いて基板１上に素子電極２，３を形成する
（図２（ａ））。First, after the insulating substrate 1 is sufficiently washed with an organic solvent or the like and dried, the device electrodes 2 and 3 are formed on the substrate 1 by using a vacuum deposition technique and a photolithography technique (FIG. 2A). ).

【００２８】次に、インクジェット装置９を用いて、液
滴８を、素子電極２，３のギャップ部に塗布する（図２
（ｂ））。塗布した液滴を３５０℃の温度で、１０分間
焼成することで導電性薄膜を形成する（図２（ｃ））。Next, the droplets 8 are applied to the gaps between the device electrodes 2 and 3 using the ink jet device 9 (FIG. 2).
(B)). The applied droplet is baked at 350 ° C. for 10 minutes to form a conductive thin film (FIG. 2C).

【００２９】そして、前述のフォーミング処理により電
子放出部５を形成する（図２（ｄ））。Then, the electron-emitting portion 5 is formed by the above-described forming process (FIG. 2D).

【００３０】液滴８の材料には、導電性薄膜となる元素
或いは化合物を含有する水溶液、有機溶剤等を用いるこ
とができる。例えば、導電性薄膜となる元素或いは化合
物がパラジウム系の例を以下に示すと、酢酸パラジウム
−エタノールアミン錯体（ＰＡ−ＭＥ）、酢酸パラジウ
ム−ジエタノールアミン錯体（ＰＡ−ＤＥ）、酢酸パラ
ジウム−トリエタノールアミン錯体（ＰＡ−ＴＥ）、酢
酸パラジウム−ブチルエタノールアミン錯体（ＰＡ−Ｂ
Ｅ）、酢酸パラジウム−ジメチルエタノールアミン錯体
（ＰＡ−ＤＭＥ）等のエタノールアミン系錯体を含んだ
水溶液、また、パラジウム−グリシン錯体（Ｐｄ−Ｇｌ
ｙ）、パラジウム−β−アラニン錯体（Ｐｄ−β−Ａｌ
ａ）、パラジウム−ＤＬ−アラニン錯体（Ｐｄ−ＤＬ−
Ａｌａ）等のアミノ酸系錯体を含んだ水溶液、さらに
は、酢酸パラジウム・ビス・ジ・プロピルアミン錯体の
酢酸ブチル溶液等が挙げられる。As a material of the droplet 8, an aqueous solution, an organic solvent or the like containing an element or a compound which becomes a conductive thin film can be used. For example, a palladium-based element or compound as a conductive thin film is described below. Palladium acetate-ethanolamine complex (PA-ME), palladium acetate-diethanolamine complex (PA-DE), palladium acetate-triethanolamine Complex (PA-TE), palladium acetate-butylethanolamine complex (PA-B
E), an aqueous solution containing an ethanolamine complex such as a palladium acetate-dimethylethanolamine complex (PA-DME), or a palladium-glycine complex (Pd-Gl)
y), a palladium-β-alanine complex (Pd-β-Al
a), a palladium-DL-alanine complex (Pd-DL-
An aqueous solution containing an amino acid-based complex such as Ala), and a butyl acetate solution of a palladium acetate-bis-di-propylamine complex are also included.

【００３１】[0031]

【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに説明す
る。The present invention will be further described below with reference to examples.

【００３２】［実施例１−１］本実施例の電子源の製造
方法を、図１（ａ），（ｂ）、図３および図９（ａ）〜
（ｆ）を用いて以下に工程を追って説明する。図８に本
実施例の製造方法により作製される表面伝導型電子放出
素子の一例を示し、図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′断面図をそれぞれ示す。[Embodiment 1-1] FIGS. 1 (a) and 1 (b), FIG. 3 and FIGS.
Steps will be described below using (f). 8A and 8B show an example of a surface conduction electron-emitting device manufactured by the manufacturing method of this embodiment. FIG. 8A is a plan view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG. Shown respectively.

【００３３】（工程ａ）洗浄した青板ガラス上に、Ｓｉ
Ｏ₂ をスパッタリング法により０．５μｍ成膜して、こ
れを基板１としている。基板上にフォトレジスト（ＡＺ
１３７０；ヘキスト社製）をスピンナーにより塗布して
レジスト層を形成し、露光、現像を行なって素子電極の
形状に開口を設ける。続いてＴｉを５ｎｍ、Ｐｔを５０
ｎｍスパッタリング法により堆積したのち、有機溶剤に
より上記レジスト層を除去、リフトオフにより、素子電
極５１，５２を形成する（図９（ａ））。(Step a) Si on the washed blue sheet glass
O ₂ was deposited to a thickness of 0.5 μm by a sputtering method, and this was used as a substrate 1. Photoresist (AZ
1370; manufactured by Hoechst Co.) is applied by a spinner to form a resist layer, and exposure and development are performed to provide an opening in the shape of the device electrode. Subsequently, 5 nm of Ti and 50 Pt of
After deposition by the nm sputtering method, the resist layer is removed with an organic solvent, and the device electrodes 51 and 52 are formed by lift-off (FIG. 9A).

【００３４】（工程ｂ）Ａｇペーストを所定の形状にス
クリーン印刷し、これを加熱焼成してＹ方向配線５３を
形成する。なお、Ｙ方向配線の厚みは約２０μｍ、幅は
１００μｍとした（図９（ｂ））。(Step b) The Ag paste is screen-printed in a predetermined shape, and is heated and fired to form the Y-directional wiring 53. Note that the thickness of the Y-direction wiring was about 20 μm, and the width was 100 μm (FIG. 9B).

【００３５】このとき、Ｙ方向配線５３と素子電極５１
と接続する。At this time, the Y-direction wiring 53 and the device electrode 51
Connect with

【００３６】（工程ｃ）ガラスペーストを所定の形状に
印刷し、これを加熱焼成して、層間絶縁層５４を形成す
る。層間絶縁層の幅は約２５０μｍで厚さはＹ方向配線
と重なる部分で２０μｍ、他の部分で３５μｍとなるよ
うにした（図９（ｃ））。(Step c) A glass paste is printed in a predetermined shape, and this is heated and baked to form an interlayer insulating layer 54. The width of the interlayer insulating layer was about 250 μm, and the thickness was 20 μm in a portion overlapping the Y-direction wiring and 35 μm in other portions (FIG. 9C).

【００３７】（工程ｄ）続いて、上記層間絶縁層５４の
上にＡｇペーストを印刷し、これを加熱焼成してＸ方向
配線５５を形成した。なお、Ｘ方向配線の幅は約２００
μｍ、厚さは１５μｍとした（図９（ｄ））。このと
き、Ｘ方向配線５５と素子電極５２と接続する。(Step d) Subsequently, an Ag paste was printed on the interlayer insulating layer 54 and heated and fired to form an X-directional wiring 55. The width of the X-direction wiring is about 200
μm and a thickness of 15 μm (FIG. 9D). At this time, the X-direction wiring 55 and the element electrode 52 are connected.

【００３８】（工程ｅ）続いて、バブルジェット方式の
インクジェット装置を用い、Ｘ方向の素子電極ピッチ３
５０μｍ、Ｙ方向の素子電極ピッチ２７０μｍに対応す
るインクジェット装置のノズル座標（１，３）（１，
６）（１，９）（３，３）（３，６）（３，９）（５，
３）（５，６）（５，９）の９ノズルにより有機パラジ
ウムのエタノールアミン錯体の溶液を液滴として９個の
素子電極間に同時に付与し導電性薄膜５６の前駆体とな
る膜を形成する。上記前駆体膜は略円形でその直径はお
よそ４０μｍである。続いて、３５０℃、１０分間の熱
処理を施し、上記前駆体膜をＰｄＯ微粒子よりなる導電
性薄膜５６に変化させた。変化した導電性薄膜の膜厚は
およそ１５ｎｍ程度、微粒子の粒径は１０ｎｍ程度とな
る（図９（ｅ））。なお、ここで使用したインクジェッ
ト装置は図７に示したものと同様の構造である。(Step e) Subsequently, the device electrode pitch in the X direction is set to 3 using a bubble jet type ink jet apparatus.
Nozzle coordinates (1,3) (1,1) of the inkjet apparatus corresponding to 50 μm and a device electrode pitch of 270 μm in the Y direction.
6) (1,9) (3,3) (3,6) (3,9) (5
3) A solution of an organopalladium ethanolamine complex is simultaneously applied as droplets between the nine device electrodes by the nine nozzles (5, 6) and (5, 9) to form a film that becomes a precursor of the conductive thin film 56. I do. The precursor film is substantially circular and has a diameter of about 40 μm. Subsequently, a heat treatment was performed at 350 ° C. for 10 minutes to change the precursor film into a conductive thin film 56 made of PdO fine particles. The thickness of the changed conductive thin film is about 15 nm, and the particle diameter of the fine particles is about 10 nm (FIG. 9E). The ink jet device used here has the same structure as that shown in FIG.

【００３９】また、図３に示すように、素子部の右上に
あるヘッドがＸ方向１１、Ｙ方向１２に基板６１と相対
移動することにより電子放出素子領域１０の各素子部に
液滴を付与する。（図３−（ａ））この際の駆動Ｘ、Ｙ
の駆動ストロークは、図３−（ｂ）の１３、１４に示さ
れている。また、この駆動は基板側のステージを駆動す
る方法で行った。Further, as shown in FIG. 3, the head on the upper right of the element section moves relative to the substrate 61 in the X direction 11 and the Y direction 12 to apply droplets to each element section in the electron emission element region 10. I do. (FIG. 3- (a)) Drive X, Y at this time
Are shown in FIGS. 13 and 14 in FIG. This driving was performed by a method of driving a stage on the substrate side.

【００４０】（工程ｆ）ここまでの工程で作成した電子
放出基板（その間に前記の導電性薄膜が形成されている
一対の素子電極が複数配置された基板）を用い、図１０
に模式的に示す構成の画像形成装置を形成した。すなわ
ち、前記電子源基板６１をフリットガラスによりリアプ
レート６２上に固定し、その後、電子源基板６１の５ｍ
ｍ上方にフェースプレート６３（ガラス基板６４の内面
に蛍光膜６５とメタルバック６６が形成されて構成され
る）を支持枠６７を介して配置し、フェースプレート６
３、支持枠６７、リアプレート６２の接続部フリットガ
ラスを塗布し、大気中で４００℃、１０分間焼成するこ
とで封着した。図１０において、６８は電子放出素子、
６９、７０はそれぞれＸ方向およびＹ方向の素子配線で
ある。(Step f) Using the electron-emitting substrate prepared in the steps up to this point (a substrate on which a pair of device electrodes on which the conductive thin film is formed) is arranged as shown in FIG.
An image forming apparatus having the structure schematically shown in FIG. That is, the electron source substrate 61 is fixed on the rear plate 62 with frit glass.
m, a face plate 63 (formed by forming a fluorescent film 65 and a metal back 66 on the inner surface of a glass substrate 64) is disposed via a support frame 67.
3. A connection frit glass between the support frame 67 and the rear plate 62 was applied and sealed by baking in air at 400 ° C. for 10 minutes. 10, 68 is an electron-emitting device,
Reference numerals 69 and 70 denote element wires in the X and Y directions, respectively.

【００４１】蛍光膜６５はモノクロームの場合は蛍光体
のみから成るが、本実施例では蛍光体はストライプ形状
を採用し、先にブラックストライプを形成し、その間隔
部に各色蛍光体を塗布し、蛍光膜６５を作製した。構成
することができる。ブラックストライプの材料として通
常良く用いられている黒鉛を主成分とする材料を用い
た。ガラス基板６４に蛍光体を塗布する方法はスラリー
法を用いた。The fluorescent film 65 is made of only a phosphor in the case of monochrome, but in this embodiment, the phosphor is formed in a stripe shape, a black stripe is formed first, and each color phosphor is applied to a space between the stripes. The fluorescent film 65 was produced. Can be configured. As the material for the black stripe, a material mainly containing graphite, which is generally used, was used. A slurry method was used to apply the phosphor to the glass substrate 64.

【００４２】また蛍光膜６５の内面側には通常メタルバ
ック６６が設けられる。メタルバックは、蛍光膜作製
後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィル
ミング」と呼ばれる。）を行い、その後Ａｌを真空蒸着
することで作製した。A metal back 66 is usually provided on the inner surface side of the fluorescent film 65. The metal back was manufactured by performing a smoothing process (usually called “filming”) on the inner surface of the fluorescent film after the fluorescent film was formed, and then performing vacuum deposition of Al.

【００４３】フェースプレート６３には、さらに蛍光膜
６５の導電性を高めるため蛍光膜６５の外面側に透明電
極が設けられている場合もあるが、本実施例ではメタル
バックのみで十分な導電性が得られたので省略した。In some cases, the face plate 63 is provided with a transparent electrode on the outer surface side of the fluorescent film 65 in order to further increase the conductivity of the fluorescent film 65. Was omitted because it was obtained.

【００４４】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め十分な位置合わせを行なった。At the time of performing the above-mentioned sealing, in the case of a color, sufficient alignment was performed because the phosphors of each color and the electron-emitting devices had to correspond to each other.

【００４５】なお、電子源基板の周辺に、不図示のゲッ
タを配置した。A getter (not shown) was arranged around the electron source substrate.

【００４６】（工程ｇ）以上のように完成したガラス容
器（以下「外囲器」と呼ぶ）内を排気管（図示せず）を
通じ真空ポンプにて１０^-4Ｐａ程度の圧力まで排気し、
後述のフォーミング処理により、前記複数の導電性膜の
各々に電子放出部を形成した（図９（ｆ））。即ち、フ
ォーミング処理は、図１１に示すようにＹ方向の配線を
共通電極７３に接続し、Ｘ方向の配線を１ラインづつ通
電処理することにより行い、前記の複数の導電性薄膜に
それぞれ電子放出部を形成した。７１がＸ方向配線、７
２がＹ方向配線、７８が電子放出素子と配線を接続する
導電性薄膜であり、このＹ方向配線７２は共通電極７３
を介してグランドに接続されている。Ｘ方向配線、Ｙ方
向配線の各交点に対応して、電子放出素子７４が一つづ
つ配置され、導電性薄膜７８で接続されている。７５は
パルス発生器で、正極はＸ方向配線の一つに接続されて
おり、負極は電流測定用抵抗７６を介してグランドに接
続されている。７７はパルス電流をモニターするための
オシロスコープである。前記フォーミング処理に用いた
電圧波形は、図１２（ｂ）に示されるものである。(Step g) The inside of the glass container (hereinafter referred to as “envelope”) completed as described above is evacuated to a pressure of about 10 ⁻⁴ Pa by a vacuum pump through an exhaust pipe (not shown).
An electron emission portion was formed on each of the plurality of conductive films by a forming process described later (FIG. 9F). That is, the forming process is performed by connecting the wiring in the Y-direction to the common electrode 73 and conducting the current in the wiring in the X-direction one line at a time as shown in FIG. Part was formed. 71 is the X direction wiring, 7
Reference numeral 2 denotes a Y-directional wiring, reference numeral 78 denotes a conductive thin film connecting the electron-emitting device and the wiring, and the Y-directional wiring 72
Connected to the ground via The electron-emitting devices 74 are arranged one by one corresponding to the intersections of the X-direction wiring and the Y-direction wiring, and are connected by a conductive thin film 78. A pulse generator 75 has a positive electrode connected to one of the X-direction wirings and a negative electrode connected to the ground via a current measuring resistor 76. Reference numeral 77 denotes an oscilloscope for monitoring a pulse current. The voltage waveform used for the forming process is shown in FIG.

【００４７】図１２（ｂ）中、Ｔ１およびＴ２は電圧波
形のパルス幅とパルス間隔であり、本実施例では、Ｔ１
＝１ｍｓｅｃ、Ｔ２＝１０ｍｓｅｃ．とし、三角波の波
高値（フォーミング時のピーク電圧）は０．１Ｖステッ
プでアップさせフォーミング処理を行った。また、フォ
ーミング用パルスの休止期間中に抵抗測定用パルスを挿
入して、抵抗の測定を終了した。この測定値が１素子あ
たり１００ｋΩ以上になった時フォーミング処理を終了
した。In FIG. 12B, T1 and T2 are the pulse width and the pulse interval of the voltage waveform.
= 1 msec, T2 = 10 msec. The peak value (peak voltage at the time of forming) of the triangular wave was increased in steps of 0.1 V, and the forming process was performed. The resistance measurement pulse was inserted during the pause of the forming pulse, and the resistance measurement was completed. When the measured value became 100 kΩ or more per element, the forming process was terminated.

【００４８】（工程ｈ）続いて、外囲器内にアセトンを
導入し、圧力を１．３×１０^-2Ｐａとし、工程ｈと同様
にパルス電圧を印加して前述の活性化処理を行った。印
加したパルスは波高値１８Ｖの矩形波パルスとした。(Step h) Subsequently, acetone is introduced into the envelope, the pressure is set to 1.3 × 10 ⁻² Pa, and a pulse voltage is applied in the same manner as in Step h to perform the above-described activation treatment. Was. The applied pulse was a rectangular wave pulse having a peak value of 18V.

【００４９】（工程ｉ）この後、外囲器全体を２００℃
に保持しながら１０時間以上排気を続け、圧力を１．３
×１０^-6Ｐａまで下げ、マトリクス駆動により表示機能
が正常に働くことを確認してから、不図示の排気管をガ
スバーナーで熱することで溶着し外囲器の封止を行っ
た。そして最後に高周波加熱によりゲッタ処理を行っ
た。(Step i) Thereafter, the entire envelope is heated to 200 ° C.
The pressure was maintained at 1.3 for 10 hours or more.
The pressure was lowered to × 10 ^-6 Pa, and it was confirmed that the display function was working properly by matrix driving. Then, the exhaust pipe (not shown) was heated by a gas burner and welded to seal the envelope. Finally, gettering was performed by high-frequency heating.

【００５０】以上のように作成された画像形成装置は、
画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラツキもないものであ
った。The image forming apparatus created as described above is
There were no defects in the image and no noticeable luminance variation.

【００５１】［実施例１−２］本実施例は、前述の実施
例１−１と比べて、複数の電子放出素子の配線方法が異
なっている。本実施例は、以下に述べるはしご型配線の
例を示すものである。[Embodiment 1-2] This embodiment is different from Embodiment 1-1 in the wiring method of a plurality of electron-emitting devices. The present embodiment shows an example of a ladder type wiring described below.

【００５２】本実施例においては、図１３に示すよう
に、その間、実施例１−１と同様の方法にて作成された
導電性薄膜９４を有する一対の素子電極９２，９３が接
続された一対の配線９５ａ，９５ｂを複数ライン有する
基板９１を図１４のように、電子通過口９７を有するグ
リッド電極９６を備える外囲器内に配置し、実施例１−
１と同様の方法にて画像形成装置とした。本実施例にお
いても実施例１−１と同様の効果を得ることができる。
なお、図１４において、図１０と同じ符号を付した部材
は図１０と同じ部材であることを意味する。In this embodiment, as shown in FIG. 13, a pair of device electrodes 92 and 93 having a conductive thin film 94 formed in the same manner as in Embodiment 1-1 are connected to each other. A substrate 91 having a plurality of lines 95a and 95b is disposed in an envelope provided with a grid electrode 96 having an electron passage 97 as shown in FIG.
An image forming apparatus was obtained in the same manner as in Example 1. In this embodiment, the same effects as those of Embodiment 1-1 can be obtained.
In FIG. 14, members denoted by the same reference numerals as those in FIG. 10 mean the same members as those in FIG.

【００５３】［実施例２］本実施例は、次の点を除いて
上記実施例１−１と同様の製造方法に関するものであ
る。実施例１−１の工程ｆにおいて、液滴の付与に用い
たインクジェット装置はバブルジェット方式のものであ
るが、この代わりに、本実施例では、ピエゾジェット方
式のものを用いた。なお、このピエゾジェット方式のイ
ンクジェット装置の構成は、図６に示したものと同様で
ある。付与した液滴は、有機溶剤系の酢酸パラジウム・
ビス・ジ・プロピルアミン錯体の酢酸ブチル溶液で金属
含有率が２ｗｔ％となるように水に溶解した溶液を用い
た。この結果作成された画像形成装置は、実施例１−１
と同様に画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラツキもない
ものであった。[Embodiment 2] This embodiment relates to a manufacturing method similar to that of Embodiment 1-1 except for the following points. In step f of Example 1-1, the ink jet apparatus used for applying the droplets is of a bubble jet type. Instead of this, a piezo jet type was used in this example. The configuration of the piezo jet type ink jet apparatus is the same as that shown in FIG. The applied droplets are organic solvent-based palladium acetate
A solution prepared by dissolving a bis-dipropylamine complex in water with a butyl acetate solution so that the metal content was 2 wt% was used. The resulting image forming apparatus is described in Example 1-1.
In the same manner as in the above, there was no defect in the image and no noticeable luminance variation.

【００５４】また、１回に付与する液滴量を半分にし、
付与回数を倍にして実施した場合、また、金属含有率を
半分にし、付与回数を倍にして実施した場合も、同様に
画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラツキもない画像形成
装置を作成できた。また、前記実施例１−２で述べたは
しご型配線の電子源に対しても同様の方法を適用するこ
とで、同様の結果が得られる。Also, the amount of droplets applied at one time is halved,
When the number of application times was doubled, or when the metal content was halved and the number of application times was doubled, similarly, an image forming apparatus having no defects in the image and having no noticeable luminance variation could be produced. . The same result can be obtained by applying the same method to the ladder-type wiring electron source described in the embodiment 1-2.

【００５５】［実施例３−１］本実施例のブロセスは、
素子電極のオフセット印刷により、また配線をスクリー
ン印刷により形成するものである。[Embodiment 3-1] The process of this embodiment is as follows.
In this method, the element electrodes are formed by offset printing, and the wirings are formed by screen printing.

【００５６】（工程ａ）洗浄した青板ガラス上に、Ｓｉ
Ｏ₂ をスパッタリング法により０．５μｍ成膜して、こ
れを基板１として用い、この上に、Ｐｔレジネートペー
ストを用いてオフセット印刷により素子電極５１，５２
を形成した。電極間隔は５０μｍとした（図９（ａ）参
照）。(Step a) Si on a washed blue plate glass
O ₂ is formed to a thickness of 0.5 μm by a sputtering method, and this is used as the substrate 1, and the device electrodes 51 and 52 are formed thereon by offset printing using a Pt resinate paste.
Was formed. The electrode spacing was 50 μm (see FIG. 9A).

【００５７】次に、実施例１−１の工程ｂ〜工程ｉと同
様の工程を経て、画像形成装置を作成した。このように
作成された画像形成装置は、画像に欠陥がなく、目立つ
輝度バラツキもないものであった。Next, an image forming apparatus was manufactured through the same steps as steps b to i in Example 1-1. The image forming apparatus thus created has no image defect and no noticeable luminance variation.

【００５８】また、前記実施例１−２で述べたはしご型
配線の電子源に対しても同様の方法を適用することで、
同様の結果が得られる。Further, by applying the same method to the ladder-shaped wiring electron source described in the embodiment 1-2,
Similar results are obtained.

【００５９】［実施例３−２］本実施例は、インクジェ
ット装置として、ピエゾジェット方式の装置を用いたこ
とを除き、前述の実施例３−１と同様の方法で画像形成
装置の作成を行った。その結果、実施例３−１と同様の
効果を得ることができた。[Embodiment 3-2] In this embodiment, an image forming apparatus is prepared in the same manner as in the embodiment 3-1 except that a piezo jet type apparatus is used as the ink jet apparatus. Was. As a result, the same effect as in Example 3-1 was obtained.

【００６０】［実施例４］本実施例は、次の点を除いて
上記実施例１−１と同様の製造方法に関するものであ
る。実施例１−１の工程ｅにおいて、素子１つに対し液
滴の付与に用いたインクジェット装置のノズル１つを用
いて作成したものであるが、液滴の金属含有量を３分の
１で、インクジェット装置のノズル座標（１，３）
（１，６）（１，９）（３，３）（３，６）（３，９）
（５，３）（５，６）（５，９）の９ノズルの内、それ
ぞれノズル座標（１，３）（１，６）（１，９）、ノズ
ル座標（３，３）（３，６）（３，９）、ノズル座標
（５，３）（５，６）（５，９）の３つのノズルで３回
付与し１つの素子を形成する。次に、この時、Ｘ方向の
素子電極ピッチ３５０μｍ、Ｙ方向の素子電極ピッチ２
７０μｍの３倍のピッチで液滴付与し導電性薄膜５６の
前駆体となる膜を形成する。[Embodiment 4] This embodiment relates to a manufacturing method similar to that of Embodiment 1-1 except for the following points. In step e of Example 1-1, one element was formed using one nozzle of an ink jet device used for applying a droplet, but the metal content of the droplet was reduced to one third. , Nozzle coordinates of inkjet device (1, 3)
(1,6) (1,9) (3,3) (3,6) (3,9)
Of the nine nozzles (5, 3) (5, 6) (5, 9), the nozzle coordinates (1, 3) (1, 6) (1, 9) and the nozzle coordinates (3, 3) (3, 6) (3, 9) and three nozzles of nozzle coordinates (5, 3), (5, 6) (5, 9) are applied three times to form one element. Next, at this time, the element electrode pitch in the X direction is 350 μm, and the element electrode pitch in the Y direction is 2 μm.
Droplets are applied at a pitch three times as large as 70 μm to form a film serving as a precursor of the conductive thin film 56.

【００６１】この結果作成された画像形成装置は、実施
例１−１と同様に画像に欠陥がなく、目立つ輝度バラツ
キもないものであった。As a result, the resulting image forming apparatus had no defect in the image and no noticeable luminance variation as in the case of Example 1-1.

【００６２】［実施例５］本実施例は、図４に示したよ
うな、図３の基板のほぼ２倍、電子放出素子領域１０の
寸法はちょうど２倍の電子源基板６１で、この電子放出
素子領域１０を２×２の領域に４等分し、等分割された
各領域に１個ずつ合計４個のインクジェットヘッドが対
応していることを除き、実施例２−１と同様の方法で画
像形成装置の作成を行った。ヘッドと基板との相対移動
は、Ｘ方向１１とＹ方向１２とも駆動速度・駆動距離が
４ヘッドとも同一の相対移動をする。これは、ヘッド駆
動でも基板側ステージ駆動でもどちらでも可能である
が、本実施例の場合はヘッド側を固定し、基板側を駆動
した。（図４−（ａ）） 図４−（ｂ）に示すように、４分割したそれぞれの領域
を各領域に対応したヘッドが塗布を分担しているので、
駆動ストロークは図３−（ｂ）の単一ヘッドの駆動スト
ローク１３、１４と全く同一ストロークで寸法で２倍、
面積で４倍の領域が同一の塗布時間で処理可能である。
しかも、駆動速度もストロークも同じ駆動機構をそのま
ま流用すればよい。[Embodiment 5] In this embodiment, as shown in FIG. 4, the electron source substrate 61 is almost twice as large as the substrate of FIG. A method similar to that of Example 2-1 except that the emission element region 10 is divided into four equal to 2 × 2 regions, and each of the equally divided regions corresponds to a total of four inkjet heads. Then, an image forming apparatus was created. The relative movement between the head and the substrate is the same relative to the four heads in the X direction 11 and the Y direction 12 with the same driving speed and driving distance. This can be done either by driving the head or by driving the stage on the substrate side. In this embodiment, the head side is fixed and the substrate side is driven. (FIG. 4- (a)) As shown in FIG. 4- (b), each of the four divided areas is coated by a head corresponding to each area.
The driving stroke is exactly the same as the driving strokes 13 and 14 of the single head in FIG.
A four-fold area can be processed in the same application time.
In addition, a drive mechanism having the same drive speed and stroke may be used as it is.

【００６３】その結果、実施例２−１と同様の効果を得
ることができた。As a result, the same effect as in Example 2-1 was obtained.

【００６４】また、ヘッド数を増やし、ヘッドと被塗布
基板との相対移動の移動領域を一致させるためにストロ
ークを短くして実施しても結果は同様であった。The same result was obtained even when the number of heads was increased and the stroke was shortened in order to match the movement area of the relative movement between the head and the substrate to be coated.

【００６５】実施例１、２、３、４では、３×３の９ノ
ズルの場合のみを示したが、インクジェットヘッドの総
ノズル数、素子のピッチに応じてＭ×Ｎの任意のノズル
でも実施可能である。In the first, second, third and fourth embodiments, only the case of 3 × 3 9 nozzles has been described. However, the present invention is applicable to any M × N nozzles according to the total number of nozzles of the ink jet head and the element pitch. It is possible.

【００６６】[0066]

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、電子源基
板上における表面伝導型電子放出素子の形成における液
滴付与を従来と同様の駆動機構と処理時間でより多くの
素子への液滴の付与が可能となり、電子源基板及び画像
形成装置の作製工程のスループットが向上し、低価格な
ものが実現可能となる。According to the present invention described above, it is possible to apply droplets in the formation of the surface conduction electron-emitting device on the electron source substrate by using the same drive mechanism and processing time as in the prior art. Can be provided, the throughput of the manufacturing process of the electron source substrate and the image forming apparatus can be improved, and a low-cost one can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の電子源基板の素子の製造方法を示す模
式図。FIG. 1 is a schematic view illustrating a method for manufacturing an element of an electron source substrate according to the present invention.

【図２】本発明の製造方法により作製される表面伝導型
電子放出素子の一例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a surface conduction electron-emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【図３】本発明のインクジェット装置と基板との相対移
動を説明する概略図。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the relative movement between the ink jet device of the present invention and a substrate.

【図４】ノズルと基板の相対移動を説明する概略図。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating relative movement of a nozzle and a substrate.

【図５】本発明の表面伝導型電子放出素子の構成の一例
を示す図。FIG. 5 is a diagram showing an example of the configuration of a surface conduction electron-emitting device of the present invention.

【図６】ピエゾジェット方式のインクジェット装置の構
成を示す模式図。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of a piezo jet type inkjet apparatus.

【図７】バブルジェット方式のインクジェット装置の構
成を示す模式図。FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a configuration of a bubble jet type inkjet device.

【図８】本発明の一実施例に係わる電子源基板を示す模
式的平面図および断面図。FIG. 8 is a schematic plan view and a sectional view showing an electron source substrate according to one embodiment of the present invention.

【図９】本発明の一実施例に係わる電子源基板の製造方
法を示す模式的平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing a method for manufacturing an electron source substrate according to one embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の画像形成装置の構成の一例を示す模
式的な斜視図。FIG. 10 is a schematic perspective view showing an example of the configuration of the image forming apparatus of the present invention.

【図１１】フォーミング工程での配線を説明するための
模式図。FIG. 11 is a schematic diagram for explaining wiring in a forming step.

【図１２】通電フォーミング処理に用いるパルス電圧の
波形を説明するための模式図。FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a waveform of a pulse voltage used in the energization forming process.

【図１３】本発明のはしご型配置の電子源基板の構成を
説明する模式図。FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a configuration of an electron source substrate having a ladder arrangement according to the present invention.

【図１４】はしご型位置の電子源を用いた画像形成装置
の構成を示す模式図。FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus using an electron source at a ladder position.

【図１５】従来のインクジェット方式を示す模式図。FIG. 15 is a schematic view showing a conventional ink jet system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板（基体） ２，３ 素子電極 ４ 導電性薄膜 ５ 電子放出部 ６ ステージ ８ 液滴 ９ インクジェット装置 １０ 電子放出素子領域 ２１ ガラス製第一ノズル ２２ ガラス製第二ノズル ２３ 円筒形ピエゾ ２５，２６ 吐出する液体 ２７ 電気信号入力端子 ３１ 基板 ３２ 発熱抵抗体 ３３ 支持板 ３４ 液体流路 ３５ 第一ノズル ３６ 第二ノズル ３７ インク流路隔壁 ３８，３９ 液体室 ５１，５２ 素子電極 ５３ Ｙ方向配線 ５４ 層間絶縁層 ５５ Ｘ方向配線 ５６ 導電性薄膜 ６１ 電子源基板 ６２ リアプレート ６３ フェースプレート ６４ ガラス基板 ６５ 蛍光膜 ６６ メタルバック ６７ 支持枠 ６８ 電子放出素子 ６９ Ｘ方向素子配線 ７０ Ｙ方向素子配線 ７１ Ｘ方向配線 ７２ Ｙ方向配線 ７３ 共通電極 ７４ 電子放出素子 ７５ パルス発生器 ７６ 電流測定用抵抗 ７７ オシロスコープ ９１ 基板 ９２，９３ 素子電極 ９４ 導電性薄膜 ９５ａ，９５ｂ 配線 ９６ グリッド電極 ９７ 電子通過口 ３１０，３１１ 液体供給口 ３１２ 天井板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate (base) 2, 3 Element electrode 4 Conductive thin film 5 Electron emission part 6 Stage 8 Droplet 9 Ink jet device 10 Electron emission element area 21 First glass nozzle 22 Second glass nozzle 23 Cylindrical piezo 25, 26 Liquid to be discharged 27 Electric signal input terminal 31 Substrate 32 Heating resistor 33 Support plate 34 Liquid flow path 35 First nozzle 36 Second nozzle 37 Ink flow path partition 38, 39 Liquid chamber 51, 52 Element electrode 53 Y direction wiring 54 Layer Insulating layer 55 X direction wiring 56 Conductive thin film 61 Electron source substrate 62 Rear plate 63 Face plate 64 Glass substrate 65 Fluorescent film 66 Metal back 67 Support frame 68 Electron emitting element 69 X direction element wiring 70 Y direction element wiring 71 X direction wiring 72 Y-direction wiring 73 Common electrode 74 Electron-emitting device 75 Pulse generation 76 current measuring resistor 77 an oscilloscope 91 substrate 92, 93 the device electrodes 94 conductive thin films 95a, 95b wiring 96 grid electrode 97 electron passage port 310, 311 the liquid supply port 312 ceiling plate

フロントページの続き (72)発明者 三島 誠治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 三道 和宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内Continued on the front page (72) Inventor Seiji Mishima 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (72) Inventor Kazuhiro Mitomo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. Inside

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に一対の対向する素子電極を設
け、前記素子電極間に導電性物質を含む導電性液滴を付
与し、前記導電性液滴を加熱することにより導電性薄膜
を形成し、前記導電性薄膜の一部をフォーミング処理し
て電子放出部となした電子放出素子を２次元配列した電
子源基板の製造方法であって、 前記導電性液滴を付与する際には、Ｍ個×Ｎ個の２次元
配列されたノズルを備えたインクジェット装置を用い、 前記ノズルの中からｍ個×ｎ個（ｍ≦Ｍ、ｎ≦Ｎ）のノ
ズルを選択して、ｍ個所×ｎ個所に同時に前記導電性液
滴を付与することを特徴とする電子源基板の製造方法。A conductive thin film is formed by providing a pair of opposing element electrodes on a substrate, applying a conductive droplet containing a conductive substance between the element electrodes, and heating the conductive droplet. A method of manufacturing an electron source substrate in which electron-emitting devices that have been formed into electron-emitting portions by forming a part of the conductive thin film are two-dimensionally arranged. Using an inkjet apparatus having M × N two-dimensionally arranged nozzles, m × n (m ≦ M, n ≦ N) nozzles are selected from the nozzles, and m places × n A method for manufacturing an electron source substrate, wherein the conductive droplets are simultaneously applied to locations. 【請求項２】 前記インクジェット装置の移動距離単位
は、前記電子放出素子の２次元配列の配列ピッチとする
ことを特徴とする請求項１記載の電子源基板の製造方
法。2. The method of manufacturing an electron source substrate according to claim 1, wherein a unit of a moving distance of the ink jet device is an array pitch of a two-dimensional array of the electron-emitting devices. 【請求項３】 液体に熱エネルギーを与えて気泡を発生
させることにより液滴を吐出させるインクジェット装置
を用いて、前記導電性液滴を付与することを特徴とする
請求項１記載の電子源基板の製造方法。3. The electron source substrate according to claim 1, wherein the conductive liquid droplets are applied by using an ink jet device that ejects liquid droplets by applying heat energy to the liquid to generate bubbles. Manufacturing method. 【請求項４】 圧電素子により液滴を吐出させるインク
ジェット装置を用いて、前記導電性液滴を付与すること
を特徴とする請求項１記載の電子源基板の製造方法。4. The method for manufacturing an electron source substrate according to claim 1, wherein the conductive droplets are applied by using an ink jet device that discharges droplets by a piezoelectric element. 【請求項５】 前記電子放出素子は、表面伝導型電子放
出素子であることを特徴とする請求項１記載の電子源基
板の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device. 【請求項６】 ２以上の前記インクジェット装置を用い
て、前記導電性液滴を付与することを特徴とする請求項
１記載の電子源基板の製造方法。6. The method for manufacturing an electron source substrate according to claim 1, wherein the conductive droplets are applied using two or more of the inkjet devices. 【請求項７】 基板上に一対の対向する素子電極を設
け、前記素子電極間に導電性物質を含む導電性液滴を付
与し、前記導電性液滴を加熱することにより導電性薄膜
を形成し、前記導電性薄膜の一部をフォーミング処理し
て電子放出部となした電子放出素子を２次元配列した電
子源基板と、前記電子放出素子から放出された電子を受
けて発光する発光体と、外部信号に基づいて前記電子放
出素子に印加する電圧を制御する駆動回路とを備えた画
像形成装置の製造方法であって、 前記導電性液滴を付与する際には、Ｐ個×Ｑ個の２次元
配列されたノズルを備えたインクジェット装置を用い、 前記ノズルの中からｍ個×ｎ個（ｍ≦Ｍ、ｎ≦Ｎ）のノ
ズルを選択して、ｍ個所×ｎ個所に同時に前記導電性液
滴を付与することを特徴とする画像形成装置の製造方
法。7. A conductive thin film is formed by providing a pair of opposing device electrodes on a substrate, applying a conductive droplet containing a conductive substance between the device electrodes, and heating the conductive droplet. An electron source substrate in which two or more electron-emitting devices that form an electron-emitting portion by forming a part of the conductive thin film to form an electron-emitting portion; and a light-emitting body that receives and emits light from the electron-emitting device. A driving circuit for controlling a voltage applied to the electron-emitting device based on an external signal, the method comprising the steps of: M × n (m ≦ M, n ≦ N) nozzles are selected from the nozzles using the inkjet apparatus having the two-dimensionally arranged nozzles, and the conductive material is simultaneously placed at m × n locations. Image forming apparatus for applying ionic liquid droplets Manufacturing method. 【請求項８】 前記インクジェット装置の移動距離単位
は、前記電子放出素子の２次元配列の配列ピッチにを特
徴とする請求項７記載の画像形成装置の製造方法。8. The method of manufacturing an image forming apparatus according to claim 7, wherein a unit of a moving distance of the ink jet device is an arrangement pitch of a two-dimensional arrangement of the electron-emitting devices. 【請求項９】 液体に熱エネルギーを与えて気泡を発生
させることにより液滴を吐出させるインクジェット装置
を用いて、前記導電性液滴を付与することを特徴とする
請求項７記載の画像形成装置の製造方法。9. The image forming apparatus according to claim 7, wherein the conductive liquid droplets are applied by using an ink jet device that ejects liquid droplets by applying heat energy to liquid to generate bubbles. Manufacturing method. 【請求項１０】 圧電素子により液滴を吐出させるイン
クジェット装置を用いて、前記導電性液滴を付与するこ
とを特徴とする請求項７記載の画像形成装置の製造方
法。10. The method of manufacturing an image forming apparatus according to claim 7, wherein the conductive droplets are applied by using an inkjet device that discharges droplets by a piezoelectric element. 【請求項１１】 前記電子放出素子は、表面伝導型電子
放出素子であることを特徴とする請求項７記載の画像形
成装置の製造方法。11. The method according to claim 7, wherein the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device. 【請求項１２】 ２以上の前記インクジェット装置を用
いて、前記導電性液滴を付与することを特徴とする請求
項７記載の画像形成装置の製造方法。12. The method according to claim 7, wherein the conductive droplets are applied using two or more of the inkjet devices.