JP2000003897A

JP2000003897A - 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Info

Publication number: JP2000003897A
Application number: JP16860898A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Kuniyasu; 仁国安
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-06-16
Filing date: 1998-06-16
Publication date: 2000-01-07

Abstract

(57)【要約】【課題】枚葉スピン洗浄における乾燥効果の向上、乾
燥促進に用い溶媒の量の節減を図る。【解決手段】基板２３を洗浄した後、回転させて基板
表面の水滴を振り切り乾燥する基板洗浄方法であって、
乾燥時の基板表面に霧化した溶媒３１を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄方法及び
基板洗浄装置に関する。より詳しくは、基板を回転させ
ながら洗浄し、洗浄後、基板を高速回転させて振り切り
乾燥する基板洗浄方法及び基板洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体基板
（いわゆる半導体ウェーハ）は、製造装置からの汚染、
クリーンルーム大気からの汚染など、製造プロセス中に
さまざまな汚染に暴露される可能性を有している。これ
らの汚染を除去するため、半導体ウェーハは製造プロセ
ス中で洗浄される。

【０００３】従来、半導体ウェーハの洗浄には、バッチ
式多槽洗浄機（ウエットステーション）が用いられてき
た。このバッチ式多槽洗浄機１は、図６に示すように、
アンモニア・過酸化水素混合液（ＳＣ₁）の洗浄槽２、
リンス用の超純水洗浄槽３、塩酸・過酸化水素混合液
（ＳＣ₂）の洗浄槽４、リンス用の超純水洗浄槽５、希
フッ酸液の洗浄槽６、リンス用の超純水洗浄槽７が順次
配列され、最終段に乾燥部８が配されて成り、これら複
数の洗浄槽２〜７に順次、連続して半導体ウェーハ９を
浸漬し洗浄を行い、最後に乾燥部８に移して乾燥するよ
うになされる。この洗浄法は、ＲＣＡ洗浄法と呼ばれて
いる。

【０００４】このバッチ式多槽洗浄機１を用いた洗浄方
法は、半導体ウェーハ９を２５〜５０枚一度に処理する
バッチ式処理であるため、スループットも高く、現在で
も半導体装置の製造ラインで広く採用されている。この
洗浄方法においては、超音波発生器１０により８００Ｋ
Ｈｚ〜１．５ＭＨｚの超音波（メガソニック）をＳＣ₁
洗浄液の洗浄槽２に印加することが行なわれている。こ
れによって、洗浄効果、特に微小異物（パーティクル）
の洗浄効果を高めている。

【０００５】しかし、半導体ウェーハの大口径化（例え
ば２００ｍｍ〜３００ｍｍ）に伴い、洗浄槽容量が増大
してバッチ式多槽洗浄機１が大型し、さらに洗浄液や超
純水使用量、廃液量、排気量の増大によるコスト増大や
地球環境適応性の低下が避けられなくなってきている。
また、半導体装置の高集積化に伴う要求洗浄度にもバッ
チ式多槽洗浄法では追随できなくなってきている。

【０００６】そこで、近年になって、枚葉スピン洗浄法
が注目され開発されてきている。この枚葉スピン洗浄法
は、図７に示すように、半導体ウェーハ９を１枚ずつ回
転保持体１１に保持し回転させながら半導体ウェーハ９
の表面に洗浄液１２を供給して洗浄する方法である。こ
の枚葉スピン洗浄法では、装置を小型化でき、また洗浄
効果も高い。

【０００７】前述のＳＣ₁洗浄液やＳＣ₂洗浄液を用い
たＲＣＡ洗浄法では、洗浄時間が長くかかり、洗浄液使
用量も少なくできない。このため、枚葉スピン洗浄法に
おいては、最近、オゾン水と希フッ酸だけを用い、室温
で洗浄する方法が開発されてきている。この洗浄方法で
は、まず、第１ステップでオゾン水による半導体ウェー
ハ表面に酸化膜を形成し、その後の第２ステップで希フ
ッ酸により酸化膜をエッチングすることにより、汚染を
半導体ウェーハ表面からリフトオフ（除去）する。必要
洗浄度に応じてこれらのステップを繰り返す。

【０００８】枚葉スピン洗浄においては、上述の洗浄液
による洗浄後、超純水を供給しリンスを行い、その後、
半導体ウェーハを高速回転しスピン乾燥する。しかし、
高速スピンのみによる乾燥では、半導体ウェーハ中央部
の遠心力の小さい部分で十分乾燥が行えず、水滴が残っ
てしまい、ウォーターマークなどの乾燥不良を引き起こ
す。

【０００９】一方、イソプロピルアルコール（以下ＩＰ
Ａという）などのアルコールによって水の表面張力を低
下させ、高速スピンで水を振り切りやすくすることが考
えられる。従来、ＩＰＡ液をノズルから半導体ウェーハ
上へ流出させたり、ＩＰＡを加熱して発生したＩＰＡ蒸
気を半導体ウェーハ上に供給したりする手法が提案され
ている（特開平６−３１０４８６号、特開平７−２１１
６８６号参照）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、枚葉スピン洗
浄法において、前者のＩＰＡ液をノズルから半導体ウェ
ーハ上へ流出させる手法は、ＩＰＡの使用量が多く、コ
ストがかかる。後者のＩＰＡ蒸気を半導体ウェーハ上に
供給する手法は、可燃性のＩＰＡを加熱するため危険が
伴い、安全装置を付加させねばならず、コストかかかる
という問題があった。さらに、常温でＩＰＡ液にＮ₂な
どの不活性ガスをバブリングし発生するＩＰＡガスを半
導体ウェーハに供給する方法も考えられるが、乾燥に十
分な量のＩＰＡを半導体ウェーハに供給することが困難
であった。

【００１１】本発明は、上述の点に鑑み、いわゆる枚葉
スピン洗浄において、乾燥効果を高め、水滴残り、ウォ
ーターマークを低減し、また、ＩＰＡ等の溶媒を適切な
量をもって基板に供給できるようにした、基板洗浄方法
及びこの洗浄法を実施するための基板洗浄装置を提供す
るものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板洗浄方
法は、スピン洗浄における基板の乾燥時に、基板表面に
霧化した溶媒を供給する。

【００１３】この基板洗浄方法においては、霧化した溶
媒を用いることにより、乾燥に充分な且つ過剰にならず
適切な量の溶媒を基板表面に供給できる。基板表面に到
達した霧化した溶媒は基板表面に残留している水滴に溶
解し、水滴の表面張力を低下させ、スピン乾燥における
水滴の振り切りを容易にし、乾燥効果を高める。加熱手
段が不要なので、危険性を回避でき、安全対策のコスト
の低減が図れる。

【００１４】本発明に係る基板洗浄装置は、基板を回転
させる基板回転手段と、洗浄液供給手段と、溶媒を霧化
する超音波霧化手段と、霧化した溶媒を供給する溶媒供
給手段を備えて成る。

【００１５】この基板洗浄装置においては、スピン乾燥
時に、超音波霧化手段により霧化した溶媒が溶媒供給手
段を介して基板表面に供給される。霧化した溶媒である
ので、乾燥に充分な適切な量の溶媒が基板表面に供給で
きる。この霧化した溶媒により、基板表面に残留してい
る水滴の表面張力が低下し、水滴の振り切りが容易とな
る。超音波霧化手段で溶媒を霧化するので、加熱装置は
使用せず、従って危険性を回避でき、基板洗浄装置にお
ける安全対策のコストも低減できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係る基板洗浄方法は、基
板を洗浄した後、回転させて基板表面の水滴を振り切り
乾燥する基板洗浄方法であって、乾燥時の基板表面に霧
化した溶媒を供給するようになす。

【００１７】霧化した溶媒は基板中央部に供給するのが
好ましい。

【００１８】溶媒としては、イソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）を用いることができる。霧化した溶媒は、不
活性ガスによるキャリアガスと共に基板に供給すること
ができる。その他、５フッ化アルコールや、パーフロロ
ヘプタンとトリフロロエタノールとの混合液等の水溶性
アルコールを溶媒として用いることができる。

【００１９】本発明に係る基板洗浄装置は、基板を回転
させる基板回転手段と、洗浄液を基板回転手段上の基板
表面に供給する洗浄液供給手段と、溶媒を霧化する超音
波霧化手段と、霧化した溶媒を回転手段上の基板表面に
供給する溶媒供給手段とを備えて成る。

【００２０】溶媒供給手段としては、霧化した溶媒が基
板中央部に供給されるように配置するのが好ましい。溶
媒としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用い
ることができる。溶媒供給手段に不活性ガスによるキャ
リアガスを供給するためのキャリアガス供給手段を備え
ることができる。

【００２１】溶媒供給手段は、溶媒供給手段内で結露し
た溶媒が基板表面に液だれしないように、超音波霧化手
段側が下向きとなるように傾斜して配置することができ
る。

【００２２】洗浄液としては、汚染除去用の洗浄液及び
リンス用の純水（超純）水洗浄液を含む。

【００２３】図１は、本発明の基板洗浄方法を実施する
ための本発明の基板洗浄装置の一実施の形態を示す。本
実施の形態の基板洗浄装置２１は、図１に示すように、
洗浄チャンバー２２内に被洗浄基板である例えば半導体
ウェーハ（半導体基板）２３を保持して之を回転させる
基板回転手段、例えばモータ２５に連結されたウェーハ
チャック２４が設けられ、ウェーハチャック２４の上方
に洗浄液、即ち汚染除去用の洗浄液及びリンス用の洗浄
液を供給するための洗浄液供給手段の洗浄ノズル２６
と、後述する溶媒を霧化し、この霧化した溶媒（以下溶
媒ミストという）を半導体ウェーハ２３に供給するため
の超音波霧化手段及び溶媒ミスト供給手段からなる溶媒
ミスト供給装置２７が設置されて成る。２８は洗浄チャ
ンバー２２の下部に設けられた排気・排液口である。

【００２４】ウェーハチャック２４は、半導体ウェーハ
２３を１枚づつ水平に保持し、モータ２５によって回転
駆動するように構成される。洗浄ノズル２６は、回転す
る半導体ウェーハ２３の表面上に洗浄液を供給するもの
で、そのノズル口が略ウェーハ中央に向くように配され
る。

【００２５】汚染除去用の洗浄液としては、例えばアン
モニア・過酸化水素混合液（ＳＣ₁）、塩酸・過酸化水
素混合液（ＳＣ₂）、希フッ酸、オゾン水、電解イオン
水等を単独あるいは複数用いることができる。複数の洗
浄液を用いる場合、洗浄ノズル２６は各洗浄液ごとに別
々に設けても良い。

【００２６】汚染除去用の洗浄液で汚染除去した後に、
この洗浄液を洗い流すためのリンス用洗浄液としては、
例えば超純水を用いることができる。この超純水も汚染
除去用の洗浄液と同じノズル２６を用いるか、別に超純
水ノズルを設けても良い。

【００２７】溶媒としては、例えばイソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）、その他、５フッ化アルコールや、パー
フロロヘプタンとトリフロロエタノール混合液等の水溶
性アルコールを用いることができる。

【００２８】溶媒ミスト供給装置２７として、本例では
ＩＰＡミスト供給装置が用いられる。ＩＰＡミスト供給
装置２７は、図２〜図５で後述するように、例えばＩＰ
Ａ液収容部及び超音波振動板からなる超音波霧化部（い
わゆる超音波霧化手段）と、超音波霧化部で発生したＩ
ＰＡミストを供給するＩＰＡミスト供給路及びＩＰＡミ
スト供給ノズル３０を有するＩＰＡミスト供給部（いわ
ゆるＩＰＡミスト供給手段）を有して成る。そして、Ｉ
ＰＡミスト供給ノズル３０は、ＩＰＡミストをウェーハ
中央部の遠心力が弱い領域に供給できるように、ウェー
ハチャック２４にセットされた半導体ウェーハ２３の表
面中央部に向けた位置に配置するのが好ましい。

【００２９】次に、この基板洗浄装置２１の動作と共
に、本実施の形態の基板洗浄方法を説明する。被洗浄基
板、例えば半導体ウェーハ２３は、自動搬送装置（図示
せず）によって洗浄チャンバー２２内のウェーハチャッ
ク２４にセットされる。半導体ウェーハ２３は、ウェー
ハチャック２４に連結されたモータ２５によって回転を
開始する。半導体ウェーハ２３は、１分間に数百から数
千回転で回転される。

【００３０】半導体ウェーハ２３の上方に設置された洗
浄ノズル２６から前述の汚染除去用の洗浄液が回転して
いる半導体ウェーハ２３の表面に供給される。汚染洗浄
に必要な時間（例えば数秒から数分）洗浄液を回転して
いる半導体ウェーハ２３に供給して洗浄処理を行なった
後、汚染除去用の洗浄液の供給を停止する。

【００３１】その後、回転している半導体ウェーハ２３
の表面にリンス用洗浄液である例えば超純水を数十秒間
から数分間供給し、半導体ウェーハ２３上に残留してい
る汚染除去用の洗浄液を洗い流す。

【００３２】超純水によって汚染除去用の洗浄液を洗い
流した後、超純水を停止させる。その後、半導体ウェー
ハ２３を乾燥させる。即ち、半導体ウェーハ２３を高速
回転させ表面の水滴を振り切ることで半導体ウェーハ２
３を乾燥させるが、同時に、ＩＰＡミスト供給装置２７
のノズル３０からＩＰＡミスト３１を半導体ウェーハ２
３の表面に供給する。ＩＰＡミスト３１は半導体ウェー
ハ２３表面の水滴に溶解し、水滴の表面張力を低下させ
振り切り乾燥を促進させる。

【００３３】ＩＰＡミスト３１を、半導体ウェーハ２３
の表面中央部に供給することで、遠心力が弱いウェーハ
中央部の領域の水滴の振り切りを促進することができ
る。ＩＰＡミスト３１の供給時は、半導体ウェーハ２３
の回転数を低速にし、あるいは停止させウェーハ表面の
水滴にＩＰＡミストを溶解しやすくし、その後、再び半
導体ウェーハ２３を高速で回転させてもよい。

【００３４】半導体ウェーハ２３が乾燥したところで回
転を停止し、自動搬送装置によって半導体ウェーハ２３
は乾燥チャンバー２２から取り出され、洗浄処理が終了
する。この洗浄処理は１枚づつ行われる。

【００３５】次に、溶媒ミスト、例えばＩＰＡミストの
供給について説明する。ＩＰＡミストは超音波霧化装置
によって生成する。

【００３６】図２は、ＩＰＡミスト供給装置２７の一実
施の形態を示す。本実施の形態に係るＩＰＡミスト供給
装置２７１は、ＩＰＡミストを生成する超音波霧化部３
７と、ＩＰＡミストを半導体ウェーハ２３側に供給する
ＩＰＡミスト供給部３７とを有して成る。

【００３７】超音波霧化部３６は、ＩＰＡ液３３を収容
し上部に開口３４ａを有したＩＰＡ収容部３４とその下
面に設置した超音波振動板３５とから構成される。

【００３８】超音波振動板３５は、ＩＰＡ液３３に超音
波を印加して霧化するためのものである。超音波の周波
数は必要とするＩＰＡミストの粒径によって選択され
る。数μｍの小さな粒径のＩＰＡミストを得るなら数百
ＫＨｚから数ＭＨｚの周波数の超音波を印加する。ＩＰ
Ａミストの量は印加する超音波のパワーで調整する。

【００３９】なお、ＩＰＡ液３３は、自動供給装置（図
示せず）から供給管４１を通してＩＰＡ収容部３４内に
自動供給されるようになされている。この超音波霧化部
３６を被冠するように下部に開口３９ａを有する匣体３
９が配され、中央の超音波霧化部３６と之を囲む匣体３
９間の空間がＩＰＡミスト供給部２８として構成され
る。匣体２９の下部開口３９ａが半導体ウェーハ２３に
対向するＩＰＡミスト供給ノズル３０となる。このＩＰ
Ａミスト供給装置２７１は、そのノズル３０（即ち開口
３９ａ）が半導体ウェーハ２３の中央部に向くように配
設される。

【００４０】このＩＰＡミスト供給装置２７１では、超
音波霧化部３６のＩＰＡ液収容部３４に、自動供給装置
によってＩＰＡ液３３が自動供給され、一定量に保たれ
る。ＩＰＡ液３３の消去分は自動的に補充される。超音
波振動板３５からの超音波がＩＰＡ液３３に印加される
ことにより、ＩＰＡ液３３からＩＰＡミスト３１が発生
し、上方に立ち昇り、ＩＰＡミスト３１が超音波霧化部
３６からあふれ出す。あふれ出したＩＰＡミスト３１
は、供給部３８を通って下降して行き、ノズル３０を介
してＩＰＡミスト供給装置２７１の下方にセットされた
半導体ウェーハ２３の中央部の表面上に供給される。

【００４１】図３は、ＩＰＡミスト供給装置２７の他の
実施の形態を示す。図２では、ＩＰＡミスト供給装置２
７１を半導体ウェーハ２３の中央部直上に設置する場合
を示したが、設置位置が洗浄液のノズルや超純水のノズ
ルと干渉してしまう恐れも考えられる。図３は、この点
を改善したものである。図３において、図２と対応する
部分にはを同一符号を付して重複説明を省略する。

【００４２】本実施の形態に係るＩＰＡミスト供給装置
２７２は、ＩＰＡ液収容部３４及び超音波振動板３５か
らなる超音波霧化部３６を半導体ウェーハ２３の上部と
は別の位置に設置し、この超音波霧化部３６で発生した
ＩＰＡミスト３１をＩＰＡミスト供給部となるＩＰＡミ
スト供給管４２によって半導体ウェーハ２３の中央部に
導き供給するように構成される。ＩＰＡミスト供給管４
２の先端がＩＰＡミスト供給ノズル３０となり、このノ
ズル３０が半導体ウェーハ２３の中央部に向かうように
設けられる。

【００４３】このＩＰＡミスト供給装置２７２によれ
ば、超音波霧化部３６が半導体ウェーハ上部より離れた
位置にあり、ＩＰＡミスト供給管４２を通してＩＰＡミ
スト３０を半導体ウェーハ２３上に供給する構成である
ので、洗浄液ノズルや超純水ノズルとの干渉を回避でき
る。

【００４４】図４は、ＩＰＡミスト供給装置２７のさら
に他の実施の形態を示す。なお、図４において図２及び
図３と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略する。本実施の形態に係るＩＰＡミスト供給装置２７
３は、超音波霧化部３６とＩＰＡミスト供給管４２を有
すると共に、さらにＩＰＡミスト供給管４２の超音波霧
化部３６に近い位置にＩＰＡミストのキャリアガスとな
る不活性ガス４４、例えば窒素ガス（Ｎ₂）を供給する
キャリアガス供給手段４３を設けて構成される。キャリ
アガスとなる不活性ガス４４は、ＩＰＡミスト３１を希
薄にして乾燥効果を低下させないように、低い圧力と流
量を設定する。

【００４５】この実施の形態に係るＩＰＡミスト供給装
置２７３によれば、超音波霧化部３６で発生したＩＰＡ
ミスト３１を、キャリアガス４４によって効率的に半導
体ウェーハ２３の中央部に供給することができる。

【００４６】図５は、ＩＰＡミスト供給装置２７のさら
に他の実施の形態を示す。なお、図５において、図２及
び図３と対応する部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。本実施の形態に係るＩＰＡミスト供給装置２
７４は、超音波霧化部３６とＩＰＡミスト供給管４２を
有し、さらに超音波霧化部３６とノズル３０との間のＩ
ＰＡミスト供給管４２を超音波霧化部３６側が低くなる
ように傾斜して構成される。

【００４７】この実施の形態に係るＩＰＡミスト供給装
置２７４によれば、ＩＰＡミスト供給管４２が超音波霧
化部３６側が低く、ノズル３０側が高くなるように傾斜
して形成されるので、ＩＰＡミスト供給管４２内でＩＰ
Ａミストが結露し、半導体ウェーハ２３の表面にＩＰＡ
の液だれが生じることを防ぐことができる。そして、結
露したＩＰＡは、ＩＰＡミスト供給管４２の傾斜に沿っ
て超音波霧化部３６に回収される。

【００４８】上述の本発明の実施の形態によれば、枚葉
スピン洗浄において、その乾燥時に超音波霧化部３６に
よってＩＰＡ液３３を霧化し、ＩＰＡミストを生成する
ことで乾燥に充分な量、即ち過剰にならず適切な量のＩ
ＰＡを被洗浄基板である半導体ウェーハ２３に供給する
ことができる。これによって、ＩＰＡの無駄を省き、乾
燥促進に用いるＩＰＡの使用量を節減することができ
る。

【００４９】そして、半導体ウェーハ２３の表面に到達
したＩＰＡミスト３１はウェーハ表面に残留している水
滴に溶解し、水滴の表面張力を低下させ、スピン乾燥に
おける水滴の振り切りを容易にすることができる。従っ
て、半導体ウェーハの乾燥効果が向上し、水滴残り、ウ
ォーターマークの発生が低減し、洗浄不良を低減するこ
とができる。

【００５０】ＩＰＡ蒸気を用いる場合のような加熱装置
を使用せず、超音波振動によりＩＰＡ液を霧化するの
で、危険性を回避でき、安全対策のコストも低減でき
る。

【００５１】また、ＩＰＡミスト３１を半導体ウェーハ
２３の中央部に供給することで、遠心力が弱いウェーハ
中央部の水滴の振り切りを促進することができる。

【００５２】よって、本実施の形態の基板洗浄方法及び
之を実施するための基板洗浄装置を用いることにより、
半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。

【００５３】なお、上述の実施の形態においては、半導
体ウェーハ２３を洗浄乾燥させる場合について説明した
が、本発明はこれに限らず、例えば液晶用ガラス基板
や、光ディスク、磁気ディスクなどの洗浄乾燥にも同様
に適用することができる。

【００５４】

【発明の効果】本発明の基板洗浄方法によれば、いわゆ
る枚葉スピン洗浄において、その基板乾燥時に霧化した
溶媒を基板に供給することにより、基板乾燥効果を向上
することができ、水滴残り、ウォーターマークの発生を
低減し、洗浄不良を低減することができる。

【００５５】特に、溶媒を霧化することにより、乾燥に
充分な且つ過剰にならず適切な量の溶媒を基板に供給す
ることができる。即ち、乾燥促進に用いる溶媒の使用量
の節減を図ることができる。

【００５６】霧化した溶媒を基板中央に供給するとき
は、遠心力が弱い基板中央部の水滴の振り切りを促進す
ることができる。

【００５７】霧化した溶媒を不活性ガスによるキャリア
ガスと共に基板に供給するときは、霧化した溶媒を効率
的に基板に供給することができる。

【００５８】溶媒としてイソプロピルアルコールを用い
るときは、工業的に純度の高いものが入手でき、安価で
あること、蒸気圧４４ｍｍＨｇ（２４℃）、沸点８２．
５℃であり取り扱いやすい等の効果がある。

【００５９】本発明に係る基板洗浄装置によれば、基板
の洗浄後の乾燥において、超音波霧化部で生成した霧化
溶媒を基板に供給することにより、基板乾燥効果を向上
し、水滴残り、ウォーターマークの発生を低減し、いわ
ゆる枚葉スピン洗浄装置における洗浄不良を低減するこ
とができる。そして、霧化した溶媒を用いることによ
り、乾燥に充分な且つ適切な量の溶媒の供給が可能とな
り、溶媒の無駄を省き、溶媒使用量の節減を図ることが
できる。

【００６０】溶媒の霧化は、超音波霧化手段で行われ、
加熱装置を使用することがないので、危険性が回避で
き、安全対策のコストも低減することができる。

【００６１】溶媒供給手段に不活性ガスによるキャリア
ガスを供給するときは、霧化した溶媒を効率的に基板に
供給することができ、乾燥処理をより良好にする。

【００６２】溶媒供給手段のノズルを基板中央部に向け
て配するときは、霧化した溶媒が基板の中央部に供給す
ることができ、遠心力の弱い基板中央部での水滴の振り
切りを促進することができる。

【００６３】溶媒供給手段を、超音波霧化部側が下向き
となるように傾斜して配置するときは、溶媒供給手段内
で霧化した溶媒が結露したときに、基板への溶媒の液だ
れを防ぎ、結露した溶媒を超音波霧化手段に回収するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板洗浄装置の一実施の形態を示
す構成図である。

【図２】溶媒（ＩＰＡ）ミスト供給装置の一実施の形態
を示す構成図である。

【図３】溶媒（ＩＰＡ）ミスト供給装置の他の実施の形
態を示す構成図である。

【図４】溶媒（ＩＰＡ）ミスト供給装置の他の実施の形
態を示す構成図である。

【図５】溶媒（ＩＰＡ）ミスト供給装置の他の実施の形
態を示す構成図である。

【図６】従来のバッチ式多槽洗浄機の構成図である。

【図７】従来の枚葉スピン洗浄機の概略図である。

【符号の説明】

２１‥‥基板洗浄装置、２２‥‥乾燥チャンバー、２３
‥‥被洗浄基板（半導体ウェーハ）、２４‥‥ウェーハ
チャック、２５‥‥モータ、２６‥‥洗浄液、超純水ノ
ズル、２７，２７１，２７２，２７３，２７４‥‥溶媒
（ＩＰＡ）ミスト供給装置、３０‥‥ＩＰＡミスト供給
ノズル、３１‥‥ＩＰＡミスト、３３‥‥ＩＰＡ液、３
４‥‥ＩＰＡ液収容部、３５‥‥超音波振動板、３６‥
‥超音波霧化部、３８‥‥ＩＰＡミスト供給部、３９‥
‥匣体、４２‥‥ＩＰＡミスト供給管

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を洗浄した後、回転させて基板表面
の水滴を振り切り乾燥する基板洗浄方法であって、乾燥時の前記基板表面に霧化した溶媒を供給することを
特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】前記霧化した溶媒を基板中央部に供給す
ることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項３】前記溶媒としてイソプロピルアルコール
を用いることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方
法。
【請求項４】前記霧化した溶媒を不活性ガスによるキ
ャリアガスと共に前記基板に供給することを特徴とする
請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項５】基板を回転させる基板回転手段と、洗浄液を前記基板回転手段上の基板表面に供給する洗浄
液供給手段と、溶媒を霧化する超音波霧化手段と、前記霧化した溶媒を前記回転手段上の基板表面に供給す
る溶媒供給手段を備えて成ることを特徴とする基板洗浄
装置。
【請求項６】前記溶媒供給手段のノズルが前記基板の
中央部に向けて配されて成ることを特徴とする請求項５
に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】前記溶媒供給手段に不活性ガスによるキ
ャリアガスを供給するキャリアガス供給手段を備えて成
ることを特徴とする請求項５に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】前記溶媒としてイソプロピルアルコール
を用いることを特徴とする請求項５に記載の基板洗浄装
置。
【請求項９】前記溶媒供給手段は、前記超音波霧化手
段側が下向きとなるように傾斜して配置されて成ること
を特徴とする請求項５に記載の基板洗浄装置。