JP2000003037A - Wiring structure and its production - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、印刷配線板等の電
子部品に代表される配線構造及びその製造方法に関し、
更に詳しくは、半導体素子を搭載する実装基板の多層配
線構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring structure represented by an electronic component such as a printed wiring board and a method for manufacturing the same.
More specifically, the present invention relates to a multilayer wiring structure of a mounting board on which a semiconductor element is mounted.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの高速化並びに高集積化
に伴い、これを搭載する配線基板を構成する層間絶縁
膜、あるいはパッシベーション膜には、耐熱性を有し、
併せて低誘電率、低吸水率、低熱膨張率、導体及び絶縁
膜同士の高密着性、良好な耐薬品性等が要求されてい
る。更に最近では、上下電極配線を導通させるためのヴ
ィアホール形成の工程簡略化を図るため、フォトレジス
トと同様なプロセスでヴィアホールを形成できるよう
に、材料自体が感光性を有することが好ましい。2. Description of the Related Art With the increase in speed and integration of semiconductor devices, an interlayer insulating film or a passivation film constituting a wiring board on which the semiconductor device is mounted has heat resistance.
In addition, low dielectric constant, low water absorption, low coefficient of thermal expansion, high adhesion between conductors and insulating films, good chemical resistance, and the like are required. More recently, in order to simplify the process of forming a via hole for conducting the upper and lower electrode wirings, it is preferable that the material itself has photosensitivity so that the via hole can be formed by a process similar to that of a photoresist.
【０００３】現在、これらの特性を有する層間絶縁膜材
料として、ポリイミド系樹脂（例えば、特開平４−２８
４４５５号公報、特開平５−１６５２１７号公報）、有
機珪素系樹脂（例えば、特開平３−４３４５５号公報、
特開平４−４６９３４号公報、特開平６−１３０３６４
号公報、特開平７−２２５０８号公報）等が提案されて
いる。At present, as a material of an interlayer insulating film having these characteristics, a polyimide resin (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-28
No. 4455, JP-A-5-165217), organic silicon-based resins (for example, JP-A-3-43455,
JP-A-4-46934, JP-A-6-130364
And Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-22508) have been proposed.
【０００４】上記のポリイミド系樹脂は、硬化時に縮合
水を伴い、また分子内に導入されている感光性基が脱離
するため、硬化時の収縮率が大きく、高精度かつ微細な
ヴィアホールの形成が困難である。また、収縮応力が発
生することから、膜を多層化した場合に、クラックが発
生するという問題点もある。[0004] The above-mentioned polyimide-based resin accompanies condensed water at the time of curing, and the photosensitive group introduced into the molecule is eliminated. Therefore, the shrinkage at the time of curing is large, and highly precise and fine via holes are formed. Difficult to form. Further, since shrinkage stress is generated, there is a problem that cracks are generated when the film is multilayered.
【０００５】有機珪素系樹脂においては、硬化時の収縮
はポリイミドほど深刻ではないものの、ヴィアホールを
形成するための現像液に有機溶媒を用いるため、露光部
の硬化した膜が膨潤し、解像度が低下する。この為、高
精度かつ微細なヴィアホールの形成が困難となり、高密
度の多層配線構造体を得ることが難しくなる。また、有
機溶媒系の現像液は、環境汚染や安全衛生上、使用する
ことは好ましくない。[0005] In organic silicon-based resins, shrinkage during curing is not as severe as that of polyimide. However, since an organic solvent is used as a developer for forming via holes, the cured film in the exposed area swells and the resolution is reduced. descend. Therefore, it is difficult to form high-precision and fine via holes, and it is difficult to obtain a high-density multilayer wiring structure. Further, it is not preferable to use an organic solvent-based developer for environmental pollution and safety and health.
【０００６】更に、ポリイミド系樹脂及び有機珪素系樹
脂ともに、硬化温度が４００℃と高く、絶縁膜を形成す
る基材として、通常のプリント基板やモールド配線基板
等の低コストな樹脂製基材が耐熱性の点から選択するこ
とができず、このため、セラミックス類やＳｉ等の基板
上にしか絶縁膜を形成できないため、コスト高となるこ
とを余儀なくされる。Further, both polyimide-based resins and organic silicon-based resins have a high curing temperature of 400 ° C., and low-cost resin base materials such as ordinary printed boards and molded wiring boards are used as base materials for forming insulating films. It cannot be selected from the viewpoint of heat resistance, so that an insulating film can be formed only on a substrate made of ceramics, Si, or the like, which inevitably increases the cost.
【０００７】一方、低コストな樹脂製基材上に形成でき
る絶縁膜材料として、エポキシ系樹脂が良く知られてい
る。しかしながら、このエポキシ系樹脂は、誘電率が高
い、熱膨張率が大きい、ガラス転移温度が低い、解像度
に劣る、硬化膜の平坦性に劣る等の問題点があり、最近
の電子部品の高性能化に伴い、その適用が困難になりつ
つある。On the other hand, an epoxy resin is well known as an insulating film material that can be formed on a low-cost resin base material. However, this epoxy resin has problems such as a high dielectric constant, a large coefficient of thermal expansion, a low glass transition temperature, poor resolution, and poor flatness of a cured film. With its development, its application is becoming more difficult.
【０００８】これらに対して、ベンゾシクロブテン樹脂
は層間絶縁膜あるいはパッシベーション膜に必要な特性
をバランス良く有するものとして知られている。ベンゾ
シクロブテン樹脂は、特に吸水率が０．２５ｗｔ％と低
く、分子構造上の特徴から銅とのマイグレーションも起
こらないので、例えば図９に示すような銅を主成分とす
る配線とベンゾシクロブテン樹脂絶縁膜から構成される
多層配線基板が知られている（例えば、特公平７−１９
９７３号公報）。On the other hand, benzocyclobutene resins are known to have a well-balanced property required for an interlayer insulating film or a passivation film. Benzocyclobutene resin has a particularly low water absorption of 0.25 wt% and does not migrate with copper due to its molecular structure. Therefore, for example, a wiring mainly composed of copper as shown in FIG. A multilayer wiring board composed of a resin insulating film is known (for example, Japanese Patent Publication No. Hei 7-19).
No. 973).
【０００９】即ち、シリコンウエハ、セラミックス、プ
リント基板などの基材４１上に、導体配線層４２が設け
られている。この上に、ベンゾシクロブテン樹脂膜４３
が設けられ、上下導体配線を電気的に接続させるための
ヴィアホール４４が形成される。その上に、銅配線４５
が形成される。以後、ベンゾシクロブテン樹脂絶縁膜と
銅などの導体配線を交互に所望の層数積層させていくこ
とによって、多層配線基板が完成する。That is, a conductor wiring layer 42 is provided on a base material 41 such as a silicon wafer, ceramics, or a printed board. On this, a benzocyclobutene resin film 43
Are provided, and via holes 44 for electrically connecting the upper and lower conductor wirings are formed. On top of that, copper wiring 45
Is formed. Thereafter, a desired number of layers of the benzocyclobutene resin insulating film and the conductor wiring such as copper are alternately stacked to complete a multilayer wiring board.
【００１０】このベンゾシクロブテン樹脂の層間絶縁膜
を形成する方法としては、スピンコート法で塗布してフ
ォトリソ工程でパターンを形成し、形成されたパターン
を熱硬化させる方法が一般的に良く知られている。但
し、銅からなるプレート構造のパターン上に形成する場
合のみ、例えば、IEEE Transactions on Components, P
ackaging, and Manufacturing Technology-Part B, Vo
l. 18, No. 1 (1995)の１９頁に記載されているよう
に、密着性の長期信頼性を確保する理由で、ベンゾシク
ロブテン樹脂を塗布する前に、３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを塗布することが知られている。このプ
ロセスにより形成される配線構造は、図１０に示すよう
なものになる。即ち、銅電極５１及び銅配線５２が設け
られた支持基材５３上に、膜厚数十オングストロームの
３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層５４が形
成され、更にその上にベンゾシクロブテン樹脂膜５５が
設けられて配線構造５６が形成される。As a method of forming the interlayer insulating film of the benzocyclobutene resin, a method of applying a pattern by a spin coating method, forming a pattern by a photolithography process, and thermally curing the formed pattern is generally well known. ing. However, only when formed on a copper plate structure pattern, for example, IEEE Transactions on Components, P
ackaging, and Manufacturing Technology-Part B, Vo
As described on page 19 of l. 18, No. 1 (1995), for the purpose of ensuring long-term reliability of the adhesion, 3-aminopropyltriethoxysilane was applied before applying the benzocyclobutene resin. It is known to apply The wiring structure formed by this process is as shown in FIG. That is, a 3-aminopropyltriethoxysilane thin film layer 54 having a film thickness of several tens angstroms is formed on a supporting base material 53 on which a copper electrode 51 and a copper wiring 52 are provided, and a benzocyclobutene resin film 55 is further formed thereon. Are provided to form a wiring structure 56.
【００１１】このプロセスにより、銅電極５１及び銅配
線５２と、ベンゾシクロブテン樹脂膜５５との間に３−
アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層５４が形成さ
れ密着信頼性が向上するが、一方でこの薄膜層５４を通
して銅イオンがマイグレーションするという問題が発生
する。先の文献では、グランドあるいは電源プレートパ
ターンのみの場合には、微細な配線が存在しないのでマ
イグレーションによる絶縁性低下は実用上ほとんど問題
にならないレベルである。しかしながら、最近の電子機
器の高速化に伴いグランドを強化する意味でグランドプ
レート電極と微細信号配線が混在するケースも多く、マ
イグレーションによる絶縁性低下の問題がクローズアッ
プされている。By this process, a 3-electrode is formed between the copper electrode 51 and the copper wiring 52 and the benzocyclobutene resin film 55.
Although the aminopropyltriethoxysilane thin film layer 54 is formed to improve the adhesion reliability, there is a problem that copper ions migrate through the thin film layer 54. According to the above-mentioned literature, in the case of only the ground or power supply plate pattern, there is no fine wiring, so that the decrease in insulation due to migration is at a level that hardly causes a problem in practical use. However, in recent years, ground plates have been mixed with fine signal wirings in order to strengthen the ground as the speed of electronic equipment has increased, and the problem of insulation deterioration due to migration has been highlighted.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点を
鑑み、耐熱性、低誘電率、低熱膨張率等の優れた特性を
有する高性能、高密度な配線構造体を提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, the present invention has been made to provide a high-performance, high-density wiring structure having excellent characteristics such as heat resistance, low dielectric constant, and low coefficient of thermal expansion. Aim.
【００１３】また本発明の目的は、フォトレジストと同
様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールを形成で
きる高性能かつ高密度な多層配線構造を提供することに
ある。Another object of the present invention is to provide a high-performance and high-density multilayer wiring structure capable of forming high-precision and fine via holes in a process similar to that of a photoresist.
【００１４】また本発明は、ベンゾシクロブテン樹脂を
使用した場合に、該樹脂本来の優れた性能を損なうこと
なく、密着性の長期的信頼性に優れ、かつ銅などのイオ
ンのマイグレーションを防いだ絶縁信頼性に優れる配線
構造を構成することを目的とする。Further, according to the present invention, when a benzocyclobutene resin is used, it is excellent in long-term reliability of adhesion and prevents migration of ions such as copper without impairing the excellent performance inherent in the resin. An object is to configure a wiring structure having excellent insulation reliability.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に鋭意検討した結果、次のような発明に至った。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the following invention has been attained.
【００１６】即ち本発明は、少なくとも１層の絶縁膜と
導体電極パターンとを有してなり、前記絶縁膜の少なく
とも１層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレー
ト樹脂よりることを特徴とする配線構造である。That is, the present invention provides a wiring structure having at least one layer of an insulating film and a conductor electrode pattern, wherein at least one layer of the insulating film is made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton. is there.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【００１８】本発明では層間絶縁膜材料として、フルオ
レン骨格を有するエポキシアクリレートを使用し、その
上に導体パターンを形成することにより多層配線構造体
を製造する。ここで、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレートとしては、下記一般式（Ｉ）で示される材
料が好ましく用いられる。In the present invention, a multilayer wiring structure is manufactured by using an epoxy acrylate having a fluorene skeleton as an interlayer insulating film material and forming a conductor pattern thereon. Here, as the epoxy acrylate having a fluorene skeleton, a material represented by the following general formula (I) is preferably used.
【００１９】[0019]
【化２】 ここで、Ｒは水素原子若しくは低級アルキル基であり、
ｎは０〜２０の整数である。この材料は、特開平４−２
９２６１１号公報にて光学用としての応用が開示されて
いる。Embedded image Here, R is a hydrogen atom or a lower alkyl group,
n is an integer of 0 to 20. This material is disclosed in JP-A-4-24-2
No. 92611 discloses an application for optical use.
【００２０】一般的に、エポキシアクリレート樹脂は、
多層配線基板の層間絶縁膜材料として使用される材料の
一種である。しかしながら、前記一般式（Ｉ）で示され
るフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂
は、通常のエポキシアクリレート系樹脂と比較して耐熱
性が高く、熱膨張率が小さく、かつ吸水性の面で非常に
優れていることが明らかになった。従来、耐熱性を有し
ている絶縁材料は、概して硬化温度が非常に高いという
問題があったが、この樹脂は１６０〜２００℃程度で硬
化が可能であり、多層配線用絶縁材料として非常に好ま
しいものである。また、熱膨張率や吸水性に関して、前
記特開平４−２９２６１１号公報で開示されている光学
用としての応用では全く考慮されていない要素であり、
本発明はこの材料がこれらの点で優れていることを見出
して初めてなし得たものである。尚、この材料は多層配
線のみならず、単層の配線構造にも使用可能であること
は云うまでもない。Generally, the epoxy acrylate resin is
This is a kind of material used as an interlayer insulating film material of a multilayer wiring board. However, the epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton represented by the general formula (I) has higher heat resistance, a lower coefficient of thermal expansion, and is extremely excellent in terms of water absorption as compared with a normal epoxy acrylate resin. It became clear that. Conventionally, insulating materials having heat resistance have generally had a problem that the curing temperature is very high. However, this resin can be cured at about 160 to 200 ° C., and is very useful as an insulating material for multilayer wiring. It is preferred. Further, regarding the coefficient of thermal expansion and water absorption, it is an element that is not considered at all in the application for optical use disclosed in the above-mentioned JP-A-4-292611,
The present invention has been accomplished only after finding that this material is excellent in these respects. It is needless to say that this material can be used not only for a multilayer wiring but also for a single-layer wiring structure.
【００２１】図１は、導体電極パターンの層間絶縁膜
を、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂
膜で形成したことを特徴とする多層配線構造の製造工程
の一例を示す断面構成図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a manufacturing process of a multilayer wiring structure in which an interlayer insulating film of a conductor electrode pattern is formed of an epoxy acrylate resin film having a fluorene skeleton.
【００２２】例えばアルミ、銅などの金属からなる導体
フィルム１上に、前記一般式(I)で示されるフルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコー
ティング溶液をスピンコーティング法、スプレーコーテ
ィング法、印刷法などにより塗布し、塗布膜２を得る
（図１（ａ））。次にベーキング処理を施した後、所定
のパターン処理を施したガラスマスク３を通して、露光
を行う（図１（ｂ））。次いで、水酸化カリウム、ある
いはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部を溶解
して現像し、更に１８０℃から２００℃で３０分程度の
加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、露光部を
固化させ、ヴィアホール４を有する層間絶縁膜５を得る
（図１（ｃ））。For example, a coating solution obtained by dissolving an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton represented by the above general formula (I) on a conductive film 1 made of a metal such as aluminum or copper is spin-coated, spray-coated or printed. Then, a coating film 2 is obtained (FIG. 1A). Next, after baking processing, exposure is performed through a glass mask 3 that has been subjected to a predetermined pattern processing (FIG. 1B). Next, the exposed part is immersed in potassium hydroxide or an amine-based alkali developing solution to dissolve and develop the unexposed part, and further subjected to a heat treatment (post-baking) at 180 to 200 ° C. for about 30 minutes. Is solidified to obtain an interlayer insulating film 5 having via holes 4 (FIG. 1C).
【００２３】その後、層間絶縁膜５上に、スパッタリン
グ法、蒸着法、あるいは無電解メッキ法などにより、銅
あるいはアルミなどの金属からなる導体層を形成し、フ
ォトリソ工程などにより所定の形状にエッチングを施し
て導体配線６を形成し、多層配線構造７を得る（図１
（ｄ））。Thereafter, a conductor layer made of a metal such as copper or aluminum is formed on the interlayer insulating film 5 by a sputtering method, a vapor deposition method, an electroless plating method, or the like, and is etched into a predetermined shape by a photolithography process or the like. To form a conductor wiring 6 to obtain a multilayer wiring structure 7 (FIG. 1).
(D)).
【００２４】以下、層間絶縁膜形成工程と導体配線形成
工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配
線構造８を得ることができる（図１（ｅ））。また、必
要ならば、図１（ｆ）に示すように、導体フィルム１を
所定の形状にエッチングし、導体配線９を設けた多層配
線構造１０を得ることもできる。Thereafter, a multilayer wiring structure 8 having an arbitrary number of layers can be obtained by repeating the interlayer insulating film forming step and the conductor wiring forming step (FIG. 1E). If necessary, as shown in FIG. 1F, the conductor film 1 can be etched into a predetermined shape to obtain a multilayer wiring structure 10 provided with the conductor wiring 9.
【００２５】ここで、塗布膜２の現像にアルカリ系の現
像液を用いることで、露光された塗布膜２は膨潤するこ
となく、更に加熱硬化して層間絶縁膜５を得るときの収
縮率は、およそ６％程度と大変に小さいので、高精度か
つ微細なヴィアホール４を容易に得ることができる。Here, by using an alkali-based developer for developing the coating film 2, the exposed coating film 2 does not swell, and is further cured by heating to obtain a contraction ratio when the interlayer insulating film 5 is obtained. , About 6%, which is very small, so that a highly accurate and fine via hole 4 can be easily obtained.
【００２６】このようにして得られた層間絶縁膜は、高
耐熱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸水率などの優れた
特性を有しており、これを層間絶縁膜として形成した多
層配線構造は、高速かつ高性能な電子部品や実装基板へ
の適用に対して大変有効である。The interlayer insulating film thus obtained has excellent properties such as high heat resistance, low dielectric constant, low thermal expansion coefficient and low water absorption. The wiring structure is very effective for application to high-speed and high-performance electronic components and mounting substrates.
【００２７】また、本発明の多層配線構造は、例えばガ
ラス、セラミックス、金属、耐熱性フィルム、Si基板、
半導体デバイスなどからなる支持基材上にフルオレン骨
格を有するエポキシアクリレート樹脂からなる絶縁膜を
形成し、その上に導体電極パターンを形成することによ
り得ることもできる。Further, the multilayer wiring structure of the present invention can be formed by, for example, glass, ceramics, metal, heat-resistant film, Si substrate,
It can also be obtained by forming an insulating film made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton on a supporting base made of a semiconductor device or the like, and forming a conductor electrode pattern thereon.
【００２８】更に上述したように、フルオレン骨格を有
するエポキシアクリレート樹脂は、１８０℃から２００
℃で３０分程度の加熱処理で硬化して層間絶縁膜を形成
することができるので、プリント基板、あるいはモール
ド配線基板などの非常に低コストな樹脂製の支持基材上
にも高密度な多層配線構造を形成することができ、多層
配線構造の低コスト化を図ることができる。As described above, the epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton can be used at 180 ° C. to 200 ° C.
It can be cured by heat treatment for about 30 minutes at ℃ to form an interlayer insulating film, so it is possible to form high-density multilayers on very low-cost resin support materials such as printed circuit boards or molded wiring boards. The wiring structure can be formed, and the cost of the multilayer wiring structure can be reduced.
【００２９】また本発明の配線構造では、従来公知のベ
ンゾシクロブテン樹脂を前記のフルオレン骨格を有する
エポキシアクリレート類と併用して絶縁層を形成して、
従来問題となっていた銅などの金属イオンのマイグレー
ションを防止しつつ、密着性の改善された配線構造を提
供することが可能である。つまり、金属導体配線あるい
は金属導体電極上に、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂の薄膜層を、好ましくはパターン状に
形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成して
配線構造を作製するものである。以下、図面を参照して
説明する。In the wiring structure of the present invention, an insulating layer is formed by using a conventionally known benzocyclobutene resin together with the epoxy acrylate having a fluorene skeleton.
It is possible to provide a wiring structure with improved adhesion while preventing migration of metal ions such as copper, which has conventionally been a problem. That is, a thin film layer of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is formed on a metal conductor wiring or a metal conductor electrode, preferably in a pattern shape, and a benzocyclobutene resin film is formed thereon to form a wiring structure. It is. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings.
【００３０】図７は、金属導体配線、あるいは金属導体
電極を有する支持基材上に、前記一般式（Ｉ）で示され
るフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂に
より薄膜層を形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂
膜を形成したことを特徴とする配線構造の製造工程の一
例を示す模式的断面図である。FIG. 7 shows a thin film layer formed of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton represented by the above general formula (I) on a supporting substrate having a metal conductor wiring or a metal conductor electrode. It is a typical sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring structure characterized by forming a cyclobutene resin film.
【００３１】まず、銅などの金属からなる電極２１及び
配線２２を有する支持基材２３上に、例えばスピンコー
ト法などにより膜厚０．１μｍ〜１．０μｍ程度のフル
オレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を
塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を施した後、例えば波
長３６５ｎｍで２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行
う（工程（ａ））。次に、例えば感光性を有するベンゾ
シクロブテン樹脂膜をスピンコート法、あるいはカーテ
ンコート法などの塗布法により塗布した後、露光、現像
工程を経て、ヴィアホール２５を有するベンゾシクロブ
テン樹脂膜２６を形成する（工程（ｂ））。次いで、８
０〜２００℃で３０分程度の加熱処理の後に、プラズマ
エッチング法などによりヴィアホール２５の底部にある
フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２
４を除去して配線構造２７を得る（工程（ｃ））。First, an epoxy acrylate resin layer having a fluorene skeleton having a film thickness of about 0.1 μm to 1.0 μm is formed on a supporting substrate 23 having electrodes 21 and wirings 22 made of metal such as copper by, for example, spin coating. 24, and dried at 75 ° C. for 10 minutes, and then, for example, exposure is performed at 365 nm at a wavelength of 200 to 400 mJ / cm 2 (step (a)). Next, for example, a benzocyclobutene resin film having photosensitivity is applied by a coating method such as a spin coating method or a curtain coating method, and then, through exposure and development steps, a benzocyclobutene resin film 26 having via holes 25 is formed. (Step (b)). Then 8
After a heat treatment at 0 to 200 ° C. for about 30 minutes, an epoxy acrylate resin layer 2 having a fluorene skeleton at the bottom of the via hole 25 by a plasma etching method or the like.
4 is removed to obtain a wiring structure 27 (step (c)).
【００３２】その後必要であれば、ベンゾシクロブテン
樹脂膜２６上に、スパッタリング法、蒸着法、電解メッ
キ法、無電解メッキ法などの金属導体プロセスとフォト
リソグラフィープロセスを併用して、銅などの金属から
なる上部配線２８を設けることができる（工程
（ｄ））。更に前記工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返すこと
により、任意の層数を有する多層の配線構造２９を形成
することもできる（図７（ｅ））。Thereafter, if necessary, a metal conductor process such as a sputtering method, an evaporation method, an electrolytic plating method, or an electroless plating method and a photolithography process are used on the benzocyclobutene resin film 26 to form a metal such as copper. (Step (d)). Further, by repeating the steps (a) to (d), a multilayer wiring structure 29 having an arbitrary number of layers can be formed (FIG. 7E).
【００３３】ここで、支持基板２３としては、例えば、
ガラス、セラミックス、金属、プリント基板、モールド
配線基板、シリコン基板、半導体デバイスなども選択で
きる。また、前述のリジッドな基板のみならず、樹脂や
金属からなるフィルム形状のものも使用できる。Here, as the support substrate 23, for example,
Glass, ceramics, metal, printed boards, molded wiring boards, silicon substrates, semiconductor devices, and the like can also be selected. Further, not only the rigid substrate described above, but also a film-shaped one made of resin or metal can be used.
【００３４】また本発明では、金属導体配線あるいは金
属導体電極上のみにフルオレン骨格を有するエポキシア
クリレート樹脂膜が形成されるようにパターン化して、
その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成することもで
きる。その製造工程を図８に示す。In the present invention, patterning is performed so that an epoxy acrylate resin film having a fluorene skeleton is formed only on the metal conductor wiring or the metal conductor electrode.
A benzocyclobutene resin film can be formed thereon. FIG. 8 shows the manufacturing process.
【００３５】まず、前記と同様に銅などの金属からなる
電極３０及び配線３１を有する支持基材３２上に、例え
ばスピンコート法などにより膜厚０．１μｍ〜１．０μ
ｍ程度のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート
樹脂層３３を塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を行う
（工程（ａ））。次に所定のパターン形状を施したガラ
スマスクを通して後、例えば波長３６５ｎｍで２００〜
４００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行った後、１％炭酸ナトリ
ウム水溶液で現像を行い、電極３０及び配線３１の所定
の部位のみにエポキシアクリレート樹脂層３３を形成
し、同時にヴィアホール３４を形成する（工程
（ｂ））。次いで、感光性を有するベンゾシクロブテン
樹脂膜をスピンコート法、あるいはカーテンコート法な
どの塗布法により塗布した後、ヴィアホール３５に対応
したマスクを介して露光、現像工程を経て、ヴィアホー
ル３５を有するベンゾシクロブテン樹脂膜３６を形成し
て配線構造３７を得る（工程（ｃ））。前記同様、工程
（ａ）〜（ｃ）を繰り返すことにより、任意の層数を有
する多層の配線構造３８を形成することもできる（図８
（ｄ））。First, a film having a thickness of 0.1 μm to 1.0 μm is formed on a support base 32 having electrodes 30 and wirings 31 made of metal such as copper in the same manner as described above, for example, by spin coating.
An epoxy acrylate resin layer 33 having a fluorene skeleton of about m is applied and dried at 75 ° C. for 10 minutes (step (a)). Next, after passing through a glass mask having a predetermined pattern shape, for example, 200 to 200 nm at a wavelength of 365 nm.
After exposure at 400 mJ / cm 2, development is performed with a 1% aqueous solution of sodium carbonate, an epoxy acrylate resin layer 33 is formed only on predetermined portions of the electrode 30 and the wiring 31, and a via hole 34 is formed at the same time (step ( b)). Next, after a photosensitive benzocyclobutene resin film is applied by a coating method such as a spin coating method or a curtain coating method, the via hole 35 is exposed through a mask corresponding to the via hole 35, and a developing process is performed. A benzocyclobutene resin film 36 is formed to obtain a wiring structure 37 (step (c)). As described above, by repeating the steps (a) to (c), a multilayer wiring structure 38 having an arbitrary number of layers can be formed (FIG. 8).
(D)).
【００３６】これらの配線構造では、金属導体配線、あ
るいは金属導体電極を有する支持基材上に、フルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層を形成し、そ
の上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成しているので、
ベンゾシクロブテン樹脂本来の優れた性能を損なうこと
なく、密着性の長期信頼性を確保しつつ、銅などの金属
イオンのマイグレーションを防いだ絶縁信頼性に優れる
配線構造を形成することができる。In these wiring structures, an epoxy acrylate resin layer having a fluorene skeleton is formed on a supporting substrate having a metal conductor wiring or a metal conductor electrode, and a benzocyclobutene resin film is formed thereon. So
It is possible to form a wiring structure having excellent insulation reliability that prevents migration of metal ions such as copper while maintaining long-term reliability of adhesion without impairing the excellent performance of the benzocyclobutene resin.
【００３７】[0037]
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited only to these examples.
【００３８】（実施例１）図１に示す工程により配線構
造を形成した。まず、アルミ、銅などの金属からなる導
体フィルム１上に、前記一般式（Ｉ）で示されるフルオ
レン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂（Ｒ＝Ｈ、
ｎ＝０）を溶解したコーティング溶液をスピンコーティ
ング法、スプレーコーティング法、印刷法などにより塗
布し、塗布膜２を得る（図１（ａ））。次に７５℃で１
０分間のベーキングを施した後、所定のパターン処理を
施したガラスマスク３を通して、例えば波長３６５ｎｍ
で２００ｍＪ／ｃｍ2の露光を行う（図１（ｂ））。次
いで、炭酸ナトリウム、あるいはアミン系のアルカリ現
像液に浸し、未露光部を溶解して現像し、更に１８０℃
から２００℃で３０分程度の加熱処理（ポストベーク）
を行うことにより、露光部を固化させ、ヴィアホール４
を有する層間絶縁膜５を得る（図１（ｃ））。Example 1 A wiring structure was formed by the steps shown in FIG. First, an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton represented by the general formula (I) (R = H,
(n = 0) is dissolved and applied by a spin coating method, a spray coating method, a printing method, or the like to obtain a coating film 2 (FIG. 1A). Then at 75 ° C
After baking for 0 minutes, through a glass mask 3 which has been subjected to a predetermined pattern processing, for example, a wavelength of 365 nm
To expose at 200 mJ / cm 2 (FIG. 1B). Then, the film is immersed in sodium carbonate or an amine-based alkali developing solution to dissolve and develop the unexposed portion.
To 200 ° C for about 30 minutes (post bake)
Is performed to solidify the exposed portion, and the via hole 4
Is obtained (FIG. 1C).
【００３９】その後、層間絶縁膜５上に、スパッタリン
グ法、蒸着法、あるいは無電解メッキ法などにより、銅
あるいはアルミなどの金属からなる導体層を形成し、フ
ォトリソ工程などにより所定の形状にエッチングを施し
て導体配線６を形成し、多層配線構造７を得る（図１
（ｄ））。Thereafter, a conductor layer made of a metal such as copper or aluminum is formed on the interlayer insulating film 5 by a sputtering method, a vapor deposition method, an electroless plating method, or the like, and is etched into a predetermined shape by a photolithography process or the like. To form a conductor wiring 6 to obtain a multilayer wiring structure 7 (FIG. 1).
(D)).
【００４０】以下、層間絶縁膜工程と導体配線工程を繰
り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造８
を得る（図１（ｅ））。また、必要ならば、図１（ｆ）
に示すように、導体フィルム１を所定の形状にエッチン
グを施し、導体配線９を設けた多層配線構造１０を得る
こともできる。Thereafter, by repeating the interlayer insulating film process and the conductor wiring process, a multilayer wiring structure 8 having an arbitrary number of layers is formed.
(FIG. 1 (e)). If necessary, FIG. 1 (f)
As shown in (1), the conductor film 1 is etched into a predetermined shape to obtain a multilayer wiring structure 10 provided with the conductor wiring 9.
【００４１】ここで、塗布膜２の現像にアルカリ系の現
像液を用いることで、露光された塗布膜２は膨潤するこ
となく、更に加熱硬化して層間絶縁膜５を得るときの収
縮率は、およそ６％程度と大変に小さいので、高精度か
つ微細なヴィアホール４を容易に得ることができる。得
られた層間絶縁膜の特性値を表１に示す。Here, by using an alkaline developing solution for developing the coating film 2, the exposed coating film 2 does not swell, and is further cured by heating to obtain an interlayer insulating film 5. , About 6%, which is very small, so that a highly accurate and fine via hole 4 can be easily obtained. Table 1 shows the characteristic values of the obtained interlayer insulating film.
【００４２】[0042]
【表１】 [Table 1]
【００４３】表１から解るとおり、本発明により、高耐
熱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸水率などの優れた特
性を有する配線構造体が得られる。As can be seen from Table 1, according to the present invention, a wiring structure having excellent properties such as high heat resistance, low dielectric constant, low thermal expansion coefficient and low water absorption can be obtained.
【００４４】尚、この例においては、ｎ＝０のフルオレ
ン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を用いたが、
ｎの値が大きくなるに従い、更に重量減少開始温度が高
くなり、また、吸水率の低下する傾向が認められた。In this example, an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton with n = 0 was used.
As the value of n increased, the temperature at which weight loss started further increased, and the tendency for the water absorption to decrease was observed.
【００４５】（実施例２）図２〜図６はプリント配線基
板からなる支持基板上に前記一般式（Ｉ）で示されるフ
ルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を絶縁
膜材料として用い、その上に導体電極パターンを形成し
たことを特徴とする多層配線構造体の製造工程を順に示
す断面図である。(Embodiment 2) FIGS. 2 to 6 show an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton represented by the above general formula (I) as an insulating film material on a support substrate composed of a printed wiring board, and a conductor on the support. It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the multilayer wiring structure characterized by forming the electrode pattern in order.
【００４６】表層導体電極１１と内層導体１２を有する
プリント配線基板１３上に、フルオレン骨格を有するエ
ポキシアクリレート樹脂を塗布し、露光、現像、硬化工
程によりヴィアホール１４を有する層間絶縁膜１５を形
成する（図２）。An epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is applied to a printed wiring board 13 having a surface conductor electrode 11 and an inner conductor 12, and an interlayer insulating film 15 having a via hole 14 is formed by exposure, development and curing steps. (FIG. 2).
【００４７】次いで、層間絶縁膜１５上に、例えば銅、
アルミなどの金属からなる導体層をスパッタリング法、
蒸着法、電解あるいは無電解メッキ法などにより設けた
後、所定の形状にエッチングを施すことにより導体電極
パターン１６を形成して多層配線構造１７を得る（図
３）。必要ならば、層間絶縁膜形成工程と導体電極パタ
ーン形成工程を繰り返すことにより、任意の層数を有す
る多層配線構造１８を得ることができる（図４）。更
に、プリント配線基板１３の裏面にも層間絶縁膜１５と
導体電極パターン１６を形成して多層配線構造１９を形
成することもできる（図５）。また、貫通スルーホール
２０を介して、表面電極配線１１、内層導体１２及び導
体電極パターン１６とを電気的に接続しても良い（図
６）。Next, on the interlayer insulating film 15, for example, copper,
Sputtering a conductor layer made of metal such as aluminum,
After being provided by a vapor deposition method, electrolysis or electroless plating, the conductor electrode pattern 16 is formed by etching in a predetermined shape to obtain a multilayer wiring structure 17 (FIG. 3). If necessary, the multilayer wiring structure 18 having an arbitrary number of layers can be obtained by repeating the interlayer insulating film forming step and the conductor electrode pattern forming step (FIG. 4). Further, a multilayer wiring structure 19 can be formed by forming an interlayer insulating film 15 and a conductor electrode pattern 16 also on the back surface of the printed wiring board 13 (FIG. 5). Further, the surface electrode wiring 11, the inner layer conductor 12, and the conductor electrode pattern 16 may be electrically connected through the through-hole 20 (FIG. 6).
【００４８】（実施例３）図７に示す支持基材２３とし
て、膜厚１ｍｍのエポキシ樹脂プリント基板（ＦＲ−
４）上に膜厚0.1〜1.0μｍ程度のフルオレン骨格を有す
るエポキシアクリレート樹脂層２４を塗布し、７５℃で
１０分間の乾燥を施し、波長３６５ｎｍで２００〜４０
０ｍＪ／ｃｍ2の露光を行う。次に膜厚１０μｍのベン
ゾシクロブテン樹脂膜をスピンコート法により塗布した
後、露光現像工程を経て、ヴィアホール２５を有するベ
ンゾシクロブテン樹脂膜２６を形成する（工程
（ｂ））。次いで、８０〜２００℃で３０分程度の加熱
処理の後に、プラズマエッチング法などによりヴィアホ
ール２５の底部にあるフルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂層２４を除去して配線構造２７を得る
（工程（ｃ））。その上に、幅２０μｍ、間隔２０μ
ｍ、膜厚５μｍの銅配線２８を櫛形状に形成して図７
（ｄ）に示す配線構造２９を得る。Example 3 As a supporting base material 23 shown in FIG. 7, an epoxy resin printed circuit board (FR-
4) An epoxy acrylate resin layer 24 having a fluorene skeleton having a film thickness of about 0.1 to 1.0 μm is applied thereon, and dried at 75 ° C. for 10 minutes.
An exposure of 0 mJ / cm2 is performed. Next, a 10 μm-thick benzocyclobutene resin film is applied by a spin coating method, and then, through an exposure and development step, a benzocyclobutene resin film 26 having a via hole 25 is formed (step (b)). Next, after a heat treatment at 80 to 200 ° C. for about 30 minutes, the epoxy acrylate resin layer 24 having a fluorene skeleton at the bottom of the via hole 25 is removed by a plasma etching method or the like to obtain a wiring structure 27 (step (c) )). On top of that, a width of 20 μm and an interval of 20 μm
The copper wiring 28 having a thickness of 5 μm and a thickness of 5 μm was
The wiring structure 29 shown in FIG.
【００４９】このようにして形成された配線構造に対し
て、プレッシャークッカバイアス試験（温度１２１℃、
湿度１００％、圧力２気圧、バイアス１２Ｖ）を行った
ところ、１００時間を経過しても絶縁特性劣化及び銅イ
オンのマイグレーションは全く観測されなかった。ま
た、図８に示すように、フルオレン骨格を有するエポキ
シアクリレート樹脂層をパターン状に形成した場合にも
同様の結果が得られた。A pressure cooker bias test (at a temperature of 121 ° C.,
When the humidity was set to 100%, the pressure was set to 2 atm, and the bias was set to 12 V), no deterioration of the insulating properties and migration of copper ions were observed even after 100 hours. In addition, as shown in FIG. 8, similar results were obtained when an epoxy acrylate resin layer having a fluorene skeleton was formed in a pattern.
【００５０】一方、同様の支持基板を用いて、フルオレ
ン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層の代わり
に、３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層を形
成し、以下同様にして形成した配線構造に対して、同様
にプレッシャークッカバイアス試験を行ったところ、６
０時間を経過した頃から銅イオンのマイグレーションが
確認され、中には絶縁特性が劣化したものも確認され
た。On the other hand, using a similar supporting substrate, a 3-aminopropyltriethoxysilane thin film layer is formed instead of the epoxy acrylate resin layer having a fluorene skeleton, A pressure cooker bias test was performed in the same manner.
At about 0 hours, migration of copper ions was confirmed, and some of them had deteriorated insulation properties.
【００５１】[0051]
【発明の効果】本発明によれば、耐熱性、低誘電率、低
熱膨張率などの優れた特性を有し、更に高精度かつ微細
なヴィアホールを有する配線構造が提供でき、電子部品
や実装基板の高性能化、及び高密度化による小型化を図
ることができる。更に、本発明の多層配線構造は、低コ
ストなプリント基板あるいはモールド配線基板上にも形
成できるので、電子部品や実装基板の低コスト化を図る
こともできる。According to the present invention, it is possible to provide a wiring structure having excellent characteristics such as heat resistance, a low dielectric constant, and a low coefficient of thermal expansion, and further having high precision and fine via holes. It is possible to achieve high performance of the substrate and downsizing by increasing the density. Further, the multilayer wiring structure of the present invention can be formed on a low-cost printed board or molded wiring board, so that the cost of electronic components and mounting boards can be reduced.
【図１】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの一実
施形態を示す断面構成図である。FIG. 1 is a sectional configuration view showing one embodiment of a manufacturing process of a multilayer wiring structure of the present invention.
【図２】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第１工程を示す断面構成図である。FIG. 2 is a sectional view showing a first step of another embodiment of the manufacturing process of the multilayer wiring structure of the present invention.
【図３】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第２工程を示す断面構成図である。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram showing a second step of another embodiment of the manufacturing process of the multilayer wiring structure of the present invention.
【図４】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第３工程を示す断面構成図である。FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram showing a third step of another embodiment of the manufacturing process of the multilayer wiring structure of the present invention.
【図５】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第４工程を示す断面構成図である。FIG. 5 is a sectional view showing a fourth step of another embodiment of the manufacturing process of the multilayer wiring structure of the present invention.
【図６】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第５工程を示す断面構成図である。FIG. 6 is a sectional view showing a fifth step of another embodiment of the manufacturing process of the multilayer wiring structure of the present invention.
【図７】金属イオンのマイグレーションを防止した配線
構造の製造工程を説明する模式的断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a wiring structure in which migration of metal ions is prevented.
【図８】金属イオンのマイグレーションを防止した配線
構造の別の製造工程を説明する模式的断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining another manufacturing process of a wiring structure in which migration of metal ions is prevented.
【図９】従来のベンゾシクロブテンを用いた配線構造の
模式的断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view of a conventional wiring structure using benzocyclobutene.
【図１０】密着性の改良された従来の配線構造の模式的
断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a conventional wiring structure with improved adhesion.
１ 導体フィルム ２ 塗布膜 ３ ガラスマスク ４ ヴィアホール ５ 層間絶縁膜 ６、９ 導体配線 ７、８、１０ 多層配線構造 １１ 表層導体電極 １２ 内層導体 １３ プリント配線基板 １４ ヴィアホール １５ 層間絶縁膜 １６ 導体電極パターン １７、１８、１９ 多層配線構造 ２０ 貫通スルーホール ２１ 電極 ２２ 配線 ２３ 支持基材 ２４ エポキシアクリレート層 ２５ ヴィアホール ２６ ベンゾシクロブテン樹脂膜 ２７ 配線構造 ２８ 上部配線 ２９ 多層配線構造 ３０ 電極 ３１ 配線 ３２ 支持基材 ３３ エポキシアクリレート樹脂層 ３４、３５ ヴィアホール ３６ ベンゾシクロブテン樹脂膜 ３７ 配線構造 ３８ 多層配線構造 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductive film 2 Coating film 3 Glass mask 4 Via hole 5 Interlayer insulating film 6, 9 Conductor wiring 7, 8, 10 Multilayer wiring structure 11 Surface conductor electrode 12 Inner layer conductor 13 Printed wiring board 14 Via hole 15 Interlayer insulating film 16 Conductor electrode Pattern 17, 18, 19 Multilayer wiring structure 20 Through through hole 21 Electrode 22 Wiring 23 Support base material 24 Epoxy acrylate layer 25 Via hole 26 Benzocyclobutene resin film 27 Wiring structure 28 Upper wiring 29 Multilayer wiring structure 30 Electrode 31 Wiring 32 Support Base material 33 Epoxy acrylate resin layer 34, 35 Via hole 36 Benzocyclobutene resin film 37 Wiring structure 38 Multilayer wiring structure
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 松井 孝二 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 嶋田 勇三 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 内海 和明 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 1/03 610 H01L 23/12 N (72) Inventor Koji Matsui 5-7-1 Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo No. within NEC Corporation (72) Inventor Yuzo Shimada 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation (72) Inventor Kazuaki Utsumi 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation
Claims (13)
ンとを有してなり、前記絶縁膜の少なくとも１層が下記
一般式(I)で表されるフルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂よりなることを特徴とする配線構造。 【化１】 （但し、Ｒは水素原子若しくは低級アルキル基であり、
ｎは０〜２０の整数である。）1. An insulating film comprising at least one insulating film and a conductor electrode pattern, wherein at least one layer of the insulating film is made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton represented by the following general formula (I). The wiring structure characterized by the above. Embedded image (Where R is a hydrogen atom or a lower alkyl group,
n is an integer of 0 to 20. )
リレート樹脂の、蒸留水に２４時間浸漬させた条件下に
おける吸水率が１．０％以下であることを特徴とする請
求項１記載の配線構造。2. The wiring structure according to claim 1, wherein the epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton has a water absorption of 1.0% or less under conditions immersed in distilled water for 24 hours.
リレート樹脂の一般式（Ｉ）において、Ｒが水素原子で
あり、ｎが０であることを特徴とする請求項１記載の配
線構造。3. The wiring structure according to claim 1, wherein in the general formula (I) of the epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton, R is a hydrogen atom and n is 0.
リレート樹脂が１６０〜２００℃で硬化されたものであ
ることを特徴とする請求項１又は３記載の配線構造。4. The wiring structure according to claim 1, wherein the epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is cured at 160 to 200 ° C.
リレート樹脂の誘電率が１Ｍｈｚにおいて３．１〜３．
２であることを特徴とする請求項３又は４記載の配線構
造。5. The epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton having a dielectric constant of 3.1 to 3 at 1 Mhz.
5. The wiring structure according to claim 3, wherein said wiring structure is 2.
リレート樹脂の誘電正接が１Ｍｈｚにおいて０．００１
〜０．００２であることを特徴とする請求項３又は４記
載の配線構造。6. An epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton having a dielectric loss tangent of 0.001 at 1 Mhz.
The wiring structure according to claim 3, wherein the wiring structure has a thickness of 0.002 to 0.002.
リレート樹脂の熱膨張率が３０〜２００℃下ＴＭＡ法に
よる測定において１０ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る請求項３又は４記載の配線構造。7. The wiring structure according to claim 3, wherein the epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton has a coefficient of thermal expansion of 10 ppm or less when measured by a TMA method at 30 to 200 ° C.
ターンが交互に順次形成された多層配線構造を形成して
いることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の
配線構造。8. The wiring structure according to claim 1, wherein a multilayer wiring structure is formed in which at least one interlayer insulating film and a conductor electrode pattern are formed alternately and sequentially.
ート樹脂よりなる絶縁膜が支持基材上に形成され、該絶
縁膜上に前記導体電極パターンを有する請求項１〜８の
いずれかに記載の配線構造。9. The wiring structure according to claim 1, wherein an insulating film made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is formed on a supporting substrate, and the conductive electrode pattern is formed on the insulating film.
ールド配線基板であることを特徴とする請求項９記載の
配線構造。10. The wiring structure according to claim 9, wherein the supporting base material is a printed wiring board or a molded wiring board.
クリレート樹脂よりなる絶縁膜が金属導体配線あるいは
金属導体電極パターンを有する支持基材上に形成されて
おり、その上にベンゾシクロブテン樹脂からなる絶縁膜
を形成したことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに
記載の配線構造。11. An insulating film made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is formed on a supporting substrate having a metal conductor wiring or a metal conductor electrode pattern, and an insulating film made of a benzocyclobutene resin is formed thereon. The wiring structure according to claim 1, wherein the wiring structure is formed.
クリレート樹脂よりなる絶縁膜が金属導体配線あるいは
金属導体電極パターン上にパターン状に形成されている
ことを特徴とする請求項１１の配線構造。12. The wiring structure according to claim 11, wherein said insulating film made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is formed in a pattern on a metal conductor wiring or a metal conductor electrode pattern.
シアクリレート樹脂を１６０〜２００℃で硬化すること
を特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線構造
の製造方法。13. The method for producing a wiring structure according to claim 1, wherein the applied epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is cured at 160 to 200 ° C.
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