IT201800000950A1 - Dispositivo incapsulato di potenza con migliorate capacita' di dissipazione del calore e migliori prestazioni termiche - Google Patents

Dispositivo incapsulato di potenza con migliorate capacita' di dissipazione del calore e migliori prestazioni termiche Download PDF

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Cristiano Gianluca Stella
Francesco Salamone
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Description

DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale dal titolo:
“DISPOSITIVO INCAPSULATO DI POTENZA CON MIGLIORATE CAPACITA' DI DISSIPAZIONE DEL CALORE E MIGLIORI PRESTAZIONI TERMICHE”
La presente invenzione è relativa ad un dispositivo incapsulato di potenza con migliorate capacità di dissipazione del calore e migliori prestazioni termiche.
Sono noti circuiti elettronici (quali ad esempio convertitori AC-DC, DC-DC e invertitori DC-AC) utilizzati per trasferire energia da un generatore in continua o in alternata (ad esempio la rete di alimentazione) a carichi in continua, eventualmente convertendo contemporaneamente caratteristiche della tensione e/o corrente.
Diversamente dagli alimentatori di potenza lineari, il transistore di trasferimento (″pass transistor″) di un alimentatore a commutazione (″switching-mode supply″) continua a commutare fra stati a bassa dissipazione, stati di spegnimento completo e stati di accensione completa e restano in condizione di transizione, altamente dissipativa, per poco tempo, minimizzando così l'energia sprecata. Questi interruttori sono realizzati spesso da una singola piastrina (″die″) di silicio o carburo di silicio che può essere inserita in un singolo incapsulamento (″package″) in soluzioni discrete e topologie circuitali discrete o può essere assemblata come piastrina singola all'interno di soluzioni di incapsulamento modulare più grandi, in grado di alloggiare intere topologie circuitali, quali invertitori/convertitori a semi-ponte o a ponte intero.
In entrambe le soluzioni, nonostante gli accorgimenti per ridurre il consumo e quindi lo spreco di energia, alcuni dispositivi incapsulati possono avere periodi di funzionamento ad elevata potenza, in cui è richiesta la dissipazione di elevate quantità di calore.
A tale scopo, gli incapsulamenti dei dispositivi ad elevata potenza sono conformati e montati in modo da favorire la dissipazione, tipicamente tramite aumento della superficie dissipativa e/o favorendo il trasferimento del calore. Ad esempio, i dispositivi di potenza sono solitamente dotati di strutture dissipative chiamate ″heat sink″ formate da lamelle o sporgenze a contatto con l'incapsulamento e che aumentano la superficie dissipativa. Altre soluzioni possono prevedere cosiddetti ″cooling box″ ovvero strutture cave fissate esternamente all'incapsulamento e percorse da un fluido, ad esempio un liquido di raffreddamento, movimentato attraverso una pompa elettrica per aumentare l'efficienza di estrazione del calore.
Entrambe le soluzioni comportano un aumento considerevole del volume del dispositivo integrato e della sua struttura di incapsulamento e dissipazione. Tuttavia, in alcune applicazioni, ciò è indesiderato. Ad esempio, nel caso che i dispositivi elettronici integrati di potenza vengano utilizzati in impianti elettrici nel campo automobilistico o in apparecchi elettronici portatili, è desiderabile ridurre il più possibile le dimensioni e il peso dei dispositivi integrati ed aumentare il più possibile la densità di impaccamento degli stessi. In tal caso e comunque, in generale, l'impiego di dispositivi elettronici integrati di potenza in apparecchi e impianti di dimensioni o con ingombro ridotto contrasta con l'esigenza di superfici dissipative elevate.
Scopo della presente invenzione è mettere a disposizione un incapsulamento che permetta una migliorata efficienza di dissipazione, per una riduzione di ingombro e/o una maggiore capacità dissipativa.
Secondo la presente invenzione vengono realizzati un incapsulamento ed un dispositivo integrato incapsulato, come definiti nelle rivendicazioni allegate.
Per una migliore comprensione della presente invenzione ne vengono ora descritte alcune forme di realizzazione, a puro titolo di esempio non limitativo, con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 è una vista dal basso sul presente dispositivo incapsulato;
- la figura 2 è una vista dall’alto del dispositivo incapsulato di figura 1;
- la figura 3 è una vista prospettica e in esploso del dispositivo incapsulato delle figure 1 e 2;
- la figura 4 è una vista prospettica dal basso e con parti asportate del dispositivo incapsulato delle figure 1-3;
- la figura 5 è una sezione trasversale del dispositivo incapsulato delle figure 1-4;
- la figura 5A mostra un dettaglio ingrandito del dispositivo incapsulato di figura 5;
- le figure 6A e 6B sono viste laterali prese a 90° una rispetto all'altra del dispositivo incapsulato delle figure 1-5 in una fase di assemblaggio;
- le figure 7A e 7B sono sezioni trasversali schematiche prese da direzioni uguali a quelle delle figure 6A e 6B del dispositivo incapsulato delle figure 1-5 nella stessa fase di assemblaggio delle figure 6A, 6B;
- le figure 8A e 8B sono sezioni trasversali schematiche analoghe a quelle delle figure 7A e 7B al termine dell'assemblaggio;
- la figura 9 è una sezione trasversale del dispositivo incapsulato delle figure 1-5 mostrante il movimento di un liquido di raffreddamento;
- le figure 10A e 10B sono sezioni trasversali schematiche analoghe a quelle delle figure 8A e 8B mostranti la dispersione di calore del presente dispositivo incapsulato;
- la figura 11 mostra, in una vista prospettica schematica dal basso con parti asportate, il comportamento di dissipazione termica del dispositivo incapsulato delle figure 1-5; e
- le figure 12A e 12B sono sezioni trasversali schematiche analoghe a quelle delle figure 8A e 8B di una diversa forma di realizzazione del presente dispositivo incapsulato.
Le figure 1-5 mostrano una forma di realizzazione di un dispositivo incapsulato 1.
Il dispositivo incapsulato 1 comprende una o più piastrine 3 (″dice″) di materiale semiconduttore, ad esempio di silicio (Si) o carburo di silicio (SiC), contenute in un incapsulamento 2.
In dettaglio, l'incapsulamento 2 comprende un involucro isolante 4, ad esempio di materiale plastico (mostrato solo parzialmente nelle figure 1, 3 e 4), circondante una prima e una seconda regione dissipativa 5, 6; le regioni dissipative 5, 6 sono collegate reciprocamente attraverso un primo ed un secondo elemento di connessione. Ad esempio, gli elementi di connessione sono tubolari, in particolare sono costituiti da una prima e da una seconda vite 7, 8. L'incapsulamento 2 definisce una cavità interna 30.
La prima regione dissipativa 5 è destinata a formare, in uso, supporto dissipatore superiore ed ha una faccia interna 5A e una faccia esterna 5B; sulla faccia interna 5Avengono fissate, tipicamente saldate tramite un ″solder paste″, le piastrine 3. La faccia esterna 5B della prima regione dissipativa 5 è qui a filo con l'involucro 4. In una alternativa, la prima regione dissipativa 5 può sporgere dall'involucro 4. La seconda regione dissipativa 6 ha una faccia interna 6A e una faccia esterna 6B ed è destinata a formare, in uso, un supporto dissipatore inferiore destinato ad essere accoppiato, tramite la propria faccia esterna 6B, ad una scheda portante 11, ad esempio una scheda a circuito stampato (figura 5). Ad esempio, seconda regione dissipativa 6 può essere posta a contatto con una lamina dissipativa di rame apposita prevista sulla scheda portante 11. La faccia interna 6A della seconda regione dissipativa 6 è a contatto con una porzione orizzontale dell'involucro 4, non visibile nelle figure; l'involucro 4 è inoltre chiuso inferiormente da una parete inferiore 4A che circonda la seconda regione dissipativa 6 (figure 1 e 3).
La prima e la seconda regione dissipativa 5, 6 hanno forma generalmente parallelepipeda allungata in una prima direzione parallela ad un primo asse Y di un sistema di riferimento cartesiano XYZ (fig. 5), sono cave e contengono al loro interno rispettivamente una prima e una seconda camera 12, 13.Le regioni dissipative 5, 6 possono essere costituite da leadframe modificate. Ad esempio, la prima regione dissipativa 5 può essere realizzata come un substrato DCB (dall'inglese Direct Copper Bonding) ovvero da un triplo strato, includente un primo strato conduttivo 32, uno strato intermedio isolante 33 ed un secondo strato conduttivo 34, come mostrato nel dettaglio di figura 5A. In particolare, il primo strato conduttivo 32 (formante la faccia esterna 5B della prima regione dissipativa 5) è destinato ad essere disposto esternamente all'incapsulamento 2, può essere costituito da una leadframe modificata, ad esempio di rame, e alloggia la prima camera 12 lo strato intermedio isolante 33 può essere di allumina (Al2O3), avente eccellenti caratteristiche di isolamento elettrico ma non termico, e il secondo strato conduttivo 34 (formante la faccia interna 5A della prima regione dissipativa 5) è destinato ad essere disposto internamente all'incapsulamento 2, è di rame.
La seconda regione dissipativa 6 è invece realizzata da un singolo strato, ad esempio di rame, e può essere costituita da una leadframe modificata.
Come si nota dalle figure 1-4, la prima regione dissipativa 5 ha forma generalmente parallelepipeda, con lunghezza diretta parallelamente al primo asse Y e la seconda regione dissipativa 6 ha forma generalmente ″a nave″ in vista in pianta (fig. 1), con lunghezza massima diretta parallelamente al primo asse Y e pari a quella della prima regione dissipativa 5. Tali forme non sono tuttavia limitative e possono cambiare. Inoltre, la prima e la seconda regione dissipativa 5, 6 presentano porzioni sporgenti 16A, 16B, 17A, 17B estendentisi dalle rispettive facce interne 5A, 6A, in prossimità delle rispettive estremità longitudinali, verso la cavità interna 30.
Le camere 12, 13 si estendono per la maggior parte della lunghezza e della larghezza (parallelamente ad un secondo asse X del sistema di riferimento cartesiano XYZ) delle regioni dissipative 5, 6. Le camere 12 e 13 possono avere forma in pianta analoga a quella delle rispettive regioni dissipative 5, 6 e profondità (parallelamente ad un terzo asse Z del sistema di riferimento cartesiano XYZ) variabile. In dettaglio, la prima camera 12 ha profondità crescente a partire dalle estremità longitudinali e presenta un massimo in una porzione centrale. Ad esempio, in sezione trasversale (fig.
5), la superficie inferiore della prima camera 12 (rivolta verso la faccia interna 5A della prima regione dissipativa 5) può formare due lati di un triangolo isoscele con vertice rivolto verso il basso. Viceversa, la seconda camera 13 ha profondità crescente linearmente a partire da un'estremità verso l'estremità opposta. Ad esempio, la superficie inferiore della seconda camera 13 (rivolta verso la faccia inferiore esterna 6B della seconda regione dissipativa 6) può definire un piano inclinato verso il basso a partire dall'estremità della seconda camera 13 in prossimità della prima vite 7 e avere profondità massima in prossimità dell'estremità della seconda camera 13 stessa in prossimità della seconda vite 8, per i motivi discussi in seguito con riferimento alla figura 9.
Le piastrine 3 sono generalmente fissate in posizione non centrale in direzione longitudinale della prima regione dissipativa 5; ad esempio in figura 5 sono disposte in corrispondenza di una metà sinistra della prima regione dissipativa 5, direttamente al di sotto della prima camera 12.
Le camere 12, 13 sono collegate con l'esterno tramite quattro fori 14A, 14B, 15A, 15B figura 5). In dettaglio, il primo e il secondo foro 14A, 14B si estendono in direzione parallela all'asse Z dalle estremità longitudinali della prima camera 12 dalla faccia interna 5A attraverso le porzioni sporgenti 16A, 16B della prima regione dissipativa 5. Il terzo e il quarto foro 15A, 15B si estendono in direzione parallela all'asse Z dalle estremità longitudinali della seconda camera 13 e attraverso le porzioni sporgenti 17A, 17B, in posizione verticalmente allineata ai primi fori 14A, 15B.
Le viti 7, 8 sono cave, presentano un primo e, rispettivamente un secondo canale passante 18, 19 e si estendono trasversalmente alle regioni dissipative 5, 6 (parallelamente al terzo asse Z). Inoltre, le viti 7 e 8 hanno estremità esterne dotate di filettature 35 (figure 6A, 6B) che si avvitano nei fori 14A, 14B, 15A, 15B. In dettaglio, la prima vite 7 è avvitata nel primo e nel terzo foro 14A, 15A e la seconda vite 8 è avvitata al secondo e al quarto foro 14B, 15B in modo da collegare fluidicamente la prima e la seconda camera 12, 13 attraverso i canali passanti 18, 19. Guarnizioni non mostrate possono essere previste per assicurare la tenuta.
Ad esempio, le camere 12 e 13 possono avere lunghezza (in direzione parallela all'asse Y) pari a 100 mm, larghezza massima (in direzione parallela all'asse X) pari a 20 mm; e le camere 12 e 13 possono avere profondità minima pari a 1,8 mm e profondità massima pari a 2 mm.
I canali passanti 18, 19 nelle viti 7, 8 possono avere un'altezza di circa 10 mm e larghezza 1,8 mm in modo da favorire fenomeni di capillarità, come sotto spiegato.
All'interno delle camere 12, 13 e dei canali passanti 18, 19 è presente un liquido di raffreddamento 38, di tipo noto.
Il secondo strato conduttivo 34, formante la faccia interna 5A della prima regione dissipativa 5, è generalmente sagomato a formare piste conduttive; esso è collegato, attraverso spine di connessione elettrica non mostrate ed estendentisi nella cavità interna 30 fra la prima e la seconda regione dissipativa 5, 6, a vie conduttive non mostrate, formate nella parete inferiore 4A dell'involucro 4, esternamente alla seconda regione dissipativa 6, e ad adduttori 10 (tratteggiati in figura 5), in modo di per sé noto. Materiale isolante, ad esempio siliconico, può coprire le piastrine 3 ed i loro collegamenti elettrici non mostrati nella cavità interna 30, per la loro protezione, in modo di per sé noto.
Le figure 6A, 6B, 7A, 7B e 8A, 8B mostrano il dispositivo incapsulato 1 in modo semplificato in successive fasi di assemblaggio.
In dettaglio, le figure 6A, 6B, 7A, 7B mostrano la fase di avvitamento delle viti 7, 8 nei fori 14A, 14B, 15A, 15B (non visibile nelle figure 6A, 6B) attraverso rispettive porzioni filettate 35, fissando le regioni dissipative 5, 6 una all'altra. In modo non mostrato, le piastrine 3 sono già state saldate sulla faccia interna 5A della prima regione dissipativa 5.
Al termine dell'avvitamento delle viti 7, 8, figure 8A, 8B, il liquido di raffreddamento (indicato con 38) viene introdotto nelle camere 12, 13 e nei canali passanti 18, 19 attraverso un'apertura non mostrata, ad esempio formata nella prima regione dissipativa 12, chiusa successivamente tramite materiale sigillante o mediante saldatura.
In uso, si faccia riferimento alla figura 9, il liquido di raffreddamento 38 circola all'interno del circuito idraulico formato dalle camere 12, 13 e dai canali passanti 18, 19 (indicato globalmente con 50) in modo automatico, grazie alla conformazione di questi, alla disposizione delle piastrine 3 (la cui temperatura può raggiungere i 100°C), favorito dalla capillarità nei canali passanti 18, 19.
Infatti, come indicato da frecce 40, il calore generato dalle piastrine 3 viene assorbito dal liquido di raffreddamento 38 presente nella prima camera 12 nella porzione sovrastante alle piastrine 3 stesse, che si scalda, aumenta di densità e riceve una spinta (in base alla legge di Archimede) verso l'alto. Dato che le piastrine 3 sono in posizione longitudinalmente eccentrica, a sinistra in figura 9, il liquido di raffreddamento 38 tende a spostarsi verso l'estremità più prossima della prima camera 12 (a sinistra in figura 9, come mostrato dalla freccia 41), favorito anche dalla parete inferiore della prima camera 12 stessa, inclinata verso l'alto e verso l'estremità.
Quindi, il liquido di raffreddamento 38 percorre il primo canale passante 18 verso il basso (freccia 42), iniziando a cedere parte del calore alla prima vite 7, di metallo e quindi termicamente conduttivo. Il raffreddamento del liquido di raffreddamento 38 favorisce il movimento in discesa.
Il liquido di raffreddamento 38 prosegue quindi il suo movimento lungo la seconda camera 13, favorita dalla forma della stessa, grazie alla presenza di una parete inferiore inclinata verso il basso nella direzione dalla prima vite 7 verso la seconda vite 8, freccia 43. In questa fase, grazie anche al progressivo aumento di sezione della seconda camera 13 da sinistra verso destra, il liquido si raffredda, cedendo il calore alle piste metalliche (non mostrate) presenti sulla scheda portante 11 (figura 5).
Successivamente, il liquido di raffreddamento 38 risale il secondo canale passante 19, per capillarità e per inerzia, freccia 44 e raggiunge nuovamente la prima camera 12. Il liquido di raffreddamento 38 avanza quindi nella porzione di destra della prima camera 12, favorito dalla pendenza verso il basso di questa.
In questo modo, all'interno del circuito idraulico 50 si crea un movimento per convezione naturale che favorisce l'estrazione del calore dalle piastrine 3.
L'efficacia di raffreddamento è anche mostrata nelle figure 10A, 10B e 11. In particolare, le figure 10A e 10B (mostranti la sezione del dispositivo incapsulato 1 su piani trasversali reciprocamente perpendicolari) mostrano tramite frecce 55 le zone di dissipazione sfruttate dal liquido di raffreddamento 38. Come si nota, tali zone comprendono praticamente tutte le superfici esterne del dispositivo incapsulato 1, tranne il lato di risalita del liquido di raffreddamento 38 in corrispondenza della seconda vite 8.
L'effetto di raffreddamento è anche visibile nella simulazione di figura 11, in toni di grigio, in cui a zone più chiare corrispondono zone più calde.
La figura 12 mostra una variante, in cui alla prima parete dissipativa 5 è fissato un elemento dissipatore o ″heat sink″ 60, di tipo noto. In questo modo, si aumenta ulteriormente l'efficacia di raffreddamento.
Grazie alla disposizione di strutture dissipanti anche su differenti lati del dispositivo incapsulato 1 e alla particolare configurazione descritta, il dispositivo incapsulato 1 descritto presenta un funzionamento termico migliorato rispetto alle soluzioni note.
In particolare, con il presente dispositivo incapsulato 1 è possibile ottenere una riduzione dei transienti termici, siano di veloce, media o lenta evoluzione, all'interno delle piastrine 3, riducendo quindi gli stress termici (riduzione di ∆T).
Il presente dispositivo incapsulato 1 consente di ridurre inoltre gli stress meccanici del sistema grazie alla riduzione della temperatura di lavoro nonché delle variazioni della temperatura nel tempo (″temperature swing″); quindi esso presenta caratteristiche meccaniche migliorate e di conseguenza un maggiore tempo medio prima di guastarsi (minore MTTF – Mean Time to Failure).
La soluzione presentata consente di migliorare l'efficienza dato che la minore temperatura di lavoro consente ai circuiti elettronici integrati, e in particolare agli interruttori nei convertitori di potenza, di lavorare ad una resistenza di saturazione Rds(on) inferiore. Infatti, tale parametro è fortemente dipendente dalla temperatura di lavoro ed in particolare cresce al crescere della temperatura. La riduzione della Rds(on) d'altra parte permette di ridurre le perdite di conduzione e quindi di aumentare l'efficienza totale del sistema.
Il nuovo sistema di incapsulamento, utilizzante una leadframe su entrambi i lati delle piastrine 3 per formare le regioni dissipative 5, 6, consente di ottenere una riduzione delle induttanze parassite, contribuendo a ridurre l'energia dissipata durante i transitori e quindi le perdite di commutazione.
La struttura risulta più compatta rispetto alle soluzioni attuali con ″cooling box″, consentendo l'utilizzazione del presente dispositivo incapsulato in un'ampia gamma di apparecchi e applicazioni. Inoltre, a parità di dissipazione, anche l'heat sink può essere realizzato di dimensioni inferiori rispetto alle soluzioni attuali.
La riduzione di induttanze parassite ottenibili consente una corrispondente riduzione delle interferenze elettromagnetiche EMI generate.
Risulta infine chiaro che al dispositivo incapsulato qui descritto ed illustrato possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall’ambito protettivo della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.

Claims (14)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo incapsulato (1), comprendente: un incapsulamento (2), includente una prima ed una seconda regione dissipativa (5, 6), ed un primo ed un secondo elemento di connessione (7, 8), e una piastrina (3) di materiale semiconduttore all'interno dell'incapsulamento (2), portata dalla prima regione dissipativa (5); in cui la prima e la seconda regione dissipativa (5, 6) si estendono a distanza, il primo e il secondo elemento di connessione (7, 8) si estendono a distanza reciproca fra la prima e la seconda regione dissipativa (5, 6); la prima regione dissipativa, la seconda regione dissipativa, primo elemento di connessione e il secondo elemento di connessione essendo cavi e formando un circuito (50) contenente un liquido di raffreddamento (38).
  2. 2. Dispositivo incapsulato secondo la rivendicazione 1, in cui la prima regione dissipativa (5) comprende una piastra multistrato includente un primo strato (32), di materiale termicamente conduttore, uno strato intermedio (33), di materiale elettricamente isolante, ed un secondo strato (34), di materiale elettricamente conduttore, sovrapposti reciprocamente; il primo strato (32) alloggiando una prima camera di dissipazione (12), il secondo strato (34) essendo rivolto verso la seconda regione dissipativa (6) e formando regioni elettricamente conduttive, e la piastrina (3) essendo fissata al secondo strato (34).
  3. 3. Dispositivo incapsulato secondo la rivendicazione 2, in cui la piastra multistrato (5) comprende un substrato DCB (Direct Copper Bonding), in cui il primo e il secondo strato (32, 34) sono di rame e lo strato intermedio è di allumina (33).
  4. 4. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la seconda regione dissipativa (6) comprende una piastra monostrato di materiale elettricamente conduttore, quale rame.
  5. 5. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui il primo e il secondo elemento di connessione (7, 9) comprendono elementi tubolari cavi, ciascun elemento tubolare cavo avendo una prima ed una seconda estremità filettata (35) impegnante rispettivamente la prima e la seconda regione dissipativa (5, 6).
  6. 6. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la prima e la seconda regione dissipativa (5, 6) comprendono rispettive piastre dissipative di forma allungata dotate ciascuna di una prima e di una seconda estremità longitudinale, il primo elemento di connessione (7) si estende trasversalmente alle piastre dissipative fra le prime estremità delle piastre dissipative e il secondo elemento di connessione (8) si estende trasversalmente alle piastre dissipative fra le seconde estremità delle piastre dissipative.
  7. 7. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la prima e la seconda regione dissipativa (5, 6) presentano una prima e rispettivamente una seconda faccia interna (5A, 6A), rivolte una verso l'altra; la prima regione dissipativa (5) alloggia una prima camera (12) di forma allungata, dotata di una prima e di una seconda estremità, e presenta una prima ed una seconda apertura (14A, 14B) estendentisi dalla prima faccia (5A) interna fino alla prima, rispettivamente alla seconda estremità della prima camera (12); la seconda regione dissipativa (6) alloggia una seconda camera (13) di forma allungata, dotata di una terza e di una quarta estremità, e presenta una terza ed una quarta apertura (15A, 15B) estendentisi dalla seconda faccia interna (6B) fino alla terza, rispettivamente alla quarta estremità della seconda camera (13); il primo elemento di connessione (7) alloggia un primo canale passante (18); e il secondo elemento di connessione (7) alloggia un secondo canale passante (19), la prima e la terza apertura (14A, 15A) essendo in connessione fluidica con e allineate al primo canale passante (18), la seconda e la quarta apertura (14B, 15B) essendo in connessione fluidica con e allineate al secondo canale passante (19).
  8. 8. Dispositivo incapsulato secondo la rivendicazione 7, in cui la prima camera (12) presenta profondità crescente dalla prima estremità verso una porzione intermedia della prima camera e dalla seconda estremità verso la porzione intermedia della prima camera.
  9. 9. Dispositivo incapsulato secondo la rivendicazione 8, in cui la seconda camera (13) presenta profondità crescente dalla terza verso la quarta estremità.
  10. 10. Dispositivo incapsulato secondo la rivendicazione 8 o 9, in cui la piastrina (3) è accoppiata alla prima faccia interna (5A) della prima regione dissipativa (5) in posizione longitudinalmente eccentrica rispetto alla prima camera (12).
  11. 11. Dispositivo incapsulato secondo la rivendicazione 10, in cui la piastrina (3) è disposta in corrispondenza di una zona compresa fra la prima estremità e la porzione intermedia della prima camera (12).
  12. 12. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la seconda regione dissipativa (13) è configurata per essere accoppiata ad un supporto di connessione (11) quale un circuito stampato.
  13. 13. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente un heat sink (60) fissato alla prima regione dissipativa (5).
  14. 14. Dispositivo incapsulato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui l'incapsulamento (2) comprende un involucro (4) costituito da una cassa plastica circondante lateralmente la prima regione dissipativa (5), la seconda regione dissipativa (6), il primo elemento di connessione (7) e il secondo elemento di connessione (8).
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